JP2002217451A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極保護を行なうことなく、半導体チップの
上面及び側面の凹凸化及び薄膜形成を形成し、光取出し
効率を向上させた、ｐ型領域を上面とする発光ダイオー
ド及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 上方にｐ型領域１３を備えたｐｎ接合か
ら成る発光ダイオードであって、この半導体チップの上
面及び側面に凹凸１７及び薄膜１８を有する、外部光取
り出し効率の高い発光ダイオードを作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、上面がｐ型領域か
ら成るｐｎ接合構造の発光ダイオードの製造方法に関
し、特に光出射面を凹凸化処理して光取出し効率を高め
るようにした発光ダイオード及びその製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような発光ダイオードは、半
導体基板上に、例えばエピタキシャル成長によって複数
の半導体領域を積層させて、ｐ型の第一の半導体領域
と、ｎ型の第二の半導体領域を有する少なくとも一つの
ｐｎ接合を備え、ＧａＡｓ系又はＧａＡｌＡｓ系のｐ型
領域が上面に配設された複数個の発光ダイオードチップ
を構成し、この半導体チップの上面及び裏面に電極を形
成した後、半導体基板を切断して、各半導体チップ毎に
分離することにより、製造されている。

【０００３】このような構成の発光ダイオードによれ
ば、電極間に駆動電圧を印加することによって、ｐ型の
第一の半導体領域とｎ型の第二の半導体領域間に電圧が
印加され、その間のｐｎ接合部から光が出射し、上方の
ｐ型領域を通って、外部に光が出射するようになってい
る。

【０００４】ところで、このような構成の発光ダイオー
ドにおいて、ｐ型領域を構成する半導体の屈折率はほぼ
３であり、空気の屈折率１に対して大きな差がある。こ
のため、このような屈折率の差によって、ｐｎ接合部か
ら出射した光は、ｐ型領域の空気との界面にて、限定さ
れた入射角の光のみが外部に出射すると共に、残りの光
はこの界面で反射され、ｐ型領域及びｎ型領域内部で吸
収されてしまうため、光の取出し効率が低くなってしま
うという問題があった。従って、発光ダイオードの光取
出し効率を高めるためには、半導体チップ表面を凹凸化
して、ｐｎ接合部から出射した光が半導体チップ表面で
外部に出射可能な入射角を有する確率を増やすこと、及
び、半導体チップ表面に特定の屈折率の特定の厚さの薄
膜を形成して反射率を下げることが効果的であることが
知られている。

【０００５】従来方法においては、ＧａＡｌＡｓ発光ダ
イオードの場合を例にとると、半導体チップの分離前
に、ｐ型領域の電極をマスク等により保護して、例えば
９５：５の硝酸：硫酸により凹凸化を行ない、その後、
特定の屈折率を持つ半導体チップの半導体構成物以外の
組成物、例えば窒化シリコン，酸化シリコン等を蒸着あ
るいはスパッタして特定の屈折率を有する薄膜を形成し
ていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、凹凸化
され、薄膜が形成された発光ダイオードを製造する従来
の方法においては、凹凸化等の際にマスク等による電極
保護が必要であり、凹凸化等の処理後には、電極保護の
ためのマスク等の除去が必要になるため工程が複雑にな
って、そのためにコストも高くなってしまう。また、凹
凸化と薄膜形成の工程が別工程であることから、工程数
が多くなり、処理時間も長くなることによってもコスト
高の要因になる。さらに、凹凸化及び薄膜形成を行なっ
た後に、半導体チップの分離作業が必要になることか
ら、半導体チップ分離の際の切断箇所、即ち半導体チッ
プの側面における凹凸化及び薄膜形成が不可能であり、
光取出し効率の向上が十分ではなくなってしまう。

【０００７】このため、半導体チップの分離後に凹凸化
及び薄膜形成を行なう方法も考えられるが、この場合、
電極保護のためのマスク等の電極保護材の取付け及び除
去が必要となり、作業が煩雑になってしまう。

【０００８】また、上方にｎ型領域が配置されたｐｎ接
合から成る発光ダイオードにおいては、１５〜８０％の
硝酸水溶液を用いることによって、電極を保護すること
無しにｎ型領域の凹凸化ができることから、半導体チッ
プの分離後に電極保護材無しに凹凸化及び薄膜形成を行
ない、かつ、この際、硝酸水溶液に溶け込んだＡｓから
生成する水酸化ヒ素を主成分とするヒ素化合物を凹凸表
面に析出させて特定の屈折率を有する薄膜を形成すると
いう簡略な工程で、十分な光取出し効率を有する発光ダ
イオードが得られている（本発明者らによる特願平１１
−２０３３９７号明細書参照）。しかしながら、光取り
出し面がｐ型領域である発光ダイオードの場合には、同
様の処理液を使用すると、ｐ型領域である半導体チップ
表面が処理液によって溶解してしまうため、凹凸形状が
形成されないばかりか、電極が剥離してしまうという問
題があった。このように、ｐ型領域に対して、凹凸形状
が形成でき、かつ、電極を傷めない処理液は無かった。
このため、上面がｐ型領域から成るｐｎ接合構造の発光
ダイオードで、光出射面を凹凸化処理し、かつ、凹凸面
に薄膜を形成して光取出し効率を高めるようにした発光
ダイオードは、上記に説明した従来方法で製造していた
ため、コストが高いという課題があった。

【０００９】本発明は、以上の課題にかんがみ、ｐ型領
域が上方に配置された発光ダイオードにおいても、光取
出し効率が高い発光ダイオードを提供し、また、低コス
トで製造できる発光ダイオードの製造方法を提供するこ
とを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、ｐ型の第一の半導体領域とｎ型の第二の
半導体領域とをｐｎ接合を形成するように配置した半導
体チップと、この半導体チップの少なくともｐ型の領域
に配設された電極とを含んでおり、この半導体チップ上
面の電極以外の領域及び側面から光を取り出すように構
成され、電極以外の半導体チップ上面及び／又は側面
が、０．５乃至５μｍ程度の凹凸面を有すると共に、少
なくともその凹凸面に、半導体チップ材料を含む化合物
の薄膜が付着している発光ダイオードにおいて、半導体
チップ上面がｐ型の第一の半導体領域であり、半導体チ
ップの側面がｐ型の第一の半導体領域及びｎ型の第二の
半導体領域であるように構成される。これにより、光出
射面に凹凸を有し、かつ、凹凸面に薄膜を有しており、
光取出し効率が高い発光ダイオードが提供される。

【００１１】本発明において、ｐ型の第一の半導体領域
とｎ型の第二の半導体領域は、好ましくは、ＧａＡｓ系
又はＧａＡｌＡｓ系半導体材料で形成されている。本発
明において、好ましくは、少なくともｐ型の第一の半導
体領域が、その側縁部で凹凸面でなる傾斜変化領域を備
えている。上記薄膜は、水酸化ヒ素を主成分とするヒ素
化合物であることが好ましい。

【００１２】この構成によれば、半導体チップ上面及び
側面が凹凸を有しているから、ｐｎ接合で発光した光を
高効率で半導体チップの外に取り出すことができ、ま
た、凹凸部には半導体チップ材料を含む化合物の薄膜が
付着しているので、ｐｎ接合で発光した光を高効率で半
導体チップの外に取り出すことができる。すなわち、半
導体チップ上面がｐ型の第一の半導体領域であり、半導
体チップの下面がｎ型の第二の半導体領域である発光効
率の高い発光ダイオードが得られる。この発光ダイオー
ドは、例えば、配線基板上の配線パターン上に発光ダイ
オードのｎ型半導体領域をフェースダウンボンディング
しなければならない場合に有効に使用することができ
る。

【００１３】さらに、本発明は、半導体基板上に複数の
半導体領域を積層させて、少なくともｎ型の第二の半導
体領域とｐ型の第一の半導体領域とがｐｎ接合を形成す
るように配設された複数個の半導体チップを形成する第
一の工程と、半導体チップの少なくともｐ型の領域に電
極を形成する第二の工程と、上記半導体チップの電極以
外の上面及び側面領域を凹凸化すると共に、この凹凸化
された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を付
着させる第三の工程とを含んでいる発光ダイオードの製
造方法において、上記第三の工程にて、半導体チップの
上面領域及び側面を、硝酸及び水溶性の有機溶媒から成
る処理液により処理して凹凸化させると共に、この凹凸
化された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を
付着させるよう構成されており、これにより電極保護を
行なうことなく、複数の半導体チップを一括して、凹凸
化と薄膜形成を同時に行なうので、本発明にかかる発光
ダイオードを低コストで製造することができる。

【００１４】本発明において、第二の工程と第三の工程
との間に、半導体チップの裏面に粘着テープを貼着し
て、各半導体チップ毎に切断する分離工程と、分離工程
の後に粘着テープを伸長して、各半導体チップの間の間
隔を広げる伸長工程とを加え、分離及び伸長されて粘着
テープに貼着されている半導体チップを、粘着テープに
貼着されたまま第三の工程を施すことができる。

【００１５】本発明において、好ましくは、処理液が硝
酸とメタノールの混合液から成る。また、好ましくは、
第三の工程が処理液温度１０℃乃至５０℃で行なわれ
る。さらに好ましくは、第三の工程が、処理時間１０秒
乃至５分で行なわれる。さらに好ましくは、処理液にお
ける硝酸とメタノールの混合比が、容積比１０：０．１
乃至５である。

【００１６】上記構成によれば、上方にｐ型領域が配置
されたｐｎ接合から成る発光ダイオードにおいて、第一
の段階及び第二の段階では、従来と同様にして半導体チ
ップが形成されると共に、第三の段階にて、硝酸及び水
溶性の有機溶媒から成る処理液が使用され、この処理液
は、電極と反応せず、しかもｐ型領域を溶解しない。こ
れにより、第三の段階にて、光が出射する半導体チップ
の電極を除くｐ型領域の上面領域及び側面を、処理液を
使用して凹凸化すると共に、同時に薄膜形成を行なうの
で、工程数が少なくて済み、処理時間が短くなるので生
産効率が向上する。この場合、電極と反応しない処理液
が使用されることによって、電極の保護、即ち電極保護
材の取付け及び除去が不要になる。したがって、工程数
が少なくて済み、処理時間が短くなるので生産効率が向
上する。また、ｐ型領域を溶解しない処理液が使用され
ることによって、ｐ型領域の上面領域及び側面が確実に
凹凸化されるので、光取出し効率を確実に向上させるこ
とができる。

【００１７】さらに、上記第二の段階と第三の段階の間
に、半導体チップの裏面に粘着テープを貼着して、各半
導体チップ毎に切断する分離段階と、分離段階の後に、
粘着テープを伸長して各半導体チップの間の間隔を広げ
る伸長段階とを含んでいる場合には、各半導体チップの
間隔が切断代より大きくなるので、第三の段階における
処理液による凹凸化及び薄膜形成の際に、処理液が半導
体チップの間に容易に進入することによって、半導体チ
ップ側面の凹凸化及び薄膜形成を確実に行なうことがで
きる。また、分離及び伸長されて上記粘着テープに貼着
されている上記半導体チップを、粘着テープに貼着され
たまま凹凸化及び薄膜形成するので、複数の半導体チッ
プを一度に処理することができ、工程数が少なくて済
み、処理時間が短くなるので生産効率が向上する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施形態に基
づいて、本発明を詳細に説明する。図１はこの発明によ
る発光ダイオードの実施形態を示す図である。図１にお
いて、発光ダイオード１０は、ｐｎ接合の発光ダイオー
ドチップとして、ｎ型の半導体領域１２と、その上に配
設されたｐ型の半導体領域１３とで形成された半導体チ
ップ２０と、これらを挟むように半導体チップ２０の上
面及び裏面に備えられた電極１４，１５と、を含んでい
る。

【００１９】ここで、ｎ型の半導体領域１２とｐ型の半
導体領域１３との間に構成されるｐｎ接合１６は、半導
体チップ２０の上面及び下面に対して平行に形成されて
おり、ｐｎ接合１６の端部は半導体チップの側面に露出
している。そして、このｐｎ接合１６を含む半導体チッ
プ２０の側面は、ほぼ垂直に形成されている。

【００２０】上記ｎ型の半導体領域１２は、例えばＧａ
ＡｌＡｓの半導体材料に対して、不純物として例えばＴ
ｅ等を添加したものである。また、上記ｐ型の半導体領
域１３は、例えばＧａＡｌＡｓ系の半導体材料に対し
て、不純物として例えばＺｎ等を添加したものである。
なお、上記ＧａＡｌＡｓ系の半導体材料は、何れもＡｌ
混晶比が０乃至０．８程度のものである。ここで、上記
ｎ型の半導体領域１２及びｐ型の半導体領域１３は、そ
の境界において互いにｐｎ接合１６を形成している。な
お、上記ｎ型の半導体領域１２及びｐ型の半導体領域１
３は、図示しない半導体基板の例えば（１００）面上に
順次に例えばエピタキシャル成長によって積層して形成
されることにより、その（１００）面が表面の方位と一
致するようになっている。

【００２１】さらに、上記発光ダイオード１０の表面
（上面）側において、電極１５を除く半導体チップ２０
の上面及び側面が、凹凸化処理されて凹凸面１７が形成
されており、その凹凸面１７に半導体材料の組成の一部
を含む化合物、例えば水酸化ヒ素などを主組成とした薄
膜１８が形成されている。

【００２２】この凹凸面１７は、半導体チップ２０の上
面及び側面に窪みを形成することにより凹凸構造が形成
され、その窪みの深さは例えば０．５乃至５．０μｍ程
度の表面粗さとなるように例えば処理液によるエッチン
グによって行なわれる。また、少なくともその凹凸面１
７に形成される水酸化ヒ素などを主組成とした薄膜１８
は、０．０１μｍ以上の厚さ、最適値としては０．０１
μｍ〜５μｍ程度の厚さを有している。

【００２３】上述した発光ダイオード１０は、本発明に
よる製造方法によれば以下のようにして製造される。図
２は本発明の製造方法を示す工程図である。即ち、図２
に示す工程図に従って、先ずステップＳＴ１において、
半導体基板上に、ｎ型の半導体領域１２と、その上にｐ
型の半導体領域１３が順次に積層して形成される。続い
て、ステップＳＴ２にて、半導体基板を取り除いたｎ型
の半導体領域１２の裏面とｐ型の半導体領域１３の上面
に電極を形成する。図３は、半導体チップ上に形成した
電極の断面模式図である。図３に示すように、半導体チ
ップ領域に、それぞれ電極１４，１５をパターン形成す
る。上述したステップＳＴ１乃至ステップＳＴ２は、従
来の発光ダイオードの製造方法と同じである。

【００２４】次に、ステップＳＴ３にて、積層した半導
体領域１２，１３を半導体チップ領域毎に切断して各半
導体チップ２０を分離する。この場合、切断作業の前
に、裏面の電極１４側には粘着テープ２１を貼着してお
く。これにより、切断後に各半導体チップ２０が切り離
されずに、所定間隔で一体に保持されるようになってい
る。

【００２５】その後、ステップＳＴ４にて、所謂エキス
パンドを行う。図４はエキスパンド後の半導体チップの
配置状況を示す図である。エキスパンドは、粘着テープ
２１を縦横方向に伸長させることにより行なわれる。こ
れにより、粘着テープ２１が縦横方向に延びて、各半導
体チップ２０の間隔が拡げられる。ここで、各半導体チ
ップ２０の間隔は、後の凹凸化処理にて各半導体チップ
２０の側面の凹凸化が容易に行なわれ得るように、切断
面長以上の間隔、例えば３０μｍ以上に設定される。

【００２６】図４に示すように、半導体チップ２０を粘
着した粘着テープ２１の周縁がリング２２で固定されて
おり、粘着テープ２１及びリング２２は、後述する処理
液により変質しない材料から構成されている。

【００２７】そして、各半導体チップ２０がリング２２
ごと、処理液に浸漬されることにより、各半導体チップ
２０の上面及び側面の領域が処理液によって凹凸化処理
される。ここで、処理液は、硝酸（６１重量％）と水溶
性の有機溶媒としてのメタノールの混合液が使用され
る。硝酸とメタノールの混合比は、容積比で１０：０．
１乃至５、好ましくは１０：１である。なお、硝酸１０
に対してメタノールが５以上の場合、処理液による反応
が弱くなり、処理時間が長くなってしまうと共に、硝酸
１０に対してメタノールが０．１以下の場合には、半導
体チップ２０の表面特にｐ型の半導体領域１３の表面が
溶解してしまうので、所望の凹凸化及び薄膜形成が得ら
れなくなってしまう。また、処理液の温度は、１０℃〜
５０℃、好ましくは２５℃であり、処理時間は、１０秒
乃至５分、好ましくは１分である。なお、この処理時間
は例示したものであり、これに限定されることなく所望
の表面粗さの凹凸化が得られるように、例えば１０秒乃
至５分の間で適宜に設定されればよい。ここで、処理時
間が１０秒以下の場合には十分な凹凸化が行なわれず、
また、５分以上の処理時間の場合には過度の凹凸化が行
なわれてしまう。

【００２８】これにより、各半導体チップ２０の上面及
び側面の領域が処理液と反応することにより凹凸化処理
されて凹凸面１７が生じると共に、同時進行的に、処理
液中に溶解した半導体材料が処理液中で反応することに
より、水酸化ヒ素を主成分としたヒ素化合物が生成さ
れ、この水酸化ヒ素等が各半導体チップ２０の上面及び
側面の領域に付着して、薄膜１８を形成する。その後、
例えば３０秒乃至２分間の水洗を行ない、乾燥させるこ
とにより、各半導体チップ２０の凹凸化及び薄膜形成が
完了し、図１に示した各半導体チップ２０が完成する。

【００２９】図５、図６は、本発明の製造方法によって
作成した発光ダイオードの断面電子顕微鏡写真である。
図５の（Ａ），（Ｂ）及び図６の（Ａ），（Ｂ）に示す
電子顕微鏡写真（１０００倍及び５０００倍）によく表
れているように、半導体チップ２０の電極１５を除く上
面領域及び側面が凹凸化されており、この凹凸は約５μ
ｍ〜１０μｍの間隔で高密度に形成されており、また、
側壁は半導体チップ表面に対してほぼ垂直を成してお
り、このことから、ｐｎ接合で発光した光が、外部に出
射可能な入射角を有する確率が極めて高くなることがわ
かる。また、凹凸の表面全体に亘って均一な厚さで薄膜
１８が形成されており、薄膜１８によって反射光が押さ
えられ、有効に光が外部に取り出されることがわかる。

【００３０】ここで、以下に実験例を示す。上記第三の
工程において、Ａｌ混晶比０乃至０．４５のＧａＡｌＡ
ｓから成る発光ダイオード１０を、日東電工製の型式Ｖ
８Ｓの粘着テープによりポリプロピレン製のリング２２
により固定する。そして、硝酸とメタノールの混合比
（容積比）１０：１の処理液により、処理液温度２５
℃，処理時間１分間で凹凸化及び薄膜形成の処理を行な
った後、１分間水洗して、乾燥させた。

【００３１】このようにして得られた発光ダイオード１
０の発光量を測定した。図７は本発明の発光ダイオード
と従来技術で形成した発光ダイオードの発光量の比較図
である。発光量は全発光方位にわたって積分した発光
量、すなわち、全外部取り出し光量である。横軸は処理
液による処理時間であり、縦軸は凹凸処理を行わなかっ
た発光ダイオードの発光量を基準として表した発光量比
である。図７において、符号Ａで示す曲線は、本発明の
発光ダイオードの光量−処理時間曲線であり、符号Ｂで
示す曲線は、従来技術、すなわち、ｐ型領域上の電極を
保護材で保護して凹凸処理を行い、その後チップに分離
して作製した発光ダイオード（側面が凹凸処理されてい
ない）の光量−処理時間曲線である。図７から明らかな
ように、従来技術の発光ダイオードが約２０％の発光量
の改善であるのに対し、本発明の発光ダイオードは約５
０％の発光量の改善が見られる。

【００３２】また、本発明の製造方法によれば、凹凸化
処理及び薄膜形成は、粘着テープ上に粘着した全ての半
導体チップを一度に、また、同一工程で、同じ処理液に
よって行なわれる。従って、コストが低減され得ると共
に、処理時間が短縮される。さらに、凹凸化処理及び薄
膜形成のための薬液が硝酸とメタノールとの混合液であ
ることから、半導体チップ２０を構成する電極１４，１
５と反応しない。したがって、電極保護のためのマスク
等が不要になると共に、このマスク等の処理前の取付け
及び処理後の除去も不要になり、作業が簡略化されてよ
り一層コストが低減される。

【００３３】なお、上述した実施形態においては、凹凸
化及び薄膜形成のための処理液は、硝酸とメタノールの
混合液が使用されているが、これに限らず、硝酸に対し
て、水溶性の有機溶媒、例えばエタノール，アセトン，
イソプロピルアルコール等の水溶性の有機溶媒を混合し
たものでもよい。また、上述した実施形態においては、
発光ダイオード１０のｐ型の半導体領域１３及びｎ型の
半導体領域１２の半導体材料及び不純物は、例示したも
のに限定されず、発光ダイオード１０の発光色等に応じ
て、他の任意の半導体材料及び不純物の種類，濃度等を
選定することが可能であることは明らかである。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明から理解できるように、本発
明の発光ダイオードは、光出射面に凹凸を有し、かつ、
凹凸面に薄膜を有しているために光取出し効率の高い、
ｐ型領域が上方に配置された発光ダイオードが実現す
る。また、本発明の製造方法によれば、電極保護を行な
うことなく、複数の半導体チップを一括して、凹凸化と
薄膜形成を同時に行なうことができるので、発光ダイオ
ードを低コストで製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による発光ダイオードの実施形態を示す
図である。

【図２】本発明の製造方法を示す工程図である。

【図３】半導体チップ上に形成した電極の断面模式図で
ある。

【図４】エキスパンド後の半導体チップの配置状況を示
す図である。

【図５】本発明の製造方法によって作製した発光ダイオ
ードの断面電子顕微鏡写真である。

【図６】本発明の製造方法によって作成した発光ダイオ
ードの断面電子顕微鏡写真である。

【図７】本発明の発光ダイオードと従来技術で形成した
発光ダイオードの発光量の比較図である。

【符号の説明】

１０ 発光ダイオード １２ ｎ型の半導体領域 １３ ｐ型の半導体領域 １４，１５ 電極 １６ ｐｎ接合 １７ 凹凸面 １８ 薄膜 ２０ 半導体チップ ２１ 粘着テープ ２２ リング

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｐ型の第一の半導体領域とｎ型の第二の
   半導体領域とをｐｎ接合を形成するように配置した半導
   体チップと、半導体チップの少なくともｐ型の領域に配
   設された電極とを含んでおり、該半導体チップ上面の電
   極以外の領域及び側面から光を取り出すように構成さ
   れ、上記電極以外の半導体チップ上面及び／又は側面
   が、０．５乃至５μｍ程度の凹凸面を有すると共に、少
   なくともその凹凸面に、上記半導体チップ材料を含む化
   合物の薄膜が付着している発光ダイオードにおいて、 上記半導体チップの上面が、上記ｐ型の第一の半導体領
   域であり、上記半導体チップの側面が、上記ｐ型の第一
   の半導体領域及びｎ型の第二の半導体領域であることを
   特徴とする、発光ダイオード。
2. 【請求項２】 前記ｐ型の第一の半導体領域と前記ｎ型
   の第二の半導体領域が、ＧａＡｓ系又はＧａＡｌＡｓ系
   半導体材料で形成されていることを特徴とする、請求項
   １に記載の発光ダイオード。
3. 【請求項３】 少なくとも前記ｐ型の第一の半導体領域
   が、その側縁部で凹凸面でなる傾斜変化領域を備えたこ
   とを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光ダイオー
   ド。
4. 【請求項４】 前記薄膜が、水酸化ヒ素を主成分とする
   ヒ素化合物であることを特徴とする、請求項１〜３の何
   れかに記載の発光ダイオード。
5. 【請求項５】 半導体基板上に複数の半導体領域を積層
   させて、少なくともｎ型の第二の半導体領域とｐ型の第
   一の半導体領域とがｐｎ接合を形成するように配設され
   た複数個の半導体チップを形成する第一の工程と、 半導体チップの少なくともｐ型の領域に電極を形成する
   第二の工程と、 上記半導体チップの電極以外の上面及び側面領域を凹凸
   化すると共に、この凹凸化された表面に半導体チップ材
   料を含む化合物の薄膜を付着させる第三の工程とを含ん
   でいる、発光ダイオードの製造方法において、 上記第三の工程にて、半導体チップの上面領域及び側面
   を、硝酸及び水溶性の有機溶媒から成る処理液で処理し
   て凹凸化させると共に、この凹凸化された表面に半導体
   チップ材料を含む化合物の薄膜を付着させることを特徴
   とする、発光ダイオードの製造方法。
6. 【請求項６】 前記第二の工程と第三の工程との間に、
   前記半導体チップの裏面に粘着テープを貼着して、各半
   導体チップ毎に切断する分離工程と、この分離工程の後
   に、粘着テープを伸長して、各半導体チップの間の間隔
   を広げる伸長工程とを加え、 分離及び伸長されて上記粘着テープに貼着されている上
   記半導体チップを、粘着テープに貼着されたまま前記第
   三の工程を施すことを特徴とする、請求項５に記載の発
   光ダイオードの製造方法。
7. 【請求項７】 前記処理液が硝酸とメタノールの混合液
   から成ることを特徴とする、請求項５又は６に記載の発
   光ダイオードの製造方法。
8. 【請求項８】 前記第三の工程が処理液温度１０℃乃至
   ５０℃で行なわれることを特徴とする、請求項５〜７の
   何れかに記載の発光ダイオードの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第三の工程が処理時間１０秒乃至５
   分で行なわれることを特徴とする、請求項５〜８の何れ
   かに記載の発光ダイオードの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記処理液における硝酸とメタノール
    の混合比が、容積比で１０：０．１乃至５であることを
    特徴とする、請求項５〜９の何れかに記載の発光ダイオ
    ードの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記水溶性の有機溶媒は、メタノー
    ル、エタノール、アセトン、イソプロピルアルコールの
    いずれかであることを特徴とする、請求項５に記載の発
    光ダイオードの製造方法。