JP2002164281A - 液処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の液処理中または液処理後のスピン乾燥
中に発生するミスト等の基板上方への舞い上がりによる
基板の汚染を防止し、また、ミスト等の処理装置外への
排出効率を高めた液処理装置を提供する。 【解決手段】 液処理装置の一実施形態である洗浄ユニ
ット（ＳＣＲ）２１ａは、支持ピン４２上に基板Ｇを載
置して保持ピン４３により保持するスピンプレート４１
と、基板Ｇが面内回転するようにスピンプレート４１を
回転させるモータ４７と、基板Ｇの周縁を囲繞するよう
に配置された昇降自在な上カップ６１と固定された下カ
ップ６２とからなる処理カップ６０と、処理カップ６０
に形成された緩衝室６３を具備する。緩衝室６３に基板
Ｇの回転により発生する気流および／またはミストを滞
留させてミストの巻き上げと基板Ｇへの拡散を防止す
る。
中に発生するミスト等の基板上方への舞い上がりによる
基板の汚染を防止し、また、ミスト等の処理装置外への
排出効率を高めた液処理装置を提供する。 【解決手段】 液処理装置の一実施形態である洗浄ユニ
ット（ＳＣＲ）２１ａは、支持ピン４２上に基板Ｇを載
置して保持ピン４３により保持するスピンプレート４１
と、基板Ｇが面内回転するようにスピンプレート４１を
回転させるモータ４７と、基板Ｇの周縁を囲繞するよう
に配置された昇降自在な上カップ６１と固定された下カ
ップ６２とからなる処理カップ６０と、処理カップ６０
に形成された緩衝室６３を具備する。緩衝室６３に基板
Ｇの回転により発生する気流および／またはミストを滞
留させてミストの巻き上げと基板Ｇへの拡散を防止す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板や半導体ウエハ等の基板
に所定の液処理を施すスピンナ型の液処理装置に関す
る。
プレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板や半導体ウエハ等の基板
に所定の液処理を施すスピンナ型の液処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）や半導体デバイスのフォトリソグラフィー工程にお
いては、一般的にスピンナ型と呼ばれる液処理装置を用
いて、被処理基板であるＬＣＤ基板や半導体ウエハを面
内でスピン回転させ、洗浄、レジスト塗布、現像等の処
理が行われる。
Ｄ）や半導体デバイスのフォトリソグラフィー工程にお
いては、一般的にスピンナ型と呼ばれる液処理装置を用
いて、被処理基板であるＬＣＤ基板や半導体ウエハを面
内でスピン回転させ、洗浄、レジスト塗布、現像等の処
理が行われる。
【０００３】スピンナ型の液処理装置においては、この
ような基板をほぼ水平に保持して面内回転させながら各
種の処理液、例えば、洗浄液やレジスト液、現像液、リ
ンス液等を供給するので、その際、基板から処理液が不
可避的に四方へ飛散する。このような状況は、処理液の
供給を停止した後に基板を乾燥させるために基板を回転
させる場合も同様である。
ような基板をほぼ水平に保持して面内回転させながら各
種の処理液、例えば、洗浄液やレジスト液、現像液、リ
ンス液等を供給するので、その際、基板から処理液が不
可避的に四方へ飛散する。このような状況は、処理液の
供給を停止した後に基板を乾燥させるために基板を回転
させる場合も同様である。
【０００４】そこで、従来から、基板を囲繞するように
処理容器をカップ状に形成して配設し、基板から飛散し
た処理液を処理カップの内壁に当てて、処理カップの底
面に設けた排出口（ドレイン口）から処理液を排出して
いる。また、処理カップの底面に前記ドレイン口とは別
に排気口を設け、処理カップ内の雰囲気を排気するよう
にしている。
処理容器をカップ状に形成して配設し、基板から飛散し
た処理液を処理カップの内壁に当てて、処理カップの底
面に設けた排出口（ドレイン口）から処理液を排出して
いる。また、処理カップの底面に前記ドレイン口とは別
に排気口を設け、処理カップ内の雰囲気を排気するよう
にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たスピンナ型の液処理装置では、基板の回転によって発
生する異物を含む気流や、液処理中に基板から飛散した
処理液のミストは、全てが即時に容器底面に設けられた
ドレイン口や排気口から排出されることはなく、相当量
の気流および／またはミストが基板付近に浮遊したり、
処理カップの内壁に付着等する。
たスピンナ型の液処理装置では、基板の回転によって発
生する異物を含む気流や、液処理中に基板から飛散した
処理液のミストは、全てが即時に容器底面に設けられた
ドレイン口や排気口から排出されることはなく、相当量
の気流および／またはミストが基板付近に浮遊したり、
処理カップの内壁に付着等する。
【０００６】また、所定の処理液を供給しながら行う液
処理の後に、基板に付着した処理液を基板を回転させて
振り切るスピン乾燥では、基板の回転数がより高くなる
ことから、基板からのみでなく、振り切られて処理カッ
プの内壁に衝突した処理液からも細かいミストが多量に
発生し易く、このようなミスト等が処理カップの内壁に
沿って上昇する気流に乗って基板の上方に舞い上がり、
再び基板に付着するという不具合が生じていた。このよ
うなミスト等は、パーティクルやコンタミネーションの
原因となる。
処理の後に、基板に付着した処理液を基板を回転させて
振り切るスピン乾燥では、基板の回転数がより高くなる
ことから、基板からのみでなく、振り切られて処理カッ
プの内壁に衝突した処理液からも細かいミストが多量に
発生し易く、このようなミスト等が処理カップの内壁に
沿って上昇する気流に乗って基板の上方に舞い上がり、
再び基板に付着するという不具合が生じていた。このよ
うなミスト等は、パーティクルやコンタミネーションの
原因となる。
【０００７】本発明はかかる従来技術の有する課題に鑑
みてなされたものであり、基板の液処理中または液処理
後のスピン乾燥中に発生するミスト等の基板上方への舞
い上がりによる基板の汚染を防止した液処理装置を提供
することを目的とする。また、本発明は、ミスト等の処
理装置外への排出効率を高めた液処理装置を提供するこ
とを目的とする。
みてなされたものであり、基板の液処理中または液処理
後のスピン乾燥中に発生するミスト等の基板上方への舞
い上がりによる基板の汚染を防止した液処理装置を提供
することを目的とする。また、本発明は、ミスト等の処
理装置外への排出効率を高めた液処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、基
板を載置して保持する保持手段と、前記基板に所定の処
理液を供給する処理液供給機構と、前記保持手段ととも
に前記基板が面内回転するように回転させる回転手段
と、前記基板の回転により発生する気流および／または
ミストを滞留させ、前記気流および／またはミストの巻
き上げと前記基板への拡散を防止する緩衝室と、を具備
することを特徴とする液処理装置、が提供される。
ば、基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、基
板を載置して保持する保持手段と、前記基板に所定の処
理液を供給する処理液供給機構と、前記保持手段ととも
に前記基板が面内回転するように回転させる回転手段
と、前記基板の回転により発生する気流および／または
ミストを滞留させ、前記気流および／またはミストの巻
き上げと前記基板への拡散を防止する緩衝室と、を具備
することを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００９】また、本発明によれば、基板に所定の液処
理を施す液処理装置であって、基板を載置して保持する
保持手段と、前記基板に所定の処理液を供給する処理液
供給機構と、前記保持手段とともに前記基板が面内回転
するように回転させる回転手段と、前記基板の周縁を囲
繞するように配置された昇降自在な上カップと固定され
た下カップとからなる処理カップと、前記処理カップに
形成され、前記基板の回転により発生する気流および／
またはミストを滞留させ、前記気流および／またはミス
トの巻き上げと前記基板への拡散を防止する緩衝室と、
を具備することを特徴とする液処理装置、が提供され
る。
理を施す液処理装置であって、基板を載置して保持する
保持手段と、前記基板に所定の処理液を供給する処理液
供給機構と、前記保持手段とともに前記基板が面内回転
するように回転させる回転手段と、前記基板の周縁を囲
繞するように配置された昇降自在な上カップと固定され
た下カップとからなる処理カップと、前記処理カップに
形成され、前記基板の回転により発生する気流および／
またはミストを滞留させ、前記気流および／またはミス
トの巻き上げと前記基板への拡散を防止する緩衝室と、
を具備することを特徴とする液処理装置、が提供され
る。
【００１０】このような液処理装置においては、処理す
る基板の回転によって生ずる気流および／またはミスト
の一部が緩衝室へ導かれ、緩衝室内において気流の勢い
が弱められ、また、ミストどうしが衝突したり壁面に衝
突して成長し、下方へ落下等することから、ミスト等が
再び基板上空へ舞い上がって基板を汚染することがなく
なり、製品の品質が高く保たれる。
る基板の回転によって生ずる気流および／またはミスト
の一部が緩衝室へ導かれ、緩衝室内において気流の勢い
が弱められ、また、ミストどうしが衝突したり壁面に衝
突して成長し、下方へ落下等することから、ミスト等が
再び基板上空へ舞い上がって基板を汚染することがなく
なり、製品の品質が高く保たれる。
【００１１】さらに、本発明によれば、基板に所定の液
処理を施す液処理装置であって、基板を載置して保持す
る保持手段と、前記基板に所定の処理液を供給する処理
液供給機構と、前記保持手段とともに前記基板が面内回
転するように回転させる回転手段と、前記保持手段の下
部において前記回転手段を囲繞するように設けられ、複
数の窓部が形成された傘状の隔壁板と、前記隔壁板に形
成された複数の窓部と、前記回転手段の駆動によって生
ずる気流および／またはミストを前記窓部に導くように
前記隔壁板上に配設されたフィンと、を具備することを
特徴とする液処理装置、が提供される。
処理を施す液処理装置であって、基板を載置して保持す
る保持手段と、前記基板に所定の処理液を供給する処理
液供給機構と、前記保持手段とともに前記基板が面内回
転するように回転させる回転手段と、前記保持手段の下
部において前記回転手段を囲繞するように設けられ、複
数の窓部が形成された傘状の隔壁板と、前記隔壁板に形
成された複数の窓部と、前記回転手段の駆動によって生
ずる気流および／またはミストを前記窓部に導くように
前記隔壁板上に配設されたフィンと、を具備することを
特徴とする液処理装置、が提供される。
【００１２】さらにまた、本発明によれば、基板に所定
の液処理を施す液処理装置であって、基板を載置して保
持する保持手段と、前記基板に所定の処理液を供給する
処理液供給機構と、前記保持手段とともに前記基板が面
内回転するように回転させる回転手段と、前記保持手段
の下部において前記回転手段を囲繞するように設けら
れ、複数の窓部が形成された傘状の隔壁板と、前記隔壁
板に形成された複数の窓部と、前記回転手段の駆動によ
って生ずる気流および／またはミストを前記窓部に導く
ように前記隔壁板上に配設された第１のフィンと、前記
基板の周縁を囲繞するように配置された昇降自在な上カ
ップと固定された下カップとからなる処理カップと、前
記回転手段の駆動によって生ずる気流および／またはミ
ストを前記処理カップの下方に導くように前記上カップ
の内周壁に配設された複数の第２のフィンと、を具備す
ることを特徴とする液処理装置、が提供される。
の液処理を施す液処理装置であって、基板を載置して保
持する保持手段と、前記基板に所定の処理液を供給する
処理液供給機構と、前記保持手段とともに前記基板が面
内回転するように回転させる回転手段と、前記保持手段
の下部において前記回転手段を囲繞するように設けら
れ、複数の窓部が形成された傘状の隔壁板と、前記隔壁
板に形成された複数の窓部と、前記回転手段の駆動によ
って生ずる気流および／またはミストを前記窓部に導く
ように前記隔壁板上に配設された第１のフィンと、前記
基板の周縁を囲繞するように配置された昇降自在な上カ
ップと固定された下カップとからなる処理カップと、前
記回転手段の駆動によって生ずる気流および／またはミ
ストを前記処理カップの下方に導くように前記上カップ
の内周壁に配設された複数の第２のフィンと、を具備す
ることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【００１３】このような隔壁板に窓部を設け、窓部に容
易に気流やミストが入り込み易くなるように隔壁板の表
面にフィン（第１のフィン）を設けた液処理装置では、
基板の回転によって生ずる気流および／またはミストの
排出経路が短くなり、排出効率が高められるために、処
理カップ内での上昇気流の発生が抑えられ、ミスト等の
基板への付着を抑制することが可能となる。さらに、上
カップの内周壁に気流やミストを下方に導くフィン（第
２のフィン）を設けて整流することで、より効率的に窓
部へ気流を導くことができるようになり、処理カップ内
に滞留するミストを低減することが可能となる。この場
合に、前述した緩衝室をも併設することにより、より確
実に基板の汚染を防止することが可能となる。
易に気流やミストが入り込み易くなるように隔壁板の表
面にフィン（第１のフィン）を設けた液処理装置では、
基板の回転によって生ずる気流および／またはミストの
排出経路が短くなり、排出効率が高められるために、処
理カップ内での上昇気流の発生が抑えられ、ミスト等の
基板への付着を抑制することが可能となる。さらに、上
カップの内周壁に気流やミストを下方に導くフィン（第
２のフィン）を設けて整流することで、より効率的に窓
部へ気流を導くことができるようになり、処理カップ内
に滞留するミストを低減することが可能となる。この場
合に、前述した緩衝室をも併設することにより、より確
実に基板の汚染を防止することが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明の液処理装置の一実施形態である洗浄ユニット（スク
ラバ）（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂを有するＬＣＤ基板Ｇ
（基板Ｇ）のレジスト塗布・現像処理システム１００を
示す平面図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明の液処理装置の一実施形態である洗浄ユニット（スク
ラバ）（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂを有するＬＣＤ基板Ｇ
（基板Ｇ）のレジスト塗布・現像処理システム１００を
示す平面図である。
【００１５】レジスト塗布・現像処理システム１００
は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセ
ットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現
像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを
備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板
Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備
えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーシ
ョン１およびインターフェイス部３が配置されている。
は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセ
ットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現
像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを
備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板
Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備
えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーシ
ョン１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１６】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１
０を備えている。そして、カセットステーション１にお
いてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アー
ム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬
送が行われる。
処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１
０を備えている。そして、カセットステーション１にお
いてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アー
ム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬
送が行われる。
【００１７】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２
・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
１５・１６が設けられている。
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２
・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
１５・１６が設けられている。
【００１８】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユ
ニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重
ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）
が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユ
ニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック
２７が配置されている。
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユ
ニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重
ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）
が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユ
ニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック
２７が配置されている。
【００１９】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、
搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねら
れてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理
ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に
重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、
搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねら
れてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理
ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に
重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
【００２０】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
ａ・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他
方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられて
なる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット
（ＨＰ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる処理ブロック３２・３３が配置されている。
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
ａ・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他
方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられて
なる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット
（ＨＰ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる処理ブロック３２・３３が配置されている。
【００２１】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、レジスト塗布処理
ユニット（ＣＴ）２２、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４ａのようなスピンナ系ユニットのみを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニット（ＨＰ）や冷却ユニット
（ＣＯＬ）等の熱系処理ユニットのみを配置する構造と
なっている。
側に洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、レジスト塗布処理
ユニット（ＣＴ）２２、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４ａのようなスピンナ系ユニットのみを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニット（ＨＰ）や冷却ユニット
（ＣＯＬ）等の熱系処理ユニットのみを配置する構造と
なっている。
【００２２】また、中継部１５・１６のスピンナ系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置１７・１８・１９のメンテ
ナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置１７・１８・１９のメンテ
ナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
【００２３】主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ
水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およ
び垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Ｇを支持するアームを有している。
水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およ
び垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Ｇを支持するアームを有している。
【００２４】主搬送装置１７は搬送アーム１７ａを有
し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受
け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに
対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間
で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを
有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとと
もに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板
Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１
５・１６は冷却プレートとしても機能する。
し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受
け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに
対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間
で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを
有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとと
もに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板
Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１
５・１６は冷却プレートとしても機能する。
【００２５】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板Ｇを受け渡しする際に一時的に基板Ｇを保持する
エクステンション３６と、さらにその両側に設けられ
た、バッファカセットを配置する２つのバッファステー
ジ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板
Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機
構３８はエクステンション３６およびバッファステージ
３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移
動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９に
より処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。
で基板Ｇを受け渡しする際に一時的に基板Ｇを保持する
エクステンション３６と、さらにその両側に設けられ
た、バッファカセットを配置する２つのバッファステー
ジ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板
Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機
構３８はエクステンション３６およびバッファステージ
３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移
動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９に
より処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。
【００２６】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【００２７】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システム１００においては、カセットＣ内の基板Ｇ
が処理部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａ
の処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表
面改質・洗浄処理が行われ、冷却ユニット（ＣＯＬ）で
冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂ
でスクラブ洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理
ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。
処理システム１００においては、カセットＣ内の基板Ｇ
が処理部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａ
の処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表
面改質・洗浄処理が行われ、冷却ユニット（ＣＯＬ）で
冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂ
でスクラブ洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理
ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。
【００２８】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２
でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（Ｅ
Ｒ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去され
る。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処理ブロッ
ク２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２
でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（Ｅ
Ｒ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去され
る。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処理ブロッ
ク２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。
【００２９】その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬
送され、そこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３
３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置
１９・１８・１７および搬送機構１０によってカセット
ステーション１上の所定のカセットに収容される。
置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬
送され、そこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３
３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置
１９・１８・１７および搬送機構１０によってカセット
ステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００３０】次に、本発明に係る洗浄ユニット（ＳＣ
Ｒ）２１ａについて詳細に説明する。図２は洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）２１ａの概略構造を示す平面図および断面
図であり、断面図は平面図中の線ＡＡにおける断面図で
ある。図３、図４もまた洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ
の構成を示す平面図および断面図であり、図３の断面図
は平面図中の線ＢＢ線における断面図であり、図４の断
面図は平面図中の線ＰＱＲＳ線における断面図である。
ここで、図２から図４の各平面図は同じものを示してお
り、各断面図には洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの構成
が理解し易いように、線ＡＡ上、線ＢＢ上、線ＰＱＲＳ
上にない部材について示している場合があり、一方、断
面図に示しているが平面図には示していない部材もあ
る。
Ｒ）２１ａについて詳細に説明する。図２は洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）２１ａの概略構造を示す平面図および断面
図であり、断面図は平面図中の線ＡＡにおける断面図で
ある。図３、図４もまた洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ
の構成を示す平面図および断面図であり、図３の断面図
は平面図中の線ＢＢ線における断面図であり、図４の断
面図は平面図中の線ＰＱＲＳ線における断面図である。
ここで、図２から図４の各平面図は同じものを示してお
り、各断面図には洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの構成
が理解し易いように、線ＡＡ上、線ＢＢ上、線ＰＱＲＳ
上にない部材について示している場合があり、一方、断
面図に示しているが平面図には示していない部材もあ
る。
【００３１】洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａは、図示し
ないシンクまたはケーシング内に配設されており、基板
Ｇを載置して保持する保持手段であるスピンプレート４
１を有している。スピンプレート４１の上面には、多数
の支持ピン４２が適当な配置パターンで離散的に固定さ
れており、基板Ｇをスピンプレート上に載置した際に、
基板Ｇは支持ピン４２上に支持され、基板Ｇにたわみ等
が生じ難いようになっている。また、スピンプレート４
１の上面には、基板Ｇの四隅を両側縁で保持するための
手段として、保持ピン４３が固定して設けられている。
ないシンクまたはケーシング内に配設されており、基板
Ｇを載置して保持する保持手段であるスピンプレート４
１を有している。スピンプレート４１の上面には、多数
の支持ピン４２が適当な配置パターンで離散的に固定さ
れており、基板Ｇをスピンプレート上に載置した際に、
基板Ｇは支持ピン４２上に支持され、基板Ｇにたわみ等
が生じ難いようになっている。また、スピンプレート４
１の上面には、基板Ｇの四隅を両側縁で保持するための
手段として、保持ピン４３が固定して設けられている。
【００３２】スピンプレート４１には、基板Ｇを昇降さ
せる手段として設けられた、例えば４本のリフトピン４
４を通すための貫通孔４５が形成されている。支持ピン
４２、保持ピン４３、リフトピン４４の少なくとも基板
Ｇと接する部分は、基板Ｇを傷付けないように樹脂やゴ
ムといった部材で構成することが好ましく、スピンプレ
ート４１については、例えば、ステンレス等を用いて構
成することができる。
せる手段として設けられた、例えば４本のリフトピン４
４を通すための貫通孔４５が形成されている。支持ピン
４２、保持ピン４３、リフトピン４４の少なくとも基板
Ｇと接する部分は、基板Ｇを傷付けないように樹脂やゴ
ムといった部材で構成することが好ましく、スピンプレ
ート４１については、例えば、ステンレス等を用いて構
成することができる。
【００３３】スピンプレート４１の裏面中心部には、枢
軸４６が取り付けられており、枢軸４６は回転駆動手
段、例えば、図示しない支持部材により固定されたモー
タ４７に取り付けられている。こうして、モータ４７を
所定速度で回転させることにより、スピンプレート４１
と基板Ｇがともに面内回転することができるようになっ
ている。なお、枢軸４６の一部とモータ４７を収容して
いる駆動装置収容容器４８内には、リフトピン４４を昇
降させるための手段、例えば、図示しないエアシリンダ
等も配設されている。
軸４６が取り付けられており、枢軸４６は回転駆動手
段、例えば、図示しない支持部材により固定されたモー
タ４７に取り付けられている。こうして、モータ４７を
所定速度で回転させることにより、スピンプレート４１
と基板Ｇがともに面内回転することができるようになっ
ている。なお、枢軸４６の一部とモータ４７を収容して
いる駆動装置収容容器４８内には、リフトピン４４を昇
降させるための手段、例えば、図示しないエアシリンダ
等も配設されている。
【００３４】スピンプレート４１の裏面には、その中心
から外縁に向けて放射状に伸びる突条型の送風フィン４
９が形成されている。この送風フィン４９は、スピンプ
レート４１の回転時に、排気や排液がスムーズに進むよ
うな気流を生じさせる役割を果たす。送風フィン４９の
配設数は任意に選択できる。
から外縁に向けて放射状に伸びる突条型の送風フィン４
９が形成されている。この送風フィン４９は、スピンプ
レート４１の回転時に、排気や排液がスムーズに進むよ
うな気流を生じさせる役割を果たす。送風フィン４９の
配設数は任意に選択できる。
【００３５】スピンプレート４１の下方には、駆動装置
収容容器４８の上部壁を兼ねて、枢軸４６を囲繞するよ
うに傘状の隔壁板５１が配設されている。隔壁板５１の
外周部には、円周に沿って、例えば、８箇所の窓部５２
が形成されており、各窓部５２に対して、スピンプレー
ト４１の回転によって生ずる気流および／またはミスト
を窓部５２に導入する役割を果たすフィン５３が隔壁板
５１上に突出するように配設されている。さらに、隔壁
板５１の外周部の下方底面、すなわち、窓部５２の下方
底面には第２排出口５４が形成されており、窓部５２か
ら進入した気流および／またはミストが、短い排出経路
を経て、第２排出口５４から排出されるように構成され
ている。
収容容器４８の上部壁を兼ねて、枢軸４６を囲繞するよ
うに傘状の隔壁板５１が配設されている。隔壁板５１の
外周部には、円周に沿って、例えば、８箇所の窓部５２
が形成されており、各窓部５２に対して、スピンプレー
ト４１の回転によって生ずる気流および／またはミスト
を窓部５２に導入する役割を果たすフィン５３が隔壁板
５１上に突出するように配設されている。さらに、隔壁
板５１の外周部の下方底面、すなわち、窓部５２の下方
底面には第２排出口５４が形成されており、窓部５２か
ら進入した気流および／またはミストが、短い排出経路
を経て、第２排出口５４から排出されるように構成され
ている。
【００３６】図５は、窓部５２からの気流および／また
はミストの排出経路を模式的に示した説明図である。基
板Ｇを矢印Ｓの向きに回転させると、この回転に伴って
発生する気流の向き（矢印Ｓ１）もまた矢印Ｓと同じ回
転の向きとなり、ミストはこの気流に乗って移動し易く
なる。そこで、フィン５３は、一側面が気流の下流側で
隔壁板５１に固定され、また他側面が気流の上流側で高
い位置となるように勾配を設けて配設され、こうしてフ
ィン５３により形成される略垂直な開口部５３ａから排
気室５５へ気流を取り込み易くなり、また、窓部５２か
ら排気室５５へも気流を入り込み易くなる。フィン５３
の側面に壁部５３ｂを設けると、より効果的に気流およ
び／またはミストを開口部５３ａおよび窓部５２から取
り込むことができるようになる。
はミストの排出経路を模式的に示した説明図である。基
板Ｇを矢印Ｓの向きに回転させると、この回転に伴って
発生する気流の向き（矢印Ｓ１）もまた矢印Ｓと同じ回
転の向きとなり、ミストはこの気流に乗って移動し易く
なる。そこで、フィン５３は、一側面が気流の下流側で
隔壁板５１に固定され、また他側面が気流の上流側で高
い位置となるように勾配を設けて配設され、こうしてフ
ィン５３により形成される略垂直な開口部５３ａから排
気室５５へ気流を取り込み易くなり、また、窓部５２か
ら排気室５５へも気流を入り込み易くなる。フィン５３
の側面に壁部５３ｂを設けると、より効果的に気流およ
び／またはミストを開口部５３ａおよび窓部５２から取
り込むことができるようになる。
【００３７】第２排出口５４は、こうして窓部５２と開
口部５３ａから流入した気流および／またはミストが排
出経路が短くなるように、また、気流の流れを考慮し
て、窓部５２に対して気流の下流側となる位置に配設さ
れる。つまり、窓部５２から第２排出口５４へ導かれる
気流および／またはミストの排出経路は、矢印Ｓ２で示
される最短経路を辿り、こうして排気効率が高められ
る。
口部５３ａから流入した気流および／またはミストが排
出経路が短くなるように、また、気流の流れを考慮し
て、窓部５２に対して気流の下流側となる位置に配設さ
れる。つまり、窓部５２から第２排出口５４へ導かれる
気流および／またはミストの排出経路は、矢印Ｓ２で示
される最短経路を辿り、こうして排気効率が高められ
る。
【００３８】この場合、隔壁板５１の外周下部に形成さ
れている排気室５５に滞留する気流やミストの量が低減
されるので、窓部５２から逆流するミストの発生や、隔
壁板５１の外縁に沿って鉛直に設けられた壁部５１ａの
孔部５６から外部へ抜けて、再び基板Ｇ上に舞い上がる
ミストの量を低減することができるようになる。このよ
うな効果は、後述する緩衝室を設けない場合にも得るこ
とができる。なお、孔部５６から外部へ抜けた気流およ
び／またはミストの多くは後述する緩衝室６３に流れ込
み、第１排出口５８から排出される。
れている排気室５５に滞留する気流やミストの量が低減
されるので、窓部５２から逆流するミストの発生や、隔
壁板５１の外縁に沿って鉛直に設けられた壁部５１ａの
孔部５６から外部へ抜けて、再び基板Ｇ上に舞い上がる
ミストの量を低減することができるようになる。このよ
うな効果は、後述する緩衝室を設けない場合にも得るこ
とができる。なお、孔部５６から外部へ抜けた気流およ
び／またはミストの多くは後述する緩衝室６３に流れ込
み、第１排出口５８から排出される。
【００３９】隔壁板５１には、基板Ｇの保持状態を検
査、確認するセンサ５７が配設されている。このセンサ
５７は、例えば図５に示されるように、ガラス等の透明
な部材で閉塞された窓部５７ａを隔壁板５１に形成し
て、窓部５７ａの下に光学センサを配置する等の方法に
より、配設することができる。センサ５７は保持ピン４
３から外れて基板Ｇが配置されていないかどうかを検出
することができ、異常状態を検出したときにインターロ
ックが掛かって装置が動作しないように構成することが
できる。
査、確認するセンサ５７が配設されている。このセンサ
５７は、例えば図５に示されるように、ガラス等の透明
な部材で閉塞された窓部５７ａを隔壁板５１に形成し
て、窓部５７ａの下に光学センサを配置する等の方法に
より、配設することができる。センサ５７は保持ピン４
３から外れて基板Ｇが配置されていないかどうかを検出
することができ、異常状態を検出したときにインターロ
ックが掛かって装置が動作しないように構成することが
できる。
【００４０】洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａは、また、
基板Ｇの周縁を囲繞するように配置された昇降自在な上
カップ６１と固定された下カップ６２とからなる処理カ
ップ６０を有している。図２〜図４中の断面図は、上カ
ップ６１を上昇限度位置まで上昇させた状態を示してお
り、この状態において、処理カップ６０には、基板Ｇの
回転によって発生する気流および／またはミストを滞留
させ、ミスト等の巻き上げによる基板Ｇへの拡散を防止
する緩衝室６３が形成されている。
基板Ｇの周縁を囲繞するように配置された昇降自在な上
カップ６１と固定された下カップ６２とからなる処理カ
ップ６０を有している。図２〜図４中の断面図は、上カ
ップ６１を上昇限度位置まで上昇させた状態を示してお
り、この状態において、処理カップ６０には、基板Ｇの
回転によって発生する気流および／またはミストを滞留
させ、ミスト等の巻き上げによる基板Ｇへの拡散を防止
する緩衝室６３が形成されている。
【００４１】上カップ６１は、内周壁６１ａと外周壁６
１ｆを有しており、内周壁６１ａと外周壁６１ｆに横架
するように天板６１ｅが設けられている。一方、下カッ
プ６２は、外周壁６２ａと底板６２ｂを有しており、緩
衝室６３は、これらの内周壁６１ａ、外周壁６１ｆ、天
板６１ｅ、外周壁６２ａ、底板６２ｂから形成されてい
る。
１ｆを有しており、内周壁６１ａと外周壁６１ｆに横架
するように天板６１ｅが設けられている。一方、下カッ
プ６２は、外周壁６２ａと底板６２ｂを有しており、緩
衝室６３は、これらの内周壁６１ａ、外周壁６１ｆ、天
板６１ｅ、外周壁６２ａ、底板６２ｂから形成されてい
る。
【００４２】下カップ６２の外周壁６２ａの上部には外
側に向けて延在して設けられた第１突壁部６２ｃが形成
されており、また外側カップ６１の外周壁６１ｆの下部
には内側に向けて延在して設けられた第２突壁部６１ｇ
が形成されている。図２〜図４に示すように、上カップ
６１を上昇限度位置で静止させたときには、第１突壁部
６２ｃと第２突壁部６１ｇとの間は、シール部材６６に
よりシールされる構造となっている。
側に向けて延在して設けられた第１突壁部６２ｃが形成
されており、また外側カップ６１の外周壁６１ｆの下部
には内側に向けて延在して設けられた第２突壁部６１ｇ
が形成されている。図２〜図４に示すように、上カップ
６１を上昇限度位置で静止させたときには、第１突壁部
６２ｃと第２突壁部６１ｇとの間は、シール部材６６に
よりシールされる構造となっている。
【００４３】図６（ａ）の断面図は、上カップ６１を下
降させた状態を示しているが、シール部材６６周りの構
造は、その部分を拡大した図６（ｂ）の断面図に示され
るように、第１突壁部６２ｃと第２突壁部６１ｇとの間
に間隙が生じる構造となっている。この間隙の幅は積極
的に広く設けてもよく、一方、狭くてもよい。上カップ
６１は、例えば、基板Ｇの搬送時等に下降させる。
降させた状態を示しているが、シール部材６６周りの構
造は、その部分を拡大した図６（ｂ）の断面図に示され
るように、第１突壁部６２ｃと第２突壁部６１ｇとの間
に間隙が生じる構造となっている。この間隙の幅は積極
的に広く設けてもよく、一方、狭くてもよい。上カップ
６１は、例えば、基板Ｇの搬送時等に下降させる。
【００４４】上カップ６１の内周壁６１ａの内側には、
内周壁６１ａに沿って上昇する気流および／またはミス
トを緩衝室６３へ案内するための緩衝室案内壁６１ｂが
形成されている。また、この緩衝室案内壁６１ｂにより
導かれた気流および／またはミストが再び基板Ｇ上へ舞
い上がることがないように、防御壁６１ｃが緩衝室案内
壁６１ｂの上部を覆うようにして内周壁６１ａに形成さ
れている。緩衝室案内壁６１ｂに導かれた気流および／
またはミストは、防御壁６１ｃに付着したミスト等を除
いて防御壁６１ｃにより方向を変えられ、内周壁６１ａ
に形成された通風口６８を通して緩衝室６３内へ導入さ
れる。
内周壁６１ａに沿って上昇する気流および／またはミス
トを緩衝室６３へ案内するための緩衝室案内壁６１ｂが
形成されている。また、この緩衝室案内壁６１ｂにより
導かれた気流および／またはミストが再び基板Ｇ上へ舞
い上がることがないように、防御壁６１ｃが緩衝室案内
壁６１ｂの上部を覆うようにして内周壁６１ａに形成さ
れている。緩衝室案内壁６１ｂに導かれた気流および／
またはミストは、防御壁６１ｃに付着したミスト等を除
いて防御壁６１ｃにより方向を変えられ、内周壁６１ａ
に形成された通風口６８を通して緩衝室６３内へ導入さ
れる。
【００４５】なお、処理カップ６０内からミスト等が洗
浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ全体に拡散することを防止
するために、上カップ６１の内周壁６１ａ上部には、内
側に傾斜したテーパー部６１ｄが形成されている。
浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ全体に拡散することを防止
するために、上カップ６１の内周壁６１ａ上部には、内
側に傾斜したテーパー部６１ｄが形成されている。
【００４６】緩衝室６３の底面の４箇所に第１排出口５
８が形成されており、緩衝室６３内で風速等が弱められ
た気流や衝突により成長したミストあるいは壁面に付着
したミスト等がこの第１排出口５８から排出されるよう
になっている。また、隔壁板５１に沿って下降した気流
および／またはミストや、隔壁板５１に設けられた窓部
５２から一旦は排気室５５へ取り込まれたが、再び孔部
５６から排出された気流および／またはミストが、内周
壁６１ａの下部から緩衝室６３内に流入するようになっ
ており、これらの気流および／またはミストも、第１排
出口５８から排出されるようになっている。
８が形成されており、緩衝室６３内で風速等が弱められ
た気流や衝突により成長したミストあるいは壁面に付着
したミスト等がこの第１排出口５８から排出されるよう
になっている。また、隔壁板５１に沿って下降した気流
および／またはミストや、隔壁板５１に設けられた窓部
５２から一旦は排気室５５へ取り込まれたが、再び孔部
５６から排出された気流および／またはミストが、内周
壁６１ａの下部から緩衝室６３内に流入するようになっ
ており、これらの気流および／またはミストも、第１排
出口５８から排出されるようになっている。
【００４７】図２〜図４を比較すると明らかなように、
緩衝室６３は洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの四隅の空
間を有効に利用した構造となっており、線ＡＡ断面では
その幅が広く、線ＢＢ断面ではその幅が狭い形状を有し
ている。このように洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの四
隅の空間を利用して緩衝室６３の体積を増大することに
より、緩衝室６３内に滞留させることができる気流およ
び／またはミストの量を増大させて、処理カップ６０内
の気流を制御し、基板Ｇ上へ舞い上がる気流および／ま
たはミストの発生を防止することができるようになって
いる。
緩衝室６３は洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの四隅の空
間を有効に利用した構造となっており、線ＡＡ断面では
その幅が広く、線ＢＢ断面ではその幅が狭い形状を有し
ている。このように洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの四
隅の空間を利用して緩衝室６３の体積を増大することに
より、緩衝室６３内に滞留させることができる気流およ
び／またはミストの量を増大させて、処理カップ６０内
の気流を制御し、基板Ｇ上へ舞い上がる気流および／ま
たはミストの発生を防止することができるようになって
いる。
【００４８】図７は、第１排出口５８を例に、ミストト
ラップの配設形態の一例を示した説明図である。第１排
出口５８のそれぞれにミストトラップ６７が配設されて
おり、ミストトラップ６７において分離された主に液体
成分はドレイン６７ａから排出され、一方、気体成分は
排気管６７ｂから排気されるようになっている。このよ
うなミストトラップの配設は、第２排出口５４について
も適用される。なお使用されるミストトラップの形状や
ミスト成分の捕集方法は、図７に示した形態に限定され
るものではない。
ラップの配設形態の一例を示した説明図である。第１排
出口５８のそれぞれにミストトラップ６７が配設されて
おり、ミストトラップ６７において分離された主に液体
成分はドレイン６７ａから排出され、一方、気体成分は
排気管６７ｂから排気されるようになっている。このよ
うなミストトラップの配設は、第２排出口５４について
も適用される。なお使用されるミストトラップの形状や
ミスト成分の捕集方法は、図７に示した形態に限定され
るものではない。
【００４９】図８は、上述した洗浄ユニット（ＳＣＲ）
２１ａにおいて用いられるスクラブ洗浄装置７０の配置
状態を示した断面図であり、スクラブ洗浄装置７０が有
する洗浄機構８０は、例えば、ブラシスクラバ機構７１
と洗浄ノズル機構７２とを有する。図８にはブラシスク
ラバ機構７１と洗浄ノズル機構７２を同時に示している
が、通常はブラシスクラバ機構７１によるブラッシング
洗浄（スクラブ洗浄）が先に行われ、その後に洗浄ノズ
ル機構７２によるブロー洗浄が行われるようになってお
り、一方の機構が作動している間は、他方の機構は上カ
ップ６１の外で図示しないケーシングの隅部等に設けら
れた所定の待機位置で待機している。
２１ａにおいて用いられるスクラブ洗浄装置７０の配置
状態を示した断面図であり、スクラブ洗浄装置７０が有
する洗浄機構８０は、例えば、ブラシスクラバ機構７１
と洗浄ノズル機構７２とを有する。図８にはブラシスク
ラバ機構７１と洗浄ノズル機構７２を同時に示している
が、通常はブラシスクラバ機構７１によるブラッシング
洗浄（スクラブ洗浄）が先に行われ、その後に洗浄ノズ
ル機構７２によるブロー洗浄が行われるようになってお
り、一方の機構が作動している間は、他方の機構は上カ
ップ６１の外で図示しないケーシングの隅部等に設けら
れた所定の待機位置で待機している。
【００５０】ブラシスクラバ機構７１の構成に限定はな
く、例えば、複数のディスクブラシ７３を基板Ｇの表面
に一定の圧力で接触させながら回転駆動するブラシ回転
駆動部７４と、このブラシ回転駆動部７４をガイド９１
に沿って基板Ｇの長辺方向に送る図示しないブラシ送り
機構とを有しているものを用いることができる。また、
基板Ｇの短辺方向の長さにほぼ等しい長さを有するロー
ルブラシを用いて、このロールブラシを回転させなが
ら、長辺方向にスキャンさせてスクラブ洗浄を行うブラ
シスクラバ機構を用いることもできる。
く、例えば、複数のディスクブラシ７３を基板Ｇの表面
に一定の圧力で接触させながら回転駆動するブラシ回転
駆動部７４と、このブラシ回転駆動部７４をガイド９１
に沿って基板Ｇの長辺方向に送る図示しないブラシ送り
機構とを有しているものを用いることができる。また、
基板Ｇの短辺方向の長さにほぼ等しい長さを有するロー
ルブラシを用いて、このロールブラシを回転させなが
ら、長辺方向にスキャンさせてスクラブ洗浄を行うブラ
シスクラバ機構を用いることもできる。
【００５１】洗浄ノズル機構７２は、例えば、基板Ｇの
表面に向けて真上から洗浄液を吐出する複数本のノズル
７５と、これらのノズル７５に洗浄液を供給する図示し
ない洗浄液供給部と、ノズル７５をガイド９０に沿って
基板Ｇの長辺方向に送る図示しないノズル送り機構とを
有している。なお、洗浄ノズル機構７２によるブロー洗
浄に際しては、一般的に基板Ｇを回転させるシーケンス
が組まれる。
表面に向けて真上から洗浄液を吐出する複数本のノズル
７５と、これらのノズル７５に洗浄液を供給する図示し
ない洗浄液供給部と、ノズル７５をガイド９０に沿って
基板Ｇの長辺方向に送る図示しないノズル送り機構とを
有している。なお、洗浄ノズル機構７２によるブロー洗
浄に際しては、一般的に基板Ｇを回転させるシーケンス
が組まれる。
【００５２】次に、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａにお
ける洗浄処理工程について説明する。主搬送装置１７の
搬送アーム１７ａに保持された基板Ｇの搬送のタイミン
グに合わせて、図６（ａ）に示すように上カップ６１を
下降させ、また、リフトピン４４を所定位置まで上昇さ
せて、搬送アーム１７ａからリフトピン４４へ基板Ｇを
受け渡す。その後に図２〜図４に示されるように、リフ
トピン４４を所定位置まで下降させて基板Ｇをスピンプ
レート４１上に形成された支持ピン４２上に載置し、保
持ピン４３により基板Ｇを位置決めするとともに、上カ
ップ６１を所定位置まで上昇させる。
ける洗浄処理工程について説明する。主搬送装置１７の
搬送アーム１７ａに保持された基板Ｇの搬送のタイミン
グに合わせて、図６（ａ）に示すように上カップ６１を
下降させ、また、リフトピン４４を所定位置まで上昇さ
せて、搬送アーム１７ａからリフトピン４４へ基板Ｇを
受け渡す。その後に図２〜図４に示されるように、リフ
トピン４４を所定位置まで下降させて基板Ｇをスピンプ
レート４１上に形成された支持ピン４２上に載置し、保
持ピン４３により基板Ｇを位置決めするとともに、上カ
ップ６１を所定位置まで上昇させる。
【００５３】このようにして、基板Ｇの洗浄ユニット
（ＳＣＲ）２１ａへの搬入が完了した後、図８に示した
ように、ブラシスクラバ機構７１によるブラッシング洗
浄が開始される。このブラッシング洗浄では、ディスク
ブラシ７３が基板Ｇの表面に一定の圧力で接触しながら
回転し、かつ基板Ｇ上を端から端まで移動する。これに
より、基板Ｇの表面全体にわたってパーティクルや樹脂
成分等の汚れが除去される。
（ＳＣＲ）２１ａへの搬入が完了した後、図８に示した
ように、ブラシスクラバ機構７１によるブラッシング洗
浄が開始される。このブラッシング洗浄では、ディスク
ブラシ７３が基板Ｇの表面に一定の圧力で接触しながら
回転し、かつ基板Ｇ上を端から端まで移動する。これに
より、基板Ｇの表面全体にわたってパーティクルや樹脂
成分等の汚れが除去される。
【００５４】このブラッシング洗浄に際しては、ディス
クブラシ７３に洗浄液を供給する。その場合、ディスク
ブラシ７３や基板Ｇから四方に洗浄液が飛散する。飛散
した洗浄液は、例えば、図４に示されるように、隔壁板
５１に形成された窓部５２から排気室５５内へ落ちて第
２排出口５４から排出され、また、隔壁板５１を伝って
洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの底部、つまり下カップ
６２の底板６２ｂまで落ちて第２排出口５４または第１
排出口５８から排出され、さらに、上カップ６１の内周
壁６１ａや緩衝室案内壁６１ｂに衝突した後にそれらの
壁面を伝って下方へ落ちて、第２排出口５４または第１
排出口５８から排出される。
クブラシ７３に洗浄液を供給する。その場合、ディスク
ブラシ７３や基板Ｇから四方に洗浄液が飛散する。飛散
した洗浄液は、例えば、図４に示されるように、隔壁板
５１に形成された窓部５２から排気室５５内へ落ちて第
２排出口５４から排出され、また、隔壁板５１を伝って
洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの底部、つまり下カップ
６２の底板６２ｂまで落ちて第２排出口５４または第１
排出口５８から排出され、さらに、上カップ６１の内周
壁６１ａや緩衝室案内壁６１ｂに衝突した後にそれらの
壁面を伝って下方へ落ちて、第２排出口５４または第１
排出口５８から排出される。
【００５５】ブラッシング洗浄が終了した後、今度は洗
浄ノズル機構７２によるブロー洗浄が行われる。このブ
ロー洗浄では、ノズル７５が超音波振動の高圧洗浄液を
基板Ｇに向けて噴射しながら、基板Ｇ上を水平方向に往
復移動する。このとき、モータ４７を動作させて基板Ｇ
をスピンプレート４１とともに所定の速度で回転させ
る。これにより、基板Ｇの表面全体がブロー洗浄され、
先のブラッシング洗浄によって除去しきれなかった汚れ
等が洗い落とされる。
浄ノズル機構７２によるブロー洗浄が行われる。このブ
ロー洗浄では、ノズル７５が超音波振動の高圧洗浄液を
基板Ｇに向けて噴射しながら、基板Ｇ上を水平方向に往
復移動する。このとき、モータ４７を動作させて基板Ｇ
をスピンプレート４１とともに所定の速度で回転させ
る。これにより、基板Ｇの表面全体がブロー洗浄され、
先のブラッシング洗浄によって除去しきれなかった汚れ
等が洗い落とされる。
【００５６】ブロー洗浄が終了した後には処理液を供給
することなく、洗浄機構８０を上カップ６１の外側へ退
避させた状態でスピン乾燥が行われる。このスピン乾燥
では、基板Ｇをブロー洗浄時よりも大きな回転速度で一
定時間回転させ、この高速回転によって基板Ｇの表面や
裏面に付着していた洗浄液が遠心力によって周囲に振り
切られ、短時間で基板Ｇは乾燥した状態となる。
することなく、洗浄機構８０を上カップ６１の外側へ退
避させた状態でスピン乾燥が行われる。このスピン乾燥
では、基板Ｇをブロー洗浄時よりも大きな回転速度で一
定時間回転させ、この高速回転によって基板Ｇの表面や
裏面に付着していた洗浄液が遠心力によって周囲に振り
切られ、短時間で基板Ｇは乾燥した状態となる。
【００５７】上述した洗浄ノズル機構７２によるブロー
洗浄では、基板Ｇに多量の高圧洗浄液が供給される上、
基板Ｇがスピン回転するため、基板Ｇから四方へ飛散す
る洗浄液は多量でかつ勢いがある。そして、ブロー洗浄
では、基板Ｇやスピンプレート４１の回転によって、先
に図５において矢印Ｓ１で示したような気流および／ま
たはミストが発生する。
洗浄では、基板Ｇに多量の高圧洗浄液が供給される上、
基板Ｇがスピン回転するため、基板Ｇから四方へ飛散す
る洗浄液は多量でかつ勢いがある。そして、ブロー洗浄
では、基板Ｇやスピンプレート４１の回転によって、先
に図５において矢印Ｓ１で示したような気流および／ま
たはミストが発生する。
【００５８】また、スピン乾燥では、基板Ｇやスピンプ
レート４１の回転速度が大きいために、ブロー洗浄時よ
りも強い気流が発生する。このときにミストも発生し、
発生するミストはブロー洗浄時に発生するミストよりも
微細なものとなり易い。さらに、発生したミストが強い
気流によって、一度、上カップ６１の内周壁６１ａに衝
突した後に、再び小さなミストとなって気流に乗り、処
理カップ６０内、ひいては洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１
ａ内に拡散する事態が生ずることも考えられる。
レート４１の回転速度が大きいために、ブロー洗浄時よ
りも強い気流が発生する。このときにミストも発生し、
発生するミストはブロー洗浄時に発生するミストよりも
微細なものとなり易い。さらに、発生したミストが強い
気流によって、一度、上カップ６１の内周壁６１ａに衝
突した後に、再び小さなミストとなって気流に乗り、処
理カップ６０内、ひいては洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１
ａ内に拡散する事態が生ずることも考えられる。
【００５９】しかしながら、本発明に係る洗浄ユニット
（ＳＣＲ）２１ａでは、ブロー洗浄時に飛散した洗浄液
の一部や、基板Ｇおよびスピンプレート４１の回転によ
り発生した気流および／またはミストの一部は、この発
生した気流に乗って隔壁板５１に設けられたフィン５３
の作用を受けて窓部５２および開口部５３ａから排気室
５５へ導かれ、第２排出口５４から排出されるようにな
っている。この排出経路は、先に示した図５中の矢印Ｓ
２で示されるが、このような効率的な排気により、飛散
した洗浄液の一部や発生したミスト等が基板Ｇ上に舞い
上がるということが抑制される。
（ＳＣＲ）２１ａでは、ブロー洗浄時に飛散した洗浄液
の一部や、基板Ｇおよびスピンプレート４１の回転によ
り発生した気流および／またはミストの一部は、この発
生した気流に乗って隔壁板５１に設けられたフィン５３
の作用を受けて窓部５２および開口部５３ａから排気室
５５へ導かれ、第２排出口５４から排出されるようにな
っている。この排出経路は、先に示した図５中の矢印Ｓ
２で示されるが、このような効率的な排気により、飛散
した洗浄液の一部や発生したミスト等が基板Ｇ上に舞い
上がるということが抑制される。
【００６０】また、ブロー洗浄時に飛散した洗浄液の別
の一部や、基板Ｇやスピンプレート４１の回転により発
生した気流および／またはミストの別の一部は、上カッ
プ６１の内周壁６１ａに設けられた緩衝室案内壁６１ｂ
に衝突し、その壁面に付着したミスト等の多くは下方へ
流れ落ちて、第２排出口５４または第１排出口５８から
排出される。
の一部や、基板Ｇやスピンプレート４１の回転により発
生した気流および／またはミストの別の一部は、上カッ
プ６１の内周壁６１ａに設けられた緩衝室案内壁６１ｂ
に衝突し、その壁面に付着したミスト等の多くは下方へ
流れ落ちて、第２排出口５４または第１排出口５８から
排出される。
【００６１】発生した気流が内周壁６１ａや緩衝室案内
壁６１ｂに衝突することによって、緩衝室案内壁６１ｂ
に沿った上昇気流が発生するので、この上昇気流に乗っ
て飛散した洗浄液の一部やミストの一部は上昇するが、
上カップ６１には防御壁６１ｃが配設されていることか
ら、このような上昇気流や上昇気流に沿って上昇するミ
スト等は、基板Ｇ上に舞い上がることなく通風口６８を
通して緩衝室６３内へ導入される。なお、防御壁６１ｃ
に付着したミスト等は成長してその壁面を伝って自然落
下し、第２排出口５４または第１排出口５８から排出さ
れる。
壁６１ｂに衝突することによって、緩衝室案内壁６１ｂ
に沿った上昇気流が発生するので、この上昇気流に乗っ
て飛散した洗浄液の一部やミストの一部は上昇するが、
上カップ６１には防御壁６１ｃが配設されていることか
ら、このような上昇気流や上昇気流に沿って上昇するミ
スト等は、基板Ｇ上に舞い上がることなく通風口６８を
通して緩衝室６３内へ導入される。なお、防御壁６１ｃ
に付着したミスト等は成長してその壁面を伝って自然落
下し、第２排出口５４または第１排出口５８から排出さ
れる。
【００６２】緩衝室６３に導入された気流は、その内部
で乱流となって勢いが衰え、またミストはミストどうし
が衝突したり、または壁面に衝突等して質量が増して下
方に落ちて第１排出口５８から排出される。こうして、
緩衝室６３内に導入された飛散した洗浄液や基板Ｇ等の
回転により発生した気流および／またはミストは、基板
Ｇ上に舞い上がることが防止される。
で乱流となって勢いが衰え、またミストはミストどうし
が衝突したり、または壁面に衝突等して質量が増して下
方に落ちて第１排出口５８から排出される。こうして、
緩衝室６３内に導入された飛散した洗浄液や基板Ｇ等の
回転により発生した気流および／またはミストは、基板
Ｇ上に舞い上がることが防止される。
【００６３】緩衝室６３は、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２
１ａの四隅を利用してその容積が大きくなるように形成
されていることから、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの
フットプリントを大きくするものでない。そして、緩衝
室６３は、飛散した洗浄液や基板Ｇ等の回転により発生
した気流および／またはミストを大量に受け入れること
ができ、これにより、例えば、基板Ｇ回りの気流および
／またはミストの流れがスムーズなものとなり、上昇気
流等の発生が防止され、基板Ｇ上へのミスト等の舞い上
がりが防止される。
１ａの四隅を利用してその容積が大きくなるように形成
されていることから、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの
フットプリントを大きくするものでない。そして、緩衝
室６３は、飛散した洗浄液や基板Ｇ等の回転により発生
した気流および／またはミストを大量に受け入れること
ができ、これにより、例えば、基板Ｇ回りの気流および
／またはミストの流れがスムーズなものとなり、上昇気
流等の発生が防止され、基板Ｇ上へのミスト等の舞い上
がりが防止される。
【００６４】なお、緩衝室６３の容積が大きいほど、こ
のような効果は大きく得られるが、緩衝室６３を大容積
化することは洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの大型化を
招くことでもあるため、飛散した洗浄液や基板Ｇ等の回
転により発生した気流および／またはミストの制御状態
を考慮して、緩衝室６３の大きさは適切に設定される。
のような効果は大きく得られるが、緩衝室６３を大容積
化することは洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａの大型化を
招くことでもあるため、飛散した洗浄液や基板Ｇ等の回
転により発生した気流および／またはミストの制御状態
を考慮して、緩衝室６３の大きさは適切に設定される。
【００６５】ところで、ブロー洗浄では、洗浄液を吐出
しながら処理が行われるために、ブロー洗浄時に発生し
たミストが基板Ｇ上に舞い上がって基板Ｇ上に降り注い
でも、再び洗浄液とともに流されることとなる。一方、
スピン乾燥では、舞い上がったミスト等が基板Ｇ上に付
着した場合には、そのミストがパーティクル等の汚れの
原因となる。
しながら処理が行われるために、ブロー洗浄時に発生し
たミストが基板Ｇ上に舞い上がって基板Ｇ上に降り注い
でも、再び洗浄液とともに流されることとなる。一方、
スピン乾燥では、舞い上がったミスト等が基板Ｇ上に付
着した場合には、そのミストがパーティクル等の汚れの
原因となる。
【００６６】このため、基板Ｇ等の回転により発生する
気流および／またはミストを、緩衝室６３を設けて緩衝
室６３に導入することにより気流および／またはミスト
の舞い上がりを防止する効果、および隔壁板５１に窓部
５２とフィン５３を設けて気流および／またはミストを
排気室５５へ導入することにより気流および／またはミ
ストの舞い上がりを防止する効果は、スピン乾燥の工程
において特に顕著に得られる。
気流および／またはミストを、緩衝室６３を設けて緩衝
室６３に導入することにより気流および／またはミスト
の舞い上がりを防止する効果、および隔壁板５１に窓部
５２とフィン５３を設けて気流および／またはミストを
排気室５５へ導入することにより気流および／またはミ
ストの舞い上がりを防止する効果は、スピン乾燥の工程
において特に顕著に得られる。
【００６７】なお、上述したブロー洗浄中またはスピン
乾燥中には、スピンプレート４１の裏面に配設されてい
る送風フィン４９の整流作用により、スピンプレート４
１側から上カップ６１の内周壁６１ａにあたる気流の風
圧が、特に放射方向またはその法線方向で強められる。
この整流作用によって、スピンプレート４１および基板
Ｇの回転に伴って発生する気流および／またはミストの
排気室５５や緩衝室６３への導入が容易となる。但し、
送風フィン４９は必ずしも必要なものではなく、送風フ
ィン４９を配設しない場合であっても、上述した基板Ｇ
等の回転により発生する気流および／またはミストの制
御が可能である。
乾燥中には、スピンプレート４１の裏面に配設されてい
る送風フィン４９の整流作用により、スピンプレート４
１側から上カップ６１の内周壁６１ａにあたる気流の風
圧が、特に放射方向またはその法線方向で強められる。
この整流作用によって、スピンプレート４１および基板
Ｇの回転に伴って発生する気流および／またはミストの
排気室５５や緩衝室６３への導入が容易となる。但し、
送風フィン４９は必ずしも必要なものではなく、送風フ
ィン４９を配設しない場合であっても、上述した基板Ｇ
等の回転により発生する気流および／またはミストの制
御が可能である。
【００６８】上述したブロー洗浄とそれに続くスピン乾
燥が終了すると、リフトピン４４が上昇して基板Ｇをス
ピンプレート４１から所定高さまで持ち上げ、また、上
カップ６１が所定位置まで降下する。そこに、主搬送装
置１７の搬送アーム１７ａが進入してきて、リフトピン
４４から基板Ｇを受け取り、基板Ｇは次工程の処理ユニ
ットへ搬送される。
燥が終了すると、リフトピン４４が上昇して基板Ｇをス
ピンプレート４１から所定高さまで持ち上げ、また、上
カップ６１が所定位置まで降下する。そこに、主搬送装
置１７の搬送アーム１７ａが進入してきて、リフトピン
４４から基板Ｇを受け取り、基板Ｇは次工程の処理ユニ
ットへ搬送される。
【００６９】このような一連の工程によって洗浄処理が
なされた基板Ｇの表面は、スクラブ洗浄が施され、かつ
ミスト等が殆ど付着していないので、清浄度の高い表面
を有しており、これにより、次工程のレジスト塗布処理
や現像処理においてもコンタミネーションやパーティク
ルの少ない処理結果を得ることができ、ひいてはＬＣＤ
の製造歩留まりが高められる。
なされた基板Ｇの表面は、スクラブ洗浄が施され、かつ
ミスト等が殆ど付着していないので、清浄度の高い表面
を有しており、これにより、次工程のレジスト塗布処理
や現像処理においてもコンタミネーションやパーティク
ルの少ない処理結果を得ることができ、ひいてはＬＣＤ
の製造歩留まりが高められる。
【００７０】次に、本発明の液処理装置の一実施形態で
ある洗浄ユニットの別の形態について説明する。図９
は、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ｃの概略構造を示す平
面図と断面図である。洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ｃ
は、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂに代えて、
レジスト塗布・現像処理システム１００に搭載すること
ができる。洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ｃには、内周壁
６１ａの内側であって緩衝室案内壁６１ｂの下方に、基
板Ｇの回転によって生ずる気流を下方に導くフィン６９
が設けられており、この点において前述した洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）２１ａと異なる構造を有している。
ある洗浄ユニットの別の形態について説明する。図９
は、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ｃの概略構造を示す平
面図と断面図である。洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ｃ
は、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂに代えて、
レジスト塗布・現像処理システム１００に搭載すること
ができる。洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ｃには、内周壁
６１ａの内側であって緩衝室案内壁６１ｂの下方に、基
板Ｇの回転によって生ずる気流を下方に導くフィン６９
が設けられており、この点において前述した洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）２１ａと異なる構造を有している。
【００７１】また、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａで
は、スピンプレート４１は、基板Ｇ全体を上面に乗せる
ことができる大きさとしたが、洗浄ユニット（ＳＣＲ）
２１ｃでは、スピンプレート４１の外径が小さくなって
おり、基板Ｇのエッジ部がスピンプレート４１からはみ
出している。このようにスピンプレート４１の大きさ
は、基板Ｇを保持できる限りにおいて制限はない。
は、スピンプレート４１は、基板Ｇ全体を上面に乗せる
ことができる大きさとしたが、洗浄ユニット（ＳＣＲ）
２１ｃでは、スピンプレート４１の外径が小さくなって
おり、基板Ｇのエッジ部がスピンプレート４１からはみ
出している。このようにスピンプレート４１の大きさ
は、基板Ｇを保持できる限りにおいて制限はない。
【００７２】図１０はフィン６９の配設形態をより詳し
く示した説明図である。フィン６９は、略水平に保持さ
れた基板Ｇよりも低い位置において、内周壁６１ａの内
周に沿って、例えば、等間隔で３２枚設けられており
（図９の平面図においては１６枚を図示）、鉛直方向に
対して所定角度θ、例えば、３０度（°）〜６０°程
度、好ましくは約４５°傾いている。基板Ｇを図１０中
の矢印Ｓ３方向に回転させたときに生ずる気流は、フィ
ン６９によって矢印Ｓ４で示すように、フィン６９によ
って処理カップ６０の下方に向かうように整流され、こ
れによって開口部５３ａおよび窓部５２へ流入する気流
もまた多くなる。
く示した説明図である。フィン６９は、略水平に保持さ
れた基板Ｇよりも低い位置において、内周壁６１ａの内
周に沿って、例えば、等間隔で３２枚設けられており
（図９の平面図においては１６枚を図示）、鉛直方向に
対して所定角度θ、例えば、３０度（°）〜６０°程
度、好ましくは約４５°傾いている。基板Ｇを図１０中
の矢印Ｓ３方向に回転させたときに生ずる気流は、フィ
ン６９によって矢印Ｓ４で示すように、フィン６９によ
って処理カップ６０の下方に向かうように整流され、こ
れによって開口部５３ａおよび窓部５２へ流入する気流
もまた多くなる。
【００７３】フィン６９によって開口部５３ａおよび窓
部５２へ気流が流れ易くなるようにするためには、フィ
ン６９をフィン５３または窓部５２が配設されている位
置に対応させて配設することが好ましい。また、フィン
５３が配設されていない部分の外側にあたる内周壁にも
フィン６９を設けることで、基板Ｇの回転によって生ず
る気流を処理カップ６０の下方に導いて、排気効率を高
めることができる。
部５２へ気流が流れ易くなるようにするためには、フィ
ン６９をフィン５３または窓部５２が配設されている位
置に対応させて配設することが好ましい。また、フィン
５３が配設されていない部分の外側にあたる内周壁にも
フィン６９を設けることで、基板Ｇの回転によって生ず
る気流を処理カップ６０の下方に導いて、排気効率を高
めることができる。
【００７４】このように、内周壁６１ａにフィン６９を
設けることによって、内周壁６１ａ近傍から処理カップ
６０の下方に向かう気流を多くして第１排気口５８また
は第２排気口５４から排気し、また、開口部５３ａおよ
び窓部５２へ流入する気流を多くして第２排気口５４か
ら排気することで、排気効率が高められる。こうして、
処理カップ６０内でのミストの滞留を防止して基板Ｇへ
のミストの付着を防止することができる。なお、フィン
６９は、例えば、ステンレス鋼等からなり、その表面を
フッ素樹脂コーティング等してミストの付着を抑制する
ことも好ましい。
設けることによって、内周壁６１ａ近傍から処理カップ
６０の下方に向かう気流を多くして第１排気口５８また
は第２排気口５４から排気し、また、開口部５３ａおよ
び窓部５２へ流入する気流を多くして第２排気口５４か
ら排気することで、排気効率が高められる。こうして、
処理カップ６０内でのミストの滞留を防止して基板Ｇへ
のミストの付着を防止することができる。なお、フィン
６９は、例えば、ステンレス鋼等からなり、その表面を
フッ素樹脂コーティング等してミストの付着を抑制する
ことも好ましい。
【００７５】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明が上記形態に限定されるものでないこ
とは言うまでもない。例えば、スピンプレート４１の裏
面に配設された送風フィン４９による、基板Ｇ等の回転
により発生する気流および／またはミストの整流作用
は、上カップ６１に設けられた緩衝室案内壁６１ｂによ
って高められている。しかし、緩衝室案内壁６１ｂを設
けない構造としても、ミスト等の基板Ｇ上への舞い上が
りを防止する効果を得ることができる。
てきたが、本発明が上記形態に限定されるものでないこ
とは言うまでもない。例えば、スピンプレート４１の裏
面に配設された送風フィン４９による、基板Ｇ等の回転
により発生する気流および／またはミストの整流作用
は、上カップ６１に設けられた緩衝室案内壁６１ｂによ
って高められている。しかし、緩衝室案内壁６１ｂを設
けない構造としても、ミスト等の基板Ｇ上への舞い上が
りを防止する効果を得ることができる。
【００７６】また、上述した実施形態においては、処理
カップ６０を昇降可能な上カップ６１と固定された下カ
ップ６２から構成したが、緩衝室６３が形成されている
限りにおいて、１個の処理カップを配設してもよい。ま
た、隔壁板５１に窓部５２やフィン５３を設けることに
よる気流および／またはミストの排出手段と、緩衝室６
３を設けことによる気流および／またはミスト等の排出
手段は、両方を併設しなければならないものではない
が、緩衝室６３は常設することが好ましい。
カップ６０を昇降可能な上カップ６１と固定された下カ
ップ６２から構成したが、緩衝室６３が形成されている
限りにおいて、１個の処理カップを配設してもよい。ま
た、隔壁板５１に窓部５２やフィン５３を設けることに
よる気流および／またはミストの排出手段と、緩衝室６
３を設けことによる気流および／またはミスト等の排出
手段は、両方を併設しなければならないものではない
が、緩衝室６３は常設することが好ましい。
【００７７】スピンプレート４１上において基板Ｇを保
持する手段は、上記実施形態のように、保持ピン４３等
を用いるメカニカルな手段に限らず、例えば、バキュー
ム吸着式の保持手段を用いることも可能である。スピン
プレート４１の形状は、送風フィン４９を配設した場合
には、その効果を高めるために円形が好ましいが、他の
形状、例えば矩形でも可能である。この場合、矩形のス
ピンプレートの側面により気流が発生することから、そ
の制御が行えるように、例えば、処理カップの内壁形状
を適切なものに設計する等の対策を講ずることが好まし
い。
持する手段は、上記実施形態のように、保持ピン４３等
を用いるメカニカルな手段に限らず、例えば、バキュー
ム吸着式の保持手段を用いることも可能である。スピン
プレート４１の形状は、送風フィン４９を配設した場合
には、その効果を高めるために円形が好ましいが、他の
形状、例えば矩形でも可能である。この場合、矩形のス
ピンプレートの側面により気流が発生することから、そ
の制御が行えるように、例えば、処理カップの内壁形状
を適切なものに設計する等の対策を講ずることが好まし
い。
【００７８】上記実施形態ではレジスト塗布・現像処理
システムに本発明の液処理装置を適用した場合を例に説
明したが、本発明はこれに限られるものではなく、他の
液処理装置にも適用することができる。例えば、本発明
の液処理装置を、レジスト塗布・現像処理システムにお
けるレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２または現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃに適用する場合
には、基本的には処理液の供給機構や洗浄機構が所定の
機構に置き換わるだけであって、その他の部分は、上記
洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａと共通しており、上記と
同様の作用効果を得ることができる。また、被処理基板
としてＬＣＤ基板について説明してきたが、半導体ウエ
ハ、ＣＤ基板等の他の基板についても用いることが可能
である。
システムに本発明の液処理装置を適用した場合を例に説
明したが、本発明はこれに限られるものではなく、他の
液処理装置にも適用することができる。例えば、本発明
の液処理装置を、レジスト塗布・現像処理システムにお
けるレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２または現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃに適用する場合
には、基本的には処理液の供給機構や洗浄機構が所定の
機構に置き換わるだけであって、その他の部分は、上記
洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａと共通しており、上記と
同様の作用効果を得ることができる。また、被処理基板
としてＬＣＤ基板について説明してきたが、半導体ウエ
ハ、ＣＤ基板等の他の基板についても用いることが可能
である。
【００７９】
【発明の効果】本発明の液処理装置においては、隔壁板
に設けられた窓部やフィンを利用した排出経路と、緩衝
室を利用した排出経路の少なくとも一方を設けることに
よって、ブロー洗浄時に飛散した洗浄液や被処理基板お
よびスピンプレートの回転によって生ずる気流および／
またはミストが、スムーズに液処理装置外へ排出され
る。また、基板を囲繞するように設けられたカップの内
壁に基板を回転させたときに生ずる気流を下方に導くフ
ィンを設けた場合には、排気効率が高められる。こうし
て、液処理装置内での上昇気流の発生が防止され、被処
理基板上に舞い上がるミストの発生とそのミストの被処
理基板への付着が防止され、被処理基板の品質を高く保
つことが可能となり、ひいては製造歩留まりを向上させ
ることができるという顕著な効果が得られる。また、緩
衝室は液処理装置の周縁部を利用して形成されることか
ら、装置のフットプリントを大きくするものではない。
従って、既存の基板処理システムにおいて、液処理装置
の部分のみを交換または改造して配設することも容易で
ある。
に設けられた窓部やフィンを利用した排出経路と、緩衝
室を利用した排出経路の少なくとも一方を設けることに
よって、ブロー洗浄時に飛散した洗浄液や被処理基板お
よびスピンプレートの回転によって生ずる気流および／
またはミストが、スムーズに液処理装置外へ排出され
る。また、基板を囲繞するように設けられたカップの内
壁に基板を回転させたときに生ずる気流を下方に導くフ
ィンを設けた場合には、排気効率が高められる。こうし
て、液処理装置内での上昇気流の発生が防止され、被処
理基板上に舞い上がるミストの発生とそのミストの被処
理基板への付着が防止され、被処理基板の品質を高く保
つことが可能となり、ひいては製造歩留まりを向上させ
ることができるという顕著な効果が得られる。また、緩
衝室は液処理装置の周縁部を利用して形成されることか
ら、装置のフットプリントを大きくするものではない。
従って、既存の基板処理システムにおいて、液処理装置
の部分のみを交換または改造して配設することも容易で
ある。
【図１】本発明の液処理装置が用いられるレジスト塗布
・現像処理システムの一実施形態を示す平面図。
・現像処理システムの一実施形態を示す平面図。
【図２】本発明の液処理装置に係る洗浄ユニットの一実
施形態を示す平面図および断面図。
施形態を示す平面図および断面図。
【図３】本発明の液処理装置に係る洗浄ユニットの一実
施形態を示す別の平面図および断面図。
施形態を示す別の平面図および断面図。
【図４】本発明の液処理装置に係る洗浄ユニットの一実
施形態を示すさらに別の平面図および断面図。
施形態を示すさらに別の平面図および断面図。
【図５】基板の回転によって生ずる気流および／または
ミストの排出経路の１つを模式的に示す説明図。
ミストの排出経路の１つを模式的に示す説明図。
【図６】図２記載の断面図において上カップを下降させ
た状態を示す断面図および上カップと下カップのシール
部材周りの構造を示す断面図。
た状態を示す断面図および上カップと下カップのシール
部材周りの構造を示す断面図。
【図７】第１排出口におけるミストトラップの配設形態
を示す説明図。
を示す説明図。
【図８】図２記載の断面図において、基板上に洗浄機構
を配置した状態を示す断面図。
を配置した状態を示す断面図。
【図９】本発明の液処理装置に係る洗浄ユニットの別の
実施形態を示す平面図および断面図。
実施形態を示す平面図および断面図。
【図１０】図９記載の洗浄ユニットに配設されたフィン
の構造を示す説明図。
の構造を示す説明図。
１；カセットステーション ２；処理部 ３；インターフェイス部 ２１ａ・２１ｃ；洗浄ユニット（ＳＣＲ） ４１；スピンプレート ４２；支持ピン ４３；保持ピン ５１；隔壁板 ５２；窓部 ５３；フィン ５４；第２排出口 ５５；排気室 ５７；センサ ５８；第１排出口 ６０；処理カップ ６１；上カップ ６２；下カップ ６３；緩衝室 ６７；ミストトラップ ６８；通風口 ７０；スクラブ洗浄装置 １００；レジスト塗布・現像処理システム Ｇ；基板（被処理基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｄ 3/00 Ｂ０８Ｂ 1/00 ４Ｆ０４２ Ｂ０８Ｂ 1/00 3/02 Ｂ ５Ｆ０４６ 3/02 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ 7/30 ５０２ 7/30 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１ 21/30 ５６４Ｃ ５６９Ｆ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 EA05 FA15 2H096 AA25 CA14 GA01 GA21 JA10 3B116 AA02 AA03 AB01 AB08 AB33 AB47 BA03 BB21 BB82 BB83 BB90 BC01 CC03 CD11 CD33 3B201 AA02 AA03 AB01 AB08 AB33 AB47 BA03 BB21 BB82 BB83 BB90 BB92 BC01 CC13 CD11 CD33 4D075 AC64 BB14X CA47 DA06 DB11 DB13 DC22 DC24 EA05 EA45 4F042 AA06 AA07 AA10 CC03 CC06 CC07 CC28 DA01 DB40 DE01 DE09 DF09 DF28 DF32 EB05 EB09 EB23 EB24 EB28 5F046 JA05 JA06 JA08 LA06
Claims (16)
- 【請求項１】 基板に所定の液処理を施す液処理装置で
あって、 基板を載置して保持する保持手段と、 前記基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、 前記保持手段とともに前記基板が面内回転するように回
転させる回転手段と、 前記基板の回転により発生する気流および／またはミス
トを滞留させ、前記気流および／またはミストの巻き上
げと前記基板への拡散を防止する緩衝室と、 を具備することを特徴とする液処理装置。 - 【請求項２】 基板に所定の液処理を施す液処理装置で
あって、 基板を載置して保持する保持手段と、 前記基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、 前記保持手段とともに前記基板が面内回転するように回
転させる回転手段と、 前記基板の周縁を囲繞するように配置された昇降自在な
上カップと固定された下カップとからなる処理カップ
と、 前記処理カップに形成され、前記基板の回転により発生
する気流および／またはミストを滞留させ、前記気流お
よび／またはミストの巻き上げと前記基板への拡散を防
止する緩衝室と、 を具備することを特徴とする液処理装置。 - 【請求項３】 前記緩衝室は、 前記上カップの内周壁と外周壁、および前記内周壁と前
記外周壁に横架された天板と、 前記下カップの外周壁と底板と、 から形成されることを特徴とする請求項２に記載の液処
理装置。 - 【請求項４】 前記上カップを上昇限度位置で静止させ
たときに、前記上カップの外周壁と前記下カップの外周
壁との間がシールされ、 前記上カップが前記上昇限度位置より下方では、前記上
カップの外周壁と前記下カップの外周壁との間に間隙が
生ずることを特徴とする請求項２または請求項３に記載
の液処理装置。 - 【請求項５】 前記上カップの内周壁に沿って上昇する
気流および／またはミストを前記緩衝室へ案内するため
の緩衝室案内部材が、前記上カップの内周壁に配設され
ていることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれ
か１項に記載の液処理装置。 - 【請求項６】 前記緩衝室案内部材の上部に、前記緩衝
室案内部材に沿って上昇する気流および／またはミスト
の飛散を防止する防御壁が設けられていることを特徴と
する請求項５に記載の液処理装置。 - 【請求項７】 前記上カップの内周壁に、前記緩衝室案
内部材に沿って上昇する気流および／またはミストを前
記緩衝室へ導くための通風口が形成されていることを特
徴とする請求項５または請求項６に記載の液処理装置。 - 【請求項８】 前記緩衝室の底面に第１の排出口が形成
されていることを特徴とする請求項１から請求項７のい
ずれか１項に記載の液処理装置。 - 【請求項９】 前記上カップの内周壁に、前記回転手段
の駆動によって生ずる気流および／またはミストを前記
処理カップの下方に導く複数のフィンが配設されている
ことを特徴とする請求項２から請求項８のいずれか１項
に記載の液処理装置。 - 【請求項１０】 前記保持手段の下方に前記回転手段を
囲繞するように傘状の隔壁板が設けられ、 前記隔壁板には複数の窓部が形成され、 前記回転手段の駆動によって生ずる気流および／または
ミストを前記窓部に導くように前記隔壁板上に別のフィ
ンが配設されていることを特徴とする請求項１から請求
項９のいずれか１項に記載の液処理装置。 - 【請求項１１】 基板に所定の液処理を施す液処理装置
であって、 基板を載置して保持する保持手段と、 前記基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、 前記保持手段とともに前記基板が面内回転するように回
転させる回転手段と、 前記保持手段の下部において前記回転手段を囲繞するよ
うに設けられ、複数の窓部が形成された傘状の隔壁板
と、 前記隔壁板に形成された複数の窓部と、 前記回転手段の駆動によって生ずる気流および／または
ミストを前記窓部に導くように前記隔壁板上に配設され
たフィンと、 を具備することを特徴とする液処理装置。 - 【請求項１２】 基板に所定の液処理を施す液処理装置
であって、 基板を載置して保持する保持手段と、 前記基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、 前記保持手段とともに前記基板が面内回転するように回
転させる回転手段と、 前記保持手段の下部において前記回転手段を囲繞するよ
うに設けられ、複数の窓部が形成された傘状の隔壁板
と、 前記隔壁板に形成された複数の窓部と、 前記回転手段の駆動によって生ずる気流および／または
ミストを前記窓部に導くように前記隔壁板上に配設され
た第１のフィンと、 前記基板の周縁を囲繞するように配置された昇降自在な
上カップと固定された下カップとからなる処理カップ
と、 前記回転手段の駆動によって生ずる気流および／または
ミストを前記処理カップの下方に導くように前記上カッ
プの内周壁に配設された複数の第２のフィンと、 を具備することを特徴とする液処理装置。 - 【請求項１３】 前記窓部が形成されている位置に対応
して前記第２のフィンが配設されていることを特徴とす
る請求項１１に記載の液処理装置。 - 【請求項１４】 前記第２のフィンが、一定の間隔で前
記窓部の形成数よりも多く配設されていることを特徴と
する請求項１２または請求項１３に記載の液処理装置。 - 【請求項１５】 前記隔壁板の外周部の下方底面に第２
の排出口が形成されていることを特徴とする請求項１０
から請求項１４のいずれか１項に記載の液処理装置。 - 【請求項１６】 前記隔壁板に、前記基板の保持状態を
検査するセンサが配設されていることを特徴とする請求
項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の液処理装
置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001114835A JP3824057B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-04-13 | 液処理装置 |
| TW090122013A TW529102B (en) | 2000-09-13 | 2001-09-05 | Liquid processing apparatus |
| KR1020010055686A KR100814565B1 (ko) | 2000-09-13 | 2001-09-11 | 액처리장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000277633 | 2000-09-13 | ||
| JP2000-277633 | 2000-09-13 | ||
| JP2001114835A JP3824057B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-04-13 | 液処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164281A true JP2002164281A (ja) | 2002-06-07 |
| JP3824057B2 JP3824057B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=26599832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001114835A Expired - Fee Related JP3824057B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-04-13 | 液処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3824057B2 (ja) |
| KR (1) | KR100814565B1 (ja) |
| TW (1) | TW529102B (ja) |
Cited By (12)
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| JP2008028000A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布装置 |
| JP2008034489A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
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