JP2002215103A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス方式の表示装置におい
て、走査線は順次ないし所定の順番でＶｏｎに充電し、
一水平期間後にＶｏｆｆに放電していた。電池駆動の機
器などではこれらの充放電電力が問題となっていた。 【解決手段】 走査線の切り替え時に短時間、共通バス
ラインを通じて２本の走査線を接続し、充電された電荷
を他の走査線に移して充電することで、充放電電力を半
減する。
て、走査線は順次ないし所定の順番でＶｏｎに充電し、
一水平期間後にＶｏｆｆに放電していた。電池駆動の機
器などではこれらの充放電電力が問題となっていた。 【解決手段】 走査線の切り替え時に短時間、共通バス
ラインを通じて２本の走査線を接続し、充電された電荷
を他の走査線に移して充電することで、充放電電力を半
減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス型表示装置に関し、走査線の電荷を他の走査線に転送
し、再利用することにより、走査側駆動回路の省電力を
図るものあり、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置などに
適用可能である。
ス型表示装置に関し、走査線の電荷を他の走査線に転送
し、再利用することにより、走査側駆動回路の省電力を
図るものあり、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置などに
適用可能である。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型表示装置、典型
的には３端子の薄膜トランジスタをスイッチング素子と
する液晶表示装置を例にとり、図１３に構成を示す。図
１３において、アクティブマトリクスパネル１００は複
数の信号線１０１、複数の走査線１０２、それらの交点
近傍に配置されたスイッチング素子（薄膜トランジス
タ）１０３、画素電極１０４、電荷保持用の補助コンデ
ンサ１０６と、この補助コンデンサの共通電極である１
０５、並びに液晶素子１０７から構成されている。液晶
素子は対向電極Ｖｃで共通接続されている。共通電極１
０５も共通接続されＶｓｔ端子として取り出され、通常
は対向電極Ｖｃと同電位に接続される。信号線１０１は
信号線駆動回路１０８に接続され、この回路は水平周期
のＨ−Ｓ信号をスタートパルスとし、ドットクロック周
期のＨｃｌｋ信号にて、Ｖｉｄｅｏ信号をサンプリング
し、１水平期間ラッチして線順次にて駆動する。他には
電源ＶｓｓとＶｄｄが供給される。走査線１０２は走査
線駆動回路１０９に接続され、この回路は垂直周期のＶ
−Ｓ信号をスタートパルスとし、水平周期のＶｃｌｋ信
号にて、走査線１０２を順次オン状態にシフトする。こ
れにも電源ＶｏｆｆとＶｏｎが供給される。
的には３端子の薄膜トランジスタをスイッチング素子と
する液晶表示装置を例にとり、図１３に構成を示す。図
１３において、アクティブマトリクスパネル１００は複
数の信号線１０１、複数の走査線１０２、それらの交点
近傍に配置されたスイッチング素子（薄膜トランジス
タ）１０３、画素電極１０４、電荷保持用の補助コンデ
ンサ１０６と、この補助コンデンサの共通電極である１
０５、並びに液晶素子１０７から構成されている。液晶
素子は対向電極Ｖｃで共通接続されている。共通電極１
０５も共通接続されＶｓｔ端子として取り出され、通常
は対向電極Ｖｃと同電位に接続される。信号線１０１は
信号線駆動回路１０８に接続され、この回路は水平周期
のＨ−Ｓ信号をスタートパルスとし、ドットクロック周
期のＨｃｌｋ信号にて、Ｖｉｄｅｏ信号をサンプリング
し、１水平期間ラッチして線順次にて駆動する。他には
電源ＶｓｓとＶｄｄが供給される。走査線１０２は走査
線駆動回路１０９に接続され、この回路は垂直周期のＶ
−Ｓ信号をスタートパルスとし、水平周期のＶｃｌｋ信
号にて、走査線１０２を順次オン状態にシフトする。こ
れにも電源ＶｏｆｆとＶｏｎが供給される。
【０００３】以上においてスイッチング素子１０３並び
に信号線駆動回路１０８の細部動作は本願発明の本質と
は関係ないので説明を省略する。
に信号線駆動回路１０８の細部動作は本願発明の本質と
は関係ないので説明を省略する。
【０００４】走査線駆動回路１０９の動作を説明するた
め、出力部の基本構成図を図１４に、波形図を図１５に
示す。図１４において、１１０は走査線１０２の等価回
路を示し、各走査線１０２は等価回路抵抗１１１と等価
回路容量１１２にて表すことができる。その具体値は液
晶パネルの大きさによるが、抵抗値は数ｋΩ、容量は１
０ｐＦ〜２００ｐＦのオーダーである。そして、この走
査線を順次Ｖｏｎとするための１１３のスイッチ群１と
Ｖｏｆｆに保持しておくための１１４のスイッチ群２が
ある。このスイッチ群１と２は互いに排他的に動作し、
すなわちＶｏｎかＶｏｆｆどちらかを選択する。この制
御は図示していないシフトレジスタにて順次上から下へ
Ｖｏｎを選択する。この時の波形を図１５に示す。上か
らＧ１・・・Ｇ４の順序で高さＶｏｎ、幅１Ｈのパルス
が順次シフトしていくことになる。容量性負荷のため、
立ち上がりと立下りはスイッチのオン抵抗と等価回路抵
抗１１１と等価回路容量の時定数の傾斜を持つが、その
値は１〜５μｓ程度で１Ｈに対して無視できるよう設定
される。
め、出力部の基本構成図を図１４に、波形図を図１５に
示す。図１４において、１１０は走査線１０２の等価回
路を示し、各走査線１０２は等価回路抵抗１１１と等価
回路容量１１２にて表すことができる。その具体値は液
晶パネルの大きさによるが、抵抗値は数ｋΩ、容量は１
０ｐＦ〜２００ｐＦのオーダーである。そして、この走
査線を順次Ｖｏｎとするための１１３のスイッチ群１と
Ｖｏｆｆに保持しておくための１１４のスイッチ群２が
ある。このスイッチ群１と２は互いに排他的に動作し、
すなわちＶｏｎかＶｏｆｆどちらかを選択する。この制
御は図示していないシフトレジスタにて順次上から下へ
Ｖｏｎを選択する。この時の波形を図１５に示す。上か
らＧ１・・・Ｇ４の順序で高さＶｏｎ、幅１Ｈのパルス
が順次シフトしていくことになる。容量性負荷のため、
立ち上がりと立下りはスイッチのオン抵抗と等価回路抵
抗１１１と等価回路容量の時定数の傾斜を持つが、その
値は１〜５μｓ程度で１Ｈに対して無視できるよう設定
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、走
査線の駆動においては、容量性負荷を順次シフトしてい
くために、一旦Ｖｏｎまで引き上げ、１Ｈ保持後、Ｖｏ
ｆｆまで引き下げる、すなわち等価回路容量に溜まった
電荷を捨てていることになり、この電力が問題になる場
合が生じてきた。例えば電池駆動の反射型液晶パネルな
どで、静止画表示状態の信号線駆動回路を極限まで電力
を下げたものが開発され、これらの走査線駆動回路の充
放電に伴う電力の占める割合が無視できない。特に待ち
受け時間が重要な携帯電話用ディスプレイでは深刻な問
題となってきた。
査線の駆動においては、容量性負荷を順次シフトしてい
くために、一旦Ｖｏｎまで引き上げ、１Ｈ保持後、Ｖｏ
ｆｆまで引き下げる、すなわち等価回路容量に溜まった
電荷を捨てていることになり、この電力が問題になる場
合が生じてきた。例えば電池駆動の反射型液晶パネルな
どで、静止画表示状態の信号線駆動回路を極限まで電力
を下げたものが開発され、これらの走査線駆動回路の充
放電に伴う電力の占める割合が無視できない。特に待ち
受け時間が重要な携帯電話用ディスプレイでは深刻な問
題となってきた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に設け
られた複数の信号線と、これを駆動する信号線駆動回路
と、信号線と直交する複数の走査線と、これを駆動する
走査線駆動回路と、信号線と走査線の交点近傍に設けら
れたスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型
表示装置であって、走査線駆動回路が、スイッチング素
子をオン状態とするスイッチ群１と、スイッチング素子
をオフ状態とするスイッチ群２と、共通バスラインを有
し、スイッチ群１ないし２または、第３のスイッチ群と
共通バスラインを介して特定の走査線に蓄積された電荷
を他の走査線に転送することにより、省電力を図ったも
のである。
られた複数の信号線と、これを駆動する信号線駆動回路
と、信号線と直交する複数の走査線と、これを駆動する
走査線駆動回路と、信号線と走査線の交点近傍に設けら
れたスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型
表示装置であって、走査線駆動回路が、スイッチング素
子をオン状態とするスイッチ群１と、スイッチング素子
をオフ状態とするスイッチ群２と、共通バスラインを有
し、スイッチ群１ないし２または、第３のスイッチ群と
共通バスラインを介して特定の走査線に蓄積された電荷
を他の走査線に転送することにより、省電力を図ったも
のである。
【０００７】
【発明の実施の形態】第１の本発明の走査線駆動回路の
主力部基本構成図を図１に示す。図１４と同機能の要素
は同一番号を付し、説明を省略する。図１において、１
１５は走査線１０２毎ごとに接続されたスイッチ群３で
あり、他端は共通バスライン１１６に接続されている。
次に動作を図２（ａ）および（ｂ）の波形図と共に説明
する。１１３のスイッチ群１はＧ１・・・Ｇ４まで順次
Ｖｏｎを選択するが、隣接の走査線へ移るときに、図２
（ａ）のＶｅｎに示すようにわずかの期間（走査線の時
定数相当の１〜５μｓ程度）、１１３のスイッチ群１と
１１４のスイッチ群２共にオープンし、同時にスイッチ
群１１５の特定のものだけクローズにする。図１では、
Ｇ２からＧ３へ移るときの各スイッチ群の様子を示して
いる。これにより、走査線Ｇ２の等価化回路容量に電圧
Ｖｏｎまで充電された電荷がスイッチ群３と共通バスラ
イン１１５を通じて、走査線Ｇ３の等価回路容量を１／
２Ｖｏｎまで充電する。同時に走査線Ｇ２は１／２Ｖｏ
ｎまで放電する。１／２になる理由は各走査線の等価回
路容量は等しいためである。その後走査線Ｇ３を１１３
のスイッチ群１の相当するスイッチをクローズしてＶｏ
ｎまで充電する。走査線Ｇ２は１１４のスイッチ群２の
相当するスイッチがクローズされ、Ｖｏｆｆに放電され
る。この部分の拡大図を図２（ｂ）に示す。このことに
より、１１３のスイッチ群１を通じた充電は１／２Ｖｏ
ｎになった等価回路容量を充電することになり、その充
放電にまつわる電力は半減する。
主力部基本構成図を図１に示す。図１４と同機能の要素
は同一番号を付し、説明を省略する。図１において、１
１５は走査線１０２毎ごとに接続されたスイッチ群３で
あり、他端は共通バスライン１１６に接続されている。
次に動作を図２（ａ）および（ｂ）の波形図と共に説明
する。１１３のスイッチ群１はＧ１・・・Ｇ４まで順次
Ｖｏｎを選択するが、隣接の走査線へ移るときに、図２
（ａ）のＶｅｎに示すようにわずかの期間（走査線の時
定数相当の１〜５μｓ程度）、１１３のスイッチ群１と
１１４のスイッチ群２共にオープンし、同時にスイッチ
群１１５の特定のものだけクローズにする。図１では、
Ｇ２からＧ３へ移るときの各スイッチ群の様子を示して
いる。これにより、走査線Ｇ２の等価化回路容量に電圧
Ｖｏｎまで充電された電荷がスイッチ群３と共通バスラ
イン１１５を通じて、走査線Ｇ３の等価回路容量を１／
２Ｖｏｎまで充電する。同時に走査線Ｇ２は１／２Ｖｏ
ｎまで放電する。１／２になる理由は各走査線の等価回
路容量は等しいためである。その後走査線Ｇ３を１１３
のスイッチ群１の相当するスイッチをクローズしてＶｏ
ｎまで充電する。走査線Ｇ２は１１４のスイッチ群２の
相当するスイッチがクローズされ、Ｖｏｆｆに放電され
る。この部分の拡大図を図２（ｂ）に示す。このことに
より、１１３のスイッチ群１を通じた充電は１／２Ｖｏ
ｎになった等価回路容量を充電することになり、その充
放電にまつわる電力は半減する。
【０００８】第２の本発明の走査線駆動回路の主力部基
本構成図を図３に示す。図１４と同機能の要素は同一番
号を付し、説明を省略する。図３において、１１７は切
り離しスイッチであり、図２（ａ）のＶｅｎに相当する
走査線の等価回路容量の電荷を移動する期間、オープン
になり、共通バスラインを電源ラインと共用したもので
ある。図３は図１同様に走査線Ｇ２からＧ３への電荷移
動期間の各スイッチ群の様子を示している。これによ
り、次段の走査線を１／２Ｖｏｎまで充電する作用は第
１の発明と同様である。むろん、接地側のＶｏｆｆに切
り離しスイッチを設けて、こちら側を共通バスラインと
して利用しても良い。ただし、この場合はほとんどの走
査線がＶｏｆｆ側に接続されているので、切り離しスイ
ッチのオン抵抗は共通インピーダンスとなる関係から、
相当に小さくする必要がでてくる。電源ラインは通常１
本の走査線がオンしているのみであるから、スイッチ群
１と同程度のオン抵抗の切り離しスイッチで良いのでＩ
Ｃチップサイズの点で有利である。
本構成図を図３に示す。図１４と同機能の要素は同一番
号を付し、説明を省略する。図３において、１１７は切
り離しスイッチであり、図２（ａ）のＶｅｎに相当する
走査線の等価回路容量の電荷を移動する期間、オープン
になり、共通バスラインを電源ラインと共用したもので
ある。図３は図１同様に走査線Ｇ２からＧ３への電荷移
動期間の各スイッチ群の様子を示している。これによ
り、次段の走査線を１／２Ｖｏｎまで充電する作用は第
１の発明と同様である。むろん、接地側のＶｏｆｆに切
り離しスイッチを設けて、こちら側を共通バスラインと
して利用しても良い。ただし、この場合はほとんどの走
査線がＶｏｆｆ側に接続されているので、切り離しスイ
ッチのオン抵抗は共通インピーダンスとなる関係から、
相当に小さくする必要がでてくる。電源ラインは通常１
本の走査線がオンしているのみであるから、スイッチ群
１と同程度のオン抵抗の切り離しスイッチで良いのでＩ
Ｃチップサイズの点で有利である。
【０００９】ここで、スイッチの具体例を図４と図５に
示す。図４はアナログトラランスファ型のスイッチであ
り、どのような電位でも安定な低オン抵抗が得られる利
点があり、本発明においては、スイッチ群１、２、３と
もにどこに使用しても良い。しかし図１ないし図２の１
１３のスイッチ群１は片方が高電圧のＶｏｎ側に接続さ
れているためＰｃｈのＦＥＴのみの図５の構成でも差し
支えない。これにより、ＦＥＴ数を減らしてチップサイ
ズを縮小することが可能である。
示す。図４はアナログトラランスファ型のスイッチであ
り、どのような電位でも安定な低オン抵抗が得られる利
点があり、本発明においては、スイッチ群１、２、３と
もにどこに使用しても良い。しかし図１ないし図２の１
１３のスイッチ群１は片方が高電圧のＶｏｎ側に接続さ
れているためＰｃｈのＦＥＴのみの図５の構成でも差し
支えない。これにより、ＦＥＴ数を減らしてチップサイ
ズを縮小することが可能である。
【００１０】次に図６に第２の発明をアクティブマトリ
クス型液晶表示装置に適用した構成図を示す。液晶パネ
ル部１００は図１３同様に信号線１０１、走査線１０
２、薄膜トランジスタ１０３、画素電極１０４、補助コ
ンデンサ１０６、共通電極１０５、液晶素子１０７から
構成されている。図３の等価回路容量１１２に相当する
のは、信号線１０１と走査線１０２のクロス部の容量、
薄膜トランジスタ１０３のゲート容量、並びに走査線上
の液晶容量が足し合わさった物になる。これにより走査
線の容量の充放電電力を半減することが可能となる。
クス型液晶表示装置に適用した構成図を示す。液晶パネ
ル部１００は図１３同様に信号線１０１、走査線１０
２、薄膜トランジスタ１０３、画素電極１０４、補助コ
ンデンサ１０６、共通電極１０５、液晶素子１０７から
構成されている。図３の等価回路容量１１２に相当する
のは、信号線１０１と走査線１０２のクロス部の容量、
薄膜トランジスタ１０３のゲート容量、並びに走査線上
の液晶容量が足し合わさった物になる。これにより走査
線の容量の充放電電力を半減することが可能となる。
【００１１】次に図７に第２の発明をアクティブマトリ
クス型有機ＥＬ表示装置に適用した構成図を示す。有機
ＥＬパネル部１１８の各画素は、スイッチング用の薄膜
トランジスタ１１９と、信号保持用コンデンサ１２０
と、駆動用の薄膜トランジスタ１２１と、有機ＥＬ素子
１２２からなる。走査線１０２をＶｏｎにすると薄膜ト
ランジスタ１１９がオンし、信号線１０１の電位まで保
持用コンデンサ１２０を充電する。その後走査線１０２
がＶｏｆｆとなって薄膜トランジスタ１１９がオフして
も、保持用コンデンサ１２０に保持された電位が駆動用
薄膜トランジスタ１２１のドレイン電流を制御して、有
機ＥＬ素子１２２を発光するものである。この場合で
も、走査線は等価的に図３同様に等価回路抵抗と等価回
路容量で表され本発明の走査線容量の充放電電力半減と
いう効果は発揮される。
クス型有機ＥＬ表示装置に適用した構成図を示す。有機
ＥＬパネル部１１８の各画素は、スイッチング用の薄膜
トランジスタ１１９と、信号保持用コンデンサ１２０
と、駆動用の薄膜トランジスタ１２１と、有機ＥＬ素子
１２２からなる。走査線１０２をＶｏｎにすると薄膜ト
ランジスタ１１９がオンし、信号線１０１の電位まで保
持用コンデンサ１２０を充電する。その後走査線１０２
がＶｏｆｆとなって薄膜トランジスタ１１９がオフして
も、保持用コンデンサ１２０に保持された電位が駆動用
薄膜トランジスタ１２１のドレイン電流を制御して、有
機ＥＬ素子１２２を発光するものである。この場合で
も、走査線は等価的に図３同様に等価回路抵抗と等価回
路容量で表され本発明の走査線容量の充放電電力半減と
いう効果は発揮される。
【００１２】第３の本発明の走査線駆動回路の主力部基
本構成図を図８に示す。図３と同機能の要素は同一番号
を付し、説明を省略する。図８において、１２３は充電
補助コンデンサであり、図２（ａ）のＶｅｎに相当する
走査線の等価回路容量の電荷を移動する期間、充電され
る走査線の等価回路容量をＶｏｎに近い電圧まで急速に
持ち上げる働きをする。このＶｅｎの期間に達する電圧
は等価回路容量１１２と補助コンデンサ１２３の容量比
で決まる。ここで補助コンデンサ１２３は等価回路容量
１１２よりも大きく、望ましくは１０倍以上に設定する
と、ほぼＶｏｎに近い電圧に充電される。この波形図を
図９（ａ）と（ｂ）に示す。図９（ａ）は走査線Ｇ１・
・・Ｇ４までの全体波形を示し、図９（ｂ）は変化時の
拡大図であり、ここのｋが容量比で決まる常数である。
これにより、Ｖｏｎまでの実質立ち上げ時間を第１なら
びに第２の実施例よりも早くすることが可能となり、画
素の薄膜トランジスタのオン電流が少ない時、画素数が
多くなり水平期間が短くなった時に、画素の充電不足を
少なくすることが可能となる。また、この時の消費電力
削減効果は、等価回路容量１１２の走査線一本分の容量
の電荷を再利用し、補助コンデンサ１２３の電荷の出入
りは差し引き０となり（電荷のバッファとして働き、等
価回路容量へ移動した電荷はその後のＶｅｎ−ＯＮ期間
にＶｏｎから補充される）第１、第２の発明と同等であ
る。なお、補助コンデンサを等価回路容量１１２より１
０倍程度大きくすることは走査線駆動回路１０９を駆動
ＩＣとして内蔵するのはチップ面積が増大し現実的でな
く、端子を設けて外付けが望ましい。これにより、適用
する表示パネルが変わったとしても、外付けのコンデン
サ値を調整することで対応可能になるという効果もあ
る。
本構成図を図８に示す。図３と同機能の要素は同一番号
を付し、説明を省略する。図８において、１２３は充電
補助コンデンサであり、図２（ａ）のＶｅｎに相当する
走査線の等価回路容量の電荷を移動する期間、充電され
る走査線の等価回路容量をＶｏｎに近い電圧まで急速に
持ち上げる働きをする。このＶｅｎの期間に達する電圧
は等価回路容量１１２と補助コンデンサ１２３の容量比
で決まる。ここで補助コンデンサ１２３は等価回路容量
１１２よりも大きく、望ましくは１０倍以上に設定する
と、ほぼＶｏｎに近い電圧に充電される。この波形図を
図９（ａ）と（ｂ）に示す。図９（ａ）は走査線Ｇ１・
・・Ｇ４までの全体波形を示し、図９（ｂ）は変化時の
拡大図であり、ここのｋが容量比で決まる常数である。
これにより、Ｖｏｎまでの実質立ち上げ時間を第１なら
びに第２の実施例よりも早くすることが可能となり、画
素の薄膜トランジスタのオン電流が少ない時、画素数が
多くなり水平期間が短くなった時に、画素の充電不足を
少なくすることが可能となる。また、この時の消費電力
削減効果は、等価回路容量１１２の走査線一本分の容量
の電荷を再利用し、補助コンデンサ１２３の電荷の出入
りは差し引き０となり（電荷のバッファとして働き、等
価回路容量へ移動した電荷はその後のＶｅｎ−ＯＮ期間
にＶｏｎから補充される）第１、第２の発明と同等であ
る。なお、補助コンデンサを等価回路容量１１２より１
０倍程度大きくすることは走査線駆動回路１０９を駆動
ＩＣとして内蔵するのはチップ面積が増大し現実的でな
く、端子を設けて外付けが望ましい。これにより、適用
する表示パネルが変わったとしても、外付けのコンデン
サ値を調整することで対応可能になるという効果もあ
る。
【００１３】次に図１０に第３の発明をアクティブマト
リクス型液晶表示装置に適用した構成図を示す。液晶パ
ネル部１００は図６同様に信号線１０１、走査線１０
２、薄膜トランジスタ１０３、画素電極１０４、補助コ
ンデンサ１０６、共通電極１０５、液晶素子１０７から
構成されている。図８の等価回路容量１１２に相当する
のは、信号線１０１と走査線１０２のクロス部の容量、
薄膜トランジスタ１０３のゲート容量、並びに走査線上
の液晶容量が足し合わさった物である。これにより走査
線の容量の充放電電力を半減することが可能となる。
リクス型液晶表示装置に適用した構成図を示す。液晶パ
ネル部１００は図６同様に信号線１０１、走査線１０
２、薄膜トランジスタ１０３、画素電極１０４、補助コ
ンデンサ１０６、共通電極１０５、液晶素子１０７から
構成されている。図８の等価回路容量１１２に相当する
のは、信号線１０１と走査線１０２のクロス部の容量、
薄膜トランジスタ１０３のゲート容量、並びに走査線上
の液晶容量が足し合わさった物である。これにより走査
線の容量の充放電電力を半減することが可能となる。
【００１４】次に図１１に第３の発明をアクティブマト
リクス型有機ＥＬ表示装置に適用した構成図を示す。有
機ＥＬパネル部１１８は図７同様に薄膜トランジスタ１
１９と、信号保持用コンデンサ１２０と、薄膜トランジ
スタ１２１と、有機ＥＬ素子１２２からなる。図８の等
価回路容量１１２に相当するのは、同様に信号線１０１
と走査線１０２のクロス部の容量、薄膜トランジスタ１
１９のゲート容量、並びに走査線上の絶縁層の容量が足
し合わさった物であり、本発明の走査線容量の充放電電
力半減という効果は発揮される。
リクス型有機ＥＬ表示装置に適用した構成図を示す。有
機ＥＬパネル部１１８は図７同様に薄膜トランジスタ１
１９と、信号保持用コンデンサ１２０と、薄膜トランジ
スタ１２１と、有機ＥＬ素子１２２からなる。図８の等
価回路容量１１２に相当するのは、同様に信号線１０１
と走査線１０２のクロス部の容量、薄膜トランジスタ１
１９のゲート容量、並びに走査線上の絶縁層の容量が足
し合わさった物であり、本発明の走査線容量の充放電電
力半減という効果は発揮される。
【００１５】また、今までＧ１・・・Ｇ４までの順次走
査を例に取り説明してきたが、特願２０００−００５５
０３のように、順次でなく所定の順序で走査線を駆動す
る方式がある。これは階調をアナログ的な振幅変調でな
く、振幅は２値にし時間軸方向にサブフィールド構造を
持たすことで階調を表示するもので、表示する階調に比
例して走査線駆動周波数が増え、その上順次に走査する
訳ではない。図１２にＧ１→Ｇ４→Ｇ２→Ｇ３の順番例
を示すが、この場合でも図１ないし図３ないし図８に示
すような共通バスライン構造を持つのでＧ１とＧ４の接
続、Ｇ４とＧ２の接続も可能であり、完全に対応でき
る。
査を例に取り説明してきたが、特願２０００−００５５
０３のように、順次でなく所定の順序で走査線を駆動す
る方式がある。これは階調をアナログ的な振幅変調でな
く、振幅は２値にし時間軸方向にサブフィールド構造を
持たすことで階調を表示するもので、表示する階調に比
例して走査線駆動周波数が増え、その上順次に走査する
訳ではない。図１２にＧ１→Ｇ４→Ｇ２→Ｇ３の順番例
を示すが、この場合でも図１ないし図３ないし図８に示
すような共通バスライン構造を持つのでＧ１とＧ４の接
続、Ｇ４とＧ２の接続も可能であり、完全に対応でき
る。
【００１６】
【発明の効果】本発明によればアクティブマトリクス型
の表示装置において、走査線の電荷を他の走査線に利用
することにより、走査線の充放電に伴う電力を半減する
ことができる。そして第２の発明により、新たに多数の
スイッチ群を増設することなく実施できる。更に第３の
発明により、走査線の立ち上げ時間短縮が可能となり、
高速な走査線駆動周波数でも対応できる。上記発明は、
アクティブマトリクス型液晶表示装置、アクティブマト
リクス型有機ＥＬ表示装置に適用できる。また、順次走
査でない駆動方式にも対応可能である。
の表示装置において、走査線の電荷を他の走査線に利用
することにより、走査線の充放電に伴う電力を半減する
ことができる。そして第２の発明により、新たに多数の
スイッチ群を増設することなく実施できる。更に第３の
発明により、走査線の立ち上げ時間短縮が可能となり、
高速な走査線駆動周波数でも対応できる。上記発明は、
アクティブマトリクス型液晶表示装置、アクティブマト
リクス型有機ＥＬ表示装置に適用できる。また、順次走
査でない駆動方式にも対応可能である。
【図１】第１の本発明の走査線駆動回路の主力部基本構
成図
成図
【図２】第１の本発明の走査線駆動波形図
【図３】第２の本発明の走査線駆動回路の主力部基本構
成図
成図
【図４】スイッチの構成の一例図
【図５】別のスイッチの構成の一例図
【図６】第２の発明をアクティブマトリクス型液晶表示
装置に適用した構成図
装置に適用した構成図
【図７】第２の発明をアクティブマトリクス型有機ＥＬ
表示装置に適用した構成図
表示装置に適用した構成図
【図８】第３の本発明の走査線駆動回路の主力部基本構
成図
成図
【図９】第３の本発明の走査線駆動波形図
【図１０】第３の発明をアクティブマトリクス型液晶表
示装置に適用した構成図
示装置に適用した構成図
【図１１】第３の発明をアクティブマトリクス型有機Ｅ
Ｌ表示装置に適用した構成図
Ｌ表示装置に適用した構成図
【図１２】順次走査でない波形の一例図
【図１３】アクティブマトリクス型液晶表示装置の構成
図
図
【図１４】従来の走査線駆動回路の主力部基本構成図
【図１５】従来の走査線駆動波形図
１０２ 走査線 １１０ 表示パネル部の走査線等価回路 １１１ 走査線の等価回路抵抗 １１２ 走査線の等価回路容量 １１３ スイッチ群１ １１４ スイッチ群２ １１５ スイッチ群３
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/30 Ｇ０９Ｇ 3/30 Ｊ Ｆターム(参考） 2H093 NA16 NA41 NC22 NC34 ND39 5C006 AC11 BB16 BC03 BF31 BF34 BF37 FA47 5C080 AA06 AA10 BB05 DD26 FF11 JJ03 JJ04
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上に設けられた複数の信号線と、こ
れを駆動する信号線駆動回路と、前記信号線と直交する
複数の走査線と、これを駆動する走査線駆動回路と、前
記信号線と前記走査線の交点近傍に設けられたスイッチ
ング素子を有するアクティブマトリクス型表示装置であ
って、前記走査線駆動回路が、前記スイッチング素子を
オン状態とするスイッチ群１と、前記スイッチング素子
をオフ状態とするスイッチ群２と、前記走査線毎に設け
られ他端が共通バスラインに接続されたスイッチ群３と
からなり、前記スイッチ群３と共通バスラインを介して
特定の走査線に蓄積された電荷を他の走査線に転送する
ことを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記走査線駆動回路が前記走査線を順次
にオン状態にするのでなく、所定の順序に従い走査線を
オン状態にし、それに伴い前記スイッチ群３と共通バス
ラインを介して特定の走査線に蓄積された電荷を他の走
査線に転送することを特徴とする請求項１記載の表示装
置。 - 【請求項３】 表示素子として液晶を用いたことを特徴
とする請求項１または２記載の表示装置。 - 【請求項４】 表示素子として有機ＥＬを用いたことを
特徴とする請求項１または２記載の表示装置。 - 【請求項５】 基板上に設けられた複数の信号線と、こ
れを駆動する信号線駆動回路と、前記信号線と直交する
複数の走査線と、これを駆動する走査線駆動回路と、前
記信号線と前記走査線の交点近傍に設けられたスイッチ
ング素子を有するアクティブマトリクス型表示装置であ
って、前記走査線駆動回路が、前記スイッチング素子を
オン状態とするスイッチ群１と、前記スイッチング素子
をオフ状態とするスイッチ群２と、前記スイッチ群１な
いしスイッチ群２を介して電源線ないし接地線と共用す
る共通バスラインと、前記共通バイスラインを電源ない
し接地ポイントから切り離すスイッチからなり、前記ス
イッチ群１ないしスイッチ群２と共通バスラインを介し
て特定の走査線に蓄積された電荷を他の走査線に転送す
ることを特徴とする表示装置。 - 【請求項６】 前記走査線駆動回路が前記走査線を順次
にオン状態にするのでなく、所定の順序に従い走査線を
オン状態にし、それに伴い前記スイッチ群１ないしスイ
ッチ群２と共通バスラインを介して特定の走査線に蓄積
された電荷を他の走査線に転送することを特徴とする請
求項５記載の表示装置。 - 【請求項７】 表示素子として液晶素子を用いたことを
特徴とする請求項５または６記載の表示装置。 - 【請求項８】 表示素子として有機ＥＬ素子を用いたこ
とを特徴とする請求項５または６記載の表示装置。 - 【請求項９】 基板上に設けられた複数の信号線と、こ
れを駆動する信号線駆動回路と、前記信号線と直交する
複数の走査線と、これを駆動する走査線駆動回路と、前
記信号線と前記走査線の交点近傍に設けられたスイッチ
ング素子を有するアクティブマトリクス型表示装置であ
って、前記走査線駆動回路が、前記スイッチング素子を
オン状態とするスイッチ群１と、前記スイッチング素子
をオフ状態とするスイッチ群２と、前記スイッチ群１を
介して電源線と共用する共通バスラインと、前記共通バ
スラインを電源ポイントから切り離すスイッチと、前記
共通バスラインに接続された電荷保持容量とからなり、
前記スイッチ群１と共通バスラインを介して特定の走査
線に蓄積された電荷を他の走査線に転送することを特徴
とする表示装置。 - 【請求項１０】 前記電荷保持容量が、前記走査線駆動
回路の他の構成要素、スイッチ群１および２と共通バス
ラインを集積してなるＩＣの外部に設けられたことを特
徴とする請求項９記載の表示装置。 - 【請求項１１】 前記走査線駆動回路が前記走査線を順
次にオン状態にするのでなく、所定の順序に従い走査線
をオン状態にし、それに伴い前記スイッチ群１と共通バ
スラインを介して特定の走査線に蓄積された電荷を他の
走査線に転送することを特徴とする請求項９記載の表示
装置。 - 【請求項１２】 表示素子として液晶を用いたことを特
徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の表示装
置。 - 【請求項１３】 表示素子として有機ＥＬを用いたこと
を特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006017A JP2002215103A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006017A JP2002215103A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002215103A true JP2002215103A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18873973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006017A Pending JP2002215103A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002215103A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2005257997A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Casio Comput Co Ltd | 表示駆動装置及び該表示駆動装置を備えた表示装置並びにその駆動制御方法 |
| JP2008116917A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | ゲートドライバ、電気光学装置、電子機器及び駆動方法 |
| JP2008197279A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Eastman Kodak Co | アクティブマトリクス型表示装置 |
| WO2020209351A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 表示ドライバ及び表示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH1165533A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Hitachi Ltd | 画像表示装置及びその駆動方法 |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006017A patent/JP2002215103A/ja active Pending
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| JPWO2020209351A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | ||
| CN113994417A (zh) * | 2019-04-12 | 2022-01-28 | 拉碧斯半导体株式会社 | 显示驱动器和显示装置 |
| JP7367006B2 (ja) | 2019-04-12 | 2023-10-23 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 表示ドライバ及び表示装置 |
| US11798509B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-10-24 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Display driver and display apparatus |
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