JP2002222997A - 表面実装型発光ダイオード、及びその製造方法 - Google Patents
表面実装型発光ダイオード、及びその製造方法Info
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- JP2002222997A JP2002222997A JP2001017518A JP2001017518A JP2002222997A JP 2002222997 A JP2002222997 A JP 2002222997A JP 2001017518 A JP2001017518 A JP 2001017518A JP 2001017518 A JP2001017518 A JP 2001017518A JP 2002222997 A JP2002222997 A JP 2002222997A
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- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Abstract
(57)【要約】
【課題】 品質の安定化および生産性の向上を実現する
ことのできる表面実装型発光ダイオード、及びその製造
方法を提供すること。 【解決手段】 金属被膜による電極２１，２１が形成さ
れている基板２の表面に発光ダイオードチップ１が実装
された表面実装型発光ダイオードの製造において、板状
の原材の所定の領域にて表面を露出させて金属被膜によ
る電極２１，２１を形成し、表面を露出させた領域を四
隅とする小片に原材を切断して基板２を形成する。これ
により、原材に形成された電極２１，２１を切断する際
に発生するバリが基板２の周縁からはみ出すことを防止
して、表面実装型発光ダイオードの品質を向上させ、生
産性を向上させる。
ことのできる表面実装型発光ダイオード、及びその製造
方法を提供すること。 【解決手段】 金属被膜による電極２１，２１が形成さ
れている基板２の表面に発光ダイオードチップ１が実装
された表面実装型発光ダイオードの製造において、板状
の原材の所定の領域にて表面を露出させて金属被膜によ
る電極２１，２１を形成し、表面を露出させた領域を四
隅とする小片に原材を切断して基板２を形成する。これ
により、原材に形成された電極２１，２１を切断する際
に発生するバリが基板２の周縁からはみ出すことを防止
して、表面実装型発光ダイオードの品質を向上させ、生
産性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型発光ダ
イオード、及び表面実装型発光ダイオードを製造する方
法に関する。
イオード、及び表面実装型発光ダイオードを製造する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面実装型発光ダイオードとは、電極を
有する基板に表面実装された発光ダイオード（ＬＥＤ：
Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である。
図７は従来の表面実装型ＬＥＤの例を示す斜視図であ
る。図中２はガラスエポキシ製の基板であり、矩形に形
成されている。基板２の表面には、両短辺から基板２の
中央にかけて金属被膜による電極２１，２１が互いに離
隔して形成されている。電極２１，２１の一方には、Ｌ
ＥＤチップ１が載設されており、ＬＥＤチップ１の一方
の端子が電極２１，２１の一方に接続され、ＬＥＤチッ
プ１の他方の端子が電導性のワイヤ１１を介して電極２
１，２１の他方に接続されている。基板２の表面は、両
短辺の付近に形成されている電極２１，２１を除き、Ｌ
ＥＤチップ１及びワイヤ１１が完全に隠れる大きさの台
状に形成された透光性の樹脂モールド３によって覆われ
ている。このような表面実装型ＬＥＤは、電極２１，２
１を他の回路に接続する陰極および陽極とし、表示器な
どに組み込まれるＬＥＤとして用いられる。
有する基板に表面実装された発光ダイオード（ＬＥＤ：
Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）である。
図７は従来の表面実装型ＬＥＤの例を示す斜視図であ
る。図中２はガラスエポキシ製の基板であり、矩形に形
成されている。基板２の表面には、両短辺から基板２の
中央にかけて金属被膜による電極２１，２１が互いに離
隔して形成されている。電極２１，２１の一方には、Ｌ
ＥＤチップ１が載設されており、ＬＥＤチップ１の一方
の端子が電極２１，２１の一方に接続され、ＬＥＤチッ
プ１の他方の端子が電導性のワイヤ１１を介して電極２
１，２１の他方に接続されている。基板２の表面は、両
短辺の付近に形成されている電極２１，２１を除き、Ｌ
ＥＤチップ１及びワイヤ１１が完全に隠れる大きさの台
状に形成された透光性の樹脂モールド３によって覆われ
ている。このような表面実装型ＬＥＤは、電極２１，２
１を他の回路に接続する陰極および陽極とし、表示器な
どに組み込まれるＬＥＤとして用いられる。
【０００３】図８は、従来の表面実装型ＬＥＤを製造す
る方法を説明した平面図である。図中２０は、切断して
複数の基板２を製造するための原材である。図８（ａ）
に示した如く、原材２０の表面に銅などの金属被膜によ
る電極２１，２１のパターンを形成し、図８（ｂ）に示
した如く、電極２１，２１の表面にＬＥＤチップ１及び
ワイヤ１１を装着する。次に、鋳型を用いてＬＥＤチッ
プ１及びワイヤ１１が完全に隠れるように樹脂を流し込
んで固化させ、図８（ｃ）に示した如く、樹脂モールド
３を形成する。最後に、図８（ｄ）に示した如く個々の
表面実装型ＬＥＤの大きさにダイサーで切断する。以上
の如くにして、表面実装型ＬＥＤは製造される。
る方法を説明した平面図である。図中２０は、切断して
複数の基板２を製造するための原材である。図８（ａ）
に示した如く、原材２０の表面に銅などの金属被膜によ
る電極２１，２１のパターンを形成し、図８（ｂ）に示
した如く、電極２１，２１の表面にＬＥＤチップ１及び
ワイヤ１１を装着する。次に、鋳型を用いてＬＥＤチッ
プ１及びワイヤ１１が完全に隠れるように樹脂を流し込
んで固化させ、図８（ｃ）に示した如く、樹脂モールド
３を形成する。最後に、図８（ｄ）に示した如く個々の
表面実装型ＬＥＤの大きさにダイサーで切断する。以上
の如くにして、表面実装型ＬＥＤは製造される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】表面実装型ＬＥＤを従
来の製造方法を用いて製造した場合、最後に原材２０、
基板２、樹脂モールド３及び電極２１，２１をダイサー
で切断することとなり、図８（ｄ）に示した如く、電極
２１，２１の切断部分にバリが発生する。基板２の周縁
からバリがはみ出した場合、表面実装型ＬＥＤを他の回
路に組み込んで製品を組み立てるときに、はみ出したバ
リが隣接する他の部品または回路に接触して絶縁不良ま
たは組み立て精度の悪化の原因となる。電極２１，２１
は、金属製であるために、バリを発生させずに切断を行
うことは非常に困難である。このため、従来の表面実装
型ＬＥＤは品質が安定せず、生産性が悪いという問題が
あった。
来の製造方法を用いて製造した場合、最後に原材２０、
基板２、樹脂モールド３及び電極２１，２１をダイサー
で切断することとなり、図８（ｄ）に示した如く、電極
２１，２１の切断部分にバリが発生する。基板２の周縁
からバリがはみ出した場合、表面実装型ＬＥＤを他の回
路に組み込んで製品を組み立てるときに、はみ出したバ
リが隣接する他の部品または回路に接触して絶縁不良ま
たは組み立て精度の悪化の原因となる。電極２１，２１
は、金属製であるために、バリを発生させずに切断を行
うことは非常に困難である。このため、従来の表面実装
型ＬＥＤは品質が安定せず、生産性が悪いという問題が
あった。
【０００５】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであって、その目的とするところは、夫々の基板の四
隅に位置する部分にて表面を露出させて金属被膜による
電極を形成することにより、電極を切断するときに発生
するバリが基板の周縁からはみ出すことを防止して、品
質の安定および生産性の向上を実現することができる表
面実装型ＬＥＤ、及び該表面実装型ＬＥＤの製造方法を
提供することにある。
のであって、その目的とするところは、夫々の基板の四
隅に位置する部分にて表面を露出させて金属被膜による
電極を形成することにより、電極を切断するときに発生
するバリが基板の周縁からはみ出すことを防止して、品
質の安定および生産性の向上を実現することができる表
面実装型ＬＥＤ、及び該表面実装型ＬＥＤの製造方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る表面実装
型ＬＥＤは、金属被膜による電極が形成されている基板
の表面にＬＥＤチップが実装されている表面実装型ＬＥ
Ｄにおいて、前記基板の表面が四隅にて露出しているこ
とを特徴とする。
型ＬＥＤは、金属被膜による電極が形成されている基板
の表面にＬＥＤチップが実装されている表面実装型ＬＥ
Ｄにおいて、前記基板の表面が四隅にて露出しているこ
とを特徴とする。
【０００７】第２発明に係る表面実装型ＬＥＤは、矩形
の基板の表面にＬＥＤチップが実装され、前記基板の対
向する二辺から前記基板の中央にかけて金属被膜による
電極が形成されており、該電極は前記ＬＥＤチップに接
続されている表面実装型ＬＥＤにおいて、他の対向する
二辺から離隔して前記電極が形成されていることを特徴
とする。
の基板の表面にＬＥＤチップが実装され、前記基板の対
向する二辺から前記基板の中央にかけて金属被膜による
電極が形成されており、該電極は前記ＬＥＤチップに接
続されている表面実装型ＬＥＤにおいて、他の対向する
二辺から離隔して前記電極が形成されていることを特徴
とする。
【０００８】第３発明に係る表面実装型ＬＥＤは、金属
被膜による電極が両面に形成されている矩形の基板の表
面にＬＥＤチップが実装され、前記基板の対向する二辺
にて両面の電極が接続されている表面実装型ＬＥＤにお
いて、前記基板の一方の面では、表面が前記基板の四隅
にて露出しており、前記基板の他方の面では、他の対向
する二辺から離隔して電極が形成されていることを特徴
とする。
被膜による電極が両面に形成されている矩形の基板の表
面にＬＥＤチップが実装され、前記基板の対向する二辺
にて両面の電極が接続されている表面実装型ＬＥＤにお
いて、前記基板の一方の面では、表面が前記基板の四隅
にて露出しており、前記基板の他方の面では、他の対向
する二辺から離隔して電極が形成されていることを特徴
とする。
【０００９】第４発明に係る表面実装型ＬＥＤの製造方
法は、金属被膜による電極が形成されている基板の表面
にＬＥＤチップが実装されている表面実装型ＬＥＤを製
造する方法において、板状の原材に、所定の領域にてス
ポット状に表面を露出させて金属被膜の電極を形成し、
電極を形成した原材にＬＥＤチップを実装し、ＬＥＤチ
ップを実装した原材を、表面を露出させた領域を四隅と
する小片に切断することを特徴とする。
法は、金属被膜による電極が形成されている基板の表面
にＬＥＤチップが実装されている表面実装型ＬＥＤを製
造する方法において、板状の原材に、所定の領域にてス
ポット状に表面を露出させて金属被膜の電極を形成し、
電極を形成した原材にＬＥＤチップを実装し、ＬＥＤチ
ップを実装した原材を、表面を露出させた領域を四隅と
する小片に切断することを特徴とする。
【００１０】第５発明に係る表面実装型ＬＥＤの製造方
法は、金属被膜による電極が形成されている基板の表面
にＬＥＤチップが実装されている表面実装型ＬＥＤを製
造する方法において、板状の原材に、表面を露出させた
領域で分割された金属被膜の電極を形成し、電極を形成
した原材にＬＥＤチップを実装し、ＬＥＤチップを実装
した原材を、表面を露出させた領域を切断部分とする小
片に切断することを特徴とする。
法は、金属被膜による電極が形成されている基板の表面
にＬＥＤチップが実装されている表面実装型ＬＥＤを製
造する方法において、板状の原材に、表面を露出させた
領域で分割された金属被膜の電極を形成し、電極を形成
した原材にＬＥＤチップを実装し、ＬＥＤチップを実装
した原材を、表面を露出させた領域を切断部分とする小
片に切断することを特徴とする。
【００１１】第１、第４発明においては、表面実装型Ｌ
ＥＤを製造する際に、基板の四隅に位置する部分の表面
を露出させて金属被膜による電極を形成する。板状の原
材に、所定の領域にてスポット状に表面を露出させて電
極を形成し、表面を露出させた領域を四隅とする小片に
原材を切断して基板を形成することにより、電極の切断
部分の端が基板の切断部分の端よりも内側に位置するこ
ととなり、切断される電極に発生するバリが電極の切断
部分の大きさからはみ出した場合でも基板の周縁からは
み出すことがない。これにより、表面実装型ＬＥＤを他
の回路に組み込むときに基板の周縁からはみ出したバリ
が隣接する他の部品または回路に接触して絶縁不良また
は組み立て精度の悪化の原因となることを防止して、表
面実装型ＬＥＤの品質を安定させ、生産性を向上させ
る。
ＥＤを製造する際に、基板の四隅に位置する部分の表面
を露出させて金属被膜による電極を形成する。板状の原
材に、所定の領域にてスポット状に表面を露出させて電
極を形成し、表面を露出させた領域を四隅とする小片に
原材を切断して基板を形成することにより、電極の切断
部分の端が基板の切断部分の端よりも内側に位置するこ
ととなり、切断される電極に発生するバリが電極の切断
部分の大きさからはみ出した場合でも基板の周縁からは
み出すことがない。これにより、表面実装型ＬＥＤを他
の回路に組み込むときに基板の周縁からはみ出したバリ
が隣接する他の部品または回路に接触して絶縁不良また
は組み立て精度の悪化の原因となることを防止して、表
面実装型ＬＥＤの品質を安定させ、生産性を向上させ
る。
【００１２】第２及び第５発明においては、表面実装型
ＬＥＤを製造する際に、基板の切断部分に位置する表面
を露出させて金属被膜による電極を形成する。板状の原
材に、表面を露出させた領域で分割された電極を形成
し、表面を露出させた領域を切断部分とする小片に原材
を切断して基板を形成することにより、切断されるとき
にバリを発生する金属製の電極が基板を形成するときに
切断されることを回避し、表面実装型ＬＥＤの品質を安
定させ、生産性を向上させる。
ＬＥＤを製造する際に、基板の切断部分に位置する表面
を露出させて金属被膜による電極を形成する。板状の原
材に、表面を露出させた領域で分割された電極を形成
し、表面を露出させた領域を切断部分とする小片に原材
を切断して基板を形成することにより、切断されるとき
にバリを発生する金属製の電極が基板を形成するときに
切断されることを回避し、表面実装型ＬＥＤの品質を安
定させ、生産性を向上させる。
【００１３】第３発明においては、金属被膜による電極
を両面に有する表面実装型ＬＥＤを、一方の面では基板
の四隅の表面を露出させて電極を形成し、他方の面では
原材を切断して基板を形成するときの切断部分から離隔
して電極を形成することにより、製造の際に一方の面で
切断される電極が発生するバリが基板の周縁からはみ出
すことを防止して、表面実装型ＬＥＤの品質を安定さ
せ、生産性を向上させる。
を両面に有する表面実装型ＬＥＤを、一方の面では基板
の四隅の表面を露出させて電極を形成し、他方の面では
原材を切断して基板を形成するときの切断部分から離隔
して電極を形成することにより、製造の際に一方の面で
切断される電極が発生するバリが基板の周縁からはみ出
すことを防止して、表面実装型ＬＥＤの品質を安定さ
せ、生産性を向上させる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明に
係る表面実装型ＬＥＤを示す斜視図であり、図２は裏面
を示す斜視図である。図中２はガラスエポキシ等の絶縁
材製の基板であり、矩形に形成されている。基板２の表
面および裏面には、両短辺から基板２の中央にかけて金
属被膜による電極２１，２１が互いに離隔して形成され
ている。基板２の表面では、四隅の位置で四分の一円状
に基板２の表面を露出させて電極２１，２１が形成され
ており、基板２の裏面では、両長辺から所定距離だけ離
隔して電極２１，２１が形成され、両長辺の近傍では基
板２の裏面が露出している。基板２の両短辺の側面に
て、表面および裏面の電極２１，２１の夫々が接続され
ている。
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明に
係る表面実装型ＬＥＤを示す斜視図であり、図２は裏面
を示す斜視図である。図中２はガラスエポキシ等の絶縁
材製の基板であり、矩形に形成されている。基板２の表
面および裏面には、両短辺から基板２の中央にかけて金
属被膜による電極２１，２１が互いに離隔して形成され
ている。基板２の表面では、四隅の位置で四分の一円状
に基板２の表面を露出させて電極２１，２１が形成され
ており、基板２の裏面では、両長辺から所定距離だけ離
隔して電極２１，２１が形成され、両長辺の近傍では基
板２の裏面が露出している。基板２の両短辺の側面に
て、表面および裏面の電極２１，２１の夫々が接続され
ている。
【００１５】電極２１，２１の一方には、ＬＥＤチップ
１が載設されており、ＬＥＤチップ１の下面に位置して
いるＬＥＤチップ１の一方の端子が、電極２１，２１の
一方に銀ペーストなどで接続されている。また、ＬＥＤ
チップ１の他方の端子がＬＥＤチップ１の上面に位置し
ており、金線またはアルミニウム線などを用いたワイヤ
１１が、ＬＥＤチップ１の他方の端子と電極２１，２１
の他方とを接続している。
１が載設されており、ＬＥＤチップ１の下面に位置して
いるＬＥＤチップ１の一方の端子が、電極２１，２１の
一方に銀ペーストなどで接続されている。また、ＬＥＤ
チップ１の他方の端子がＬＥＤチップ１の上面に位置し
ており、金線またはアルミニウム線などを用いたワイヤ
１１が、ＬＥＤチップ１の他方の端子と電極２１，２１
の他方とを接続している。
【００１６】基板２の表面は、両短辺の付近に形成され
ている電極２１，２１を除き、ＬＥＤチップ１及びワイ
ヤ１１が完全に隠れる大きさの台状に形成された透光性
の樹脂モールド３によって覆われている。電極２１，２
１を他の回路に接続する陰極および陽極とし、表面実装
型ＬＥＤは全体として表示器などに組み込まれるＬＥＤ
として用いられる。
ている電極２１，２１を除き、ＬＥＤチップ１及びワイ
ヤ１１が完全に隠れる大きさの台状に形成された透光性
の樹脂モールド３によって覆われている。電極２１，２
１を他の回路に接続する陰極および陽極とし、表面実装
型ＬＥＤは全体として表示器などに組み込まれるＬＥＤ
として用いられる。
【００１７】図３及び図４は、本発明に係る表面実装型
ＬＥＤの製造方法を示す斜視図である。図中２０は板状
の原材であり、短辺が基板２の長辺と同じ長さの長尺の
矩形に形成されており、図中に破線にて示した切断線に
て切断されて複数の基板２，２，…が形成される。原材
２０は、ガラスエポキシ等の絶縁材によって形成されて
おり、両面に銅などの金属被膜が形成されている。ま
ず、図３（ａ）に示した如く、電極２１，２１のパター
ンを型どったマスクを用い、電極２１，２１の部分を残
して原材２０の表面および裏面のエッチングを行い、電
極２１，２１を形成する。このとき、表面の基板２の四
隅に位置するスポット状の領域は、マスクで覆わずにエ
ッチングし、前記領域の金属被膜を除去して表面を露出
させておく。
ＬＥＤの製造方法を示す斜視図である。図中２０は板状
の原材であり、短辺が基板２の長辺と同じ長さの長尺の
矩形に形成されており、図中に破線にて示した切断線に
て切断されて複数の基板２，２，…が形成される。原材
２０は、ガラスエポキシ等の絶縁材によって形成されて
おり、両面に銅などの金属被膜が形成されている。ま
ず、図３（ａ）に示した如く、電極２１，２１のパター
ンを型どったマスクを用い、電極２１，２１の部分を残
して原材２０の表面および裏面のエッチングを行い、電
極２１，２１を形成する。このとき、表面の基板２の四
隅に位置するスポット状の領域は、マスクで覆わずにエ
ッチングし、前記領域の金属被膜を除去して表面を露出
させておく。
【００１８】次に、図３（ｂ）に示した如く、原材２０
の側面にメッキを施し、表面および裏面に形成された電
極２１，２１を接続する。そして、図３（ｃ）に示した
如く、電極２１，２１の一方にＬＥＤチップ１，１，…
を載設し、ＬＥＤチップ１，１，…の下面に位置する一
方の端子と電極２１，２１の一方とを銀ペースト等を用
いて接続し、ワイヤ１１，１１，…によりＬＥＤチップ
１，１，…の他方の端子と電極２１，２１の他方とを接
続する。
の側面にメッキを施し、表面および裏面に形成された電
極２１，２１を接続する。そして、図３（ｃ）に示した
如く、電極２１，２１の一方にＬＥＤチップ１，１，…
を載設し、ＬＥＤチップ１，１，…の下面に位置する一
方の端子と電極２１，２１の一方とを銀ペースト等を用
いて接続し、ワイヤ１１，１１，…によりＬＥＤチップ
１，１，…の他方の端子と電極２１，２１の他方とを接
続する。
【００１９】次に、図４（ａ）に示した如く、正面視で
台形に形成された溝を有する鋳型４を原材２０の上面か
ら被せ、透光性の樹脂を注入して硬化させ、図４（ｂ）
に示す如き電極２１，２１の端部を除く原材２０の上面
を覆う樹脂モールド３を形成する。樹脂モールド３を形
成する樹脂は、エポキシ樹脂などの透光性の樹脂であ
り、必ずしも無色透明である必要はなく、用途によって
半透明または有色の樹脂を用いても良い。最後に、図４
（ｃ）に示した如く、スポット状に表面を露出させてお
いた領域が基板２の四隅となるように、破線で示した切
断線に沿って原材２０及び樹脂モールド３をダイサーで
切断し、本発明に係る表面実装型ＬＥＤを完成させる。
切断の際に表面電極２１，２１がバリを発生させるが、
スポット状に表面を露出させておいた領域が基板２の四
隅となるように切断したため、発生したバリが基板２の
周縁からはみ出すことがない。
台形に形成された溝を有する鋳型４を原材２０の上面か
ら被せ、透光性の樹脂を注入して硬化させ、図４（ｂ）
に示す如き電極２１，２１の端部を除く原材２０の上面
を覆う樹脂モールド３を形成する。樹脂モールド３を形
成する樹脂は、エポキシ樹脂などの透光性の樹脂であ
り、必ずしも無色透明である必要はなく、用途によって
半透明または有色の樹脂を用いても良い。最後に、図４
（ｃ）に示した如く、スポット状に表面を露出させてお
いた領域が基板２の四隅となるように、破線で示した切
断線に沿って原材２０及び樹脂モールド３をダイサーで
切断し、本発明に係る表面実装型ＬＥＤを完成させる。
切断の際に表面電極２１，２１がバリを発生させるが、
スポット状に表面を露出させておいた領域が基板２の四
隅となるように切断したため、発生したバリが基板２の
周縁からはみ出すことがない。
【００２０】図５は同じく表面実装型ＬＥＤの製造方法
を裏面から示した斜視図である。裏面においては、図５
（ａ）に示した如く、エッチングにより裏面を露出させ
た領域で分割して電極２１，２１，…を形成する。最後
には、裏面を露出させた領域が切断部分となるように、
図中に破線で示した切断線に沿って原材２０及び樹脂モ
ールド３をダイサーで切断し、表面実装型ＬＥＤを完成
させる。このとき、図５（ｂ）に示した如く、切断部分
および該切断部分の近傍には電極２１，２１が形成され
ていないため、裏面にはバリが発生しない。
を裏面から示した斜視図である。裏面においては、図５
（ａ）に示した如く、エッチングにより裏面を露出させ
た領域で分割して電極２１，２１，…を形成する。最後
には、裏面を露出させた領域が切断部分となるように、
図中に破線で示した切断線に沿って原材２０及び樹脂モ
ールド３をダイサーで切断し、表面実装型ＬＥＤを完成
させる。このとき、図５（ｂ）に示した如く、切断部分
および該切断部分の近傍には電極２１，２１が形成され
ていないため、裏面にはバリが発生しない。
【００２１】以上詳述した如く、製造の工程においてバ
リが基板２の周縁からはみ出さないため、他の回路に組
み込む際に組み立て精度の悪化または絶縁不良の原因と
はならず、表面実装型ＬＥＤの品質が安定し、生産性が
向上する。
リが基板２の周縁からはみ出さないため、他の回路に組
み込む際に組み立て精度の悪化または絶縁不良の原因と
はならず、表面実装型ＬＥＤの品質が安定し、生産性が
向上する。
【００２２】本実施の形態においては、表面実装型ＬＥ
Ｄは、基板２の表面では四隅の部分で表面を露出させ、
基板２の裏面では切断部分から離隔して電極２１，２１
を形成する形態を示したが、この形態に限定するもので
はない。図６は、本発明に係る表面実装型ＬＥＤの他の
形態を示す斜視図である。本発明に係る表面実装型ＬＥ
Ｄの形態は、図６（ａ）に示す如く基板２の表面および
裏面にて四隅の部分で表面および裏面を露出させる形態
としても良く、図６（ｂ）に示す如く基板２の両面にて
切断部分から離隔して電極２１，２１を形成する形態と
しても良い。また、図６（ｃ）に示す如く、基板２の表
面では切断部分から離隔して電極２１，２１を形成し、
基板２の裏面では四隅の部分で裏面を露出させる形態と
しても良い。
Ｄは、基板２の表面では四隅の部分で表面を露出させ、
基板２の裏面では切断部分から離隔して電極２１，２１
を形成する形態を示したが、この形態に限定するもので
はない。図６は、本発明に係る表面実装型ＬＥＤの他の
形態を示す斜視図である。本発明に係る表面実装型ＬＥ
Ｄの形態は、図６（ａ）に示す如く基板２の表面および
裏面にて四隅の部分で表面および裏面を露出させる形態
としても良く、図６（ｂ）に示す如く基板２の両面にて
切断部分から離隔して電極２１，２１を形成する形態と
しても良い。また、図６（ｃ）に示す如く、基板２の表
面では切断部分から離隔して電極２１，２１を形成し、
基板２の裏面では四隅の部分で裏面を露出させる形態と
しても良い。
【００２３】また本実施の形態においては、表面実装型
ＬＥＤの製造方法は、両面に金属被膜が形成された原材
２０をエッチングして電極２１，２１を形成する方法を
示したが、この方法に限定するものではなく、金属被膜
のない原材２０へ直接に電極２１，２１を形成する方法
を用いても良い。
ＬＥＤの製造方法は、両面に金属被膜が形成された原材
２０をエッチングして電極２１，２１を形成する方法を
示したが、この方法に限定するものではなく、金属被膜
のない原材２０へ直接に電極２１，２１を形成する方法
を用いても良い。
【００２４】
【発明の効果】第１及び第４発明においては、金属被膜
による電極を有する基板の表面にＬＥＤチップを実装し
た表面実装型ＬＥＤを製造する際に、板状の原材に、所
定の領域にてスポット状に表面を露出させて電極を形成
し、表面を露出させた領域を四隅とする小片に原材を切
断して基板を形成することにより、電極の切断部分の端
が基板の切断部分の端よりも内側に位置することとな
り、切断される電極に発生するバリが基板の周縁からは
み出すことがなく、表面実装型ＬＥＤの品質の安定化お
よび生産性の向上を実現することができる。
による電極を有する基板の表面にＬＥＤチップを実装し
た表面実装型ＬＥＤを製造する際に、板状の原材に、所
定の領域にてスポット状に表面を露出させて電極を形成
し、表面を露出させた領域を四隅とする小片に原材を切
断して基板を形成することにより、電極の切断部分の端
が基板の切断部分の端よりも内側に位置することとな
り、切断される電極に発生するバリが基板の周縁からは
み出すことがなく、表面実装型ＬＥＤの品質の安定化お
よび生産性の向上を実現することができる。
【００２５】第２及び第５発明においては、表面実装型
ＬＥＤを製造する際に、板状の原材に、表面を露出させ
た領域で分割された電極を形成し、表面を露出させた領
域を切断部分とする小片に原材を切断して基板を形成す
ることにより、切断されるときにバリを発生する金属製
の電極が基板を形成するときに切断されることを回避
し、表面実装型ＬＥＤの品質の安定化および生産性の向
上を実現することができる。
ＬＥＤを製造する際に、板状の原材に、表面を露出させ
た領域で分割された電極を形成し、表面を露出させた領
域を切断部分とする小片に原材を切断して基板を形成す
ることにより、切断されるときにバリを発生する金属製
の電極が基板を形成するときに切断されることを回避
し、表面実装型ＬＥＤの品質の安定化および生産性の向
上を実現することができる。
【００２６】第３発明においては、金属被膜による電極
を両面に有する表面実装型ＬＥＤを、一方の面では基板
の四隅の表面を露出させて電極を形成し、他方の面では
原材を切断して基板を形成するときの切断部分から離隔
して電極を形成することとしたため、製造の際に一方の
面で切断される電極が発生するバリが基板の周縁からは
み出すことがなく、表面実装型ＬＥＤの品質の安定化お
よび生産性の向上を実現することができる等、本発明は
優れた効果を奏する。
を両面に有する表面実装型ＬＥＤを、一方の面では基板
の四隅の表面を露出させて電極を形成し、他方の面では
原材を切断して基板を形成するときの切断部分から離隔
して電極を形成することとしたため、製造の際に一方の
面で切断される電極が発生するバリが基板の周縁からは
み出すことがなく、表面実装型ＬＥＤの品質の安定化お
よび生産性の向上を実現することができる等、本発明は
優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る表面実装型ＬＥＤを示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る表面実装型ＬＥＤの裏面を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】本発明に係る表面実装型ＬＥＤの製造方法を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】本発明に係る表面実装型ＬＥＤの製造方法を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】表面実装型ＬＥＤの製造方法を裏面から示した
斜視図である。
斜視図である。
【図６】本発明に係る表面実装型ＬＥＤの他の形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】従来の表面実装型ＬＥＤの例を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】従来の表面実装型ＬＥＤを製造する方法を説明
した平面図である。
した平面図である。
１ ＬＥＤチップ １１ ワイヤ ２ 基板 ２０ 原材 ２１ 電極 ３ 樹脂モールド ４ 鋳型
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 幸治 京都府城陽市寺田新池36番地 星和電機株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA31 DA20 DA35 DA39 DA43 DA92
Claims (5)
- 【請求項１】 金属被膜による電極が形成されている基
板の表面に発光ダイオードチップが実装されている表面
実装型発光ダイオードにおいて、 前記基板の表面が四隅にて露出していることを特徴とす
る表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項２】 矩形の基板の表面に発光ダイオードチッ
プが実装され、前記基板の対向する二辺から前記基板の
中央にかけて金属被膜による電極が形成されており、該
電極は前記発光ダイオードチップに接続されている表面
実装型発光ダイオードにおいて、 他の対向する二辺から離隔して前記電極が形成されてい
ることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項３】 金属被膜による電極が両面に形成されて
いる矩形の基板の表面に発光ダイオードチップが実装さ
れ、前記基板の対向する二辺にて両面の電極が接続され
ている表面実装型発光ダイオードにおいて、 前記基板の一方の面では、表面が前記基板の四隅にて露
出しており、前記基板の他方の面では、他の対向する二
辺から離隔して電極が形成されていることを特徴とする
表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項４】 金属被膜による電極が形成されている基
板の表面に発光ダイオードチップが実装されている表面
実装型発光ダイオードを製造する方法において、 板状の原材に、所定の領域にてスポット状に表面を露出
させて金属被膜の電極を形成し、電極を形成した原材に
発光ダイオードチップを実装し、発光ダイオードチップ
を実装した原材を、表面を露出させた領域を四隅とする
小片に切断することを特徴とする表面実装型発光ダイオ
ードの製造方法。 - 【請求項５】 金属被膜による電極が形成されている基
板の表面に発光ダイオードチップが実装されている表面
実装型発光ダイオードを製造する方法において、 板状の原材に、表面を露出させた領域で分割された金属
被膜の電極を形成し、電極を形成した原材に発光ダイオ
ードチップを実装し、発光ダイオードチップを実装した
原材を、表面を露出させた領域を切断部分とする小片に
切断することを特徴とする表面実装型発光ダイオードの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001017518A JP2002222997A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | 表面実装型発光ダイオード、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001017518A JP2002222997A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | 表面実装型発光ダイオード、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222997A true JP2002222997A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18883715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001017518A Pending JP2002222997A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | 表面実装型発光ダイオード、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222997A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041923A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
| WO2008104096A1 (fr) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Tsungwen Chan | Diode électroluminescentes de type montée en surface de signal et procédé de fabrication de celle-ci |
| US7714346B2 (en) | 2005-09-21 | 2010-05-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | Surface mounting LED substrate and LED |
| JP2014099668A (ja) * | 2009-06-10 | 2014-05-29 | Toshiba Techno Center Inc | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1126647A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
| JP2000058923A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Matsushita Electron Corp | 面実装型光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2001160630A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体装置 |
-
2001
- 2001-01-25 JP JP2001017518A patent/JP2002222997A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH1126647A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
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| US9142742B2 (en) | 2009-06-10 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100518 |
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