JP2002176067A - 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップあるいは半導体装置のアンダー
フィル部に樹脂を充填して被成形品を確実に樹脂封止す
る。 【解決手段】 リリースフィルム３０を介して樹脂封止
領域をエアシールすると共に、半導体チップ５４の上面
とキャビティ底面とを離間して被成形品５０をクランプ
し、樹脂封止金型２２の前記被成形品の基板５２をクラ
ンプするクランプ面に設けたエアベント部２９ａを介し
てリリースフィルムをエア吸引して前記リリースフィル
ム３０を前記基板及び前記半導体チップの外面に密着さ
せ、エア吸引しながら、ポット４０から樹脂６０を圧送
して前記半導体チップのアンダーフィル部と隣接する半
導体チップの中間部分に樹脂を充填し、前記エアベント
部が樹脂によって塞がれた後、樹脂の注入圧力により前
記リリースフィルム３０をキャビティ内に押し上げなが
らキャビティに樹脂を充填する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップをフリ
ップチップ接続した半導体装置のようなアンダーフィル
部を有する半導体装置の製造に利用する樹脂封止方法及
び樹脂封止装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】フリップチップ接続によって基板に半導
体チップを搭載する半導体装置では、基板に半導体チッ
プをフリップチップ接続した後、半導体チップと基板と
の隙間部分にアンダーフィル材をポッティング等により
充填して、半導体チップと基板との接続部を封止する。
しかしながら、アンダーフィル部は狭間隔であること
と、アンダーフィル部内にはバンプが多数配置されてい
ることから、アンダーフィル部に的確にアンダーフィル
材を充填することが難しいという問題があった。

【０００３】そこで、アンダーフィル部に確実にアンダ
ーフィル材を充填する方法として、本出願人は先にトラ
ンスファモールド装置を利用してアンダーフィルする方
法について提案した（特開平１１−２７４１９７号公
報）。このトランスファモールド装置を利用してアンダ
ーフィルする方法では、トランスファモールド装置の金
型面をリリースフィルムによって被覆し、リリースフィ
ルムを介して被加工品をクランプすると共に、ポット内
で溶融した樹脂をプランジャで押し出してアンダーフィ
ル部にアンダーフィル材を充填する。

【０００４】トランスファモールド装置を利用してアン
ダーフィルする方法によれば、プランジャによってアン
ダーフィル部に樹脂圧を加えてアンダーフィル材を充填
することにより、狭間隔でバンプが多数個配置されてい
るアンダーフィル部に確実にアンダーフィル材を充填す
ることができ、リリースフィルムを介して被加工品をク
ランプすることにより、被加工品の不要な個所にアンダ
ーフィル材を付着させることなくアンダーフィルするこ
とが可能となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
チップをアンダーフィルして形成した半導体装置では、
半導体チップの側面と上面が露出しているため、製造工
程あるいは実装工程中に半導体チップの縁部付近にチッ
ピング等の損傷が発生するという問題がある。また、半
導体チップと基板との熱膨張係数の相違による熱応力が
半導体チップに繰り返して作用することにより、半導体
チップのエッジ部に形成された傷から割れが入って、場
合によっては半導体チップの破壊を招くことがある。

【０００６】このため、高分子材料を使用して半導体チ
ップの傷を埋めて応力集中を回避したり、作業工程中で
半導体チップに傷をつけないようにしたりしている。本
発明はこのようにフリップチップ接続による搭載方法の
場合に、半導体チップの外面が露出することによる問題
を解消すべくなされたものであり、その目的とするとこ
ろは、フリップチップ接続によって搭載した半導体チッ
プのアンダーフィル部に確実にアンダーフィル材を充填
できるとともに、半導体チップの外面についても樹脂材
によって被覆することにより半導体チップの保護が確実
にでき、信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供するにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため次の構成を備える。すなわち、基板の一方の
面に半導体チップ及び／又は半導体装置を搭載した被成
形品を、前記一方の面をリリースフィルムにより被覆し
て樹脂封止金型によりクランプし、ポットから樹脂を圧
送して前記半導体チップ及び／又は半導体装置の外面全
体を樹脂封止する樹脂封止方法であって、リリースフィ
ルムを介して樹脂封止領域をエアシールすると共に、前
記半導体チップ及び／又は半導体装置の外面とキャビテ
ィの底面とを離間して被成形品をクランプし、前記樹脂
封止金型の前記被成形品の基板をクランプするクランプ
面に設けたエアベント部を介してリリースフィルムをエ
ア吸引して前記リリースフィルムを前記基板及び前記半
導体チップ及び／又は半導体装置の外面に密着させ、エ
ア吸引しながらポットから樹脂を圧送して、前記半導体
チップ及び／又は半導体装置と基板との接合部と、隣接
する半導体チップ及び／又は半導体装置の中間部分に樹
脂を充填し、前記エアベント部が樹脂によって塞がれた
後、樹脂の注入圧力により前記リリースフィルムをキャ
ビティ内に押し上げながらキャビティに樹脂を充填する
ことにより前記半導体チップ及び／又は半導体装置の外
面全体を樹脂封止することを特徴とする。

【０００８】また、基板の一方の面に半導体チップ及び
／又は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面
をリリースフィルムにより被覆して樹脂封止金型により
クランプし、ポットから樹脂を圧送して前記半導体チッ
プ及び／又は半導体装置の側面を樹脂封止する樹脂封止
方法であって、リリースフィルムを介して樹脂封止領域
をエアシールすると共に、前記半導体チップ及び／又は
半導体装置の外面にキャビティの底面を押接して被成形
品をクランプし、前記樹脂封止金型の前記被成形品の基
板をクランプするクランプ面に設けたエアベント部を介
してリリースフィルムをエア吸引して前記リリースフィ
ルムを前記基板及び前記半導体チップ及び／又は半導体
装置の外面に密着させ、エア吸引しながらポットから樹
脂を圧送して、前記半導体チップ及び／又は半導体装置
と基板との接合部と、隣接する半導体チップ及び／又は
半導体装置の中間部分に樹脂を充填することを特徴とす
る。

【０００９】また、基板の一方の面に半導体チップ及び
／又は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面
をリリースフィルムにより被覆して樹脂封止金型により
クランプし、ポットから樹脂を圧送して前記半導体チッ
プ及び／又は半導体装置の外面全体を樹脂封止する樹脂
封止方法であって、リリースフィルムを介して樹脂封止
領域をエアシールしてクランプすると共に、前記樹脂封
止金型の前記被成形品の基板をクランプするクランプ面
に設けたエアベント部を介してリリースフィルムをエア
吸引して前記リリースフィルムを前記基板及び前記半導
体チップ及び／又は半導体装置の外面に密着させ、前記
樹脂封止金型に型開閉方向に可動に支持されると共に付
勢手段により被成型品をクランプする方向に常時付勢し
て設けられたキャビティブロックにより前記被成形品の
前記半導体チップ及び／又は半導体装置の上面を押接す
ると共に、エア吸引しながら、ポットから樹脂を圧送し
て、前記半導体チップ及び／又は半導体装置と基板との
接合部と、隣接する半導体チップ及び／又は半導体装置
の中間部分に樹脂を充填し、前記エアベント部が樹脂に
よって塞がれた後、前記付勢手段による付勢力に抗して
樹脂の注入圧力により前記キャビティブロックを押し上
げ、キャビティに樹脂を充填することにより前記半導体
チップの外面全体を覆って樹脂封止することを特徴とす
る。

【００１０】また、前記リリースフィルムをエア吸引す
る際に、前記リリースフィルムを基板及び、半導体チッ
プ及び／又は半導体装置の外面に密着させる向きに圧力
を加える圧縮エアを前記キャビティ内に送入することを
特徴とする。また、前記被成形品が基板上にマトリクス
状に複数の半導体チップ及び／又は半導体装置が搭載さ
れたものであり、基板の一方の面側を前記半導体チップ
及び／又は半導体装置の外面全体を含めて一括して樹脂
封止することを特徴とする。

【００１１】また、基板の一方の面に半導体チップ及び
／又は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面
をリリースフィルムにより被覆して樹脂封止金型により
クランプし、ポットから樹脂を圧送して樹脂封止する樹
脂封止装置であって、前記被成型品の一方の面を被覆す
るリリースフィルムを供給するリリースフィルムの供給
機構を設け、前記樹脂封止金型に、前記被成形品を前記
リリースフィルムを介してクランプした際に前記半導体
チップ及び／又は半導体装置の外面と離間するキャビテ
ィ底面を備えたキャビティブロックを設けると共に、前
記被成型品の基板をクランプするクランプ面に、金型内
部に形成される内部流路に連通するエアベント部を設
け、前記内部流路に連通して、前記リリースフィルムと
基板との間から前記エアベントを介してエアを吸引する
エア吸引機構を設けたことを特徴とする。

【００１２】また、基板の一方の面に半導体チップ及び
／又は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面
をリリースフィルムにより被覆して樹脂封止金型により
クランプし、ポットから樹脂を圧送して前記半導体チッ
プ及び／又は半導体装置を樹脂封止する樹脂封止装置で
あって、前記被成型品の一方の面を被覆するリリースフ
ィルムを供給するリリースフィルムの供給機構を設け、
前記樹脂封止金型に、型開閉方向に可動に支持されると
共に付勢手段により被成型品をクランプする方向に常時
付勢して設けられ、クランプ時に前記被成形品の前記半
導体チップ及び／又は半導体装置の上面をキャビティ底
面が押接し、樹脂の注入圧力により前記付勢手段による
付勢力に抗して前記半導体チップ及び／又は半導体装置
の上面からキャビティ底面が離間する位置にまで押し上
げられるキャビティブロックを設けると共に、前記被成
型品の基板をクランプするクランプ面に、金型内部に形
成される内部流路に連通するエアベント部を設け、前記
内部流路に連通して、前記リリースフィルムと基板との
間から前記エアベントを介してエアを吸引するエア吸引
機構を設けたことを特徴とする。

【００１３】また、前記樹脂封止金型に、前記リリース
フィルムをエア吸引する際に、前記リリースフィルムを
基板及び、半導体チップ及び／又は半導体装置の外面に
密着させる向きに圧力を加える圧縮エア機構を設けたこ
とを特徴とする。また、前記樹脂封止金型に、ポットか
ら樹脂を圧送りして前記半導体チップ及び／又は半導体
装置と基板との接合部に樹脂を充填する際に、樹脂の注
入方向と平行となる半導体チップ及び／又は半導体装置
の側面を閉止し、前記接合部に樹脂が充填された後、閉
止位置から樹脂封止部の外形位置まで移動するフィレッ
トフォークを設けたことを特徴とする。また、前記樹脂
封止金型のクランプ面に、前記リリースフィルムを介し
て前記被成形品をクランプした際に、樹脂封止領域を密
封するためのクランプ突起を設けたことを特徴とする。
また、前記キャビティブロックのキャビティ底面に、前
記リリースフィルムのたるみを吸収するたるみ吸収部を
設けたことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面とともに詳細に説明する。図１及び２は、
本発明に係る樹脂封止装置の全体構成を示す側面図及び
正面図である。図１、２で、Ａ部はプレス部であり、上
型２０を支持する固定プラテン１０と下型２２を支持す
る可動プラテン１２、可動プラテン１２を昇降駆動して
型締めする型締機構、ポットからキャビティへ樹脂を充
填するトランスファ機構等を備える。

【００１５】Ｂ部は上型２０のパーティング面を被覆す
るリリースフィルム３０の供給機構である。リリースフ
ィルムの供給機構Ｂは、プレス部Ａの前後に各々配置さ
れたリリースフィルムの供給ローラ３２とリリースフィ
ルムの巻取りローラ３４を備え、供給ローラ３２からリ
リースフィルム３０を繰り出し、巻取りローラ３４によ
ってリリースフィルム３０を巻き取るようにして順次リ
リースフィルム３０を供給できるように構成している。
実施形態の樹脂封止装置は、リリースフィルム３０の幅
寸法を上型２０のパーティング面が略全幅で被覆される
ように設定している。

【００１６】リリースフィルム３０は金型のパーティン
グ面を被覆することによってパーティング面に封止用の
樹脂が付着しないようにするためのものであり、金型の
加熱温度に耐えられる耐熱性と、樹脂及び金型と剥離し
やすい性質を有し、伸縮性及び柔軟性を有するフィルム
材が好適に使用される。このような特性を有するフィル
ム材としては、たとえば、ＦＥＰフィルム、ＰＥＴフィ
ルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリ塩化ビニリデン、
ＥＴＦＥフィルム、ＰＴＦＥ、ポリプロピレン等があ
る。

【００１７】図１、２で、Ｃ部はクリーナー、Ｄ部はイ
ンローダ部、Ｅ部はアンローダ部、Ｆ部は製品の収納部
である。クリーナーＣは、成形品を金型外へ搬出した
後、プレス部Ａ内に進入し金型面に付着して残留してい
るバリ等をクリーニングする。上型２０の金型面はリリ
ースフィルム３０によって被覆されているから本実施形
態の樹脂封止装置では、クリーナーＣは下型２２のみを
クリーニングする。インローダ部Ｄは、被成形品と樹脂
タブレットを金型の被成形品の配置とポットの配置に合
致する配置で支持し、プレス部Ａに進入して金型とポッ
トに各々被成形品と樹脂タブレットを供給する。

【００１８】アンローダ部Ｅは、金型によって被成形品
をクランプし、ポット内で溶融した樹脂をプランジャで
押し出して所定の樹脂封止を行った後、型開きし、プレ
ス部Ａに進入して成型品をプレス部Ａの外部に取り出
し、ディゲートする。ディゲート後の成形品は収納部Ｆ
まで移送され、収納部Ｆに順次収納される。本実施形態
の樹脂封止装置は、上述したように、リリースフィルム
３０を介して被成形品をクランプし、トランスファモー
ルド方法によって所定の樹脂封止を行うことができるよ
うに構成したものである。本実施形態の樹脂封止装置に
おいて特徴とする構成は、半導体チップと基板との接合
部をアンダーフィルし、かつ半導体チップの外表面を樹
脂封止可能とした樹脂封止金型の構成にある。以下で
は、この樹脂封止金型の構成とこの樹脂封止金型を用い
た樹脂封止方法について説明する。

【００１９】図３〜６は樹脂封止装置の第１の実施形態
について樹脂封止金型の構成と、樹脂封止金型を用いて
被成形品を樹脂封止する方法を示す断面図である。ま
ず、図３により、樹脂封止金型の構成を示す。なお、本
実施形態で樹脂封止の対象としている被成形品５０は、
基板５２に半導体チップ５４をフリップチップ接続によ
って搭載したもので、半導体チップ５４はマトリクス状
に基板５２に配列されている。図７に被成形品５０の平
面図を示す。本実施形態の樹脂封止装置はマルチプラン
ジャー型の樹脂封止装置であり、下型２２にはプランジ
ャを内挿して配置した複数のポット４０が一列状に所定
間隔をあけて配置されている。ポット４０を挟む両側に
は被成形品５０をセットするセット凹部４２が設けら
れ、ポット４０の両側のセット凹部４２に各々被成形品
５０をセットして樹脂封止するように形成されている。

【００２０】セット凹部４２は被成形品５０の基板５２
よりも若干広幅に形成し、被成形品５０を下型２２にセ
ットする際に、被成形品５０の基板５２の内側縁をセッ
ト凹部４２の内側縁に当接させることにより、被成形品
５０の基板５２の外側縁とセット凹部４２の外側縁との
間に空隙２５が形成されるようにする。この空隙２５
は、金型内の残留エアを排出する流路として作用する部
位であり、下型２２にはこの空隙２５に連通する内部流
路２４を設ける。内部流路２４は金型外のエア吸引機構
に連通し、エア吸引可能となっている。

【００２１】上型２０は、ポット４０に対応して設置さ
れるセンターブロック２６と、被成形品５０の配置位置
に対応して設置されるキャビティブロック２８と、被成
形品５０の外側縁側を支持するサイドブロック２９を有
する。センターブロック２６にはポット４０に対向して
金型カル部を形成するとともに、被成形品５０に樹脂を
送入するためのゲート部２６ａを形成する。ゲート部２
６ａは半導体チップ５４のアンダーフィル部に樹脂を充
填しやすくするため、半導体チップ５４のポット４０に
面する辺の中央部に設けるか、ポット４０に面する一辺
の全長にわたって設けるようにする。

【００２２】サイドブロック２９はクランプ時に被成形
品５０の側縁部を押圧するが、キャビティ側から残留エ
アを排出するためのエアベント部２９ａを被成形品５０
の基板５２をクランプするクランプ面に部分的に形成す
る。エアベント部２９ａはサイドブロック２９のクラン
プ面をわずかに研削して樹脂を漏出させずにエアを排出
できるように形成したものである。下型２２に設けた空
隙２５はこのエアベント部２９ａに連通し、エアベント
部２９ａを介して被成形品５０側から残留エアを排出可
能とする。２９ｂはリリースフィルム３０を介して上型
２０と下型２２とで被成形品５０をクランプした際に、
樹脂封止領域を密封するためのクランプ突起である。

【００２３】本実施形態でキャビティブロック２８は被
成形品５０を上型２０と下型２２とでクランプした際
に、基板５２に搭載された半導体チップ５４の上面とキ
ャビティブロック２８のキャビティ底面とが離間するよ
うに配置すると共に、キャビティブロック２８とセンタ
ーブロック２６との側面部分、及びキャビティブロック
２８とサイドブロック２９との側面部分にエア流路２８
ａを設け、上型２０の内部流路２０ａとエア流路２８ａ
とを連通させている。内部流路２０ａは金型外の圧縮エ
ア機構に連通し、キャビティ内に圧縮エアを送入するこ
とが可能となっている。

【００２４】本実施形態の樹脂封止装置を使用して被成
形品５０を樹脂封止する操作は以下のように行われる。
まず、上型２０と下型２２とを型開きした状態で、下型
２２のセット凹部４２に被成形品５０をセットする一
方、上型２０のパーティング面に新しくリリースフィル
ム３０を送り出して、上型２０のパーティング面をリリ
ースフィルムによって被覆する。この場合、リリースフ
ィルム３０はエア吸着等によって上型２０のパーティン
グ面を被覆する必要はなく、上型２０のパーティング面
の全面を覆うように供給ローラ３２と巻取りローラ３４
とで張るように支持すればよい。

【００２５】次に、下型２２を上昇させて上型２０と下
型２２とで被成形品５０をクランプする。リリースフィ
ルム３０を介して被成形品５０をクランプすることによ
り、図３に示すように、被成形品５０の上面側がリリー
スフィルム３０によって被覆された状態でクランプされ
る。図３は、リリースフィルム３０を介して被成形品５
０をクランプした後、圧縮エア機構によって上型２０の
内部流路２０ａに圧縮エアを送入すると共に、エア吸引
機構により内部流路２４を介して被成形品５０側の残留
エアを排出している状態を示す。樹脂封止領域を外側で
囲むように上型２０のクランプ突起２９ｂと下型２２と
でリリースフィルム３０がクランプされ、樹脂封止領域
がエアシールされる。この状態でエア吸引機構によりエ
アを吸引することにより、基板５２に搭載されている半
導体チップ５４の外面形状にならってリリースフィルム
３０が被成形品５０を被覆し、半導体チップ５４の外面
に密着するようになる。

【００２６】上型２０の内部流路２０ａからキャビティ
内へ圧縮エアを送入しているのは、圧縮エアの作用によ
ってりリリースフィルム３０を半導体チップ５４の外面
に確実に密着させるようにするためである。したがっ
て、下型２２の内部流路２４からエア吸引することで、
リリースフィルム３０が半導体チップ５４の外面に確実
に密着する場合は、圧縮エアを利用しなくてもよい。

【００２７】リリースフィルム３０をエア吸引し、ま
た、圧縮エアを作用させて被成形品５０の半導体チップ
５４の外面にリリースフィルム３０を密着させた状態
で、ポット４０内で溶融した樹脂６０をプランジャによ
って押し出す。図３は、ポット４０から樹脂６０を押し
出し開始した状態である。ポット４０から樹脂６０を押
し出すと、ポット４０に近い側から遠い側へ向けて徐々
に樹脂が充填されていく。

【００２８】図４は、ポット４０から樹脂６０を押し出
して、ポット４０に近い側から樹脂を充填している状態
を示す。エア吸引機構によりリリースフィルム３０がエ
ア吸引されるとともに、圧縮エア機構によってリリース
フィルム３０が半導体チップ５４の外面に密着するよう
に被覆されているから、ポット４０から押し出された樹
脂６０は、半導体チップ５４のアンダーフィル部に進入
し、図２に示すように、まず、各半導体チップ５４のア
ンダーフィル部を充填していく。エア吸引機構により内
部流路２４及びエアベント部２９ａを介してアンダーフ
ィル部及びリリースフィルム３０と被成形品５０との被
覆範囲からエアを吸引することにより、樹脂６０は優先
的に半導体チップ５４のアンダーフィル部に充填されて
移動する。

【００２９】そして、マトリクス状に配列された半導体
チップ５４のうち、基板５２の外側縁側の半導体チップ
５４のアンダーフィル部を樹脂６０が充填し、エアベン
ト部２９ａまで樹脂６０が達すると、樹脂６０によって
エアベント部２９ａが塞がれ、樹脂圧力が上昇しはじ
め、プランジャからの押し出し圧力によってリリースフ
ィルム３０をキャビティ内に押し上げるようになる。図
５は、エアベント部２９ａが樹脂６０によって塞がれ、
リリースフィルム３０が樹脂圧力に押し上げられるよう
にしてキャビティ内に樹脂６０が充填されはじめた状態
を示す。キャビティ内に樹脂６０が充填開始される際に
は、上型２０の内部流路２０ａからキャビティ内に圧縮
エアを送入することを停止してキャビティ内に樹脂６０
が充填されやすくする。図５に示すように、樹脂６０は
ポット４０に近い側からリリースフィルム３０を徐々に
押し上げるようにしてキャビティ内に充填されていく。

【００３０】なお、キャビティに樹脂６０を充填する場
合、上型２０の内部流路２０ａにエア吸引機構を接続
し、エア流路２８ａを介してキャビティ内からエア吸引
するようにしてもよい。こうして、プランジャ６２によ
りポット４０からキャビティに向けて樹脂圧力を加えて
樹脂６０を押し出すことによって、キャビティ内を完全
に樹脂６０によって充填することができる。図６が、樹
脂６０によってキャビティが完全に充填された状態であ
る。キャビティブロック２８の内底面（天井面）の位置
が半導体チップ５４の上面から上方に離間した位置に設
定されていることから、樹脂６０が半導体チップ５４の
上面と隣接する半導体チップ５４の中間部分に充填さ
れ、半導体チップ５４の外面全体が樹脂６０によって覆
われた状態になる。

【００３１】キャビティに完全に樹脂６０が充填され、
樹脂６０が硬化した後、上型２０と下型２２とを型開き
し、リリースフィルム３０から成型品を離して金型内か
ら成形品を取り出し、ディゲートして収納部へ収納す
る。本実施形態の被成形品５０は基板５２にマトリクス
状に半導体チップ５４を配置したものであり、成型後、
ダイシング加工により半導体チップ５４の配置位置に合
わせて樹脂６０及び基板５２を切断することによって個
片の半導体装置を得ることができる。得られた半導体装
置は、基板５２に半導体チップ５４がフリップチップ接
続によって搭載されると共に、樹脂６０によって半導体
チップ５４の外面全体が封止され、保護されていること
によって、半導体チップ５４が損傷したりすることを防
止し、半導体チップ５４に作用する熱応力等を緩和し
て、より信頼性の高い半導体装置として提供することが
可能となる。

【００３２】とくに、本実施形態の樹脂封止装置及び樹
脂封止方法によれば、トランスファモールド方法による
ことから、フリップチップ接続によって基板５２に搭載
された半導体チップ５４のアンダーフィル部に確実に樹
脂６０を充填することができ、半導体チップ５４と基板
５２との接続部を樹脂６０によって確実に封止すること
が可能となる。本実施形態の方法によれば、バンプが小
型になることによって半導体チップ５４と基板５２との
間隔がきわめて狭くなった場合でも確実にアンダーフィ
ルすることができ、バンプが高密度に配置されて通常の
ポッティング方法ではアンダーフィルできないような製
品の場合にも確実にアンダーフィルすることが可能とな
る。また、本実施形態の樹脂封止装置及び樹脂封止方法
によれば、半導体チップ５４のアンダーフィル部に樹脂
を充填する操作に引き続いた一連の操作として半導体チ
ップ５４の外面を樹脂封止することから、きわめて確実
で、かつ効率的な樹脂封止を行うことが可能になるとい
う利点がある。

【００３３】図８〜１１は樹脂封止装置の第２の実施形
態について樹脂封止金型の構成と、樹脂封止金型を用い
て被成形品を樹脂封止する方法を示す断面図である。本
実施形態の樹脂封止金型において特徴的な構成は、キャ
ビティブロック２８を型開閉方向に可動に設けるととも
に、付勢手段４３によって常時型締め方向に付勢して設
けた点である。その他上型２０及び下型２２についての
構成は、上述した第１の実施形態の樹脂封止金型の構成
と基本的に変わらない。

【００３４】図８に示すように、キャビティブロック２
８は上型２０の内部に設けたキャビティブロック収納穴
４４に型開閉方向に摺動可能に設置する。キャビティブ
ロック収納穴４４の内壁面にはストッパ段差４６が設け
られ、キャビティブロック２８の上部にこのストッパ段
差４６と係合するフランジ部４８が設けられている。キ
ャビティブロック２８はスプリング等の付勢手段４３に
より、下型２２側に突出する向きに付勢され、常時は、
ストッパ段差４６にフランジ部４８が当接してキャビテ
ィブロック２８は突出位置にある。

【００３５】図８は、下型２２に被成形品５０をセット
し、リリースフィルム３０を介して被成形品５０をクラ
ンプし、ポット４０から樹脂６０を充填開始した状態で
ある。図示するように、キャビティブロック２８はその
突出位置が、被成形品５０をクランプした際にリリース
フィルム３０を介して被成形品５０の半導体チップ５４
の上面をキャビティ底面が押接する位置となるように設
定されている。樹脂６０を押し出し開始する際に、エア
吸引機構を介して下型２２の内部流路２４及びエアベン
ト部２９ａを介して被成形品５０側からエアを吸引し、
また上型２０の内部流路２０ａ、エア流路２８ａを介し
てキャビティ内に圧縮エアを送入することにより、半導
体チップ５４の外面にリリースフィルム３０を密着させ
るようにすることは上記実施形態と同様である。

【００３６】図９は、ポット４０から徐々に樹脂６０を
押し出して、半導体チップ５４のアンダーフィル部を樹
脂充填している状態である。ポット４０側の半導体チッ
プ５４から順次、基板５２の外側縁側の半導体チップ５
４に向けて樹脂が注入されてアンダーフィルされる。そ
して、エアベント部２９ａまで樹脂６０が達し、エアベ
ント部２９ａが樹脂６０によって塞がれると、キャビテ
ィ内の樹脂圧力が高まり、リリースフィルム３０を押し
上げるようにして樹脂６０が充填されはじめる。図１０
は、半導体チップ５４のアンダーフィル部が樹脂６０に
よって充填され、隣接する半導体チップ５４の中間部分
が樹脂６０によって充填されている状態を示す。本実施
形態の場合は、付勢手段４３によってキャビティブロッ
ク２８が下方に押圧されているから、キャビティブロッ
ク２８が押し下げられた状態で半導体チップ５４の周囲
に樹脂６０が充填される。

【００３７】図１１は、隣接する半導体チップ５４の中
間部分に完全に樹脂６０が充填された後、さらに樹脂の
注入圧力により、付勢手段４３の付勢力に抗してキャビ
ティブロック２８が押し上げられ、半導体チップ５４の
上面を覆うように樹脂封止した状態である。キャビティ
ブロック２８は樹脂の注入圧力によってキャビティブロ
ック収納穴４４の内底面（天井面）に背面が当接する位
置まで押し上げられて停止し、規定のキャビティ容積が
確保されて樹脂封止される。

【００３８】この状態で樹脂６０を硬化させ、硬化後に
型開きして成形品を取り出しする。得られた成形品は図
６に示すと同様に、基板５２にマトリクス状に半導体チ
ップ５４が搭載され、半導体チップ５４と基板５２との
接続部が樹脂６０によってアンダーフィルされると共
に、半導体チップ５４の外面全体が樹脂６０によって封
止されたものとなる。成形品を個片にダイシングするこ
とにより個別の半導体装置が得られる。なお、本実施形
態では半導体チップ５４の側面と上面とを樹脂６０によ
って被覆したが、半導体チップ５４の上面を露出させ、
半導体チップ５４の側面を封止するように樹脂封止する
ことももちろん可能である。

【００３９】上記実施形態で図１０から図１１へ移行す
る際には、キャビティブロック２８が樹脂の注入圧力に
よって押し上げられ、半導体チップ５４の上面に樹脂６
０が入り込んで最終的に樹脂封止されるが、キャビティ
ブロック２８が樹脂圧力によって移動して樹脂封止され
る作用を図１２〜１５に示す例により説明する。図１２
〜１５は基板５２に単一の半導体チップ５４を搭載した
被成形品５０を樹脂封止する例である。図１２は、リリ
ースフィルム３０を介して上型２０と下型２２とで被成
形品５０をクランプした状態である。被成形品５０の半
導体チップ５４の上面には付勢手段４３によって下方に
押し下げられたキャビティブロック２８のキャビティ底
面が弾性的に押接する。

【００４０】本実施形態の樹脂封止装置では、半導体チ
ップ５４の下面をアンダーフィルする際に、アンダーフ
ィル部に確実に樹脂が充填されるように、半導体チップ
５４の側面を閉止するフィレットフォーク７０を設けて
いる。図１４はこのフィレットフォーク７０の作用を示
す説明図であり、アンダーフィル時にフィレットフォー
ク７０が半導体チップ５４の側面を閉止し、アンダーフ
ィル後にはフィレットフォーク７０を上昇させて半導体
チップ５４の側面まで樹脂封止している様子を示す。図
は半導体チップ５４に樹脂を注入する端面側から見た状
態で、フィレットフォーク７０は樹脂を注入する半導体
チップ５４の側面を開口させ、樹脂の注入方向と平行な
両側面部分を閉止するように設置される。

【００４１】図１６にフィレットフォーク７０を配置し
た上型２０の平面図を示す。図は上型２０の片側を示し
たものである。８０が金型カルであり、被成形品５０の
半導体チップ５４の配置位置に合わせて列状にフィレッ
トフォーク７０が配置され、フィレットフォーク７０の
中間位置にキャビティブロック２８が配置されている。
フィレットフォーク７０に挟まれた中間位置にゲート部
２６ａが配置され、各々のゲート部２６ａから樹脂が圧
入される。エア流路２８ａ、エアベント部２９ａ、クラ
ンプ突起２９ｂ等の配置は他の実施形態の金型において
も図１６に示す配置と同様である。

【００４２】同図で中心線の左半部はアンダーフィル状
態、右半部はアンダーフィル後に半導体チップ５４の外
面を樹脂封止している状態を示す。図のように、半導体
チップ５４にアンダーフィルする際に、樹脂の注入方向
と平行となる半導体チップ５４の側面をフィレットフォ
ーク７０によって閉止しておくことにより、半導体チッ
プ５４の前端（注入側の辺）から後端（樹脂が押し出さ
れる側の辺）へ樹脂を注入する際に側方に樹脂が漏出せ
ず、確実にアンダーフィルできるようにすることができ
る。７２はフィレットフォーク７０を上下動させるエア
シリンダ等の駆動部である。なお、フィレットフォーク
７０の駆動機構として電動モータを使用することもでき
る。

【００４３】図１２は、リリースフィルム３０をエア吸
引し、かつリリースフィルム３０に圧縮エアを作用させ
て半導体チップ５４をアンダーフィル開始した状態であ
る。図１３は、中心線の左半部に半導体チップ５４をア
ンダーフィルし、半導体チップ５４の側面部まで樹脂６
０を充填した状態、中心線の右半部に樹脂圧力によりキ
ャビティブロック２８を押し上げて半導体チップ５４の
外面全体を樹脂封止した状態を示す。

【００４４】図１５は、キャビティブロック２８を押し
上げて樹脂封止する際の作用を説明的に示す。図の中心
線（Ｓ−Ｓ線）の左半部は、キャビティブロック２８を
押し上げはじめた状態、中心線の右半部はキャビティブ
ロック２８が上位置に押し上げられた状態で樹脂６０が
完全に充填される直前の状態である。半導体チップ５４
の側面に樹脂６０が充填され、エアベント部２９ａが樹
脂６０によって塞がれて樹脂圧力が高まると、付勢手段
４３の押し下げ圧力に抗してキャビティブロック２８が
押し上げはじめられる。キャビティブロック２８が押し
上げられる作用は、半導体チップ５４の側面部での樹脂
６０の押し上げ力によるから、押し上げ開始時には、図
１５に示すようにキャビティブロック２８のキャビティ
底面の中央付近でリリースフィルム３０との間に空隙Ｐ
が生じる。樹脂６０の充填側では、半導体チップ５４の
側面から樹脂６０が徐々に盛り上がるように充填されて
いき、半導体チップ５４の上面の中央部側（Ｑ部分）へ
樹脂が入り込みながら、キャビティブロック２８が押し
上げられて樹脂が充填されていく。

【００４５】こうして、樹脂が充填されていくことによ
り、キャビティ内では、キャビティブロック２８のキャ
ビティ底面に形成されている空隙Ｐ（凹み部分）に対応
する部位に、徐々に樹脂６０が入り込んでいき、キャビ
ティブロック２８が上位置に当接し、最終的にこの凹み
部分に対応する部位に樹脂６０が充填されて完全に樹脂
充填が完了する。図１５の中心線の右半部の状態で、最
終的に凹み部分に対応する部位に樹脂６０を充填する際
には、キャビティブロック２８とリリースフィルム３０
とに挟まれた凹み部分のエアを排出する必要があるが、
キャビティブロック２８のキャビティ底面を梨地面とす
ればエアの排出は容易で、樹脂６０は制約を受けること
なく容易に空隙Ｐに対応する部位を充填することができ
る。樹脂６０を充填するキャビティ内については、あら
かじめエア吸引機構によってエア抜きをしているから、
半導体チップ５４の上方で最後に樹脂６０が充填される
際もボイドを生じさせることなく高品質の樹脂封止がで
きる。図１５でｅは最終的に半導体チップ５４の上面を
被覆する樹脂厚を示す。この樹脂厚はキャビティブロッ
ク２８のキャビティ底面の移動位置の設計によって適宜
設定することができる。

【００４６】図１７は、上述した各実施形態において説
明したように、半導体チップ５４をアンダーフィルし、
隣接する半導体チップ５４の中間部分に樹脂６０を充填
した後、リリースフィルム３０を押し上げるようにして
半導体チップ５４の外面に樹脂６０を充填する際に、リ
リースフィルム３０が伸びてしまってしわが生じるよう
な場合に対処する方法を示すものである。すなわち、７
４はキャビティブロック２８のキャビティ底面にリリー
スフィルム３０のたるみを吸収するためのたるみ吸収溝
を設けた例、７６はキャビティブロック２８のキャビテ
ィ底面に突起を設け、リリースフィルム３０のたるみ分
を突起部分で吸収するように設けた例である。たるみ吸
収溝７４及び突起７６とも、製品の最終形状に影響を与
えないように成形品をダイシングする際に除去する部位
に合わせて形成してある。

【００４７】図１８、１７は、基板５２にマトリクス状
に搭載された半導体チップ５４を一括樹脂封止するので
はなく、個別に樹脂封止する形式の樹脂封止装置の例で
ある。この場合は、キャビティブロック２８のキャビテ
ィ底面に各半導体チップ５４の搭載位置に合わせてキャ
ビティ凹部７８を形成し、上型２０と下型２２とで被成
形品５０をクランプした際に、各半導体チップ５４ごと
にキャビティが形成され、個別に樹脂封止される。な
お、各キャビティ凹部７８を形成する仕切り壁には、隣
接するキャビティを連通するための連通溝７８ａを形成
して、ポット４０から押し出された樹脂６０が順次各キ
ャビティに充填されるようにする。

【００４８】図１９で、Ｔ−Ｔ線の左半部は、被成形品
５０をリリースフィルム３０により被覆してエア吸引
し、リリースフィルム３０を半導体チップ５４の外面に
密着させ、半導体チップ５４にアンダーフィルしている
状態、Ｔ−Ｔ線の右半部は、樹脂圧力によりリリースフ
ィルム３０が押し上げられ、キャビティの形状にならっ
て樹脂封止している状態である。２８ａは圧縮エアを送
入するためのエア流路である。本実施形態の樹脂封止装
置によれば、基板５２上の半導体チップ５４が個別に樹
脂封止されると共に、半導体チップ５４がアンダーフィ
ルされ、半導体チップ５４の外面全体が樹脂６０によっ
て封止される。

【００４９】上記各実施形態の被成形品５０は基板５２
に半導体チップ５４をフリップチップ接続によって搭載
したものであるが、基板５２に搭載する製品としては、
半導体チップ５４をフリップチップ接続によって搭載し
たものに限らずＳＯＪ、ＰＬＣＣ、ＳＯＰ、ＱＦＰ等の
半導体装置、チップ抵抗、チップコンデンサ等の電子部
品等であってもよい。また、被成形品５０は、単一の種
類のものであってもよいし、異種製品を複合させたモジ
ュール形式のものであってもよい。異種製品を搭載した
被成形品５０を樹脂封止する際は、製品によって高さ寸
法が異なることから、キャビティ内での高さ方向の隙間
間隔が異なり、樹脂の流れが変わってしまう場合があ
る。このような場合には、個々の電子部品に応じてキャ
ビティの高さ寸法を変えて樹脂の流れ性が一定になるよ
うにするとよい。また、製品によって被覆する樹脂厚を
変えるようにすることもできる。

【００５０】図２０〜２２は、基板５２に半導体チップ
５４と半導体装置５４ａ、５４ｂを搭載したものを被成
形品５０とした例である。図２０は上型２０と下型２２
とで被成形品５０をクランプし、エア吸引機構によって
下型２２の内部流路２４からエアを吸引し、樹脂６０を
押し出し開始した状態である。図２１は、ポット４０か
ら押し出された樹脂６０が半導体チップ５４と半導体装
置５４ａ、５４ｂの中間部分に充填開始された状態であ
る。リリースフィルム３０には圧縮エア機構により背面
側から圧縮エアが作用している。図２２は、キャビティ
内の樹脂圧力が高まり、リリースフィルム３０を押し上
げて半導体チップ５４及び半導体装置５４ａ、５４ｂの
外面に樹脂６０を充填している状態である。

【００５１】図２０〜２２に示すように、半導体チップ
５４と半導体装置５４ａ、５４ｂが混在している場合で
も、本発明に係る樹脂封止装置及び樹脂封止方法によれ
ば、半導体チップ５４のアンダーフィル部に樹脂を確実
に充填して樹脂封止することができ、半導体装置５４
ａ、５４ｂについても基板５０と半導体装置５４ａ、５
４ｂの樹脂部との隙間部分に確実に樹脂が充填され、基
板５０との接合部を確実に樹脂によって被覆して樹脂封
止することができる。

【００５２】上述したように、基板に複合的に製品を搭
載したモジュール製品の場合には、樹脂封止した状態で
製品となるもので、樹脂封止後にダイシングして個片に
分割するものではない。前述した各実施形態において
も、被加工品５０は樹脂封止後に基板をダイシングして
個片に分離するものに限らず、基板ごと樹脂封止して製
品とする場合にももちろん適用することができる。

【００５３】

【発明の効果】本発明に係る樹脂封止方法及び樹脂封止
装置によれば、上述したように、樹脂封止金型を用いて
被成形品をクランプすると共に、リリースフィルムによ
り被成形品の半導体チップを搭載した面を被覆し、リリ
ースフィルムと被成形品との被覆部分をエア吸引した状
態で、ポットから樹脂を圧送してキャビティに樹脂を充
填することにより、半導体チップのアンダーフィル部に
も確実に樹脂を充填することができ、また、同一の樹脂
充填工程で半導体チップの外面を被覆するように樹脂封
止することができる。これにより、半導体チップのアン
ダーフィルと半導体チップの外面の樹脂封止が効率的に
行えて、半導体チップの保護が確実になされる信頼性の
高い半導体装置を提供することができる等の著効を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る樹脂封止装置の全体構成を示す側
面図である。

【図２】本発明に係る樹脂封止装置の全体構成を示す正
面図である。

【図３】樹脂封止装置を用いて被成形品を樹脂封止する
方法を示す断面図である。

【図４】樹脂封止装置を用いて被成形品を樹脂封止する
方法を示す断面図である。

【図５】樹脂封止装置を用いて被成形品を樹脂封止する
方法を示す断面図である。

【図６】キャビティに樹脂を充填した状態の断面図であ
る。

【図７】被成型品の例を示す平面図である。

【図８】キャビティブロックを可動に設けた樹脂封止装
置を用いて被成型品を樹脂封止する方法を示す断面図で
ある。

【図９】キャビティブロックを可動に設けた樹脂封止装
置を用いて被成型品を樹脂封止する方法を示す断面図で
ある。

【図１０】キャビティブロックを可動に設けた樹脂封止
装置を用いて被成型品を樹脂封止する方法を示す断面図
である。

【図１１】キャビティに樹脂を充填した状態の断面図で
ある。

【図１２】基板に単一の半導体チップを搭載した被成型
品を樹脂封止する方法を示す断面図である。

【図１３】基板に単一の半導体チップを搭載した被成型
品を樹脂封止する方法を示す断面図である。

【図１４】基板に単一の半導体チップを搭載した被成型
品を樹脂封止する方法を示す断面図である。

【図１５】基板に単一の半導体チップを搭載した被成型
品を樹脂封止する方法を示す断面図である。

【図１６】フィレットフォークを配置した上型の平面図
である。

【図１７】リリースフィルムのたるみを吸収する構成を
設けた樹脂封止金型の構成を示す断面図である。

【図１８】半導体チップを個別に樹脂封止可能に形成し
た樹脂封止金型の構成を示す断面図である。

【図１９】半導体チップを個別に樹脂封止可能に形成し
た樹脂封止金型を用いて樹脂封止する方法を示す断面図
である。

【図２０】基板に異種製品を搭載して樹脂封止する方法
を示す断面図である。

【図２１】基板に異種製品を搭載して樹脂封止する方法
を示す断面図である。

【図２２】基板に異種製品を搭載して樹脂封止する方法
を示す断面図である。

【符号の説明】

１０ 固定プラテン １２ 可動プラテン ２０ 上型 ２０ａ 内部流路 ２２ 下型 ２４ 内部流路 ２６ センターブロック ２６ａ ゲート部 ２８ キャビティブロック ２８ａ エア流路 ２９ サイドブロック ２９ａ エアベント部 ２９ｂ クランプ突起 ３０ リリースフィルム ３２ 供給ローラ ３４ 巻取りローラ ４０ ポット ４２ セット凹部 ４３ 付勢手段 ４６ ストッパ段差 ４８ フランジ部 ５０ 被成形品 ５２ 基板 ５４ 半導体チップ ６０ 樹脂 ６２ プランジャ ７０ フィレットフォーク ７８ キャビティ凹部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AD02 AD05 AD08 AD35 AH37 CA11 CA12 CB01 CB17 CK06 CK86 CM72 CM82 CQ05 4F206 AD02 AD05 AD08 AD35 AH37 JA02 JA07 JB17 JF06 JL02 JN25 JN41 JQ81 JT06 5F061 AA01 BA03 BA05 BA07 CA21 DA03 DA06 DA08

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の一方の面に半導体チップ及び／又
   は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面をリ
   リースフィルムにより被覆して樹脂封止金型によりクラ
   ンプし、ポットから樹脂を圧送して前記半導体チップ及
   び／又は半導体装置の外面全体を樹脂封止する樹脂封止
   方法であって、 リリースフィルムを介して樹脂封止領域をエアシールす
   ると共に、前記半導体チップ及び／又は半導体装置の外
   面とキャビティの底面とを離間して被成形品をクランプ
   し、 前記樹脂封止金型の前記被成形品の基板をクランプする
   クランプ面に設けたエアベント部を介してリリースフィ
   ルムをエア吸引して前記リリースフィルムを前記基板及
   び前記半導体チップ及び／又は半導体装置の外面に密着
   させ、 エア吸引しながらポットから樹脂を圧送して、前記半導
   体チップ及び／又は半導体装置と基板との接合部と、隣
   接する半導体チップ及び／又は半導体装置の中間部分に
   樹脂を充填し、 前記エアベント部が樹脂によって塞がれた後、樹脂の注
   入圧力により前記リリースフィルムをキャビティ内に押
   し上げながらキャビティに樹脂を充填することにより前
   記半導体チップ及び／又は半導体装置の外面全体を樹脂
   封止することを特徴とする樹脂封止方法。
2. 【請求項２】 基板の一方の面に半導体チップ及び／又
   は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面をリ
   リースフィルムにより被覆して樹脂封止金型によりクラ
   ンプし、ポットから樹脂を圧送して前記半導体チップ及
   び／又は半導体装置の側面を樹脂封止する樹脂封止方法
   であって、 リリースフィルムを介して樹脂封止領域をエアシールす
   ると共に、前記半導体チップ及び／又は半導体装置の外
   面にキャビティの底面を押接して被成形品をクランプ
   し、 前記樹脂封止金型の前記被成形品の基板をクランプする
   クランプ面に設けたエアベント部を介してリリースフィ
   ルムをエア吸引して前記リリースフィルムを前記基板及
   び前記半導体チップ及び／又は半導体装置の外面に密着
   させ、 エア吸引しながらポットから樹脂を圧送して、前記半導
   体チップ及び／又は半導体装置と基板との接合部と、隣
   接する半導体チップ及び／又は半導体装置の中間部分に
   樹脂を充填することを特徴とする樹脂封止方法。
3. 【請求項３】 基板の一方の面に半導体チップ及び／又
   は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面をリ
   リースフィルムにより被覆して樹脂封止金型によりクラ
   ンプし、ポットから樹脂を圧送して前記半導体チップ及
   び／又は半導体装置の外面全体を樹脂封止する樹脂封止
   方法であって、 リリースフィルムを介して樹脂封止領域をエアシールし
   てクランプすると共に、前記樹脂封止金型の前記被成形
   品の基板をクランプするクランプ面に設けたエアベント
   部を介してリリースフィルムをエア吸引して前記リリー
   スフィルムを前記基板及び前記半導体チップ及び／又は
   半導体装置の外面に密着させ、 前記樹脂封止金型に型開閉方向に可動に支持されると共
   に付勢手段により被成型品をクランプする方向に常時付
   勢して設けられたキャビティブロックにより前記被成形
   品の前記半導体チップ及び／又は半導体装置の上面を押
   接すると共に、エア吸引しながら、ポットから樹脂を圧
   送して、前記半導体チップ及び／又は半導体装置と基板
   との接合部と、隣接する半導体チップ及び／又は半導体
   装置の中間部分に樹脂を充填し、 前記エアベント部が樹脂によって塞がれた後、前記付勢
   手段による付勢力に抗して樹脂の注入圧力により前記キ
   ャビティブロックを押し上げ、キャビティに樹脂を充填
   することにより前記半導体チップの外面全体を覆って樹
   脂封止することを特徴とする樹脂封止方法。
4. 【請求項４】 前記リリースフィルムをエア吸引する際
   に、前記リリースフィルムを基板及び、半導体チップ及
   び／又は半導体装置の外面に密着させる向きに圧力を加
   える圧縮エアを前記キャビティ内に送入することを特徴
   とする請求項１、２または３記載の樹脂封止方法。
5. 【請求項５】 前記被成形品が基板上にマトリクス状に
   複数の半導体チップ及び／又は半導体装置が搭載された
   ものであり、基板の一方の面側を前記半導体チップ及び
   ／又は半導体装置の外面全体を含めて一括して樹脂封止
   することを特徴とする請求項１、２、３または４記載の
   樹脂封止方法。
6. 【請求項６】 基板の一方の面に半導体チップ及び／又
   は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面をリ
   リースフィルムにより被覆して樹脂封止金型によりクラ
   ンプし、ポットから樹脂を圧送して樹脂封止する樹脂封
   止装置であって、 前記被成型品の一方の面を被覆するリリースフィルムを
   供給するリリースフィルムの供給機構を設け、 前記樹脂封止金型に、前記被成形品を前記リリースフィ
   ルムを介してクランプした際に前記半導体チップ及び／
   又は半導体装置の外面と離間するキャビティ底面を備え
   たキャビティブロックを設けると共に、前記被成型品の
   基板をクランプするクランプ面に、金型内部に形成され
   る内部流路に連通するエアベント部を設け、 前記内部流路に連通して、前記リリースフィルムと基板
   との間から前記エアベントを介してエアを吸引するエア
   吸引機構を設けたことを特徴とする樹脂封止装置。
7. 【請求項７】 基板の一方の面に半導体チップ及び／又
   は半導体装置を搭載した被成形品を、前記一方の面をリ
   リースフィルムにより被覆して樹脂封止金型によりクラ
   ンプし、ポットから樹脂を圧送して前記半導体チップ及
   び／又は半導体装置を樹脂封止する樹脂封止装置であっ
   て、 前記被成型品の一方の面を被覆するリリースフィルムを
   供給するリリースフィルムの供給機構を設け、 前記樹脂封止金型に、型開閉方向に可動に支持されると
   共に付勢手段により被成型品をクランプする方向に常時
   付勢して設けられ、クランプ時に前記被成形品の前記半
   導体チップ及び／又は半導体装置の上面をキャビティ底
   面が押接し、樹脂の注入圧力により前記付勢手段による
   付勢力に抗して前記半導体チップ及び／又は半導体装置
   の上面からキャビティ底面が離間する位置にまで押し上
   げられるキャビティブロックを設けると共に、前記被成
   型品の基板をクランプするクランプ面に、金型内部に形
   成される内部流路に連通するエアベント部を設け、 前記内部流路に連通して、前記リリースフィルムと基板
   との間から前記エアベントを介してエアを吸引するエア
   吸引機構を設けたことを特徴とする樹脂封止装置。
8. 【請求項８】 前記樹脂封止金型に、前記リリースフィ
   ルムをエア吸引する際に、前記リリースフィルムを基板
   及び、半導体チップ及び／又は半導体装置の外面に密着
   させる向きに圧力を加える圧縮エア機構を設けたことを
   特徴とする請求項６または７記載の樹脂封止装置。
9. 【請求項９】 前記樹脂封止金型に、ポットから樹脂を
   圧送りして前記半導体チップ及び／又は半導体装置と基
   板との接合部に樹脂を充填する際に、樹脂の注入方向と
   平行となる半導体チップ及び／又は半導体装置の側面を
   閉止し、前記接合部に樹脂が充填された後、閉止位置か
   ら樹脂封止部の外形位置まで移動するフィレットフォー
   クを設けたことを特徴とする請求項６、７または８記載
   の樹脂封止装置。
10. 【請求項１０】 前記樹脂封止金型のクランプ面に、前
    記リリースフィルムを介して前記被成形品をクランプし
    た際に、樹脂封止領域を密封するためのクランプ突起を
    設けたことを特徴とする請求項６、７、８または９記載
    の樹脂封止装置。
11. 【請求項１１】 前記キャビティブロックのキャビティ
    底面に、前記リリースフィルムのたるみを吸収するたる
    み吸収部を設けたことを特徴とする請求項６、７、８、
    ９または１０記載の樹脂封止装置。