JP2002197633A

JP2002197633A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2002197633A
Application number: JP2000391354A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Wakao; 仁志若生
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-12-22
Filing date: 2000-12-22
Publication date: 2002-07-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】磁気テープの保磁力を高め、媒体ノイズの低減
化を図り、Ｃ／Ｎ特性の向上を図る。【解決手段】磁性層２を磁性結晶粒２ｂが非磁性相２ａ
によって分離されたグラニュラー構造とし、磁性層を構
成する磁性結晶粒２ｂをＣｏおよびＣｏ系合金とし、非
磁性相２ａが金属酸化物によって構成されて成るものと
し、非磁性相２ａの金属酸化物を構成する金属の室温に
おける酸化反応での自由エネルギー変化量が、Ｃｏの酸
化反応での自由エネルギー変化量よりも大きいものとす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特にＭＲヘッドお
よびＧＭＲヘッドに対応した高密度記録の磁気記録媒体
に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来より、テープ状の磁気記録媒体とし
ては、例えばポリエチレンテレフタレートフィルムより
なる非磁性支持体上に、酸化物磁性粉末あるいは合金磁
性粉末等の磁性材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル重合
体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合
剤中に分散させた磁性塗料を塗布、乾燥させて作製され
る、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く知られてい
る。

【０００３】これに対して、高密度記録化への要求か
ら、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合
金、ＣｏＯ等の強磁性材料を、メッキや真空薄膜形成技
術（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等）によって、ポリエステルフィルム、ポリアミ
ドフィルム、ポリイミドフィルム等の各種の非磁性支持
体上に直接被着せしめて強磁性金属薄膜よりなる磁性層
を有する、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が実用化
されている。

【０００４】このような磁気記録媒体は、保磁力、残留
磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚さをきわめて薄く形成でき
るため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さいこと、磁
性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要がないた
め、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化が得られる
ことができる等、数々の利点を有している。

【０００５】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際
し、磁性層を斜めに蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案
され、高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴＲ用の磁気テープ
として実用化されている。

【０００６】上述のような利点を有する磁気記録媒体で
あるが、近年のコンピュータの発達に伴い、さらなる大
容量の記録媒体が要求されている。特に、ハードディス
クの内容を磁気テープに記録し、保存するテープストリ
ーマーは、ハードディスクの大容量化に対応して記録容
量を増加させる必要がある。

【０００７】上記ハードディスクにおいては、高密度記
録化、小型化、大容量化に対応して、磁気ヘッドについ
て従来の誘導型ヘッドに代わり、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（ＧＭＲヘッド）が適用されるようになってきており、
対応する磁気記録媒体の高密度記録化、低ノイズ特性が
さらに要求されるようになってきている。

【０００８】このような磁気記録媒体は、磁性層として
は、ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ等
のＣｏＰｔ系合金と、Ｃｒ下地との組み合わせによって
高い磁気特性を発揮するＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等
のＣｏＣｒ系合金を用いたものがある。

【０００９】磁気テープにおいても、従来のインダクテ
ィブヘッドから、ＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対
応して更なる高密度化の要求が高まってきており、斜め
蒸着により磁性層を形成した磁気テープと、ＭＲヘッド
を組み合わせることにより、１〔Ｇｂｉｔ／ｉｎ²〕の
記録密度が実現可能になっている。さらに、高感度のＧ
ＭＲヘッドを再生用磁気ヘッドに適用することによっ
て、さらなる記録密度の向上を図ることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の特性上重要なこととし
て、ヘッド自体に起因するノイズが従来のインダクティ
ブヘッドに比べ著しく低く、磁気テープの磁性層に起因
するいわゆる媒体ノイズを低減させなければ、高感度の
磁気ヘッドのもつ優れた高密度記録特性を発揮させるこ
とができない。

【００１１】上述した点に鑑み、磁気テープの媒体ノイ
ズの低減化を図るため、磁性層の下地層として酸化層を
形成したりしている。

【００１２】また、ハードディスクに適用されている磁
性層の組成を磁気テープに応用することも検討されてい
るが、ハードディスクは、作製工程中に熱処理工程を有
するため、一般的に熱可塑性の高分子フィルムを非磁性
支持体とする磁気テープは、高温の熱処理工程に不適当
である。

【００１３】そこで、本発明者は鋭意研究の結果、ＭＲ
ヘッドやＧＭＲヘッド等の高感度磁気ヘッドに適用する
磁気記録媒体において、工程中に熱処理工程を経ること
なく磁性層の形成を可能とし、高い保磁力を有し媒体ノ
イズの低減化を図った磁気テープ媒体を提案した。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、長尺状の非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技
術により形成した磁性層を有し、ＭＲヘッドあるいはＧ
ＭＲヘッドを用いる記録再生システムに対応するもので
ある。磁性層は、磁性結晶粒が非磁性相によって分離さ
れたグラニュラー構造を有し、磁性結晶粒がＣｏおよび
Ｃｏ系合金であり、非磁性相が、少なくとも金属酸化物
によって構成されて成るものとする。

【００１５】本発明によれば、テープ形状の磁気記録媒
体を構成する磁性層を、磁性結晶粒が非磁性相によって
分離されてなるいわゆるグラニュラー構造に特定したこ
とによって、保磁力の向上および媒体ノイズの低減化が
図られる。

【００１６】また、磁性層を構成する磁性結晶粒および
非磁性相を材料的に選定することによって、グラニュラ
ー構造を形成するための熱処理工程を経ることを必要と
せず、グラニュラー構造を有する磁性層を磁気テープの
磁性層として適用することができ、磁気テープにおいて
飛躍的な保磁力の向上およびＣ／Ｎ特性の向上が図られ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、長尺状
の非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技術により形
成した磁性層を有し、ＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッド
を用いる記録再生システムに対応するものである。磁性
層は、磁性結晶粒が非磁性相によって分離されたグラニ
ュラー構造を有し、磁性結晶粒がＣｏおよびその合金で
あり、非磁性相が、少なくとも金属酸化物によって構成
されて成るものとする。

【００１８】図１に本発明の磁気記録媒体の概略断面図
を示す。磁気記録媒体１００は、長尺形状の非磁性支持
体１の一主面に、グラニュラー構造の磁性層２を有し、
磁性層２上に保護層３が順次形成された構成を有する。
以下、詳細に説明する。

【００１９】非磁性支持体１には、通常、磁気テープの
基体として用いられている公知の材料をいずれも適用す
ることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエーテルイミド等が挙げられる。

【００２０】非磁性支持体１の表面性は、非磁性支持体
１上に、真空薄膜形成技術により磁性層２を形成した場
合に磁性層２の表面性に影響を与え、最終的に得られる
磁気記録媒体１００のＣ／Ｎや走行耐久性に影響を与え
るので、フィラーを分散させた塗料を塗布して微細な凹
凸を付加し、走行安定性、耐久性の向上を図ることが望
ましい。

【００２１】また、非磁性支持体１と後述する磁性層２
との間には、付着力の向上および保磁力の向上を図るた
めにＣｒ等の下地層を形成することが好ましい。

【００２２】磁性層２は、例えば、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ
₃、ＺｒＯ₂等の金属酸化物よりなる非磁性相２ａを母
材として、内部にＣｏ、およびＣｏ系合金よりなる磁性
結晶粒２ｂが含有されて成り、磁性結晶粒２ｂが非磁性
相２ａに微細に分散した、いわゆるグラニュラー構造を
有する。

【００２３】磁性結晶粒２ｂを微細に分散させ、かつ非
磁性相２ａと明瞭な境界をもって分離させるためには、
磁性結晶粒２ｂの主成分であるＣｏと混ざり合わないよ
うにすることが必要である。ハードディスクにおいて
は、非磁性相としてＣやＡｇ等が用いられ、磁性結晶粒
と非磁性相との明確な分離を図るために熱処理を行うこ
とが必要とされている。

【００２４】これに対し、本発明の磁気記録媒体１００
においては、非磁性相２ａとして、所定の金属酸化物を
用い、この場合には、酸素との親和力により、媒体に加
熱処理を施さなくても、相分離を実現した。

【００２５】このとき、非磁性相２ａの金属酸化物を構
成する金属元素は、磁性結晶粒２ｂのＣｏよりも酸素に
対して親和性が高いこと、すなわち、成膜時の支持体温
度において酸化反応の自由エネルギー変化量が、Ｃｏの
酸化反応の自由エネルギー変化量よりも大きいことが必
要である（自由エネルギー変化については、（社）日本
金属学会編、冶金物理化学を参照。）。

【００２６】磁性層２を構成する磁性結晶粒２ｂのＣｏ
系合金としては、Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｄ，Ｃｏ−Ｓ
ｍ，Ｃｏ−Ｇｄ，Ｃｏ−Ｔｂ，Ｄｏ−Ｄｙ，Ｃｏ−Ｈ
ｏ，Ｃｏ−Ｅｒ，Ｃｏ−Ｌａ，Ｃｏ−Ｙ，Ｃｏ−Ｃｅ，
Ｃｏ−Ｐｒ，Ｃｏ−Ｔｈ，Ｃｏ−Ｆｅ等が挙げられる。

【００２７】また、非磁性相２ａとなる金属酸化物とし
ては、Ｃａ，Ｍｇ，Ｌｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｃ
ｒ，Ｎａ，Ｚｎ，Ｋ，Ｚｒの酸化物が挙げられる。

【００２８】上述した磁性層２は、アルゴンを主成分と
する雰囲気中で放電を起こし、アルゴンイオンでターゲ
ット表面の原子を叩き出すスパッタ法によって形成する
ことができる。

【００２９】図２に、磁性層２の成膜を行うマグネトロ
ンＲＦスパッタ装置４００の概略構成図を示す。このマ
グネトロンスパッタ装置４００においては、真空ポンプ
４３２によって、略真空状態となされたチャンバー４３
１内に、供給ロール４３９と、巻き取りロール４４０と
が設けられ、これら供給ロール４３９と巻き取りロール
４４０に、非磁性支持体１が順次走行するようになされ
ている。これら供給ロール４３９から巻き取りロール４
４０に非磁性支持体１が走行する途中には、円筒状の回
転可能な対向電極用キャン４３５が設けられている。

【００３０】なお、供給ロール４３９と対向電極用キャ
ン４３５との間、および対向電極用キャン４３５と巻き
取りロール４４０との間には、それぞれガイドロール４
４１が配置され、非磁性支持体１に所定のテンションを
かけ、非磁性支持体１が円滑に走行するようになされて
いる。

【００３１】また、対向電極用キャン４３５と対向する
位置には、ターゲット４３６が設けられている。ターゲ
ット４３６は、磁性層２の形成材料となるものである。
このとき、ターゲット４３６は、金属磁性材料部４３６
ａと非磁性材料部４３６ｂとで構成されており、例えば
ＣｏＰｔ合金よりなる金属磁性材料部４３６ａ上に、例
えばＳｉＯ₂のチップよりなる非磁性材料部４３６ｂ
が、均一に配置されている。このとき、金属磁性材料部
４３６ａ上における非磁性材料部４３６ｂの面積比率
は、例えば５〔％〕程度となるようにする。

【００３２】なお、ターゲットは、目的とする磁性層２
の組成によって適宜材料および使用量の変更が可能であ
る。すなわち、例えば金属磁性材料部４３６ａとしてＣ
ｏ金属を用いて、この上にＰｔ等の磁性層の磁気特性を
高めるための金属のチップおよび非磁性材料部４３６ｂ
のチップを配置することもできる。

【００３３】ターゲット４３６は、カソード電極を構成
するバッキングプレート４３７に支持されている。バッ
キングプレート４３７の裏面には、磁場を形成するマグ
ネット４３８が配設されている。

【００３４】このマグネトロンＲＦスパッタ装置４００
において、磁性層２を形成する場合には、チャンバー４
３１内を真空ポンプ４３２によって、例えば約１０
^-4〔Ｐａ〕程度に減圧した後、真空ポンプ４３２側に排
気するバルブ４３３を調節して排気速度を制御する。一
方においてガス導入管４３４からＡｒガスを導入して真
空度を例えば１．０〔Ｐａ〕とする。

【００３５】そして、ガス導入管４３４からＡｒガスを
導入するとともに、対向電極用キャン４３５をアノー
ド、バッキングプレート４３７をカソードとして、これ
らの間に周波数が１３．５６〔ＭＨｚ〕の高周波電源を
用いて、約２〔ｋＷ〕の電力を投入する。この際、電力
を効率良く利用するために、入力端子部分のマッチング
ボックスを利用する。

【００３６】また、高周波の漏れを防止するために、チ
ャンバー４３１は金属で構成されているものとする。

【００３７】電圧の印加により、Ａｒガスがプラズマ化
し、電離されたイオンがターゲット４３６に衝突するこ
とにより、ターゲット４３６の原子がはじき出される。
このとき、バッキングプレート４３７の裏面に配置され
たマグネット４３８により、ターゲット４３６近傍には
磁場が形成されるので、電離されたイオンはターゲット
４３６近傍に集中することとなる。

【００３８】そして、ターゲット４３６からはじき出さ
れた原子は、矢印方向に繰り出され対向電極用キャン４
３５の外周面に沿って走行する非磁性支持体１上に被着
し、磁性層２の形成がなされる。

【００３９】このようにして磁性層２が形成された非磁
性支持体１は、巻き取りロール４４０に巻き取られるよ
うになされている。

【００４０】上述のようにして成膜した磁性層２は、磁
性結晶粒が非磁性相によって分離されたグラニュラー構
造を有するものである。図３に、本発明の磁気記録媒体
１００の一例の磁性層２の微視的な状態図を示す。図３
においては、透過電子顕微鏡観察（ＴＥＭ観察）によっ
て得られた磁性層２の表面ＴＥＭ像に基づき、結晶粒界
に沿って線を引いた模式的な結晶粒像を示す。

【００４１】図３において、隣接する磁性結晶粒２ｂ
は、互いに１〔ｎｍ〕以上分離しており、磁性結晶粒２
ｂ間には明瞭な非磁性相２ａが確認される。磁性結晶粒
２ｂの形状は、概ね球体、または楕円体であり、磁性結
晶粒２ｂの高さは、磁性層２の膜厚以下である。

【００４２】磁性結晶粒２ｂとしては、Ｃｏを主成分と
する合金が好適であるが、特に高い保磁力を得るために
は、Ｐｔを１０％以上３０％以下、特に好ましくは、２
０％程度含有させることが望ましい。また、Ｎｄ，Ｓ
ｍ，Ｐｒ等の希土類を含む合金を用いると、更に高い保
磁力が得られる。

【００４３】磁気記録媒体１０の磁性層２上には、走行
耐久性、および耐蝕性の向上を図るために、所定に材料
により保護層３を形成することが好適である。

【００４４】保護層３は、公知の真空成膜技術により形
成することができるが、例えば、炭素化合物をプラズマ
中で分解し、磁性層２上に成膜するＣＶＤ法は、耐磨耗
性、耐蝕性、表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い
電気抵抗率をもつダイヤモンドライクカーボンと呼ばれ
る硬質カーボンを、１０ｎｍ以下の厚さに安定して成膜
することができる。その他表面にパーフルオロポリエー
テル潤滑剤を塗布し、走行耐久性および耐磨耗性の向上
を図ることが好適である。

【００４５】本発明の磁気記録媒体１００は、磁性層２
の形成面側とは反対側に、所定の材料によりバック層を
有するものとする。このバック層は所定の潤滑剤を塗布
することによって形成したバックコート層４であっても
よく、あるいは真空薄膜形成プロセスによって形成した
ドライバック層であってもよい。

【００４６】次に、本発明の磁気記録媒体に適用する記
録再生装置の一例として、ＧＭＲヘッドを用いたヘリカ
ルスキャン磁気記録システムについて説明する。

【００４７】例えばＧＭＲヘッドとしては、例えばＧＭ
Ｒ素子をシールドで挟み込んだシールド型のＧＭＲヘッ
ド（スピンバルブタイプ、ＭＲ抵抗変化率：５％前後）
を用い、これを回転ドラムに搭載して記録再生装置を構
成する。

【００４８】磁気記録再生装置に搭載される回転ドラム
装置の一構成例を図４及び図５に示す。なお、図４は回
転ドラム装置６０の概略斜視図を示し、図５は回転ドラ
ム装置６０を含む磁気テープ送り機構７０の概略を示す
平面図である。

【００４９】図４に示すように、回転ドラム装置６０
は、円筒状の固定ドラム６２と、円筒状の回転ドラム６
３と、回転ドラム６３を回転駆動するモータ６４と、回
転ドラム６３に搭載された一対のインダクティブ型磁気
ヘッド６５ａ，６５ｂと、回転ドラム６３に搭載された
一対のＧＭＲヘッド６６ａ，６６ｂとを具備している。

【００５０】上記固定ドラム６２は、回転することなく
保持されるドラムである。この固定ドラム６２の側面に
は、磁気記録媒体（磁気テープ）１００の走行方向に沿
ってリードガイド部６８が形成されている。後述するよ
うに、記録再生時に磁気テープ１００は、このリードガ
イド部６８に沿って走行する。そして、この固定ドラム
６２と中心軸が一致するように、回転ドラム６３が配置
されている。

【００５１】回転ドラム６３は、磁気テープ１００に対
する記録再生時に、モータによって所定の回転速度で回
転駆動されるドラムである。この回転ドラム６３は、固
定ドラム６２と略同径の円筒状に形成されてなり、固定
ドラム６２と中心軸が一致するように配置されている。
そして、この回転ドラム６３の固定ドラム６２の対向す
る側には、一対のインダクティブ型磁気ヘッド６５ａ，
６５ｂ及び一対のＧＭＲヘッド６６ａ，６６ｂが搭載さ
れている。

【００５２】インダクティブ型磁気ヘッド６５ａ，６５
ｂは、一対の磁気コアが磁気ギャップを介して接合され
るとともに、磁気コアにコイルが巻装されてなる磁気記
録用磁気ヘッドであり、磁気テープ１００に対して信号
を記録する際に使用される。そして、これらのインダク
ティブ型磁気ヘッド６５ａ，６５ｂは、回転ドラム６３
の中心に対して互いに成す角度が１８０°となり、それ
らの磁気ギャップ部分が回転ドラム６３の外周から突き
出すように、回転ドラム６３に搭載されている。なお、
これらのインダクティブ型磁気ヘッド６５ａ，６５ｂ
は、磁気テープ１００に対してアジマス記録を行うよう
に、アジマス角が互いに逆となるように設定されてい
る。

【００５３】一方、ＧＭＲヘッド６６ａ，６６ｂは、磁
気テープ１００からの信号を検出する感磁素子としてス
ピンバルブ素子を備えた磁気ヘッドである。そして、こ
れらのＧＭＲヘッド６６ａ，６６ｂは、回転ドラム６３
の中心に対して互いに成す角度が１８０°となり、磁気
ギャップ部分が回転ドラムの外周から突き出すように、
回転ドラム６３に搭載されている。なお、これらのＧＭ
Ｒヘッド６６ａ，６６ｂは、磁気テープ１００に対して
アジマス記録された信号を再生できるように、アジマス
角が互いに逆となるように設定されている。

【００５４】そして、磁気記録再生装置は、このような
回転ドラム装置６０に磁気テープ１００を摺動させて、
磁気テープ１００に対する信号の記録や再生を行う。

【００５５】すなわち、記録再生時に磁気テープ１００
は、図５に示すように、供給リール７１からガイドロー
ラ７２、７３を経て、回転ドラム装置６０に巻き付くよ
うに送られ、この回転ドラム装置６０で記録再生がなさ
れる。そして、回転ドラム装置６０で記録再生がなされ
た磁気テープ１００は、ガイドローラ７４、７５、キャ
プスタン７６、ガイドローラ７７を経て、巻き取りロー
ル７８へと送られる。すなわち、磁気テープ１００は、
キャプスタンモータ７９により回転駆動されるキャプス
タン７６によって所定の張力及び速度にて送られ、ガイ
ドローラ７７を経て巻き取りロール７８に巻き取られ
る。

【００５６】このとき、回転ドラム３３は、図４中の矢
印Ａに示すように、モータ６４によって回転駆動され
る。一方、磁気テープ１００は、固定ドラム６２のリー
ドガイド部６８に沿って、固定ドラム６２及び回転ドラ
ム６３に対して斜めに摺動するように送られる。すなわ
ち、磁気テープ１００は、テープ走行方向に沿って、図
４中矢印Ｂに示すようにテープ入口側から固定ドラム６
２及び回転ドラム６３の摺接するようにリードガイド部
６８に沿って送られ、その後、図４中矢印Ｃに示すよう
にテープ出口側へと送られる。

【００５７】次に、上記回転ドラム６３に搭載されるＧ
ＭＲヘッド６６ａ，６６ｂについて説明する。なお、Ｇ
ＭＲヘッド６６ａ，６６ｂは、アジマス角が互いに逆と
なるように設定されている他は、同一の構成を有してい
るので、以下の説明ではこれらのＧＭＲヘッド６６ａ，
６６ｂをまとめてＧＭＲヘッド６６と称する。

【００５８】ＧＭＲヘッド６６は、回転ドラム６３に搭
載され、ヘリカルスキャン方式によって磁気テープ１０
０からの信号を巨大磁気抵抗効果を利用して検出する磁
気ヘッドである。一般にＧＭＲヘッド６６は、電磁誘導
を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッド
や異方性磁気抵抗効果型ヘッドよりも感度が高く再生出
力が大きいので、高密度記録に適している。したがっ
て、より高密度記録化を図った磁気テープに好適であ
る。

【００５９】ＧＭＲヘッド６６の一例として、磁気抵抗
効果感磁部へのセンス電流の通電方向と、磁気記録媒体
からの記録信号磁界の方向が、直交するように選定され
た、いわゆる横型の磁気抵抗効果磁気ヘッドについて、
図６にその概略斜視図を示し、図７に要部の概略斜視図
を示す。

【００６０】図６に示すように、ＧＭＲヘッド６６にお
いては、非磁性の基板８１ａと非磁性の基板８１ｂとの
間に、薄膜プロセスにより形成されたＧＭＲ素子８０
が、介在されて成る構成を有する。

【００６１】このＧＭＲヘッド６６においては、図７の
斜視図に示すように、基板８１ａ上に、磁性体８２が形
成され、これの上にＡｌ₂Ｏ₃等の絶縁層８３が被着形
成されて成る。この絶縁層８３上に、磁気抵抗効果を有
する感磁部８４が形成され、この感磁部８４上には、絶
縁層８５を介して磁性体８６が配置され、次に保護層８
９が形成され、保護層８９上に基板８１ｂが形成された
構成を有する。

【００６２】感磁部８４は、図８にその一例の一部を断
面とした概略斜視図を示すように、磁性体８２上に、絶
縁層８３を介してスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構
造部９０を有する構成とする。

【００６３】すなわち、感磁部８４は、図７および図８
に示すように、アルチック、非磁性フェライト、セラミ
ックス等の基板５１ａ上に、所定の下地膜を介して、磁
性体８２、絶縁層（磁気ギャップ層）８３、下地層９
１、軟磁性層（磁化自由層）９２、非磁性導電層９３、
磁性層（磁化固定層）９４、反強磁性層９５、磁化自由
層９２に磁界を加えて安定化させる永久磁石層ＰＭ、電
極層８８ａ，８８ｂ、保護層９６が形成されて成る構成
を有し、フォトリソグラフィにより感磁部８４の各層の
幅、および高さが制御されて成るものとする。

【００６４】そして、図７に示すように、感磁部８４の
両端には、感磁部８４にセンス電流ｉを通電する電極８
８ａおよび８８ｂが形成されて成り、これら電極８８ａ
および８８ｂ間にセンス電流ｉが通電される。

【００６５】このようにして、感磁部８４が、両磁性体
８２および８６によって挟みこまれて外部と磁気的にシ
ールドされるとともに、この感磁部８４の前方端が、媒
体対向面８７における両磁性体８２および８６間の前方
の間隙すなわち磁気ギャップＧを通じて、前方に臨むよ
うになされ、この磁気ギャップから、媒体対向面８７に
対接しつつ相対的に移行する磁気記録媒体（磁気テー
プ）からの漏洩磁界すなわち記録部からの信号磁界Ｈｓ
を感磁部８４に導入する。すなわち感磁部８４に通じる
センス電流ｉと直角に信号磁界Ｈｓを導入する。

【００６６】感磁部８４においては、これに印加された
信号磁界によって生じた抵抗変化をセンス電流によって
電圧変化として検出することによって、信号磁界の検
出、すなわち磁気記録媒体上の記録の再生がなされる。

【００６７】図８の例では、絶縁層８３上に、下地層９
１と、軟磁性層９２と、非磁性導電層９３と、磁性層９
４と、この磁性層９４と交換結合する反強磁性層９５お
よび保護層９６が順次例えばスパッタリングによって積
層形成された構成を有する。この反強磁性層９５と磁性
層９４の交換結合方向は、センス電流ｉと直角に信号磁
界Ｈｓに沿う方向に選定される。

【００６８】下地層９１は、例えばＴａ，Ｔｉ，Ｈｆ等
の少なくともいずれかより、厚さ５．０〜１０．０〔ｎ
ｍ〕の材料膜より成る。

【００６９】軟磁性層９２は、例えばＮｉＦｅ，ＮｉＦ
ｅＣｏ，ＮｉＦｅ−Ｘ等の少なくともいずれかよりな
り、Ｘは、Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｈ
ｆ，Ｃｒ等の少なくともいずれかとする、厚さ１５．０
〔ｎｍ〕以下の材料膜よりなる。

【００７０】非磁性導電層９３は、Ｃｕ，ＣｕＮｉ，Ｃ
ｕＡｇ等の少なくともいずれかの厚さ１．８〜３．０
〔ｎｍ〕の材料膜よりなる。

【００７１】磁性層９４は、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，
Ｃｏ，ＣｏＦｅ等の少なくともいずれかの厚さ１．０〜
８．０〔ｎｍ〕の材料膜よりなる。

【００７２】反強磁性層９５は、高保磁力の反強磁性の
ＦｅＭｎ，ＮｉＭｎ，ＮｉＯ，ＮｉＣｏＯ，ＣｏＭｎ等
の少なくともいずれかの膜厚５．０〜８０〔ｎｍ〕の材
料膜よりなり、一定方向に磁化される。

【００７３】また、保護層９６は、上述した下地層６１
と同様の材料膜によって構成することができる。

【００７４】図８で示したスピンバルブ型巨大磁気抵抗
効果膜構成部９０は、基板５１側に軟磁性層９２が配置
された場合であるが、軟磁性層９１〜反強磁性層９５の
積層構造を図１０の場合とその上下を反転させた構成、
すなわち反強磁性層９５を、基板８１側とする配置構成
とすることもできる。この場合、反強磁性層９５として
例えばＦｅＭｎのように反強磁性特性を誘発する下地層
を要する場合は、上述の下地層９１上に、更に例えばＮ
ｉＦｅもしくはＣｕ膜を配置することが望ましい。

【００７５】このスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構
造部９０によって構成される感磁部８４は、外部印加磁
界すなわち磁気記録媒体からの信号磁界に対して高い抵
抗変化、すなわち高感度の磁気抵抗効果を示す。

【００７６】このスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構
成部９０の磁気抵抗効果動作を概略説明する。上述した
ように、磁性層９４上には、これとセンス電流ｉと直角
に交換結合する反強磁性層９５が被着形成されているこ
とから、この磁性層９４は、その磁化の向きが固定され
た、いわゆるピン層とされる。軟磁性層９２は、薄い非
磁性導電層９３によって磁性層９４と分離されていて、
その磁化の向きが固定されていない、いわゆるフリー層
とされる。

【００７７】この状態で、外部磁界、すなわち磁気記録
媒体からの記録情報による信号磁界が印加されると、こ
れによって、フリー層すなわち軟磁性層９２が磁化さ
れ、そのスピンが回転する。そして、いま磁化が固定さ
れたピン層すなわち磁性層９４のスピンの向きと、フリ
ー層すなわち軟磁性層９２のスピンの向きとが１８０°
である場合、感磁部８４における抵抗は最大となる。こ
れは、感磁部８４の両電極８８ａ，８８ｂ間を移行しよ
うとする電子が、非磁性層と互いにスピンの向きを事に
する両磁性体８２および８６との界面で散乱することに
よる。そして逆に、両磁性体８２および８６のスピンの
向きが同じとされる場合には、電子の散乱が小となり、
その抵抗は最小となるものである。

【００７８】このように、スピンバルブ型巨大磁気抵抗
効果膜構造とする場合は、多層膜構造とし、磁化が固定
されたピン層の構成により、外部磁界によって大きく抵
抗が変化する、すなわち高感度の感磁部を構成すること
ができるものである。

【００７９】なお、実際の磁気ヘッドにおいては、感磁
部８４すなわちスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造
部９０に導入される磁気記録媒体からの信号磁界によっ
て容易に、軟磁性層９２（フリー層）のスピンが回転す
ることができるように、軟磁性層９２の磁化容易軸方向
は、各層の幅方向すなわちセンス電流方向（信号磁界方
向）を横切る直交方向に設定される。

【００８０】次に、本発明の磁気記録媒体１００につい
て、具体的な〔実施例〕および〔比較例〕を挙げて説明
するが、本発明の磁気記録媒体は、以下の例に限定され
るものではない。

【００８１】〔実施例１〕図１に示した磁気記録媒体１
００の非磁性支持体１として、厚さ６〔μｍ〕で幅１５
０〔μｍ〕のポリエチレンテレフタレートを用意した。

【００８２】次に、非磁性支持体１上に磁性層２を、図
２に示したマグネトロンＲＦスパッタ装置を用いて形成
した。このとき、マグネトロンＲＦスパッタ装置内に配
置したターゲットとしては、Ｃｏ上にＰｔおよびＳｉＯ
₂のチップを配置した。なお、このとき１０×１０〔ｍ
ｍ〕の大きさのＳｉＯ₂チップを、表面における面積比
率で１５〔％〕となるように均一に配置するものとし
た。スパッタ条件を以下に示す。

【００８３】（スパッタ条件）チャンバー内到達真空度：１．１×１０^-5〔Ｐａ〕導入ガス：Ａｒガス、１００〔ｓｃｃｍ〕成膜時圧力：１．０〔Ｐａ〕投入電力：２〔ｋＷ〕（周波数１３．５６〔ＭＨｚ〕）成膜時非磁性支持体温度：−２０℃ 非磁性支持体送り速度：１０〔ｍ／ｍｉｎ〕

【００８４】上述のようにして磁性層２を形成した後、
バック層を形成し、続いてテープ原反を８〔ｍｍ〕幅に
裁断し、磁性層２面側にパーフルオロポリエーテル系潤
滑剤を塗布し、サンプルの磁気テープを作製した。

【００８５】なお、サンプルの磁気テープの磁性層の組
成を求めるため、磁性層を硝酸で溶解し、ＩＣＰ発光分
析を用いて組成分析を行った。また、断面ＴＥＭにより
膜厚を測定した。〔実施例１〕のサンプル磁気テープに
おいては、磁性層の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ₁₀）₉₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₁₀であり、磁性層の膜厚は１５〔ｎｍ〕であっ
た。

【００８６】〔実施例２〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよびＳｉＯ₂のチップを、チップ数を変化させて配
置し、磁性層の形成を行った。〔実施例２〕のサンプル
磁気テープにおいては、磁性層の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ
₁₀）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀であり、磁性層の膜厚は２０〔ｎ
ｍ〕であった。その他の製造条件は、〔実施例１〕と同
様としてサンプルの磁気テープを作製した。

【００８７】〔実施例３〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよびＺｒＯ₂のチップを配置し、磁性層の形成を行
った。〔実施例３〕のサンプル磁気テープにおいては、
磁性層の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ₁₀）₈₀（ＺｒＯ₂）₂₀で
あり、磁性層の膜厚は１８〔ｎｍ〕であった。その他の
製造条件は、〔実施例１〕と同様としてサンプルの磁気
テープを作製した。

【００８８】〔実施例４〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよびＴｉＯ₂のチップを配置し、磁性層の形成を行
った。〔実施例４〕のサンプル磁気テープにおいては、
磁性層の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ₁₀）₈₀（ＴｉＯ₂）₂₀で
あり磁性層の膜厚は２２〔ｎｍ〕であった。その他の製
造条件は、〔実施例１〕と同様としてサンプルの磁気テ
ープを作製した。

【００８９】〔実施例５〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよびＡｌ₂Ｏ₃のチップを配置し、磁性層の形成を
行った。〔実施例５〕のサンプル磁気テープにおいて
は、磁性層の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ₁₀）₈₀（Ａｌ
₂Ｏ₃）₂₀であり磁性層の膜厚は２４〔ｎｍ〕であっ
た。その他の製造条件は、〔実施例１〕と同様としてサ
ンプルの磁気テープを作製した。

【００９０】〔比較例１〕金属磁性材料としてＣｏを用
いて、従来公知の真空蒸着法により磁性層を形成した。
蒸着工程における導入酸素量は、０．５〔ｌ／ｍｉｎ〕
とし、膜厚を４５〔ｎｍ〕となるようにラインスピード
を調整して成膜した。磁性層上にはスパッタ法によって
膜厚６〔ｎｍ〕のカーボン保護層を形成し、サンプルの
磁気テープを作製した。

【００９１】〔比較例２〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよびＣのチップを配置し、磁性層の形成を行った。
〔比較例２〕のサンプル磁気テープにおいては、磁性層
の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ₁₀）₉₀Ｃ₁₀であり、磁性層の膜
厚は２０〔ｎｍ〕であった。しかしながら、ＴＥＭ観察
によると磁性層は単相の組織構造となっておりグラニュ
ラー構造となっていなかった。その他の製造条件は、
〔実施例１〕と同様としてサンプルの磁気テープを作製
した。

【００９２】〔比較例３〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよびＡｇのチップを配置し、磁性層の形成を行っ
た。〔比較例３〕のサンプル磁気テープにおいては、磁
性層の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ₁₀）₉₀Ａｇ₁₀であり磁性層
の膜厚は２０〔ｎｍ〕であった。しかしながら、ＴＥＭ
観察によると磁性層は単相の組織構造となっておりグラ
ニュラー構造となっていなかった。その他の製造条件
は、〔実施例１〕と同様としてサンプルの磁気テープを
作製した。

【００９３】〔比較例４〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよび、酸化自由エネルギー変化量がＣｏよりも小さ
いＰｂの酸化物であるＰｂＯのチップを配置し磁性層の
形成を行った。〔比較例４〕のサンプル磁気テープにお
いては、磁性層の組成は、（Ｃｏ₉₀Ｐｔ₁₀）₉₀（Ｐｂ
Ｏ）₁₀であり磁性層の膜厚は２０〔ｎｍ〕であった。し
かしながら、ＴＥＭ観察によると磁性層は単相の組織構
造となっておりグラニュラー構造となっていなかった。
その他の製造条件は、〔実施例１〕と同様としてサンプ
ルの磁気テープを作製した。

【００９４】〔比較例５〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔのチップを配置し磁性層の形成を行った。〔比較例
５〕のサンプル磁気テープにおいては、磁性層の組成
は、Ｃｏ₉₀Ｐｔ ₁₀であり磁性層の膜厚は２０〔ｎｍ〕で
あった。その他の製造条件は、〔実施例１〕と同様とし
てサンプルの磁気テープを作製した。

【００９５】〔比較例６〕ターゲットとしてＣｏ上にＰ
ｔおよびＣｒのチップを配置し磁性層の形成を行った。
〔比較例６〕のサンプル磁気テープにおいては、磁性層
の組成は、Ｃｏ₈₀Ｐｔ ₁₀Ｃｒ₁₀であり磁性層の膜厚は２
５〔ｎｍ〕であった。その他の製造条件は、〔実施例
１〕と同様としてサンプルの磁気テープを作製した。

【００９６】〔比較例７〕金属磁性材料としてＣｏを用
いて、従来公知の真空蒸着法により磁性層を形成した。
蒸着工程における導入酸素量は、０．５〔ｌ／ｍｉｎ〕
とし、膜厚を２０〔ｎｍ〕となるようにラインスピード
を調整して成膜した。磁性層上にはスパッタ法によって
膜厚６〔ｎｍ〕のカーボン保護層を形成し、サンプルの
磁気テープを作製した。

【００９７】上記のようにして作製した〔実施例１〕〜
〔実施例５〕および〔比較例１〕〜〔比較例７〕の各サ
ンプルの磁気テープについて、磁気特性および電磁変換
特性を測定した。

【００９８】磁気特性に関しては、ＤＭＳ社製のＶＳＭ
ｍｏｄｅｌ１６６０を用いて、飽和磁化〔ｋＡ／
ｍ〕、残留磁化〔ｋＡ／ｍ〕、および保磁力〔ｋＡ／
ｍ〕のそれぞれについての測定を行った。また、電磁変
換特性に関しては、８〔ｍｍ〕のサンプルの磁気テープ
を、記録ヘッドおよび再生ヘッド（ＭＲヘッド）を搭載
した直径１２〔ｃｍ〕の回転ドラムに巻き付けるように
して、回転ドラムを６．８〔ｃｍ／ｓ〕のスピードで回
転させ、記録ヘッドを磁気テープに接触させて２４〔Ｍ
Ｈｚ〕の周波数にて単一波記録を行い、記録ヘッドと対
向した位置にあるＭＲヘッドを磁気テープに接触させて
記録信号の再生を行った。なお、２４〔ＭＨｚ〕の出力
をキャリアー（Ｃ）とし、２３〔ＭＨｚ〕での出力と２
５〔ＭＨｚ〕での出力の平均値をノイズ（Ｎ）としてＣ
／Ｎを求めた。

【００９９】下記〔表１〕に、各サンプル磁気テープの
磁性層の膜厚、飽和磁化、残留磁化、保磁力、およびＣ
／Ｎについての測定結果を示す。なお、下記〔表１〕に
おいては、Ｃ／Ｎは〔比較例１〕の値を基準値の０．０
〔ｄＢ〕とし、これとの相対値で表した。

【０１００】

【表１】

【０１０１】上記〔表１〕に示すように、磁性層２が、
磁性結晶粒２ｂが非磁性相２ａによって分離されたグラ
ニュラー構造を有し、磁性層を構成する磁性結晶粒２ｂ
がＣｏおよびＣｏ系合金であり、非磁性相が金属酸化物
によって構成されて成り、非磁性相の金属酸化物を構成
する金属の室温における酸化反応での自由エネルギー変
化量が、Ｃｏの酸化反応での自由エネルギー変化量より
も大きいものとした〔実施例１〕〜〔実施例５〕の磁気
テープにおいては、従来の真空蒸着法によって形成した
磁性層を有する〔比較例１〕の磁気テープに比較して、
高い保磁力が得られ、低ノイズ化が図られ、Ｃ／Ｎ特性
の向上が図られた。

【０１０２】〔比較例１〕の磁気テープにおいては、上
記のように本発明の〔実施例１〕〜〔実施例５〕の磁気
テープに比較して保磁力が低く、Ｃ／Ｎ特性についても
劣った結果となった。

【０１０３】〔比較例２〕の磁気テープは、磁性層は単
相の組織構造となっておりグラニュラー構造となってお
らず、この例においては、保磁力が極めて低く、信号の
記録を行うことができなかった。なお、非磁性相用の材
料としてＣ（カーボン）を用いて磁性層をグラニュラー
構造とするためには、スパッタ工程後にアニール処理を
行うことが必要であるが、非磁性支持体の材料として熱
可塑性樹脂を用いた磁気テープを作製する場合には、ア
ニール処理は非磁性支持体の熱変形を招来するため、材
料的に不適当である。

【０１０４】〔比較例３〕の磁気テープにおいても、磁
性層は単相の組織構造となっておりグラニュラー構造と
なっておらず、この例においては、保磁力が極めて低
く、信号の記録を行うことができなかった。なお、非磁
性相用の材料としてＡｇを用いて磁性層をグラニュラー
構造とするためには、スパッタ工程後にアニール処理を
行うことが必要であるが、非磁性支持体の材料として熱
可塑性樹脂を用いた磁気テープを作製する場合には、ア
ニール処理は非磁性支持体の熱変形を招来するため、材
料的に不適当である。

【０１０５】〔比較例４〕の磁気テープにおいては、Ｐ
ｂはＣｏよりも室温における酸化反応での自由エネルギ
ー変化量が小さいため、Ｃｏよりも酸化し難く、Ｃｏが
先に酸化されてしまい、適切なグラニュラー構造の磁性
層を形成することはできず、、磁性層は単相の組織構造
となってしまった。このため、保磁力が極めて低く、信
号の記録を行うことができなかった。

【０１０６】〔比較例５〕の磁気テープにおいては、高
い保磁力が得られたが、媒体ノイズが大きく、Ｃ／Ｎ特
性が劣化した。

【０１０７】〔比較例６〕の磁気テープにおいても、高
い保磁力が得られたが、媒体ノイズが大きく、Ｃ／Ｎ特
性が劣化した。

【０１０８】〔比較例７〕の磁気テープにおいては、本
発明の〔実施例１〕〜〔実施例５〕の磁気テープに比較
して保磁力が低く、Ｃ／Ｎ特性についても劣った結果と
なった。

【０１０９】上述したように、本発明においては、磁性
層２を、磁性結晶粒２ｂが非磁性相２ａによって分離さ
れたグラニュラー構造とし、磁性層を構成する磁性結晶
粒２ｂがＣｏおよびＣｏ系合金で、非磁性相が金属酸化
物によって構成されて成るものとしたことによって、特
にテープ形状の磁気記録媒体の保磁力の向上および、媒
体ノイズの低減化が図られ、Ｃ／Ｎ特性が向上した。

【０１１０】

【発明の効果】本発明においては、磁性層を、磁性結晶
粒２ｂが非磁性相２ａによって分離されたグラニュラー
構造とし、磁性層を構成する磁性結晶粒２ｂがＣｏおよ
びＣｏ系合金で、非磁性相が金属酸化物によって構成さ
れて成るものとしたことによって、特にテープ形状の磁
気記録媒体における保磁力の向上、媒体ノイズ低減化、
および、Ｃ／Ｎ特性の向上を図ることができた。

【０１１１】また、本発明においては、グラニュラー構
造である磁性層を構成する磁性結晶粒２ｂ、および非磁
性相２ａについて、材料を適切に選定することによっ
て、スパッタ工程後にアニール処理を施すことなくグラ
ニュラー構造を形成することができるので、特に、熱可
塑性樹脂を非磁性支持体として適用する磁気テープにお
いて、飛躍的な保磁力の向上、媒体ノイズ低減化、およ
び、Ｃ／Ｎ特性の向上を図ることができた。

【０１１２】また、本発明においては、非磁性相の金属
酸化物を構成する金属の室温での酸化反応における自由
エネルギー変化量を、Ｃｏの酸化反応の自由エネルギー
変化量よりも大きいものとすることによって、磁性層形
成時にＣｏを酸化させず当該金属のみを酸化させること
ができるので、グラニュラー構造を適切に形成すること
ができ、これにより磁気テープ媒体における保磁力の向
上、媒体ノイズ低減化、および、Ｃ／Ｎ特性の向上を効
果的に図ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。

【図２】本発明の磁気記録媒体を構成する磁性層を成膜
するためのマグネトロンＲＦスパッタ装置の概略図を示
す。

【図３】本発明の磁気記録媒体を構成する磁性層のグラ
ニュラー構造の概略的拡大図を示す。

【図４】本発明の磁気記録媒体に適用するＧＭＲヘッド
を搭載した回転ドラム装置の概略斜視図を示す。

【図５】本発明の磁気記録媒体に対する信号の記録、再
生を行う際の磁気テープ送り機構の概略図を示す。

【図６】本発明の磁気記録媒体に対する信号の再生を行
うＧＭＲヘッドの一例の概略斜視図を示す。

【図７】本発明の磁気記録媒体に対する信号の再生を行
うＧＭＲヘッドの一例の要部の概略斜視図を示す。

【図８】本発明の磁気記録媒体に対する信号の再生を行
うＧＭＲヘッドの一例の要部の、スピンバルブ型巨大磁
気抵抗効果膜構造部の概略斜視図を示す。

【符号の説明】１非磁性支持体、２磁性層、２ａ非磁性相、２ｂ
磁性結晶粒、３保護層、４バックコート層、６０
回転ドラム装置、６２固定ドラム、６３回転ドラ
ム、６４モータ、６５ａ，６５ｂインダクティブ型
磁気ヘッド、６６ａ，６６ｂＧＭＲヘッド、６８リ
ードガイド部、７０磁気テープ送り機構、７１供給
ロール、７８巻き取りロール、８０ＧＭＲ素子、８
１ａ，８１ｂ基板、８２磁性体、８３，８５絶縁
層、８６磁性体、８７媒体対向面、８８ａ，８８ｂ
電極、８９保護層、９０スピンバルブ型巨大磁気
抵抗効果膜構造部、９１下地層、９２軟磁性層、９３
非磁性導電層、９４磁性層、９５反強磁性層、９
６保護層、１００磁気記録媒体、４００マグネト
ロンＲＦスパッタ装置、４３１チャンバー、４３２
真空ポンプ、４３３バルブ、４３４ガス導入管、４３
５対向電極用キャン、４３６ターゲット、４３７
バッキングプレート、４３８マグネット、４３９供
給ロール、４４０巻き取りロール、４４１ガイドロ
ール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】長尺状の非磁性支持体の一主面に、真空
薄膜形成技術により形成されて成る磁性層を有し、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）あるいは巨大
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）を用いる記
録再生システムに対応する磁気記録媒体であって、上記磁性層は、磁性結晶粒が非磁性相によって分離され
たグラニュラー構造を有し、上記磁性結晶粒がＣｏおよびＣｏ系合金であり、上記非磁性相が、少なくとも金属酸化物によって構成さ
れて成ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記非磁性相の金属酸化物を構成する金
属の、室温における酸化反応での自由エネルギー変化量
が、Ｃｏの酸化反応の自由エネルギー変化量よりも大き
いことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】上記磁性層の磁性結晶粒がＣｏＰｔ合金
であり、上記非磁性相がＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃のいずれかであることを特徴とする請
求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】上記非磁性支持体と上記磁性層との間に
Ｃｒ下地層が形成されてなることを特徴とする請求項１
に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】上記磁性層形成面側とは反対側の主面
に、バックコート層が形成されてなることを特徴とする
請求項１に記載の磁気記録媒体。