JPH1120076A - 透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルター - Google Patents
透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルターInfo
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- JPH1120076A JPH1120076A JP9179558A JP17955897A JPH1120076A JP H1120076 A JPH1120076 A JP H1120076A JP 9179558 A JP9179558 A JP 9179558A JP 17955897 A JP17955897 A JP 17955897A JP H1120076 A JPH1120076 A JP H1120076A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた環境安定性、特に透光性と、電気伝導
特性を有する透明導電フィルム、特に電磁波シールドフ
ィルターとして有用な透明導電フィルムの提供。また、
これを用いてなる電磁波シールドフィルターの提供。 【解決手段】 Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００
Åの金属薄膜層（Ａ）、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ
およびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸
化物を有してなる透明導電薄膜層（Ｂ）、Ｍｇ、Ｃａ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ば
れる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリ
ア薄膜層（Ｃ）が、特定の積層順で透明高分子フィルム
（Ｄ）上に積層されてなる透明導電フィルム。
特性を有する透明導電フィルム、特に電磁波シールドフ
ィルターとして有用な透明導電フィルムの提供。また、
これを用いてなる電磁波シールドフィルターの提供。 【解決手段】 Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００
Åの金属薄膜層（Ａ）、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌ
およびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸
化物を有してなる透明導電薄膜層（Ｂ）、Ｍｇ、Ｃａ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ば
れる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリ
ア薄膜層（Ｃ）が、特定の積層順で透明高分子フィルム
（Ｄ）上に積層されてなる透明導電フィルム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電フィル
ム、およびこれを用いたディスプレイ用の電磁波シール
ドフィルターに関する。
ム、およびこれを用いたディスプレイ用の電磁波シール
ドフィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】従来、透
明導電フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）等の透明高分子フィルム上に、インジウム・錫酸化
物（ＩＴＯ）等の透明導電膜が積層されてなるのが一般
的である。ＩＴＯによる透明導電膜において、透明性と
導電性はトレードオフの関係にあることが多く、表面抵
抗率が低く、特に１０Ω／□以下であり、かつ透明性の
高い透明導電膜を成膜することは困難であり、さらに成
膜温度条件に制限のある高分子フィルム基材上に成膜す
るのは困難である。
明導電フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）等の透明高分子フィルム上に、インジウム・錫酸化
物（ＩＴＯ）等の透明導電膜が積層されてなるのが一般
的である。ＩＴＯによる透明導電膜において、透明性と
導電性はトレードオフの関係にあることが多く、表面抵
抗率が低く、特に１０Ω／□以下であり、かつ透明性の
高い透明導電膜を成膜することは困難であり、さらに成
膜温度条件に制限のある高分子フィルム基材上に成膜す
るのは困難である。
【０００３】上記のような透明導電フィルムを、例えば
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電磁波シール
ドフィルターとして用いる場合、ＰＤＰの内部からはグ
ロー放電に伴う、紫外線や赤外線を含めた電磁波が放出
され、周囲の電子機器のノイズになったり、使用者の健
康を害する等の問題点が指摘されており、このような電
磁波をＰＤＰ外部に漏らさないようなものとして機能し
なくてはならない。ＰＤＰの背面および側面は筐体に公
知の電磁波シールド処理を施せばよいが、パネル前面に
は透明なシールド材を配置する必要がある。これまでも
パソコン等のＣＲＴ用電磁波シールドフィルターは各種
発売されているが、ＰＤＰ用ではより高度な電磁波シー
ルド性能が必要となる。つまり、このシールド材に用い
る透明導電フィルムには透明性はもちろんのこと、優れ
た導電性（低抵抗率）が求められる。
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電磁波シール
ドフィルターとして用いる場合、ＰＤＰの内部からはグ
ロー放電に伴う、紫外線や赤外線を含めた電磁波が放出
され、周囲の電子機器のノイズになったり、使用者の健
康を害する等の問題点が指摘されており、このような電
磁波をＰＤＰ外部に漏らさないようなものとして機能し
なくてはならない。ＰＤＰの背面および側面は筐体に公
知の電磁波シールド処理を施せばよいが、パネル前面に
は透明なシールド材を配置する必要がある。これまでも
パソコン等のＣＲＴ用電磁波シールドフィルターは各種
発売されているが、ＰＤＰ用ではより高度な電磁波シー
ルド性能が必要となる。つまり、このシールド材に用い
る透明導電フィルムには透明性はもちろんのこと、優れ
た導電性（低抵抗率）が求められる。
【０００４】このような要求特性を満足し得る透明導電
フィルムとしてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を積層し
た導電フィルムがある。例えば、膜厚が１００Åから１
５０Åの銀のスパッタリング膜をＰＥＴフィルム上に積
層した透明導電フィルムは、表面抵抗率は数Ω／□と低
く、光線透過率も７０％前後あり、低抵抗率と高光線透
過率のバランスのとれた高性能な透明導電フィルムとな
る。しかし、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜は環境安定性が悪
く、高温高湿度下では、酸化が進み初期の性能が維持で
きなくなる。また、Ａｕはコスト高になり、着色度も大
きい。また、これらＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を透
明高分子フィルム上に積層したフィルムのように、電気
伝導性を優先した透明導電フィルムでは、一般に金属薄
膜はその膜厚の増加に従って電気伝導性は良くなるが、
光線透過率も極端に低下し、２００Å以上では反射率９
０％以上の金属光沢を持った膜となり、また高温高湿下
での安定性が極端に悪く、ＰＤＰ画面前面の電磁波シー
ルドフィルターとしては、不満足なものである。
フィルムとしてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を積層し
た導電フィルムがある。例えば、膜厚が１００Åから１
５０Åの銀のスパッタリング膜をＰＥＴフィルム上に積
層した透明導電フィルムは、表面抵抗率は数Ω／□と低
く、光線透過率も７０％前後あり、低抵抗率と高光線透
過率のバランスのとれた高性能な透明導電フィルムとな
る。しかし、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜は環境安定性が悪
く、高温高湿度下では、酸化が進み初期の性能が維持で
きなくなる。また、Ａｕはコスト高になり、着色度も大
きい。また、これらＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を透
明高分子フィルム上に積層したフィルムのように、電気
伝導性を優先した透明導電フィルムでは、一般に金属薄
膜はその膜厚の増加に従って電気伝導性は良くなるが、
光線透過率も極端に低下し、２００Å以上では反射率９
０％以上の金属光沢を持った膜となり、また高温高湿下
での安定性が極端に悪く、ＰＤＰ画面前面の電磁波シー
ルドフィルターとしては、不満足なものである。
【０００５】このように、従来、プラズマディスプレイ
のように有害な電磁波を放出するディスプレイに適用し
得る電磁波シールドフィルターを、好適に構成し得る透
明導電フィルムはなかったのである。
のように有害な電磁波を放出するディスプレイに適用し
得る電磁波シールドフィルターを、好適に構成し得る透
明導電フィルムはなかったのである。
【０００６】本発明の目的は、優れた環境安定性を有
し、特に透光性を維持したまま電気伝導性を改善した透
明導電フィルムを提供することにある。また、該透明導
電フィルムを用いてなり、特にプラズマディスプレイ用
に有用な電磁波シールドフィルターを提供することにあ
る。
し、特に透光性を維持したまま電気伝導性を改善した透
明導電フィルムを提供することにある。また、該透明導
電フィルムを用いてなり、特にプラズマディスプレイ用
に有用な電磁波シールドフィルターを提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる問
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子
フィルム上に、Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００
Åの金属薄膜層、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌおよび
Ｓｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明導電薄膜層、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上
の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層を特
定の順序で積層することにより、環境安定性（特に、高
温高湿下での透明性）および電気伝導性を兼ね備えた透
明導電フィルムとなることを見出し、本発明を完成する
に至った。
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子
フィルム上に、Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００
Åの金属薄膜層、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｌおよび
Ｓｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明導電薄膜層、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上
の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層を特
定の順序で積層することにより、環境安定性（特に、高
温高湿下での透明性）および電気伝導性を兼ね備えた透
明導電フィルムとなることを見出し、本発明を完成する
に至った。
【０００８】即ち本発明は、以下の通りである。 透明高分子フィルム上に、下記（Ａ）層、〔下記
（Ｂ）層または下記（Ｃ）層〕、下記（Ａ）層、下記
（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を少な
くとも有する透明導電フィルム。 （Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの
金属薄膜層。 （Ｂ）層；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂか
らなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有して
なる透明導電薄膜層。 （Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒおよび
Ｃｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明ガスバリア薄膜層。
（Ｂ）層または下記（Ｃ）層〕、下記（Ａ）層、下記
（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を少な
くとも有する透明導電フィルム。 （Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの
金属薄膜層。 （Ｂ）層；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂか
らなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有して
なる透明導電薄膜層。 （Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒおよび
Ｃｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明ガスバリア薄膜層。
【０００９】２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィル
ムから上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的
に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部にお
いて露出している記載の透明導電フィルム。
ムから上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的
に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部にお
いて露出している記載の透明導電フィルム。
【００１０】透明高分子フィルム上の積層構造が、
（Ａ）層、（Ｃ）層、（Ａ）層、（Ｃ）層の順に積層さ
れてなるものであって、両方の（Ｃ）層の外周形状が
（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの
（Ａ）層が電気的に接続されているものであり、かつ２
つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にあ
る（Ａ）層が、外部からの端子を電気的に接続し得るも
のである記載の透明導電フィルム。
（Ａ）層、（Ｃ）層、（Ａ）層、（Ｃ）層の順に積層さ
れてなるものであって、両方の（Ｃ）層の外周形状が
（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの
（Ａ）層が電気的に接続されているものであり、かつ２
つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にあ
る（Ａ）層が、外部からの端子を電気的に接続し得るも
のである記載の透明導電フィルム。
【００１１】透明高分子フィルムと積層構造の間に、
（Ｃ）層を有するものである〜のいずれかに記載の
透明導電フィルム。
（Ｃ）層を有するものである〜のいずれかに記載の
透明導電フィルム。
【００１２】〜のいずれかに記載の透明導電フィ
ルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。
ルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。
【００１３】プラズマディスプレイに用いられる記
載の電磁波シールドフィルター。
載の電磁波シールドフィルター。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の透明導電フィルムは、図
１〜４にその積層構成の例を示すように、透明高分子フ
ィルム（Ｄ）側を下とし、その上に、（Ａ）層、（Ｂ）
層または（Ｃ）層、（Ａ）層、（Ｃ）層の順に４層積層
された積層構造を少なくとも有することを特徴とする。
また、（Ｄ）側からの透過ガスによる（Ａ）層の劣化防
止の点から、透明高分子フィルムと上記積層構造の間に
（Ｃ）層を有していてもよい（図３および図４）。
１〜４にその積層構成の例を示すように、透明高分子フ
ィルム（Ｄ）側を下とし、その上に、（Ａ）層、（Ｂ）
層または（Ｃ）層、（Ａ）層、（Ｃ）層の順に４層積層
された積層構造を少なくとも有することを特徴とする。
また、（Ｄ）側からの透過ガスによる（Ａ）層の劣化防
止の点から、透明高分子フィルムと上記積層構造の間に
（Ｃ）層を有していてもよい（図３および図４）。
【００１５】具体的には、下層側から上層側へ記載する
ものとして（以下、同様である）、（Ｄ）／（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／
（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）のような積層構成が挙げられる。
ものとして（以下、同様である）、（Ｄ）／（Ａ）／
（Ｂ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／
（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／
（Ａ）／（Ｃ）のような積層構成が挙げられる。
【００１６】また、図のように該透明導電フィルムにお
いて、２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）
から上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的に
接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部におい
てその一部または全部が露出していることが好ましい。
さらに、図２および図４に示すように、透明高分子フィ
ルム（Ｄ）上に積層される積層構造が、（Ａ）／（Ｃ）
／（Ａ）／（Ｃ）であって、両方の（Ｃ）層の外周形状
が（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの
（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）から上層側に
ある（Ａ）層が、外部からの端子を電気的に接続し得る
もの（例えば、前記のように該（Ａ）層の上面が外周縁
部において露出する形態等）であることが好ましい。ま
たさらに、上記２つの（Ａ）層が電気的に接続されてい
る（例えば、図２および図４のように（Ａ）層同士が外
周縁部で直接積層される形態等）ことが好ましい。
いて、２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）
から上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的に
接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部におい
てその一部または全部が露出していることが好ましい。
さらに、図２および図４に示すように、透明高分子フィ
ルム（Ｄ）上に積層される積層構造が、（Ａ）／（Ｃ）
／（Ａ）／（Ｃ）であって、両方の（Ｃ）層の外周形状
が（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの
（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）から上層側に
ある（Ａ）層が、外部からの端子を電気的に接続し得る
もの（例えば、前記のように該（Ａ）層の上面が外周縁
部において露出する形態等）であることが好ましい。ま
たさらに、上記２つの（Ａ）層が電気的に接続されてい
る（例えば、図２および図４のように（Ａ）層同士が外
周縁部で直接積層される形態等）ことが好ましい。
【００１７】かくして、２つの金属薄膜層の間に異質の
透明薄膜層を設け、必要に応じて周辺部で２つの金属薄
膜層を互いに電気的に接続することで、合計膜厚が厚く
なっても透光性を持たせたまま、電気伝導性を向上する
ことができる。
透明薄膜層を設け、必要に応じて周辺部で２つの金属薄
膜層を互いに電気的に接続することで、合計膜厚が厚く
なっても透光性を持たせたまま、電気伝導性を向上する
ことができる。
【００１８】本発明の透明導電フィルムの構成によっ
て、フィルム全体としての透明性は、全光線透過率とし
て６５％以上が達成可能である。本発明において、全光
線透過率とは、ヘイズメーター（日本電色工業（株）
製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）により測定されたものであ
る。また、導電性は、最外層の（Ｃ）層を除いた状態の
積層フィルムの表面抵抗率として１０Ω／□以下が達成
可能である。本発明において、表面抵抗率とは、抵抗率
計（三菱油化（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定
されたものである。
て、フィルム全体としての透明性は、全光線透過率とし
て６５％以上が達成可能である。本発明において、全光
線透過率とは、ヘイズメーター（日本電色工業（株）
製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）により測定されたものであ
る。また、導電性は、最外層の（Ｃ）層を除いた状態の
積層フィルムの表面抵抗率として１０Ω／□以下が達成
可能である。本発明において、表面抵抗率とは、抵抗率
計（三菱油化（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定
されたものである。
【００１９】本発明の透明導電フィルムに用いられる
（Ａ）層、即ち金属薄膜層は、Ａｇを主成分とする薄膜
であり、可視域の吸収が少なく、電気伝導性の高いもの
であれば特に限定されないが、全光線透過率として７０
％以上、表面抵抗率が１０Ω／□以下であることが好ま
しい。例えば、Ａｇ薄膜あるいはＡｇと他の金属との合
金からなる薄膜等が挙げられる。他の金属としては、例
えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ等が挙げられる。中でも、合金状
態が安定であることによる耐久性、導電率の向上の点か
ら、Ａｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金が好ましい。ま
た、Ａｇのマイグレーション防止の点からは、Ａｇ−Ｐ
ｄ合金が好ましい。当該合金におけるＡｇの組成は、光
学特性の点から、薄膜層中５０原子％以上、好ましくは
６０原子％以上、より好ましくは７０〜１００原子％の
範囲である。
（Ａ）層、即ち金属薄膜層は、Ａｇを主成分とする薄膜
であり、可視域の吸収が少なく、電気伝導性の高いもの
であれば特に限定されないが、全光線透過率として７０
％以上、表面抵抗率が１０Ω／□以下であることが好ま
しい。例えば、Ａｇ薄膜あるいはＡｇと他の金属との合
金からなる薄膜等が挙げられる。他の金属としては、例
えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ等が挙げられる。中でも、合金状
態が安定であることによる耐久性、導電率の向上の点か
ら、Ａｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金が好ましい。ま
た、Ａｇのマイグレーション防止の点からは、Ａｇ−Ｐ
ｄ合金が好ましい。当該合金におけるＡｇの組成は、光
学特性の点から、薄膜層中５０原子％以上、好ましくは
６０原子％以上、より好ましくは７０〜１００原子％の
範囲である。
【００２０】また、当該金属薄膜層の膜厚は５０Å〜２
００Åである。膜厚が５０Å未満では薄膜が不連続な島
状構造となり、電気伝導性が低く、一方２００Åを超え
ると金属光沢の強い膜となり、反射率が急に高くなる。
００Åである。膜厚が５０Å未満では薄膜が不連続な島
状構造となり、電気伝導性が低く、一方２００Åを超え
ると金属光沢の強い膜となり、反射率が急に高くなる。
【００２１】金属薄膜層の成膜法としては、例えばスパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法（物理蒸着法）等の公知の方法を用いること
ができるが、５０Å〜２００Åという薄い膜を安定的に
成膜するためにはスパッタリング法のような高エネルギ
ー粒子による成膜法が好ましい。特に、合金の薄膜形成
の場合は、組成・膜厚の均一性の観点からスパッタリン
グ法が好ましい。
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法（物理蒸着法）等の公知の方法を用いること
ができるが、５０Å〜２００Åという薄い膜を安定的に
成膜するためにはスパッタリング法のような高エネルギ
ー粒子による成膜法が好ましい。特に、合金の薄膜形成
の場合は、組成・膜厚の均一性の観点からスパッタリン
グ法が好ましい。
【００２２】本発明に用いられる（Ｂ）層、即ち透明導
電薄膜層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂ
からなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有し
てなる導電性薄膜であり、全光線透過率が８０％以上で
ある。当該全光線透過率が８０％未満であると、積層フ
ィルム全体としての全光線透過率が６５％を下回る傾向
がある。好ましくは８５〜９５％の範囲である。当該全
光線透過率は、透明導電薄膜層の組成や膜厚等により調
整することができる。
電薄膜層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂ
からなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有し
てなる導電性薄膜であり、全光線透過率が８０％以上で
ある。当該全光線透過率が８０％未満であると、積層フ
ィルム全体としての全光線透過率が６５％を下回る傾向
がある。好ましくは８５〜９５％の範囲である。当該全
光線透過率は、透明導電薄膜層の組成や膜厚等により調
整することができる。
【００２３】透明導電薄膜層の膜厚は、その電気伝導性
の発現より、５０Å以上が好ましく、より好ましくは１
５０Å以上、さらに好ましくは２００〜３０００Åの範
囲である。透明導電薄膜の成膜法としては、例えばスパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等
の高真空中での薄膜形成法等の公知の方法が用いられ
る。
の発現より、５０Å以上が好ましく、より好ましくは１
５０Å以上、さらに好ましくは２００〜３０００Åの範
囲である。透明導電薄膜の成膜法としては、例えばスパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等
の高真空中での薄膜形成法等の公知の方法が用いられ
る。
【００２４】本発明に用いられる（Ｃ）層、即ち透明ガ
スバリア薄膜層は、金属薄膜層の電気伝導性および透光
性の低下の原因である酸化を防ぐ目的のために、酸素、
水蒸気等の気体透過性の極めて低いものであればよい
が、酸素透過係数としては５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａ
ｙ以下、水蒸気透過係数としては５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ以
下であることが好ましい。
スバリア薄膜層は、金属薄膜層の電気伝導性および透光
性の低下の原因である酸化を防ぐ目的のために、酸素、
水蒸気等の気体透過性の極めて低いものであればよい
が、酸素透過係数としては５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａ
ｙ以下、水蒸気透過係数としては５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ以
下であることが好ましい。
【００２５】透明ガスバリア薄膜層の具体的な構成は、
Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからな
る群より選ばれる一種以上の金属の酸化物薄膜を有して
なる。また、該透明ガスバリア薄膜層はその全光線透過
率が８０％以上である。当該全光線透過率が８０％未満
であると、積層フィルム全体としての全光線透過率が６
５％を下回る傾向がある。好ましくは８５〜９５％の範
囲である。当該全光線透過率は、透明ガスバリア薄膜層
の組成や膜厚等により調整することができる。
Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからな
る群より選ばれる一種以上の金属の酸化物薄膜を有して
なる。また、該透明ガスバリア薄膜層はその全光線透過
率が８０％以上である。当該全光線透過率が８０％未満
であると、積層フィルム全体としての全光線透過率が６
５％を下回る傾向がある。好ましくは８５〜９５％の範
囲である。当該全光線透過率は、透明ガスバリア薄膜層
の組成や膜厚等により調整することができる。
【００２６】ここで、酸素透過係数は、ＪＩＳ Ｋ７１
２６に準じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定
装置（ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型）により、測定温度２５
℃、相対湿度０％ＲＨにて測定されるものであり、透明
ガスバリア薄膜層の組成、膜厚等により調整することが
できる。また、水蒸気透過係数は、ＪＩＳ Ｋ７１２９
に準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−
４０００型）により、測定温度４０℃にて測定されるも
のであり、透明ガスバリア薄膜層の組成や膜厚等により
調整することができる。
２６に準じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定
装置（ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型）により、測定温度２５
℃、相対湿度０％ＲＨにて測定されるものであり、透明
ガスバリア薄膜層の組成、膜厚等により調整することが
できる。また、水蒸気透過係数は、ＪＩＳ Ｋ７１２９
に準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−
４０００型）により、測定温度４０℃にて測定されるも
のであり、透明ガスバリア薄膜層の組成や膜厚等により
調整することができる。
【００２７】透明ガスバリア薄膜層の膜厚は、そのガス
バリア性の発現より、１００Å以上が好ましく、より好
ましくは１５０Å以上、さらに好ましくは１５０〜５０
０Åの範囲である。透明ガスバリア薄膜層の成膜法とし
ては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法
（化学蒸着法）等の高真空中での薄膜形成法等の公知の
方法が用いられる。ここで、（Ｃ）層の外周形状が
（Ａ）層の外周形状より小さい場合は、例えば（Ｃ）層
の成膜を周辺端部の一部または全部にマスキングをかけ
て行い、次の層を成膜する前にマスキングを剥離して行
えばよい。
バリア性の発現より、１００Å以上が好ましく、より好
ましくは１５０Å以上、さらに好ましくは１５０〜５０
０Åの範囲である。透明ガスバリア薄膜層の成膜法とし
ては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法
（化学蒸着法）等の高真空中での薄膜形成法等の公知の
方法が用いられる。ここで、（Ｃ）層の外周形状が
（Ａ）層の外周形状より小さい場合は、例えば（Ｃ）層
の成膜を周辺端部の一部または全部にマスキングをかけ
て行い、次の層を成膜する前にマスキングを剥離して行
えばよい。
【００２８】本発明に用いられる透明高分子フィルム
は、透明かつ成膜プロセスに耐える機械強度、耐熱性を
有するものであれば特に限定されず、例えばポリエステ
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリスルホン系樹
脂、ポリスチレン等のフィルムが挙げられる。具体的に
は、ポリエステル系樹脂としてはポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカ
ーボネート等が、ポリオレフィン系樹脂としては非晶質
環式ポリオレフィン等が、ポリスルホン系樹脂としては
ポリエーテルスルホン等が挙げられる。中でも、特性
（透明性、機械強度等）と価格のバランスよりＰＥＴフ
ィルムが好ましく用いられる。
は、透明かつ成膜プロセスに耐える機械強度、耐熱性を
有するものであれば特に限定されず、例えばポリエステ
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリスルホン系樹
脂、ポリスチレン等のフィルムが挙げられる。具体的に
は、ポリエステル系樹脂としてはポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカ
ーボネート等が、ポリオレフィン系樹脂としては非晶質
環式ポリオレフィン等が、ポリスルホン系樹脂としては
ポリエーテルスルホン等が挙げられる。中でも、特性
（透明性、機械強度等）と価格のバランスよりＰＥＴフ
ィルムが好ましく用いられる。
【００２９】また、該透明高分子フィルムにおける透明
とは、その全光線透過率が８５％以上であることを意味
する。当該全光線透過率が８５％未満であると、積層フ
ィルム全体としての全光線透過率を下げる傾向がある。
好ましくは８７％以上、より好ましくは８８〜９５％の
範囲である。当該全光線透過率は、高分子フィルムの組
成、膜厚、成膜法等により調整することができる。
とは、その全光線透過率が８５％以上であることを意味
する。当該全光線透過率が８５％未満であると、積層フ
ィルム全体としての全光線透過率を下げる傾向がある。
好ましくは８７％以上、より好ましくは８８〜９５％の
範囲である。当該全光線透過率は、高分子フィルムの組
成、膜厚、成膜法等により調整することができる。
【００３０】当該透明高分子フィルムの厚さは５０〜３
００μｍが好ましく、より好ましくは１００〜２００μ
ｍである。
００μｍが好ましく、より好ましくは１００〜２００μ
ｍである。
【００３１】該透明高分子フィルムは、自体既知の方法
により製造することができる。
により製造することができる。
【００３２】また、これらの透明高分子フィルムは、そ
の機械的特性（例えば、耐衝撃性、屈曲性等）および光
学特性を損なわない程度の着色剤、紫外線吸収剤、安定
剤、可塑剤、色素等の公知の添加剤を含有していてもよ
く、またそれらを含むコート層を公知の方法で設けても
よい。とくに、プラズマディスプレイの電磁波シールド
フィルターとして用いる場合には、リモコンや赤外線通
信の誤動作の原因となる近赤外線を吸収する色素を含有
することが好ましい。
の機械的特性（例えば、耐衝撃性、屈曲性等）および光
学特性を損なわない程度の着色剤、紫外線吸収剤、安定
剤、可塑剤、色素等の公知の添加剤を含有していてもよ
く、またそれらを含むコート層を公知の方法で設けても
よい。とくに、プラズマディスプレイの電磁波シールド
フィルターとして用いる場合には、リモコンや赤外線通
信の誤動作の原因となる近赤外線を吸収する色素を含有
することが好ましい。
【００３３】本発明の電磁波シールドフィルターは、上
記透明導電フィルムを用いてなる。当該電磁波シールド
フィルターは、透明導電フィルム以外に、フィルターの
耐衝撃性向上のためのポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレート等の無色透明板、リモコン誤動作防止のた
めの各種カラーフィルター（近赤外線カットフィルタ
ー）、反射率低減による画面輝度向上のための反射防止
膜、ノングレア処理膜、画面傷つき防止のためのハード
コート膜等が付与されることが好ましい。また、グラン
ド端子は、例えば周辺部の導電ペースト印刷や導電金属
テープにより付与することができる。
記透明導電フィルムを用いてなる。当該電磁波シールド
フィルターは、透明導電フィルム以外に、フィルターの
耐衝撃性向上のためのポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレート等の無色透明板、リモコン誤動作防止のた
めの各種カラーフィルター（近赤外線カットフィルタ
ー）、反射率低減による画面輝度向上のための反射防止
膜、ノングレア処理膜、画面傷つき防止のためのハード
コート膜等が付与されることが好ましい。また、グラン
ド端子は、例えば周辺部の導電ペースト印刷や導電金属
テープにより付与することができる。
【００３４】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。各物性は以下のようにして測定した。 〔表面抵抗率〕表面抵抗率は、抵抗率計（三菱油化
（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定した。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。各物性は以下のようにして測定した。 〔表面抵抗率〕表面抵抗率は、抵抗率計（三菱油化
（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定した。
【００３５】〔全光線透過率およびヘイズ〕全光線透過
率およびヘイズは、ヘイズメーター（日本電色工業
（株）製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）を用いて測定した。
率およびヘイズは、ヘイズメーター（日本電色工業
（株）製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）を用いて測定した。
【００３６】〔電磁波シールド特性〕電磁波シールド特
性の測定は、スペクトラムアナライザー（アドバンテス
ト社製，Ｒ３３６１Ａ）およびシールドボックス（アド
バンテスト社製，ＴＲ１７３０１Ａ）を用い、電界、磁
界についてそれぞれ測定した。測定周波数は１ＭＨｚ〜
１ＧＨｚで行った。
性の測定は、スペクトラムアナライザー（アドバンテス
ト社製，Ｒ３３６１Ａ）およびシールドボックス（アド
バンテスト社製，ＴＲ１７３０１Ａ）を用い、電界、磁
界についてそれぞれ測定した。測定周波数は１ＭＨｚ〜
１ＧＨｚで行った。
【００３７】〔酸素透過係数〕ＪＩＳ Ｋ７１２６に準
じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定装置（Ｏ
Ｘ−ＴＲＡＮ１００型）を用いて、測定温度２５℃、相
対湿度０％ＲＨの雰囲気下で測定した。
じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定装置（Ｏ
Ｘ−ＴＲＡＮ１００型）を用いて、測定温度２５℃、相
対湿度０％ＲＨの雰囲気下で測定した。
【００３８】〔水蒸気透過係数〕ＪＩＳ Ｋ７１２９に
準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−４
０００型）を用いて、測定温度４０℃で測定した。
準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−４
０００型）を用いて、測定温度４０℃で測定した。
【００３９】実施例１ 長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属
薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に（Ｂ）層として２００Å
の酸化錫の透明導電膜（全光線透過率８５％）を高周波
マグネトロンスパッタリングにより積層した。さらに
（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率
８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体
の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわ
たって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層
として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸
素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過
係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過
率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５
％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線
透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は５５ｄＢであっ
た。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属
薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に（Ｂ）層として２００Å
の酸化錫の透明導電膜（全光線透過率８５％）を高周波
マグネトロンスパッタリングにより積層した。さらに
（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率
８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体
の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわ
たって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層
として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸
素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過
係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過
率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５
％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線
透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は５５ｄＢであっ
た。
【００４０】実施例２ 長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属
薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｂ）層として２
００Åの酸化錫（全光線透過率８５％）の透明導電膜を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マ
スキングを剥がし、さらに（Ａ）層として１００ÅのＡ
ｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同
様に積層した。この積層体の表面抵抗率は１Ω／□であ
った。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキン
グを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素
（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・
ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得
られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０
％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１００
０時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは
２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は６０ｄＢであった。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属
薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｂ）層として２
００Åの酸化錫（全光線透過率８５％）の透明導電膜を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マ
スキングを剥がし、さらに（Ａ）層として１００ÅのＡ
ｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同
様に積層した。この積層体の表面抵抗率は１Ω／□であ
った。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキン
グを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素
（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・
ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得
られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０
％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１００
０時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは
２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は６０ｄＢであった。
【００４１】実施例３ 長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属
薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２
００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係
数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ
／ｍ2 ・ｄａｙ）の透明導電膜を高周波マグネトロンス
パッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、
（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率
８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体
の表面抵抗率は５Ω／□であった。次に周辺部全周にわ
たって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層
として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸
素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過
係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過
率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５
％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線
透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであっ
た。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属
薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２
００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係
数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ
／ｍ2 ・ｄａｙ）の透明導電膜を高周波マグネトロンス
パッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、
（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率
８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体
の表面抵抗率は５Ω／□であった。次に周辺部全周にわ
たって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層
として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸
素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過
係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過
率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５
％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線
透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであっ
た。
【００４２】実施例４ 長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪
素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ
・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）
を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。
次に（Ａ）層として、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線
透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングによ
り積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマ
スキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸
化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａ
ｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａ
ｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層し
た。マスキングを剥がし、（Ａ）層として１００ÅのＡ
ｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同
様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であ
った。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキン
グを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素
（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・
ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得
られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０
％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１００
０時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは
２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は５０ｄＢであった。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪
素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ
・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）
を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。
次に（Ａ）層として、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線
透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングによ
り積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマ
スキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸
化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａ
ｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａ
ｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層し
た。マスキングを剥がし、（Ａ）層として１００ÅのＡ
ｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同
様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であ
った。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキン
グを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素
（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・
ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得
られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０
％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１００
０時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは
２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４３】実施例５ 実施例２の全ての（Ａ）層を６０ÅのＡｇ金属薄膜（全
光線透過率９０％）に変えた以外は実施例２と同様にし
て積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面
抵抗率は１０Ω／□であった。得られた積層体の全光線
透過率は８５％、ヘイズは１．０％であった。６０℃、
９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全
光線透過率は８３％、ヘイズは１．２％であった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は４５ｄＢ
であった。
光線透過率９０％）に変えた以外は実施例２と同様にし
て積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面
抵抗率は１０Ω／□であった。得られた積層体の全光線
透過率は８５％、ヘイズは１．０％であった。６０℃、
９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全
光線透過率は８３％、ヘイズは１．２％であった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は４５ｄＢ
であった。
【００４４】実施例６ 実施例２の全ての（Ａ）層を１７５ÅのＡｇ金属薄膜
（全光線透過率７５％）に変えた以外は実施例２と同様
にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の
表面抵抗率は０．５Ω／□であった。得られた積層体の
全光線透過率は６７％、ヘイズは３．０％であった。６
０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した
後の全光線透過率は６５％、ヘイズは３．２％であっ
た。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペースト
によりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６
５ｄＢであった。
（全光線透過率７５％）に変えた以外は実施例２と同様
にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の
表面抵抗率は０．５Ω／□であった。得られた積層体の
全光線透過率は６７％、ヘイズは３．０％であった。６
０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した
後の全光線透過率は６５％、ヘイズは３．２％であっ
た。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペースト
によりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６
５ｄＢであった。
【００４５】実施例７ 実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ｐｄ合金
薄膜〔Ａｇ：Ｐｄ（原子数比）＝８：２，全光線透過率
８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５
Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は
７０％、ヘイズは２．０％であり、変化がなかった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢ
であった。
薄膜〔Ａｇ：Ｐｄ（原子数比）＝８：２，全光線透過率
８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５
Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は
７０％、ヘイズは２．０％であり、変化がなかった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢ
であった。
【００４６】実施例８ 実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ａｕ合金
薄膜〔Ａｇ：Ａｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率
８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５
Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は
７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマ
スキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り
付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
薄膜〔Ａｇ：Ａｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率
８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５
Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は
７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマ
スキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り
付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４７】実施例９ 実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ｃｕ合金
薄膜〔Ａｇ：Ｃｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率
８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５
Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は
７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマ
スキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り
付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
薄膜〔Ａｇ：Ｃｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率
８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５
Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０
％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの
恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は
７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマ
スキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り
付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４８】実施例１０ 実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 薄
膜〔ＺｎＯ：Ａｌ2 Ｏ 3 （重量比）＝９８：２，全光線
透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積
層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗
率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率
は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％
ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透
過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺
部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線
を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであっ
た。
膜〔ＺｎＯ：Ａｌ2 Ｏ 3 （重量比）＝９８：２，全光線
透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積
層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗
率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率
は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％
ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透
過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺
部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線
を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであっ
た。
【００４９】実施例１１ 実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＳｎＯ2 −Ｓｂ2 Ｏ3
薄膜〔ＳｎＯ2 ：Ｓｂ 2 Ｏ3 （重量比）＝９５：５，全
光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にし
て積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面
抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透
過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９
５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光
線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、
周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアー
ス線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであ
った。
薄膜〔ＳｎＯ2 ：Ｓｂ 2 Ｏ3 （重量比）＝９５：５，全
光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にし
て積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面
抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透
過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９
５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光
線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、
周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアー
ス線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであ
った。
【００５０】実施例１２ 実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ薄
膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＺｎＯ（重量比）＝８０：２０，全光
線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして
積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵
抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過
率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５
％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線
透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであっ
た。
膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＺｎＯ（重量比）＝８０：２０，全光
線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして
積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵
抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過
率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５
％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線
透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであっ
た。
【００５１】実施例１３ 実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2
薄膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 （重量比）＝９０：１０，
全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様に
して積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表
面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線
透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、
９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全
光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢ
であった。
薄膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 （重量比）＝９０：１０，
全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様に
して積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表
面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線
透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、
９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全
光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢ
であった。
【００５２】実施例１４ 実施例３の（Ｃ）層を２００ÅのＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
薄膜〔Ａｌ：Ｓｉ（原子数比）＝３０：７０，全光線透
過率９５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・
ｄａｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変
えた以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最
外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であっ
た。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは
２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に
１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイ
ズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥
がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁
波シールド特性は５０ｄＢであった。
薄膜〔Ａｌ：Ｓｉ（原子数比）＝３０：７０，全光線透
過率９５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・
ｄａｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変
えた以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最
外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であっ
た。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは
２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に
１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイ
ズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥
がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁
波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００５３】実施例１５ 実施例３の（Ｃ）層を２００ÅのＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 薄
膜〔Ｚｒ：Ｓｉ（原子数比）＝１：１，全光線透過率９
５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2・ｄａ
ｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変えた
以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最外層
の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。
得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．
０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０
００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは
２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は５０ｄＢであった。
膜〔Ｚｒ：Ｓｉ（原子数比）＝１：１，全光線透過率９
５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2・ｄａ
ｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変えた
以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最外層
の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。
得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．
０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０
００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは
２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は５０ｄＢであった。
【００５４】比較例１ 長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透
過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより
積層した。得られた積層体の表面抵抗率は５Ω／□、全
光線透過率は８０％、ヘイズは１．５％であった。また
この積層体を６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１００
０時間放置した後の表面抵抗率は１００Ω／□以上で、
全光線透過率は５０％以下、ヘイズは１０％以上であ
り、外観的にも酸化によるＡｇ膜の変色が見られた。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線
透過率９２％）に、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透
過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより
積層した。得られた積層体の表面抵抗率は５Ω／□、全
光線透過率は８０％、ヘイズは１．５％であった。また
この積層体を６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１００
０時間放置した後の表面抵抗率は１００Ω／□以上で、
全光線透過率は５０％以下、ヘイズは１０％以上であ
り、外観的にも酸化によるＡｇ膜の変色が見られた。
【００５５】比較例２ 実施例１の（Ｃ）層を積層しないこと以外は実施例１と
同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□で
あった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイ
ズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿
槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は５５％、
ヘイズは１０％であり、外観的にもＡｇ膜の変色が見ら
れた。
同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□で
あった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイ
ズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿
槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は５５％、
ヘイズは１０％であり、外観的にもＡｇ膜の変色が見ら
れた。
【００５６】比較例３ 実施例２の全ての（Ａ）層を３０ÅのＡｇ金属薄膜（全
光線透過率９２％）に変えた以外は実施例２と同様にし
て積層体を作製した。金属薄膜層が不連続な島状構造と
なり、十分な導電性がでなかった（最外層の二酸化珪素
積層前の表面抵抗率∞Ω／□）。
光線透過率９２％）に変えた以外は実施例２と同様にし
て積層体を作製した。金属薄膜層が不連続な島状構造と
なり、十分な導電性がでなかった（最外層の二酸化珪素
積層前の表面抵抗率∞Ω／□）。
【００５７】比較例４ 実施例２の全ての（Ａ）層を３００ÅのＡｇ金属薄膜
（全光線透過率２％以下）に変えた以外は実施例２と同
様にして積層体を作製した。得られた積層体は、不透明
な全反射膜であった（全光線透過率１％以下）。
（全光線透過率２％以下）に変えた以外は実施例２と同
様にして積層体を作製した。得られた積層体は、不透明
な全反射膜であった（全光線透過率１％以下）。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、優れた環境安定性、特
に透光性と、電気伝導特性を有する透明導電フィルムが
提供できる。従って、本発明の透明導電フィルムは、電
磁波シールドフィルターとして、特にプラズマディスプ
レイ用電磁波シールドフィルターとして有用である。
に透光性と、電気伝導特性を有する透明導電フィルムが
提供できる。従って、本発明の透明導電フィルムは、電
磁波シールドフィルターとして、特にプラズマディスプ
レイ用電磁波シールドフィルターとして有用である。
【図１】本発明の透明導電フィルムの構成例を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【符号の説明】 （Ａ） 金属薄膜 （Ｂ） 透明導電薄膜 （Ｃ） 透明ガスバリア薄膜 （Ｄ） 透明高分子フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 17/04 Ｈ０１Ｊ 17/04
Claims (6)
- 【請求項１】 透明高分子フィルム上に、下記（Ａ）
層、〔下記（Ｂ）層または下記（Ｃ）層〕、下記（Ａ）
層、下記（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構
造を少なくとも有する透明導電フィルム。 （Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの
金属薄膜層。 （Ｂ）層；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂか
らなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有して
なる透明導電薄膜層。 （Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒおよび
Ｃｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明ガスバリア薄膜層。 - 【請求項２】 ２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィル
ムから上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的
に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部にお
いて露出している請求項１記載の透明導電フィルム。 - 【請求項３】 透明高分子フィルム上の積層構造が、
（Ａ）層、（Ｃ）層、（Ａ）層、（Ｃ）層の順に積層さ
れてなるものであって、両方の（Ｃ）層の外周形状が
（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの
（Ａ）層が電気的に接続されているものであり、かつ２
つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にあ
る（Ａ）層が、外部からの端子を電気的に接続し得るも
のである請求項１記載の透明導電フィルム。 - 【請求項４】 透明高分子フィルムと積層構造の間に、
（Ｃ）層を有するものである請求項１〜３のいずれかに
記載の透明導電フィルム。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の透明導
電フィルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。 - 【請求項６】 プラズマディスプレイに用いられる請求
項５記載の電磁波シールドフィルター。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP17955897A JP3924849B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17955897A JP3924849B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1120076A true JPH1120076A (ja) | 1999-01-26 |
| JP3924849B2 JP3924849B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=16067844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17955897A Expired - Fee Related JP3924849B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルター |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001328199A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-27 | Bridgestone Corp | 積層膜 |
| JP2005316428A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 干渉縞の発生を防止した帯電防止性反射防止フィルム |
| JP2006058896A (ja) * | 2000-02-01 | 2006-03-02 | Mitsui Chemicals Inc | プラズマディスプレイ用フィルタ、表示装置およびその製造方法 |
| KR100709216B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7733025B2 (en) | 2004-12-01 | 2010-06-08 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel |
| WO2010077447A3 (en) * | 2008-12-17 | 2010-08-26 | 3M Innovative Properties Company | Electromagnetic shielding article |
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-07-04 JP JP17955897A patent/JP3924849B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2006058896A (ja) * | 2000-02-01 | 2006-03-02 | Mitsui Chemicals Inc | プラズマディスプレイ用フィルタ、表示装置およびその製造方法 |
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| JP2005316428A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 干渉縞の発生を防止した帯電防止性反射防止フィルム |
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| US8138429B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Electromagnetic shielding article |
| US8987611B2 (en) | 2008-12-17 | 2015-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Electromagnetic shielding article |
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