JP2002192644A - 銅系膜付き基板 - Google Patents
銅系膜付き基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低反射性、導電性、遮光性、密着性に優れる
環境上問題の無い安価な膜付き基板を得ること。 【構成】 透明基板表面に、下部酸化銅膜、銅膜を順次
積層させること。
環境上問題の無い安価な膜付き基板を得ること。 【構成】 透明基板表面に、下部酸化銅膜、銅膜を順次
積層させること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（以
下、ＬＣＤと略す）用遮光基板、プラズマディスプレイ
パネル（以下、ＰＤＰと略す）等の前面基板、建築用窓
ガラス等の電磁波シールド用基板等に用いることが可能
な銅系膜付き基板に関する。
下、ＬＣＤと略す）用遮光基板、プラズマディスプレイ
パネル（以下、ＰＤＰと略す）等の前面基板、建築用窓
ガラス等の電磁波シールド用基板等に用いることが可能
な銅系膜付き基板に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ＬＣＤ、ＰＤＰ、カソードレイチュ
ーブ（以下、ＣＲＴと略す）用などに用いられる反射
性、導電性、遮光性を兼備した薄膜基板としては、クロ
ム／酸化クロム系からなる積層膜が広く用いられてい
る。しかしながら、クロム／酸化クロム系は一般に六価
以外の原子価を有するものは毒性が少ないものの、高い
毒性を有する六価クロムの環境への悪影響が強く懸念さ
れる問題から、近年、使用自粛の要望がある。また、酸
化クロムは成膜速度が一般に低いため、生産上の問題も
ある。従って、クロムを用いない低反射膜、遮光膜が求
められており、これに対する技術として、例えば、特開
平９−５７８３号公報に記載されているようなモリブデ
ン／酸化モリブデン積層膜を用いたものや、特開平９−
２４３８０１号公報に記載されているようなニッケル−
鉄合金等の膜を用いたもの、特開平１０−１９７７１３
号公報に記載されているようなタンタル／酸化（または
窒化）タンタル積層膜を用いたもの、特開平１１−９５
００９号公報に記載されているようなチタン化合物／チ
タン積層膜を用いたものなどが知られている。
ーブ（以下、ＣＲＴと略す）用などに用いられる反射
性、導電性、遮光性を兼備した薄膜基板としては、クロ
ム／酸化クロム系からなる積層膜が広く用いられてい
る。しかしながら、クロム／酸化クロム系は一般に六価
以外の原子価を有するものは毒性が少ないものの、高い
毒性を有する六価クロムの環境への悪影響が強く懸念さ
れる問題から、近年、使用自粛の要望がある。また、酸
化クロムは成膜速度が一般に低いため、生産上の問題も
ある。従って、クロムを用いない低反射膜、遮光膜が求
められており、これに対する技術として、例えば、特開
平９−５７８３号公報に記載されているようなモリブデ
ン／酸化モリブデン積層膜を用いたものや、特開平９−
２４３８０１号公報に記載されているようなニッケル−
鉄合金等の膜を用いたもの、特開平１０−１９７７１３
号公報に記載されているようなタンタル／酸化（または
窒化）タンタル積層膜を用いたもの、特開平１１−９５
００９号公報に記載されているようなチタン化合物／チ
タン積層膜を用いたものなどが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平９−５７８３号、特開平９−２４３８０１号、特開
平１０−１９７７１３号、特開平１１−９５００９号公
報に開示されている何れの膜も膜の構成材料が高価であ
りコストアップにつながり、また一般に成膜速度が低
く、生産性に劣るという問題がある。
開平９−５７８３号、特開平９−２４３８０１号、特開
平１０−１９７７１３号、特開平１１−９５００９号公
報に開示されている何れの膜も膜の構成材料が高価であ
りコストアップにつながり、また一般に成膜速度が低
く、生産性に劣るという問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、従来の前
記課題に鑑み鋭意研究した結果、ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲ
Ｔ用基板などに用いられる反射性、導電性、遮光性を兼
備した薄膜付き基板として、透明基板表面に銅膜と酸化
銅膜が順次積層されてなる銅系膜付き基板は、必要十分
な低反射性、導電性、遮光性が得られるとともに、膜の
主要な構成元素として銅を用いているので環境上問題が
無く、さらには安価な銅により低コストで製造が可能且
つ成膜速度が早い等の利点を有することを見出した。
記課題に鑑み鋭意研究した結果、ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲ
Ｔ用基板などに用いられる反射性、導電性、遮光性を兼
備した薄膜付き基板として、透明基板表面に銅膜と酸化
銅膜が順次積層されてなる銅系膜付き基板は、必要十分
な低反射性、導電性、遮光性が得られるとともに、膜の
主要な構成元素として銅を用いているので環境上問題が
無く、さらには安価な銅により低コストで製造が可能且
つ成膜速度が早い等の利点を有することを見出した。
【０００５】すなわち、本発明の銅系膜付き基板は、透
明基板表面に、下部酸化銅膜、銅膜が順次積層されてな
ることを特徴とする。
明基板表面に、下部酸化銅膜、銅膜が順次積層されてな
ることを特徴とする。
【０００６】また、本発明の銅系膜付き基板は、銅膜の
上層に上部酸化銅膜が設けられてなることを特徴とす
る。
上層に上部酸化銅膜が設けられてなることを特徴とす
る。
【０００７】さらに、本発明の銅系膜付き基板は、銅膜
の膜厚は５０〜１０００ｎｍ、下部酸化銅膜の膜厚は１
０〜１００ｎｍを有することを特徴とする。
の膜厚は５０〜１０００ｎｍ、下部酸化銅膜の膜厚は１
０〜１００ｎｍを有することを特徴とする。
【０００８】さらにまた、本発明の銅系膜付き基板は、
上部酸化銅膜の膜厚は１０〜５０ｎｍであることを特徴
とする。
上部酸化銅膜の膜厚は１０〜５０ｎｍであることを特徴
とする。
【０００９】
【発明の実施の態様】本発明の銅系膜付き基板は、透明
基板表面に、下部酸化銅膜と、その上層に銅膜が積層さ
れてなることを特徴とする。金属である銅膜は遮光性を
付与する目的で用いられ、一方の下部酸化銅膜は銅の単
層膜では反射率が大き過ぎるので多層に積層し、光干渉
作用を利用して銅膜の反射色調をより黒く見えるように
するとともに可視光反射率を小さくし画面を見易くする
ため、及び基板と銅膜の密着性を向上するために用いら
れる。このように下部酸化銅膜と銅膜を順次積層するこ
とにより、液晶表示装置のブラックマトリックス等に用
いた場合に、画面のコントラストを上げると共に表示パ
ネルの背景の映り込みを小さくし、画面を見易くするこ
とが出来る。
基板表面に、下部酸化銅膜と、その上層に銅膜が積層さ
れてなることを特徴とする。金属である銅膜は遮光性を
付与する目的で用いられ、一方の下部酸化銅膜は銅の単
層膜では反射率が大き過ぎるので多層に積層し、光干渉
作用を利用して銅膜の反射色調をより黒く見えるように
するとともに可視光反射率を小さくし画面を見易くする
ため、及び基板と銅膜の密着性を向上するために用いら
れる。このように下部酸化銅膜と銅膜を順次積層するこ
とにより、液晶表示装置のブラックマトリックス等に用
いた場合に、画面のコントラストを上げると共に表示パ
ネルの背景の映り込みを小さくし、画面を見易くするこ
とが出来る。
【００１０】銅膜の膜厚は、５０ｎｍ以上の厚さが好ま
しく、５０ｎｍ未満であると可視光線透過率が０％とな
らず遮光性が不充分となる。なお、銅膜の膜厚の上限は
特に限定されるものではないが、高い表示コントラスト
を得るための遮光のみが目的であれば１００ｎｍ程度で
十分であるが、外部から建物内に不要な電磁波は入り込
まないようにする、或いは室内の電磁波が外部にもれな
いようにするための電磁波シールド用が目的の場合には
低抵抗が必要なので３００ｎｍ以上の膜厚が必要であ
り、導電性、生産性等の観点から１０００ｎｍ以下が好
ましい。
しく、５０ｎｍ未満であると可視光線透過率が０％とな
らず遮光性が不充分となる。なお、銅膜の膜厚の上限は
特に限定されるものではないが、高い表示コントラスト
を得るための遮光のみが目的であれば１００ｎｍ程度で
十分であるが、外部から建物内に不要な電磁波は入り込
まないようにする、或いは室内の電磁波が外部にもれな
いようにするための電磁波シールド用が目的の場合には
低抵抗が必要なので３００ｎｍ以上の膜厚が必要であ
り、導電性、生産性等の観点から１０００ｎｍ以下が好
ましい。
【００１１】前記したように、銅膜の下層には基板面側
からの低反射化、銅膜との密着性を向上するために下部
酸化銅膜を設ける必要があるが、その膜厚は干渉効果に
よる低反射化が目的の場合には４０〜１００ｎｍ程度が
適当である（４０ｎｍ未満であると反射率が高くな
る）。また、基板側からの低反射化が必要でなく銅膜と
の密着性向上が主目的の場合には、膜厚は１０ｎｍ以上
あれば十分である。
からの低反射化、銅膜との密着性を向上するために下部
酸化銅膜を設ける必要があるが、その膜厚は干渉効果に
よる低反射化が目的の場合には４０〜１００ｎｍ程度が
適当である（４０ｎｍ未満であると反射率が高くな
る）。また、基板側からの低反射化が必要でなく銅膜と
の密着性向上が主目的の場合には、膜厚は１０ｎｍ以上
あれば十分である。
【００１２】一方、前記銅膜の上層には、膜面側から見
た場合の低反射化を目的として上部酸化銅膜を設けるこ
とができる。該上部酸化銅膜の膜厚は１０〜５０ｎｍの
範囲が好ましく、より好ましくは２５〜４０ｎｍ、１０
ｎｍ未満であると膜面側反射率が高くなるとともに赤み
が強くなり、また５０ｎｍを越えると膜面側反射が高く
なるので好ましくない。なお、前記のように低反射化に
すると、金属よりなる銅膜の黒化（黒化度）が鮮明にな
り、例えば、黒の背景に明るい表示を行う場合の背景部
分に設けるもの、カラーフィルターを併用してカラー表
示を行う場合の画素間に設けるブラックマトリックス等
に好適である。
た場合の低反射化を目的として上部酸化銅膜を設けるこ
とができる。該上部酸化銅膜の膜厚は１０〜５０ｎｍの
範囲が好ましく、より好ましくは２５〜４０ｎｍ、１０
ｎｍ未満であると膜面側反射率が高くなるとともに赤み
が強くなり、また５０ｎｍを越えると膜面側反射が高く
なるので好ましくない。なお、前記のように低反射化に
すると、金属よりなる銅膜の黒化（黒化度）が鮮明にな
り、例えば、黒の背景に明るい表示を行う場合の背景部
分に設けるもの、カラーフィルターを併用してカラー表
示を行う場合の画素間に設けるブラックマトリックス等
に好適である。
【００１３】上部或いは下部の酸化銅膜については、該
酸化銅の膜厚によってガラス面側或いは膜面側（非ガラ
ス面側）から見た場合の黒化度は変化し、該酸化銅の膜
質（酸化程度）が異なると、同じ膜厚でも十分な黒化が
起こらなくなるので、これら酸化銅の膜厚および十分な
酸化が重要になる。充分に酸化していれば膜厚を最適化
することにより低反射化、黒化にすることができる。
酸化銅の膜厚によってガラス面側或いは膜面側（非ガラ
ス面側）から見た場合の黒化度は変化し、該酸化銅の膜
質（酸化程度）が異なると、同じ膜厚でも十分な黒化が
起こらなくなるので、これら酸化銅の膜厚および十分な
酸化が重要になる。充分に酸化していれば膜厚を最適化
することにより低反射化、黒化にすることができる。
【００１４】本発明の低反射導電性遮光膜付き基板は、
ＰＤＰ等の前面板用や建築用窓ガラス用等の電磁波シー
ルド用基板、ブラックマトリックス膜、液晶のカラーフ
ィルター用等の液晶表示装置用遮光基板等に用いること
が可能であるが、特に、反射性が小さく遮光性に優れて
いるので、エッチングによるパターニングを行うことに
より、カラー液晶パネルのセル内面に設けられるカラー
フィルター画素間に用いられるブラックマトリックス用
として好適である。なお、本発明の銅系膜付き基板は、
セルの内面（液晶層側）に設けられてもよいし、セルの
外面に設けられてもよい。また、ＰＤＰカバーフィルタ
用に用いた場合には、膜面側とガラス面側のどちらにも
低反射化は必要となり、酸化銅膜は上層及び下層に必要
となる。
ＰＤＰ等の前面板用や建築用窓ガラス用等の電磁波シー
ルド用基板、ブラックマトリックス膜、液晶のカラーフ
ィルター用等の液晶表示装置用遮光基板等に用いること
が可能であるが、特に、反射性が小さく遮光性に優れて
いるので、エッチングによるパターニングを行うことに
より、カラー液晶パネルのセル内面に設けられるカラー
フィルター画素間に用いられるブラックマトリックス用
として好適である。なお、本発明の銅系膜付き基板は、
セルの内面（液晶層側）に設けられてもよいし、セルの
外面に設けられてもよい。また、ＰＤＰカバーフィルタ
用に用いた場合には、膜面側とガラス面側のどちらにも
低反射化は必要となり、酸化銅膜は上層及び下層に必要
となる。
【００１５】銅膜および酸化銅膜の成膜法については、
スパッタリング法に限らず、蒸着法、イオンプレーティ
ング法、ＣＶＤ法、スプレーパイロリシス法、ゾルゲル
法等特に限定するものではない。本発明の銅系膜付き基
板は、基本的に銅および酸素元素のみで積層膜が構成さ
れているので、スパッタリングターゲットなどの原材料
が１種類ですみ、生産性が向上しコストダウンにつなが
る利点も有する。スパッタリング法により成膜する場合
には、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に
よりＣｕターゲットを使用し、下部酸化銅膜および上部
酸化銅膜は、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス（混合
比１：１）をスパッタリングガスとして用いて成膜し、
銅膜の成膜はアルゴンガス１００％をスパッタリングガ
スとして用いて成膜することができる。、透明基板とし
ては、ガラス等の無機質、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンスルフィド、ポリカーボネート等の樹
脂など可視光の領域で透明な基板であれば用いることが
できる。
スパッタリング法に限らず、蒸着法、イオンプレーティ
ング法、ＣＶＤ法、スプレーパイロリシス法、ゾルゲル
法等特に限定するものではない。本発明の銅系膜付き基
板は、基本的に銅および酸素元素のみで積層膜が構成さ
れているので、スパッタリングターゲットなどの原材料
が１種類ですみ、生産性が向上しコストダウンにつなが
る利点も有する。スパッタリング法により成膜する場合
には、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に
よりＣｕターゲットを使用し、下部酸化銅膜および上部
酸化銅膜は、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガス（混合
比１：１）をスパッタリングガスとして用いて成膜し、
銅膜の成膜はアルゴンガス１００％をスパッタリングガ
スとして用いて成膜することができる。、透明基板とし
ては、ガラス等の無機質、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンスルフィド、ポリカーボネート等の樹
脂など可視光の領域で透明な基板であれば用いることが
できる。
【００１６】なお、充分に酸化させた酸化銅膜は、図３
に酸化銅の単層膜（５０ｎｍ）における光学スペクトル
（透過率、反射率）を示すように、褐色を呈する透明膜
となる。また、成膜時に完全に酸化銅膜を酸化させると
その抵抗率は０．１Ω・ｃｍ程度となるが、成膜時の酸
化が不充分であると抵抗率は１００〜１０００Ω・ｃｍ
と大きくなる。よって、基本的に酸化銅が充分に酸化し
ているか酸化していないかの判別法としては、例えば後
述の実施例（図１、図２）に示す光学スペクトル或いは
膜の表面抵抗（Ω／□）を用いることが出来る。
に酸化銅の単層膜（５０ｎｍ）における光学スペクトル
（透過率、反射率）を示すように、褐色を呈する透明膜
となる。また、成膜時に完全に酸化銅膜を酸化させると
その抵抗率は０．１Ω・ｃｍ程度となるが、成膜時の酸
化が不充分であると抵抗率は１００〜１０００Ω・ｃｍ
と大きくなる。よって、基本的に酸化銅が充分に酸化し
ているか酸化していないかの判別法としては、例えば後
述の実施例（図１、図２）に示す光学スペクトル或いは
膜の表面抵抗（Ω／□）を用いることが出来る。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。但し、本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。
る。但し、本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。
【００１８】〔実施例１〜３〕 （１）成膜 洗浄したソーダライムガラス基板（６１０ｍｍ×６１０
ｍｍ×３ｍｍ厚）上に、ＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置（実験機）によりＣｕターゲットを使用し、膜厚
５０ｎｍの下部酸化銅膜、膜厚５００ｎｍの不透明な銅
膜、膜厚２５ｎｍ（実施例１）、３５ｎｍ（実施例
２）、６０ｎｍ（実施例３）の３種類の上部酸化銅膜を
順次成膜し銅系膜付き基板を得た。なお、上部及び下部
の酸化銅膜の成膜は、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガ
ス（混合比１：１）をスパッタリングガスとして用い、
ガス圧を０．６Ｐａ、スパッタ電力４ｋＷの成膜条件に
て成膜し、銅膜の成膜はアルゴンガス１００％をスパッ
タリングガスとして用い、ガス圧が０．６Ｐａ、スパッ
タ電力２．２ｋＷの成膜条件にて成膜した。なお、比較
例１として下部酸化銅膜を設けないものも成膜した。成
膜した実施例１〜３、比較例１の膜厚条件を表１示す。
ｍｍ×３ｍｍ厚）上に、ＤＣマグネトロンスパッタリン
グ装置（実験機）によりＣｕターゲットを使用し、膜厚
５０ｎｍの下部酸化銅膜、膜厚５００ｎｍの不透明な銅
膜、膜厚２５ｎｍ（実施例１）、３５ｎｍ（実施例
２）、６０ｎｍ（実施例３）の３種類の上部酸化銅膜を
順次成膜し銅系膜付き基板を得た。なお、上部及び下部
の酸化銅膜の成膜は、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガ
ス（混合比１：１）をスパッタリングガスとして用い、
ガス圧を０．６Ｐａ、スパッタ電力４ｋＷの成膜条件に
て成膜し、銅膜の成膜はアルゴンガス１００％をスパッ
タリングガスとして用い、ガス圧が０．６Ｐａ、スパッ
タ電力２．２ｋＷの成膜条件にて成膜した。なお、比較
例１として下部酸化銅膜を設けないものも成膜した。成
膜した実施例１〜３、比較例１の膜厚条件を表１示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】（２）特性評価 得られた銅系膜付き基板について、下記の方法により特
性を評価した。
性を評価した。
【００２１】(a)光学特性 Ｕ４０００型自記分光光度計（日立製作所製）を用い、
可視光線反射率（膜面側、ガラス面側）、反射色調(膜
面側、ガラス面側）、反射スペクトル(膜面側、ガラス
面側）、可視光線透過率（ガラス面側、ガラス面側）を
測定した。なお、前記光学特性は、上部酸化銅膜側より
測定の場合（膜面側）と、ガラス側から測定した場合
（ガラス面側）の両方で評価した。
可視光線反射率（膜面側、ガラス面側）、反射色調(膜
面側、ガラス面側）、反射スペクトル(膜面側、ガラス
面側）、可視光線透過率（ガラス面側、ガラス面側）を
測定した。なお、前記光学特性は、上部酸化銅膜側より
測定の場合（膜面側）と、ガラス側から測定した場合
（ガラス面側）の両方で評価した。
【００２２】(b)表面抵抗 上部酸化銅膜の表面抵抗（Ω／□）を４探針プローブ抵
抗計（エプソン社製）により測定した。
抗計（エプソン社製）により測定した。
【００２３】(c)密着性 セロハンテープを銅膜の膜表面に張り付け、その後該テ
ープを膜面より剥離させ、その場合の膜の剥離具合によ
り膜の密着強度を評価した。なお、膜の剥離が全く認め
られない場合を合格とした。
ープを膜面より剥離させ、その場合の膜の剥離具合によ
り膜の密着強度を評価した。なお、膜の剥離が全く認め
られない場合を合格とした。
【００２４】（３）評価結果 得られた実施例１〜３，比較例１の計４種類について評
価した結果を下記に示す。
価した結果を下記に示す。
【００２５】可視光線反射率及び反射色調（ガラス面
側、膜面側） 表２に示すように、膜面側の可視光線反射率について
は、実施例１が５．１％、実施例２が１０．１％と実用
上十分に低いものが得られた。なお、上部酸化銅膜の膜
厚を５０ｎｍとした実施例３の膜面側可視光線反射率は
３１．９％と膜面反射が大きく、このサンプルを膜面側
から利用することは好ましくないことが判った。一方、
反射色調については、上部酸化銅膜の膜厚が２５ｎｍよ
りも薄くなると赤味が強くなる傾向にあった。なお、実
施例１、実施例２の膜面側反射スペクトルを図１に示
す。図１に示すように、実施例１および実施例３のサン
プルは、比視感度が最大となる５５０ｎｍ近傍で膜面側
反射率が極小となるものが得られた。
側、膜面側） 表２に示すように、膜面側の可視光線反射率について
は、実施例１が５．１％、実施例２が１０．１％と実用
上十分に低いものが得られた。なお、上部酸化銅膜の膜
厚を５０ｎｍとした実施例３の膜面側可視光線反射率は
３１．９％と膜面反射が大きく、このサンプルを膜面側
から利用することは好ましくないことが判った。一方、
反射色調については、上部酸化銅膜の膜厚が２５ｎｍよ
りも薄くなると赤味が強くなる傾向にあった。なお、実
施例１、実施例２の膜面側反射スペクトルを図１に示
す。図１に示すように、実施例１および実施例３のサン
プルは、比視感度が最大となる５５０ｎｍ近傍で膜面側
反射率が極小となるものが得られた。
【００２６】
【表２】
【００２７】可視光線反射率および反射色調（ガラス
面側） 表２に示すように、実施例１〜３のサンプルのガラス面
側可視光線反射率は１５．２％と実用上充分に低いもの
が得られた。なお、下部酸化銅膜を設けない比較例１に
おいては反射率が６８．１％と大きく、ガラス面側を利
用する場合には不適であることが判った。なお、実施例
１〜３のサンプルのガラス面側反射スペクトルを図２に
示す。図２に示されるように、銅膜の下層に下部酸化銅
膜を設けることにより可視域の反射率は約１５％前後を
示していた。
面側） 表２に示すように、実施例１〜３のサンプルのガラス面
側可視光線反射率は１５．２％と実用上充分に低いもの
が得られた。なお、下部酸化銅膜を設けない比較例１に
おいては反射率が６８．１％と大きく、ガラス面側を利
用する場合には不適であることが判った。なお、実施例
１〜３のサンプルのガラス面側反射スペクトルを図２に
示す。図２に示されるように、銅膜の下層に下部酸化銅
膜を設けることにより可視域の反射率は約１５％前後を
示していた。
【００２８】密着性 実施例２および比較例１のサンプルについて密着性試験
を行った。結果、実施例２のサンプルは、テープテスト
による密着性評価でも剥離が認められず十分な密着性を
示した。しかし、下部酸化銅膜を設けない比較例１のサ
ンプルは密着性試験にて剥離し不合格であった。
を行った。結果、実施例２のサンプルは、テープテスト
による密着性評価でも剥離が認められず十分な密着性を
示した。しかし、下部酸化銅膜を設けない比較例１のサ
ンプルは密着性試験にて剥離し不合格であった。
【００２９】表面抵抗、可視光線透過率 実施例１〜３のサンプルについて膜面側の表面抵抗を測
定した結果、何れのサンプルとも金属成分として導電性
の高い銅を用いているため、表面抵抗は数十ｍΩ／□と
十分に小さく、電磁遮蔽性能も充分に保有していること
が判った。また、可視光線透過率については、実施例１
〜３、比較例１の全てのサンプルにおいてガラス面側、
膜面側の何れにおいても０％であり、遮光性に優れたも
のが得られた。
定した結果、何れのサンプルとも金属成分として導電性
の高い銅を用いているため、表面抵抗は数十ｍΩ／□と
十分に小さく、電磁遮蔽性能も充分に保有していること
が判った。また、可視光線透過率については、実施例１
〜３、比較例１の全てのサンプルにおいてガラス面側、
膜面側の何れにおいても０％であり、遮光性に優れたも
のが得られた。
【００３０】
【発明の効果】本発明の銅系膜付き基板は、必要十分な
低反射性、導電性、遮光性、密着性が得られるととも
に、膜の構成元素として銅、酸化銅を用いているので環
境上問題が無く安価な銅により低コストで製造が可能で
ある等の著効を有し、特に、カラー液晶パネルのセル内
面に設けられるカラーフィルター画素間に用いられるブ
ラックマトリックス用、プラズマディスプレイパネルの
電磁波シールド基板用として好適である。
低反射性、導電性、遮光性、密着性が得られるととも
に、膜の構成元素として銅、酸化銅を用いているので環
境上問題が無く安価な銅により低コストで製造が可能で
ある等の著効を有し、特に、カラー液晶パネルのセル内
面に設けられるカラーフィルター画素間に用いられるブ
ラックマトリックス用、プラズマディスプレイパネルの
電磁波シールド基板用として好適である。
【図１】本発明の実施例１、２の銅系膜付き基板の膜面
側反射スペクトル図を示す。
側反射スペクトル図を示す。
【図２】本発明の実施例１乃至３の銅系膜付き基板のガ
ラス面側反射スペクトル図を示す。
ラス面側反射スペクトル図を示す。
【図３】酸化銅（単層膜）の光学スペクトル図を示す。
１ 実施例１ ２ 実施例２ ３ 透過率 ４ 反射率
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５００ ５Ｅ３２１ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１３ ５Ｇ４３５ 9/30 ３４９ 9/30 ３４９Ｃ Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｖ Ｆターム(参考） 2H090 JB02 JC07 LA01 LA05 2H091 FA35Y FB06 FB08 FC02 FC03 FC26 FD06 GA01 GA02 LA02 LA03 LA08 4F100 AA17B AA17D AB17C AG00 AT00A BA03 BA07 BA10A BA10C BA10D BA13 EH66 GB41 JA20B JA20C JA20D JG01 JK06 JL02 JM02B JM02C JM02D JN01A JN02 JN06 YY00B YY00C YY00D 4K029 AA09 AA24 BA08 BA43 BB02 BC07 BD00 EA01 5C094 AA21 AA44 BA31 BA43 DA14 EB02 ED15 FB12 JA08 5E321 AA04 BB22 BB25 GG05 GH01 5G435 AA16 BB06 BB12 EE33 FF13 GG12 GG33 HH12
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板表面に、下部酸化銅膜、銅膜が
順次積層されてなることを特徴とする銅系膜付き基板。 - 【請求項２】 銅膜の上層に上部酸化銅膜が設けられて
なることを特徴とする請求項１記載の銅系膜付き基板。 - 【請求項３】 銅膜の膜厚は５０〜１０００ｎｍ、下部
酸化銅膜の膜厚は１０〜１００ｎｍを有することを特徴
とする請求項１又は２記載の銅系膜付き基板。 - 【請求項４】 上部酸化銅膜の膜厚は１０〜５０ｎｍで
あることを特徴とする請求項２記載の銅系膜付き基板
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000394813A JP2002192644A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 銅系膜付き基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000394813A JP2002192644A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 銅系膜付き基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002192644A true JP2002192644A (ja) | 2002-07-10 |
Family
ID=18860379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000394813A Pending JP2002192644A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | 銅系膜付き基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002192644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140205A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Toppan Printing Co Ltd | 電磁波遮蔽材およびその製造方法、ならびにディスプレイ用フィルム |
| JP2021511980A (ja) * | 2018-04-10 | 2021-05-13 | エルジー・ケム・リミテッド | 装飾部材 |
-
2000
- 2000-12-26 JP JP2000394813A patent/JP2002192644A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP7183510B2 (ja) | 2018-04-10 | 2022-12-06 | エルジー・ケム・リミテッド | 装飾部材 |
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