JP2002232118A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

配線基板及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】導体層の腐食や隣接する導体層間の短絡を有効
に防止することが可能な高信頼性の配線基板を提供す
る。 【解決手段】基板1の上面に、複数個の導体層3と該各
導体層3より基板外周部まで延在されるメッキリード層
3aとを銀を含む導体材料により形成するとともに、前
記導体層3及びメッキリード層3aの上面にニッケル、
金の少なくとも1種から成るメッキ層4を被着させてな
る配線基板であって、前記メッキ層4は、その厚みが導
体層3の厚みの10%以上に設定されており、かつその
一部が基板外周部に位置する各メッキリード層3aの終
端面を被覆するように端部を前記終端面上まで延在させ
て形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等が実
装されて、各種電子機器に組み込まれる配線基板、及び
その製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の配線基板としては、例えば図3に
示す如く、ガラスやセラミックから成る基板11の上面
に複数個の導体層12を所定パターンに被着させるとと
もに、該導体層12の上面に、半導体素子やフレキシブ
ル配線板等の外部電気回路をボンディングする際のボン
ディング性を良好となしたり、或いは、導体層12の腐
食を防止する目的で、クロムやニッケル、金等の耐腐食
性に優れた金属から成るメッキ層13を被着させた構造
のものが知られている。
【0003】尚、前記メッキ層13は、従来周知の電界
メッキ法によって形成するのが一般的であり、かかる手
法によってメッキ層13を形成する場合、基板11の上
面には、電界メッキの工程において導体層12に電源端
子を接続するメッキリード層12aの一部が残存するこ
ととなる。
【0004】またかかる配線基板の製造には、基板11
よりもひと回り大きな基板素体が使用され、上述した電
界メッキ法にて導体層12及びメッキリード層12aの
表面にメッキ層13を形成した後、メッキリード層12
aと電源端子との接続部が設けられる基板素体の外周部
をダイシングホイール等の鋭利なカッターを用いて外形
加工し、基板素体外周部の不要な部分を切り離すことに
よって所定の配線基板が得られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の如き
工程を経て配線基板を製造する場合、基板素体を切断し
て外形加工を行った際に、メッキリード層12aの終端
部が露出する形になる。
【0006】このようなメッキリード層12aが、銀
(Ag)を含む導電材料により形成されている場合、メ
ッキリード層12a中に含まれている銀が前述の露出面
で大気中の水分等と接触し、酸化腐食される。このよう
な腐食が時間の経過と共に進行すると、銀の腐食がメッ
キリード層12aと連続的に形成されている導体層12
にまで及んでしまい、その結果、配線基板として機能さ
せることが不可となる欠点を有していた。
【0007】またこのような従来の配線基板を使用した
際、隣接する導体層間に電位差が生じると、基板11の
端面において隣接するメッキリード層間でマイグレーシ
ョンを発生することがあり、その場合、隣接する導体層
同士が電気的に短絡する欠点も有していた。
【0008】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は、導体層の腐食や隣接する導体層間の短
絡を有効に防止することが可能な高信頼性の配線基板及
びその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、基
板の上面に、複数個の導体層と該各導体層より基板外周
部まで延在されるメッキリード層とを銀を含む導体材料
により形成するとともに、前記導体層及びメッキリード
層の上面にニッケル、金の少なくとも1種から成るメッ
キ層を被着させてなる配線基板であって、前記メッキ層
は、その厚みが導体層の厚みの10%以上に設定されて
おり、かつその一部が基板外周部に位置する各メッキリ
ード層の終端面を被覆するように端部を前記終端面上ま
で延在させて形成されることを特徴とするものである。
【0010】また本発明の配線基板の製造方法は、パタ
ーン形成領域を有する基板素体の上面のうち、前記パタ
ーン形成領域に銀を含む導体材料から成る複数個の導体
層を、前記パターン形成領域から該領域の外側の領域に
かけて前記導体層より延在されたメッキリード層を被着
させる工程と、前記パターン形成領域の外側に延在させ
たメッキリード層に電界メッキ用の電源端子を接続させ
るとともに前記基板素体をメッキ液中に浸漬することに
より、前記導体層及びメッキリード層の表面にニッケ
ル、金の少なくとも1種より成るメッキ層を被着させる
工程と、前記基板素体に対し、パターン形成領域の外周
に沿って上方よりスクライブホイールを押圧して、基板
素体、メッキリード層及びメッキ層をパターン形成領域
の外周部で切断するとともに、該切断面に臨むメッキリ
ード層の端面を、上記スクライブホイールの押圧力によ
って圧延せしめたメッキ層の端部で被覆する工程と、を
含むことを特徴とするものである。
【0011】本発明によれば、基板の外周部まで延在さ
れているメッキリード層の終端面をその上に被着されて
いるメッキ層の端部で被覆するようにしたことから、銀
を含んだ導電材料から成るメッキリード層等が大気と接
触して腐食されてしまうことは殆どなく、従ってメッキ
リード層と連続的に形成されている導体層等の腐食が有
効に防止され、配線基板を長期にわたり良好に機能させ
ることができる。
【0012】またこの場合、配線基板の使用に際して隣
接する導体層間に電位差が生じても、メッキリード層の
終端面はメッキ層でもって良好に被覆されているため、
基板の端面において隣接するメッキリード層間でマイグ
レーションが発生することはなく、隣接する導体層同士
の電気的短絡も有効に防止することができる。
【0013】しかも本発明によれば、上述したメッキ層
による被覆構造は、配線基板の外形加工において、導体
層やメッキリード層が所定パターンに被着されている基
板素体に対し、導体層のパターン形成領域の外周部で上
方よりスクライブホイールを押圧して、基板素体、メッ
キリード層及びメッキ層をパターン形成領域の外周部で
切断する際に、展性ならびに耐腐食性に優れたニッケル
や金から成るメッキ層がスクライブホイールの押圧力に
よって圧延されることで同時に実現されるため、かかる
被覆構造は、別途、被覆層を被着させたりすることなく
比較的容易に得られ、配線基板の生産性を高く維持する
ことができる利点もある。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づい
て詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る配
線基板の断面図であり、1は基板、2は下地層、3は導
体層、3aはメッキリード層、4はメッキ層である。
【0015】前記基板1は、アルミナセラミックス、ム
ライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックス、石英
のセラミック材料やソーダライムガラス、無アルカリガ
ラス等の高軟化点のガラス材料から成り、その上面には
下地層2を介して複数個の導体層3が被着され、これら
を支持する支持母材として機能する。
【0016】また前記基板1の上面に被着されている下
地層2は、後述する導体層3やメッキリード層3a等を
基板1上に強固に被着させておくための密着層として機
能するものであり、例えば鉛系ガラスやビスマス系ガラ
ス等の低軟化点のガラス材料、もしくはポリイミド樹脂
やフッ素系樹脂等の低軟化点の樹脂材料から成り、その
上面には複数個の導体層3が所定パターンをなすように
被着・形成される。
【0017】前記導体層3は、銀(Ag)を例えば85
wt%以上含む導電材料から成り、隣接する導体層間3
−3には例えば10μm〜100μmの間隔が設けら
れ、配線基板の使用時、図示しないスイッチングトラン
ジスタ等によって5mW〜15mWの電力が個々に選択
的に印加されるようになっている。
【0018】更に前記下地層2上には、各導体層3より
基板外周部まで延在するようにメッキリード層3aが被
着・形成されている。
【0019】前記メッキリード層3aは、導体層3の表
面に従来周知の電界メッキ法にてメッキ層4を形成する
際に導体層3に対して電力を印加するためのものであ
り、先に述べた導体層3と同質の、銀を含む導体材料に
よって導体層3と連続的に、かつ略等しい膜厚で形成さ
れる。
【0020】そして、前記導体層3及びメッキリード層
3aの表面には、ニッケルもしくは金から成るメッキ層
4が被着されている。
【0021】前記メッキ層4は、半導体素子やフレキシ
ブル配線板等の外部電気回路を導体層3にボンディング
する際のボンディング性を良好となしたり、或いは、導
体層3の腐食を防止したりするためのものであり、その
厚みは導体層3やメッキリード層3aの厚みの10%以
上に設定され、その一部が基板外周部に位置する各メッ
キリード層3aの終端面を被覆するように端部を前記終
端面上まで延在させてある。
【0022】このように、基板1の外周部まで延在され
ているメッキリード層3aの終端面をメッキ層4の端部
で被覆するようにしたことから、メッキリード層3aを
形成する導体材料中の銀が大気と接触して腐食されてし
まうことは殆どなく、従ってメッキリード層3aと連続
的に形成されている導体層3の腐食が有効に防止され、
配線基板を長期にわたり良好に機能させることができ
る。
【0023】またこの場合、配線基板の使用に際して隣
接する導体層間3−3に電位差を生じたとしても、メッ
キリード層3aの終端面はメッキ層4でもって良好に被
覆されているため、基板1や下地層等の端面において隣
接するメッキリード層間3a−3aでマイグレーション
が発生することはなく、隣接する導体層同士の電気的短
絡も有効に防止することができる。
【0024】尚、上述の効果をより確実になすために
は、メッキ層4の端部を更に下方まで延在させて下地層
2の端面や基板1の端面上まで到達させておくことが好
ましい。
【0025】次に上述した配線基板の製造方法について
図2を用いて説明する。 (1)まず前述した基板1よりもひと回り大きな基板素
体1’を準備し、その上面に、図2(a)に示す如く、
下地層2を被着させる。
【0026】前記基板素体1’は、基板1に対応したパ
ターン形成領域を有しており、かかる基板素体1’をア
ルミナセラミックスから成る場合、アルミナ、シリカ、
マグネシア等のセラミックス原料粉末に適当な有機溶剤
等を添加・混合して泥漿状になし、これを従来周知のド
クターブレード法等によってセラミックグリーンシート
(セラミック生シート)に加工するとともに、該グリー
ンシートを所定形状に打ち抜き、高温(約1600℃)
で焼成することによって製作される。
【0027】また前記下地層2は、ガラスから成る場
合、例えばビスマス系ガラスの粉末に適当な有機溶剤等
を添加・混合して得た所定のガラスペーストを従来周知
のスクリーン印刷により基板素体1’の上面全体にわた
って印刷・塗布し、これを高温(例えば500℃〜58
0℃)で焼き付けることにより基板素体1’の上面に例
えば1μm〜100μmの厚みに被着・形成される。
【0028】(2)次に図2(b)に示す如く、下地層
2が被着されている基板素体1’の上面のうち、パター
ン形成領域に銀を含む導体材料から成る複数個の導体層
3を、パターン形成領域から該領域の外側の領域にかけ
て導体層3より延在されたメッキリード層3aをそれぞ
れ被着させる。
【0029】前記導体層3及びメッキリード層3aは、
銀粉末に適当な有機溶剤、樹脂バインダー、ガラスフリ
ット等を添加・混合して得た所定の導電ペースト3’を
下地層2の上面に従来周知のスクリーン印刷法等によっ
て所定パターンに印刷・塗布し、これを高温(例えば5
00℃〜580℃)で焼き付けることによって基板素体
1’上に同時に被着・形成され、このとき、メッキリー
ド層3aはパターン形成領域の外周部を横断してその外
側の領域まで延在する形となる。
【0030】(3)次に図2(c)に示す如く、導体層
3及びメッキリード層3aの表面に従来周知の電界メッ
キ法にて、展性ならびに耐腐食性に優れたニッケルもし
くは金から成るメッキ層4を形成する。
【0031】前記メッキ層4は、パターン形成領域の外
側に延在させたメッキリード層3aに電界メッキ用の電
源端子を接続させ、この状態で基板素体1’をニッケル
メッキもしくは金メッキ用のメッキ液中に浸漬し、導体
層3及びメッキリード層3aに電源電力を印加し続ける
ことによって導体層3及びメッキリード層3aの表面に
例えば1μm〜10μmの厚みに形成される。
【0032】このとき、メッキ層4の厚みは、導体層3
やメッキリード層3aの厚みの10%以上に設定してお
くことが重要である。
【0033】(4)そして、最後に図2(d)に示す如
く、基板素体1’をパターン形成領域の外周に沿って切
断し、基板素体外周の不要な部分を切り離すことによっ
て配線基板が得られる。
【0034】かかる基板素体1’の切断は、基板素体
1’に対し、パターン形成領域の外周に沿ってスクライ
ブホイールAを上方より押圧して、基板素体1’、メッ
キリード層3a及びメッキ層4をパターン形成領域の外
周部で切断することによって行われ、このとき、切断面
付近のメッキ層4はスクライブホイールAの押圧力によ
って圧延されて薄く引き延ばされ、同時に配線基板の切
断面に臨むメッキリード層3aの端面に圧着されるた
め、メッキリード層3aの終端部はメッキ層4の端部で
良好に被覆され、外部に露出することはない。
【0035】従って、上述した如く、メッキリード層3
aやこれと連続的に形成されている導体層3の腐食を有
効に防止することができるとともに、配線基板の使用に
際して隣接する導体層間3−3に電位差が生じても、基
板1の端面におけるメッキリード層間3a−3aのマイ
グレーションを有効に防止することができ、配線基板を
長期にわたり良好に機能させることが可能となる。
【0036】また、このようなメッキ層4によるメッキ
リード層終端部の被覆構造は、導体層3及びメッキリー
ド層3aが被着されている基板素体1’に対し、パター
ン形成領域の外周部でスクライブホイールを上方より押
圧して、基板素体1’、メッキリード層3a及びメッキ
層4を切断する際に同時に実現されるため、別途、被覆
層を被着させたりすることなく比較的容易に得られ、配
線基板の生産性を高く維持することができる。
【0037】尚、本発明は上述の形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々
の変更、改良等が可能である。
【0038】例えば上述の形態では、メッキ層4として
金メッキもしくはニッケルメッキを使用するようにした
が、これに代えて、ニッケルメッキと金メッキを積層し
てメッキ層4を構成するようにしてもよい。
【0039】また上述の形態では、導体層3やメッキリ
ード層3aを下地層2を介して基板1上に形成するよう
にしたが、下地層2を設けずに、導体層3やメッキリー
ド層3aを基板1の上面に直接、被着・形成させるよう
にしても構わない。
【0040】更に上述の形態において導体層3の一部を
エポキシ樹脂等から成る保護膜で被覆しても良いことは
勿論であり、その場合、メッキ層4は、導体層3の表面
全体に被着させるのではなく、少なくとも保護膜の存在
しない部位に被着されることとなる。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、基板の外周部まで延在
されているメッキリード層の終端面をその上に被着され
ているメッキ層の端部で被覆するようにしたことから、
銀を含んだ導電材料から成るメッキリード層等が大気と
接触して腐食されてしまうことは殆どなく、従ってメッ
キリード層と連続的に形成されている導体層等の腐食が
有効に防止され、配線基板を長期にわたり良好に機能さ
せることができる。
【0042】またこの場合、配線基板の使用に際して隣
接する導体層間に電位差が生じても、メッキリード層の
終端面はメッキ層でもって良好に被覆されているため、
基板の端面において隣接するメッキリード層間でマイグ
レーションが発生することはなく、隣接する導体層同士
の電気的短絡も有効に防止することができる。
【0043】しかも本発明によれば、上述したメッキ層
による被覆構造は、配線基板の外形加工において、導体
層やメッキリード層が所定パターンに被着されている基
板素体に対し、導体層のパターン形成領域の外周部で上
方よりスクライブホイールを押圧して、基板素体、メッ
キリード層及びメッキ層をパターン形成領域の外周部で
切断する際に、展性ならびに耐腐食性に優れたニッケル
や金から成るメッキ層がスクライブホイールの押圧力に
よって圧延されることで同時に実現されるため、かかる
被覆構造は、別途、被覆層を被着させたりすることなく
比較的容易に得られ、配線基板の生産性を高く維持する
ことができる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法によって製作した配線基板の
断面図である。
【図2】(a)〜(d)は本発明の製造方法を説明する
ための工程毎の断面図である。
【図3】従来の配線基板の断面図である。
【符号の説明】
1・・・基板、3・・・導体層、3a・・・メッキリー
ド層、4・・・メッキ層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の上面に、複数個の導体層と該各導体
    層より基板外周部まで延在されるメッキリード層とを銀
    を含む導体材料により形成するとともに、前記導体層及
    びメッキリード層の上面にニッケル、金の少なくとも1
    種から成るメッキ層を被着させてなる配線基板であっ
    て、 前記メッキ層は、その厚みが導体層の厚みの10%以上
    に設定されており、かつその一部が基板外周部に位置す
    る各メッキリード層の終端面を被覆するように端部を前
    記終端面上まで延在させて形成されることを特徴とする
    配線基板。
  2. 【請求項2】パターン形成領域を有する基板素体の上面
    のうち、前記パターン形成領域に銀を含む導体材料から
    成る複数個の導体層を、前記パターン形成領域から該領
    域の外側の領域にかけて前記導体層より延在されたメッ
    キリード層を被着させる工程と、 前記パターン形成領域の外側に延在させたメッキリード
    層に電界メッキ用の電源端子を接続させるとともに前記
    基板素体をメッキ液中に浸漬することにより、前記導体
    層及びメッキリード層の表面にニッケル、金の少なくと
    も1種より成るメッキ層を被着させる工程と、 前記基板素体に対し、パターン形成領域の外周に沿って
    上方よりスクライブホイールを押圧して、基板素体、メ
    ッキリード層及びメッキ層をパターン形成領域の外周部
    で切断するとともに、該切断面に臨むメッキリード層の
    端面を、上記スクライブホイールの押圧力によって圧延
    せしめたメッキ層の端部で被覆する工程と、を含む配線
    基板の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008066133A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Tokuyama Corporation Method for manufacturing metallized ceramic substrate chip
CN103716984A (zh) * 2012-10-05 2014-04-09 泰科电子日本合同会社 玻璃布线板
JP2017063139A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 京セラ株式会社 印刷配線板およびその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177495A (ja) * 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Avionics Co Ltd 窒化アルミプリント配線板
JPH1065297A (ja) * 1996-04-03 1998-03-06 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板及びその製造方法
JPH10284814A (ja) * 1997-03-31 1998-10-23 Kawaguchiko Seimitsu Kk 回路パターン及びその形成方法
JPH11186446A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Kyocera Corp 電子部品
JP2000303186A (ja) * 1999-04-16 2000-10-31 Murata Mfg Co Ltd 無電解めっき方法、電極構造体、及びそれに用いる導電ペースト

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177495A (ja) * 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Avionics Co Ltd 窒化アルミプリント配線板
JPH1065297A (ja) * 1996-04-03 1998-03-06 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板及びその製造方法
JPH10284814A (ja) * 1997-03-31 1998-10-23 Kawaguchiko Seimitsu Kk 回路パターン及びその形成方法
JPH11186446A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Kyocera Corp 電子部品
JP2000303186A (ja) * 1999-04-16 2000-10-31 Murata Mfg Co Ltd 無電解めっき方法、電極構造体、及びそれに用いる導電ペースト

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008066133A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Tokuyama Corporation Method for manufacturing metallized ceramic substrate chip
EP2099267A1 (en) * 2006-11-30 2009-09-09 Tokuyama Corporation Method for manufacturing metallized ceramic substrate chip
JPWO2008066133A1 (ja) * 2006-11-30 2010-03-11 株式会社トクヤマ メタライズドセラミック基板チップの製造方法
EP2099267A4 (en) * 2006-11-30 2011-02-02 Tokuyama Corp METHOD FOR MANUFACTURING METALLIC CERAMIC SUBSTRATE CHIP
JP5037521B2 (ja) * 2006-11-30 2012-09-26 株式会社トクヤマ メタライズドセラミック基板チップの製造方法
CN103716984A (zh) * 2012-10-05 2014-04-09 泰科电子日本合同会社 玻璃布线板
JP2014075543A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Tyco Electronics Japan Kk ガラス配線板
JP2017063139A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 京セラ株式会社 印刷配線板およびその製造方法

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