JP2002221801A5 - - Google Patents

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Claims (19)

  1. 少なくとも微粒子状物質とバインダーとを含む遮光体パターンを有するフォトマスクを用いた露光処理により配線基板の配線を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 請求項１記載の配線基板の製造方法において、前記微粒子状物質は露光光を散乱するものであり、前記バインダーは吸光剤を含むレジストであることを特徴とする配線基板の製造方法。
  3. 請求項１記載の配線基板の製造方法において、前記微粒子状物質は黒色顔料からなり、前記遮光体パターンは、前記黒色顔料が３０％以上含まれる遮光体材料を印刷することで形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  4. 請求項１、２または３記載の配線基板の製造方法において、前記遮光体パターンが、前記配線に対応することを特徴とする配線基板の製造方法。
  5. 請求項１、２、３または４記載の配線基板の製造方法において、前記遮光体パターンの面積が、前記遮光体パターンの無い光透過領域の面積よりも相対的に小さいことを特徴とする配線基板の製造方法。
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記配線を形成するためのラインパターンを配線基板本体の厚さ方向に多層にして形成する工程と、前記配線を形成するためのパターンであって異なる配線層のラインパターン間を接続するためのホールパターンを形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記微粒子状物質がカーボンからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
  8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記基板の第１面上に１または複数の電子部品を実装する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  9. 請求項８記載の配線基板の製造方法において、前記１または複数の電子部品を実装した基板を、前記基板の第１面に対向する第２面をプリント配線基板に対向させた状態で、前記プリント配線基板上に実装する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  10. 基板と、前記基板の主面上に形成された多層配線と、前記多層配線の上部に形成され、前記多層配線と電気的に接続された複数の接続端子と、前記基板の裏面に形成され、前記基板の主面と裏面とを貫通する貫通孔を通じて前記多層配線と電気的に接続された複数の外部接続端子とを有する配線基板の製造方法において、前記多層配線は、少なくとも微粒子状物質とバインダーとを含む遮光体パターンを有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術によって形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
  11. 請求項１０記載の配線基板の製造方法において、前記微粒子状物質は露光光を散乱するものであり、前記バインダーは吸光剤を含むレジストであることを特徴とする配線基板の製造方法。
  12. 基板と、前記基板の主面上に形成された多層配線と、前記多層配線の上部に形成され、前記多層配線と電気的に接続された複数の接続端子と、前記基板の裏面に形成され、前記基板の主面と裏面とを貫通する貫通孔を通じて前記多層配線と電気的に接続された複数の外部接続端子とを有する配線基板の製造方法において、前記多層配線はフォトリソグラフィ技術によって形成されており、かつ、カーボン粒子がフォトリソグラフィ時における露光光遮光の主体となっているフォトマスクを用いて前記フォトリソグラフィが行われることを特徴とする配線基板の製造方法。
  13. 基板と、前記基板の主面上に形成された多層配線と、前記多層配線の上部に形成され、前記多層配線と電気的に接続された複数の接続端子と、前記基板の裏面に形成され、前記基板の主面と裏面とを貫通する貫通孔を通じて前記多層配線と電気的に接続された複数の外部接続端子とを有する配線基板の製造方法において、前記多層配線はフォトリソグラフィ技術によって形成されており、かつ、フォトリソグラフィ時における露光光に対する吸光剤が含まれたレジストを遮光体パターンとしたフォトマスクを用いて前記フォトリソグラフィを行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
  14. 基板と、前記基板の主面上に形成された多層配線と、前記多層配線の上部に形成され、前記多層配線と電気的に接続された複数の接続端子と、前記基板の裏面に形成され、前記基板の主面と裏面とを貫通する貫通孔を通じて前記多層配線と電気的に接続された複数の外部接続端子とを有する配線基板の製造方法において、前記多層配線はフォトリソグラフィ技術によって形成されており、かつ遮光体パターンがフォトリソグラフィ時における露光光に対する吸光性有機膜とレジストからなるフォトマスクを用いて前記フォトリソグラフィを行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
  15. 請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記基板は、無アルカリガラスからなることを特徴とする配線基板の製造方法。
  16. 請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記フォトリソグラフィの時に使用する露光光は波長が３５０ｎｍより長い光であることを特徴とする配線基板の製造方法。
  17. 請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記基板の主面と裏面とを貫通する貫通孔を通じて前記多層配線と電気的に接続された複数の外部接続端子を形成した後、前記基板の主面上に前記接続端子を介して電子部品を実装する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  18. 請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記基板の主面上に受動素子を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
  19. 請求項１０〜１８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、前記微粒子状物質がカーボンであることを特徴とする配線基板の製造方法。
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