JP2002185138A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2002185138A JP2002185138A JP2000380455A JP2000380455A JP2002185138A JP 2002185138 A JP2002185138 A JP 2002185138A JP 2000380455 A JP2000380455 A JP 2000380455A JP 2000380455 A JP2000380455 A JP 2000380455A JP 2002185138 A JP2002185138 A JP 2002185138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- via hole
- wiring pattern
- film
- flattening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】多層配線基板製造において寸法精度を向上させ
るとともに、工程数を減少させる。 【解決手段】平坦部１２、斜面１３、凸部平坦部１４、
ビアホール形成予定箇所１５それぞれに透過膜９のみの
箇所、６７％透過膜１１、２０％透過膜１０、遮光膜８
がこの順に重なるように設計したフォトマスクを用いて
露光し現像することにより、ビアホール１７ａと絶縁膜
用感光性ワニス７ａの凸部の平坦化を同時に行う。これ
により工程数を減少させることができ、また露光回数も
減少するため寸法精度を向上させることができる。
るとともに、工程数を減少させる。 【解決手段】平坦部１２、斜面１３、凸部平坦部１４、
ビアホール形成予定箇所１５それぞれに透過膜９のみの
箇所、６７％透過膜１１、２０％透過膜１０、遮光膜８
がこの順に重なるように設計したフォトマスクを用いて
露光し現像することにより、ビアホール１７ａと絶縁膜
用感光性ワニス７ａの凸部の平坦化を同時に行う。これ
により工程数を減少させることができ、また露光回数も
減少するため寸法精度を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に使用
される多層配線基板の製造方法に係り、特に絶縁層のビ
アホール形成方法と絶縁膜上面を平坦化する方法に関す
る。
される多層配線基板の製造方法に係り、特に絶縁層のビ
アホール形成方法と絶縁膜上面を平坦化する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の多層配線基板の製造方法
は、例えば特開平１０−６５３４３号公報に示されるよ
うに配線用導電性パターンと絶縁層を交互に積層するこ
とで多層配線基板を得て配線密度を向上させるのために
用いられている。
は、例えば特開平１０−６５３４３号公報に示されるよ
うに配線用導電性パターンと絶縁層を交互に積層するこ
とで多層配線基板を得て配線密度を向上させるのために
用いられている。
【０００３】図８（ｃ）は従来の多層配線基板の製造方
法により製造された、メタル配線材にＣｕを用いた２層
配線基板の例を示している。セラミック基板１上にＣｕ
配線パターン６２ａがあり、Ｃｕ配線パターン６２ａは
Ｃｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ、Ｃｕメッキパターン６ａの
順に積層された配線膜からなる。このＣｕ配線パターン
６２ａは絶縁膜用感光性ワニス７ａによって覆われてお
り、絶縁膜用感光性ワニス７ａの上にＣｕ配線パターン
６２ｂがある。上層のＣｕ配線パターン６２ｂは絶縁膜
用感光性ワニス７ｂによって覆われている。また上層の
Ｃｕ配線パターン６２ｂと下層のＣｕ配線パターン６２
ａは、所定箇所にあるビアホールの空間をＣｕ／Ｃｒス
パッタ膜２ｂとＣｕメッキパターン６ｂにより埋めるこ
とで導通されている。この構成により上層の配線膜と下
層の配線膜とを電気的に接続することができる。
法により製造された、メタル配線材にＣｕを用いた２層
配線基板の例を示している。セラミック基板１上にＣｕ
配線パターン６２ａがあり、Ｃｕ配線パターン６２ａは
Ｃｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ、Ｃｕメッキパターン６ａの
順に積層された配線膜からなる。このＣｕ配線パターン
６２ａは絶縁膜用感光性ワニス７ａによって覆われてお
り、絶縁膜用感光性ワニス７ａの上にＣｕ配線パターン
６２ｂがある。上層のＣｕ配線パターン６２ｂは絶縁膜
用感光性ワニス７ｂによって覆われている。また上層の
Ｃｕ配線パターン６２ｂと下層のＣｕ配線パターン６２
ａは、所定箇所にあるビアホールの空間をＣｕ／Ｃｒス
パッタ膜２ｂとＣｕメッキパターン６ｂにより埋めるこ
とで導通されている。この構成により上層の配線膜と下
層の配線膜とを電気的に接続することができる。
【０００４】次に、図８（ｃ）の多層配線基板の製造方
法について図を参照して説明する。図７（ａ）に示すよ
うにセラミック基板１上に、Ｃｕ／Ｃｒスパッタ膜２
ａ、Ｃｕメッキパターン６ａの順に積層されたＣｕ配線
パターン６２ａが形成されている。この上に図９（ｂ）
に示すように絶縁膜用感光性ワニス７ａの層をスピンコ
ートにより形成する。この時絶縁膜用感光性ワニス７ａ
は、導体配線層上及びセラミック基板上に同等膜厚で形
成されるため下地のＣｕ配線層の影響受け、膜表面に凸
部ができる。
法について図を参照して説明する。図７（ａ）に示すよ
うにセラミック基板１上に、Ｃｕ／Ｃｒスパッタ膜２
ａ、Ｃｕメッキパターン６ａの順に積層されたＣｕ配線
パターン６２ａが形成されている。この上に図９（ｂ）
に示すように絶縁膜用感光性ワニス７ａの層をスピンコ
ートにより形成する。この時絶縁膜用感光性ワニス７ａ
は、導体配線層上及びセラミック基板上に同等膜厚で形
成されるため下地のＣｕ配線層の影響受け、膜表面に凸
部ができる。
【０００５】次に膜表面の平坦化を行うために、図７
（ｃ）に示す通り、透過膜９と２０％透過膜１０と６７
％透過膜１１からなるフォトマスク４１ｄを重ね合わせ
る。この時２０％透過膜１０のパターンは凸部平坦部１
４に重なるように、６７％透過膜１１はの突起の斜面１
３に重なるようにする。ここで矢印は紫外線を示し、フ
ォトマスク４１ｄを透過後の矢印の長さは紫外線の強度
を示す。フォトマスク４１ｄに入射前の紫外線は露光紫
外線２２で示される。フォトマスク４１ｄ透過後の紫外
線は透過紫外線２０５で示される。透過紫外線２０５は
２０％透過膜１０直下が最も弱く短い矢印となり、６７
％透過膜１１、透過膜９の順に強くなるため矢印も順に
長くなるように示されている。このように紫外線の透過
率を調整した結果、図７（ｄ），図７（ｅ）に示す通
り、上記のパターンマスクにおいて紫外線の透過量の少
ない２０％露光箇所１６２と６７％露光箇所１６３の体
積を減少させることができる。フォトマスク４１ｄの膜
の各透過率は露光、現像による溶解、乾燥、硬化後に凸
部平坦部１４および斜面１３が平坦部１２と略同じ高さ
となる値である。
（ｃ）に示す通り、透過膜９と２０％透過膜１０と６７
％透過膜１１からなるフォトマスク４１ｄを重ね合わせ
る。この時２０％透過膜１０のパターンは凸部平坦部１
４に重なるように、６７％透過膜１１はの突起の斜面１
３に重なるようにする。ここで矢印は紫外線を示し、フ
ォトマスク４１ｄを透過後の矢印の長さは紫外線の強度
を示す。フォトマスク４１ｄに入射前の紫外線は露光紫
外線２２で示される。フォトマスク４１ｄ透過後の紫外
線は透過紫外線２０５で示される。透過紫外線２０５は
２０％透過膜１０直下が最も弱く短い矢印となり、６７
％透過膜１１、透過膜９の順に強くなるため矢印も順に
長くなるように示されている。このように紫外線の透過
率を調整した結果、図７（ｄ），図７（ｅ）に示す通
り、上記のパターンマスクにおいて紫外線の透過量の少
ない２０％露光箇所１６２と６７％露光箇所１６３の体
積を減少させることができる。フォトマスク４１ｄの膜
の各透過率は露光、現像による溶解、乾燥、硬化後に凸
部平坦部１４および斜面１３が平坦部１２と略同じ高さ
となる値である。
【０００６】次に多層化を行うため、図８（ｂ）に示さ
れるように１層目のＣｕ配線と２層目のＣｕ配線とを結
ぶビアホール１７ａを作成する。まず図８（ａ）に示さ
れるように、遮光膜８と透過膜９からなる部分透過フォ
トマスク４１ｅを絶縁膜用感光性ワニス７ａに重ねる。
この時遮光膜８がビアホール１７ａの位置にくるように
重ねて、露光を行う。次に現像、洗浄、乾燥を行い、図
８（ｂ）に示されるようにビアホール１７ａを形成す
る。
れるように１層目のＣｕ配線と２層目のＣｕ配線とを結
ぶビアホール１７ａを作成する。まず図８（ａ）に示さ
れるように、遮光膜８と透過膜９からなる部分透過フォ
トマスク４１ｅを絶縁膜用感光性ワニス７ａに重ねる。
この時遮光膜８がビアホール１７ａの位置にくるように
重ねて、露光を行う。次に現像、洗浄、乾燥を行い、図
８（ｂ）に示されるようにビアホール１７ａを形成す
る。
【０００７】以後図７（ａ）から図８（ｂ）までと同様
の工程を行うと２層化され、これを繰返すことにより多
層配線基板を製造していた。図８（ｃ）は複数の配線か
らなる２層配線基板の例である。
の工程を行うと２層化され、これを繰返すことにより多
層配線基板を製造していた。図８（ｃ）は複数の配線か
らなる２層配線基板の例である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、上層
の導体配線パターン形成時に寸法精度が低下するという
ことである。このため配線密度を増加させることが出来
ないことと高多層化が図れないことも問題点である。
の導体配線パターン形成時に寸法精度が低下するという
ことである。このため配線密度を増加させることが出来
ないことと高多層化が図れないことも問題点である。
【０００９】その理由は、従来の多層配線基板形成方法
では配線パターンとビアホールのパターンを別々の工程
で露光を行っているため、露光回数が多くなり、配線パ
ターンを形成する時にある割合で生じる露光位置のズレ
が露光回数増加分だけ加算されることである。このた
め、配線密度を向上させるために配線と配線間隔を縮小
し微細化するとショートなどの欠陥を生じてしまう。
では配線パターンとビアホールのパターンを別々の工程
で露光を行っているため、露光回数が多くなり、配線パ
ターンを形成する時にある割合で生じる露光位置のズレ
が露光回数増加分だけ加算されることである。このた
め、配線密度を向上させるために配線と配線間隔を縮小
し微細化するとショートなどの欠陥を生じてしまう。
【００１０】第２の問題点は、工程数が多く作業時間が
長くなるため作業能率が低く、製造原価が高くなるとい
うことである。
長くなるため作業能率が低く、製造原価が高くなるとい
うことである。
【００１１】その理由は、上述した従来の多層配線基板
形成方法ではビアホールのパターンと配線パターンを別
々の工程で形成していることある。
形成方法ではビアホールのパターンと配線パターンを別
々の工程で形成していることある。
【００１２】本発明の目的は、多層配線板の製造の上層
導体配線パターン形成時に寸法精度が低下してしまうこ
と防止する方法を提供することにある。
導体配線パターン形成時に寸法精度が低下してしまうこ
と防止する方法を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、多層配線基板形成方
法において寸法精度を向上させ、工程を削減する方法を
提供することにある。
法において寸法精度を向上させ、工程を削減する方法を
提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、多層配線基板製造方法において、基板上に
配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、感光
性樹脂からなる絶縁層で前記配線パターンを被覆する絶
縁層形成工程と、前記絶縁層の前記配線パターンに対応
して盛り上がった箇所が平坦である箇所と略同じ高さに
なりかつ前記絶縁層の所望の箇所にビアホールを形成す
るように、前記絶縁層における前記配線パターンに対応
して盛り上がった箇所と前記絶縁層の所望の箇所を同時
にフォトエッチングにより選択的に除去して、絶縁層平
坦化と前記ビアホール形成とを同時に行う絶縁層平坦化
／ビアホール形成工程とを備え、その後に、配線パター
ン形成工程と、絶縁層形成工程とを行うことを特徴とす
る。
に本発明は、多層配線基板製造方法において、基板上に
配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、感光
性樹脂からなる絶縁層で前記配線パターンを被覆する絶
縁層形成工程と、前記絶縁層の前記配線パターンに対応
して盛り上がった箇所が平坦である箇所と略同じ高さに
なりかつ前記絶縁層の所望の箇所にビアホールを形成す
るように、前記絶縁層における前記配線パターンに対応
して盛り上がった箇所と前記絶縁層の所望の箇所を同時
にフォトエッチングにより選択的に除去して、絶縁層平
坦化と前記ビアホール形成とを同時に行う絶縁層平坦化
／ビアホール形成工程とを備え、その後に、配線パター
ン形成工程と、絶縁層形成工程とを行うことを特徴とす
る。
【００１５】また、請求項２記載の多層配線基板製造方
法は、基板上に配線パターンを形成する配線パターン形
成工程と、感光性樹脂からなる絶縁層で前記配線パター
ンを被覆する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の前記配線
パターンに対応して盛り上がった箇所が平坦である箇所
と略同じ高さになりかつ前記絶縁層の所望の箇所にビア
ホールを形成するように、前記絶縁層における前記配線
パターンに対応して盛り上がった箇所と前記絶縁層の所
望の箇所とを同時にフォトエッチングにより選択的に除
去して、絶縁層平坦化と前記ビアホール形成とを同時に
行う絶縁層平坦化／ビアホール形成工程とを備え、その
後に、配線パターン形成工程と、絶縁層形成工程と、絶
縁層平坦化／ビアホール形成工程とを少なくとも１回以
上行い、最上層を形成する工程では配線パターン形成工
程と、絶縁層形成工程とを行うことを特徴とする。
法は、基板上に配線パターンを形成する配線パターン形
成工程と、感光性樹脂からなる絶縁層で前記配線パター
ンを被覆する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の前記配線
パターンに対応して盛り上がった箇所が平坦である箇所
と略同じ高さになりかつ前記絶縁層の所望の箇所にビア
ホールを形成するように、前記絶縁層における前記配線
パターンに対応して盛り上がった箇所と前記絶縁層の所
望の箇所とを同時にフォトエッチングにより選択的に除
去して、絶縁層平坦化と前記ビアホール形成とを同時に
行う絶縁層平坦化／ビアホール形成工程とを備え、その
後に、配線パターン形成工程と、絶縁層形成工程と、絶
縁層平坦化／ビアホール形成工程とを少なくとも１回以
上行い、最上層を形成する工程では配線パターン形成工
程と、絶縁層形成工程とを行うことを特徴とする。
【００１６】また、請求項３記載の多層配線基板製造方
法は、前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程が、前記
配線パターンに対応して盛り上がった箇所が平坦である
箇所と略同じ高さになりかつ、所望の箇所にビアホール
を形成するように、部分的に透過光量を調節したマスク
の上から絶縁層を露光し現像することにより、前記絶縁
層の前記配線パターンに対応して盛り上がった箇所と前
記ビアホールとを形成する所望の箇所を除去することを
特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板製造方法
である。
法は、前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程が、前記
配線パターンに対応して盛り上がった箇所が平坦である
箇所と略同じ高さになりかつ、所望の箇所にビアホール
を形成するように、部分的に透過光量を調節したマスク
の上から絶縁層を露光し現像することにより、前記絶縁
層の前記配線パターンに対応して盛り上がった箇所と前
記ビアホールとを形成する所望の箇所を除去することを
特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板製造方法
である。
【００１７】また、請求項４記載の多層配線基板製造方
法は、前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程は、前記
絶縁層のうち透過光量を段階的に変化させる領域を設け
たマスクを用いて配線パターンに対応して盛り上がった
部分を除去することを特徴とする請求項１又は２記載の
多層配線基板製造方法である。
法は、前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程は、前記
絶縁層のうち透過光量を段階的に変化させる領域を設け
たマスクを用いて配線パターンに対応して盛り上がった
部分を除去することを特徴とする請求項１又は２記載の
多層配線基板製造方法である。
【００１８】また、請求項５記載の多層配線基板製造方
法は、前記配線パターンに対応して盛りあがった箇所の
うち、前記ビアホール形成予定箇所と、前記ビアホール
形成予定箇所の外側で盛りあがった箇所と同一平面に属
する平坦部と、さらに外側にある斜面部分とに、露光量
をこの順で増加させていくことを特徴とする請求項３又
は４記載の多層配線基板製造方法である。
法は、前記配線パターンに対応して盛りあがった箇所の
うち、前記ビアホール形成予定箇所と、前記ビアホール
形成予定箇所の外側で盛りあがった箇所と同一平面に属
する平坦部と、さらに外側にある斜面部分とに、露光量
をこの順で増加させていくことを特徴とする請求項３又
は４記載の多層配線基板製造方法である。
【００１９】また請求項６記載の多層配線基板製造方法
は、前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程は露光に紫
外線を用いることを特徴とする請求項１乃至５記載の多
層配線基板製造方法である。
は、前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程は露光に紫
外線を用いることを特徴とする請求項１乃至５記載の多
層配線基板製造方法である。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２１】図４は本発明の多層配線基板の製造方法に
より製造された、メタル配線材にＣｕを用いた２層の配
線基板の例を示している。セラミック基板１上にＣｕ配
線パターン６２ａがあり、Ｃｕ配線パターン６２ａはＣ
ｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ、Ｃｕメッキパターン６ａの順
に積層された配線膜からなる。このＣｕ配線パターン６
２ａは絶縁膜用感光性ワニス７ａによって覆われてお
り、絶縁膜用感光性ワニス７ａの上にＣｕ配線パターン
６２ｂがある。上層のＣｕ配線パターン６２ｂは絶縁膜
用感光性ワニス７ｂによって覆われている。また上層の
Ｃｕ配線パターン６２ｂと下層のＣｕ配線パターン６２
ａは、所定箇所にあるビアホールの空間をＣｕメッキパ
ターン６ｂにより埋めることで導通されている。この構
成により上層の配線膜と下層の配線膜とを電気的に接続
することができる。
より製造された、メタル配線材にＣｕを用いた２層の配
線基板の例を示している。セラミック基板１上にＣｕ配
線パターン６２ａがあり、Ｃｕ配線パターン６２ａはＣ
ｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ、Ｃｕメッキパターン６ａの順
に積層された配線膜からなる。このＣｕ配線パターン６
２ａは絶縁膜用感光性ワニス７ａによって覆われてお
り、絶縁膜用感光性ワニス７ａの上にＣｕ配線パターン
６２ｂがある。上層のＣｕ配線パターン６２ｂは絶縁膜
用感光性ワニス７ｂによって覆われている。また上層の
Ｃｕ配線パターン６２ｂと下層のＣｕ配線パターン６２
ａは、所定箇所にあるビアホールの空間をＣｕメッキパ
ターン６ｂにより埋めることで導通されている。この構
成により上層の配線膜と下層の配線膜とを電気的に接続
することができる。
【００２２】次に図４の多層配線基板の製造方法につい
て図１〜３を用いて説明する。
て図１〜３を用いて説明する。
【００２３】まず、図１（ａ）に示す通り、多層配線基
板として例えば厚さが３．５ｍｍのセラミック基板１を
用いる。基板は予め高圧スプレー洗浄を行い、スピンさ
せながら赤外線乾燥を行う。そして図１（ｂ）に示す通
り、後工程である電解Ｃｕメッキの電極膜を作るために
スパッタ法によりＣｕ或いは、Ｐｄのスパッタ膜を成膜
する。ここではＣｕスパッタ膜を成膜するが、セラミッ
ク基板１との密着性を向上させるためにＣｒ膜を５００
Åの膜厚で成膜した後にＣｕ膜を１５００Å成膜し、結
果としてＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２を２０００Åの膜厚で
成膜する。
板として例えば厚さが３．５ｍｍのセラミック基板１を
用いる。基板は予め高圧スプレー洗浄を行い、スピンさ
せながら赤外線乾燥を行う。そして図１（ｂ）に示す通
り、後工程である電解Ｃｕメッキの電極膜を作るために
スパッタ法によりＣｕ或いは、Ｐｄのスパッタ膜を成膜
する。ここではＣｕスパッタ膜を成膜するが、セラミッ
ク基板１との密着性を向上させるためにＣｒ膜を５００
Åの膜厚で成膜した後にＣｕ膜を１５００Å成膜し、結
果としてＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２を２０００Åの膜厚で
成膜する。
【００２４】次に図１（ｃ）に示す通り、レジストパタ
ーンとしてポジ型レジスト３を使用して２０μｍの膜厚
で塗布する。次に図１（ｄ）に示す通り、遮光膜４と透
過膜５からなるフォトマスク４１ａをレジスト３上に重
ね合わせる。露光線として紫外線、Ｘ線、電子ビーム等
があるが、ここではｇ線ステッパ（波長４３６ｎｍの露
光機）を用いて紫外線を１４００ｍＪ／ｃｍ2の露光量
で露光する。露光紫外線２２はフォトマスク４１ａに入
射し遮光膜４が存在しない部分を透過して透過紫外線２
０１となりポジ型レジスト３は遮光膜４のない部分だけ
露光される。露光後図１（ｅ）に示す通り、現像液とし
て（ＭＰ３０３Ａ希釈液（商品名）；シプレイ社(株)
製）を使用しパドル方式（現像方式の一種であり、基板
上に表面張力で現像液を盛って現像、以後これを繰り返
す方法）を用いて現像を行う。現像後純水シャワー洗浄
を３分間行い露光部分を除去し、スピン乾燥を３分間行
い乾燥する。
ーンとしてポジ型レジスト３を使用して２０μｍの膜厚
で塗布する。次に図１（ｄ）に示す通り、遮光膜４と透
過膜５からなるフォトマスク４１ａをレジスト３上に重
ね合わせる。露光線として紫外線、Ｘ線、電子ビーム等
があるが、ここではｇ線ステッパ（波長４３６ｎｍの露
光機）を用いて紫外線を１４００ｍＪ／ｃｍ2の露光量
で露光する。露光紫外線２２はフォトマスク４１ａに入
射し遮光膜４が存在しない部分を透過して透過紫外線２
０１となりポジ型レジスト３は遮光膜４のない部分だけ
露光される。露光後図１（ｅ）に示す通り、現像液とし
て（ＭＰ３０３Ａ希釈液（商品名）；シプレイ社(株)
製）を使用しパドル方式（現像方式の一種であり、基板
上に表面張力で現像液を盛って現像、以後これを繰り返
す方法）を用いて現像を行う。現像後純水シャワー洗浄
を３分間行い露光部分を除去し、スピン乾燥を３分間行
い乾燥する。
【００２５】次に洗浄後のセラミック基板１を高電圧下
において発生させた酸素プラズマ雰囲気中に置き、現像
洗浄後も残さとして僅かに残っているポジ型レジスト３
を除去する「デ・スカム」（「デ」は「除去」、「スカ
ム」は「残さ」の意。ポジ型レジスト３は有機物である
ため残さの大部分が炭素Ｃであり、酸素Ｏとの反応によ
り二酸化炭素ＣＯ2と水Ｈ2Ｏが発生する。この有機物の
ガス化により残さは完全に除去される。）を行う。
において発生させた酸素プラズマ雰囲気中に置き、現像
洗浄後も残さとして僅かに残っているポジ型レジスト３
を除去する「デ・スカム」（「デ」は「除去」、「スカ
ム」は「残さ」の意。ポジ型レジスト３は有機物である
ため残さの大部分が炭素Ｃであり、酸素Ｏとの反応によ
り二酸化炭素ＣＯ2と水Ｈ2Ｏが発生する。この有機物の
ガス化により残さは完全に除去される。）を行う。
【００２６】次に図２（ｂ）に示す通り、硫酸銅メッキ
液を用いて電流値２００ｍＡで３０分の電解Ｃｕメッキ
を行い、Ｃｕメッキパターン６ａを１２μｍの厚さで形
成する（図２（ａ））。そして有機溶剤としてメチルエ
チルケトンを用いて未露光部分のレジスト剥離を行う。
その後、高圧スプレー洗浄により有機溶剤を完全に除去
し、スピンさせながら赤外線乾燥を行う。
液を用いて電流値２００ｍＡで３０分の電解Ｃｕメッキ
を行い、Ｃｕメッキパターン６ａを１２μｍの厚さで形
成する（図２（ａ））。そして有機溶剤としてメチルエ
チルケトンを用いて未露光部分のレジスト剥離を行う。
その後、高圧スプレー洗浄により有機溶剤を完全に除去
し、スピンさせながら赤外線乾燥を行う。
【００２７】次に図２（ｃ）に示す通り、Ａｒイオンを
用いたイオンミリングによりＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ
を除去する。Ｃｕメッキパターン６ａ（１２μｍ）に比
べＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ（２０００Å＝０．２μ
ｍ）は薄いため（図では説明のために太く描いてい
る）、Ｃｕメッキパターン６ａが全体の割合から見れば
殆ど除去されないうちにＣｕメッキパターン６ａに覆わ
れていないＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａは除去され、Ｃｕ
メッキパターン６ａに覆われているＣｕ／Ｃｒスパッタ
膜２ａのみ残る。
用いたイオンミリングによりＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ
を除去する。Ｃｕメッキパターン６ａ（１２μｍ）に比
べＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａ（２０００Å＝０．２μ
ｍ）は薄いため（図では説明のために太く描いてい
る）、Ｃｕメッキパターン６ａが全体の割合から見れば
殆ど除去されないうちにＣｕメッキパターン６ａに覆わ
れていないＣｕ／Ｃｒスパッタ膜２ａは除去され、Ｃｕ
メッキパターン６ａに覆われているＣｕ／Ｃｒスパッタ
膜２ａのみ残る。
【００２８】次に図２（ｄ）に示す通り、絶縁膜用感光
性ワニス７ａ（東レフォトニース（商品名）；東レ(株)
製）をスピンコートにより塗布する。まず回転速度１３
００ｒ．ｐ．ｍ．で３０秒間行った後、回転速度を２０
００ｒ．ｐ．ｍ．まで引き上げて３秒間行う。この方法
により３０μｍの膜厚になるように絶縁膜用感光性ワニ
ス７ａを全体に塗布する。このときセラミック基板１上
にＣｕ配線パターン６２ａのある場所の上部には形成後
の絶縁膜用感光性ワニス７ａの膜表面にも凸部を形成す
ることになる。
性ワニス７ａ（東レフォトニース（商品名）；東レ(株)
製）をスピンコートにより塗布する。まず回転速度１３
００ｒ．ｐ．ｍ．で３０秒間行った後、回転速度を２０
００ｒ．ｐ．ｍ．まで引き上げて３秒間行う。この方法
により３０μｍの膜厚になるように絶縁膜用感光性ワニ
ス７ａを全体に塗布する。このときセラミック基板１上
にＣｕ配線パターン６２ａのある場所の上部には形成後
の絶縁膜用感光性ワニス７ａの膜表面にも凸部を形成す
ることになる。
【００２９】次に図３（ａ）に示す通り、遮光膜８と透
過膜９と２０％透過膜１０と６７％透過膜１１からなる
部分透過パターンマスク４１ｂを絶縁膜用感光性ワニス
７ａ上に重ね合わせる。この時遮光膜８のパターンは後
の工程（図３（ｃ））においてビアホール１７ａになる
ビアホール形成予定箇所１５に重なるように、２０％透
過膜１０のパターンは凸部平坦部１４に重なるように、
６７％透過膜１１は突起の斜面１３に重なるようにす
る。本発明の実施の形態では２０％透過膜１０の幅はＣ
ｕ配線パターン６２ａのと同じ幅とし、６７％透過膜の
幅はＣｕ配線パターン６２ａの膜厚と同じ１２μｍとす
る。しかし、２０％透過膜１０の幅、６７％透過膜の幅
はこれに限定されるものではない。ここで矢印は紫外線
を示し、フォトマスク４１ｂを透過前の矢印は露光紫外
線２２を示し、フォトマスク４１ｂ透過後の矢印は透過
紫外線２０２を示す。またフォトマスク４１ｂの矢印の
長さは紫外線の強度を示す。そのため、露光紫外線２２
はフォトマスク４１ｂを透過後、２０％透過膜１０直下
では短い矢印で示され、６７％透過膜１１直下、透過膜
９の直下と透過紫外線２０２の強度が大となるに応じて
長い矢印で示される。遮光膜８直下では光を表す矢印は
ない。そしてｇ線ステッパ（波長４３６ｎｍの露光機）
を用いて１５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線により露光する。
露光後７５℃で１２０分間ベーキングを行い、露光後の
絶縁膜用感光性ワニス７ａ中の感光基を安定させる。絶
縁膜用感光性ワニス７ａは紫外線により僅かでも露光し
た場合、ミクロン単位の膜厚では上部、下部とも均一に
露光する。しかし露光量により絶縁膜用感光性ワニス７
ａの体積変化を示す残膜率（絶縁膜用感光性ワニス７ａ
の塗布直後の膜厚に対する、露光、現像による溶解、乾
燥、硬化後の膜厚の比率を表す。）が異なり、露光量が
少ない程残膜率は小さい。そのため露光量が少ないと現
像、乾燥、硬化後の絶縁膜用感光性ワニス７ａの膜は収
縮し、体積が小さくなる。この結果図３（ｂ），（ｃ）
に示す通り、上記のパターンマスクにおいて紫外線の透
過量の少ない２０％露光箇所１６２、６７％露光箇所１
６３と、全く紫外線が透過しない０％露光箇所１６１の
体積を減少させることができる。
過膜９と２０％透過膜１０と６７％透過膜１１からなる
部分透過パターンマスク４１ｂを絶縁膜用感光性ワニス
７ａ上に重ね合わせる。この時遮光膜８のパターンは後
の工程（図３（ｃ））においてビアホール１７ａになる
ビアホール形成予定箇所１５に重なるように、２０％透
過膜１０のパターンは凸部平坦部１４に重なるように、
６７％透過膜１１は突起の斜面１３に重なるようにす
る。本発明の実施の形態では２０％透過膜１０の幅はＣ
ｕ配線パターン６２ａのと同じ幅とし、６７％透過膜の
幅はＣｕ配線パターン６２ａの膜厚と同じ１２μｍとす
る。しかし、２０％透過膜１０の幅、６７％透過膜の幅
はこれに限定されるものではない。ここで矢印は紫外線
を示し、フォトマスク４１ｂを透過前の矢印は露光紫外
線２２を示し、フォトマスク４１ｂ透過後の矢印は透過
紫外線２０２を示す。またフォトマスク４１ｂの矢印の
長さは紫外線の強度を示す。そのため、露光紫外線２２
はフォトマスク４１ｂを透過後、２０％透過膜１０直下
では短い矢印で示され、６７％透過膜１１直下、透過膜
９の直下と透過紫外線２０２の強度が大となるに応じて
長い矢印で示される。遮光膜８直下では光を表す矢印は
ない。そしてｇ線ステッパ（波長４３６ｎｍの露光機）
を用いて１５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線により露光する。
露光後７５℃で１２０分間ベーキングを行い、露光後の
絶縁膜用感光性ワニス７ａ中の感光基を安定させる。絶
縁膜用感光性ワニス７ａは紫外線により僅かでも露光し
た場合、ミクロン単位の膜厚では上部、下部とも均一に
露光する。しかし露光量により絶縁膜用感光性ワニス７
ａの体積変化を示す残膜率（絶縁膜用感光性ワニス７ａ
の塗布直後の膜厚に対する、露光、現像による溶解、乾
燥、硬化後の膜厚の比率を表す。）が異なり、露光量が
少ない程残膜率は小さい。そのため露光量が少ないと現
像、乾燥、硬化後の絶縁膜用感光性ワニス７ａの膜は収
縮し、体積が小さくなる。この結果図３（ｂ），（ｃ）
に示す通り、上記のパターンマスクにおいて紫外線の透
過量の少ない２０％露光箇所１６２、６７％露光箇所１
６３と、全く紫外線が透過しない０％露光箇所１６１の
体積を減少させることができる。
【００３０】図５は露光量と絶縁膜用感光性ワニス７の
残膜率との関係を示すグラフである。露光量が上昇する
と、それに応じて残膜率は急激に上昇し、そして１００
％に収束していく。以後、図３と図５を対比させて説明
する。
残膜率との関係を示すグラフである。露光量が上昇する
と、それに応じて残膜率は急激に上昇し、そして１００
％に収束していく。以後、図３と図５を対比させて説明
する。
【００３１】紫外線を１５０ｍＪ／ｃｍ2露光すると平
坦部１２では略１００％露光されるため、１５０ｍＪ／
ｃｍ2の露光量であるので図５のグラフより残膜率は６
０％である。絶縁膜用感光性ワニス７を塗布した時の膜
厚は３０μｍであるので、露光、現像による溶解、乾
燥、硬化後には１８μｍの膜厚となる。
坦部１２では略１００％露光されるため、１５０ｍＪ／
ｃｍ2の露光量であるので図５のグラフより残膜率は６
０％である。絶縁膜用感光性ワニス７を塗布した時の膜
厚は３０μｍであるので、露光、現像による溶解、乾
燥、硬化後には１８μｍの膜厚となる。
【００３２】凸部平坦部１４では、１５０×２０％＝３
０ｍＪ／ｃｍ2の露光量であるので図５のグラフより残
膜率は２０％である。絶縁膜用感光性ワニス７を塗布し
た時の膜厚は３０μｍであるので、露光、現像による溶
解、乾燥、硬化後には、３０μｍ×２０％＝６μｍとな
る。Ｃｕメッキパターン６ａの膜厚は１２μｍであるの
で最終的な高さは１２μｍ＋６μｍ＝１８μｍとなり、
平坦部１２と略同じ高さとなる。
０ｍＪ／ｃｍ2の露光量であるので図５のグラフより残
膜率は２０％である。絶縁膜用感光性ワニス７を塗布し
た時の膜厚は３０μｍであるので、露光、現像による溶
解、乾燥、硬化後には、３０μｍ×２０％＝６μｍとな
る。Ｃｕメッキパターン６ａの膜厚は１２μｍであるの
で最終的な高さは１２μｍ＋６μｍ＝１８μｍとなり、
平坦部１２と略同じ高さとなる。
【００３３】斜面１３では、１５０×６７％≒１００ｍ
Ｊ／ｃｍ2の露光量であるので残膜率は５０％である。
絶縁膜用感光性ワニス７を塗布した時の膜厚は３０μｍ
であるが、斜面１３は斜面であるため膜厚の最も大きい
ところは膜厚１２μｍのＣｕメッキパターン６ａの高さ
が加算されて３０μｍ＋１２μｍ＝４２μｍ、膜厚の最
も小さい場所は３０μｍである。そのため平均をとると
３６μｍとなり、露光、現像による溶解、乾燥、硬化後
３６μｍ×５０％＝１８μｍとなる。この結果、平坦部
１２と略同じ高さとなる。
Ｊ／ｃｍ2の露光量であるので残膜率は５０％である。
絶縁膜用感光性ワニス７を塗布した時の膜厚は３０μｍ
であるが、斜面１３は斜面であるため膜厚の最も大きい
ところは膜厚１２μｍのＣｕメッキパターン６ａの高さ
が加算されて３０μｍ＋１２μｍ＝４２μｍ、膜厚の最
も小さい場所は３０μｍである。そのため平均をとると
３６μｍとなり、露光、現像による溶解、乾燥、硬化後
３６μｍ×５０％＝１８μｍとなる。この結果、平坦部
１２と略同じ高さとなる。
【００３４】以上により、露光、現像による溶解、乾
燥、硬化後に凸部平坦部１４および斜面１３が平坦部１
２と略同じ高さとなる。
燥、硬化後に凸部平坦部１４および斜面１３が平坦部１
２と略同じ高さとなる。
【００３５】２０％透過膜１０と６７％透過膜１１の材
質としては、例えば有機膜のように遮光膜８より紫外線
を透過しやすい材質の膜を用いる。遮光膜８としては例
えばクロム膜の表面に酸化クロム膜を被覆したものを用
いる。
質としては、例えば有機膜のように遮光膜８より紫外線
を透過しやすい材質の膜を用いる。遮光膜８としては例
えばクロム膜の表面に酸化クロム膜を被覆したものを用
いる。
【００３６】本発明の実施の形態では、透過光量を０％
（遮光）、２０％、６７％、１００％（透過）の４段階
に変化させる場合について説明したが、段階数はこれに
限定されるものではない。
（遮光）、２０％、６７％、１００％（透過）の４段階
に変化させる場合について説明したが、段階数はこれに
限定されるものではない。
【００３７】本発明の実施の形態では、ビアホールが垂
直形状のものについて説明したが、図５のグラフを用い
て透過率、段回数を調整することにより種々の形状のビ
アホールを形成することができる。例えば図６に示すよ
うに階段状のビアホールを形成し、このビアホールをキ
ュアする。すると、内壁にＣｕ／Ｃｒスパッタ膜の被覆
が容易であり、レジストやＣｕメッキの流入が容易であ
る、開口側に向かって幅広のビアホールを形成すること
ができる。
直形状のものについて説明したが、図５のグラフを用い
て透過率、段回数を調整することにより種々の形状のビ
アホールを形成することができる。例えば図６に示すよ
うに階段状のビアホールを形成し、このビアホールをキ
ュアする。すると、内壁にＣｕ／Ｃｒスパッタ膜の被覆
が容易であり、レジストやＣｕメッキの流入が容易であ
る、開口側に向かって幅広のビアホールを形成すること
ができる。
【００３８】次に図３（ｃ）に示す通り、現像液（東レ
フォトニースＤＶ−５０５；東レ（株）製）を用いて現
像を行い、浸漬させた状態で２００秒間揺動しながら、
途中１５０秒間超音波洗浄を行い２０％露光箇所１６
２、６０％露光箇所１６３を収縮させ、０％露光箇所１
６１を除去する。その後イソプロピルアルコールにより
現像液をリンスし（洗い流し）スピン乾燥により乾燥さ
せる。以上により凸部にあわせて露光量を調整すること
により絶縁膜用感光性ワニス７ａによる絶縁膜が略平坦
化されるとともに、同時にビアホール１７ａが形成され
る。
フォトニースＤＶ−５０５；東レ（株）製）を用いて現
像を行い、浸漬させた状態で２００秒間揺動しながら、
途中１５０秒間超音波洗浄を行い２０％露光箇所１６
２、６０％露光箇所１６３を収縮させ、０％露光箇所１
６１を除去する。その後イソプロピルアルコールにより
現像液をリンスし（洗い流し）スピン乾燥により乾燥さ
せる。以上により凸部にあわせて露光量を調整すること
により絶縁膜用感光性ワニス７ａによる絶縁膜が略平坦
化されるとともに、同時にビアホール１７ａが形成され
る。
【００３９】以後図１（ｂ）から図３（ｃ）までの工程
を繰り返すことにより積層化し、多層配線基板が形成さ
れる。図４に２層の配線基板の例を示す。
を繰り返すことにより積層化し、多層配線基板が形成さ
れる。図４に２層の配線基板の例を示す。
【００４０】
【発明の効果】本発明の第１の効果は、多層配線基板形
成において上層導体配線パターン形成時に寸法精度が低
下するのを防止できるということである。また、このた
め配線密度を増加させることができ、高多層化を図るこ
とができるのも効果である。
成において上層導体配線パターン形成時に寸法精度が低
下するのを防止できるということである。また、このた
め配線密度を増加させることができ、高多層化を図るこ
とができるのも効果である。
【００４１】その理由は、ビアホール形成と凸部の平坦
化を一つの工程で形成したため露光回数が少なくてす
み、露光位置のズレからくる寸法精度の低下を防止した
ためである。８層などの高積層では露光位置のズレが加
算され寸法精度の低下につながるが、本発明では、ビア
ホール形成と凸部の平坦化を別々に行った場合より、１
層積層するごとに１回露光回数を減らすことがるため、
露光位置のズレからくる寸法精度の低下を抑制すること
が可能となる。
化を一つの工程で形成したため露光回数が少なくてす
み、露光位置のズレからくる寸法精度の低下を防止した
ためである。８層などの高積層では露光位置のズレが加
算され寸法精度の低下につながるが、本発明では、ビア
ホール形成と凸部の平坦化を別々に行った場合より、１
層積層するごとに１回露光回数を減らすことがるため、
露光位置のズレからくる寸法精度の低下を抑制すること
が可能となる。
【００４２】本発明の第２の効果は、多層配線基板形成
において工程数を削減したため作業時間が減少する結
果、作業能率が向上し製造原価が安くなるということで
ある。
において工程数を削減したため作業時間が減少する結
果、作業能率が向上し製造原価が安くなるということで
ある。
【００４３】その理由は、ビアホール形成と凸部の平坦
化を一つの工程で形成したためである。ビアホール形成
と凸部の平坦化を別々の工程で行った場合、露光、現像
による溶解、洗浄、乾燥による絶縁膜の硬化からなる工
程が２回必要になるので、本願発明より工程が１回余分
に必要になり、８層などの多層配線においては、工程数
の増加、作業能率の低下、製造原価の高騰につながる。
しかし、本願発明ではこれらのことを抑制することが可
能となる。
化を一つの工程で形成したためである。ビアホール形成
と凸部の平坦化を別々の工程で行った場合、露光、現像
による溶解、洗浄、乾燥による絶縁膜の硬化からなる工
程が２回必要になるので、本願発明より工程が１回余分
に必要になり、８層などの多層配線においては、工程数
の増加、作業能率の低下、製造原価の高騰につながる。
しかし、本願発明ではこれらのことを抑制することが可
能となる。
【図１】本発明の実施の形態の多層配線基板の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態の多層配線基板の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態の多層配線基板の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の多層配線基板の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態の絶縁膜用感光性ワニスの
残膜率に対する露光量と透過率の関係を示すグラフであ
る。
残膜率に対する露光量と透過率の関係を示すグラフであ
る。
【図６】本発明の実施の形態のビアホールの他の形状を
示す図である。
示す図である。
【図７】従来の多層配線基板の製造方法を示す図であ
る。
る。
【図８】従来の多層配線基板の製造方法を示す図であ
る。
る。
１ セラミック基板 ２，２ａ，２ｂ Ｃｕ／Ｃｒスパッタ膜 ３ ポジ型レジスト ４，８ 遮光膜 ５，９ 透過膜 ６ａ，６ｂ Ｃｕメッキパターン ７ａ，７ｂ 絶縁膜用感光性ワニス １０ ２０％透過膜 １１ ６７％透過膜 １２ 平坦部 １３ 斜面 １４ 凸部平坦部 １５ ビアホール形成予定箇所 １７ａ，１７ｂ ビアホール １８ Ｃｕメッキビアホール ２２ 露光紫外線 ４１ａ，４１ｂ，４１ｄ，４１ｅ フォトマスク ６２ａ，６２ｂ Ｃｕ配線パターン １６１ ０％露光箇所 １６２ ２０％露光箇所 １６３ ６７％露光箇所 ２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６
透過紫外線
透過紫外線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｅ 3/40 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に配線パターンを形成する配線パ
ターン形成工程と、感光性樹脂からなる絶縁層で前記配
線パターンを被覆する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の
前記配線パターンに対応して盛り上がった箇所が平坦で
ある箇所と略同じ高さになりかつ前記絶縁層の所望の箇
所にビアホールを形成するように、前記絶縁層における
前記配線パターンに対応して盛り上がった箇所と前記絶
縁層の所望の箇所を同時にフォトエッチングにより選択
的に除去して、絶縁層平坦化と前記ビアホール形成とを
同時に行う絶縁層平坦化／ビアホール形成工程とを備
え、その後に、配線パターン形成工程と、絶縁層形成工
程とを行うことを特徴とする多層配線基板製造方法。 - 【請求項２】 基板上に配線パターンを形成する配線パ
ターン形成工程と、感光性樹脂からなる絶縁層で前記配
線パターンを被覆する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の
前記配線パターンに対応して盛り上がった箇所が平坦で
ある箇所と略同じ高さになりかつ前記絶縁層の所望の箇
所にビアホールを形成するように、前記絶縁層における
前記配線パターンに対応して盛り上がった箇所と前記絶
縁層の所望の箇所とを同時にフォトエッチングにより選
択的に除去して、絶縁層平坦化と前記ビアホール形成と
を同時に行う絶縁層平坦化／ビアホール形成工程とを備
え、その後に、配線パターン形成工程と、絶縁層形成工
程と、絶縁層平坦化／ビアホール形成工程とを少なくと
も１回以上行い、最上層を形成する工程では配線パター
ン形成工程と、絶縁層形成工程とを行うことを特徴とす
る多層配線基板製造方法。 - 【請求項３】 前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程
は、前記配線パターンに対応して盛り上がった箇所が平
坦である箇所と略同じ高さになりかつ、所望の箇所にビ
アホールを形成するように、部分的に透過光量を調節し
たマスクの上から絶縁層を露光し現像することにより、
前記絶縁層の前記配線パターンに対応して盛り上がった
箇所と前記ビアホールとを形成する所望の箇所を除去す
ることを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板
製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程
は、前記絶縁層のうち透過光量を段階的に変化させる領
域を設けたマスクを用いて配線パターンに対応して盛り
上がった部分を除去することを特徴とする請求項１又は
２記載の多層配線基板製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程
は、前記配線パターンに対応して盛りあがった箇所のう
ち、前記ビアホール形成予定箇所と、前記ビアホール形
成予定箇所の外側で盛りあがった箇所と同一平面に属す
る平坦部と、さらに外側にある斜面部分とに、露光量を
この順で増加させていくことを特徴とする請求項３又は
４記載の多層配線基板製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁層平坦化／ビアホール形成工程
は露光に紫外線を用いることを特徴とする請求項１乃至
５記載の多層配線基板製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380455A JP3721984B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000380455A JP3721984B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002185138A true JP2002185138A (ja) | 2002-06-28 |
| JP3721984B2 JP3721984B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=18848635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000380455A Expired - Fee Related JP3721984B2 (ja) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3721984B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008205A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
| JP2005097095A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Tdk Corp | セラミックグリーンシートの製造方法および当該セラミックグリーンシートを用いた電子部品の製造方法 |
| JP2013182168A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101044157B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2011-06-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| CN103648235B (zh) * | 2013-12-07 | 2016-05-25 | 广东达进电子科技有限公司 | 一种铝基电路板的制作方法 |
-
2000
- 2000-12-14 JP JP2000380455A patent/JP3721984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008205A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
| JP2005097095A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Tdk Corp | セラミックグリーンシートの製造方法および当該セラミックグリーンシートを用いた電子部品の製造方法 |
| JP4573025B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2010-11-04 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミックグリーンシートの製造方法および当該セラミックグリーンシートを用いた電子部品の製造方法 |
| JP2013182168A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板およびその製造方法 |
| US9295160B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-03-22 | Nitto Denko Corporation | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3721984B2 (ja) | 2005-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007073766A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JP2016042543A (ja) | 回路基板の形成方法 | |
| JPH06310865A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2002185138A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| CN106816425A (zh) | 线路板结构及其制作方法 | |
| JPH09312471A (ja) | 多層配線板及びその製造方法 | |
| JP3164068B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2806370B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2005142254A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2010027978A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH09260560A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| CN107666771A (zh) | 线路板结构 | |
| JP2002290048A (ja) | 多層回路基板におけるビア形成方法 | |
| JP2005005453A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP3651027B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| KR20030074806A (ko) | 굵은 도체 패턴, 그리고 미세 도체 패턴을 포함하는적어도 하나의 영역을 갖는 배선기판을 제조하기 위한 방법 | |
| US6316358B1 (en) | Method for fabricating an integrated circuit device | |
| JPH08250857A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2002124765A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| US6670102B2 (en) | Method for manufacturing circuit board having conductive via | |
| JPH0353587A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP4421706B2 (ja) | 表面にメッキパターンを備えた金属部品の製造方法 | |
| JP2000181074A (ja) | 感光層の露光方法 | |
| JPH05190545A (ja) | ビアホール形成方法 | |
| JP2001244628A (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040302 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041015 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050725 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050823 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050905 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |