JP2002205966A - ビスフェノールａの製造方法 - Google Patents
ビスフェノールａの製造方法Info
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェノールとアセトンとからビスフェノール
Ａを製造するに際し、反応塔内の原料の流速を制御する
ことにより、フェノール転化率を向上させ、ビスフェノ
ールＡを効率よく製造する方法を提供すること。 【解決手段】 陽イオン交換樹脂を触媒とし、かつ遊離
のメルカプタン類を助触媒として、フェノールとアセト
ンとを縮合させ、ビスフェノールＡを製造するに当た
り、陽イオン交換樹脂を充填してなる反応塔内の原料空
塔速度を1.５〜６ｍ／ｈｒの範囲に制御する。
Ａを製造するに際し、反応塔内の原料の流速を制御する
ことにより、フェノール転化率を向上させ、ビスフェノ
ールＡを効率よく製造する方法を提供すること。 【解決手段】 陽イオン交換樹脂を触媒とし、かつ遊離
のメルカプタン類を助触媒として、フェノールとアセト
ンとを縮合させ、ビスフェノールＡを製造するに当た
り、陽イオン交換樹脂を充填してなる反応塔内の原料空
塔速度を1.５〜６ｍ／ｈｒの範囲に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はビスフェノールＡの
製造方法に関し、さらに詳しくは、陽イオン交換樹脂を
触媒とし、メルカプタン類を助触媒として、フェノール
とアセトンとからビスフェノールＡ［２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン］を製造するに際し、
反応塔内の原料空塔速度を制御することにより、フェノ
ール転化率を向上させ、ビスフェノールＡを効率よく製
造する方法に関するものである。
製造方法に関し、さらに詳しくは、陽イオン交換樹脂を
触媒とし、メルカプタン類を助触媒として、フェノール
とアセトンとからビスフェノールＡ［２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン］を製造するに際し、
反応塔内の原料空塔速度を制御することにより、フェノ
ール転化率を向上させ、ビスフェノールＡを効率よく製
造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノールＡはポリカーボネート樹
脂やポリアリレート樹脂などのエンジニアリングプラス
チック、あるいはエポキシ樹脂などの原料として重要な
化合物であることが知られており、近年その需要はます
ます増大する傾向にある。このビスフェノールＡは、酸
性触媒及び場合により用いられる硫黄化合物などの助触
媒の存在下に、過剰のフェノールとアセトンとを縮合さ
せることにより製造される。この反応において用いられ
る酸触媒としては、従来、硫酸や塩化水素などの無機鉱
酸が用いられていたが、近年、陽イオン交換樹脂が注目
され（英国特許第８４２２０９号明細書、同第８４９５
６５号明細書、同第８８３３９１号明細書）、工業的に
用いられるようになった。一方、助触媒として用いられ
る硫黄化合物としては、メチルメルカプタン、エチルメ
ルカプタン、チオグリコール酸などの置換基を有する若
しくは有しないアルキルメルカプタン類が有効であるこ
とが知られている（米国特許第２３５９２４２号明細
書、同第２７７５６２０号明細書）。このメルカプタン
類は、反応速度を上げるとともに、選択率を向上させる
作用を有している。例えば、ビスフェノールＡの製造に
おいて、反応副生物として、主に２−（２−ヒドロキシ
フェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（ｏ，ｐ’一体）が生成し、その他トリスフェノール、
ポリフェノールなどが生成する。特に、ポリカーボネー
ト樹脂やポリアリレート樹脂などの原料として用いる場
合、これらの副生物の含有量が少なく、着色のない高純
度のビスフェノールＡが要求される。このため、反応速
度を上げるとともに、上記副生物の生成を抑え、選択率
を高めるために、助触媒としてメルカプタン類が用いら
れる。
脂やポリアリレート樹脂などのエンジニアリングプラス
チック、あるいはエポキシ樹脂などの原料として重要な
化合物であることが知られており、近年その需要はます
ます増大する傾向にある。このビスフェノールＡは、酸
性触媒及び場合により用いられる硫黄化合物などの助触
媒の存在下に、過剰のフェノールとアセトンとを縮合さ
せることにより製造される。この反応において用いられ
る酸触媒としては、従来、硫酸や塩化水素などの無機鉱
酸が用いられていたが、近年、陽イオン交換樹脂が注目
され（英国特許第８４２２０９号明細書、同第８４９５
６５号明細書、同第８８３３９１号明細書）、工業的に
用いられるようになった。一方、助触媒として用いられ
る硫黄化合物としては、メチルメルカプタン、エチルメ
ルカプタン、チオグリコール酸などの置換基を有する若
しくは有しないアルキルメルカプタン類が有効であるこ
とが知られている（米国特許第２３５９２４２号明細
書、同第２７７５６２０号明細書）。このメルカプタン
類は、反応速度を上げるとともに、選択率を向上させる
作用を有している。例えば、ビスフェノールＡの製造に
おいて、反応副生物として、主に２−（２−ヒドロキシ
フェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（ｏ，ｐ’一体）が生成し、その他トリスフェノール、
ポリフェノールなどが生成する。特に、ポリカーボネー
ト樹脂やポリアリレート樹脂などの原料として用いる場
合、これらの副生物の含有量が少なく、着色のない高純
度のビスフェノールＡが要求される。このため、反応速
度を上げるとともに、上記副生物の生成を抑え、選択率
を高めるために、助触媒としてメルカプタン類が用いら
れる。
【０００３】フェノールとアセトンを縮合させてビスフ
ェノールＡを工業的に製造する場合、一般に、前記陽イ
オン交換樹脂を充填した反応塔に、原料のフェノールと
アセトン及び助触媒のメルカプタン類を連続的に供給す
る方法が用いられる。このような反応形式において、反
応塔内の流れに関しては、例えば（１）流れ方向が下向
きの場合には、イオン交換樹脂床で圧力損失が生じ、そ
の結果ビスフェノールＡの生産量の減少をもたらす（特
開平６−３２０００９号公報）、（２）原料混合液を高
い流通速度で反応塔内を流通させようとすると、反応塔
に対する原料混合液の供給圧力を著しく高くする必要が
あり、この傾向はイオン交換樹脂としてゲル型樹脂を用
いる場合にさらに著しい（特開平６−３４０５６３号公
報）、などが記載されている。このように、従来技術で
は、反応塔内の圧力損失のみが問題として取り上げられ
ており、転化率及び触媒の劣化という点で、どの程度の
原料の流速が適しているかについては、これまで全く知
見がないのが実状である。
ェノールＡを工業的に製造する場合、一般に、前記陽イ
オン交換樹脂を充填した反応塔に、原料のフェノールと
アセトン及び助触媒のメルカプタン類を連続的に供給す
る方法が用いられる。このような反応形式において、反
応塔内の流れに関しては、例えば（１）流れ方向が下向
きの場合には、イオン交換樹脂床で圧力損失が生じ、そ
の結果ビスフェノールＡの生産量の減少をもたらす（特
開平６−３２０００９号公報）、（２）原料混合液を高
い流通速度で反応塔内を流通させようとすると、反応塔
に対する原料混合液の供給圧力を著しく高くする必要が
あり、この傾向はイオン交換樹脂としてゲル型樹脂を用
いる場合にさらに著しい（特開平６−３４０５６３号公
報）、などが記載されている。このように、従来技術で
は、反応塔内の圧力損失のみが問題として取り上げられ
ており、転化率及び触媒の劣化という点で、どの程度の
原料の流速が適しているかについては、これまで全く知
見がないのが実状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況下で、陽イオン交換樹脂を触媒とし、メルカプタン
類を助触媒として、フェノールとアセトンとからビスフ
ェノールＡを製造するに際し、反応塔内の原料の流速を
制御することにより、フェノール転化率を向上させ、ビ
スフェノールＡを効率よく製造する工業的な有利な方法
を提供することを目的とするものである。
状況下で、陽イオン交換樹脂を触媒とし、メルカプタン
類を助触媒として、フェノールとアセトンとからビスフ
ェノールＡを製造するに際し、反応塔内の原料の流速を
制御することにより、フェノール転化率を向上させ、ビ
スフェノールＡを効率よく製造する工業的な有利な方法
を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成するために鋭意研究を重ねた結果、原料空塔速度が
ある値より小さいとフェノール転化率が低下し、一方原
料空塔速度が上昇するに伴い、触媒の劣化速度が速くな
り、圧力損失の上昇も大きくなることを見出すと共に、
ある範囲の原料空塔速度において、高いフェノール転化
率が得られ、しかも圧力損失がさほど大きくないことを
見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち、本発明は、陽イオン交換樹脂を触
媒とし、かつ遊離のメルカプタン類を助触媒として、フ
ェノールとアセトンとを縮合させ、ビスフェノールＡを
製造するに当たり、陽イオン交換樹脂を充填してなる反
応塔内の原料空塔速度を1.５〜６ｍ／ｈｒの範囲に制御
することを特徴とするビスフェノールＡの製造方法を提
供するものである。
達成するために鋭意研究を重ねた結果、原料空塔速度が
ある値より小さいとフェノール転化率が低下し、一方原
料空塔速度が上昇するに伴い、触媒の劣化速度が速くな
り、圧力損失の上昇も大きくなることを見出すと共に、
ある範囲の原料空塔速度において、高いフェノール転化
率が得られ、しかも圧力損失がさほど大きくないことを
見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち、本発明は、陽イオン交換樹脂を触
媒とし、かつ遊離のメルカプタン類を助触媒として、フ
ェノールとアセトンとを縮合させ、ビスフェノールＡを
製造するに当たり、陽イオン交換樹脂を充填してなる反
応塔内の原料空塔速度を1.５〜６ｍ／ｈｒの範囲に制御
することを特徴とするビスフェノールＡの製造方法を提
供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の方法は、陽イオン交換樹
脂を触媒とし、かつ遊離のメルカプタン類を助触媒とし
て、フェノールとアセトンとを縮合させ、ビスフェノー
ルＡを製造する方法であって、上記陽イオン交換樹脂と
しては、特に制限はなく、従来ビスフェノールＡの触媒
として慣用されているものを用いることができるが、特
に触媒活性などの点から、スルホン酸型陽イオン交換樹
脂が好適である。該スルホン酸型陽イオン交換樹脂につ
いては、スルホン酸基を有する強酸性陽イオン交換樹脂
であればよく特に制限されず、例えばスルホン化スチレ
ン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化架橋スチ
レンポリマー、フェノールホルムアルデヒド−スルホン
酸樹脂、ベンゼンホルムアルデヒド−スルホン酸樹脂な
どが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
脂を触媒とし、かつ遊離のメルカプタン類を助触媒とし
て、フェノールとアセトンとを縮合させ、ビスフェノー
ルＡを製造する方法であって、上記陽イオン交換樹脂と
しては、特に制限はなく、従来ビスフェノールＡの触媒
として慣用されているものを用いることができるが、特
に触媒活性などの点から、スルホン酸型陽イオン交換樹
脂が好適である。該スルホン酸型陽イオン交換樹脂につ
いては、スルホン酸基を有する強酸性陽イオン交換樹脂
であればよく特に制限されず、例えばスルホン化スチレ
ン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化架橋スチ
レンポリマー、フェノールホルムアルデヒド−スルホン
酸樹脂、ベンゼンホルムアルデヒド−スルホン酸樹脂な
どが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０００７】一方、助触媒である遊離のメルカプタン類
は、分子内にＳＨ基を遊離の形で有する化合物を指し、
このようなものとしては、アルキルメルカプタンや、カ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシル基などの置換基
一種以上を有するアルキルメルカプタン類、例えばメル
カプトカルボン酸、アミノアルカンチオール、メルカプ
トアルコールなどを用いることができる。このようなメ
ルカプタン類の例としては、メチルメルカプタン、エチ
ルメルカプタン、ｎ−ブチルメルカプタン、ｎ−オクチ
ルメルカプタンなどのアルキルメルカプタン，チオグリ
コール酸、β−メルカプトプロピオン酸などのチオカル
ボン酸、２−アミノエタンチオール、２，２−ジメチル
チアゾリジンなどのアミノアルカンチオール、メルカプ
トエタノールなどのメルカプトアルコールなどが挙げら
れるが、これらの中で、アルキルメルカプタンが助触媒
としての効果の点で、特に好ましい。また、これらのメ
ルカプタン類は、単独で用いてもよく、二種以上を組み
合わせて用いてもよい。これらのメルカプタン類は、前
記陽イオン交換樹脂上に固定化させ、助触媒として機能
させることもできる。
は、分子内にＳＨ基を遊離の形で有する化合物を指し、
このようなものとしては、アルキルメルカプタンや、カ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシル基などの置換基
一種以上を有するアルキルメルカプタン類、例えばメル
カプトカルボン酸、アミノアルカンチオール、メルカプ
トアルコールなどを用いることができる。このようなメ
ルカプタン類の例としては、メチルメルカプタン、エチ
ルメルカプタン、ｎ−ブチルメルカプタン、ｎ−オクチ
ルメルカプタンなどのアルキルメルカプタン，チオグリ
コール酸、β−メルカプトプロピオン酸などのチオカル
ボン酸、２−アミノエタンチオール、２，２−ジメチル
チアゾリジンなどのアミノアルカンチオール、メルカプ
トエタノールなどのメルカプトアルコールなどが挙げら
れるが、これらの中で、アルキルメルカプタンが助触媒
としての効果の点で、特に好ましい。また、これらのメ
ルカプタン類は、単独で用いてもよく、二種以上を組み
合わせて用いてもよい。これらのメルカプタン類は、前
記陽イオン交換樹脂上に固定化させ、助触媒として機能
させることもできる。
【０００８】前記メルカプタン類の使用量は、一般に原
料のアセトンに対して、０．１〜２０モル％、好ましく
は、１〜１０モル％の範囲で選定される。また、フェノ
ールとアセトンとの使用割合については特に制限はない
が、生成するビスフェノールＡの精製の容易さや経済性
などの点から、未反応のアセトンの量は出来るだけ少な
いことが望ましく、したがって、フェノールを化学量論
的量よりも過剰に用いるのが有利である。通常、アセト
ン１モル当たり、３〜３０モル、好ましくは５〜１５モ
ルのフェノールが用いられる。また、このビスフェノー
ルＡの製造においては、反応溶媒は、反応液の粘度が高
すぎたり、凝固して運転が困難になるような低温で反応
させる以外は、一般に必要ではない。本発明におけるフ
ェノールとアセトンとの縮合反応は、酸触媒の陽イオン
交換樹脂を充填した反応塔に、フェノールとアセトンと
前記メルカプタン類を連続的に供給して反応させる固定
床連続反応方式を用いることができる。この際、反応塔
は１基でもよく、また２基以上を直列又は並列に配置し
てもよいが、工業的には、陽イオン交換樹脂を充填した
反応塔を２基以上直列に配慮し、固定床多段連続反応方
式を採用するのが、特に有利である。
料のアセトンに対して、０．１〜２０モル％、好ましく
は、１〜１０モル％の範囲で選定される。また、フェノ
ールとアセトンとの使用割合については特に制限はない
が、生成するビスフェノールＡの精製の容易さや経済性
などの点から、未反応のアセトンの量は出来るだけ少な
いことが望ましく、したがって、フェノールを化学量論
的量よりも過剰に用いるのが有利である。通常、アセト
ン１モル当たり、３〜３０モル、好ましくは５〜１５モ
ルのフェノールが用いられる。また、このビスフェノー
ルＡの製造においては、反応溶媒は、反応液の粘度が高
すぎたり、凝固して運転が困難になるような低温で反応
させる以外は、一般に必要ではない。本発明におけるフ
ェノールとアセトンとの縮合反応は、酸触媒の陽イオン
交換樹脂を充填した反応塔に、フェノールとアセトンと
前記メルカプタン類を連続的に供給して反応させる固定
床連続反応方式を用いることができる。この際、反応塔
は１基でもよく、また２基以上を直列又は並列に配置し
てもよいが、工業的には、陽イオン交換樹脂を充填した
反応塔を２基以上直列に配慮し、固定床多段連続反応方
式を採用するのが、特に有利である。
【０００９】この固定床連続反応方式における反応条件
について説明する。まず、アセトン／フェノールモル比
は、通常１／３０〜１／３、好ましくは１／１５〜１／
５の範囲で選ばれる。このモル比が１／３０より小さい
場合、反応速度が遅くなりすぎるおそれがあり、１／３
より大きいと不純物の生成が多くなり、ビスフェノール
Ａの選択率が低下する傾向がある。一方、メルカプタン
類が陽イオン交換樹脂に固定化されない場合、メルカプ
タン類／アセトンモル比は、通常０．１／１００〜２０
／１００、好ましくは１／１００〜１０／１００の範囲
で選ばれる。このモル比が０．１／１００より小さい場
合、反応速度やビスフェノールＡの選択率の向上効果が
十分に発揮されないおそれがあり、２０／１００より大
きいとその量の割りには効果の向上はあまり認められな
い。また、反応温度は、通常４０〜１５０℃、好ましく
は６０〜１１０℃の範囲で選ばれる。該温度が４０℃未
満では反応速度が遅い上、反応液の粘度が極めて高く、
場合により、固化するおそれがあり、１５０℃を超える
と反応制御が困難となり、かつビスフェノールＡ（ｐ，
ｐ’一体）の選択率が低下する上、触媒の陽イオン交換
樹脂が分解又は劣化することがある。
について説明する。まず、アセトン／フェノールモル比
は、通常１／３０〜１／３、好ましくは１／１５〜１／
５の範囲で選ばれる。このモル比が１／３０より小さい
場合、反応速度が遅くなりすぎるおそれがあり、１／３
より大きいと不純物の生成が多くなり、ビスフェノール
Ａの選択率が低下する傾向がある。一方、メルカプタン
類が陽イオン交換樹脂に固定化されない場合、メルカプ
タン類／アセトンモル比は、通常０．１／１００〜２０
／１００、好ましくは１／１００〜１０／１００の範囲
で選ばれる。このモル比が０．１／１００より小さい場
合、反応速度やビスフェノールＡの選択率の向上効果が
十分に発揮されないおそれがあり、２０／１００より大
きいとその量の割りには効果の向上はあまり認められな
い。また、反応温度は、通常４０〜１５０℃、好ましく
は６０〜１１０℃の範囲で選ばれる。該温度が４０℃未
満では反応速度が遅い上、反応液の粘度が極めて高く、
場合により、固化するおそれがあり、１５０℃を超える
と反応制御が困難となり、かつビスフェノールＡ（ｐ，
ｐ’一体）の選択率が低下する上、触媒の陽イオン交換
樹脂が分解又は劣化することがある。
【００１０】本発明の方法においては、フェノール転化
率を高めるために、前記反応塔内の原料の流速が制御さ
れる。すなわち、反応塔内の原料空塔速度が１．５ｍ／
ｈｒ未満ではフェノール転化率が低下し、一方、原料空
塔速度が上昇するに伴い陽イオン交換樹脂触媒の劣化速
度が速くなると共に、圧力損失も上昇する。したがっ
て、高い転化率を得るためには、原料空塔速度を１．５
〜６ｍ／ｈｒの範囲に制御すべきである。また、原料空
塔速度が上記の範囲にあれば、圧力損失はさほど高くな
らない。また、本発明の方法においては、反応塔は、Ｌ
（高さ）／Ｄ（直径）が１以下のものが、フェノール転
化率の点から好適である。
率を高めるために、前記反応塔内の原料の流速が制御さ
れる。すなわち、反応塔内の原料空塔速度が１．５ｍ／
ｈｒ未満ではフェノール転化率が低下し、一方、原料空
塔速度が上昇するに伴い陽イオン交換樹脂触媒の劣化速
度が速くなると共に、圧力損失も上昇する。したがっ
て、高い転化率を得るためには、原料空塔速度を１．５
〜６ｍ／ｈｒの範囲に制御すべきである。また、原料空
塔速度が上記の範囲にあれば、圧力損失はさほど高くな
らない。また、本発明の方法においては、反応塔は、Ｌ
（高さ）／Ｄ（直径）が１以下のものが、フェノール転
化率の点から好適である。
【００１１】本発明の方法においては、反応塔から出て
きた反応混合物は、公知の方法により後処理が施され、
ビスフェノールＡが取り出される。次に、この後処理の
一例について説明すると、まず晶析に先立って濃縮を行
う。濃縮条件については特に制限はないが、通常温度１
３０〜１７０℃、圧力１３〜５３ｋＰａの条件で濃縮が
行われる。温度が１３０℃未満では高真空が必要とな
り、１７０℃を超えると不純物が増加したり、着色の原
因となる。また、濃縮残液のビスフェノールＡの濃度は
２５〜４０重量％の範囲にあるのが有利である。この濃
度が２５重量％未満ではビスフェノールＡの回収率が低
く、４０重量％を超えると晶析後のスラリーの移送が困
難となる。濃縮残液からのビスフェノールＡとフェノー
ルの付加物の晶析は、通常減圧下で水の蒸発潜熱を利用
して冷却する真空冷却晶析法によって行われる。この真
空冷却晶析法においては、該濃縮残液に、水を３〜２０
重量％程度添加し、通常温度４０〜７０℃、圧力３〜１
３ｋＰａの条件で晶析処理が行われる。上記水の添加量
が３重量％未満では除熱能力が十分ではなく、２０重量
％を超えるとビスフェノールＡの溶解ロスが大きくな
り、好ましくない。また晶析温度が４０℃未満では晶析
液の粘度の増大や固化をもたらすおそれがあり、７０℃
を超えるとビスフェノールＡの溶解ロスが大きくなり好
ましくない。
きた反応混合物は、公知の方法により後処理が施され、
ビスフェノールＡが取り出される。次に、この後処理の
一例について説明すると、まず晶析に先立って濃縮を行
う。濃縮条件については特に制限はないが、通常温度１
３０〜１７０℃、圧力１３〜５３ｋＰａの条件で濃縮が
行われる。温度が１３０℃未満では高真空が必要とな
り、１７０℃を超えると不純物が増加したり、着色の原
因となる。また、濃縮残液のビスフェノールＡの濃度は
２５〜４０重量％の範囲にあるのが有利である。この濃
度が２５重量％未満ではビスフェノールＡの回収率が低
く、４０重量％を超えると晶析後のスラリーの移送が困
難となる。濃縮残液からのビスフェノールＡとフェノー
ルの付加物の晶析は、通常減圧下で水の蒸発潜熱を利用
して冷却する真空冷却晶析法によって行われる。この真
空冷却晶析法においては、該濃縮残液に、水を３〜２０
重量％程度添加し、通常温度４０〜７０℃、圧力３〜１
３ｋＰａの条件で晶析処理が行われる。上記水の添加量
が３重量％未満では除熱能力が十分ではなく、２０重量
％を超えるとビスフェノールＡの溶解ロスが大きくな
り、好ましくない。また晶析温度が４０℃未満では晶析
液の粘度の増大や固化をもたらすおそれがあり、７０℃
を超えるとビスフェノールＡの溶解ロスが大きくなり好
ましくない。
【００１２】次に、このようにして晶析されたビスフェ
ノールＡとフェノールの付加物は、公知の方法により分
離したのち、通常、フェノールにより洗浄処理が施され
る。次いで、洗浄処理された付加物をビスフェノールＡ
とフェノールとに分離処理するが、この場合、温度は通
常１３０〜２００℃、好ましくは１５０〜１８０℃の範
囲で選ばれ、一方圧力は通常３〜２０ｋＰａの範囲で選
ばれる。この分離処理により得られたビスフェノールＡ
は、その中の残留フェノールをスチームストリッピング
などの方法により、実質上完全に除去することによっ
て、高品質のビスフェノールＡが得られる。
ノールＡとフェノールの付加物は、公知の方法により分
離したのち、通常、フェノールにより洗浄処理が施され
る。次いで、洗浄処理された付加物をビスフェノールＡ
とフェノールとに分離処理するが、この場合、温度は通
常１３０〜２００℃、好ましくは１５０〜１８０℃の範
囲で選ばれ、一方圧力は通常３〜２０ｋＰａの範囲で選
ばれる。この分離処理により得られたビスフェノールＡ
は、その中の残留フェノールをスチームストリッピング
などの方法により、実質上完全に除去することによっ
て、高品質のビスフェノールＡが得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明を実施例により、さらに詳しく
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。 実施例１ 内径１０ｍｍ、長さ１５００ｍｍの円筒形容器に、陽イ
オン交換樹脂〔スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン
コポリマー、三菱化学社製，商品名：ダイヤイオンＳＫ
１０４〕１４ミリリットルを充填し、この反応塔にフェ
ノール３００ｇ／ｈｒ、アセトン２５ｇ／ｈｒ及びエチ
ルメルカプタン１．３ｇ／ｈｒの流量で連続的に流し、
７５℃で反応を行った。この際のアセトン／フェノール
モル比は１／１０、ＬＨＳＶは３０ｈｒ-1であり、原料
空塔速度は２ｍ／ｈｒであった。４８時間運転を行った
ところ、平均フェノール転化率は６％であり、また比活
性は０．６であった。なお、ここで比活性とは、フェノ
ール転化率／初期フェノール転化率のことである。 実施例２ 実施例１において、反応温度７５℃、アセトン／フェノ
ールモル比１／１０、ＬＨＳＶ３０ｈｒ-1を維持したま
ま、原料空塔速度を３．８ｍ／ｈｒに変えた以外は、実
施例１と同様にして反応を行った。なお、ＬＨＳＶを３
０ｈｒ-1に維持するために、陽イオン交換樹脂の充填量
を調整した。４８時間運転を行ったところ、平均フェノ
ール転化率は６％であり、また比活性は０．６であっ
た。
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。 実施例１ 内径１０ｍｍ、長さ１５００ｍｍの円筒形容器に、陽イ
オン交換樹脂〔スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン
コポリマー、三菱化学社製，商品名：ダイヤイオンＳＫ
１０４〕１４ミリリットルを充填し、この反応塔にフェ
ノール３００ｇ／ｈｒ、アセトン２５ｇ／ｈｒ及びエチ
ルメルカプタン１．３ｇ／ｈｒの流量で連続的に流し、
７５℃で反応を行った。この際のアセトン／フェノール
モル比は１／１０、ＬＨＳＶは３０ｈｒ-1であり、原料
空塔速度は２ｍ／ｈｒであった。４８時間運転を行った
ところ、平均フェノール転化率は６％であり、また比活
性は０．６であった。なお、ここで比活性とは、フェノ
ール転化率／初期フェノール転化率のことである。 実施例２ 実施例１において、反応温度７５℃、アセトン／フェノ
ールモル比１／１０、ＬＨＳＶ３０ｈｒ-1を維持したま
ま、原料空塔速度を３．８ｍ／ｈｒに変えた以外は、実
施例１と同様にして反応を行った。なお、ＬＨＳＶを３
０ｈｒ-1に維持するために、陽イオン交換樹脂の充填量
を調整した。４８時間運転を行ったところ、平均フェノ
ール転化率は６％であり、また比活性は０．６であっ
た。
【００１４】比較例１ 実施例２において、原料空塔速度を３．８ｍ／ｈｒから
０．５ｍ／ｈｒに変更した以外は、実施例２と同様にし
て反応を行った。４８時間運転を行ったところ、平均フ
ェノール転化率は４％であり、また比活性は０．６であ
った。比較例１を実施例２と比べると、劣化速度は同じ
であるが、転化率全体が低下していることが分かる。 比較例２ 実施例２において、原料空塔速度を３．８ｍ／ｈｒから
８ｍ／ｈｒに変更した以外は、実施例２と同様にして反
応を行った。４８時間運転を行ったところ、平均フェノ
ール転化率は４．５％であり、また比活性は０．４であ
った。比較例２を実施例２と比べると、初期転化率は同
等であるが、劣化速度が早くなる為に、平均フェノール
転化率は低下することが分かる。
０．５ｍ／ｈｒに変更した以外は、実施例２と同様にし
て反応を行った。４８時間運転を行ったところ、平均フ
ェノール転化率は４％であり、また比活性は０．６であ
った。比較例１を実施例２と比べると、劣化速度は同じ
であるが、転化率全体が低下していることが分かる。 比較例２ 実施例２において、原料空塔速度を３．８ｍ／ｈｒから
８ｍ／ｈｒに変更した以外は、実施例２と同様にして反
応を行った。４８時間運転を行ったところ、平均フェノ
ール転化率は４．５％であり、また比活性は０．４であ
った。比較例２を実施例２と比べると、初期転化率は同
等であるが、劣化速度が早くなる為に、平均フェノール
転化率は低下することが分かる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の方法においては、陽イオン交換
樹脂を触媒とし、メルカプタン類を助触媒として、フェ
ノールとアセトンとからビスフェノールＡを製造するに
際し、反応塔内の原料空塔速度を制御することにより、
フェノール転化率を向上させ、ビスフェノールＡを効率
よく製造することができる。
樹脂を触媒とし、メルカプタン類を助触媒として、フェ
ノールとアセトンとからビスフェノールＡを製造するに
際し、反応塔内の原料空塔速度を制御することにより、
フェノール転化率を向上させ、ビスフェノールＡを効率
よく製造することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 陽イオン交換樹脂を触媒とし、かつ遊離
のメルカプタン類を助触媒として、フェノールとアセト
ンとを縮合させ、ビスフェノールＡを製造するに当た
り、陽イオン交換樹脂を充填してなる反応塔内の原料空
塔速度を1.５〜６ｍ／ｈｒの範囲に制御することを特徴
とするビスフェノールＡの製造方法。 - 【請求項２】 反応塔が、Ｌ（高さ）／Ｄ（直径）１以
下のものである請求項１記載のビスフェノールＡの製造
方法。 - 【請求項３】 陽イオン交換樹脂が、スルホン酸型陽イ
オン交換樹脂である請求項１又は２記載のビスフェノー
ルＡの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001003632A JP2002205966A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | ビスフェノールａの製造方法 |
| BR0109130-1A BR0109130A (pt) | 2001-01-11 | 2001-12-17 | Processo para a produção de bisfenol a |
| PCT/JP2001/011036 WO2002055462A1 (fr) | 2001-01-11 | 2001-12-17 | Procede pour produire du bisphenol a |
| US10/204,404 US20030013928A1 (en) | 2001-01-11 | 2001-12-17 | Process for producing bisphenol a |
| KR1020027011880A KR20020079995A (ko) | 2001-01-11 | 2001-12-17 | 비스페놀 ａ의 제조방법 |
| EP01273182A EP1350781A4 (en) | 2001-01-11 | 2001-12-17 | PROCESS FOR PRODUCING BISPHENOL A |
| CN01806347A CN1416413A (zh) | 2001-01-11 | 2001-12-17 | 生产双酚a的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001003632A JP2002205966A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | ビスフェノールａの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002205966A true JP2002205966A (ja) | 2002-07-23 |
Family
ID=18871948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001003632A Withdrawn JP2002205966A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | ビスフェノールａの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030013928A1 (ja) |
| EP (1) | EP1350781A4 (ja) |
| JP (1) | JP2002205966A (ja) |
| KR (1) | KR20020079995A (ja) |
| CN (1) | CN1416413A (ja) |
| BR (1) | BR0109130A (ja) |
| WO (1) | WO2002055462A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006509818A (ja) * | 2002-12-12 | 2006-03-23 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | ビスフェノールの合成方法 |
| WO2010084929A1 (ja) | 2009-01-22 | 2010-07-29 | 三菱化学株式会社 | ビスフェノール化合物の製造方法 |
| WO2011055819A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 三菱化学株式会社 | ビスフェノール化合物製造用触媒及びビスフェノール化合物の製造方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8244370B2 (en) * | 2001-04-13 | 2012-08-14 | Greatbatch Ltd. | Band stop filter employing a capacitor and an inductor tank circuit to enhance MRI compatibility of active medical devices |
| JP4042325B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2008-02-06 | 三菱化学株式会社 | アミノチオール変性スルホン酸型陽イオン交換樹脂の保存方法 |
| US9295828B2 (en) | 2001-04-13 | 2016-03-29 | Greatbatch Ltd. | Self-resonant inductor wound portion of an implantable lead for enhanced MRI compatibility of active implantable medical devices |
| US10080889B2 (en) | 2009-03-19 | 2018-09-25 | Greatbatch Ltd. | Low inductance and low resistance hermetically sealed filtered feedthrough for an AIMD |
| US10350421B2 (en) | 2013-06-30 | 2019-07-16 | Greatbatch Ltd. | Metallurgically bonded gold pocket pad for grounding an EMI filter to a hermetic terminal for an active implantable medical device |
| US10596369B2 (en) | 2011-03-01 | 2020-03-24 | Greatbatch Ltd. | Low equivalent series resistance RF filter for an active implantable medical device |
| US10272252B2 (en) | 2016-11-08 | 2019-04-30 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an AIMD having a composite brazed conductive lead |
| US11198014B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-12-14 | Greatbatch Ltd. | Hermetically sealed filtered feedthrough assembly having a capacitor with an oxide resistant electrical connection to an active implantable medical device housing |
| US9427596B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-08-30 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
| USRE46699E1 (en) | 2013-01-16 | 2018-02-06 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
| CN105237360A (zh) * | 2015-09-17 | 2016-01-13 | 黑龙江省科学院石油化学研究院 | 双酚e的制备方法 |
| US10249415B2 (en) | 2017-01-06 | 2019-04-02 | Greatbatch Ltd. | Process for manufacturing a leadless feedthrough for an active implantable medical device |
| US10905888B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-02 | Greatbatch Ltd. | Electrical connection for an AIMD EMI filter utilizing an anisotropic conductive layer |
| US10912945B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-09 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an active implantable medical device having a feedthrough capacitor partially overhanging a ferrule for high effective capacitance area |
| WO2020099285A1 (en) * | 2018-11-12 | 2020-05-22 | Sabic Global Technologies B.V. | Ion-exchange resin core-shell catalyst particles |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL124542B1 (en) * | 1978-12-30 | 1983-01-31 | Instytut Ciezkiej Syntezy Organicznej "Blachownia" | Method of manufacture of bisphenol a |
| JPS62221650A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ２，２−ビス（４−ヒドロキシフエニル）プロパンの製造における未反応アセトンの回収法 |
| US5087767A (en) * | 1989-12-25 | 1992-02-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Method for preparing bisphenol a |
| JPH041149A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-06 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | ビスフェノールａの製造方法 |
| US5315042A (en) * | 1993-03-22 | 1994-05-24 | General Electric Company | Use of partial acetone conversion for capacity increase and quality/yield improvement in the bisphenol-A reaction |
| JP4012322B2 (ja) * | 1998-10-22 | 2007-11-21 | 出光興産株式会社 | ビスフェノールａの製造方法 |
-
2001
- 2001-01-11 JP JP2001003632A patent/JP2002205966A/ja not_active Withdrawn
- 2001-12-17 WO PCT/JP2001/011036 patent/WO2002055462A1/ja active Application Filing
- 2001-12-17 KR KR1020027011880A patent/KR20020079995A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-12-17 CN CN01806347A patent/CN1416413A/zh active Pending
- 2001-12-17 US US10/204,404 patent/US20030013928A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-17 BR BR0109130-1A patent/BR0109130A/pt not_active Application Discontinuation
- 2001-12-17 EP EP01273182A patent/EP1350781A4/en not_active Withdrawn
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| US8445731B2 (en) | 2009-01-22 | 2013-05-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for producing bisphenol compound |
| KR20160119286A (ko) | 2009-01-22 | 2016-10-12 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 비스페놀 화합물의 제조 방법 |
| WO2011055819A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 三菱化学株式会社 | ビスフェノール化合物製造用触媒及びビスフェノール化合物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR0109130A (pt) | 2002-12-03 |
| EP1350781A1 (en) | 2003-10-08 |
| US20030013928A1 (en) | 2003-01-16 |
| WO2002055462A1 (fr) | 2002-07-18 |
| EP1350781A4 (en) | 2005-07-13 |
| KR20020079995A (ko) | 2002-10-21 |
| CN1416413A (zh) | 2003-05-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20101004 |