JP2002232130A - 電子部品実装基板および電子部品の基板への実装方法 - Google Patents
電子部品実装基板および電子部品の基板への実装方法Info
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- JP2002232130A JP2002232130A JP2001027869A JP2001027869A JP2002232130A JP 2002232130 A JP2002232130 A JP 2002232130A JP 2001027869 A JP2001027869 A JP 2001027869A JP 2001027869 A JP2001027869 A JP 2001027869A JP 2002232130 A JP2002232130 A JP 2002232130A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に内部にコイルを有する熱容量の大き
い電子部品を実装してリフロー半田を行うと、端子部の
熱がコイルに吸収されて端子部の温度上昇が遅く、半田
付け不良が生じやすい。 【解決手段】 基板１に通気孔１ａを形成し、この上に
内部にコイルを有する熱容量の大きな電子部品２を装着
する。基板１をリフロー炉に入れて基板１の上部方向お
よび下部方向から熱風加熱すると、前記通気孔１ａを通
じて電子部品１の底面２Ｂ側が加熱され、熱容量の大き
な電子部品２全体が短時間で加熱される。よって端子部
２ａの熱が電子部品内に逃げにくくなって、端子部２ａ
の温度低下を防止でき、半田を確実に溶融させることが
できる。
い電子部品を実装してリフロー半田を行うと、端子部の
熱がコイルに吸収されて端子部の温度上昇が遅く、半田
付け不良が生じやすい。 【解決手段】 基板１に通気孔１ａを形成し、この上に
内部にコイルを有する熱容量の大きな電子部品２を装着
する。基板１をリフロー炉に入れて基板１の上部方向お
よび下部方向から熱風加熱すると、前記通気孔１ａを通
じて電子部品１の底面２Ｂ側が加熱され、熱容量の大き
な電子部品２全体が短時間で加熱される。よって端子部
２ａの熱が電子部品内に逃げにくくなって、端子部２ａ
の温度低下を防止でき、半田を確実に溶融させることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品が取り付
けられる実装基板に係わり、特に電子部品の端子と実装
基板上のパターンとの半田付け不良を未然に防止し、電
子部品の取り付けを確実に行えるようにした電子部品実
装基板および電子部品の基板への実装方法に関する。
けられる実装基板に係わり、特に電子部品の端子と実装
基板上のパターンとの半田付け不良を未然に防止し、電
子部品の取り付けを確実に行えるようにした電子部品実
装基板および電子部品の基板への実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を実装基板に取り付ける方法と
しては、ペースト状のクリーム半田を用いるリフロー方
式によるものがある。
しては、ペースト状のクリーム半田を用いるリフロー方
式によるものがある。
【０００３】前記リフロー方式は、基板表面に形成され
た導電性の配線パターン上にマスキングが施され、ペー
スト状のクリーム半田が配線パターンの所定のランド部
に塗布される。前記リフロー方式で実装される電子部品
は、導電性の端子部が側方に突出したもの、または電子
部品の底部に前記端子部が現れているものであり、前記
電子部品は、自動機によって前記基板表面に供給され、
前記端子部が前記クリーム半田の粘着力によって前記ラ
ンド部に接着される。
た導電性の配線パターン上にマスキングが施され、ペー
スト状のクリーム半田が配線パターンの所定のランド部
に塗布される。前記リフロー方式で実装される電子部品
は、導電性の端子部が側方に突出したもの、または電子
部品の底部に前記端子部が現れているものであり、前記
電子部品は、自動機によって前記基板表面に供給され、
前記端子部が前記クリーム半田の粘着力によって前記ラ
ンド部に接着される。
【０００４】電子部品が実装された基板は、ベルトコン
ベアなどの搬送手段によりリフロー装置内に搬送され
る。リフロー装置には加熱用の炉（リフロー炉）が設け
られており、前記基板が前記炉内の加熱雰囲気内で加熱
され、前記クリーム半田の半田成分が溶融する。その後
に、冷却されて前記半田が硬化させられ、前記端子部と
前記ランド部とが固着される。
ベアなどの搬送手段によりリフロー装置内に搬送され
る。リフロー装置には加熱用の炉（リフロー炉）が設け
られており、前記基板が前記炉内の加熱雰囲気内で加熱
され、前記クリーム半田の半田成分が溶融する。その後
に、冷却されて前記半田が硬化させられ、前記端子部と
前記ランド部とが固着される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記リフロー方式で
は、炉内の空気温度を加熱することで、クリーム半田を
溶融している。ここで、前記ランド部は金属箔または薄
膜で形成されているために熱容量が小さく、よってクリ
ーム半田が加熱されているときに、クリーム半田から前
記ランド部に逃げる熱量はきわめて小さい。一方、電子
部品はその構造によって端子部を介して伝達される熱の
容量が相違する。
は、炉内の空気温度を加熱することで、クリーム半田を
溶融している。ここで、前記ランド部は金属箔または薄
膜で形成されているために熱容量が小さく、よってクリ
ーム半田が加熱されているときに、クリーム半田から前
記ランド部に逃げる熱量はきわめて小さい。一方、電子
部品はその構造によって端子部を介して伝達される熱の
容量が相違する。
【０００６】例えば、抵抗器やコンデンサなどのチップ
部品または電界コンデンサを含む部品などは、その底部
に金属端子が小さい面積で現れているだけで、内部に熱
容量の大きな部分を有していない。よってクリーム半田
から端子部へ逃げる熱量はわずかである。しかし、コン
デンサ、チョークコイルその他のインダクティブ型の電
子部品では、その内部に前記端子部に導通するコイルが
設けられているが、このコイルはある程度の熱容量を有
しているため、端子部から電子部品の内部に伝導する熱
量が多くなる。同様に、パワートランジスタなどの半導
体部品には、放熱用のヒートシンクを有しているものが
あり、このような半導体部品も、クリーム半田から前記
端子部を経てヒートシンクに熱が逃げやすくなってい
る。
部品または電界コンデンサを含む部品などは、その底部
に金属端子が小さい面積で現れているだけで、内部に熱
容量の大きな部分を有していない。よってクリーム半田
から端子部へ逃げる熱量はわずかである。しかし、コン
デンサ、チョークコイルその他のインダクティブ型の電
子部品では、その内部に前記端子部に導通するコイルが
設けられているが、このコイルはある程度の熱容量を有
しているため、端子部から電子部品の内部に伝導する熱
量が多くなる。同様に、パワートランジスタなどの半導
体部品には、放熱用のヒートシンクを有しているものが
あり、このような半導体部品も、クリーム半田から前記
端子部を経てヒートシンクに熱が逃げやすくなってい
る。
【０００７】前記のインダクティブ型などの熱容量の大
きい電子部品が、他のチップ部品などとともに基板に実
装されていると、チップ部品などの端子部が接するクリ
ーム半田が十分に溶融しているのにもかかわらず、熱容
量の大きい電子部品では、クリーム半田が接している端
子部の熱量が電子部品の内部に多く逃げるため、端子部
の温度が十分に高くならず、クリーム半田が十分に溶融
せずに半田不良が生じやすい。
きい電子部品が、他のチップ部品などとともに基板に実
装されていると、チップ部品などの端子部が接するクリ
ーム半田が十分に溶融しているのにもかかわらず、熱容
量の大きい電子部品では、クリーム半田が接している端
子部の熱量が電子部品の内部に多く逃げるため、端子部
の温度が十分に高くならず、クリーム半田が十分に溶融
せずに半田不良が生じやすい。
【０００８】図６は、実装基板にトランスとそれ以外の
部品としてチップ部品を実装し、リフロー炉内で加熱し
たときの、各部の温度上昇を測定したものであり、横軸
が時間で、縦軸が温度である。
部品としてチップ部品を実装し、リフロー炉内で加熱し
たときの、各部の温度上昇を測定したものであり、横軸
が時間で、縦軸が温度である。
【０００９】リフロー方式の半田付けでは、基板表面の
温度がＴ１になるまで温度を上昇させた後に、前記上昇
後の時刻ｔ１からｔ２までの間でプリヒート（予備加
熱）を行い、その後に基板表面の温度がＴ２に達すると
本加熱が開始される。この本加熱を行う時間がｔ４−ｔ
３である。
温度がＴ１になるまで温度を上昇させた後に、前記上昇
後の時刻ｔ１からｔ２までの間でプリヒート（予備加
熱）を行い、その後に基板表面の温度がＴ２に達すると
本加熱が開始される。この本加熱を行う時間がｔ４−ｔ
３である。
【００１０】図６に示すように、チップ部品などの他の
部品の端子部の温度は、基板表面の温度とほぼ同等に上
昇していくが、トランスの端子部の温度は、本加熱完了
時にＴ２以下となっている。よって、図６のような温度
条件でリフロー半田付け作業を行うと、他の部品の端子
部が接するクリーム半田は十分に溶融するが、トランス
の端子部が接するクリーム半田は十分に溶融できなくな
る。
部品の端子部の温度は、基板表面の温度とほぼ同等に上
昇していくが、トランスの端子部の温度は、本加熱完了
時にＴ２以下となっている。よって、図６のような温度
条件でリフロー半田付け作業を行うと、他の部品の端子
部が接するクリーム半田は十分に溶融するが、トランス
の端子部が接するクリーム半田は十分に溶融できなくな
る。
【００１１】前記においてトランスの端子部が接するク
リーム半田を十分に溶融させるためには、図６において
プリヒート時間（ｔ２−ｔ１）を長くすればトランスの
端子部の温度をさらに上昇させて、クリーム半田を十分
に溶融させることができる。しかし、前記プリヒート時
間は、電子部品に与えるダメージに大きく影響するもの
であり、一般に、実装基板のリフロー工程では、電子部
品の安全性を前記プリヒート時間（ｔ２−ｔ１）を管理
することによって行っている。よって、プリヒート時間
を長くすることは、トランス以外の電子部品へダメージ
を与える危険性を高くすることになる。
リーム半田を十分に溶融させるためには、図６において
プリヒート時間（ｔ２−ｔ１）を長くすればトランスの
端子部の温度をさらに上昇させて、クリーム半田を十分
に溶融させることができる。しかし、前記プリヒート時
間は、電子部品に与えるダメージに大きく影響するもの
であり、一般に、実装基板のリフロー工程では、電子部
品の安全性を前記プリヒート時間（ｔ２−ｔ１）を管理
することによって行っている。よって、プリヒート時間
を長くすることは、トランス以外の電子部品へダメージ
を与える危険性を高くすることになる。
【００１２】また熱容量の差異により各部品のピーク温
度が設定されており、本加熱時に炉内の温度が前記各部
品ごとのピーク温度を越えないようにする必要がある。
このため、各実装基板ごとに幾つかのパターン化設定条
件を用意して管理する必要があり、管理工数が複雑化す
るという問題がある。
度が設定されており、本加熱時に炉内の温度が前記各部
品ごとのピーク温度を越えないようにする必要がある。
このため、各実装基板ごとに幾つかのパターン化設定条
件を用意して管理する必要があり、管理工数が複雑化す
るという問題がある。
【００１３】本発明は上記従来の問題を解決するための
ものであり、電子部品の端子部とランド部との間の半田
を十分に溶融できるようにして、半田付け不良を防止で
きるようにした電子部品実装基板および電子部品の基板
への実装方法を提供することを目的としている。
ものであり、電子部品の端子部とランド部との間の半田
を十分に溶融できるようにして、半田付け不良を防止で
きるようにした電子部品実装基板および電子部品の基板
への実装方法を提供することを目的としている。
【００１４】また本発明は、熱容量が異なる電子部品が
同じ基板に実装されているときに、熱容量の大きな電子
部品の半田付け不良と熱容量の小さな電子部品の破損防
止とができるようにした電子部品実装基板および電子部
品の基板への実装方法を提供することを目的としてい
る。
同じ基板に実装されているときに、熱容量の大きな電子
部品の半田付け不良と熱容量の小さな電子部品の破損防
止とができるようにした電子部品実装基板および電子部
品の基板への実装方法を提供することを目的としてい
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に導電性
パターンのランド部が形成された基板に、導電性の端子
部を有する電子部品が実装され、前記ランド部と前記端
子部とが半田を介して固着されている電子部品実装基板
において、前記半田は、前記基板および前記電子部品と
共に加熱されることによって溶融した後に硬化したもの
であり、前記基板には、前記電子部品が実装された領域
に通気部が貫通して形成されていることを特徴とするも
のである。
パターンのランド部が形成された基板に、導電性の端子
部を有する電子部品が実装され、前記ランド部と前記端
子部とが半田を介して固着されている電子部品実装基板
において、前記半田は、前記基板および前記電子部品と
共に加熱されることによって溶融した後に硬化したもの
であり、前記基板には、前記電子部品が実装された領域
に通気部が貫通して形成されていることを特徴とするも
のである。
【００１６】上記手段では、通気部を介して、電子部品
が温められるため、半田の熱が端子部から電子部品に逃
げにくくなり、半田を十分に溶融させることができる。
が温められるため、半田の熱が端子部から電子部品に逃
げにくくなり、半田を十分に溶融させることができる。
【００１７】また本発明は、前記電子部品実装基板に
は、熱容量の相違する部品が実装されており、熱容量の
大きい部品が実装された領域に前記通気部が形成されて
いるものとして構成することが有効である。
は、熱容量の相違する部品が実装されており、熱容量の
大きい部品が実装された領域に前記通気部が形成されて
いるものとして構成することが有効である。
【００１８】このようにすると、熱容量の大きな電子部
品の端子部が接する半田が十分に溶融し、熱容量の小さ
な電子部品が過剰に加熱されて熱ダメージを受けるのを
防止できる。
品の端子部が接する半田が十分に溶融し、熱容量の小さ
な電子部品が過剰に加熱されて熱ダメージを受けるのを
防止できる。
【００１９】例えば、前記通気部の部分に実装される電
子部品は、内部にコイルが収納され、前記端子部が前記
コイルに導通されているものであり、または前記通気部
の部分に実装される電子部品は、放熱部を有しているも
のである。
子部品は、内部にコイルが収納され、前記端子部が前記
コイルに導通されているものであり、または前記通気部
の部分に実装される電子部品は、放熱部を有しているも
のである。
【００２０】また本発明の電子部品の基板への実装方法
は、表面に導電性パターンのランド部が形成され、前記
ランド部上に設置される電子部品の実装領域に基板を貫
通する通気部が形成された基板を用い、前記ランド部に
半田を塗布する工程と、前記電子部品の導電性の端子部
を前記ランド部に設置して前記基板上に電子部品を実装
する工程と、前記基板と前記電子部品とを一緒に加熱
し、このとき前記通気部を介して前記電子部品を加熱し
ながら、前記半田を溶融させる工程と、を有することを
特徴とするものである。
は、表面に導電性パターンのランド部が形成され、前記
ランド部上に設置される電子部品の実装領域に基板を貫
通する通気部が形成された基板を用い、前記ランド部に
半田を塗布する工程と、前記電子部品の導電性の端子部
を前記ランド部に設置して前記基板上に電子部品を実装
する工程と、前記基板と前記電子部品とを一緒に加熱
し、このとき前記通気部を介して前記電子部品を加熱し
ながら、前記半田を溶融させる工程と、を有することを
特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００２２】図１は、本発明の電子部品実装基板の一実
施の形態を示す斜視図、図２は電子部品が実装基板上に
固定されている状態を示す図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図
である。
施の形態を示す斜視図、図２は電子部品が実装基板上に
固定されている状態を示す図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図
である。
【００２３】図１に示す基板１の表面１Ａには、電子部
品２の端子と電気的な接続を行うための複数の配線パタ
ーン３が設けられており、その先端にランド部３ａがそ
れぞれ形成されている。前記基板１は、絶縁性樹脂、ガ
ラスエポキシ、ガラス、紙エポキシ、紙フェノール、セ
ラミックおよびアルミや銅板ベースのメタル基板などで
形成されている。前記基板１の表面１Ａに形成されてい
る銅箔などの薄い金属膜をエッチングすることにより前
記配線パターン３が形成されている。
品２の端子と電気的な接続を行うための複数の配線パタ
ーン３が設けられており、その先端にランド部３ａがそ
れぞれ形成されている。前記基板１は、絶縁性樹脂、ガ
ラスエポキシ、ガラス、紙エポキシ、紙フェノール、セ
ラミックおよびアルミや銅板ベースのメタル基板などで
形成されている。前記基板１の表面１Ａに形成されてい
る銅箔などの薄い金属膜をエッチングすることにより前
記配線パターン３が形成されている。
【００２４】前記基板１の表面１Ａには、熱容量の大き
な電子部品２が実装されている。この電子部品２は、ト
ランス、コイルなどのインダクティブ型であり、ケース
の内部でコイル１１が磁性コア１２に巻き付けられてい
る。前記電子部品２のケースの両端には、両側方向に延
びる複数の端子部２ａが突出して設けられている。この
端子部２ａに、前記コイル１１（一次コイル、二次コイ
ルなど）の導線が巻き付けられるなどして接続されてい
る。
な電子部品２が実装されている。この電子部品２は、ト
ランス、コイルなどのインダクティブ型であり、ケース
の内部でコイル１１が磁性コア１２に巻き付けられてい
る。前記電子部品２のケースの両端には、両側方向に延
びる複数の端子部２ａが突出して設けられている。この
端子部２ａに、前記コイル１１（一次コイル、二次コイ
ルなど）の導線が巻き付けられるなどして接続されてい
る。
【００２５】また基板１の表面１Ａには、前記電子部品
２よりも熱容量の小さい他の電子部品１５が一緒に実装
されている。この他の電子部品１５は、図１に示すよう
なチップ部品、ディスクリュート部品、パッケージ部品
などであり、図１に示すように、その少なくとも底面に
端子部１６，１６が現れている。これら他の電子部品の
うち、電界コンデンサ、または半導体を含む部品は、熱
容量が小さくしかも熱によるダメージを受けやすいもの
である。
２よりも熱容量の小さい他の電子部品１５が一緒に実装
されている。この他の電子部品１５は、図１に示すよう
なチップ部品、ディスクリュート部品、パッケージ部品
などであり、図１に示すように、その少なくとも底面に
端子部１６，１６が現れている。これら他の電子部品の
うち、電界コンデンサ、または半導体を含む部品は、熱
容量が小さくしかも熱によるダメージを受けやすいもの
である。
【００２６】なお、熱容量の大きい前記電子部品２は、
トランス、コイルなどのインダクティブ型に限られず、
例えばヒートシンクなどの放熱部を有するパワートラン
ジスタなどの半導体部品であってもよい。
トランス、コイルなどのインダクティブ型に限られず、
例えばヒートシンクなどの放熱部を有するパワートラン
ジスタなどの半導体部品であってもよい。
【００２７】前記電子部品２は、基板１上に点線で示す
取付け領域４に実装される。前記取付け領域４の中心に
は、基板１を板厚方向に貫通した通気部としての通気孔
１ａが穿設されている。前記通気孔１ａは少なくとも１
つ形成されていればよく、その他前記取付け領域４の内
部に点線で示すように電子部品２の熱容量の大きさに応
じて２つ以上形成してもよい。また通気孔１ａの径の寸
法についても、電子部品２の熱容量に応じ、適切な径寸
法を設定することが好ましい。また、前記通気部として
基板１の縁部から前記領域４まで凹状に形成された切欠
部を用いてもよい。
取付け領域４に実装される。前記取付け領域４の中心に
は、基板１を板厚方向に貫通した通気部としての通気孔
１ａが穿設されている。前記通気孔１ａは少なくとも１
つ形成されていればよく、その他前記取付け領域４の内
部に点線で示すように電子部品２の熱容量の大きさに応
じて２つ以上形成してもよい。また通気孔１ａの径の寸
法についても、電子部品２の熱容量に応じ、適切な径寸
法を設定することが好ましい。また、前記通気部として
基板１の縁部から前記領域４まで凹状に形成された切欠
部を用いてもよい。
【００２８】また、前記他の電子部品１５も、基板１の
表面１Ａに形成されたランド部３ａ，３ａ上に実装され
るが、この電子部品１５が実装される領域には、前記通
気部が形成されていない。
表面１Ａに形成されたランド部３ａ，３ａ上に実装され
るが、この電子部品１５が実装される領域には、前記通
気部が形成されていない。
【００２９】次に、前記基板１に前記電子部品２および
電子部品１５などを実装する方法について図３のフロー
チャートを用いて説明する。
電子部品１５などを実装する方法について図３のフロー
チャートを用いて説明する。
【００３０】第１の工程では、基板１の表面１Ａに形成
された配線パターン３の前記ランド部３ａ上にクリーム
半田５が塗布される（図１参照）。この工程では、基板
１の表面１Ａにランド部３ａ以外の領域を覆うマスクが
設置され、マスク上からクリーム半田５（ペースト半田
またはリフロー半田と呼ぶこともある）が塗布され、前
記ランド部３ａの表面にのみクリーム半田５が塗布され
る。
された配線パターン３の前記ランド部３ａ上にクリーム
半田５が塗布される（図１参照）。この工程では、基板
１の表面１Ａにランド部３ａ以外の領域を覆うマスクが
設置され、マスク上からクリーム半田５（ペースト半田
またはリフロー半田と呼ぶこともある）が塗布され、前
記ランド部３ａの表面にのみクリーム半田５が塗布され
る。
【００３１】第２の工程では、基板１の表面１Ａに各電
子部品が実装される。このとき電子部品２の端子部２ａ
および、他の電子部品１５の端子部１６が、前記クリー
ム半田５の粘着力によってランド部３ａの表面に仮り止
めされる。なお、このとき、基板１の表面１Ａと各電子
部品とが接着剤で固定されることもある。
子部品が実装される。このとき電子部品２の端子部２ａ
および、他の電子部品１５の端子部１６が、前記クリー
ム半田５の粘着力によってランド部３ａの表面に仮り止
めされる。なお、このとき、基板１の表面１Ａと各電子
部品とが接着剤で固定されることもある。
【００３２】第３の工程では、電子部品２が実装された
基板１がリフロー炉に搬送され、リフロー炉内にてプリ
ヒート（予備加熱）および本加熱の２段階の加熱処理が
行なわれる。プリヒートおよび本加熱においては、リフ
ロー炉内の上方から基板１の表面１Ａに対し熱風が与え
られるとともに、下方から基板１の裏面１Ｂに対しても
熱風が与えられる。
基板１がリフロー炉に搬送され、リフロー炉内にてプリ
ヒート（予備加熱）および本加熱の２段階の加熱処理が
行なわれる。プリヒートおよび本加熱においては、リフ
ロー炉内の上方から基板１の表面１Ａに対し熱風が与え
られるとともに、下方から基板１の裏面１Ｂに対しても
熱風が与えられる。
【００３３】このとき、熱容量の大きい電子部品２が実
装されている領域４では、図２に示すように、基板１の
表面１Ａと裏面１Ｂから与えられる熱により基板１が加
熱され、特に表面１Ａ側の熱により基板１の表面１Ａの
温度が上昇する。このとき主に表面１Ａ側の熱により、
ランド部３ａ、クリーム半田５および端子部２ａが加熱
され、クリーム半田５の温度が上昇する。
装されている領域４では、図２に示すように、基板１の
表面１Ａと裏面１Ｂから与えられる熱により基板１が加
熱され、特に表面１Ａ側の熱により基板１の表面１Ａの
温度が上昇する。このとき主に表面１Ａ側の熱により、
ランド部３ａ、クリーム半田５および端子部２ａが加熱
され、クリーム半田５の温度が上昇する。
【００３４】しかし、前記電子部品２は、前記端子部２
ａに接続されたコイル１１が内蔵され、コイル１１は銅
線などの熱伝導率の高い材料で形成されているために、
電子部品２全体の熱容量が大きい。したがってリフロー
炉内の熱風によって、基板表面１Ａに位置する端子部２
ａの温度が上昇したときに、その熱が端子部２ａからコ
イル１１へ伝導し、端子部２ａの温度が十分に高くなら
ず、クリーム半田５の熱が端子部２ａを介して電子部品
２の内部に奪われやすくなっている。
ａに接続されたコイル１１が内蔵され、コイル１１は銅
線などの熱伝導率の高い材料で形成されているために、
電子部品２全体の熱容量が大きい。したがってリフロー
炉内の熱風によって、基板表面１Ａに位置する端子部２
ａの温度が上昇したときに、その熱が端子部２ａからコ
イル１１へ伝導し、端子部２ａの温度が十分に高くなら
ず、クリーム半田５の熱が端子部２ａを介して電子部品
２の内部に奪われやすくなっている。
【００３５】しかし、この実施の形態では、領域４に通
気孔１ａが形成されているため、基板１の裏面１Ｂ側の
熱風は、通気孔１ａを経て電子部品２の裏面２Ｂに与え
られる。よって、基板１の表面１Ａ側の熱風によって電
子部品２の表面２Ａ側が加熱され、且つ前記通気孔１ａ
を経た熱風によって電子部品２の裏面２Ｂも加熱され、
電子部品２の全体が効果的に加熱される。したがって、
電子部品２内のコイル１１などの温度が急速に上がるこ
とになり、端子部２ａの熱がコイル１１に奪われにくく
なって、端子部２ａの温度が高い状態に維持される。し
たがって、クリーム半田５が十分に溶融でき、ランド部
３ａと端子部２ａとを確実に半田付けできる。
気孔１ａが形成されているため、基板１の裏面１Ｂ側の
熱風は、通気孔１ａを経て電子部品２の裏面２Ｂに与え
られる。よって、基板１の表面１Ａ側の熱風によって電
子部品２の表面２Ａ側が加熱され、且つ前記通気孔１ａ
を経た熱風によって電子部品２の裏面２Ｂも加熱され、
電子部品２の全体が効果的に加熱される。したがって、
電子部品２内のコイル１１などの温度が急速に上がるこ
とになり、端子部２ａの熱がコイル１１に奪われにくく
なって、端子部２ａの温度が高い状態に維持される。し
たがって、クリーム半田５が十分に溶融でき、ランド部
３ａと端子部２ａとを確実に半田付けできる。
【００３６】よって、プリヒート時間を過剰に長くしな
くても、電子部品２の端子部２ａを確実に半田付けでき
るため、熱容量の小さい他の部品１５が電界コンデンサ
などのような熱に弱いものであっても、熱によるダメー
ジを小さくできる。
くても、電子部品２の端子部２ａを確実に半田付けでき
るため、熱容量の小さい他の部品１５が電界コンデンサ
などのような熱に弱いものであっても、熱によるダメー
ジを小さくできる。
【００３７】図４は、基板上に、熱容量の大きい電子部
品としてトランス、チョークコイルを実装し、熱容量の
小さい電子部品として電解コンデンサを実装し、リフロ
ー炉で加熱したときの各部の温度の上昇状態を測定した
結果を示している。この実施例は、トランスおよびコイ
ルが実装される領域において基板にそれぞれ１個ずつ通
気孔を形成している。
品としてトランス、チョークコイルを実装し、熱容量の
小さい電子部品として電解コンデンサを実装し、リフロ
ー炉で加熱したときの各部の温度の上昇状態を測定した
結果を示している。この実施例は、トランスおよびコイ
ルが実装される領域において基板にそれぞれ１個ずつ通
気孔を形成している。
【００３８】図４では、温度の測定箇所が、基板表面の
ランド部（ａ）、トランスの端子（ｂ）、コイル端子
（ｃ）、電解コンデンサ（ｄ）および基板裏面に実装し
たタクトスイッチの端子（ｅ）である。
ランド部（ａ）、トランスの端子（ｂ）、コイル端子
（ｃ）、電解コンデンサ（ｄ）および基板裏面に実装し
たタクトスイッチの端子（ｅ）である。
【００３９】図５は、基板上に熱容量の大きい電子部品
としてトランスとコイルを実装し、基板では、トランス
とコイルの実装領域にそれぞれ５箇所ずつ通気孔を形成
し、リフロー炉で加熱したときの各部の温度上昇を測定
したものである。
としてトランスとコイルを実装し、基板では、トランス
とコイルの実装領域にそれぞれ５箇所ずつ通気孔を形成
し、リフロー炉で加熱したときの各部の温度上昇を測定
したものである。
【００４０】温度の測定箇所は、トランス表面（ｆ）、
トランスの１番端子（ｇ）、トランスの３番端子
（ｈ）、コイル表面（上面）（ｉ）、コイル端子（ｊ）
である。
トランスの１番端子（ｇ）、トランスの３番端子
（ｈ）、コイル表面（上面）（ｉ）、コイル端子（ｊ）
である。
【００４１】図４では、プリヒート時間ｔａと本加熱の
時間ｔｂ、および基板表面の上昇温度を、図６に示した
従来例の各時間および温度と同じに設定した。図５では
プリヒート時間ｔｃを図４のプリヒート時間ｔａよりも
短くし、図５では本加熱の時間ｔｂを図４と同じに設定
している。
時間ｔｂ、および基板表面の上昇温度を、図６に示した
従来例の各時間および温度と同じに設定した。図５では
プリヒート時間ｔｃを図４のプリヒート時間ｔａよりも
短くし、図５では本加熱の時間ｔｂを図４と同じに設定
している。
【００４２】図４では、プリヒート時間と本加熱時間が
図６の従来例と同じであるが、トランスの端子（ｂ）と
コイル端子（ｃ）の温度がＴ２を越えている。また図５
ではプリヒート時間ｔｃを短くしても、トランスの１番
端子（ｇ）、トランスの３番端子（ｈ）、およびコイル
端子（ｊ）の温度がＴ２を越えている。
図６の従来例と同じであるが、トランスの端子（ｂ）と
コイル端子（ｃ）の温度がＴ２を越えている。また図５
ではプリヒート時間ｔｃを短くしても、トランスの１番
端子（ｇ）、トランスの３番端子（ｈ）、およびコイル
端子（ｊ）の温度がＴ２を越えている。
【００４３】以上から、電子部品の実装領域において基
板に通気孔を形成することにより、端子部の温度を効果
的に高くできることが解る。
板に通気孔を形成することにより、端子部の温度を効果
的に高くできることが解る。
【００４４】また図４と図５では、プリヒート時間を図
６よりも長くする必要がないため、電解コンデンサにダ
メージを与えることがない。
６よりも長くする必要がないため、電解コンデンサにダ
メージを与えることがない。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、リフロー
半田工程において、基板上の電子部品の温度を上昇さ
せ、端子部の温度を急速に上昇させることができ、端子
部とランド部とを確実に半田付けできる。またプリヒー
トなどの時間を短縮でき、リフロー半田の工程時間を短
縮できる。
半田工程において、基板上の電子部品の温度を上昇さ
せ、端子部の温度を急速に上昇させることができ、端子
部とランド部とを確実に半田付けできる。またプリヒー
トなどの時間を短縮でき、リフロー半田の工程時間を短
縮できる。
【００４６】また本加熱時に炉内の温度が各部品ごとの
ピーク温度を越えないようにするためのパターン化設定
条件を用意して管理する必要がなくなる。よって、管理
工数を削減することが可能となる。
ピーク温度を越えないようにするためのパターン化設定
条件を用意して管理する必要がなくなる。よって、管理
工数を削減することが可能となる。
【００４７】また熱容量の小さい他の電子部品が一緒に
実装されているときに、この他の電子部品の温度を過剰
に上昇させることがないため、電界コンデンサなどにダ
メージを与えることもない。
実装されているときに、この他の電子部品の温度を過剰
に上昇させることがないため、電界コンデンサなどにダ
メージを与えることもない。
【図１】本発明の電子部品の実装基板を示す斜視図、
【図２】電子部品が基板上に固定されている状態を示
す、図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図、
す、図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図、
【図３】電子部品を基板に実装する方法の工程を示すフ
ローチャート、
ローチャート、
【図４】リフロー装置内での基板上の各部の温度変化を
示すグラフ、
示すグラフ、
【図５】リフロー装置内での基板上の各部の温度変化を
示すグラフ、
示すグラフ、
【図６】従来の実装基板を使用した場合のリフロー装置
内での各部の温度変化を示すグラフ、
内での各部の温度変化を示すグラフ、
１ 基板 １Ａ 基板の表面 １Ｂ 基板の裏面 ２ 熱容量の大きい電子部品 ２ａ 端子部 ２Ａ 電子部品の上面 ２Ｂ 電子部品の下面 ３ 配線パターン ３ａ ランド部 ４ 取付け領域 ５ クリーム半田 １１ コイル １５ 熱容量の小さい他の電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に導電性パターンのランド部が形成
された基板に、導電性の端子部を有する電子部品が実装
され、前記ランド部と前記端子部とが半田を介して固着
されている電子部品実装基板において、 前記半田は、前記基板および前記電子部品と共に加熱さ
れることによって溶融した後に硬化したものであり、 前記基板には、前記電子部品が実装された領域に通気部
が貫通して形成されていることを特徴とする電子部品実
装基板。 - 【請求項２】 前記電子部品実装基板には、熱容量の相
違する部品が実装されており、熱容量の大きい部品が実
装された領域に前記通気部が形成されている請求項１記
載の電子部品実装基板。 - 【請求項３】 前記通気部の部分に実装される電子部品
は、内部にコイルが収納され、前記端子部が前記コイル
に導通されているものである請求項１または２記載の電
子部品実装基板。 - 【請求項４】 前記通気部の部分に実装される電子部品
は、放熱部を有しているものである請求項１または２記
載の電子部品実装基板。 - 【請求項５】 表面に導電性パターンのランド部が形成
され、前記ランド部上に設置される電子部品の実装領域
に基板を貫通する通気部が形成された基板を用い、 前記ランド部に半田を塗布する工程と、 前記電子部品の導電性の端子部を前記ランド部に設置し
て前記基板上に電子部品を実装する工程と、 前記基板と前記電子部品とを一緒に加熱し、このとき前
記通気部を介して前記電子部品を加熱しながら、前記半
田を溶融させる工程と、を有することを特徴とする電子
部品の基板への実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001027869A JP2002232130A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 電子部品実装基板および電子部品の基板への実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001027869A JP2002232130A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 電子部品実装基板および電子部品の基板への実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002232130A true JP2002232130A (ja) | 2002-08-16 |
Family
ID=18892461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001027869A Pending JP2002232130A (ja) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 電子部品実装基板および電子部品の基板への実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002232130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013239552A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品モジュール、電子部品モジュールの製造方法 |
| WO2015151433A1 (ja) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 部品実装基板 |
-
2001
- 2001-02-05 JP JP2001027869A patent/JP2002232130A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013239552A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品モジュール、電子部品モジュールの製造方法 |
| WO2015151433A1 (ja) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 部品実装基板 |
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