JP2002201456A - 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 - Google Patents
接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対して低抵抗の電
気接続が得られ、かつショート発生のない電気・電子用
の接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び
回路端子の接続構造を提供する。 【解決手段】 相対向する回路電極間に介在され、相対
向する回路電極を加圧し、加圧方向の電極間を電気的に
接続する接着剤であり、その接着剤組成物が、（１）加
熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤、（２）ラジカ
ル重合性物質、（３）フィルム形成材、（４）導電粒子
を必須成分として含有し、加熱加圧前の面積（Ａ）と加
熱加圧後の面積（Ｂ）を用いて表される流動性（Ｂ）／
（Ａ）の値が１．３〜２．０である接着剤組成物。第一
の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子
を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の
接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接
続端子と第二の接続端子の間に上記の接着剤組成物を介
在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子
と第二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続
方法。
気接続が得られ、かつショート発生のない電気・電子用
の接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び
回路端子の接続構造を提供する。 【解決手段】 相対向する回路電極間に介在され、相対
向する回路電極を加圧し、加圧方向の電極間を電気的に
接続する接着剤であり、その接着剤組成物が、（１）加
熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤、（２）ラジカ
ル重合性物質、（３）フィルム形成材、（４）導電粒子
を必須成分として含有し、加熱加圧前の面積（Ａ）と加
熱加圧後の面積（Ｂ）を用いて表される流動性（Ｂ）／
（Ａ）の値が１．３〜２．０である接着剤組成物。第一
の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子
を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の
接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接
続端子と第二の接続端子の間に上記の接着剤組成物を介
在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子
と第二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着剤組成物、そ
れを用いたCHIP-ON-GLASS実装（以下ＣＯＧ実装と呼
ぶ）またはCHIP-ON-FLEX（以下ＣＯＦ実装と呼ぶ）にお
ける回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造に関す
る。
れを用いたCHIP-ON-GLASS実装（以下ＣＯＧ実装と呼
ぶ）またはCHIP-ON-FLEX（以下ＣＯＦ実装と呼ぶ）にお
ける回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示用ガラスパネルへの液晶駆動用
ＩＣの実装は、液晶駆動用ＩＣを直接ガラスパネル上に
回路接続部材で接合するＣＯＧ実装方法や、液晶駆動用
ＩＣを金属配線を有するフレキシブルテープに接合しガ
ラスパネルと回路接続部材で接合するＣＯＦ実装方法が
用いられる。液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用Ｉ
Ｃの電極である金バンプは狭ピッチ化、狭面積化してい
る。このため、接合材料中の導電粒子が隣接電極間に流
出し、ショートを発生させるといった問題や、バンプ上
に捕捉される接合材料中の導電粒子数が減少し、接続不
良を起こすといった問題がある。そこで、これらの問題
を解決するため、接合材料の少なくとも片面に絶縁性の
接着層を形成することで、ＣＯＧ実装及びＣＯＦ実装に
おける接合品質の低下を防ぐ方法が開発されている（例
えば特開平８−２７９３７１号公報）。
ＩＣの実装は、液晶駆動用ＩＣを直接ガラスパネル上に
回路接続部材で接合するＣＯＧ実装方法や、液晶駆動用
ＩＣを金属配線を有するフレキシブルテープに接合しガ
ラスパネルと回路接続部材で接合するＣＯＦ実装方法が
用いられる。液晶表示の高精細化に伴い、液晶駆動用Ｉ
Ｃの電極である金バンプは狭ピッチ化、狭面積化してい
る。このため、接合材料中の導電粒子が隣接電極間に流
出し、ショートを発生させるといった問題や、バンプ上
に捕捉される接合材料中の導電粒子数が減少し、接続不
良を起こすといった問題がある。そこで、これらの問題
を解決するため、接合材料の少なくとも片面に絶縁性の
接着層を形成することで、ＣＯＧ実装及びＣＯＦ実装に
おける接合品質の低下を防ぐ方法が開発されている（例
えば特開平８−２７９３７１号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記接
続部材はバンプ面積が３０００μｍ2未満となった場
合、バンプ上に捕捉される接合材料中の導電粒子数が減
少し、安定した接続抵抗値を得るのに十分ではなく、ま
た接続抵抗値を低下させるため、粒子の充填量を増やす
とショート発生率が上昇し、絶縁不良が発生するという
問題があった。本発明は、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対
して低抵抗の電気接続が得られ、かつショート発生のな
い電気・電子用の接着剤組成物、それを用いた回路端子
の接続方法及び回路端子の接続構造を提供するものであ
る。
続部材はバンプ面積が３０００μｍ2未満となった場
合、バンプ上に捕捉される接合材料中の導電粒子数が減
少し、安定した接続抵抗値を得るのに十分ではなく、ま
た接続抵抗値を低下させるため、粒子の充填量を増やす
とショート発生率が上昇し、絶縁不良が発生するという
問題があった。本発明は、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実装に対
して低抵抗の電気接続が得られ、かつショート発生のな
い電気・電子用の接着剤組成物、それを用いた回路端子
の接続方法及び回路端子の接続構造を提供するものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、〔１〕相対向
する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧
し、加圧方向の電極間を電気的に接続する接着剤であ
り、その接着剤組成物が、（１）加熱により遊離ラジカ
ルを発生する硬化剤、（２）ラジカル重合性物質、
（３）フィルム形成材、（４）導電粒子を必須成分とし
て含有し、加熱加圧前の面積（Ａ）と加熱加圧後の面積
（Ｂ）を用いて表される流動性（Ｂ）／（Ａ）の値が
１．３〜２．０である接着剤組成物である。接着剤組成
物の流動性が１．３未満では流動性が悪く、良好な接続
が得られない場合があり、２．０を超えると、バンプ上
に捕捉される導電粒子の数が少ないため、接続部分の電
気抵抗値が上昇してしまう。流動性の測定は、厚み０.
７ｍｍ、１５ｍｍ×１５ｍｍのガラスを用いて、厚み３
５μｍ、５ｍｍ×５ｍｍの接着剤組成物をこの２枚のガ
ラス間に挟み、２００℃、２ＭＰａ、１０秒で加熱加圧
を行い、初期の面積（Ａ）と加熱加圧後の面積（Ｂ）か
ら（Ｂ）／（Ａ）の値を求めた。この面積は、画像処理
装置などを用いても測定することができる。各接着層の
厚みが異なる場合、その厚みに比例させ接合材料の厚み
が３５μｍとなるようにした。 〔２〕導電粒子の表面が、有機高分子化合物で覆われて
いる上記〔１〕記載の接着剤組成物である。また本発明
は、〔３〕第一の接続端子を有する第一の回路部材と、
第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接
続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配
置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に上記
〔１〕または上記〔２〕に記載の接着剤組成物を介在さ
せ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第
二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方法
である。 〔４〕少なくとも一方の接続端子を有する回路部材がＩ
Ｃチップである上記〔３〕に記載の回路端子の接続方法
である。 〔５〕少なくとも一方の接続端子の表面が金、銀、錫、
白金族の金属、インジュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）から
選ばれる少なくとも一種で構成される上記〔３〕または
〔４〕に記載の回路端子の接続方法である。 〔６〕少なくとも一方の回路部材表面が窒化シリコン、
シリコーン化合物、ポリイミド樹脂から選ばれる少なく
とも一種でコーティングもしくは付着している上記
〔３〕ないし上記〔５〕のいずれかに記載の回路端子の
接続方法である。さらに本発明は、〔７〕上記〔３〕な
いし上記〔６〕のいずれかに記載の回路端子の接続方法
で得られる回路端子の接続構造である。
する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧
し、加圧方向の電極間を電気的に接続する接着剤であ
り、その接着剤組成物が、（１）加熱により遊離ラジカ
ルを発生する硬化剤、（２）ラジカル重合性物質、
（３）フィルム形成材、（４）導電粒子を必須成分とし
て含有し、加熱加圧前の面積（Ａ）と加熱加圧後の面積
（Ｂ）を用いて表される流動性（Ｂ）／（Ａ）の値が
１．３〜２．０である接着剤組成物である。接着剤組成
物の流動性が１．３未満では流動性が悪く、良好な接続
が得られない場合があり、２．０を超えると、バンプ上
に捕捉される導電粒子の数が少ないため、接続部分の電
気抵抗値が上昇してしまう。流動性の測定は、厚み０.
７ｍｍ、１５ｍｍ×１５ｍｍのガラスを用いて、厚み３
５μｍ、５ｍｍ×５ｍｍの接着剤組成物をこの２枚のガ
ラス間に挟み、２００℃、２ＭＰａ、１０秒で加熱加圧
を行い、初期の面積（Ａ）と加熱加圧後の面積（Ｂ）か
ら（Ｂ）／（Ａ）の値を求めた。この面積は、画像処理
装置などを用いても測定することができる。各接着層の
厚みが異なる場合、その厚みに比例させ接合材料の厚み
が３５μｍとなるようにした。 〔２〕導電粒子の表面が、有機高分子化合物で覆われて
いる上記〔１〕記載の接着剤組成物である。また本発明
は、〔３〕第一の接続端子を有する第一の回路部材と、
第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接
続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配
置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に上記
〔１〕または上記〔２〕に記載の接着剤組成物を介在さ
せ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第
二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方法
である。 〔４〕少なくとも一方の接続端子を有する回路部材がＩ
Ｃチップである上記〔３〕に記載の回路端子の接続方法
である。 〔５〕少なくとも一方の接続端子の表面が金、銀、錫、
白金族の金属、インジュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）から
選ばれる少なくとも一種で構成される上記〔３〕または
〔４〕に記載の回路端子の接続方法である。 〔６〕少なくとも一方の回路部材表面が窒化シリコン、
シリコーン化合物、ポリイミド樹脂から選ばれる少なく
とも一種でコーティングもしくは付着している上記
〔３〕ないし上記〔５〕のいずれかに記載の回路端子の
接続方法である。さらに本発明は、〔７〕上記〔３〕な
いし上記〔６〕のいずれかに記載の回路端子の接続方法
で得られる回路端子の接続構造である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で使用する（３）フィルム
形成材としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマー
ル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹
脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。フィルム形成材
とは、液状物を固形化し、構成組成物をフィルム形状と
した場合に、そのフィルムの取扱いが容易で、容易に裂
けたり、割れたり、べたついたりしない機械特性等を付
与するものであり、通常の状態でフィルムとしての取扱
いができるものである。フィルム形成材の中でも接着
性、相溶性、耐熱性、機械強度に優れることからフェノ
キシ樹脂が好ましい。フェノキシ樹脂は２官能フェノー
ル類とエピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、
又は２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類を重付加
させることにより得られる樹脂である。具体的には、２
官能フェノール類１モルとエピハロヒドリン０．９８５
〜１．０１５とをアルカリ金属水酸化物の存在下におい
て非反応性溶媒中で４０〜１２０℃の温度で反応させる
ことにより得ることができる。また、樹脂の機械的特性
や熱的特性の点からは、特に２官能性エポキシ樹脂と２
官能性フェノール類の配合当量比をエポキシ基／フェノ
ール水酸基＝１／０．９〜１／１．１としアルカリ金属
化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触
媒の存在下で沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル
系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤
中で反応固形分が５０重量部以下で５０〜２００℃に加
熱して重付加反応させて得たものが好ましい。２官能エ
ポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
ＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂
などがある。２官能フェノール類は２個のフェノール性
水酸基を持つもので、例えば、ハイドロキノン類、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ
Ｄ、ビスフェノールＳ等のビスフェノール類などが挙げ
られる。フェノキシ樹脂はラジカル重合性の官能基によ
り変性されていてもよい。フェノキシ樹脂は、単独で用
いても、２種類以上を混合して用いてもよい。
形成材としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマー
ル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹
脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。フィルム形成材
とは、液状物を固形化し、構成組成物をフィルム形状と
した場合に、そのフィルムの取扱いが容易で、容易に裂
けたり、割れたり、べたついたりしない機械特性等を付
与するものであり、通常の状態でフィルムとしての取扱
いができるものである。フィルム形成材の中でも接着
性、相溶性、耐熱性、機械強度に優れることからフェノ
キシ樹脂が好ましい。フェノキシ樹脂は２官能フェノー
ル類とエピハロヒドリンを高分子量まで反応させるか、
又は２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類を重付加
させることにより得られる樹脂である。具体的には、２
官能フェノール類１モルとエピハロヒドリン０．９８５
〜１．０１５とをアルカリ金属水酸化物の存在下におい
て非反応性溶媒中で４０〜１２０℃の温度で反応させる
ことにより得ることができる。また、樹脂の機械的特性
や熱的特性の点からは、特に２官能性エポキシ樹脂と２
官能性フェノール類の配合当量比をエポキシ基／フェノ
ール水酸基＝１／０．９〜１／１．１としアルカリ金属
化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触
媒の存在下で沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル
系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤
中で反応固形分が５０重量部以下で５０〜２００℃に加
熱して重付加反応させて得たものが好ましい。２官能エ
ポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
ＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂
などがある。２官能フェノール類は２個のフェノール性
水酸基を持つもので、例えば、ハイドロキノン類、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ
Ｄ、ビスフェノールＳ等のビスフェノール類などが挙げ
られる。フェノキシ樹脂はラジカル重合性の官能基によ
り変性されていてもよい。フェノキシ樹脂は、単独で用
いても、２種類以上を混合して用いてもよい。
【０００６】本発明で使用する（１）加熱により遊離ラ
ジカルを発生する硬化剤としては、過酸化化合物、アゾ
系化合物などの加熱により分解して遊離ラジカルを発生
するものであり、目的とする接続温度、接続時間、ポッ
トライフ等により適宜選定されるが、高反応性とポット
ライフの点から、半減期１０時間の温度が４０℃以上、
かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下の有機過酸化物
が好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上、か
つ、半減期１分の温度が１７０℃以下の有機過酸化物が
より好ましい。接続時間を１０秒以下とした場合、硬化
剤の配合量は十分な反応率を得るためにラジカル重合性
物質とフィルム形成材の合計１００重量部に対して、
０．１〜３０重量部とするのが好ましく１〜２０重量部
がより好ましい。硬化剤の配合量が０．１重量部未満で
は、十分な反応率を得ることができず良好な接着強度や
小さな接続抵抗が得られにくくなる傾向にある。配合量
が３０重量部を超えると、接着剤組成物の流動性が低下
したり、接続抵抗が上昇したり、接着剤組成物のポット
ライフが短くなる傾向にある。
ジカルを発生する硬化剤としては、過酸化化合物、アゾ
系化合物などの加熱により分解して遊離ラジカルを発生
するものであり、目的とする接続温度、接続時間、ポッ
トライフ等により適宜選定されるが、高反応性とポット
ライフの点から、半減期１０時間の温度が４０℃以上、
かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下の有機過酸化物
が好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上、か
つ、半減期１分の温度が１７０℃以下の有機過酸化物が
より好ましい。接続時間を１０秒以下とした場合、硬化
剤の配合量は十分な反応率を得るためにラジカル重合性
物質とフィルム形成材の合計１００重量部に対して、
０．１〜３０重量部とするのが好ましく１〜２０重量部
がより好ましい。硬化剤の配合量が０．１重量部未満で
は、十分な反応率を得ることができず良好な接着強度や
小さな接続抵抗が得られにくくなる傾向にある。配合量
が３０重量部を超えると、接着剤組成物の流動性が低下
したり、接続抵抗が上昇したり、接着剤組成物のポット
ライフが短くなる傾向にある。
【０００７】硬化剤は、ジアシルパーオキサイド、パー
オキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキ
シケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパー
オキサイド、シリルパーオキサイドなどから選定でき
る。また、回路部材の接続端子の腐食を押さえるため
に、硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸は５００
０ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解
後に発生する有機酸が少ないものがより好ましい。具体
的には、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイ
ド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドか
ら選定され、高反応性が得られるパーオキシエステルか
ら選定されることがより好ましい。上記硬化剤は、適宜
混合して用いることができる。
オキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオキ
シケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパー
オキサイド、シリルパーオキサイドなどから選定でき
る。また、回路部材の接続端子の腐食を押さえるため
に、硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸は５００
０ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解
後に発生する有機酸が少ないものがより好ましい。具体
的には、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイ
ド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドか
ら選定され、高反応性が得られるパーオキシエステルか
ら選定されることがより好ましい。上記硬化剤は、適宜
混合して用いることができる。
【０００８】ジアシルパーオキサイドとしては、イソブ
チルパーオキサイド、2，4−ジクロロベンゾイルパーオ
キサイド、3，5，5−トリメチルへキサノイルパーオキ
サイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパー
オキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニツ
クパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベ
ンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。
チルパーオキサイド、2，4−ジクロロベンゾイルパーオ
キサイド、3，5，5−トリメチルへキサノイルパーオキ
サイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパー
オキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニツ
クパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベ
ンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。
【０００９】パーオキシジカーボネートとしては、ジ−
n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピ
ルパーオキシジカーボネート、ビス（4−t−ブチルシク
ロへキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−2−エト
キシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（2−エチ
ルへキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシブ
チルパーオキシジカーボネート、ジ（3−メチル−3メト
キシブチルパーオキシ）ジカーボネート等が挙げられ
る。
n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピ
ルパーオキシジカーボネート、ビス（4−t−ブチルシク
ロへキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−2−エト
キシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（2−エチ
ルへキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシブ
チルパーオキシジカーボネート、ジ（3−メチル−3メト
キシブチルパーオキシ）ジカーボネート等が挙げられ
る。
【００１０】パーオキシエステルとしては、クミルパー
オキシネオデカノエート、1，1，3，3−テトラメチルブ
チルパーオキシネオデカノエート、1−シクロへキシル
−1−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、t−へ
キシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオ
キシピバレート、1，1，3，3−テトラメチルブチルパー
オキシ−2−エチルへキサノネート、2，5−ジメチル−
2，5−ジ（2−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサ
ン、1−シクロへキシル−1−メチルエチルパーオキシ−
2−エチルヘキサノネート、t−へキシルパーオキシ−2
−エチルへキサノネート、t−ブチルパーオキシ−2−エ
チルへキサノネート、t−ブチルパーオキシイソブチレ
ート、1，1−ビス（t−ブチルパーオキシ）シクロへキ
サン、t−へキシルパーオキシイソプロピルモノカーボ
ネート、t−ブチルパーオキシ−3，5，5−トリメチルへ
キサノネート、t−ブチルパーオキシラウレート、2，5
−ジメチル−2，5−ジ（m−トルオイルパーオキシ）へ
キサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボ
ネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルへキシルモノ
カーボネート、t−へキシルパーオキシベンゾエート、t
−ブチルパーオキシアセテート等が挙げられる。
オキシネオデカノエート、1，1，3，3−テトラメチルブ
チルパーオキシネオデカノエート、1−シクロへキシル
−1−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、t−へ
キシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオ
キシピバレート、1，1，3，3−テトラメチルブチルパー
オキシ−2−エチルへキサノネート、2，5−ジメチル−
2，5−ジ（2−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサ
ン、1−シクロへキシル−1−メチルエチルパーオキシ−
2−エチルヘキサノネート、t−へキシルパーオキシ−2
−エチルへキサノネート、t−ブチルパーオキシ−2−エ
チルへキサノネート、t−ブチルパーオキシイソブチレ
ート、1，1−ビス（t−ブチルパーオキシ）シクロへキ
サン、t−へキシルパーオキシイソプロピルモノカーボ
ネート、t−ブチルパーオキシ−3，5，5−トリメチルへ
キサノネート、t−ブチルパーオキシラウレート、2，5
−ジメチル−2，5−ジ（m−トルオイルパーオキシ）へ
キサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボ
ネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルへキシルモノ
カーボネート、t−へキシルパーオキシベンゾエート、t
−ブチルパーオキシアセテート等が挙げられる。
【００１１】パーオキシケタールとしては、1，1−ビス
（t−へキシルパーオキシ）−3，3，5−トリメチルシク
ロへキサン、1，1−ビス（t−へキシルパーオキシ）シ
クロヘキサン、1，1−ビス（t−ブチルパーオキシ）−
3，3，5−トリメチルシクロへキサン、1，1−（t−ブチ
ルパーオキシ）シクロドデカン、2，2−ビス（t−ブチ
ルパーオキシ）デカン等が挙げられる。
（t−へキシルパーオキシ）−3，3，5−トリメチルシク
ロへキサン、1，1−ビス（t−へキシルパーオキシ）シ
クロヘキサン、1，1−ビス（t−ブチルパーオキシ）−
3，3，5−トリメチルシクロへキサン、1，1−（t−ブチ
ルパーオキシ）シクロドデカン、2，2−ビス（t−ブチ
ルパーオキシ）デカン等が挙げられる。
【００１２】ジアルキルパーオキサイドとしては、α，
α’−ビス（t−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベ
ンゼン、ジクミルパーオキサイド、2，5−ジメチル−
2，5−ジ（t−ブチルパーオキシ）へキサン、t−ブチル
クミルパーオキサイド等が挙げられる。
α’−ビス（t−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベ
ンゼン、ジクミルパーオキサイド、2，5−ジメチル−
2，5−ジ（t−ブチルパーオキシ）へキサン、t−ブチル
クミルパーオキサイド等が挙げられる。
【００１３】ハイドロパーオキサイドとしては、ジイソ
プロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイ
ドロパーオキサイド等が挙げられる。
プロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイ
ドロパーオキサイド等が挙げられる。
【００１４】シリルパーオキサイドとしては、t−ブチ
ルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（t−ブチ
ル）ジメチルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリビ
ニルシリルパーオキサイド、ビス（t−ブチル）ジビニ
ルシリルパーオキサイド、トリス（t−ブチル）ビニル
シリルパーオキサイド、t−ブチルトリアリルシリルパ
ーオキサイド、ビス（t−ブチル）ジアリルシリルパー
オキサイド、トリス（t−ブチル）アリルシリルパーオ
キサイド等が挙げられる。
ルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（t−ブチ
ル）ジメチルシリルパーオキサイド、t−ブチルトリビ
ニルシリルパーオキサイド、ビス（t−ブチル）ジビニ
ルシリルパーオキサイド、トリス（t−ブチル）ビニル
シリルパーオキサイド、t−ブチルトリアリルシリルパ
ーオキサイド、ビス（t−ブチル）ジアリルシリルパー
オキサイド、トリス（t−ブチル）アリルシリルパーオ
キサイド等が挙げられる。
【００１５】これらの加熱により遊離ラジカルを発生す
る硬化剤は、単独又は混合して使用することができ、分
解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。また、こ
れらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分
子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは、可
使時間が延長されるために好ましい。
る硬化剤は、単独又は混合して使用することができ、分
解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。また、こ
れらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分
子物質等で被覆してマイクロカプセル化したものは、可
使時間が延長されるために好ましい。
【００１６】本発明で使用する（２）ラジカル重合性物
質としては、ラジカルにより重合する官能基を有する物
質であり、アクリレート、メタクリレート、マレイミド
化合物等が挙げられる。ラジカル重合性物質はモノマ
ー、オリゴマーいずれの状態で用いることが可能であ
り、モノマーとオリゴマーを併用することも可能であ
る。アクリレート（メタクリレート）の具体例として
は、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプ
ロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチレ
ングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジ
アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、2−
ヒドロキシ−1，3−ジアクリロキシプロパン、2，2−ビ
ス［4−（アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパ
ン、2，2−ビス［4−（アクリロキシポリエトキシ）フ
ェニル］プロパン、ジシクロペンチニルアクリレート、
トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロイ
ロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレー
ト、これらのアクリレートに対応するメタクリレート等
が挙げられる。これらは単独又は併用して用いることが
でき、必要によってはハドロキノン、メチルエーテルハ
イドロキノン類などの重合禁止剤を適宜用いてもよい。
また、ジシクロペンチニル基及び／又はトリシクロデカ
ニル基および／またはトリアジン環を有する場合は、耐
熱性が向上するので好ましい。
質としては、ラジカルにより重合する官能基を有する物
質であり、アクリレート、メタクリレート、マレイミド
化合物等が挙げられる。ラジカル重合性物質はモノマ
ー、オリゴマーいずれの状態で用いることが可能であ
り、モノマーとオリゴマーを併用することも可能であ
る。アクリレート（メタクリレート）の具体例として
は、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプ
ロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチレ
ングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジ
アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、2−
ヒドロキシ−1，3−ジアクリロキシプロパン、2，2−ビ
ス［4−（アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパ
ン、2，2−ビス［4−（アクリロキシポリエトキシ）フ
ェニル］プロパン、ジシクロペンチニルアクリレート、
トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロイ
ロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレー
ト、これらのアクリレートに対応するメタクリレート等
が挙げられる。これらは単独又は併用して用いることが
でき、必要によってはハドロキノン、メチルエーテルハ
イドロキノン類などの重合禁止剤を適宜用いてもよい。
また、ジシクロペンチニル基及び／又はトリシクロデカ
ニル基および／またはトリアジン環を有する場合は、耐
熱性が向上するので好ましい。
【００１７】マレイミド化合物としては、分子中にマレ
イミド基を少なくとも２個以上含有するもので、例え
ば、1−メチル−2，4−ビスマレイミドベンゼン、N，
N’−m−フェニレンビスマレイミド、N，N’−ｐ−フェ
ニレンビスマレイミド、N，N’−m−トルイレンビスマ
レイミド、N，N’−4，4−ビフェニレンビスマレイミ
ド、N，N’−4，4−（3，3’−ジメチル−ビフェニレ
ン）ビスマレイミド、N，N’−4，4−（3，3’−ジメチ
ルジフェニルメタン）ビスマレイミド、N，N’−4，4−
（3，3’−ジエチルジフェニルメタン）ビスマレイミ
ド、N，N’−4，4−ジフェニルメタンビスマレイミド、
N，N’−4，4−ジフェニルプロパンビスマレイミド、
N，N’−3，3’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、
N，N’−4，4−ジフェニルエーテルビスマレイミド、
2，2−ビス（4−（4−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル）プロパン、2，2−ビス（3−ｓ−ブチル−4，8−（4
−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、1，1−
ビス（4−（4−マレイミドフェノキシ）フェニル）デカ
ン、4，4’−シクロへキシリデン−ビス（1−（4−マレ
イミドフェノキシ）−2−シクロへキシルベンゼン、2，
2−ビス（4−（4−マレイミドフェノキシ）フェニル）
へキサフルオロプロパン等が挙げられる。これらは単独
でもまた組み合わせても使用できる。
イミド基を少なくとも２個以上含有するもので、例え
ば、1−メチル−2，4−ビスマレイミドベンゼン、N，
N’−m−フェニレンビスマレイミド、N，N’−ｐ−フェ
ニレンビスマレイミド、N，N’−m−トルイレンビスマ
レイミド、N，N’−4，4−ビフェニレンビスマレイミ
ド、N，N’−4，4−（3，3’−ジメチル−ビフェニレ
ン）ビスマレイミド、N，N’−4，4−（3，3’−ジメチ
ルジフェニルメタン）ビスマレイミド、N，N’−4，4−
（3，3’−ジエチルジフェニルメタン）ビスマレイミ
ド、N，N’−4，4−ジフェニルメタンビスマレイミド、
N，N’−4，4−ジフェニルプロパンビスマレイミド、
N，N’−3，3’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、
N，N’−4，4−ジフェニルエーテルビスマレイミド、
2，2−ビス（4−（4−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル）プロパン、2，2−ビス（3−ｓ−ブチル−4，8−（4
−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、1，1−
ビス（4−（4−マレイミドフェノキシ）フェニル）デカ
ン、4，4’−シクロへキシリデン−ビス（1−（4−マレ
イミドフェノキシ）−2−シクロへキシルベンゼン、2，
2−ビス（4−（4−マレイミドフェノキシ）フェニル）
へキサフルオロプロパン等が挙げられる。これらは単独
でもまた組み合わせても使用できる。
【００１８】本発明の接着剤組成物には、アクリル酸、
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルまたはアク
リロニトリルのうち少なくとも一つをモノマー成分とし
た重合体又は共重合体を使用することができ、グリシジ
ルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリ
シジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを
併用した場合、応力緩和に優れるので好ましい。これら
アクリルゴムの分子量（重量平均）は接着剤の凝集力を
高める点から２０万以上が好ましい。
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルまたはアク
リロニトリルのうち少なくとも一つをモノマー成分とし
た重合体又は共重合体を使用することができ、グリシジ
ルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリ
シジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを
併用した場合、応力緩和に優れるので好ましい。これら
アクリルゴムの分子量（重量平均）は接着剤の凝集力を
高める点から２０万以上が好ましい。
【００１９】本発明の接着剤組成物には、さらに、充填
剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、難燃化剤、色素、チ
キソトロピック剤、カップリング剤及びフェノール樹脂
やメラミン樹脂、イソシアネート類等を含有することも
できる。充填剤を含有した場合、接続信頼性等の向上が
得られるので好ましい。充填剤の最大径が導電粒子の粒
径未満であれば使用でき、５〜６０体積部（接着剤樹脂
成分１００体積部に対して）の範囲が好ましい。６０体
積部を超えると信頼性向上の効果が飽和することがあ
り、５体積部未満では添加の効果が少ない。
剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、難燃化剤、色素、チ
キソトロピック剤、カップリング剤及びフェノール樹脂
やメラミン樹脂、イソシアネート類等を含有することも
できる。充填剤を含有した場合、接続信頼性等の向上が
得られるので好ましい。充填剤の最大径が導電粒子の粒
径未満であれば使用でき、５〜６０体積部（接着剤樹脂
成分１００体積部に対して）の範囲が好ましい。６０体
積部を超えると信頼性向上の効果が飽和することがあ
り、５体積部未満では添加の効果が少ない。
【００２０】カップリング剤としてはケチミン、ビニル
基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びイソシアネ
ート基含有物が、接着性の向上の点から好ましい。具体
的には、アミノ基を有するシランカップリング剤とし
て、N−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、N−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン等が挙げられる。ケチミンを有するシ
ランカップリング剤として、上記のアミノ基を有するシ
ランカップリング剤に、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン化合物を反応さ
せて得られたものが挙げられる。
基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びイソシアネ
ート基含有物が、接着性の向上の点から好ましい。具体
的には、アミノ基を有するシランカップリング剤とし
て、N−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、N−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン等が挙げられる。ケチミンを有するシ
ランカップリング剤として、上記のアミノ基を有するシ
ランカップリング剤に、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン等のケトン化合物を反応さ
せて得られたものが挙げられる。
【００２１】本発明の接着剤組成物は導電粒子が無くて
も、接続時に相対向する回路電極の直接接触により接続
が得られるが、導電粒子を含有した場合、より安定した
接続が得られる。導電粒子としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、はんだ等の金属粒子やカーボン等があり、十
分なポットライフを得るためには、表層はＮｉ、Ｃｕ等
の遷移金属類ではなくＡｕ、Ａｇ、白金属の貴金属類が
好ましくＡｕがより好ましい。また、Ｎｉ等の遷移金属
類の表面をＡｕ等の貴金属類で被覆したものでもよい。
また、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等
に前記した導通層を被覆等により形成し最外層を貴金属
類としたものでもよい。プラスチックに導通層を被覆等
により形成した場合や熱溶融金属粒子の揚合、加熱加圧
により変形性を有するので接続時に電極との接触面積が
増加し、回路部材の回路端子の厚みばらつきを吸収し信
頼性が向上するので好ましい。貴金属類の被覆層の厚み
は良好な抵抗を得るためには、１００オングストローム
以上が好ましい。しかし、Ｎｉ等の遷移金属の上に貴金
属類の層をもうける揚合では、貴金属類層の欠損や導電
粒子の混合分散時に生じる貴金属類層の欠損等により生
じる酸化還元作用で遊離ラジカルが発生し保存性低下を
引き起こすため、３００オングストローム以上が好まし
い。そして、厚くなるとそれらの効果が飽和してくるの
で最大１μｍにするのが望ましいが制限するものではな
い。導電粒子は、接着剤樹脂成分１００体積部に対して
０．１〜３０体積部の範囲で用途により使い分ける。過
剰な導電粒子による隣接回路の短絡等を防止するために
は０．１〜１０体積部とするのがより好ましい。導電粒
子は、その導電粒子の表面が、有機高分子化合物で覆わ
れていることが好ましく、有機高分子化合物の被覆はマ
イクロカプセルの手法に通常用いられている方法を採用
することができる。例えば、導電粒子に高分子化合物の
スプレー、浸漬乾燥などである。被覆厚みは、絶縁性を
有すればよく、極めて薄い厚みでもよい。
も、接続時に相対向する回路電極の直接接触により接続
が得られるが、導電粒子を含有した場合、より安定した
接続が得られる。導電粒子としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、はんだ等の金属粒子やカーボン等があり、十
分なポットライフを得るためには、表層はＮｉ、Ｃｕ等
の遷移金属類ではなくＡｕ、Ａｇ、白金属の貴金属類が
好ましくＡｕがより好ましい。また、Ｎｉ等の遷移金属
類の表面をＡｕ等の貴金属類で被覆したものでもよい。
また、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等
に前記した導通層を被覆等により形成し最外層を貴金属
類としたものでもよい。プラスチックに導通層を被覆等
により形成した場合や熱溶融金属粒子の揚合、加熱加圧
により変形性を有するので接続時に電極との接触面積が
増加し、回路部材の回路端子の厚みばらつきを吸収し信
頼性が向上するので好ましい。貴金属類の被覆層の厚み
は良好な抵抗を得るためには、１００オングストローム
以上が好ましい。しかし、Ｎｉ等の遷移金属の上に貴金
属類の層をもうける揚合では、貴金属類層の欠損や導電
粒子の混合分散時に生じる貴金属類層の欠損等により生
じる酸化還元作用で遊離ラジカルが発生し保存性低下を
引き起こすため、３００オングストローム以上が好まし
い。そして、厚くなるとそれらの効果が飽和してくるの
で最大１μｍにするのが望ましいが制限するものではな
い。導電粒子は、接着剤樹脂成分１００体積部に対して
０．１〜３０体積部の範囲で用途により使い分ける。過
剰な導電粒子による隣接回路の短絡等を防止するために
は０．１〜１０体積部とするのがより好ましい。導電粒
子は、その導電粒子の表面が、有機高分子化合物で覆わ
れていることが好ましく、有機高分子化合物の被覆はマ
イクロカプセルの手法に通常用いられている方法を採用
することができる。例えば、導電粒子に高分子化合物の
スプレー、浸漬乾燥などである。被覆厚みは、絶縁性を
有すればよく、極めて薄い厚みでもよい。
【００２２】本発明の接着剤組成物は、ＣＯＧ実装やＣ
ＯＦ実装における、フレキシブルテープやガラス基板と
ＩＣチップとの接着用のフィルム状接着剤として使用す
ることもできる。すなわち、第一の接続端子を有する第
一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部
材とを第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置
し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子
の間に本発明の接着剤組成物（フィルム状接着剤）を介
在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子
と第二の接続端子を電気的に接続させることができる。
これらの回路部材には接続端子が通常は多数（場合によ
っては単数でもよい）設けられており、前記回路部材の
少なくとも１組をそれらの回路部材に設けられた接続端
子の少なくとも一部を対向配置し、対向配置した接続端
子間に本発明の接着剤を介在させ、加熱加圧することで
対向配置した接続端子同士を電気的に接続して回路板と
する。回路部材の少なくとも１組を加熱加圧することに
より、対向配置した接続端子同士は、直接接触により又
は接着剤組成物中の導電粒子を介して電気的に接続する
ことができる。
ＯＦ実装における、フレキシブルテープやガラス基板と
ＩＣチップとの接着用のフィルム状接着剤として使用す
ることもできる。すなわち、第一の接続端子を有する第
一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部
材とを第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置
し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子
の間に本発明の接着剤組成物（フィルム状接着剤）を介
在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子
と第二の接続端子を電気的に接続させることができる。
これらの回路部材には接続端子が通常は多数（場合によ
っては単数でもよい）設けられており、前記回路部材の
少なくとも１組をそれらの回路部材に設けられた接続端
子の少なくとも一部を対向配置し、対向配置した接続端
子間に本発明の接着剤を介在させ、加熱加圧することで
対向配置した接続端子同士を電気的に接続して回路板と
する。回路部材の少なくとも１組を加熱加圧することに
より、対向配置した接続端子同士は、直接接触により又
は接着剤組成物中の導電粒子を介して電気的に接続する
ことができる。
【００２３】本発明の回路端子の接続方法は、本発明の
接着剤組成物を、接続端子の表面が、金、銀、錫、白金
族の金属、インジュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）から選ば
れる少なくとも一種から構成される接続端子（電極回
路）に形成した後、もう一方の接続端子（回路電極）を
位置合わせし加熱加圧して接続することができる。この
とき、一方の回路部材側から光を照射してもよい。本発
明においては、フレキシブルテープがポリイミド樹脂等
の有機絶縁物質、ガラス基板の表面が窒化シリコン、シ
リコーン化合物、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂から
選ばれる少なくとも一種でコーティングもしくは付着し
た回路部材に対して特に良好な接着強度が得られる電気
・電子用の接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続
方法及び回路端子の接続構造の提供が可能となる。
接着剤組成物を、接続端子の表面が、金、銀、錫、白金
族の金属、インジュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）から選ば
れる少なくとも一種から構成される接続端子（電極回
路）に形成した後、もう一方の接続端子（回路電極）を
位置合わせし加熱加圧して接続することができる。この
とき、一方の回路部材側から光を照射してもよい。本発
明においては、フレキシブルテープがポリイミド樹脂等
の有機絶縁物質、ガラス基板の表面が窒化シリコン、シ
リコーン化合物、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂から
選ばれる少なくとも一種でコーティングもしくは付着し
た回路部材に対して特に良好な接着強度が得られる電気
・電子用の接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続
方法及び回路端子の接続構造の提供が可能となる。
【００２４】
【実施例】（実施例１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂とビスフェノールＡからガラス転移温度が８０℃のフ
ェノキシ樹脂を合成した。この樹脂５０ｇを、重量比で
トルエン（沸点１１０.６℃）／酢酸エチル（沸点７７.
１℃）＝５０／５０の混合溶剤に溶解して、固形分４０
重量％の溶液とした。フィルム形成材としてフェノキシ
樹脂（固形重量比） ６０ｇ、ラジカル重合性物質とし
てジシクロペンテニルジアルコールジアクリレート ３
９ｇ、リン酸エステル型アクリレート（Ｐ２Ｍ；共栄社
油脂株式会社製商品名） １ｇ、加熱により遊離ラジカ
ルを発生する硬化剤としてt−へキシルパーオキシ−2−
エチルへキサノネート ５ｇとなるように配合し、導電
粒子（ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み０．２
μｍのニッケル層、その外側に厚み０．０４μｍの金層
を設けた平均粒径５μｍ粒子にＰＶＡ溶液により数〜数
百Åの厚さに被覆）を５体積％配合分散させ、厚み８０
μｍの片面を表面処理したＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート）フィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０
℃、１０分の熱風乾燥により、接着剤層の厚みが２０μ
ｍのフィルム状接着剤組成物を得た。
脂とビスフェノールＡからガラス転移温度が８０℃のフ
ェノキシ樹脂を合成した。この樹脂５０ｇを、重量比で
トルエン（沸点１１０.６℃）／酢酸エチル（沸点７７.
１℃）＝５０／５０の混合溶剤に溶解して、固形分４０
重量％の溶液とした。フィルム形成材としてフェノキシ
樹脂（固形重量比） ６０ｇ、ラジカル重合性物質とし
てジシクロペンテニルジアルコールジアクリレート ３
９ｇ、リン酸エステル型アクリレート（Ｐ２Ｍ；共栄社
油脂株式会社製商品名） １ｇ、加熱により遊離ラジカ
ルを発生する硬化剤としてt−へキシルパーオキシ−2−
エチルへキサノネート ５ｇとなるように配合し、導電
粒子（ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み０．２
μｍのニッケル層、その外側に厚み０．０４μｍの金層
を設けた平均粒径５μｍ粒子にＰＶＡ溶液により数〜数
百Åの厚さに被覆）を５体積％配合分散させ、厚み８０
μｍの片面を表面処理したＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート）フィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０
℃、１０分の熱風乾燥により、接着剤層の厚みが２０μ
ｍのフィルム状接着剤組成物を得た。
【００２５】（実施例２）固形重量比でフェノキシ樹脂
５０ｇ、ジシクロペンチニルジアルコールジアクリレ
ート ４９ｇとなるように配合したほかは実施例１と同
様にしてフィルム状接着剤組成物を得た。
５０ｇ、ジシクロペンチニルジアルコールジアクリレ
ート ４９ｇとなるように配合したほかは実施例１と同
様にしてフィルム状接着剤組成物を得た。
【００２６】（比較例１）固形重量比でフェノキシ樹脂
４０ｇ、ジシクロペンテニルジアルコールジアクリレ
ート ５９ｇとしたほかは実施例１と同様にしてフィル
ム状接着剤組成物を得た。
４０ｇ、ジシクロペンテニルジアルコールジアクリレ
ート ５９ｇとしたほかは実施例１と同様にしてフィル
ム状接着剤組成物を得た。
【００２７】（回路の接続）バンプ面積５０μｍ×５０
μｍ、ピッチ１００μｍ、高さ２０μｍの金バンプを配
置したＩＣチップと厚み１．１ｍｍのガラス上にインジ
ュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）を蒸着により形成したＩＴ
Ｏ基板（表面抵抗、＜２０Ω／□）とを、上記接着剤組
成物を用い、石英ガラスと加圧ヘッドで挟み、２００
℃、１００ＭＰａ(バンプ面積換算)で１０秒間加熱加圧
して接続した。このとき、フィルム状接着剤組成物はあ
らかじめＩＴＯ基板上に、接着剤組成物の接着面を７０
℃、０.５ＭＰａ(バンプ面積換算)で５秒間加熱加圧し
て貼り付け、その後、ＰＥＴフィルムを剥離してＩＣチ
ップと接続した。 （流動性の測定）厚み０．７ｍｍ、１５ｍｍ×１５ｍｍ
のガラスを用いて、厚み３５μｍ、５ｍｍ×５ｍｍの回
路接続用樹脂組成物からなる回路用接続材料をこのガラ
スに挟み、２００℃、２ＭＰａ、１０秒で加熱加圧を行
い、初期の面積（Ａ）と加熱加圧後の面積（Ｂ）から
（Ｂ）／（Ａ）の値を求めた。 （バンプ上捕捉粒子数の測定）回路の接続後、ガラス側
からバンプを金属顕微鏡（倍率２００倍）で観察し、バ
ンプ上の導電粒子数をカウントし平均値を求めた。 （接続抵抗の測定）回路の接続後接続部の電気抵抗値
を、初期と、−４０℃／３０分と１００℃／３０分の温
度サイクル槽中に５００サイクル保持した後に２端子測
定法を用いマルチメータで測定した。それらの測定結果
を表１に示した。
μｍ、ピッチ１００μｍ、高さ２０μｍの金バンプを配
置したＩＣチップと厚み１．１ｍｍのガラス上にインジ
ュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）を蒸着により形成したＩＴ
Ｏ基板（表面抵抗、＜２０Ω／□）とを、上記接着剤組
成物を用い、石英ガラスと加圧ヘッドで挟み、２００
℃、１００ＭＰａ(バンプ面積換算)で１０秒間加熱加圧
して接続した。このとき、フィルム状接着剤組成物はあ
らかじめＩＴＯ基板上に、接着剤組成物の接着面を７０
℃、０.５ＭＰａ(バンプ面積換算)で５秒間加熱加圧し
て貼り付け、その後、ＰＥＴフィルムを剥離してＩＣチ
ップと接続した。 （流動性の測定）厚み０．７ｍｍ、１５ｍｍ×１５ｍｍ
のガラスを用いて、厚み３５μｍ、５ｍｍ×５ｍｍの回
路接続用樹脂組成物からなる回路用接続材料をこのガラ
スに挟み、２００℃、２ＭＰａ、１０秒で加熱加圧を行
い、初期の面積（Ａ）と加熱加圧後の面積（Ｂ）から
（Ｂ）／（Ａ）の値を求めた。 （バンプ上捕捉粒子数の測定）回路の接続後、ガラス側
からバンプを金属顕微鏡（倍率２００倍）で観察し、バ
ンプ上の導電粒子数をカウントし平均値を求めた。 （接続抵抗の測定）回路の接続後接続部の電気抵抗値
を、初期と、−４０℃／３０分と１００℃／３０分の温
度サイクル槽中に５００サイクル保持した後に２端子測
定法を用いマルチメータで測定した。それらの測定結果
を表１に示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】フィルム形成材として用いたフェノキシ樹
脂の配合量が少なく、ラジカル重合性物質の配合量が多
くなると流動性が増加してくる。流動性が増加するとバ
ンプ上の導電粒子数が減少してくる。粒子数が減少する
と温度サイクル試験後の接続信頼性を評価する接続抵抗
の大幅な増加が見られ、２０Ω以上にもなる。本発明の
接合材料の流動性が１．３〜２．０の範囲では、初期と
信頼性試験後の接続抵抗が両者で低く良好な結果を示
す。一方、比較例１の流動性が２．７では、初期値の接
続抵抗は低く良好であるが、信頼性試験後の接続抵抗は
著しく大きくなり回路部材の接合材料には適しない。ま
た、種々実験した結果、流動性が１.３未満では、流動性
が悪く気泡の巻き込みを生じ良好な接続が得られなかっ
た。導電粒子が有機高分子で覆われている場合、流動性
に大きな影響はないが、隣接接続端子間のショートの発
生がなく絶縁不良が解消される。また、導電粒子の充填
量を増やし、確実な接続を確保することができた。
脂の配合量が少なく、ラジカル重合性物質の配合量が多
くなると流動性が増加してくる。流動性が増加するとバ
ンプ上の導電粒子数が減少してくる。粒子数が減少する
と温度サイクル試験後の接続信頼性を評価する接続抵抗
の大幅な増加が見られ、２０Ω以上にもなる。本発明の
接合材料の流動性が１．３〜２．０の範囲では、初期と
信頼性試験後の接続抵抗が両者で低く良好な結果を示
す。一方、比較例１の流動性が２．７では、初期値の接
続抵抗は低く良好であるが、信頼性試験後の接続抵抗は
著しく大きくなり回路部材の接合材料には適しない。ま
た、種々実験した結果、流動性が１.３未満では、流動性
が悪く気泡の巻き込みを生じ良好な接続が得られなかっ
た。導電粒子が有機高分子で覆われている場合、流動性
に大きな影響はないが、隣接接続端子間のショートの発
生がなく絶縁不良が解消される。また、導電粒子の充填
量を増やし、確実な接続を確保することができた。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＯＧ実装やＣＯＦ実
装において、バンプ面積の小さい駆動用ＩＣであっても
低抵抗の電気接続が得られる、電気・電子用の接着剤組
成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の
接続構造の提供が可能となる。
装において、バンプ面積の小さい駆動用ＩＣであっても
低抵抗の電気接続が得られる、電気・電子用の接着剤組
成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の
接続構造の提供が可能となる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ Ｈ０１Ｒ 4/04 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ Ｈ０５Ｋ 3/32 (72)発明者 廣澤 幸寿 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮事業所内 (72)発明者 藤井 正規 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮事業所内 Ｆターム(参考） 4J040 DB031 DD061 EB061 EB081 ED001 EF001 EG001 FA092 FA132 FA302 GA01 GA07 GA11 GA20 GA22 HA026 HA066 HC14 KA11 LA09 MA10 NA19 NA20 PA30 4M109 AA01 BA05 BA07 CA22 EA20 EB02 EB18 EC07 5E085 BB28 CC01 DD06 EE23 EE34 EE36 FF11 GG27 HH18 JJ19 JJ36 JJ50 5E319 AB05 AC04 AC17 BB11 BB20 CC12 5F044 KK03 KK06 LL07 LL11 RR17 RR18 RR19
Claims (7)
- 【請求項１】 相対向する回路電極間に介在され、相対
向する回路電極を加圧し、加圧方向の電極間を電気的に
接続する接着剤であり、その接着剤組成物が、（１）加
熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤、（２）ラジカ
ル重合性物質、（３）フィルム形成材、（４）導電粒子
を必須成分として含有し、加熱加圧前の面積（Ａ）と加
熱加圧後の面積（Ｂ）を用いて表される流動性（Ｂ）／
（Ａ）の値が１．３〜２．０である接着剤組成物。 - 【請求項２】 導電粒子の表面が、有機高分子化合物で
覆われている請求項１に記載の接着剤組成物。 - 【請求項３】 第一の接続端子を有する第一の回路部材
と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一
の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対
向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請求
項１または請求項２に記載の接着剤組成物を介在させ、
加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の
接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方法。 - 【請求項４】 少なくとも一方の接続端子を有する回路
部材がＩＣチップである請求項３に記載の回路端子の接
続方法。 - 【請求項５】 少なくとも一方の接続端子の表面が金、
銀、錫、白金族の金属、インジュウム−錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）から選ばれる少なくとも一種で構成される請求項３
または請求項４に記載の回路端子の接続方法。 - 【請求項６】 少なくとも一方の回路部材表面が窒化シ
リコン、シリコーン化合物、ポリイミド樹脂から選ばれ
る少なくとも一種でコーティングもしくは付着している
請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の回路端子の
接続方法。 - 【請求項７】 請求項３ないし請求項６のいずれかに記
載の回路端子の接続方法で得られる回路端子の接続構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401500A JP2002201456A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
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| JP2000401500A JP2002201456A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
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|---|---|
| JP2002201456A true JP2002201456A (ja) | 2002-07-19 |
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ID=18865925
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|---|---|---|---|
| JP2000401500A Pending JP2002201456A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2002201456A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203871A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 |
| JP2005320455A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続材料、回路部材の接続構造及び半導体装置 |
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| JPH11134934A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 異方導電性接着剤 |
| JP2000124249A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、それを用いた半導体実装基板、液晶表示装置、および電子機器 |
| JP2000178511A (ja) * | 1997-07-24 | 2000-06-27 | Sony Chem Corp | 多層異方導電性接着剤およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000401500A patent/JP2002201456A/ja active Pending
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