JPH1120076A - 透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルター - Google Patents
透明導電フィルムおよびそれを用いた電磁波シールドフィルターInfo
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- JPH1120076A JPH1120076A JP9179558A JP17955897A JPH1120076A JP H1120076 A JPH1120076 A JP H1120076A JP 9179558 A JP9179558 A JP 9179558A JP 17955897 A JP17955897 A JP 17955897A JP H1120076 A JPH1120076 A JP H1120076A
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Abstract
特性を有する透明導電フィルム、特に電磁波シールドフ
ィルターとして有用な透明導電フィルムの提供。また、
これを用いてなる電磁波シールドフィルターの提供。 【解決手段】 Agを主成分とする厚さ50Å〜200
Åの金属薄膜層(A)、In、Sn、Cd、Zn、Al
およびSbからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸
化物を有してなる透明導電薄膜層(B)、Mg、Ca、
Al、Si、Ti、ZrおよびCeからなる群より選ば
れる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリ
ア薄膜層(C)が、特定の積層順で透明高分子フィルム
(D)上に積層されてなる透明導電フィルム。
Description
ム、およびこれを用いたディスプレイ用の電磁波シール
ドフィルターに関する。
明導電フィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)等の透明高分子フィルム上に、インジウム・錫酸化
物(ITO)等の透明導電膜が積層されてなるのが一般
的である。ITOによる透明導電膜において、透明性と
導電性はトレードオフの関係にあることが多く、表面抵
抗率が低く、特に10Ω/□以下であり、かつ透明性の
高い透明導電膜を成膜することは困難であり、さらに成
膜温度条件に制限のある高分子フィルム基材上に成膜す
るのは困難である。
プラズマディスプレイパネル(PDP)の電磁波シール
ドフィルターとして用いる場合、PDPの内部からはグ
ロー放電に伴う、紫外線や赤外線を含めた電磁波が放出
され、周囲の電子機器のノイズになったり、使用者の健
康を害する等の問題点が指摘されており、このような電
磁波をPDP外部に漏らさないようなものとして機能し
なくてはならない。PDPの背面および側面は筐体に公
知の電磁波シールド処理を施せばよいが、パネル前面に
は透明なシールド材を配置する必要がある。これまでも
パソコン等のCRT用電磁波シールドフィルターは各種
発売されているが、PDP用ではより高度な電磁波シー
ルド性能が必要となる。つまり、このシールド材に用い
る透明導電フィルムには透明性はもちろんのこと、優れ
た導電性(低抵抗率)が求められる。
フィルムとしてAu、Ag、Cu等の金属薄膜を積層し
た導電フィルムがある。例えば、膜厚が100Åから1
50Åの銀のスパッタリング膜をPETフィルム上に積
層した透明導電フィルムは、表面抵抗率は数Ω/□と低
く、光線透過率も70%前後あり、低抵抗率と高光線透
過率のバランスのとれた高性能な透明導電フィルムとな
る。しかし、Ag、Cu等の金属薄膜は環境安定性が悪
く、高温高湿度下では、酸化が進み初期の性能が維持で
きなくなる。また、Auはコスト高になり、着色度も大
きい。また、これらAu、Ag、Cu等の金属薄膜を透
明高分子フィルム上に積層したフィルムのように、電気
伝導性を優先した透明導電フィルムでは、一般に金属薄
膜はその膜厚の増加に従って電気伝導性は良くなるが、
光線透過率も極端に低下し、200Å以上では反射率9
0%以上の金属光沢を持った膜となり、また高温高湿下
での安定性が極端に悪く、PDP画面前面の電磁波シー
ルドフィルターとしては、不満足なものである。
のように有害な電磁波を放出するディスプレイに適用し
得る電磁波シールドフィルターを、好適に構成し得る透
明導電フィルムはなかったのである。
し、特に透光性を維持したまま電気伝導性を改善した透
明導電フィルムを提供することにある。また、該透明導
電フィルムを用いてなり、特にプラズマディスプレイ用
に有用な電磁波シールドフィルターを提供することにあ
る。
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子
フィルム上に、Agを主成分とする厚さ50Å〜200
Åの金属薄膜層、In、Sn、Cd、Zn、Alおよび
Sbからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明導電薄膜層、Mg、Ca、Al、Si、
Ti、ZrおよびCeからなる群より選ばれる一種以上
の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層を特
定の順序で積層することにより、環境安定性(特に、高
温高湿下での透明性)および電気伝導性を兼ね備えた透
明導電フィルムとなることを見出し、本発明を完成する
に至った。
(B)層または下記(C)層〕、下記(A)層、下記
(C)層がこれらの順に4層積層された積層構造を少な
くとも有する透明導電フィルム。 (A)層;Agを主成分とする厚さ50Å〜200Åの
金属薄膜層。 (B)層;In、Sn、Cd、Zn、AlおよびSbか
らなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有して
なる透明導電薄膜層。 (C)層;Mg、Ca、Al、Si、Ti、Zrおよび
Ceからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明ガスバリア薄膜層。
ムから上層側にある(A)層に外部からの端子を電気的
に接続し得るように、該(A)層の上面が外周縁部にお
いて露出している記載の透明導電フィルム。
(A)層、(C)層、(A)層、(C)層の順に積層さ
れてなるものであって、両方の(C)層の外周形状が
(A)層の外周形状より小さいものであり、2つの
(A)層が電気的に接続されているものであり、かつ2
つの(A)層のうち透明高分子フィルムから上層側にあ
る(A)層が、外部からの端子を電気的に接続し得るも
のである記載の透明導電フィルム。
(C)層を有するものである〜のいずれかに記載の
透明導電フィルム。
ルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。
載の電磁波シールドフィルター。
1〜4にその積層構成の例を示すように、透明高分子フ
ィルム(D)側を下とし、その上に、(A)層、(B)
層または(C)層、(A)層、(C)層の順に4層積層
された積層構造を少なくとも有することを特徴とする。
また、(D)側からの透過ガスによる(A)層の劣化防
止の点から、透明高分子フィルムと上記積層構造の間に
(C)層を有していてもよい(図3および図4)。
ものとして(以下、同様である)、(D)/(A)/
(B)/(A)/(C)、(D)/(A)/(C)/
(A)/(C)、(D)/(C)/(A)/(B)/
(A)/(C)、(D)/(C)/(A)/(C)/
(A)/(C)のような積層構成が挙げられる。
いて、2つの(A)層のうち透明高分子フィルム(D)
から上層側にある(A)層に外部からの端子を電気的に
接続し得るように、該(A)層の上面が外周縁部におい
てその一部または全部が露出していることが好ましい。
さらに、図2および図4に示すように、透明高分子フィ
ルム(D)上に積層される積層構造が、(A)/(C)
/(A)/(C)であって、両方の(C)層の外周形状
が(A)層の外周形状より小さいものであり、2つの
(A)層のうち透明高分子フィルム(D)から上層側に
ある(A)層が、外部からの端子を電気的に接続し得る
もの(例えば、前記のように該(A)層の上面が外周縁
部において露出する形態等)であることが好ましい。ま
たさらに、上記2つの(A)層が電気的に接続されてい
る(例えば、図2および図4のように(A)層同士が外
周縁部で直接積層される形態等)ことが好ましい。
透明薄膜層を設け、必要に応じて周辺部で2つの金属薄
膜層を互いに電気的に接続することで、合計膜厚が厚く
なっても透光性を持たせたまま、電気伝導性を向上する
ことができる。
て、フィルム全体としての透明性は、全光線透過率とし
て65%以上が達成可能である。本発明において、全光
線透過率とは、ヘイズメーター(日本電色工業(株)
製,NDH−1001DP)により測定されたものであ
る。また、導電性は、最外層の(C)層を除いた状態の
積層フィルムの表面抵抗率として10Ω/□以下が達成
可能である。本発明において、表面抵抗率とは、抵抗率
計(三菱油化(株)製,ロレスタ・AP)を用いて測定
されたものである。
(A)層、即ち金属薄膜層は、Agを主成分とする薄膜
であり、可視域の吸収が少なく、電気伝導性の高いもの
であれば特に限定されないが、全光線透過率として70
%以上、表面抵抗率が10Ω/□以下であることが好ま
しい。例えば、Ag薄膜あるいはAgと他の金属との合
金からなる薄膜等が挙げられる。他の金属としては、例
えばAu、Cu、Al、Ni、Cr、Ti、Si、S
n、In、Pd、Pt等が挙げられる。中でも、合金状
態が安定であることによる耐久性、導電率の向上の点か
ら、Ag−Au合金、Ag−Cu合金が好ましい。ま
た、Agのマイグレーション防止の点からは、Ag−P
d合金が好ましい。当該合金におけるAgの組成は、光
学特性の点から、薄膜層中50原子%以上、好ましくは
60原子%以上、より好ましくは70〜100原子%の
範囲である。
00Åである。膜厚が50Å未満では薄膜が不連続な島
状構造となり、電気伝導性が低く、一方200Åを超え
ると金属光沢の強い膜となり、反射率が急に高くなる。
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のPVD法(物理蒸着法)等の公知の方法を用いること
ができるが、50Å〜200Åという薄い膜を安定的に
成膜するためにはスパッタリング法のような高エネルギ
ー粒子による成膜法が好ましい。特に、合金の薄膜形成
の場合は、組成・膜厚の均一性の観点からスパッタリン
グ法が好ましい。
電薄膜層は、In、Sn、Cd、Zn、AlおよびSb
からなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有し
てなる導電性薄膜であり、全光線透過率が80%以上で
ある。当該全光線透過率が80%未満であると、積層フ
ィルム全体としての全光線透過率が65%を下回る傾向
がある。好ましくは85〜95%の範囲である。当該全
光線透過率は、透明導電薄膜層の組成や膜厚等により調
整することができる。
の発現より、50Å以上が好ましく、より好ましくは1
50Å以上、さらに好ましくは200〜3000Åの範
囲である。透明導電薄膜の成膜法としては、例えばスパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等
のPVD法(物理蒸着法)、CVD法(化学蒸着法)等
の高真空中での薄膜形成法等の公知の方法が用いられ
る。
スバリア薄膜層は、金属薄膜層の電気伝導性および透光
性の低下の原因である酸化を防ぐ目的のために、酸素、
水蒸気等の気体透過性の極めて低いものであればよい
が、酸素透過係数としては5cc/atm・m2 ・da
y以下、水蒸気透過係数としては5g/m2 ・day以
下であることが好ましい。
Mg、Ca、Al、Si、Ti、ZrおよびCeからな
る群より選ばれる一種以上の金属の酸化物薄膜を有して
なる。また、該透明ガスバリア薄膜層はその全光線透過
率が80%以上である。当該全光線透過率が80%未満
であると、積層フィルム全体としての全光線透過率が6
5%を下回る傾向がある。好ましくは85〜95%の範
囲である。当該全光線透過率は、透明ガスバリア薄膜層
の組成や膜厚等により調整することができる。
26に準じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定
装置(OX−TRAN100型)により、測定温度25
℃、相対湿度0%RHにて測定されるものであり、透明
ガスバリア薄膜層の組成、膜厚等により調整することが
できる。また、水蒸気透過係数は、JIS K7129
に準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置(L80−
4000型)により、測定温度40℃にて測定されるも
のであり、透明ガスバリア薄膜層の組成や膜厚等により
調整することができる。
バリア性の発現より、100Å以上が好ましく、より好
ましくは150Å以上、さらに好ましくは150〜50
0Åの範囲である。透明ガスバリア薄膜層の成膜法とし
ては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法等のPVD法(物理蒸着法)、CVD法
(化学蒸着法)等の高真空中での薄膜形成法等の公知の
方法が用いられる。ここで、(C)層の外周形状が
(A)層の外周形状より小さい場合は、例えば(C)層
の成膜を周辺端部の一部または全部にマスキングをかけ
て行い、次の層を成膜する前にマスキングを剥離して行
えばよい。
は、透明かつ成膜プロセスに耐える機械強度、耐熱性を
有するものであれば特に限定されず、例えばポリエステ
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリスルホン系樹
脂、ポリスチレン等のフィルムが挙げられる。具体的に
は、ポリエステル系樹脂としてはポリエチレンテレフタ
レート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリカ
ーボネート等が、ポリオレフィン系樹脂としては非晶質
環式ポリオレフィン等が、ポリスルホン系樹脂としては
ポリエーテルスルホン等が挙げられる。中でも、特性
(透明性、機械強度等)と価格のバランスよりPETフ
ィルムが好ましく用いられる。
とは、その全光線透過率が85%以上であることを意味
する。当該全光線透過率が85%未満であると、積層フ
ィルム全体としての全光線透過率を下げる傾向がある。
好ましくは87%以上、より好ましくは88〜95%の
範囲である。当該全光線透過率は、高分子フィルムの組
成、膜厚、成膜法等により調整することができる。
00μmが好ましく、より好ましくは100〜200μ
mである。
により製造することができる。
の機械的特性(例えば、耐衝撃性、屈曲性等)および光
学特性を損なわない程度の着色剤、紫外線吸収剤、安定
剤、可塑剤、色素等の公知の添加剤を含有していてもよ
く、またそれらを含むコート層を公知の方法で設けても
よい。とくに、プラズマディスプレイの電磁波シールド
フィルターとして用いる場合には、リモコンや赤外線通
信の誤動作の原因となる近赤外線を吸収する色素を含有
することが好ましい。
記透明導電フィルムを用いてなる。当該電磁波シールド
フィルターは、透明導電フィルム以外に、フィルターの
耐衝撃性向上のためのポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレート等の無色透明板、リモコン誤動作防止のた
めの各種カラーフィルター(近赤外線カットフィルタ
ー)、反射率低減による画面輝度向上のための反射防止
膜、ノングレア処理膜、画面傷つき防止のためのハード
コート膜等が付与されることが好ましい。また、グラン
ド端子は、例えば周辺部の導電ペースト印刷や導電金属
テープにより付与することができる。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。各物性は以下のようにして測定した。 〔表面抵抗率〕表面抵抗率は、抵抗率計(三菱油化
(株)製,ロレスタ・AP)を用いて測定した。
率およびヘイズは、ヘイズメーター(日本電色工業
(株)製,NDH−1001DP)を用いて測定した。
性の測定は、スペクトラムアナライザー(アドバンテス
ト社製,R3361A)およびシールドボックス(アド
バンテスト社製,TR17301A)を用い、電界、磁
界についてそれぞれ測定した。測定周波数は1MHz〜
1GHzで行った。
じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定装置(O
X−TRAN100型)を用いて、測定温度25℃、相
対湿度0%RHの雰囲気下で測定した。
準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置(L80−4
000型)を用いて、測定温度40℃で測定した。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板(全光線
透過率92%)に、(A)層として100ÅのAg金属
薄膜(全光線透過率85%)をDCマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に(B)層として200Å
の酸化錫の透明導電膜(全光線透過率85%)を高周波
マグネトロンスパッタリングにより積層した。さらに
(A)層として100ÅのAg金属薄膜(全光線透過率
85%)を前記(A)層と同様に積層した。この積層体
の表面抵抗率は2Ω/□であった。次に周辺部全周にわ
たって幅10mmのマスキングを施してから、(C)層
として200Åの二酸化珪素(全光線透過率90%,酸
素透過係数1cc/atm・m2 ・day,水蒸気透過
係数1g/m2 ・day)を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過
率は70%、ヘイズは2.0%であった。60℃、95
%RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光線
透過率は68%、ヘイズは2.2%であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は55dBであっ
た。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板(全光線
透過率92%)に、(A)層として100ÅのAg金属
薄膜(全光線透過率85%)をDCマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
10mmのマスキングを施してから、(B)層として2
00Åの酸化錫(全光線透過率85%)の透明導電膜を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マ
スキングを剥がし、さらに(A)層として100ÅのA
g金属薄膜(全光線透過率85%)を前記(A)層と同
様に積層した。この積層体の表面抵抗率は1Ω/□であ
った。次に周辺部全周にわたって幅10mmのマスキン
グを施してから、(C)層として200Åの二酸化珪素
(全光線透過率90%,酸素透過係数1cc/atm・
m2 ・day,水蒸気透過係数1g/m2 ・day)を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得
られた積層体の全光線透過率は70%、ヘイズは2.0
%であった。60℃、95%RHの恒温恒湿槽に100
0時間放置した後の全光線透過率は68%、ヘイズは
2.2%であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は60dBであった。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板(全光線
透過率92%)に、(A)層として100ÅのAg金属
薄膜(全光線透過率85%)をDCマグネトロンスパッ
タリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅
10mmのマスキングを施してから、(C)層として2
00Åの二酸化珪素(全光線透過率90%,酸素透過係
数1cc/atm・m2 ・day,水蒸気透過係数1g
/m2 ・day)の透明導電膜を高周波マグネトロンス
パッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、
(A)層として100ÅのAg金属薄膜(全光線透過率
85%)を前記(A)層と同様に積層した。この積層体
の表面抵抗率は5Ω/□であった。次に周辺部全周にわ
たって幅10mmのマスキングを施してから、(C)層
として200Åの二酸化珪素(全光線透過率90%,酸
素透過係数1cc/atm・m2 ・day,水蒸気透過
係数1g/m2 ・day)を高周波マグネトロンスパッ
タリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過
率は75%、ヘイズは2.0%であった。60℃、95
%RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光線
透過率は75%、ヘイズは2.0%であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は50dBであっ
た。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板(全光線
透過率92%)に、(C)層として200Åの二酸化珪
素(全光線透過率90%,酸素透過係数1cc/atm
・m2 ・day,水蒸気透過係数1g/m2 ・day)
を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。
次に(A)層として、100ÅのAg金属薄膜(全光線
透過率85%)をDCマグネトロンスパッタリングによ
り積層した。次に周辺部全周にわたって幅10mmのマ
スキングを施してから、(C)層として200Åの二酸
化珪素(全光線透過率90%,酸素透過係数1cc/a
tm・m2 ・day,水蒸気透過係数1g/m2 ・da
y)を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層し
た。マスキングを剥がし、(A)層として100ÅのA
g金属薄膜(全光線透過率85%)を前記(A)層と同
様に積層した。この積層体の表面抵抗率は2Ω/□であ
った。次に周辺部全周にわたって幅10mmのマスキン
グを施してから、(C)層として200Åの二酸化珪素
(全光線透過率90%,酸素透過係数1cc/atm・
m2 ・day,水蒸気透過係数1g/m2 ・day)を
高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得
られた積層体の全光線透過率は70%、ヘイズは2.0
%であった。60℃、95%RHの恒温恒湿槽に100
0時間放置した後の全光線透過率は70%、ヘイズは
2.0%であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は50dBであった。
光線透過率90%)に変えた以外は実施例2と同様にし
て積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面
抵抗率は10Ω/□であった。得られた積層体の全光線
透過率は85%、ヘイズは1.0%であった。60℃、
95%RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全
光線透過率は83%、ヘイズは1.2%であった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は45dB
であった。
(全光線透過率75%)に変えた以外は実施例2と同様
にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の
表面抵抗率は0.5Ω/□であった。得られた積層体の
全光線透過率は67%、ヘイズは3.0%であった。6
0℃、95%RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した
後の全光線透過率は65%、ヘイズは3.2%であっ
た。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペースト
によりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は6
5dBであった。
薄膜〔Ag:Pd(原子数比)=8:2,全光線透過率
85%〕に変えた以外は実施例2と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は5
Ω/□であった。得られた積層体の全光線透過率は70
%、ヘイズは2.0%であった。60℃、95%RHの
恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光線透過率は
70%、ヘイズは2.0%であり、変化がなかった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は50dB
であった。
薄膜〔Ag:Au(原子数比)=9:1,全光線透過率
85%〕に変えた以外は実施例2と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は5
Ω/□であった。得られた積層体の全光線透過率は70
%、ヘイズは2.0%であった。60℃、95%RHの
恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光線透過率は
70%、ヘイズは2.0%であった。また、周辺部のマ
スキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り
付けた。電磁波シールド特性は50dBであった。
薄膜〔Ag:Cu(原子数比)=9:1,全光線透過率
85%〕に変えた以外は実施例2と同様にして積層体を
作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は5
Ω/□であった。得られた積層体の全光線透過率は70
%、ヘイズは2.0%であった。60℃、95%RHの
恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光線透過率は
70%、ヘイズは2.0%であった。また、周辺部のマ
スキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り
付けた。電磁波シールド特性は50dBであった。
膜〔ZnO:Al2 O 3 (重量比)=98:2,全光線
透過率85%〕に変えた以外は実施例2と同様にして積
層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗
率は1Ω/□であった。得られた積層体の全光線透過率
は70%、ヘイズは2.0%であった。60℃、95%
RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光線透
過率は68%、ヘイズは2.2%であった。また、周辺
部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線
を取り付けた。電磁波シールド特性は60dBであっ
た。
薄膜〔SnO2 :Sb 2 O3 (重量比)=95:5,全
光線透過率85%〕に変えた以外は実施例2と同様にし
て積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面
抵抗率は1Ω/□であった。得られた積層体の全光線透
過率は70%、ヘイズは2.0%であった。60℃、9
5%RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光
線透過率は68%、ヘイズは2.2%であった。また、
周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアー
ス線を取り付けた。電磁波シールド特性は60dBであ
った。
膜〔In2 O3 :ZnO(重量比)=80:20,全光
線透過率85%〕に変えた以外は実施例2と同様にして
積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵
抗率は1Ω/□であった。得られた積層体の全光線透過
率は70%、ヘイズは2.0%であった。60℃、95
%RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全光線
透過率は68%、ヘイズは2.2%であった。また、周
辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース
線を取り付けた。電磁波シールド特性は60dBであっ
た。
薄膜〔In2 O3 :SnO2 (重量比)=90:10,
全光線透過率85%〕に変えた以外は実施例2と同様に
して積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表
面抵抗率は1Ω/□であった。得られた積層体の全光線
透過率は70%、ヘイズは2.0%であった。60℃、
95%RHの恒温恒湿槽に1000時間放置した後の全
光線透過率は68%、ヘイズは2.2%であった。ま
た、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストにより
アース線を取り付けた。電磁波シールド特性は60dB
であった。
薄膜〔Al:Si(原子数比)=30:70,全光線透
過率95%,酸素透過係数0.5cc/atm・m2 ・
day,水蒸気透過係数0.5g/m2 ・day〕に変
えた以外は実施例3と同様にして積層体を作製した。最
外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は5Ω/□であっ
た。得られた積層体の全光線透過率は75%、ヘイズは
2.0%であった。60℃、95%RHの恒温恒湿槽に
1000時間放置した後の全光線透過率は75%、ヘイ
ズは2.0%であった。また、周辺部のマスキングを剥
がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁
波シールド特性は50dBであった。
膜〔Zr:Si(原子数比)=1:1,全光線透過率9
5%,酸素透過係数0.5cc/atm・m2・da
y,水蒸気透過係数0.5g/m2 ・day〕に変えた
以外は実施例3と同様にして積層体を作製した。最外層
の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は5Ω/□であった。
得られた積層体の全光線透過率は75%、ヘイズは2.
0%であった。60℃、95%RHの恒温恒湿槽に10
00時間放置した後の全光線透過率は75%、ヘイズは
2.0%であった。また、周辺部のマスキングを剥が
し、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波
シールド特性は50dBであった。
延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板(全光線
透過率92%)に、100ÅのAg金属薄膜(全光線透
過率85%)をDCマグネトロンスパッタリングにより
積層した。得られた積層体の表面抵抗率は5Ω/□、全
光線透過率は80%、ヘイズは1.5%であった。また
この積層体を60℃、95%RHの恒温恒湿槽に100
0時間放置した後の表面抵抗率は100Ω/□以上で、
全光線透過率は50%以下、ヘイズは10%以上であ
り、外観的にも酸化によるAg膜の変色が見られた。
同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は2Ω/□で
あった。得られた積層体の全光線透過率は75%、ヘイ
ズは2.0%であった。60℃、95%RHの恒温恒湿
槽に1000時間放置した後の全光線透過率は55%、
ヘイズは10%であり、外観的にもAg膜の変色が見ら
れた。
光線透過率92%)に変えた以外は実施例2と同様にし
て積層体を作製した。金属薄膜層が不連続な島状構造と
なり、十分な導電性がでなかった(最外層の二酸化珪素
積層前の表面抵抗率∞Ω/□)。
(全光線透過率2%以下)に変えた以外は実施例2と同
様にして積層体を作製した。得られた積層体は、不透明
な全反射膜であった(全光線透過率1%以下)。
に透光性と、電気伝導特性を有する透明導電フィルムが
提供できる。従って、本発明の透明導電フィルムは、電
磁波シールドフィルターとして、特にプラズマディスプ
レイ用電磁波シールドフィルターとして有用である。
図である。
断面図である。
断面図である。
断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 透明高分子フィルム上に、下記(A)
層、〔下記(B)層または下記(C)層〕、下記(A)
層、下記(C)層がこれらの順に4層積層された積層構
造を少なくとも有する透明導電フィルム。 (A)層;Agを主成分とする厚さ50Å〜200Åの
金属薄膜層。 (B)層;In、Sn、Cd、Zn、AlおよびSbか
らなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有して
なる透明導電薄膜層。 (C)層;Mg、Ca、Al、Si、Ti、Zrおよび
Ceからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を
有してなる透明ガスバリア薄膜層。 - 【請求項2】 2つの(A)層のうち透明高分子フィル
ムから上層側にある(A)層に外部からの端子を電気的
に接続し得るように、該(A)層の上面が外周縁部にお
いて露出している請求項1記載の透明導電フィルム。 - 【請求項3】 透明高分子フィルム上の積層構造が、
(A)層、(C)層、(A)層、(C)層の順に積層さ
れてなるものであって、両方の(C)層の外周形状が
(A)層の外周形状より小さいものであり、2つの
(A)層が電気的に接続されているものであり、かつ2
つの(A)層のうち透明高分子フィルムから上層側にあ
る(A)層が、外部からの端子を電気的に接続し得るも
のである請求項1記載の透明導電フィルム。 - 【請求項4】 透明高分子フィルムと積層構造の間に、
(C)層を有するものである請求項1〜3のいずれかに
記載の透明導電フィルム。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の透明導
電フィルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。 - 【請求項6】 プラズマディスプレイに用いられる請求
項5記載の電磁波シールドフィルター。
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JP2001328199A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-27 | Bridgestone Corp | 積層膜 |
JP2005316428A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 干渉縞の発生を防止した帯電防止性反射防止フィルム |
US7733025B2 (en) | 2004-12-01 | 2010-06-08 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel |
KR100709216B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
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