JP4265416B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びこれを具備する磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子としてスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、及びこれを具備する磁気記録再生装置に関する。

磁気記録媒体から信号磁界を検出する感磁素子として、外部磁界の大きさや向きによって抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）が利用されている。そして、このようなＭＲ素子を備える磁気ヘッドは、一般に磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）と呼ばれている。

このようなＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗効果を利用したものが従来から使用されているが、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）が小さいために、より大きなＭＲ比を示すものが望まれており、近年においてはスピンバルブ膜を利用した巨大磁気抵抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子という。）が提案されている（例えば、非特許文献１、特許文献１参照。）。

ＧＭＲ素子は、一対の磁性層で非磁性層を挟持してなるスピンバルブ膜を有し、このスピンバルブ膜に対して面内方向に流れる、いわゆるセンス電流のコンダクタンスが一対の磁性層の磁化の相対角度に依存して変化する、いわゆる巨大磁気抵抗効果を利用したものである。
具体的には、スピンバルブ膜は、反強磁性層と、反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構造を有している。

スピンバルブ膜を利用したＧＭＲ素子においては、外部磁界が印加されると外部磁界の大きさや向きに応じて磁化自由層の磁化方向が変化する。そして、磁化自由層の磁化方向が磁化固定層の磁化方向に対して逆方向（反平行）となるとき、このスピンバルブ膜に流れるセンス電流の抵抗値が最大となる。一方、磁化自由層の磁化方向が磁化固定層の磁化方向に対して同一方向（平行）となるとき、このスピンバルブ膜に流れるセンス電流の抵抗値が最小となる。

従って、上述したようなＧＭＲ素子を備える磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）においては、ＧＭＲ素子に対して一定のセンス電流を供給すると、磁気記録媒体からの信号磁界に応じて、このＧＭＲ素子を流れるセンス電流の電圧値が変化することになり、このセンス電流の電圧値の変化を検出することによって、磁気記録媒体からの磁気信号を読み取ることが可能となる。

ところで下記特許文献１には、ＧＭＲヘッドをハードディスクドライブに利用する例が開示されている。
ハードディスクドライブは、例えばサスペンションの先端部に取り付けられたヘッドスライダにＧＭＲヘッドが搭載された構造を有し、磁気ディスクの回転により生じる空気流を受けて、ヘッドスライダが磁気ディスクの信号記録面上を浮上しながら、このヘッドスライダに搭載されたＧＭＲヘッドが磁気ディスクに記録された磁気信号を読み取ることによって、磁気ディスクに対する再生動作が行われる。

上記ＧＭＲヘッドは、磁気ディスク装置に限らず、近年においてはテープストリーマ、業務用カムコーダー、民生用カムコーダー等の磁気テープ装置についての利用も検討されている。
例えばヘリカルスキャン方式を採用する磁気テープ装置は、回転ドラムの外周面部にＧＭＲヘッドが磁気テープの走行方向と略直交する方向に対してアジマス角に応じて斜めとなるように配置された構造を有している。
そして、磁気テープ装置では、磁気テープが回転ドラムに対して斜めに走行しながら、回転ドラムが回転駆動し、この回転ドラムに搭載されたＧＭＲヘッドが磁気テープと摺動しながら磁気テープに記録された磁気信号を読み取ることによって磁気テープに対する再生動作が行われる。

磁気テープ装置においては、ＧＭＲヘッドと磁気テープとの間の距離、いわゆるスペーシングを小さくすることが好ましいため、この観点からは磁気テープの表面は、平滑化することが望ましい。

しかしながら、磁気テープの表面が鏡面化するに従って、磁気テープと回転ドラムの外周面部との接触面積が増加し、走行時において磁気テープと回転ドラムとの間に働く摩擦力が大きくなり、磁気テープと回転ドラムとの貼り付きが生じて、磁気テープのスムーズな走行が困難となる。
そこで、通常磁気テープの表面には、ＳｉＯ₂フィラーや有機フィラー等により微小突起を設けることにより、回転ドラムの外周面部との接触面積を小さくし、磁気テープと回転ドラムとの間に働く摩擦力を小さくする等の工夫がなされている。
また、磁気テープの表面には、傷や腐食等の発生を防止するためのＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜等の保護膜が形成されている。

ところで、従来のハードディスクドライブにおいては、ＧＭＲヘッドが磁気ディスクの信号記録面に対して非接触な状態で再生動作が行われる。また、スピンバルブ膜を構成する非磁性層には通常Ｃｕが用いられており、従来において磁気ディスクと対向するＧＭＲヘッドの媒体対向面には、このＣｕの腐食を防止するためのＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜等の保護膜が形成されている。

一方、磁気テープ媒体に関しては、高密度記録への要求の高まりとともに、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ等の金属磁性材料をメッキや真空薄膜形成手段（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）によって非磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。

このような金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力、残留磁化、角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の膜厚をきわめて薄くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が小さく、また磁性層中に非磁性材である結合剤を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め、大きな磁化を得ることができる等、数々の利点を有している。

さらに、このような磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするため、磁気記録媒体の磁性層を形成するに際し、磁性層を斜方に蒸着する、いわゆる斜方蒸着が提案され、高画質ＶＴＲ用、デジタルＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されている。

フィジカル・レビュー・ビー(Physical Review B)、第４３巻、第１号ｐ1297〜ｐ1300「軟磁性多層膜における巨大磁気抵抗効果」(Giant Magnetoresistance in Soft Ferromagnetic Multilayers) 特開平８−１１１０１０号公報

現在ＧＭＲヘッドの適用が検討されている磁気テープシステムにおいては、ＧＭＲヘッドが磁気テープに対して接触した状態で再生動作を行うことから、磁気テープと摺接するＧＭＲヘッドの媒体摺動面に、上述した腐食等の発生を防止するための保護膜が形成されていると、再生動作時に磁気テープの表面に形成された微小突起や保護膜との接触によって保護膜が摩耗する。
さらに、ＧＭＲヘッドの媒体摺動面に形成された保護膜は、磁気テープとのスペーシングとなることから、ＧＭＲヘッドの短波長記録再生特性を劣化させる原因になる。

従って、磁気テープ装置おいて適用するＧＭＲヘッドの媒体摺動面に保護膜を形成することは不適当であると考えられた。
このため、磁気テープ装置においては、ＧＭＲヘッドの媒体摺動面が直接大気と触れることになり、例えば高温高湿下や海水雰囲気中等の、厳しい使用条件下においては腐食等が発生しやすいという問題があった。

また、ＧＭＲヘッドの感度は、スピンバルブ膜に流れるセンス電流により決定され、このスピンバルブ膜を構成する各層の膜厚はｎｍオーダで形成されており、各層に僅かな腐食が発生しただけでも、各層の電気抵抗が変化してしまう。従って、ＧＭＲヘッドの媒体摺動面における腐食の発生は、このＧＭＲヘッドのヘッド特性を大幅に劣化させてしまう。

上記特許文献１においては、ハードディスクに適用する磁気抵抗効果型磁気ヘッドについての耐腐食性を改善させる検討がなされているが、ハードディスク装置においては、磁気ヘッドが媒体上を直接摺動することがないため、磁気ヘッドの摩擦によるダメージ量は、テープシステムの方が大きいことが明らかである。
また、ハードディスク装置においては、媒体が外気にさらされることなく、パッケージングによって密閉状態となっていることから、微細な粉塵等による磁気ヘッドの破損の影響に関してもテープシステムの方が、より深刻であると考えられる。よって、磁気テープ装置に適用するＧＭＲヘッドの耐腐食性に関する向上を図ることは、ハードディスクドライブ以上に重要であると言える。

上述した問題点に鑑みて、特に磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う感磁素子としてＧＭＲ素子を利用する場合には、耐食性の改善を図り、高い磁気抵抗変化率を維持することが必要である。

また、従来公知のインダクティブ型の磁気ヘッドに対応して設計されていた磁気記録媒体を高感度型の磁気ヘッドにそのまま適用すると、媒体ノイズが大きくなり、残留磁化量が大きいため磁気ヘッドの飽和が生じてしまうという問題があった。

上述した問題点に鑑み、本発明においては、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの感磁部の膜の物性の点から検討を行い、かつ適用する磁気テープの特性の限定を行い、高い耐食性を有する高感度の磁気抵抗効果型磁気ヘッド、及びこれを具備した高性能磁気記録再生装置を提供することとした。

本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、当該反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構成のスピンバルブ膜を備えるものであり、前記スピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層は、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いたアノード曲線において、電位を０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌとしたとき、電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下となり、テープ状の磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行うものである。

本発明の磁気記録再生装置は、磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、当該反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構成のスピンバルブ膜を備える磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、テープ状の非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録媒体とを具備するものであり、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが、磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行い、スピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層が、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いたアノード曲線において、電位を０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌとしたとき電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下となるものであり、前記磁気記録媒体の金属磁性薄膜の残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔが、４ｍＡ〜２０ｍＡであり、残留磁化量Ｍｒが、１６０ｋＡ／ｍ〜４００ｋＡ／ｍであるものとする。

本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、スピンバルブ膜、及びスピンバルブ膜を構成する各層の高い耐食性が実現される。

本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、磁気テープ装置に適用する場合において、磁気記録媒体と摺接される面に保護膜を形成しなくても、高い耐食性が実現され、高温高湿環境下、海水雰囲気下等の厳しい使用条件下においても、高い磁気抵抗変化率を長期に亘って維持することが可能となった。

また、磁気記録媒体の残留磁化量と磁性層の膜厚との積、ならびに残留磁化量を数値的に最適な範囲に特定したことにより、ノイズの低減化が図られ、磁気ヘッド飽和を効果的に回避でき、再生波形の歪みがなく、高ＳＮ化が実現できた。

以下、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド、及びこれを具備する磁気記録再生装置について図を参照して説明する。

図１に、磁気記録再生装置１の概略構成図を示す。この磁気記録再生装置１は、ヘリカルスキャン方式によって磁気テープ２に対して信号の記録及び／又は再生を行うものである。
磁気記録再生装置１は、磁気テープ２を供給する供給リール３と、供給リール３から供給された磁気テープを巻き取る巻取リール４と、供給リール３と巻取リール４との間で磁気テープ２の引き回しを行う複数のガイドローラ５ａ〜５ｆとを具備し、磁気テープ２が図中矢印Ａ方向に走行するようになされている。

ガイドローラ５ｅとガイドローラ５ｆとの間には、テープ走行手段として、磁気テープ２が掛け合わされるピンチローラ５ｇと、このピンチローラ５ｇと共に磁気テープ２を挟み込むキャップスタン６と、このキャップスタン６を回転駆動するキャップスタンモータ６ａとが設けられている。
磁気テープ２は、ピンチローラ５ｇとキャップスタン６との間に挟みこまれ、キャップスタンモータ６ａによりキャップスタン６が、図１中矢印Ｂ方向に回転駆動することにより、矢印Ａ方向に一定の速度及び張力で走行するようになされている。

磁気記録再生装置１においては、ガイドローラ５ｃと５ｄとの間に、磁気テープ２に対して信号の記録動作、再生動作を行うヘッドドラム７が設けられている。
ヘッドドラム７の概略斜視図を図２に示す。ヘッドドラム７は、駆動モータ８により図２中矢印Ａ方向に回転駆動する回転ドラム９と、回転ドラム９の外周面部９ａと連続した外周面部１０ａと、ベース（図示せず）に固定された固定ドラム１０とを有している。

磁気テープ２は、図１のガイドローラによって導かれ、回転ドラム９及び固定ドラム１０の外周面部９ａ、１０ａに、略１８０゜の角度範囲でヘリカル状に巻きつけられた状態で走行するようになされている。
また、固定ドラム１０の外周面部１０ａには、磁気テープ２を案内するリードガイド１０ｂが設けられており、このリードガイド１０ｂに沿って磁気テープ２が回転ドラム９の回転方向に対して斜めに走行するようになっている。

回転ドラム９の外周面部９ａには、磁気テープ２に対して信号の記録動作を行う一対の記録用磁気ヘッド１１ａ、１１ｂと、磁気テープ２に対して信号の再生動作を行う一対の再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂとが取り付けられている。
これら記録用磁気ヘッド１１ａ及び再生用磁気ヘッド１２ａと、記録用磁気ヘッド１１ｂ及び再生用磁気ヘッド１２ｂとは、互いに１８０゜の位相差をもって回転ドラム９の外周面部９ａに対向配置されている。
また、記録用磁気ヘッド１１ａ、１１ｂ及び再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂは、その記録ギャップ及び再生ギャップが、磁気テープ２の走行方向と略直交する方向に対してアジマス角に応じて斜めとなるように配置されている。

従って、ヘッドドラム７においては、回転ドラム９及び固定ドラム１０の外周面部９ａ、１０ａに掛け合わされた磁気テープが図２中矢印Ａ方向に走行しながら、駆動モータ８により回転ドラム９が図２中矢印Ｃ方向に回転駆動することによって、回転ドラム９に搭載された一対の記録用磁気ヘッド１１ａ、１１ｂ及び一対の再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂが磁気テープ２と摺動しながら、信号の記録動作又は再生動作を行うことになる。

具体的に、記録時には磁気テープ２に対して一方の記録用磁気ヘッド１１ａが、記録信号に応じた磁界を印加しながら所定のトラック幅で記録トラックを形成し、他方の記録用磁気ヘッド１１ｂが、この記録トラックに隣接して記録信号に応じた磁界を印加しながら所定のトラック幅で記録トラックを形成する。
そして、これら記録用磁気ヘッド１１ａ、１１ｂが磁気テープ２に対して繰り返し記録トラックを形成することによって、磁気テープ２に対して連続的に信号が記録される。

一方、再生時には、磁気テープ２に対して、一方の再生用磁気ヘッド１２ａが、記録用磁気ヘッド１１ａにより記録された記録トラックから信号磁界を検出し、他方の再生用磁気ヘッド１２ｂが、記録用磁気ヘッド１１ｂにより記録された記録トラックから信号磁界を検出する。
再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂが記録トラックから繰り返し信号磁界を検出することによって磁気テープ２に記録された信号が連続的に再生される。

次に、上述した再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂに相当する本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドについて、図３にその一部を切り欠いた状態の概略斜視図を示し、図４に磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気テープと摺接する面の概略構成図を示し、これらを参照して詳細に説明する。

磁気抵抗効果型磁気ヘッド２０は、磁気記録媒体からの磁気信号の検出を行う感磁素子として、スピンバルブ膜を利用した巨大磁気抵抗効果素子（以下、ＧＭＲ素子という。）を備える、いわゆる巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＧＭＲヘッドという。）である。

ＧＭＲヘッド２０は、電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドや異方性磁気抵抗効果型磁気ヘッドよりも感度が高く、再生出力が大きく高密度記録に適している。従って上述した磁気記録再生装置１において、ＧＭＲヘッド２０を一対の再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂに用いることにより高密度記録化が図られる。

磁気抵抗効果型磁気ヘッド２０は、図４に示すように、第１のコア部材２１上に、各種薄膜形成技術により磁気シールド層２４、ＧＭＲ素子２７、ギャップ層２６、及びシールド層２５が順次形成されてなり、保護膜２２を介して第２のコア部材２３が貼り付けられた構成を有している。
また、磁気抵抗効果型磁気ヘッド２０は、磁気テープ２が摺接する媒体摺動面２０ａが、図３中矢印Ａに示す磁気テープ２の走行方向に沿って略円弧状に湾曲した曲面となっている。
そして、この媒体摺動面２０ａから外部に臨む再生ギャップが磁気テープ２の走行方向と略直交する方向に対してアジマス角θに応じて斜めとなるように配置される。

なお、一対の再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂは、互いのアジマス角θが逆位相となる以外は同一の構成を有している。従って、以下の説明においては、これら一対の再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂをまとめてＧＭＲヘッド２０として説明する。

ＧＭＲヘッド２０は、上下一対の磁気シールド層２４、２５の間にギャップ層２６を介してＧＭＲ素子２７が挟み込まれた構造を有している。

一対の磁気シールド層２４、２５は、ＧＭＲ素子２７を磁気的にシールドするのに充分な幅を有する軟磁性膜からなり、ギャップ層２６を介してＧＭＲ素子２７を挟み込むことにより、磁気テープ２からの信号磁界のうち、再生対象外の磁界がＧＭＲ素子２７に引き込まれないように機能する。すなわち、ＧＭＲヘッド２０においては、ＧＭＲ素子２７に対して再生対象外の信号磁界が一対の磁気シールド層２４、２５に導かれ、再生対象の信号磁界だけがＧＭＲ素子２７へと導かれる。これにより、ＧＭＲ素子２７の周波数特性及び読み取り分解能の向上が図られている。

ギャップ層２６は、ＧＭＲ素子２７と一対の磁気シールド層２４、２５との間を磁気的に隔離する非磁性非導電性膜からなり、一対の磁気シールド層２４、２５とＧＭＲ素子２７との間隔がギャップ長となる。

ＧＭＲ素子２７は、スピンバルブ膜４０に対して面内方向に流れるセンス電流のコンダクタンスが、一対の磁性層の磁化の相対角度に依存して変化する、いわゆる巨大磁気抵抗効果を利用したものである。

スピンバルブ膜４０としては、例えば、図５に示すように、下地層４１、反強磁性層４２、磁化固定層４３、非磁性層４４、磁化自由層４５、及び保護層４６が、順次積層された構造を有するボトム型のスピンバルブ膜４０ａや、図６に示すように、下地層４１、磁化自由層４５、非磁性層４４、磁化固定層４３、反強磁性層４２、及び保護層４６が、順次積層された構造を有するトップ型のスピンバルブ膜４０ｂや、図７に示すように、下地層４１、反強磁性層４２、磁化固定層４３、非磁性層４４、磁化自由層４５、非磁性層４４、磁化固定層４３、反強磁性層４２、及び保護層４６が、順次積層された構造を有するデュアル型のスピンバルブ膜４０ｃ等が挙げられる。

スピンバルブ膜を構成する磁化固定層４３は、反強磁性層４２に隣接して配置されることによって、反強磁性層４２との間で働く交換結合磁界により、所定の方向に磁化が固定された状態となっている。
一方、磁化自由層４５は、非磁性層４４を介して磁化固定層４３と磁気的に隔離されることによって、微弱な外部磁界に対して磁化方向が容易に変化することが可能となっている。

従って、スピンバルブ膜４０では、外部磁界が印加されると、外部磁界の大きさや向きに応じて磁化自由層４５の磁化方向が変化する。そして、磁化自由層４５の磁化方向が磁化固定層４３の磁化方向に対して逆方向（反平行）となるとき、このスピンバルブ膜４０に流れる電流の抵抗値が最大となる。
一方、磁化自由層４５の磁化方向が磁化固定層４３の磁化方向に対して同一方向（平行）となるときに、このスピンバルブ膜４０に流れる電流の抵抗値が最小となる。

このように、スピンバルブ膜４０は、印加される外部磁界に応じて電気抵抗が変化することから、この抵抗変化を読み取ることによって磁気テープ２からの磁気信号を検出する感磁素子として機能している。

なお、下地層４１及び保護層４６は、このスピンバルブ膜４０の比抵抗の増加を抑制するためのものであり、例えばＴａ等からなる。

また、ＧＭＲ素子２７の動作の安定化を図るため、スピンバルブ膜４０の長手方向の両端部には、図３及び図４に示すように、ＧＭＲ素子２７にバイアス磁界を印加するための一対の永久磁石膜２８ａ、２８ｂが設けられている。
そして、これら一対の永久磁石膜２８ａ、２８ｂに挟み込まれた部分の幅が、ＧＭＲ素子２７の再生トラック幅Ｔｗとなっている。
さらに、一対の永久磁石膜２８ａ、２８ｂ上には、このＧＭＲ素子２７の抵抗値を減少させるための一対の低抵抗化膜２９ａ、２９ｂが設けられている。

また、ＧＭＲ素子２７には、スピンバルブ膜にセンス電流を供給するための一対の導体部３０ａ、３０ｂが、その一端部側をそれぞれ一対の永久磁石膜２８ａ、２８ｂ、及び低抵抗化膜２９ａ、２９ｂに接続するように設けられている。
また、導体部３０ａ、３０ｂの他端部側には、外部回路と接続される一対の外部接続用端子３１ａ、３１ｂが設けられている。

保護膜２２は、ＧＭＲヘッド２０が形成された第１のコア部材２１の主面を外部接続用端子３１ａ、３１ｂが外部に臨む部分を除いて被覆すると共に、このＧＭＲヘッド２０が形成された第１のコア部材２１と第２のコア部材２３とを接合する。

なお、図３及び図４に示すＧＭＲヘッド２０は、特徴をわかりやすくするために、ＧＭＲ素子２７の周辺を拡大して図示されているが、実際には、第１のコア部材２１及び第２のコア部材２３に比較してＧＭＲ素子２７の部分は非常に微細であり、媒体摺動面２０ａにおいて、ＧＭＲヘッド２０が外部に臨むのは、ほとんど第１のコア部材２１と第２のコア部材２３とが突き合わされた上部端面だけである。

上述したように構成されるＧＭＲヘッド２０は、チップベース（図示せず）に貼り付けると共に、一対の外部接続用端子３１ａ、３１ｂがチップベースに設けられた接続端子と電気的に接続される。
そして、チップベースに設けられたＧＭＲヘッド２０は、一対の再生用磁気ヘッド１２ａ、１２ｂとして、図２に示す回転ドラム９に取り付けられる。

ところで、磁気記録再生装置１においては、ＧＭＲヘッド２０が磁気テープ２に対して接触した状態で再生動作を行うことから、磁気テープ２と摺接するＧＭＲヘッドの媒体摺動面２０ａに、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜等の保護膜を形成することができない。このため、従来の磁気テープ装置では、ＧＭＲヘッドの媒体摺動面が直接大気に触れることになり、例えば高温高湿下や海水雰囲気中等の厳しい使用条件下においては、腐食等が発生しやすくなるといった問題があった。

かかる点に鑑みて本発明においては、媒体摺動面２０ａに保護膜を形成しない場合においても、優れた耐食性を示し、かつ高い磁気抵抗変化率を維持可能なスピンバルブ膜を適用することによって、磁気テープ２に対する適切な再生動作を行うことを可能としている。

具体的には、スピンバルブ膜４０を構成する反強磁性層４２は、優れた耐食性を示す材料により形成するものとし、例えば、ＰｔＭｎ、ＮｉＯ、ＩｒＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ、α−Ｆｅ₂Ｏ₃、ＲｈＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ等を適用できる。

非磁性層４４は、優れた耐食性を示し、かつ高導電性を示す、Ａｕ、又はＣｕ合金により形成する。Ｃｕ合金としては、ＣｕＡｕ、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｕ、ＣｕＲｈが挙げられる。

磁化固定層４３及び磁化自由層４５は、優れた耐食性を示し、かつ良好な軟磁気特性を示すＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅにより形成するものとし、これらのどちらか一方でもよく、組合せて構成してもよい。

本発明に係るＧＭＲヘッド２０のスピンバルブ膜４０、及びこれの構成膜に対し、耐食性の試験を行った。
具体的には、電気化学的手法を用いた腐食試験を行い、腐食試験前後における電気抵抗の変化について測定し、かつ腐食試験後に表面観察を行い、腐食の発生の有無について調べた。
なお、本腐食試験においては、Ａｇ・ＡｇＣｌ電極を参照電極とし、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液中にサンプルを所要の時間液浸させたときに測定される分極曲線を参照することとした。このときの分極曲線の一例を図８に示す。

腐食試験サンプルとしては、スピンバルブ膜の非磁性層４４に対応するＣｕＡｕ、Ａｕ、Ｃｕ、磁化自由層４３及び磁化固定層４５に対応するＣｏＮｉＦｅ、反強磁性層４２に対応するＰｔＭｎの各金属膜、合金膜の原子組成を調整したものを適用した。
測定電極にはＰｔを用い、室温（約２０℃）で行った。なお、測定時の電位上昇速度は、約１０ｍＶ／ｓｅｃとした。上記サンプルの金属、合金膜の膜厚は約１００ｎｍとし、ＮａＣｌ溶液のｐＨは７とした。

金属や合金膜の腐食は、溶液の種類や濃度によって変化するものであり、特にＣｌとの反応の有無によって大きく変化する。本腐食試験においては、高温高湿下、海水雰囲気中等の厳しい環境下における腐食の発生に関して着目し、これを回避するべく、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた場合の分極曲線を参照することとした。

金属、合金の腐食のし易さは、図８の分極曲線の横軸に示す腐食電流密度が指標となる。
すなわち分極曲線のアノード曲線の方での電流密度が高ければ、金属、合金の腐食反応が進行しており、その金属、合金は腐食し易い。

さらに腐食試験後にサンプルの表面状態の観察を行った。
これは、上述した単層膜での試験、並びに局部電池効果を考慮して、腐食電位の高い金属、例えばＡｕからなる下地膜上に各層を積層した積層膜での試験を行った。局部電池効果によってＡｕと接する積層膜の方が単層膜よりも腐食が発生しやすい傾向にあるためである。

電位が０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌのときのサンプル側電極における電流密度と腐食試験前後の耐食性評価結果を下記表１に示す。
なお、腐食試験前後の耐食性評価は、サンプルの電気抵抗の変化、及び光学顕微鏡を用いた表面状態観察結果の双方を考慮して判断した。
下記表１において、○は電気抵抗に変化が見られず表面に変化が生じなかった場合を示し、△は電気抵抗に殆ど変化が見られず表面に僅かに変色が発生した場合を示し、×は電気抵抗が変化し表面に腐食が発生した場合を示す。

上記表１に示すサンプル１〜１２の各膜の耐食性評価結果は、分極曲線（アノード曲線）において電位が０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌのときのサンプル側電極における電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²となるときを境にして、大きく変化した。
電位が０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌのときのサンプル側電極における電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下になるときは、スピンバルブ膜４０の非磁性層４４、磁化固定層４３、磁化自由層４５、及び反強磁性層４２のサンプル表面に腐食の発生が確認されず、腐食試験前後の抵抗変化も殆ど無く、優れた耐食性が実現されることが分かった。
一方、上記電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²よりも大きくなると、非磁性層４４、磁化固定層４３、磁化自由層４５、及び反強磁性層４２のサンプル表面に腐食が発生し、腐食試験前後の抵抗変化が急激に増加し、実用上充分な耐食性が得られなくなることが分かった。

上述したことから明らかなように、スピンバルブ膜４０を構成する非磁性層４４、磁化固定層４３、磁化自由層４５、及び反強磁性層４２における濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いたアノード曲線において、電位が０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌのときのサンプル側電極における電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下となるように各膜組成を特定することにより、各膜において優れた耐食性が実現され、最終的に得られるＧＭＲヘッドにおいて高い磁気抵抗変化率を長期に亘り維持することが可能となることが分かった。
なお、上記電流密度に関する条件は、スピンバルブ膜４０を構成する膜の少なくともいずれかが満たしていればスピンバルブ膜４０の耐食性の向上効果が得られるが、構成膜の全てが上記条件を満たしているようにすることにより、極めて高い耐食性を有するスピンバルブ膜が得られることが確かめられた。

次に、スピンバルブ膜４０を構成する各膜の元素組成について考察する。
非磁性層４４の材料は、優れた耐食性を示し且つ高導電性を示す、Ａｕ、ＣｕＡｕが好適であるが、Ｃｕ、Ａｕの組成比を、それぞれ（１００−ａ）、ａ（ａは、原子％を表す。）としたとき、１５≦ａ＜１００とすることが好適である。
これは、上記表１に示すように、Ｃｕに対するＡｕの割合を増加すると、電流密度は低下し、腐食試験環境下において腐食反応の進行が遅くなることが確認され、Ａｕの添加量を１５原子％以上とすることによって、上述した電流密度は、０．５〔ｍＡ／ｃｍ²〕以下となることによるものである。
また、非磁性層４４には、Ａｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｂ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｉｒ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｒｕから選ばれる少なくとも一種または二種以上の元素が任意に添加されていてもよい。
また、非磁性層としてＣｕＡｕの他、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＣｕＮｉ、ＣｕＲｕ、ＣｕＲｈのいずれかを適用しても、上述した場合と同様に、優れた耐食性を示し、高温高湿下や海水雰囲気中等の厳しい使用条件下においても腐食の発生が回避され、適切な再生動作を行うことができることが確かめられた。

次に、磁化固定層４３及び磁化自由層４５について説明する。
磁化固定層４３及び磁化自由層４５は、上述したようにＮｉＦｅ又はＣｏＮｉＦｅにより形成するものとし、これらのどちらか一方でもよく、組合せて構成してもよい。
また、磁化固定層４３及び磁化自由層４５は、これらの合金を積層した積層構造、もしくはこれらの合金と、例えばＲｕ等からなる非磁性膜とを交互に積層した積層フェリ構造としてもよい。

磁化固定層４３及び磁化自由層４５に関しては、上記表１に示した結果から明らかなように、濃度０．１ｍｏｌ／LのＮａＣｌ溶液を用いたアノード曲線において電位が０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌのときのサンプル側電極における電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下となると、優れた耐食性評価が得られる。

このことから、スピンバルブ膜を構成する磁化固定層４３及び磁化自由層４５に関しては、濃度０．１ｍｏｌ／LのＮａＣｌ溶液を用いたアノード曲線において電位が０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌのときのサンプル側電極における電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下となるように構成元素の組成比を調整することが好ましい。

また、磁化自由層４５は保磁力が小さい方が好ましく、保磁力Ｈｃは１０Ｏｅ（７９６Ａ／ｍ）よりも小さい方が好ましい。Ｈｃ＞１０Ｏｅとなる場合は保磁力の増加によって磁気抵抗効果が劣化するためである。
また、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅは、共にｆｃｃ相（面心立方構造）である方が磁気抵抗効果は高くなる。一方、他の結晶構造（例えばｂｃｃ構造（体心立方構造）となる場合には、界面での格子の不整合が生じ、磁気抵抗効果が劣化する。また、ｆｃｃ相とｂｃｃ相とが混在する場合も、界面での格子の不整合が生じ、磁気抵抗効果が劣化する。

なお、上述したスピンバルブ膜４０においては、磁化固定層４３及び磁化自由層４５は、上述した組成比を有するＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅに、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｐｄから選ばれる少なくとも一種または二種以上の元素が添加されていてもよい。

また、上述した組成比を有するＮｉＦｅ、又はＣｏＮｉＦｅである磁化固定層４３及び磁化自由層４５が複数形成されている場合には、それらはそれぞれ異なる組成を有していてもよく、複数の組合せによって構成されていてもよい。

上述したような条件を満足するスピンバルブ膜４０として、具体的には、例えば下地層４１となるＴａ、磁化自由層４５となるＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀及びＣｏ₅₀Ｎｉ₃₀Ｆｅ₂₀、非磁性層となるＣｕ₇₀Ａｕ₃₀、磁化固定層４３となるＣｏ₅₀Ｎｉ₃₀Ｆｅ₂₀、反強磁性層４２となるＰｔＭｎ、保護層４６となるＴａが、順次積層された構成としたところ、優れた耐食性を実現できることが確かめられ、最終的に得られるＧＭＲヘッドにおいて、磁気テープとの摺動面２０ａに保護膜を形成しない場合であっても、高温高湿下や海水雰囲気中等の厳しい使用条件下において、腐食の発生が効果的に回避でき、適切な再生動作を長期に亘って維持可能であることが確認できた。

なお本発明は、上述したような構成のＧＭＲヘッドに限定されず、例えばＧＭＲヘッド上に、電磁誘導を利用したインダクティブ型磁気ヘッドが積層されてなる複合型磁気ヘッドにも適用可能である。
また、本発明は、絶縁層を介して一対の磁性層を積層し、一方の磁性層から他方の磁性層に流れるトンネル電流のコンダクタンスが一対の磁性層の磁化の相対角度に依存して変化する磁気トンネル接合素子を備える磁気トンネル効果型磁気ヘッドにも適用可能である。

次に、本発明の磁気記録再生装置１を構成する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを適用する磁気記録媒体（磁気テープ）について説明する。
磁気記録媒体（磁気テープ）は、図９に示すように、長尺状の非磁性支持体６１上に金属磁性薄膜６２及び保護層６３が順次積層形成されて成り、金属磁性薄膜形成面側とは反対側の主面にバックコート層６４が形成された構成を有している。

非磁性支持体６１は、磁気テープ用のベースフィルムに従来使用されている材料をいずれも適用できる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロース誘導体、ポリアミド、アラミド樹脂、ポリカーボネート等のプラスチック等が挙げられる。
非磁性支持体６１は、単層構造であっても多層構造であってもよい。また、非磁性支持体の表面には、コロナ放電処理等の表面処理が施されていてもよいし、易接着層等の有機物層が形成されていてもよい。

金属磁性薄膜６２は、例えばＣｏ系合金等の金属磁性材料を用いて、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、イオンプレーティング法等、従来公知の手法により形成することができ、特に、真空蒸着法により成膜することが好適である。
金属磁性薄膜６２の膜厚は、ラインスピードを変化させることにより制御することが可能であり、残留磁化量は、蒸着中の酸素導入量を変化させることにより制御することが可能である。

また、非磁性支持体６１と金属磁性薄膜６２との間には、例えば、所定の材料により下地層や下塗層を介在させてもよい。下地層としては、例えばＣｒ膜の他、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶ等が挙げられ、下塗層としては、例えばアクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスの塗布膜が挙げられる。

次に、磁気記録媒体２の金属磁性薄膜の特性について説明する。
金属磁性薄膜６２は、残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔが、４ｍＡ〜２０ｍＡであるものとする。
磁気記録媒体２のＭｒ・ｔが２０ｍＡよりも大きいと、ＧＭＲヘッドが飽和して、ＭＲ抵抗変化が線形な領域を外れ、再生波形が歪んでしまい、一方、Ｍｒ・ｔが４ｍＡよりも小さいと、再生出力が小さくなり良好なＣ／Ｎ（信号／ノイズ比）を得ることが出来なくなってしまうためである。
従って、Ｍｒ・ｔを、４ｍＡ〜２０ｍＡの範囲に規定することで、再生波形の歪みがなく、再生出力が大きく良好なＣ／Ｎを有するものとなる。さらには、積Ｍｒ・ｔが、６ｍＡ〜２０ｍＡであることが望ましく、さらにはＭｒ・ｔは、６ｍＡ〜１７ｍＡであることが望ましい。

Ｍｒ、ｔは、蒸着時の酸素導入量、及び非磁性支持体６２の送りスピード等によって制御することができる。すなわち、蒸着時の酸素導入量を少なくすれば、Ｍｒは大きくなり、酸素導入量を多くすれば、Ｍｒは小さくなる。また、蒸着時の非磁性支持体６２の送りスピードを遅くすればｔは厚くなり、送りスピードを遅くすればｔは薄くなる。また、磁性層６２形成後の表面酸化処理によってもＭｒを調整することができる。

残留磁化量Ｍｒは、１６０ｋＡ／ｍ〜４００ｋＡ／ｍとすることが好ましい。Ｍｒが４００ｋＡ／ｍよりも大きいと、磁性粒子の分離ができず、磁気的相互作用によりノイズが増大してしまい、一方、Ｍｒが１６０ｋＡ／ｍよりも小さいと、Ｃｏ粒子の酸化が進行し、充分な再生出力を得ることができないためである。
従って、Ｍｒを１６０ｋＡ／ｍ〜４００ｋＡ／ｍの範囲に規定することで、ノイズを減少させ、充分な再生出力を付与することができる。そして、Ｍｒは２００ｋＡ／ｍ〜３６０ｋＡ／ｍの範囲であることがより好ましい。

金属磁性薄膜６２の膜厚ｔは、残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔの積Ｍｒ・ｔが、上記数値範囲になるように制御する。
金属磁性薄膜６２の膜厚ｔは１５ｎｍ〜１００ｎｍが好適であり、さらには２０ｎｍ〜７５ｎｍであることが望ましく、更には２０ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。

本発明における磁気記録媒体２は、金属磁性薄膜形成面側の算術平均粗さＲａが１ｎｍ〜５ｎｍであり、十点平均粗さＲｚが２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。
なお、上記各表面粗さについては、ＪＩＳの粗さ形状パラメータ（ＪＩＳ Ｂ0601-1994）で規格されているように、Ｒａは、平均線から絶対値偏差の平均値であり、Ｒｚは、基準長さ毎の山頂の高い方から５点、谷底の低い方から５点を選び、その平均高さであるものとする。
ここでの表面粗さＲａ及びＲｚは、ＡＦＭを用いて５０μｍ×５０μｍの面積で測定した。

Ｒａが１ｎｍ未満、あるいはＲｚが２０ｎｍ未満であると、磁気記録媒体２はテープ走行時において回転ドラム９やガイドローラ５に貼り付いてしまい、磁気テープの走行性が悪化する。また、Ｒａが５ｎｍよりも大、あるいはＲｚが２００ｎｍよりも大であると、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１２が摺動により摩耗してしまい、また、磁気記録媒体２と磁気抵抗効果型磁気ヘッド１２とのスペーシングが大きくなるため出力の劣化を招来する。

また、磁気記録媒体（磁気テープ）は、面内方向での保磁力Ｈｃが、１００ｋＡ／ｍ〜１６０ｋＡ／ｍであることが好ましい。
保磁力Ｈｃが１００ｋＡ／ｍよりも小さいと、低ノイズ化、高ＳＮ比を実現することができないためである。一方、保磁力Ｈｃが１６０ｋＡ／ｍを超えると、充分な記録が出来なくなり、再生出力が低下してしまうためである。
従って、面内方向での保磁力を１００ｋＡ／ｍ〜１６０ｋＡ／ｍの範囲に規定することにより、低ノイズ化及び高ＳＮ比が実現でき、高い再生出力が得られる。

なお、保護層６３は、従来の磁気テープ用の保護膜として使用されるものであれば、如何なるものであってもよい。例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＳｉＮ_x、ＳｉＣ、ＳｉＮ_x−ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ等が挙げられる。保護層６３は、これらの単層膜であってもよいし、多層膜あるいは複合膜であってもよい。

なお、磁気記録媒体は、図９に示す構成に限定されるものではなく、必要に応じて各種材料層や機能層を介在させたり、金属磁性薄膜６２又は保護層６３上に潤滑剤や防錆剤等よりなるトップコート層を形成したりしてもよい。
また、金属磁性薄膜を複数積層したものであってもよい。さらに、垂直異方性或いは面内ランダム配向性を有してもよい。

上述したように本発明によれば、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成するスピンバルブ膜について、所定の電位を付加したときの電流密度を限定したことにより、優れた耐食性が実現された。

また、本発明装置に適用する磁気記録媒体について、金属磁性薄膜の残留磁化量と膜厚との積、ならびに残留磁化量を数値的に最適な範囲に特定したことにより、ノイズの低減化が図られ、ヘッド飽和を効果的に回避でき、再生波形の歪みがなく、高ＳＮ化が実現できた。

次に、本発明について、具体的な例を挙げて説明する。
なお、以下に示す例においては、具体的な材料名、数値等を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実験Ａ）
〔実施例Ａ１〕
磁気テープを下記のようにして作製した。
非磁性支持体として、厚さ１０μｍ幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用意し、この表面に、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックス塗布し、微細凹凸の密度が１０００万個／ｍｍ²となるようにして下塗層を形成した。

下塗層上にＣｏ−Ｏ系の金属磁性薄膜を、真空蒸着法により膜厚４０ｎｍとなるように形成した。
成膜条件を以下に示す。
（成膜条件）
蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ
インゴット：Ｃｏ
入射角度：４５°〜９０°
導入ガス：酸素ガス

金属磁性薄膜形成後、スパッタ法あるいはＣＶＤ法によりカーボン膜よりなる保護層を膜厚約１０ｎｍに形成した。その後、金属磁性薄膜形成面とは反対側の面に、カーボンとウレタン樹脂からなるバックコート層を膜厚０．６μｍに形成した。また、上記保護層上にパーフルオロポリエーテルよりなる潤滑剤を塗布した。
その後、８ｍｍ幅に裁断して、大気中、常温にて所定期間保持する工程を経て金属磁性薄膜表面の酸化を行い、サンプルとなる磁気テープを作製した。

上述のようにして作製された磁気テープの残留磁化量Ｍｒは、３２５ｋＡ／ｍであり、金属磁性薄膜の膜厚ｔは４０ｎｍであり、それらの積Ｍｒ・ｔは、１３ｍＡであった。

〔実施例Ａ２〜Ａ６〕、〔比較例Ａ１、Ａ２〕
金属磁性薄膜の蒸着時における酸素導入量、及び金属磁性薄膜形成後の、大気中での保持工程時間を調整することにより、残留磁化量Ｍｒを制御し、膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔを、下記表２に示す値になるように制御した。
その他の製造条件は上記実施例Ａ１と同様にしてサンプル磁気テープを作製した。

〔実施例Ａ１〜Ａ６〕及び〔比較例Ａ１、Ａ２〕の磁気テープに対して、それぞれ電磁変換特性の測定を行った。
具体的には、８ｍｍＶＴＲを改造したものを用い、各サンプル磁気テープに記録波長０．４μｍにて情報信号を記録した後、シールド型ＧＭＲヘッド２０により再生出力、ノイズレベル、及びＣ／Ｎの測定を行った。

〔実施例Ａ１〜Ａ６〕及び〔比較例Ａ１、Ａ２〕の磁気テープの作製条件、及び再生出力、ノイズレベル、Ｃ／Ｎの測定結果を、それぞれ下記表２に示す。

上記表２に示すように、金属磁性薄膜の残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔを４ｍＡ〜２０ｍＡとした実施例Ａ１〜Ａ６においては、歪みがなく高い再生出力が得られ、良好なＣ／Ｎが得られた。

一方、残留磁化量Ｍｒと金属磁性薄膜の膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔが、４ｍＡ未満である比較例Ａ１においては、再生出力が小さくなり良好なＣ／Ｎが得られなかった。
また、Ｍｒ・ｔが２０ｍＡよりも大きい比較例Ａ２においては、ＧＭＲヘッドが飽和してしまい、再生出力に歪みが生じた。

〔実施例Ａ７〜Ａ１０〕、〔比較例Ａ３、Ａ４〕
次に、金属磁性薄膜の残留磁化量Ｍｒを変化させ、磁気テープを作製し、これらの再生出力、ノイズレベル、及びＣ／Ｎを測定評価した。
なお、これらにおいては、金属磁性薄膜形成後の大気中での保持工程時間を調整することにより、残留磁化量Ｍｒと金属磁性薄膜の膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔを１３ｍＡと一定になるようにして、残留磁化量Ｍｒを下記表３に示すように制御した。その他の作製条件は、上記実施例Ａ１と同様とした。

上述のようにして作製した〔実施例Ａ７〜Ａ１０〕及び〔比較例Ａ３、Ａ４〕の磁気テープの残留磁化量Ｍｒ、再生出力、ノイズレベル、Ｃ／Ｎの測定結果を下記表３に示す。

上記表３に示すように、金属磁性薄膜の残留磁化量Ｍｒが１６０〜４００ｋＡ／ｍである実施例Ａ７〜Ａ１０においては、ノイズの低減化が図られ、高い再生出力が得られ、良好なＣ／Ｎが得られた。特にＭｒが２００〜３６０ｋＡ／ｍとしたとき、良好な磁気特性が得られた。

一方、残留磁化量Ｍｒが１６０ｋＡ／ｍ未満である比較例Ａ３においては、充分な再生出力が得られなかった。
また、残留磁化量Ｍｒが４００ｋＡ／ｍよりも大きい比較例Ａ４においては、ノイズが増大し、良好なＣ／Ｎが得られなかった。

（実験Ｂ）
〔実施例Ｂ１〕
磁気テープを下記のようにして作製した。
非磁性支持体として、厚さ１０μｍ幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用意し、この表面に、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックス塗布し、微細凹凸の密度が１０００万個／ｍｍ²となるようにして下塗層を形成した。

次に、下塗層上にＣｏ−Ｏ系の金属磁性薄膜を、真空蒸着法により膜厚４０ｎｍとなるように形成した。
成膜条件を以下に示す。
（成膜条件）
蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ
インゴット：Ｃｏ
入射角度：４５°〜９０°
導入ガス：酸素ガス

金属磁性薄膜形成後、スパッタ法あるいはＣＶＤ法によりカーボン膜よりなる保護層を膜厚約１０ｎｍに形成した。その後、金属磁性薄膜形成面とは反対側の面に、カーボンとウレタン樹脂からなるバックコート層を膜厚０．６μｍに形成した。また、上記保護層上にパーフルオロポリエーテルよりなる潤滑剤を塗布した。
その後、８ｍｍ幅に裁断して、大気中、常温にて所定期間保持する工程を経て金属磁性薄膜表面の酸化を行い、サンプルとなる磁気テープを作製した。

磁気テープの表面粗度Ｒａは３．０ｎｍ、Ｒｚは５０ｎｍであった。
なお、残留磁化量Ｍｒは、３２５ｋＡ／ｍであり、金属磁性薄膜の膜厚ｔは４０ｎｍであり、それらの積Ｍｒ・ｔは、１３ｍＡであった。

〔実施例Ｂ２〜Ｂ６〕、〔比較例Ｂ１〜Ｂ４〕
磁気記録媒体２の作製時において非磁性支持体６１の突起高や表面粗さを制御し、非磁性支持体６１と金属磁性膜６２の間に下地層や下塗層を設けることにより、下記表４に示す表面粗さＲａ、Ｒｚを有する磁気テープを作製した。

〔実施例Ｂ１〜Ｂ６〕及び〔比較例Ｂ１〜Ｂ４〕の磁気テープに対して、それぞれ電磁変換特性の測定を行った。
具体的には、８ｍｍＶＴＲを改造したものを用い、各サンプル磁気テープを走行した後のシールド型ＧＭＲヘッド２０の抵抗変化によりヘッド摩耗測定を行った。ヘッド磨耗の評価及び磁気テープの走行性の評価の結果を下記表４に示す。
なお、ヘッド磨耗については、◎を磨耗が殆ど確認されなかったもの、○をヘッド磨耗量が３％以下であったもの、×をヘッド磨耗が１０％以上であったもの、−を磁気テープ走行不可により測定できなかったものとして評価した。
また、磁気テープの走行性については、実用上良好な走行性が得られたものを○、貼り付きが生じ、走行不良であったものを×として評価した。

表４に示すように、金属磁性薄膜のＲａが１〜５ｎｍ、Ｒｚが２０〜２００ｎｍであるとした実施例Ｂ１〜Ｂ６においては、磁気ヘッドの摩耗がなく、耐久性に優れており、さらに走行性についても良好な評価が得られた。

一方、金属磁性薄膜のＲａが１ｎｍ未満とした比較例Ｃ１、及びＲｚが２０ｎｍ未満とした比較例Ｃ２においては走行時に貼り付きが生じ、走行性が悪化した。
また、金属磁性薄膜のＲａが５ｎｍよりも大きい比較例Ｂ３、及びＲｚが２００ｎｍよりも大きい比較例Ｂ４においては、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの摩耗が増加し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗が高くなり、出力が不安定となった。

磁気テープ用の記録再生装置の概略平面図を示す。 記録再生装置を構成するヘッドドラムの概略斜視図を示す。 本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの概略斜視図を示す。 ＧＭＲヘッドを媒体摺接面側から見た端面図を示す。 ボトム型のスピンバルブ膜の概略断面図を示す。 トップ型のスピンバルブ膜の概略断面図を示す。 デュアル型のスピンバルブ膜の概略断面図を示す。 ０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）を示す。 磁気記録媒体の概略断面図を示す。

符号の説明

１……磁気記録再生装置、２……磁気記録媒体、３……供給リール、４……巻取リール、５ａ〜５ｆ……ガイドローラ、５ｇ……ピンチローラ、６……キャップスタン、６ａ……キャップスタンモータ、７……ヘッドドラム、８……駆動モータ、９……回転ドラム、１０……固定ドラム、１１a，１１ｂ……記録用磁気ヘッド、１２ａ，１２ｂ……再生用磁気ヘッド、２０……ＧＭＲヘッド、２１……第１のコア部材、２２……保護膜、２３……第２のコア部材、２４，２５……磁気シールド層、２６……ギャップ層、２７……ＧＭＲ素子、２８ａ，２８ｂ……永久磁石膜、２９ａ，２９ｂ……低抵抗化膜、３０ａ，３０ｂ……導体部、３１ａ，３１ｂ……外部接続用端子、４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ……スピンバルブ膜、４１……下地層、４２……反強磁性層、４３……磁化固定層、４４……非磁性層、４５……磁化自由層、４６……保護層、６１……非磁性支持体、６２……金属磁性薄膜、６３……保護層、６４……バックコート層

Claims (5)

1. 磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、当該反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構成のスピンバルブ膜を備え、
   前記スピンバルブ膜を構成する前記反強磁性層、前記磁化固定層、前記磁化自由層、及び前記非磁性層は、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、電位を０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌとしたとき、電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下となり、
   テープ状の磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. 前記磁化自由層は、保磁力Ｈｃが１０Ｏｅ未満である請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
3. ヘリカルスキャン磁気記録再生装置を構成する回転ドラムに搭載されてなり、
   当該回転ドラムの周面を摺動する前記テープ状の磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行う請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
4. 磁気信号の検出を行う感磁素子として、反強磁性層と、当該反強磁性層との間で働く交換結合磁界により所定の方向に磁化が固定された磁化固定層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間を磁気的に隔離する非磁性層とが積層された構成のスピンバルブ膜を備える磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、
   テープ状の非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成されてなる磁気記録媒体とを具備し、
   前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが、前記磁気記録媒体と摺接しながら磁気信号の検出を行い、
   前記スピンバルブ膜を構成する前記反強磁性層、前記磁化固定層、前記磁化自由層、及び前記非磁性層は、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、電位を０．２５Ｖ vs Ａｇ・ＡｇＣｌとしたとき、電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²以下であり、
   前記金属磁性薄膜の残留磁化量Ｍｒと膜厚ｔとの積Ｍｒ・ｔが、４ｍＡ〜２０ｍＡであり、
   残留磁化量Ｍｒが、１６０ｋＡ／ｍ〜４００ｋＡ／ｍである磁気記録再生装置。
5. 前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが搭載された回転ドラムを有し、
   当該回転ドラムの周面を前記テープ状の磁気記録媒体が走行するようになされ、
   ヘリカルスキャン方式により、前記磁気記録媒体と前記感磁素子とが摺接しながら磁気信号の検出を行う請求項４に記載の磁気記録再生装置。

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