JP2002187776A - ＡｌＮメタライズ基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＡｌＮ基板とメタライズ層との接合強度を高め
耐熱サイクル特性の向上を図り、高信頼性のＡｌＮメタ
ライズ基板を提供する。また、低コスト化を図ったＡｌ
Ｎメタライズ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】ＡｌＮ焼結体からなるＡｌＮ基板の少なく
とも一方の面に高融点金属を主成分とするメタライズ層
が一体に形成されたＡｌＮメタライズ基板において、Ａ
ｌＮ焼結体の密度が３．３１〜３．３３ｇ／ｃｍ^３であ
り、かつ、ＡｌＮ基板とメタライズ層との接合強度が１
０ＭＰａ以上であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高集積化した半導
体素子を搭載するＡｌＮメタライズ基板およびその製造
方法であって、耐熱サイクル特性に優れた高信頼性を有
するＡｌＮメタライズ基板およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化，高密度化およ
び半導体部品の高出力化に伴い、半導体部品から発生す
る熱が増大する傾向にある。

【０００３】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、高い熱伝
導率を有し、電気絶縁性が良く、Ｓｉとほぼ同じ熱膨張
率を有するなどの優れた性質を持つ。このため、基板材
料にＡｌＮ焼結体を適用して、半導体部品から発生する
熱を効率良く放熱する半導体部品が実用化されている。

【０００４】ＡｌＮ焼結体を半導体部品搭載用基板とし
て実際に使用する際、ＡｌＮ基板表面に導電性金属から
なるメタライズ層を形成し、回路形成や電子部品の搭載
部を形成する必要がある。

【０００５】メタライズ層を形成する方法の一つとし
て、同時焼成法（コ・ファイア法：Ｃｏ−ｆｉｒｅ法）
が挙げられる。同時焼成法では、一般的に、以下に示す
手順により窒化アルミニウム基板上にメタライズ層が形
成される。

【０００６】有機化合物よりなる結合剤を用いて成形さ
れたＡｌＮグリーンシートに、Ｗ，Ｍｏなどの高融点金
属粉末ペーストを印刷した成形体を形成し、この成形体
を加熱脱脂し、その後、非酸化性雰囲気下で焼結して、
ＡｌＮメタライズ基板を製造する。

【０００７】同時焼成法では、ＡｌＮ基板の焼結とメタ
ライズ層のＡｌＮ基板への焼き付けとが一回の焼成で同
時に行われる。このため、焼結によりＡｌＮ基板を形成
した後、このＡｌＮ基板上に導電性金属からなる回路層
を直接接合してＡｌＮ回路基板を作成する直接接合法
（ＤＢＣ：Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｃｏｐｐｅ
ｒ）、または、ＡｌＮ基板上にろう材を介して導電性金
属からなる回路層を接合する活性金属法などの方法（ポ
スト・ファイア法）に比べ、製造工程数が少ない。その
結果、同時焼成法によりＡｌＮメタライズ基板を製造す
ることで、製造コストを低減できるという利点を有す
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、同時焼
成法によりＡｌＮメタライズ基板を製造すると、焼結時
に窒化アルミニウム焼結体中のガラス成分（液相成分）
が基板表面に溶出してしまい、染みや変色などが発生
し、外観不良となる問題が生じていた。

【０００９】ガラス成分（液相成分）の溶出がより一層
増加すると、ＡｌＮ基板とメタライズ層との接合面にガ
ラス成分が残存し、残存したガラス成分はＡｌＮ基板と
メタライズ層との接合を妨げ、ＡｌＮ基板とメタライズ
層との接合面に未接合部を形成してしまい、ＡｌＮ基板
とメタライズ層との接合強度が低下してしまうという問
題を有していた。

【００１０】また、接合面にガラス成分が残存している
上述のＡｌＮメタライズ基板に大電流を流すなどにより
昇温・冷却の熱サイクルを繰り返すと、ＡｌＮ基板とメ
タライズ層とは熱膨張率が異なるため、熱膨張率の大き
いＡｌＮ基板に圧縮応力がかかり、熱膨張率の小さいメ
タライズ層には引張り応力がかかる。このため、ガラス
成分の残存する未接合部が亀裂発生部位となり、この未
接合部を起点として次第にＡｌＮ基板とメタライズ層と
の接合面に剥離が生じてしまい、その結果、耐熱サイク
ル特性が低下してしまうという問題を有していた。

【００１１】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、ＡｌＮ基板とメタライズ層との接合強
度を向上させるとともに、耐熱サイクル特性を向上させ
て、高い信頼性を有する放熱特性の優れたＡｌＮメタラ
イズ基板を提供することを目的とする。

【００１２】また、不良品の発生を減らし、コスト低減
を図ったＡｌＮメタライズ基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者は、メタライズ
層の接合強度の低下を防止すべく、鋭意研究を行った結
果、ＡｌＮ基板を形成するＡｌＮ焼結体の焼結密度を理
論密度である３．３４ｇ／ｃｍ^３よりもわずかに低減し
た３．３１〜３．３３の範囲とすることで、ＡｌＮ基板
とメタライズ層との接合強度を１０ＭＰａ以上とし、耐
熱サイクル特性上、問題無く実用化できるＡｌＮメタラ
イズ基板が得られることを見い出した。

【００１４】その理由は、焼結密度を理論密度よりわず
かに低減してＡｌＮ焼結体内部に気孔を形成することに
より、焼結時に形成されるガラス成分（液相成分）を気
孔に留め、基板表面へのガラス成分の溶出を防止したも
のと考えられる。

【００１５】また、ＡｌＮ焼結体の焼結密度を理論密度
よりも低くしたため、ＡｌＮ基板表面が粗面化されてお
り、ＡｌＮ基板とメタライズ層とが接合面で複雑にから
みあって密着するアンカー効果（ａｎｃｈｏｒｉｎｇ
ｅｆｆｅｃｔ）を得ることができ、このアンカー効果に
よりＡｌＮ基板とメタライズ層との接合強度を向上させ
たものと考えられる。

【００１６】すなわち、本発明は、ＡｌＮ焼結体からな
るＡｌＮ基板の少なくとも一方の面に高融点金属を主成
分とするメタライズ層が一体に形成されたＡｌＮメタラ
イズ基板において、ＡｌＮ焼結体の密度が３．３１〜
３．３３ｇ／ｃｍ^３であり、かつ、ＡｌＮ基板とメタラ
イズ層との接合強度が１０ＭＰａ以上であることを特徴
とする。

【００１７】本発明において、ＡｌＮ基板の焼結密度を
３．３１〜３．３３ｇ／ｃｍ^３の範囲に規定した理由
は、焼結密度が３．３３ｇ／ｃｍ^３を超えるとＡｌＮ焼
結体が緻密化して前述したアンカー効果を発揮できず、
接合強度が１０ＭＰａよりも低くなり耐熱サイクル特性
が低下するとともに、接合強度のばらつきが大きくなる
ためである。また、焼結密度が３．３１ｇ／ｃｍ^３未満
ではＡｌＮ基板自体の焼結が十分ではないためＡｌＮ基
板の強度が低下し、また、１６０Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝
導率を得られないため、焼結密度を３．３１〜３．３３
ｇ／ｃｍ^３の範囲に規定した。

【００１８】このようなＡｌＮメタライズ基板におい
て、高融点金属は、タングステンまたはモリブデンのい
ずれか一種であることが望ましい。

【００１９】また、ＡｌＮメタライズ基板において、メ
タライズ層の厚さは、１０〜３０ｍｍ以上とすることが
望ましい。メタライズ層の厚さを１０μｍ未満とする
と、十分な接合強度を得ることが困難であるためであ
る。一方、メタライズ層の厚さが３０μｍを超えると、
メタライズ層としての効果が飽和になり３０μｍを超え
た厚さとする利点がない。従って、メタライズ層の厚さ
を、１０〜３０μｍの範囲とすることが望ましい。な
お、メタライズ層の厚さは、メタライズ層の任意の断面
において、厚さ方向に任意の直線を５本以上引き、メタ
ライズ層の上端部から下端部までの長さの平均値をメタ
ライズ層の厚さとする。また、メタライズ層中にＡｌＮ
を添加するなどにより、ＡｌＮ基板とメタライズ層の界
面が判断し難いときには、例えば、図１に示すように、
ＡｌＮ基板１側からＡｌＮ基板１とメタライズ層２との
界面近傍に順次水平線（水平線，）を引き、その水
平線上の高融点金属の割合が１０％以上になったところ
を基準とする。この基準から、メタライズ層２上端部へ
直線（厚さ方向への直線）を引き厚さを求めるものとす
る。同時焼成を行った際には、高融点金属成分とＡｌＮ
基１板成分が相互に拡散することもあるため、厚さを測
定する際はこのような方法を用いても良い。また、本発
明のメタライズ層とは高融点金属を主成分とする層であ
ることから、メタライズ層上に形成しためっき層は本発
明のメタライズ層の厚さには含まないものとする。

【００２０】また、ＡｌＮ基板の厚さは、０．３〜１．
０ｍｍであることが望ましい。ＡｌＮ基板の厚さを０．
３ｍｍ未満とするとＡｌＮ基板の強度が不十分であり、
同時焼成時にメタライズ層とＡｌＮ基板との熱膨張差に
よりＡｌＮ基板が割れてしまうなどの問題があり、Ａｌ
Ｎ基板の強度が不十分となり同時焼成基板として適して
いない。一方、ＡｌＮ基板の厚さが１．０ｍｍを超える
と、ＡｌＮ基板中からガラス成分量が多くなり、ガラス
成分の溶出量が増加してガラス成分の溶出の影響を必要
以上に受けてしまうためである。

【００２１】なお、本発明のＡｌＮ基板厚さはＡｌＮ基
板単層の厚さであり、例えば、多層構造とする場合は、
各単層毎の厚さを示すものである。なお、多層構造の単
層の見分け方は、内部配線の位置などにより判別可能で
ある。

【００２２】また、上記のＡｌＮメタライズ基板におい
て、ＡｌＮ基板は複数枚の基板要素を積層した多層構造
とすることが望ましい。

【００２３】上記のＡｌＮメタライズ基板において、メ
タライズ層は、ＡｌＮを含有していることが望ましく、
ＡｌＮ基板の共材であるＡｌＮを含有することで、Ａｌ
Ｎ基板とメタライズ層との接合強度をさらに高めること
ができる。

【００２４】同時焼成メタライズ層を有するＡｌＮメタ
ライズ基板は、ＡｌＮ基板の密度を３．３１〜３．３３
ｇ／ｃｍ^３の範囲内とできる製造方法とすれば特に限定
されるものではないが、例えば、次のような製造方法が
考えられる。

【００２５】すなわち、ＡｌＮメタライズ基板の製造方
法は、ＡｌＮ成形体と高融点金属ペーストとを準備し、
前記ＡｌＮ成形体上に高融点金属ペーストを所定の配線
パターンに沿い印刷した後、放置し、脱脂処理を施した
後、非酸化性雰囲気中、１５００〜１８００℃で３〜５
時間同時焼成してＡｌＮ基板上にメタライズ層を一体に
形成することを特徴とする。

【００２６】通常、理論密度を３．３４ｇ／ｃｍ^３とし
た緻密化したＡｌＮ焼結体とするために、同時焼成時に
１８００℃を超える焼結温度とする必要があるが、１８
００℃よりも低い温度で焼結することで、ＡｌＮ焼結体
の焼結密度を３．３１〜３．３３ｇ／ｃｍ^３の範囲内と
し、焼結密度を理論密度よりもわずかに低くしてＡｌＮ
焼結体に気孔を形成することができる。これにより、焼
結時のガラス成分（液相成分）の溶出を低減できる。ま
た、ＡｌＮ焼結体にわずかな気孔を形成することによ
り、ＡｌＮ基板とメタライズ層とのアンカー効果を発揮
することができ、この結果、ＡｌＮ基板とメタライズ層
との接合強度を高めることができる。

【００２７】さらに、ＡｌＮ成形体上に高融点金属ペー
ストを所定の配線パターンに沿って印刷した後に放置す
る工程を導入した場合には、導体ペーストをＡｌＮグリ
ーンシート表面に入り込ませてアンカー効果を強化する
ことができ、その結果、接合強度を高めることができ
る。なお、この放置時間は少なくとも３０分以上とする
ことが望ましい。

【００２８】そして、同時焼成を行う際、高純度のＡｌ
Ｎ製焼成敷板上で行うことにより、ＡｌＮ基板から溶出
した余分なガラス成分を吸収することができる。

【００２９】また、上記ＡｌＮメタライズ基板の製造方
法において、高融点金属ペーストに、ＡｌＮ粉末と、酸
化イットリウム粉末とを添加することが望ましい。この
ように、ＡｌＮ粉末、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉
末などの焼結助剤を添加することで、より一層ＡｌＮ基
板とメタライズ層との接合強度を高めることができる。
なお、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉末の添加量は、
具体的には、高融点金属の添加量に対して質量％（重量
％と同様）で０．５〜１０％添加することが望ましい。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、表１〜表３を用いて説明する。

【００３１】第１実施形態（表１） 本実施形態では、下記の手順により、ＡｌＮ焼結体の焼
結密度を３．２４〜３．３４ｇ／ｃｍ^３まで種々変化さ
せたＡｌＮメタライズ基板を作製した。

【００３２】平均粒径１．０μｍの窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤として酸化イットリウム
（Ｙ_２Ｏ_３）粉末を質量％で３％添加して原料粉末を調
整し、ボールミルにて解砕および混合を行った。この原
料粉末に有機バインダおよび有機溶剤（エタノール）を
添加した後、混合してスラリー化した。このスラリーを
ドクターブレード法によりシート状に成形し、縦５０ｍ
ｍ×横５０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍであるＡｌＮグリーン
シートを多数作製した。

【００３３】一方、平均粒径４．０μｍのタングステン
（Ｗ）粉末または平均粒径４．０μｍのモリブデン（Ｍ
ｏ）粉末を準備し、適量の樹脂バインダおよび分散剤を
混合して、ＷペーストまたはＭｏペーストを複数作製し
た。

【００３４】上記の各ＡｌＮグリーンシート上に、Ｗペ
ーストまたはＭｏペーストを縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ×
厚さ３０μｍになるように印刷した後、４０分間放置し
てＷメタライズ層印刷ＡｌＮ基板およびＭｏメタライズ
層印刷ＡｌＮ基板を複数作製した。

【００３５】上記各Ｗメタライズ層印刷ＡｌＮ基板およ
び各Ｍｏメタライズ層印刷ＡｌＮ基板を窒素雰囲気中、
９００℃で３時間脱脂処理を行った。

【００３６】ＡｌＮからなるセッター（焼結板）上に、
脱脂処理した各メタライズＡｌＮ基板を配置し、窒素雰
囲気中、０．８ＭＰａの加圧下、１５００〜１８００℃
で３〜５時間同時焼成を行い、各種ＡｌＮメタライズ基
板を得た。

【００３７】上記各１００個のＡｌＮメタライズ基板に
対してＮｉめっきを施し、メタライズ層の接合強度を測
定し、各測定値から平均値を算出した。

【００３８】また、１００個のＡｌＮメタライズ基板か
らサンプルを１個取り出し、ＴＣＴ試験を実施して耐熱
サイクル特性を評価した。ＴＣＴ試験は、ＡｌＮメタラ
イズ基板に昇温・冷却の熱サイクルを１０００回繰り返
し、１０００サイクル後におけるＡｌＮメタライズ基板
を観察したものである。なお、１サイクルは、１２５℃
×３０分→室温×１０分→４５℃×３０分→室温×１０
分とした。昇温・冷却の熱サイクルを施した後、ＳＥＭ
写真により５００倍に拡大して、ＡｌＮメタライズ基板
の観察によりメタライズ層の剥離の状況を調べた。メタ
ライズ層の剥離が確認されなかった場合は、ＴＣＴ特性
を「良好」とし、メタライズ層の剥離が確認された場合
は、ＴＣＴ特性を「不良」とした。

【００３９】さらに、メタライズ層を研磨により除去し
た後、アルキメデス法を用いてＡｌＮ焼結体の焼結密度
を測定した。なお、メタライズ層の厚さは各基板とも放
置処理を行ったことから、ＡｌＮ基板とメタライズ層の
界面を特定し難いものがあったため、界面近傍にＡｌＮ
基板側から水平線を引き、高融点金属の割合が１０％に
なったところを基準にし、そこからメタライズ層の上端
部までの長さを求めたものとする。これらの結果を表１
に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】表１に示すように、ＡｌＮ焼結体の焼結密
度を高くして理論密度（３．３４ｇ／ｃｍ^３）に近似さ
せるほど、ＡｌＮ焼結体は緻密な構造となりＡｌＮ基板
強度が高くなる。しかし、焼結密度を理論密度である
３．３４ｇ／ｃｍ^３とした比較例の試料Ｎｏ．９，Ｎ
ｏ．１２では、緻密な構造であるためアンカー効果を十
分に得ることができず、ＡｌＮ基板とメタライズ層との
接合強度が低下し、また耐熱サイクル特性も不良であっ
た。また、比較例の試料Ｎｏ．７，Ｎｏ．８，Ｎｏ．１
０，Ｎｏ．１１のＡｌＮメタライズ基板は、ＡｌＮ焼結
体の焼結密度を３．３１ｇ／ｃｍ^３未満としたため、Ａ
ｌＮ基板の強度が著しく低下し、いずれも接合強度が１
０ＭＰａ未満でありＡｌＮ基板とメタライズ層との接合
強度が低下しており、耐熱サイクル特性も不良であっ
た。

【００４２】一方、焼結密度を３．３１〜３．３３ｇ／
ｃｍ^３の範囲とし、わずかな気孔を形成した実施例の試
料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．６のＡｌＮメタライズ基板で
は、メタライズ層の接合強度がいずれも１０ＭＰａ以上
と高くなっており、耐熱サイクル特性も良好であった。

【００４３】本実施形態によれば、ＡｌＮ焼結体の焼結
密度を理論密度よりもわずかに低い３．３１〜３．３３
ｇ／ｃｍ^３の範囲とすることで、ＡｌＮ基板とメタライ
ズ層との接合強度と耐熱サイクル特性とを向上させたＡ
ｌＮメタライズ基板を得られる。

【００４４】第２実施形態（表２） 本実施形態では、メタライズ層の厚さおよびＡｌＮ基板
の厚さを変化させて、複数個のＡｌＮメタライズ基板を
作製した。

【００４５】作製手順は、上述した第１実施形態と同様
とし、ＡｌＮ焼結体の焼結密度を３．３２ｇ／ｃｍ^３と
なるようにＡｌＮメタライズ基板を作製した。

【００４６】得られた各ＡｌＮメタライズ基板に対し
て、第１実施形態と同様の試験条件でＡｌＮ基板とメタ
ライズ層との接合強度を測定し、耐熱サイクル特性を評
価した。その結果を表２に示す。

【００４７】

【表２】

【００４８】表２に示すように、ＡｌＮ基板の厚さを
０．３〜１．０ｍｍとした単層構造からなる実施例の試
料Ｎｏ．２０〜Ｎｏ．２４、また、各単層毎の厚さを
０．３〜１．０ｍｍの範囲として多層構造とした試料Ｎ
ｏ．２５，Ｎｏ．２６では、接合強度がいずれも１３Ｍ
Ｐａ以上となっており、メタライズ層の接合強度が優れ
ていた。これに対し、ＡｌＮ基板の厚さを０．３〜１．
０ｍｍの範囲外とした単層構造のＡｌＮ基板からなる比
較例の試料Ｎｏ．２７〜Ｎｏ．２９、各単層毎の厚さを
０．３〜１．０ｍｍの範囲外として多層構造とした試料
Ｎｏ．３０，Ｎｏ．３１では接合強度が低下していた。
また、メタライズ層の厚さを５μｍとした試料Ｎｏ．３
１では、接合強度が低下していた。一方、メタライズ層
の厚さを３２μｍと厚くすると１７ＭＰａの接合強度を
得られたが、メタライズ層の厚さを３０μｍとした実施
例の試料Ｎｏ．２４の接合強度と同じであることから、
３０μｍ以上の厚さとする利点が無かった。

【００４９】本実施形態によれば、メタライズ層および
ＡｌＮ基板の厚さを本発明の範囲と規定することで、１
０ＭＰａ以上と接合強度が高く、耐熱サイクル特性を向
上させたＡｌＮメタライズ基板を得ることができた。

【００５０】第３実施形態（表３） 本実施形態では、メタライズ層中にＡｌＮ基板と共材で
あるＡｌＮを添加したＡｌＮメタライズ基板を作製し
た。

【００５１】作製手順は、上述した第１実施形態とほぼ
同様の手順であり、ＷペーストまたはＭｏペースト中に
ＡｌＮまたはＹ_２Ｏ_３を表３に示すように添加した。そ
して、ＡｌＮ焼結体の焼結密度を３．３１〜３．３３ｇ
／ｃｍ^３の範囲となるようにし、メタライズ層の厚さを
２５μｍとしたＡｌＮメタライズ基板を作製した。これ
を試料Ｎｏ．４０〜試料Ｎｏ．４５とした。

【００５２】得られた各ＡｌＮメタライズ基板に対し
て、第１実施形態と同様の条件下で接合強度の測定およ
び耐熱サイクル特性の評価を行った。その結果を表３に
示す。

【００５３】

【表３】

【００５４】表３に示すように、メタライズ層にＡｌＮ
基板の共材であるＡｌＮを添加した試料Ｎｏ．４０〜Ｎ
ｏ．４５のＡｌＮメタライズ基板は、いずれも１５ＭＰ
ａ以上の接合強度を示しており、また、耐熱サイクル特
性も良好であった。

【００５５】本実施形態によれば、メタライズ層にＡｌ
Ｎ基板の共材であるＡｌＮを添加することで、より一層
ＡｌＮ基板とメタライズ層との接合強度を向上させると
ともに、耐熱サイクル特性の向上を図ることができる。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のＡｌＮメ
タライズ基板によれば、ＡｌＮ基板とメタライズ層との
接合強度を１０ＭＰａ以上として、接合強度の向上させ
て耐熱サイクル特性の優れた高熱伝導率のＡｌＮメタラ
イズ基板を得られるため、半導体素子をより一層高集積
化，高速化，大チップ化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＡｌＮメタライズ基板における、メタ
ライズ層の厚さ測定するための図であり、ＡｌＮメタラ
イズ基板の断面を示す図。

【符号の説明】

１ ＡｌＮ基板 ２ メタライズ層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＡｌＮ焼結体からなるＡｌＮ基板の少な
   くとも一方の面に高融点金属を主成分とするメタライズ
   層が一体に形成されたＡｌＮメタライズ基板において、
   ＡｌＮ焼結体の密度が３．３１〜３．３３ｇ／ｃｍ^３で
   あり、かつ、ＡｌＮ基板とメタライズ層との接合強度が
   １０ＭＰａ以上であることを特徴とするＡｌＮメタライ
   ズ基板。
2. 【請求項２】 請求項１記載のＡｌＮメタライズ基板に
   おいて、高融点金属は、タングステンまたはモリブデン
   のいずれか一種であることを特徴とするＡｌＮメタライ
   ズ基板。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載のＡｌＮメタラ
   イズ基板において、メタライズ層の厚さは、１０〜３０
   μｍであることを特徴とするＡｌＮメタライズ基板。
4. 【請求項４】 請求項１から３までのいずれかに記載の
   ＡｌＮメタライズ基板において、ＡｌＮ基板の厚さは、
   ０．３〜１．０ｍｍであることを特徴とするＡｌＮメタ
   ライズ基板。
5. 【請求項５】 請求項１から４までのいずれかに記載の
   ＡｌＮメタライズ基板において、ＡｌＮ基板は複数枚の
   基板要素を積層した多層構造としたことを特徴とするＡ
   ｌＮメタライズ基板。
6. 【請求項６】 請求項１から５までのいずれかに記載の
   ＡｌＮメタライズ基板において、メタライズ層は、Ａｌ
   Ｎを含有していることを特徴とするＡｌＮメタライズ基
   板。
7. 【請求項７】 ＡｌＮ成形体と高融点金属ぺーストとを
   準備し、前記ＡｌＮ成形体上に高融点金属ペーストを所
   定の配線パターンに沿い印刷した後、放置し、脱脂処理
   を施した後、非酸化性雰囲気中、１５００〜１８００℃
   で３〜５時間同時焼成してＡｌＮ基板上にメタライズ層
   を一体に形成することを特徴とするＡｌＮメタライズ基
   板の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７記載のＡｌＮメタライズ基板の
   製造方法において、高融点金属ペーストに、ＡｌＮ粉末
   と、酸化イットリウム粉末とを添加したことを特徴とす
   るＡｌＮメタライズ基板の製造方法。