JP2002231841A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 同軸コネクタの中心導体の貫通孔および配線
導体に対するずれをなくすことにより、特性インピーダ
ンスが安定した良好な高周波信号の伝送路を得ること。 【解決手段】 同軸コネクタ３が挿入されロウ付けされ
る枠体２の貫通孔８が、枠体２の外面側開口から内側に
かけて内寸法が小となる段差部９が形成され、段差部９
の枠体２の内面に略平行な面に外周導体３ｂの端部が嵌
入される溝９ａが中心導体３ａに略同心状に形成されて
おり、溝９ａの内周側の内面は外周導体３ｂの端部に接
するとともに面取り部９ｂが形成され、外周側の内面は
外周導体３ｂの端部に非接触であり、かつ溝９ａの深さ
が外周導体３ｂの端部の突出長さと略同じであって、同
軸コネクタ３は外周導体３ｂの貫通孔８に挿入される側
の端部が絶縁体３ｃよりも突出して溝９ａに嵌入されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、同軸コネクタを有
するとともに高周波で作動する半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子、特に高周波で作用す
る半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケ
ージ（以下、半導体パッケージという）は、一般に鉄
（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や
銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等から成り、上側
主面の略中央部に半導体素子を搭載する搭載部を有する
基体と、この基体の上側主面の外周部に搭載部を囲むよ
うに立設され、その側部に貫通孔を有する枠体とを具備
する。そして、半導体パッケージは、基体と、枠体と、
枠体の側部の貫通孔内に挿入されるとともに枠体の内外
を気密に仕切るようにロウ付け接合され、かつ枠体の内
外を導通する同軸コネクタと、枠体の上面に接合されて
半導体素子を封止する蓋体とから主に構成される。

【０００３】この従来の半導体パッケージにおいて、配
線導体を有する絶縁体から成るとともに半導体素子の搭
載部を上面に有する回路基板に、半導体素子を搭載した
状態で内部に収容する。そして、この回路基板の配線導
体と、枠体の側部の貫通孔等に嵌着されたセラミック端
子のメタライズ配線層とが、ボンディングワイヤを介し
て電気的に接続される。しかる後、枠体の上面に蓋体を
ロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法を採用して接
合し、基体、枠体、セラミック端子および蓋体から成る
容器内部に半導体素子を収容し封止することによって、
製品としての半導体装置となる。

【０００４】この半導体装置は、セラミック端子のメタ
ライズ配線層に接合されているリード端子が外部電気回
路基板に電気的に接合されることにより、半導体素子が
高周波で作動することとなる。

【０００５】しかしながら、上記のセラミック端子で
は、構造上メタライズ配線層をセラミック部材で上下か
ら挟み込む部分があるため、その部分で特性インピーダ
ンスが変化していた。また、半導体素子の作動周波数の
高周波化に伴い、特性インピーダンスの変化が高周波信
号の伝送特性に大きく影響するようになってきている。
従って、セラミック端子に代わり特性インピーダンスが
変化しにくいとともに、外部からの電磁波に対する電磁
シールド性に優れた同軸コネクタが、半導体パッケージ
に装着されるようになってきている。

【０００６】この同軸コネクタは、高周波信号が伝送さ
れる中心導体と、この中心導体の周囲に設けられ中心導
体を電気的に絶縁するための絶縁体と、この絶縁体の外
周に設けられグランドとなる外周導体とから構成されて
いる。

【０００７】同軸コネクタを備えた半導体パッケージに
ついて、図６に断面図、図７に同軸コネクタの拡大断面
図を示す。これらの図において、２１は基体、２２は枠
体、２３は同軸コネクタ、２４は蓋体、２５は半導体素
子、２６は回路基板である。

【０００８】これら基体２１、枠体２２、同軸コネクタ
２３、蓋体２４とから、回路基板２６上面に搭載された
半導体素子２５を収容する容器が構成される。

【０００９】また、この同軸コネクタ２３を備えた半導
体パッケージは、枠体２２の側部に同軸コネクタ２３が
挿入固定される円形の貫通孔２８が形成されており、貫
通孔２８は枠体２２の外面側の開口から内側にかけて寸
法が小さい段差部２９が形成されている。この貫通孔２
８内には、同軸コネクタ２３が挿入されるとともに同軸
コネクタ２３の外周面と貫通孔２８の内周面とが半田等
の封着材３０を介して接合されている。

【００１０】同軸コネクタ２３は、鉄（Ｆｅ）−ニッケ
ル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属から成る円
筒状の外周導体２３ｂの中心部に、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合
金等の金属から成る棒状の中心導体２３ａが絶縁体２３
ｃを介して固定されて成る。グランド（接地電位部）と
しての外周導体２３ｂは、封着材３０を介して金属製の
枠体２２に電気的に接続されており、また中心導体２３
ａは、半田等から成る導電性接着剤２６ｂを介して回路
基板２６の配線導体２６ａに電気的に接続される。

【００１１】また、貫通孔２８内に同軸コネクタ２３を
挿入するとともに半田等のロウ材から成る封着材３０を
外周導体２３ｂと貫通孔２８の内周面との隙間に挿入
し、しかる後、加熱して封着材３０を溶融させ、溶融し
た封着材３０を毛細管現象により外周導体２３ｂと貫通
孔２８の内周面との隙間に充填させることによって、同
軸コネクタ２３が枠体２２の貫通孔２８内に半田等の封
着材３０を介して嵌着される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体パッケージでは、ロウ付けされる内周面が円
筒形状等である貫通孔２８に、ロウ付けされる外周面が
円筒形状等となっている同軸コネクタ２３の外周導体２
３ｂを、封着材３０を介して嵌着しているため、貫通孔
２８の幅は外周導体２３ｂの幅よりも大きくなってい
る。また、外周導体２３ｂの貫通孔２８に挿入される側
の端部が絶縁体３ｃより突出している。そのため、同軸
コネクタ２３の外周導体２３ｂを貫通孔２８の内周面に
接合した際、中心導体２３ａが貫通孔２８および配線導
体２６ａに対して上下および／または左右の方向にず
れ、その結果、高周波信号の特性インピーダンスが所定
値から大きくずれ，高周波信号が反射してしまう場合が
あった。

【００１３】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、同軸コネクタの中心導体
の貫通孔および配線導体に対する位置ずれをなくすこと
により、特性インピーダンスが安定した良好な高周波信
号の伝送路を有するものとすることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体パッケー
ジは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有す
る基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように
取着された金属製の枠体と、該枠体に設けられた貫通孔
に外側より挿入されロウ付けされた、筒状の外周導体お
よびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの
間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタと、前記枠
体の上面に接合される蓋体とを具備して成る半導体素子
収納用パッケージにおいて、前記貫通孔は前記枠体の外
面側開口から内側にかけて内寸法が小となる段差部が形
成され、前記段差部の前記枠体の内面に略平行な面に前
記外周導体の端部が嵌入される溝が前記中心導体に略同
心状に形成されており、前記溝の内周側の内面は前記外
周導体の端部に接するとともに面取り部が形成され、外
周側の内面は前記外周導体の端部に非接触であり、かつ
前記溝の深さが前記外周導体の端部の突出長さと略同じ
であって、前記同軸コネクタは前記外周導体の前記貫通
孔に挿入される側の端部が前記絶縁体よりも突出して前
記溝に嵌入されていることを特徴とする。

【００１５】本発明は、上記の構成により、段差部の枠
体の内面に略平行な面に外周導体の端部が嵌入される溝
が形成されており、溝の内周側の内面は外周導体の端部
に接するとともに面取り部が形成され、溝の外周側の内
面は外周導体の端部に非接触であり、かつ溝の深さが外
周導体の端部の突出長さと略同じであることから、同軸
コネクタを貫通孔の内周面に接合した際、中心導体が貫
通孔および配線導体に対して上下および／または左右の
方向に位置ずれして高周波信号のインピーダンスが所定
値から大きくずれ、高周波信号が反射することがなくな
る。その結果、特性インピーダンスが安定した良好な高
周波信号の伝送路を有するものとなる。

【００１６】さらに、同軸コネクタの嵌入がし易くなる
と同時に、同軸コネクタを貫通孔内にＡｕ−Ｓｎ等の低
融点ロウ材で接合した際、これらの接合時に発生する応
力を緩和することができ、同軸コネクタの絶縁体の亀裂
発生が防止される。その結果、半導体パッケージを気密
に封止することができる。

【００１７】本発明において、好ましくは、前記溝の深
さが０．０１〜０．５ｍｍであることを特徴とする。

【００１８】本発明は、上記の構成により、同軸コネク
タの嵌入がし易くなるとともに嵌入後の位置ずれや同軸
コネクタの外れも防止できる。

【００１９】また本発明において、好ましくは、前記外
周導体の長さをＬとした場合、前記溝の外周側の内面の
深さが０．５ｍｍ〜Ｌ／２であることを特徴とする。

【００２０】本発明は、上記の構成により、さらに同軸
コネクタの嵌入がし易くなるとともに嵌入後の位置ずれ
や同軸コネクタの外れも防止できる。

【００２１】本発明の半導体パッケージは、上側主面に
半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上
側主面に前記載置部を囲繞するように取着された金属製
の枠体と、該枠体に設けられた貫通孔に外側より挿入さ
れロウ付けされた、筒状の外周導体およびその中心軸に
設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶
縁体から成る同軸コネクタと、前記枠体の上面に接合さ
れる蓋体とを具備して成る半導体素子収納用パッケージ
において、前記貫通孔は前記枠体の外面側開口から内側
にかけて内寸法が小となる段差部が形成され、前記段差
部の前記枠体の内面に略平行な面に前記外周導体の端部
の内周面に接する堤部が前記中心導体に略同心状に形成
されており、前記堤部の前記外周導体に接する面に面取
り部が形成されているとともに前記堤部の高さが前記外
周導体の端部の突出長さと略同じであって、前記同軸コ
ネクタは前記外周導体の前記貫通孔に挿入される側の端
部が前記絶縁体よりも突出して前記堤部に嵌合されてい
ることを特徴とする。

【００２２】本発明は、上記の構成により、段差部の枠
体の内面に略平行な面に外周導体の端部の内周面に接す
る堤部が形成されており、堤部の外周導体に接する面に
面取り部が形成されているとともに堤部の高さが外周導
体の端部の突出長さと略同じであることから、同軸コネ
クタの嵌合がし易くなるとともに、同軸コネクタを貫通
孔内にＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した際、これ
らの接合時に発生する応力を緩和することができ、同軸
コネクタの絶縁体の亀裂発生が防止される。その結果、
半導体パッケージを気密に封止することができる。ま
た、同軸コネクタの絶縁体と貫通孔の段差部底部との間
に大きな隙間の発生がなくなることにより、特性インピ
ーダンスが不安定になり高周波信号が反射することを防
止できる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体パッケージ
を添付の図面に基づいて説明する。図１は本発明の半導
体パッケージを示す断面図である。図２は図１の同軸コ
ネクタを示す拡大断面図であり、図３は図２の同軸コネ
クタの他の実施形態を示す拡大断面図である。

【００２４】図１，図２において、１は基体、２は枠
体、３は同軸コネクタ、４は蓋体である。基体１の上側
主面には、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザー（ＬＤ），フ
ォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子５を搭載した回
路基板６を載置するための載置部１ａが形成されてお
り、載置部１ａには半導体素子５が、例えばアルミナ質
セラミックスから成る回路基板６に搭載された状態で載
置固定される。また、回路基板６がなく、その代わりに
基体１の上面が台状に盛り上がっていても良く、あるい
は同軸コネクタ３と半導体素子５とが直接接続される構
造となっていても良い。

【００２５】なお、回路基板６に搭載された半導体素子
５は、その電極が回路基板６に被着されているメタライ
ズから成る配線導体６ａにボンディングワイヤ７等を介
して電気的に接続されている。また、基体１の上側主面
の外周部には、載置部１ａを囲繞するようにして枠体２
が立設されており、枠体２は基体１とともにその内側に
半導体素子５を収容する空所を形成する。

【００２６】この基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣ
ｕ−Ｗ等の金属材料や、アルミナ，窒化アルミニウム，
ムライト等のセラミックスから成り、金属材料から成る
場合には、そのインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き
加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定
の形状に製作される。一方、セラミックスから成る場合
には、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添
加混合しペースト状と成すとともに、このペーストをド
クターブレード法やカレンダーロール法によってセラミ
ックグリーンシートと成し、しかる後セラミックグリー
ンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積
層し焼成することによって作製される。

【００２７】なお、基体１が金属材料から成る場合、そ
の表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金
属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ
０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させ
ておくのがよく、基体１が酸化腐蝕するのを有効に防止
できるとともに、基体１上面の載置部１ａに半導体素子
５を回路基板６を間に介して強固に接着固定させること
ができる。

【００２８】一方、基体１がセラミックスから成る場
合、半導体素子５を回路基板６を間に介して載置する載
置部１ａに、耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れ
る金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚
さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着さ
せておくのがよく、基体１上面の載置部１ａに半導体素
子５を回路基板６を間に介して強固に接着固定させるこ
とができる。

【００２９】枠体２は、基体１上に載置部１ａを囲繞す
るように取着され、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等
の金属材料から成る。それらの金属を従来周知の圧延加
工法、絞り加工法等の金属加工法を採用して所定の枠状
となすことによって製作される。

【００３０】また、枠体２の側部には、同軸コネクタ３
が挿入固定される貫通孔８が形成されており、貫通孔８
内には同軸コネクタ３が挿入されるとともに外周導体３
ｂの外周面と貫通孔８の内周面とが半田等から成る封着
材１０を介して固定される。

【００３１】同軸コネクタ３は、枠体２の貫通孔８内に
挿入固定され、内部に収容する半導体素子５を外部の同
軸ケーブルに電気的に接続するものであり、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒形等の筒状の外周導体
３ｂの中心軸に、同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属
から成る棒状の中心導体３ａが、硼硅酸ガラスやアルミ
珪酸塩ガラス等のガラスから成る絶縁体３ｃを介して固
定された構造を有する。

【００３２】また、中心導体３ａと外周導体３ｂの熱膨
張係数は、絶縁体３ｃの熱膨張係数より大きいものとす
るのが好ましく、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱膨
張係数は約４×１０^-6〜５．５×１０^-6／℃（室温〜４
００℃）、硼硅酸ガラスの熱膨張係数は約３×１０^-6〜
３．８×１０^-6／℃（室温〜４００℃）となる。

【００３３】また、同軸コネクタ３は、外周導体３ｂが
枠体２に約２００〜４００℃の融点を有する金（Ａｕ）
−錫（Ｓｎ）等の低融点ロウ材から成る封着材１０を介
して、また、中心導体３ａが回路基板６の配線導体６ａ
に半田等の導電性接着剤６ｂを介してそれぞれ電気的に
接続されている。

【００３４】図２に示すように、貫通孔８の段差部９
に、外周導体３ｂの挿入される側の端部が嵌入する溝９
ａを、中心導体３ａに対して略同心状に設ける。溝９ａ
の中心導体３ａ側の内周面は外周導体３ｂの端部に接し
ており、Ｃ面やＲ面やテーパー面等の面取り部９ｂが形
成され、かつ溝９ａの深さが外周導体３ｂの端部の突出
長さと略同じである。この構成により、同軸コネクタ３
の中心導体３ａを貫通孔８の内周面に接合した際、同軸
コネクタ３の中心導体３ａが貫通孔８および配線導体６
ａに対して上下および／または左右の方向にずれて、高
周波信号のインピーダンスが所定値から大きくずれ高周
波信号が反射してしまうということがなくなり、特性イ
ンピーダンスが安定した良好な高周波信号の伝送路を有
することができる。

【００３５】同軸コネクタ３を貫通孔８内に封着材１０
で接合する際、中心導体３ａが外周導体３ｂに比べ、厚
さが厚くかつ長さが長いため、応力が互いに相殺される
ことはなく中心導体３ａから絶縁体３ｃの方向に応力が
残存し易くなる。特に中心導体３ａと絶縁体３ｃ間の界
面に大きな応力が発生し易くなる。このため、溝９ａの
中心導体３ａ側（内周側）の内面に外周導体３ｂの端部
を接し、かつ溝９ａの外周側の内面に外周導体３ｂの端
部を非接触とすることにより、応力を非接触部分で緩和
することができる。さらに、溝９ａの中心導体３ａ側の
内面が同軸コネクタとの位置合わせの機能を果たし、外
周導体３ａの嵌入がし易くなる。

【００３６】但し、溝９ａの内面に外周導体３ｂの両端
部が接触していない場合や溝９ａの外周側の内面に外周
導体３ｂの端部が接している場合は、非接触部分が小さ
くなって応力を十分に緩和させることができず、封着材
１０での接合時に中心導体３ａと絶縁体３ｃ間の界面に
応力が集中して絶縁体３ｃに亀裂が発生し易くなり、半
導体パッケージを気密に封止することが困難になる。

【００３７】溝９ａの外周側の内面と外周導体３ｂの端
部間の非接触部分の隙間は、０．０５ｍｍ以上あること
が好ましく、０．０５ｍｍ未満だと、応力を十分に緩和
させることができず、封着材１０での接合時に中心導体
３ａと絶縁体３ｃ間の界面に応力が集中して絶縁体３ｃ
に亀裂が発生し易くなり、半導体パッケージを気密に封
止することが困難になる。

【００３８】また、溝の深さ９ｃは０．０１〜０．５ｍ
ｍが好ましく、０．０１ｍｍ未満の場合、外周導体３ｂ
の端部の溝９ａへの引っ掛かりが弱くなり、中心導体３
ａの貫通孔８および配線導体６ａに対するずれが生じ易
くなり、その結果、高周波信号の特性インピーダンスが
所定値から大きくずれ高周波信号が反射し易くなる。ま
た、０．５ｍｍを超えると、同軸コネクタ３が大型化し
て半導体パッケージが大型化するという不具合が生じ易
い。

【００３９】図３に示すように、外周導体３ｂの長さを
Ｌとした場合、溝９ａの外周側の内面の深さ９ｄは０．
５ｍｍ〜Ｌ／２であることが好ましく、０．５ｍｍ未満
の場合、同軸コネクタ３と貫通孔８との位置合わせが困
難となる。Ｌ／２を超えると、外周導体３ｂと貫通孔８
の内面との接合面積が小さくなって強度が低下し、半導
体パッケージ内の気密が損なわれるという不具合が生じ
易い。

【００４０】また、図４は本発明の半導体パッケージの
他の実施形態を示す断面図であり、図５は図４の同軸コ
ネクタの拡大断面図である。

【００４１】図４，図５に示すように、貫通孔８の段差
部９に外周導体３ｂと接する堤部９ｅを設け、堤部９ｅ
の外周導体３ｂに接する面にＣ面やＲ面やテーパー面等
の面取り部９ｂを形成し、堤部の高さ９ｆが外周導体３
ｂの端部の突出長さと略同じとする。この構成により、
同軸コネクタの嵌入がし易くなると同時に、同軸コネク
タを貫通孔内にＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した
際、これらの接合時に発生する応力を緩和することがで
き、同軸コネクタの絶縁体への亀裂が防止される。その
結果、半導体パッケージを気密に封止することができ
る。また、同軸コネクタ３の絶縁体３ｃと貫通孔８の段
差部９との間に大きな隙間の発生がなくなることによ
り、特性インピーダンスが不安定になり高周波信号が反
射することを防止できる。

【００４２】そして、本発明の半導体パッケージは、基
体１の載置部１ａに半導体素子５をその電極と電気的に
接続された配線導体６ａを有する回路基板６に搭載した
状態で搭載固定し、回路基板６の配線導体６ａと同軸コ
ネクタ３の中心導体３ｂとを半田を介して電気的に接続
し、しかる後、枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等
の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法
により接合することにより製品としての半導体装置とな
る。また、同軸コネクタ３と外部の同軸ケーブルとを接
続することにより、内部に収容する半導体素子５が外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。

【００４３】かくして、本発明は、段差部の枠体の内面
に略平行な面に外周導体の端部が嵌入される溝が中心導
体に略同心状に形成されており、溝の内周側の内面は外
周導体の端部に接するとともに面取り部が形成され、外
周側の内面は外周導体の端部に非接触であり、かつ溝の
深さが外周導体の端部の突出長さと略同じであって、同
軸コネクタは外周導体の貫通孔に挿入される側の端部が
絶縁体よりも突出して溝に嵌入されていることから、同
軸コネクタの中心導体を貫通孔の内周面に接合した際、
中心導体が貫通孔および配線導体に対して上下および／
または左右の方向にずれて高周波信号のインピーダンス
が所定値から大きくずれ高周波信号が反射してしまうと
いうことがなくなり、特性インピーダンスが安定した良
好な高周波信号の伝送路を有することができる。

【００４４】さらに、同軸コネクタの嵌入がし易くなる
とともに、同軸コネクタを貫通孔内にＡｕ−Ｓｎ等の低
融点ロウ材で接合した際、これらの接合時に発生する応
力を緩和することができ、同軸コネクタの絶縁体への亀
裂が防止される。その結果、半導体パッケージを気密に
封止することができる。

【００４５】また、本発明によれば、同軸コネクタの嵌
入がし易くなるとともに嵌入後の位置ずれや同軸コネク
タの外れも防止できる。

【００４６】本発明は、段差部の枠体の内面に略平行な
面に外周導体の端部の内周面に接する堤部が中心導体に
略同心状に形成されており、堤部の外周導体に接する面
に面取り部が形成されているとともに堤部の高さが外周
導体の端部の突出長さと略同じであって、同軸コネクタ
は外周導体の貫通孔に挿入される側の端部が絶縁体より
も突出して堤部に嵌合されていることから、同軸コネク
タの嵌合がし易くなるとともに、同軸コネクタを貫通孔
内にＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した際、これら
の接合時に発生する応力を緩和することができ、同軸コ
ネクタの絶縁体の亀裂発生が防止される。その結果、半
導体パッケージを気密に封止することができる。また、
同軸コネクタの絶縁体と貫通孔の段差部底部との間に大
きな隙間の発生がなくなることにより、特性インピーダ
ンスが不安定になり高周波信号が反射することを防止で
きる。

【００４７】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で
あれば種々の変更は可能である。例えば、溝９ａの外周
側の内面を２段以上の階段状にすることにより、低融点
ロウ材との接合面積が大きくなり、枠体２と外周導体３
ｂ間をより強固なものとすることができる。

【００４８】

【発明の効果】本発明は、同軸コネクタが挿入されロウ
付けされる枠体の貫通孔は、枠体の外面側開口から内側
にかけて内寸法が小となる段差部が形成され、段差部の
枠体の内面に略平行な面に外周導体の端部が嵌入される
溝が中心導体に略同心状に形成されており、溝の内周側
の内面は外周導体の端部に接するとともに面取り部が形
成され、外周側の内面は外周導体の端部に非接触であ
り、かつ溝の深さが外周導体の端部の突出長さと略同じ
であって、同軸コネクタは外周導体の貫通孔に挿入され
る側の端部が絶縁体よりも突出して溝に嵌入されている
ことから、同軸コネクタの貫通孔への嵌入がし易くなる
とともに、同軸コネクタを貫通孔内にＡｕ−Ｓｎ等の低
融点ロウ材で接合した際、これらの接合時に発生する応
力を緩和することができ、同軸コネクタの絶縁体の亀裂
発生が防止される。その結果、半導体パッケージを気密
に封止することができる。

【００４９】また本発明は、好ましくは、溝の深さが
０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍであることより、同軸コネク
タの嵌入がさらにし易くなるとともに、嵌入後の位置ず
れや同軸コネクタの外れも防止できる。

【００５０】また本発明は、好ましくは、外周導体の長
さをＬとした場合、溝の内周面に対向する内周面の深さ
が０．５ｍｍ〜Ｌ／２であることより、同軸コネクタの
嵌入がさらにし易くなるとともに、嵌入後の位置ずれや
同軸コネクタの外れも防止できる。

【００５１】本発明は、同軸コネクタが挿入されロウ付
けされる枠体の貫通孔が、枠体の外面側開口から内側に
かけて内寸法が小となる段差部が形成され、段差部の枠
体の内面に略平行な面に外周導体の端部の内周面に接す
る堤部が中心導体に略同心状に形成されており、堤部の
外周導体に接する面に面取り部が形成されているととも
に堤部の高さが外周導体の端部の突出長さと略同じであ
って、同軸コネクタは外周導体の貫通孔に挿入される側
の端部が絶縁体よりも突出して堤部に嵌合されているこ
とから、同軸コネクタの嵌合がし易くなるとともに、同
軸コネクタを貫通孔内にＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で
接合した際、これらの接合時に発生する応力を緩和する
ことができ、同軸コネクタの絶縁体の亀裂発生を防止で
きる。その結果、半導体パッケージを気密に封止するこ
とができる。また、同軸コネクタの絶縁体と貫通孔の段
差部底部との間に大きな隙間の発生がなくなり、特性イ
ンピーダンスが不安定になり高周波信号が反射すること
を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージの実施の形態の例を
示す断面図である。

【図２】図１の半導体パッケージにおける同軸コネクタ
を示す拡大断面図である。

【図３】図２の同軸コネクタについて実施の形態の他の
例を示す拡大断面図である。

【図４】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の他の例を示す断面図である。

【図５】図４の半導体パッケージにおける同軸コネクタ
を示す拡大断面図である。

【図６】従来の半導体パッケージの例を示す断面図であ
る。

【図７】図６の半導体パッケージの同軸コネクタを示す
拡大断面図である。

【符号の説明】 １：基体 １ａ：載置部 ２：枠体 ３：同軸コネクタ ３ａ：中心導体 ３ｂ：外周導体 ３ｃ：絶縁体 ５：半導体素子 ８：貫通孔 ９：段差部 ９ａ：溝 ９ｂ：面取り部 ９ｃ：溝の深さ ９ｅ：堤部 ９ｆ：堤部の高さ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上側主面に半導体素子が載置される載置
   部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞す
   るように取着された金属製の枠体と、該枠体に設けられ
   た貫通孔に外側より挿入されロウ付けされた、筒状の外
   周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびに
   それらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタ
   と、前記枠体の上面に接合される蓋体とを具備して成る
   半導体素子収納用パッケージにおいて、前記貫通孔は前
   記枠体の外面側開口から内側にかけて内寸法が小となる
   段差部が形成され、前記段差部の前記枠体の内面に略平
   行な面に前記外周導体の端部が嵌入される溝が前記中心
   導体に略同心状に形成されており、前記溝の内周側の内
   面は前記外周導体の端部に接するとともに面取り部が形
   成され、外周側の内面は前記外周導体の端部に非接触で
   あり、かつ前記溝の深さが前記外周導体の端部の突出長
   さと略同じであって、前記同軸コネクタは前記外周導体
   の前記貫通孔に挿入される側の端部が前記絶縁体よりも
   突出して前記溝に嵌入されていることを特徴とする半導
   体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】 前記溝の深さが０．０１〜０．５ｍｍで
   あることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用
   パッケージ。
3. 【請求項３】 前記外周導体の長さをＬとした場合、前
   記溝の外周側の内面の深さが０．５ｍｍ〜Ｌ／２である
   ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体
   素子収納用パッケージ。
4. 【請求項４】 上側主面に半導体素子が載置される載置
   部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞す
   るように取着された金属製の枠体と、該枠体に設けられ
   た貫通孔に外側より挿入されロウ付けされた、筒状の外
   周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびに
   それらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタ
   と、前記枠体の上面に接合される蓋体とを具備して成る
   半導体素子収納用パッケージにおいて、前記貫通孔は前
   記枠体の外面側開口から内側にかけて内寸法が小となる
   段差部が形成され、前記段差部の前記枠体の内面に略平
   行な面に前記外周導体の端部の内周面に接する堤部が前
   記中心導体に略同心状に形成されており、前記堤部の前
   記外周導体に接する面に面取り部が形成されているとと
   もに前記堤部の高さが前記外周導体の端部の突出長さと
   略同じであって、前記同軸コネクタは前記外周導体の前
   記貫通孔に挿入される側の端部が前記絶縁体よりも突出
   して前記堤部に嵌合されていることを特徴とする半導体
   素子収納用パッケージ。