JP3214619B2 - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、プリント基板上
に半導体パッケージの1単位を構成する配線パターンを
行列状にして複数個形成し、半導体チップを搭載してワ
イヤ配線した後、これらを金型にて樹脂封止し、離型後
に樹脂封止体を上記１単位の半導体パッケージ毎に切り
分けるようにする半導体パッケージの製造方法の技術分
野に属し、特に、１枚のプリント基板上に多数個の半導
体パッケージを構成して効率良く製造することを目的と
した半導体パッケージの製造方法に関する。
に半導体パッケージの1単位を構成する配線パターンを
行列状にして複数個形成し、半導体チップを搭載してワ
イヤ配線した後、これらを金型にて樹脂封止し、離型後
に樹脂封止体を上記１単位の半導体パッケージ毎に切り
分けるようにする半導体パッケージの製造方法の技術分
野に属し、特に、１枚のプリント基板上に多数個の半導
体パッケージを構成して効率良く製造することを目的と
した半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスルーホールが配置されたプリン
ト基板を使用しての半導体パッケージの製造方法は、以
下の工程により行われていた。先ず、プリント基板（以
下「基板」と略称。）上に、半導体チップ搭載用のステ
ージと、該ステージの周囲に配置したワイヤ接続用の内
部端子を構成する配線と、該内部端子の端部に形成し内
周面を導通処理したスルーホールと、及び該スルーホー
ルを介して前記内部端子と導通させて裏面側に形成した
外部接続用の外部端子と、から構成される１単位の半導
体パッケージ（以下「パッケージ」と略称。）の配線パ
ターン（以下「パターン」と略称。）の複数個を、写真
法にて焼き付け、現像、エッチングにて行列状に形成
し、かつメッキ法にてメッキを施す。そして、それぞれ
のステージに所定の半導体チップを搭載し、かつ該半導
体チップとワイヤー配線した後、これらを含み前記プリ
ント基板全体を金型を利用して一括して樹脂封止し、こ
の樹脂封止体を養生離型した後に上記１単位毎のパッケ
ージに切り分けるようにしている。
ト基板を使用しての半導体パッケージの製造方法は、以
下の工程により行われていた。先ず、プリント基板（以
下「基板」と略称。）上に、半導体チップ搭載用のステ
ージと、該ステージの周囲に配置したワイヤ接続用の内
部端子を構成する配線と、該内部端子の端部に形成し内
周面を導通処理したスルーホールと、及び該スルーホー
ルを介して前記内部端子と導通させて裏面側に形成した
外部接続用の外部端子と、から構成される１単位の半導
体パッケージ（以下「パッケージ」と略称。）の配線パ
ターン（以下「パターン」と略称。）の複数個を、写真
法にて焼き付け、現像、エッチングにて行列状に形成
し、かつメッキ法にてメッキを施す。そして、それぞれ
のステージに所定の半導体チップを搭載し、かつ該半導
体チップとワイヤー配線した後、これらを含み前記プリ
ント基板全体を金型を利用して一括して樹脂封止し、こ
の樹脂封止体を養生離型した後に上記１単位毎のパッケ
ージに切り分けるようにしている。
【０００３】かかるパッケージは、内面を導通処理した
スルーホールに取り付けた半田ボールを介して電気回路
上に面実装したり、スルーホールを介して裏面側に導電
形成した外部接続用の外部端子によって実装するように
していた。この外部端子と内部端子とを接続仲介するス
ルーホールは、パッケージの樹脂体の外周側端面に位置
させて隣合うパッケージ間で共有させるべく配置し、樹
脂封止体の切り分け時にスルーホールを分割して隣接す
るパッケージ間で共有することより、パッケージに対す
る基板の占有比率を小さくするようにしている。
スルーホールに取り付けた半田ボールを介して電気回路
上に面実装したり、スルーホールを介して裏面側に導電
形成した外部接続用の外部端子によって実装するように
していた。この外部端子と内部端子とを接続仲介するス
ルーホールは、パッケージの樹脂体の外周側端面に位置
させて隣合うパッケージ間で共有させるべく配置し、樹
脂封止体の切り分け時にスルーホールを分割して隣接す
るパッケージ間で共有することより、パッケージに対す
る基板の占有比率を小さくするようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
小型化の実現から１枚の基板の大きさに比例して多数の
パッケージを製造することが可能となるが、その反面、
基板の面積が大きくなると、基板に対する封止樹脂量が
多くなることから、離型後の樹脂封止体に反りが発生
し、小孔（例えばφ＝０．２５ｍｍ）であるスルーホー
ルを分割するような精細な切断に支障をきたしていた。
そのため、かかる反りの発生を許容範囲に抑えるため基
板の大きさを制限せざるを得なかった。その結果１枚の
基板から製造されるパッケージの個数には限度があっ
た。
小型化の実現から１枚の基板の大きさに比例して多数の
パッケージを製造することが可能となるが、その反面、
基板の面積が大きくなると、基板に対する封止樹脂量が
多くなることから、離型後の樹脂封止体に反りが発生
し、小孔（例えばφ＝０．２５ｍｍ）であるスルーホー
ルを分割するような精細な切断に支障をきたしていた。
そのため、かかる反りの発生を許容範囲に抑えるため基
板の大きさを制限せざるを得なかった。その結果１枚の
基板から製造されるパッケージの個数には限度があっ
た。
【０００５】また、従来の樹脂封止体の切断方法では、
１工程で切り分けた場合には直角な切断面の角部に欠け
が発生し易いことを考慮して、最初にＶ字状の溝を切削
形成した後に、このＶ字溝内を切断して行く２段階の工
程を採っており、処理時間と工程数の増加から作業効率
に課題があった。このことは最終的にはパッケージ製品
のコスト上昇に繋がっていた。
１工程で切り分けた場合には直角な切断面の角部に欠け
が発生し易いことを考慮して、最初にＶ字状の溝を切削
形成した後に、このＶ字溝内を切断して行く２段階の工
程を採っており、処理時間と工程数の増加から作業効率
に課題があった。このことは最終的にはパッケージ製品
のコスト上昇に繋がっていた。
【０００６】
【目的】そこで、本願発明は、上述した問題点の解決を
図るべく為されたものであり、プリント基板のスルーホ
ールを共通化して一括樹脂封止成形して行う半導体パッ
ケージの製造方法において、樹脂封止体の反りの発生を
防止して１枚の基板で多数のパッケージの切り分けを可
能とすることにより、生産効率の向上とこれによる製造
コストの低減を図ることを目的とした半導体パッケージ
の製造方法を提供するものである。
図るべく為されたものであり、プリント基板のスルーホ
ールを共通化して一括樹脂封止成形して行う半導体パッ
ケージの製造方法において、樹脂封止体の反りの発生を
防止して１枚の基板で多数のパッケージの切り分けを可
能とすることにより、生産効率の向上とこれによる製造
コストの低減を図ることを目的とした半導体パッケージ
の製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願発明は以下のような方法にて半導体パッケージ
を製造する。すなわち、請求項１では、プリント基板
（１０）の表面に、半導体チップ（１２）を搭載するた
めのステージ（１１）と、該ステージ（１１）の周囲に
配置されて前記半導体チップ（１２）の電極（１２ａ）
とワイヤ接続するための内部端子（１４）と、該内部端
子（１４）の端部に基板（１０）を貫通して形成し内周
面を導通処理したスルーホール（１５）と、該スルーホ
ール（１５）を介して前記内部端子（１４）と導通させ
て裏面側に形成した外部接続用の外部端子（１６）と、
から構成される１単位の半導体パッケージ（１）の配線
パターンの複数個を行列状に形成し、各ステージ（１
１）に搭載した各半導体チップ（１２）の電極（１２
ａ）と内部端子（１４）とをそれぞれワイヤ配線した
後、これらを含んだプリント基板（１０）の全体を雌型
金型（２０）を用いて樹脂封止し、養生離型後に樹脂封
止体（１７）を上記１単位毎の半導体パッケージ（１）
に切り分けることにより製造する半導体パッケージの製
造方法において、雌型金型（２０）の底面（２０ａ）
に、前記スルーホール（１５）に対応した位置を通る凸
条部（２０ｂ）を格子状に形成した雌型金型（２０）を
用い、該雌型金型（２０）と樹脂封止用の樹脂（１８）
の間にフッ素樹脂フィルム（４）を介在させて樹脂封止
し、離型後に該凸条部（２０ｂ）によって形成された溝
（１７ａ）に沿って切断すると共にスルーホール（１
５）を分割するようにしたことを特徴とする。なお、フ
ッ素樹脂フィルム（４）を介在させているのは、雌型金
型（２０）と樹脂封止用の樹脂（１８）との離型を容易
にするために行うものであり、耐熱性の観点からフッ素
樹脂が好ましいものであるが、フッ素樹脂フィルム
（４）を介在させる替わりに、フッ素樹脂を雌型金型
（２０）に塗布してもその作用は同様である。
め、本願発明は以下のような方法にて半導体パッケージ
を製造する。すなわち、請求項１では、プリント基板
（１０）の表面に、半導体チップ（１２）を搭載するた
めのステージ（１１）と、該ステージ（１１）の周囲に
配置されて前記半導体チップ（１２）の電極（１２ａ）
とワイヤ接続するための内部端子（１４）と、該内部端
子（１４）の端部に基板（１０）を貫通して形成し内周
面を導通処理したスルーホール（１５）と、該スルーホ
ール（１５）を介して前記内部端子（１４）と導通させ
て裏面側に形成した外部接続用の外部端子（１６）と、
から構成される１単位の半導体パッケージ（１）の配線
パターンの複数個を行列状に形成し、各ステージ（１
１）に搭載した各半導体チップ（１２）の電極（１２
ａ）と内部端子（１４）とをそれぞれワイヤ配線した
後、これらを含んだプリント基板（１０）の全体を雌型
金型（２０）を用いて樹脂封止し、養生離型後に樹脂封
止体（１７）を上記１単位毎の半導体パッケージ（１）
に切り分けることにより製造する半導体パッケージの製
造方法において、雌型金型（２０）の底面（２０ａ）
に、前記スルーホール（１５）に対応した位置を通る凸
条部（２０ｂ）を格子状に形成した雌型金型（２０）を
用い、該雌型金型（２０）と樹脂封止用の樹脂（１８）
の間にフッ素樹脂フィルム（４）を介在させて樹脂封止
し、離型後に該凸条部（２０ｂ）によって形成された溝
（１７ａ）に沿って切断すると共にスルーホール（１
５）を分割するようにしたことを特徴とする。なお、フ
ッ素樹脂フィルム（４）を介在させているのは、雌型金
型（２０）と樹脂封止用の樹脂（１８）との離型を容易
にするために行うものであり、耐熱性の観点からフッ素
樹脂が好ましいものであるが、フッ素樹脂フィルム
（４）を介在させる替わりに、フッ素樹脂を雌型金型
（２０）に塗布してもその作用は同様である。
【０００８】また、請求項２では、請求項１記載の半導
体パッケージの製造方法における雌型金型（２０）と樹
脂封止用の樹脂（１８）の間にフッ素樹脂フィルム
（４）を介在させることをせずに、樹脂封止工程時前に
スルーホール（１５）に熱硬化型可はく性ソルダーレジ
スト（３）を充填して樹脂封止用の樹脂（１８）の進入
を防止して、樹脂封止工程後に該熱硬化型可はく性ソル
ダーレジスト（３）を剥離するようにしていることを特
徴としている。
体パッケージの製造方法における雌型金型（２０）と樹
脂封止用の樹脂（１８）の間にフッ素樹脂フィルム
（４）を介在させることをせずに、樹脂封止工程時前に
スルーホール（１５）に熱硬化型可はく性ソルダーレジ
スト（３）を充填して樹脂封止用の樹脂（１８）の進入
を防止して、樹脂封止工程後に該熱硬化型可はく性ソル
ダーレジスト（３）を剥離するようにしていることを特
徴としている。
【０００９】また、請求項３では、半導体パッケージの
製造方法を、請求項１に記載の雌型金型（２０）と樹脂
封止用の樹脂（１８）の間にフッ素樹脂フィルム（４）
を介在させる工程と、請求項２に記載のスルーホール
（１５）に熱硬化型可はく性ソルダーレジスト（３）を
充填して樹脂封止後に剥離する工程を併せて行うように
していることを特徴としている。
製造方法を、請求項１に記載の雌型金型（２０）と樹脂
封止用の樹脂（１８）の間にフッ素樹脂フィルム（４）
を介在させる工程と、請求項２に記載のスルーホール
（１５）に熱硬化型可はく性ソルダーレジスト（３）を
充填して樹脂封止後に剥離する工程を併せて行うように
していることを特徴としている。
【００１０】さらに、請求項４では、請求項１、２、３
記載の半導体パッケージの製造方法において、雌型金型
（２０）の凸条部（２０ｂ）の断面及びこれによって形
成される溝（１７ａ）の断面形をＶ字状に形成し、かつ
該断面形の幅を切断刃（５１）の肉厚以上に設定したこ
とを特徴としている。
記載の半導体パッケージの製造方法において、雌型金型
（２０）の凸条部（２０ｂ）の断面及びこれによって形
成される溝（１７ａ）の断面形をＶ字状に形成し、かつ
該断面形の幅を切断刃（５１）の肉厚以上に設定したこ
とを特徴としている。
【００１１】なお、上記において、括弧付きで記した図
面符号は、発明の理解を容易にするため参考として付記
したもので、この図面上の形態に限定するものでないこ
とはもちろんである。
面符号は、発明の理解を容易にするため参考として付記
したもので、この図面上の形態に限定するものでないこ
とはもちろんである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本願発明に係る半導体パッ
ケージの製造方法の実施形態について、図面に基づき詳
細に説明する。図１は本実施形態による樹脂封止体の内
部を一部切欠いて示した斜視図であり、図２は本実施形
態の半導体パッケージが構成された基板をモールド金型
で封止する過程を一部切欠いて示す分解斜視図である。
なお、図２はモールド金型の雌型金型を下側に配置した
状態で図示している。また、図３は本実施形態のモール
ド金型による樹脂封止工程の状態を示す組立図であり、
図４は本実施形態におけるモールド金型への樹脂の充填
を示す説明図であり、図５は本実施形態の半導体パッケ
ージの熱硬化可はく性ソルダーレジスト剥離の状態を示
す説明図であり、さらに図６は本実施形態の切断装置に
よる切断の状態を示す説明図である。
ケージの製造方法の実施形態について、図面に基づき詳
細に説明する。図１は本実施形態による樹脂封止体の内
部を一部切欠いて示した斜視図であり、図２は本実施形
態の半導体パッケージが構成された基板をモールド金型
で封止する過程を一部切欠いて示す分解斜視図である。
なお、図２はモールド金型の雌型金型を下側に配置した
状態で図示している。また、図３は本実施形態のモール
ド金型による樹脂封止工程の状態を示す組立図であり、
図４は本実施形態におけるモールド金型への樹脂の充填
を示す説明図であり、図５は本実施形態の半導体パッケ
ージの熱硬化可はく性ソルダーレジスト剥離の状態を示
す説明図であり、さらに図６は本実施形態の切断装置に
よる切断の状態を示す説明図である。
【００１３】本実施形態のパッケージ１は、基板１０上
のステージ１１に搭載した半導体チップ１２と、該ステ
ージ１１の周囲に配置したワイヤ接続用の内部端子１４
を半導体チップ１２の電極１２ａとワイヤ１３にて接続
し、この全体を樹脂封止した構成となっている。また、
内部端子１４の端部側には、基板１０を貫通させたスル
ーホール１５を形成し、該スルーホール１５の内周面１
５ａにはメッキにより導通処理を施している。該スルー
ホール１５を介して前記内部端子１４と外部回路と接続
するための外部端子１６とを接続している。かかる構成
により１単位のパッケージ１を形成するものであるが、
かかる構成自体は従来と同様である。
のステージ１１に搭載した半導体チップ１２と、該ステ
ージ１１の周囲に配置したワイヤ接続用の内部端子１４
を半導体チップ１２の電極１２ａとワイヤ１３にて接続
し、この全体を樹脂封止した構成となっている。また、
内部端子１４の端部側には、基板１０を貫通させたスル
ーホール１５を形成し、該スルーホール１５の内周面１
５ａにはメッキにより導通処理を施している。該スルー
ホール１５を介して前記内部端子１４と外部回路と接続
するための外部端子１６とを接続している。かかる構成
により１単位のパッケージ１を形成するものであるが、
かかる構成自体は従来と同様である。
【００１４】次に、その製造工程について下記に記す。
先ず、基板１０に、上記パッケージ１の１単位パターン
の多数個を行列状に配列形成する。スルーホール１５は
例えばφ０．２５ｍｍの開口径を有し、かつパッケージ
１の上下左右の端部分で半裁した時に共通化し得るよう
に配設している。そして、その内周面１５ａに電解メッ
キ法により導電膜を形成する。上記パターンは、基板１
０の両面に写真法により焼き付け、現像、エッチングを
行い、メッキ法にてメッキを施してステージ１１、内部
端子１４、及び外部端子１６の配線を形成する。
先ず、基板１０に、上記パッケージ１の１単位パターン
の多数個を行列状に配列形成する。スルーホール１５は
例えばφ０．２５ｍｍの開口径を有し、かつパッケージ
１の上下左右の端部分で半裁した時に共通化し得るよう
に配設している。そして、その内周面１５ａに電解メッ
キ法により導電膜を形成する。上記パターンは、基板１
０の両面に写真法により焼き付け、現像、エッチングを
行い、メッキ法にてメッキを施してステージ１１、内部
端子１４、及び外部端子１６の配線を形成する。
【００１５】次に、基板１０の下面側に熱硬化型可はく
性ソルダーレジスト３（以下「ソルダーレジスト」と略
称。）のコーティングを行うと共に、スルーホール１５
にもソルダーレジスト３を充填させて、硬化させる。ソ
ルダーレジスト３の硬化後に、各ステージ１１に半導体
チップ１２を搭載接着し、この半導体チップ１２の電極
１２ａと内部端子１４とをワイヤ１３で接続する。
性ソルダーレジスト３（以下「ソルダーレジスト」と略
称。）のコーティングを行うと共に、スルーホール１５
にもソルダーレジスト３を充填させて、硬化させる。ソ
ルダーレジスト３の硬化後に、各ステージ１１に半導体
チップ１２を搭載接着し、この半導体チップ１２の電極
１２ａと内部端子１４とをワイヤ１３で接続する。
【００１６】次に、基板１０全体をモールド金型２にセ
ットし、樹脂封止用の樹脂１８の充填を行う。このモー
ルド金型２の雌型金型２０の底面２０ａには断面がＶ字
状の凸条部２０ｂを格子状に形成しており、その凸条部
２０ｂの稜線２０ｃは基板１０側のスルーホール１５の
中心を結ぶ線と上下対応して一致させている。この凸条
部２０ｂにより樹脂封止体１７の上面に格子状でＶ字状
の溝１７ａ（以下「Ｖ溝」と略称。）がスルーホール１
５と上下方向で対応一致する位置に形成されることにな
る。
ットし、樹脂封止用の樹脂１８の充填を行う。このモー
ルド金型２の雌型金型２０の底面２０ａには断面がＶ字
状の凸条部２０ｂを格子状に形成しており、その凸条部
２０ｂの稜線２０ｃは基板１０側のスルーホール１５の
中心を結ぶ線と上下対応して一致させている。この凸条
部２０ｂにより樹脂封止体１７の上面に格子状でＶ字状
の溝１７ａ（以下「Ｖ溝」と略称。）がスルーホール１
５と上下方向で対応一致する位置に形成されることにな
る。
【００１７】また、雌型金型２０と樹脂１８の離型性を
良くするため、フッ素樹脂フィルム４を該雌型金型２０
の底面２０ａに真空吸着（矢印ａ）させ、底面２０ａと
充填する樹脂１８の間にフッ素樹脂フィルム４を介在さ
せておく。樹脂１８の硬化後に、基板１０全体をモール
ド金型２より脱着し、下面側にコーティングしてあるソ
ルダーレジスト３を基板１０より剥離すると共に切断装
置５にダイシングテープ５０で固定する。
良くするため、フッ素樹脂フィルム４を該雌型金型２０
の底面２０ａに真空吸着（矢印ａ）させ、底面２０ａと
充填する樹脂１８の間にフッ素樹脂フィルム４を介在さ
せておく。樹脂１８の硬化後に、基板１０全体をモール
ド金型２より脱着し、下面側にコーティングしてあるソ
ルダーレジスト３を基板１０より剥離すると共に切断装
置５にダイシングテープ５０で固定する。
【００１８】最後に切断刃５１にてＶ溝１７ａに沿って
切断して行き、１単位毎のパッケージ１に切り分ける。
この時、切断刃５１の肉厚はスルーホール１５の径より
小さく設定しているため、当該スルーホール１５は分割
されて、それぞれ隣接するパッケージ１の内部端子１４
と外部端子１６とを接続する導通手段として機能するこ
とになる。そして、そのスルーホール１５の分割面はパ
ッケージ１の樹脂部の切断面と略一致することになるた
め、基板１０の部分がパッケージ１の外周輪郭より延出
することはなく、小型化が図れている。
切断して行き、１単位毎のパッケージ１に切り分ける。
この時、切断刃５１の肉厚はスルーホール１５の径より
小さく設定しているため、当該スルーホール１５は分割
されて、それぞれ隣接するパッケージ１の内部端子１４
と外部端子１６とを接続する導通手段として機能するこ
とになる。そして、そのスルーホール１５の分割面はパ
ッケージ１の樹脂部の切断面と略一致することになるた
め、基板１０の部分がパッケージ１の外周輪郭より延出
することはなく、小型化が図れている。
【００１９】
【効果】上述した本願発明の半導体パッケージの製造方
法では、樹脂封止体による基板全体の反りの発生を防止
する顕著な効果がある。このことにより、１枚の基板か
ら多数のパッケージの切り分けが可能となり、生産効率
の向上と製造コストの低減を図ることができる。
法では、樹脂封止体による基板全体の反りの発生を防止
する顕著な効果がある。このことにより、１枚の基板か
ら多数のパッケージの切り分けが可能となり、生産効率
の向上と製造コストの低減を図ることができる。
【００２０】例えば,従来方法では反りを許容範囲に抑
えるためには、樹脂封止体の大きさを最大縦３０ｍｍ×
横３０ｍｍに設定する必要があるのに対して、本願発明
の方法により形成した樹脂封止体は、縦３５ｍｍ×横１
３５ｍｍまで拡大しても反りを許容範囲内に抑えること
ができる。この結果、１個の樹脂封止体から採ることが
できるパッケージ製品の数は５倍〜６倍と飛躍的に向上
させることができる。
えるためには、樹脂封止体の大きさを最大縦３０ｍｍ×
横３０ｍｍに設定する必要があるのに対して、本願発明
の方法により形成した樹脂封止体は、縦３５ｍｍ×横１
３５ｍｍまで拡大しても反りを許容範囲内に抑えること
ができる。この結果、１個の樹脂封止体から採ることが
できるパッケージ製品の数は５倍〜６倍と飛躍的に向上
させることができる。
【００２１】このように、本願発明は生産効率および製
造コストの低減において顕著な効果を発揮し、産業上発
達に貢献するものである。
造コストの低減において顕著な効果を発揮し、産業上発
達に貢献するものである。
【図１】 図１は本実施形態による樹脂封止体の内部を
一部切欠いて示した斜視図である。
一部切欠いて示した斜視図である。
【図２】 本実施形態の半導体パッケージが構成された
基板をモールド金型で封止する過程を一部切欠いて示す
分解斜視図である。
基板をモールド金型で封止する過程を一部切欠いて示す
分解斜視図である。
【図３】 本実施形態のモールド金型による樹脂封止工
程の状態を示す組立図である。
程の状態を示す組立図である。
【図４】 本実施形態におけるモールド金型への樹脂の
充填を示す説明図である。
充填を示す説明図である。
【図５】 本実施形態の半導体パッケージの熱硬化可は
く性ソルダーレジスト剥離の状態を示す説明図である。
く性ソルダーレジスト剥離の状態を示す説明図である。
【図６】 本実施形態の切断装置による切断の状態を示
す説明図である。
す説明図である。
１ パッケージ １０ 基板 １１ ステージ １２ 半導体チップ １２ａ 電極 １３ ワイヤ １４ 内部端子（ワイヤ接続用） １５ スルーホール １５ａ 内周面 １６ 外部端子（外部接続用） １７ 樹脂封止体 １７ａ Ｖ溝 １８ 樹脂 ２ モールド金型 ２０ 雌型金型 ２０ａ 底面 ２０ｂ 凸条部 ２０ｃ 稜線 ３ ソルダーレジスト ４ フッ素樹脂フィルム ５ 切断装置 ５０ ダイシングテープ ５１ 切断刃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−111475（ＪＰ，Ａ) 国際公開95／26047（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 21/56 H01L 23/28
Claims (4)
- 【請求項１】プリント基板（１０）の表面に、半導体チ
ップ（１２）を搭載するためのステージ（１１）と、該
ステージ（１１）の周囲に配置されて前記半導体チップ
（１２）の電極（１２ａ）とワイヤ接続するための内部
端子（１４）と、該内部端子（１４）の端部に基板（１
０）を貫通して形成し内周面を導通処理したスルーホー
ル（１５）と、該スルーホール（１５）を介して前記内
部端子（１４）と導通させて裏面側に形成した外部接続
用の外部端子（１６）と、から構成される１単位の半導
体パッケージ（１）の配線パターンの複数個を行列状に
形成し、各ステージ（１１）に搭載した各半導体チップ
（１２）の電極（１２ａ）と内部端子（１４）とをそれ
ぞれワイヤ配線した後、これらを含んだプリント基板
（１０）の全体を雌型金型（２０）を用いて樹脂封止
し、養生離型後の樹脂封止体（１７）を上記１単位毎の
半導体パッケージ（１）に切り分けることにより製造す
る半導体パッケージの製造方法において、 雌型金型（２０）の底面（２０ａ）に、前記スルーホー
ル（１５）に対応した位置を通る凸条部（２０ｂ）を格
子状に形成した雌型金型（２０）を用い、該雌型金型
（２０）と樹脂封止用の樹脂（１８）の間にフッ素樹脂
フィルム（４）を介在させて樹脂封止し、 離型後に該凸条部（２０ｂ）によって形成された溝（１
７ａ）に沿って切断すると共にスルーホール（１５）を
分割するようにしたことを特徴とする半導体パッケージ
の製造方法。 - 【請求項２】プリント基板（１０）の表面に、半導体チ
ップ（１２）を搭載するためのステージ（１１）と、該
ステージ（１１）の周囲に配置されて前記半導体チップ
（１２）の電極（１２ａ）とワイヤ接続するための内部
端子（１４）と、該内部端子（１４）の端部に基板（１
０）を貫通して形成し内周面を導通処理したスルーホー
ル（１５）と、該スルーホール（１５）を介して前記内
部端子（１４）と導通させて裏面側に形成した外部接続
用の外部端子（１６）と、から構成される１単位の半導
体パッケージ（１）の配線パターンの複数個を行列状に
形成し、各ステ ージ（１１）に搭載した各半導体チップ
（１２）の電極（１２ａ）と内部端子（１４）とをそれ
ぞれワイヤ配線した後、これらを含んだプリント基板
（１０）の全体を雌型金型（２０）を用いて樹脂封止
し、養生離型後の樹脂封止体（１７）を上記１単位毎の
半導体パッケージ（１）に切り分けることにより製造す
る半導体パッケージの製造方法において、 前記スルーホール（１５）に熱硬化型可はく性ソルダー
レジスト（３）を充填した後、 雌型金型（２０）の底面（２０ａ）に、前記スルーホー
ル（１５）に対応した位置を通る凸条部（２０ｂ）を格
子状に形成した雌型金型（２０）を用いて樹脂封止し、 離型後に、スルーホール（１５）に充填した熱硬化型可
はく性ソルダーレジスト（３）を剥離し、該凸条部（２
０ｂ）によって形成された溝（１７ａ）に沿って切断す
ると共にスルーホール（１５）を分割するようにしたこ
とを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項３】プリント基板（１０）の表面に、半導体チ
ップ（１２）を搭載するためのステージ（１１）と、該
ステージ（１１）の周囲に配置されて前記半導体チップ
（１２）の電極（１２ａ）とワイヤ接続するための内部
端子（１４）と、該内部端子（１４）の端部に基板（１
０）を貫通して形成し内周面を導通処理したスルーホー
ル（１５）と、該スルーホール（１５）を介して前記内
部端子（１４）と導通させて裏面側に形成した外部接続
用の外部端子（１６）と、から構成される１単位の半導
体パッケージ（１）の配線パターンの複数個を行列状に
形成し、各ステージ（１１）に搭載した各半導体チップ
（１２）の電極（１２ａ）と内部端子（１４）とをそれ
ぞれワイヤ配線した後、これらを含んだプリント基板
（１０）の全体を雌型金型（２０）を用いて樹脂封止
し、養生離型後の樹脂封止体（１７）を上記１単位毎の
半導体パッケージ（１）に切り分けることにより製造す
る半導体パッケージの製造方法において、 前記スルーホール（１５）に熱硬化型可はく性ソルダー
レジスト（３）を充填した後、 雌型金型（２０）の底面（２０ａ）に、前記スルーホー
ル（１５）に対応した位置を通る凸条部（２０ｂ）を格
子状に形成した雌型金型（２０）を用い、該雌型金型
（２０）と樹脂封止用の樹脂（１８）の間にフッ素樹脂
フィルム（４）を介在させて樹脂封止し、 離型後に、スルーホール（１５）に充填した熱硬化型可
はく性ソルダーレジスト（３）を剥離し、該凸条部（２
０ｂ）によって形成された溝（１７ａ）に沿って切断す
ると共にスルーホール（１５）を分割するようにしたこ
とを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項４】凸条部（２０ｂ）の断面及びこれによって
形成される溝（１７ａ）の断面形をＶ字状に形成し、か
つ該断面形の幅を切断刃（５１）の肉厚以上に設定した
ことを特徴とする請求項１、２、または３記載の半導体
パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33665699A JP3214619B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33665699A JP3214619B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156208A JP2001156208A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3214619B2 true JP3214619B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=18301436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33665699A Expired - Fee Related JP3214619B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214619B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016193A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | パッケージ型半導体装置及びその製造方法 |
| JP5579982B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2014-08-27 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置の中間構造体及び中間構造体の製造方法 |
| US8378476B2 (en) * | 2010-03-25 | 2013-02-19 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with stacking option and method of manufacture thereof |
| KR101460271B1 (ko) | 2011-01-07 | 2014-11-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품 모듈의 제조 방법 및 전자 부품 모듈 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33665699A patent/JP3214619B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001156208A (ja) | 2001-06-08 |
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