JP2002158373A - 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 - Google Patents

発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法

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JP2002158373A
JP2002158373A JP2001107515A JP2001107515A JP2002158373A JP 2002158373 A JP2002158373 A JP 2002158373A JP 2001107515 A JP2001107515 A JP 2001107515A JP 2001107515 A JP2001107515 A JP 2001107515A JP 2002158373 A JP2002158373 A JP 2002158373A
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光能 楊
Takuho Chin
澤澎 陳
Chih-Sung Chang
智松 張
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KOKUREN KODEN KAGI KOFUN YUGEN
KOKUREN KODEN KAGI KOFUN YUGENKOSHI
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KOKUREN KODEN KAGI KOFUN YUGEN
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    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光出力効率を改善した発光ダイオード及びそ
の製造方法を開示する。 【解決手段】 本発明は、透過性接着材料の層を用い
て、透過性基板と、光吸収基板を有するLEDエピタキシ
ャル構造体とを接着させる。その後、光吸収基板を取り
除き、透過性基板を有するLEDを形成する。透過性基板
を用いることによって、LEDの光出力効率を大幅に改善
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード(L
ED)チップの構造及び製造方法に関し、特にAlGaInP LED
チップの構造及び製造方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】従来のAlGaInP LEDは、図４に示される
ように二重ヘテロ構造(DH)を有し、これは、n型GaAs基
板３上に形成されたAl組成比が70〜100％のn型（AlxGa
1-x）0.5In0.5P下側クラッド層４、（AlxGa1-x）0.5 In
0.5P活性層５、Al組成比が70〜100％のp型（AlxGa1-x）
0.5In0.5P上側クラッド層６、p型の高エネルギギャップ
のGaAsP，InGaP，AlGaP，GaP又はAlGaAsの電流拡散層７
から構成されている。従来のLED構造の出力波長は、活
性層の組成比を調整することによって変えることがで
き、650nmの赤から555nmの純粋な緑まで作り出すことが
できる。従来のLEDの一つの欠点は、活性層によって作
り出された光がGaAs基板の向かって下側に出力される
と、GaAs基板は小さいエネルギギャップを有するため、
GaAs基板によって光が吸収されてしまうことである。従
って、LEDの光出力の性能が大幅に減少することとな
る。
【０００３】基板による光の吸収を回避するためのいく
つかの従来のLED技術が開示されている。しかしなが
ら、これらの従来技術は、まだ、いくつかの欠点と制限
を有している。例えば、Sugawara等が開示した方法は、
これは、Appl. Phys Lett.Vol.61,1775-1777(1992)で出
版されているが、GaAs基板上に分布ブラッグ反射 (DBR)
層を加え、GaAs基板に向かって下側に出力された光を反
射し、GaAs基板によって吸収される光を減少させる。し
かし、DBR層は、GaAs基板へのノーマル投射付近の光を
反射するだけであるので、効率は非常に大きくはなかっ
た。
【０００４】Kish等は、ウェハ結合透過性基板(TS)(Alx
Ga1-x）0.5In0.5P/GaP発光ダイオードを開示した[Appl.
Phys Lett.Vol.64,No21, 2839(1994); Very high-effi
ciency semiconductor wafer-bonded transparent-subs
trate (AlXGa1-X) 0.5 In0.5P/GaP]。このTSAlGaInP LE
Dは、ハイブリッド気相成長(HVPE)を用いて非常に厚い
(約50μm)p型GaP窓層を成長させることによって製造さ
れた。結合する前に、n型GaAs基板は化学機械研磨及び
エッチング技術を用いて選択的に除去された。その後、
露出されたn型(AlxGa1-x)0.5In0.5Pクラッド層は、8-10
ミルの厚さのn型GaP基板にウェハ結合される。結果とし
てのTS AlGaInP LEDは、吸収基板(AS)AlGaInP LEDと比
べて、光出力において二重の改善を示した。しかしなが
ら、TS AlGaInP LEDの製造工程は複雑過ぎる。従って、
これらのTS AlGaInP LEDを高効率、低コストで製造する
ことは困難である。
【０００５】Horng等は、ウェハ融合技術によって製造
されたミラー基板(MS)AlGaInP/metal/SiO2/Si LEDにつ
いて報告した[Appl. Phys Lett. Vol.75, No.203054(19
99);ウェハ接着によって製造されたミラー基板を用いた
AlGaInP発光ダイオード]。彼等は、AuBe/Auを接着剤と
して用い、Si基板とLEDエピ層を接着した。しかしなが
ら、これらのMS AlGaInP LEDの光強度は、注入電流が20
mAでおよそ90mcdであり、依然としてTS AlGaInP LEDの
光強度より40％低い。
【０００６】
【発明の概要】上記したように、従来のLEDには多くの
不都合があった。従って、本発明は、従来の不都合を解
決したLED構造、及びその製造方法を提供する。
【０００７】本発明は、発光ダイオードを提供する。発
光ダイオード、その発光ダイオードは、光吸収基板上に
形成された複数層AlGaInPエピタキシャル構造体を有す
るLEDエピタキシャル構造体と、透過性基板と、透過性
基板と複数層AlGaInPエピタキシャル構造体とを接着す
るための透過性接着材料の層と、を備える。LEDの活性
層は、シングルへテロ接合(SH)、二重ヘテロ接合(DH)、
多次元量子井戸(MQW)、又は、量子井戸へテロ接合(QWH)
によって構成されることができる。一方、第１と第２の
オーミック接触金属層は、第１と第２の導電型のエピタ
キシャル層にそれぞれ接続されている。その上、第１と
第２のオーミック接触金属層は、両方とも同じ側に位置
している。
【０００８】本発明は、発光ダイオードの製造方法を提
供し、その方法は、光吸収基板上に形成された複数層Al
GaInPエピタキシャル構造体を有するLEDエピタキシャル
構造体を準備するステップと、透過性基板を準備するス
テップと、例えば、SOGやシリコーン等の透過性の接着
材料を用いて透過性基板と複数層のAlGaInPエピタキシ
ャル構造体を接着するステップとを有する。その後、光
吸収基板は取り除かれ、第１導電型のエッチングストッ
プ層が露出され、第１のオーミック接触金属層が例えば
形成される。エッチングステップはまた、第２の導電型
のエピタキシャル層を露出させ、第２のオーミック接触
層を形成する。さらに、第１と第２のオーミック接触金
属層は、同じ側に位置している。
【０００９】本発明の利点は、単純なLED構造、低温で
実行できるLED構造の接着方法を提供し、Ｖ族元素の気
化の問題を回避することである。さらに、透過性基板を
用いることにより、LEDの光出力効率を著しく改善する
ことができる。
【００１０】本発明の利点は単純化された方法であり、
この方法により低コストのガラスを透過性基板の材料と
して用いることができる。従って、高効率のスループッ
トと低コストを達成できる。
【００１１】
【好適実施形態の詳細な説明】本発明は、LED構造とそ
の製造方法を開示し、以下に詳細に説明する。
【００１２】図１を参照すると、本発明に係る発光ダイ
オードのエピタキシャル構造体は、n型GaAs基板２６
と、エッチングストップ層２４と、n型(AlXGa1-X)0.5In
0.5P下側クラッド層２２と、(AlXGa1-X)0.5In0.5P活性
層２０と、p型(AlXGa1-X)0.5In0 .5P上側クラッド層１８
と、p型オーミック接触エピタキシャル層１６とから構
成されている。
【００１３】上記の記述において、p型オーミック接触
エピタキシャル層の材料は、AlGaAs、AlGaInP、又はAlA
sPでよく、材料のエネルギギャップが活性層のそれより
大きく、活性層から発した光が吸収されなければよい。
【００１４】さらに、活性層のAl組成はおよそ0≦x≦0.
45、下側クラッド層のAl組成はおよそ0.5≦x≦1、上側
クラッド層のAl組成はおよそ0.5≦x≦1である。もし、x
=0であれば、活性層の組成はGa0.5In0.5P、LEDの波長λ
は635nmである。
【００１５】上記の記述において、(AlXGa1-X)0.5In0.5
Pなどの化合の割合は好適な例であり、III−Ｖ族半導体
材料のいかなる割合もまた、本発明に適用することがで
きる。さらに、本発明のAlGaInP活性層２０は、SH構
造、DH構造、多次元量子井戸(MQW)構造、又は量子井戸
へテロ構造(QWH)でよい。DH構造は、図１に示されるよ
うに、n型(AlXGa1-X)0.5In0.5P下側クラッド層２２と、
(AlXGa1-X)0.5In0.5P活性層２０と、p型(AlXGa1-X)0.5I
n0.5P上側クラッド層１８とから構成され、ここで下側
クラッド層２２、活性層２０、上側クラッド層１８の好
適な厚さは、それぞれ、およそ0.5〜3.0μm、0.5〜2.0
μm、0.5〜3.0μmである。
【００１６】本発明のエッチングストップ層２４の好適
な材料は、いかなるIII−Ｖ族化合半導体材料でもよ
く、GaAs基板２６と格子が適合してもしなくてもよい。
本発明のエッチングストップ層２４の材料のエッチング
速度は、GaAs基板２６のエッチング速度より非常に小さ
い。例えば、InGaPやAlGaAsはエッチングストップ層２
４の良い候補である。さらに、n型AlGaP下側クラッド層
のエッチング速度は、GaAs基板のエッチング速度より非
常に小さい。従って、異なる組成からなる光エピタキシ
ャル層はエッチングストップ層として用いられるが、下
側クラッド層が十分に厚い場合には、光エピタキシャル
層は必要ない。
【００１７】図２に示すように、構造は、例えばスピン
オンガラス(SOG)などの透過性接着層１４と、透過性基
板(TS)１０とを有する。なお、接着層１４の材料はSOG
に限定されない。ポリイミドやシリコーンなどの似た特
性を有するいかなる接着材料もまた、本発明に適用でき
る。透過性基板は、ガラス、サファイヤウェハ、SiCウ
ェハ、GaPウェハ、GaAsPウェハ、ZnSeウェハ、ZnSウェ
ハ、又はZnSSウェハなどによって構成することができ
る。材料によって吸収される光が小さくなりさえすれ
ば、これらの材料を透過性基板として選択することがで
きる。本発明の一つの利点は、透過性基板が単結晶ウェ
ハである必要がないことである。透過性基板は、エピタ
キシャル層が破壊しないようにLEDエピタキシャル層を
支持するために用いられ、透過性基板に電流は流れな
い。換言すれば、多結晶やアモルファス結晶を基板とし
て用いることができる。これにより、製造コストが著し
く減少する。
【００１８】その後、図１のエピタキシャル層構造を図
２の透過性基板と一緒に接着する。従来の方法に従っ
て、例えば400℃の温度の中で圧力と熱により接着を実
行する。例えば、堆積、気相成長、又はスパッタリング
により、LEDエピタキシャルの表面と透過性基板表面と
にシリコン酸化膜を形成することができ、LEDエピタキ
シャル構造体と透過性基板との接着特性を改善すること
ができる。その後、SOG層を被覆し、そして、例えば400
℃の温度と圧力を一定時間適用し、エピタキシャル構造
体と透過性基板との間の接着を完成させる。さらに良い
接着を提供するために、LEDエピタキシャル構造体とSOG
層によって接着された透過性基板とを、例えば50℃〜30
0℃の低温で熱してSOG層の有機溶媒を取り除くことがで
き、その後、300℃〜700℃の範囲に温度を高め、LEDエ
ピタキシャル構造体、透過性基板、及びSOG層の接着力
を優れたものにすることができる。その後、不透過性の
n型GaAS基板を、5H3PO4:3H2O2:3H2Oや1NH4OH:35H2O2な
どのエッチング液によって取り除く。しかしながら、In
GaPやAlGaAs等のエッチングストップ層は依然として、
活性層から発せられた光を吸収する。従って、エッチン
グストップ層を取り除き、n型オーミック接触金属層と
接触するエッチングストップ層の部分のみを残す必要が
ある。例えばRIEなどのドライエッチング方法を適用
し、n型AlGaInP下側クラッド層、AlGaInP活性層、p型Al
GaInP上側クラッド層を部分的に取り除いて、p型オーミ
ック接触エピタキシャル層をさらに露出させる。その
後、p型オーミック接触金属層２８をp型オーミック接触
エピタキシャル層１６上に形成する。その後、n型オー
ミック接触金属層３０をn型AlGaInP下側クラッド層２２
上に形成し、図３に示されるような、p型とn型のオーミ
ック接触金属層が同じ側に形成されたLED構造を形成す
る。
【００１９】本発明のAlGaInP LEDの波長635nmでの光出
力パワーは、(注入電流20mAで)4mw以上であり、従来の
光吸収基板AlGaInP LEDの光出力パワーより２倍以上大
きい。
【００２０】本発明は、高輝度のAlGaInP LEDに限定さ
れるものではなく、例えば、赤色や赤外線のAlGaAs LED
などの他のLED材料にも適している。図５に示されるエ
ピタキシャル構造体は、本発明の第２実施形態の断面図
である。AlGaAs赤色LED(650nm)は、n型GaAs基板５１、
およそ70〜80％のAl組成で0.5μm〜2μmのn型AlGaAs下
側クラッド層５２、およそ70〜80％のAl組成で0.5μm〜
2μmのp型AlGaAs上側クラッド層５４が積層された構造
を含んでいる。AlGaAs赤色LED構造を、例えばサファイ
ヤなどの透過性基板５６にシリコーン５５によって接着
する。次に、エピタキシャル構造体をNH4OH:H2O2=1.7:1
などのエッチング液によってエッチングし、不透過性の
n型GaAs基板を取り除く。その後、ウェットエッチング
又はドライエッチングを適用してn型AlGaAs下側クラッ
ド層とAlGaAs活性層とを部分的に取り除き、p型AlGaAs
上側クラッド層をさらに露出させる。その後、p型オー
ミック接触金属層５７をp型AlGaAs上側クラッド層５４
上に形成する。次に、n型オーミック接触金属層５８をn
型AlGaAs下側クラッド層５２上に形成し、p型とn型のオ
ーミック接触金属層が同じ側に形成されたLED構造を形
成する。
【００２１】本発明のAlGaAs LEDの光出力パワーは、従
来の吸収基板AlGaAs LEDより２倍以上大きい。本発明の
AlGaAs LEDの波長は650nmであるが、これに限定される
ものではない。
【００２２】このLEDは、透過性基板と、透過性基板の
同じ側に形成されたp型とn型のオーミック金属層を備え
ているので、フリップチップパッケージ方法を適用する
ことができ、従来のワイヤボンディング方法はもはや必
要ではない。これにより、本発明に係る方法によって形
成されたLEDは、より高い信頼性を有する。さらに、透
過性基板は光を吸収しないので、LEDの輝度が改善され
る。さらに、高硬度のサファイヤ、ガラスあるいはSiC
などによって透過性基板を構成することができるので、
破壊することなく基板の厚さを100マイクロメートルま
で薄くすることができ、厚さが薄くてサイズが小さいLE
D構造を製造することができる。
【００２３】本発明の好適な実施形態を例示して説明し
たが、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく様々な
変形をすることが認められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適実施形態に係る発光ダイオードの
製造方法の概略を示す断面図である。
【図２】本発明の好適実施形態に係る発光ダイオードの
製造方法の概略を示す断面図である。
【図３】本発明の好適実施形態に係る発光ダイオードの
製造方法の概略を示す断面図である。
【図４】従来の発光ダイオードの構造の概略を示す断面
図である。
【図５】本発明に係る発光ダイオードの構造の概略を示
す断面図である。
【図６】本発明に係る発光ダイオードの構造の概略を示
す断面図である。
【符号の説明】
３…n型GaAs基板、４…n型（AlxGa1-x）0.5In0.5P下側
クラッド層、５…（AlxGa 1-x）0.5 In0.5P活性層、６…
p型（AlxGa1-x）0.5In0.5P上側クラッド層、７…電流拡
散層、１０…透過性基板(TS)、１４…透過性接着層、１
６…p型オーミック接触エピタキシャル層、１８…p型(A
lXGa1-X)0.5In0.5P上側クラッド層、２０…(AlXGa1-X)
0.5In0.5P活性層、２２…n型(AlXGa1-X)0.5In0.5P下側
クラッド層、２４…エッチングストップ層、２６…n型G
aAs基板、２８…p型オーミック接触金属層、３０…n型
オーミック接触金属層、５１…n型GaAs基板、５２…n型
AlGaAs下側クラッド層、５４…p型AlGaAs上側クラッド
層、５５…シリコーン、５６…透過性基板、５７…p型
オーミック接触金属層、５８…n型オーミック接触金属
層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA04 CA02 CA03 CA04 CA05 CA13 CA34 CA35 CA37 CA38 CA42 CA43 CA44 CA77 DA09

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光吸収基板上に形成された複数層AlGaIn
    Pエピタキシャル構造体を有するLEDエピタキシャル構造
    体と、 透過性基板と、 透過性基板と複数層AlGaInPエピタキシャル構造体とを
    接着するための透過性接着材料と、 を備える発光ダイオード。
  2. 【請求項２】 光吸収基板はGaAsである請求項１に記載
    の発光ダイオード。
  3. 【請求項３】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaInPホモ
    構造である請求項１に記載の発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaInPヘテ
    ロ構造である請求項１に記載の発光ダイオード。
  5. 【請求項５】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaInP二重
    ヘテロ構造である請求項１に記載の発光ダイオード。
  6. 【請求項６】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaInP量子
    井戸である請求項１に記載の発光ダイオード。
  7. 【請求項７】 透過性接着材料はSOGである請求項１に
    記載の発光ダイオード。
  8. 【請求項８】 透過性接着材料はポリイミドである請求
    項１に記載の発光ダイオード。
  9. 【請求項９】 透過性接着材料はシリコーンである請求
    項１に記載の発光ダイオード。
  10. 【請求項１０】 透過性基板とLEDエピタキシャル構造
    体とを接着した後に光吸収基板を取り除くステップをさ
    らに備える請求項１に記載の発光ダイオード。
  11. 【請求項１１】 透過性基板はサファイヤである請求項
    １に記載の発光ダイオード。
  12. 【請求項１２】 透過性基板はガラスである請求項１に
    記載の発光ダイオード。
  13. 【請求項１３】 透過性基板は、GaP又はGaAsPである請
    求項１に記載の発光ダイオード。
  14. 【請求項１４】 透過性基板は、ZnSe、ZnS、又はZnSSe
    である請求項１に記載の発光ダイオード。
  15. 【請求項１５】 透過性基板はSiCである請求項１に記
    載の発光ダイオード。
  16. 【請求項１６】 透過性基板とLEDエピタキシャル構造
    体の表面上に形成されたシリコン酸化層をさらに備える
    請求項１に記載の発光ダイオード。
  17. 【請求項１７】 ５０℃〜３００℃の温度中で加熱及び
    押圧ステップを実行する第１の段階と、３００℃〜７０
    ０℃の温度中で加熱及び押圧ステップを実行する第２の
    段階と、によって透過性基板と複数層AlGaInPエピタキ
    シャル層とが接着されている請求項１に記載の発光ダイ
    オード。
  18. 【請求項１８】 光吸収基板上に形成された複数層AlGa
    Asエピタキシャル構造体を有するLEDエピタキシャル構
    造体を準備するステップと、 透過性基板を準備するステップと、 透過性接着材料を用いて透過性基板と複数層AlGaAsエピ
    タキシャル構造体とを接着するステップと、 を有する発光ダイオードの製造方法。
  19. 【請求項１９】 光吸収基板はGaAsである請求項１８に
    記載の発光ダイオードの製造方法。
  20. 【請求項２０】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaAsホ
    モ構造である請求項１８に記載の発光ダイオードの製造
    方法。
  21. 【請求項２１】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaAsヘ
    テロ構造である請求項１８に記載の発光ダイオードの製
    造方法。
  22. 【請求項２２】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaAs二
    重ヘテロ構造である請求項１８に記載の発光ダイオード
    の製造方法。
  23. 【請求項２３】 LEDエピタキシャル構造体はAlGaAs量
    子井戸である請求項１８に記載の発光ダイオードの製造
    方法。
  24. 【請求項２４】 透過性接着材料はスピンオンガラス(S
    OG)である請求項１８に記載の発光ダイオードの製造方
    法。
  25. 【請求項２５】 透過性接着材料はポリイミドである請
    求項１８に記載の発光ダイオードの製造方法。
  26. 【請求項２６】 透過性接着材料はシリコーンである請
    求項１８に記載の発光ダイオードの製造方法。
  27. 【請求項２７】 透過性基板とLEDエピタキシャル構造
    体とを接着した後に光吸収基板を取り除くステップをさ
    らに備える請求項１８に記載の発光ダイオードの製造方
    法。
  28. 【請求項２８】 透過性基板はサファイヤである請求項
    １８に記載の発光ダイオードの製造方法。
  29. 【請求項２９】 透過性基板はガラスである請求項１８
    に記載の発光ダイオードの製造方法。
  30. 【請求項３０】 透過性基板は、GaP又はGaAsPである請
    求項１８に記載の発光ダイオードの製造方法。
  31. 【請求項３１】 透過性基板は、ZnSe、ZnS、又はZnSSe
    である請求項１８に記載の発光ダイオードの製造方法。
  32. 【請求項３２】 透過性基板はSiCである請求項１８に
    記載の発光ダイオードの製造方法。
  33. 【請求項３３】 透過性基板とLEDエピタキシャル構造
    体の表面上にシリコン酸化層を形成するステップをさら
    に備える請求項１８に記載の発光ダイオードの製造方
    法。
  34. 【請求項３４】 透過性基板と複数層AlGaAsエピタキシ
    ャル層とを接着するステップは、５０℃〜３００℃の温
    度中で加熱及び押圧ステップを実行する第１の段階と、
    ３００℃〜７００℃の温度中で加熱及び押圧ステップを
    実行する第２の段階と、によって実行される請求項１８
    に記載の発光ダイオードの製造方法。
JP2001107515A 2000-11-07 2001-04-05 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 Expired - Lifetime JP3520271B2 (ja)

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
JP2005303080A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Hamamatsu Photonics Kk 半導体発光素子及びその製造方法
JP2005303285A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、その製造方法及びｌｅｄランプ
JP2005317941A (ja) * 2004-03-29 2005-11-10 Showa Denko Kk ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、及びその製造方法
JP2007042664A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US7863630B2 (en) 2005-07-05 2011-01-04 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
WO2011034018A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 昭和電工株式会社 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
WO2014203825A1 (ja) * 2013-06-18 2014-12-24 ローム株式会社 Ｌｅｄ光源モジュール
JP2015216408A (ja) * 2015-09-01 2015-12-03 株式会社東芝 半導体発光装置
JPWO2016079929A1 (ja) * 2014-11-21 2017-06-15 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US10147843B2 (en) 2008-07-24 2018-12-04 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device including a window layer and a light-directing structure

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW550834B (en) * 2002-02-15 2003-09-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and its manufacturing method
TW518771B (en) * 2001-09-13 2003-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED and the manufacturing method thereof
US6777257B2 (en) * 2002-05-17 2004-08-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of fabricating a light emitting device and light emitting device
TW544958B (en) * 2002-07-15 2003-08-01 Epistar Corp Light emitting diode with an adhesive layer and its manufacturing method
TW567618B (en) * 2002-07-15 2003-12-21 Epistar Corp Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof
US7928455B2 (en) * 2002-07-15 2011-04-19 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device and method for forming the same
TW579610B (en) * 2003-01-30 2004-03-11 Epistar Corp Nitride light-emitting device having adhered reflective layer
TWI231054B (en) * 2003-03-13 2005-04-11 Showa Denko Kk Light-emitting diode and its manufacturing method
WO2004082035A1 (en) * 2003-03-13 2004-09-23 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for production thereof
US8999736B2 (en) 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
US7172909B2 (en) * 2003-07-04 2007-02-06 Epistar Corporation Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof
US20050014305A1 (en) * 2003-07-14 2005-01-20 Min-Hsun Hsieh Light emitting diode having an adhesive layer and a manufacturing method thereof
US6806112B1 (en) * 2003-09-22 2004-10-19 National Chung-Hsing University High brightness light emitting diode
CN1871755A (zh) * 2003-10-24 2006-11-29 日本先锋公司 半导体激光装置及制造方法
TWI236837B (en) * 2004-02-20 2005-07-21 Epistar Corp Organic adhesive light emitting element with ohmic metal protrusion
US8067813B2 (en) * 2004-07-01 2011-11-29 Varian Medical Systems Technologies, Inc. Integrated MIS photosensitive device using continuous films
TWI352437B (en) 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
KR101207660B1 (ko) * 2005-02-25 2012-12-03 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 이중 헤테로 접합을 가지는 Ａ1ＧａＡｓ계 발광 다이오드및 그 제조 방법
US7564070B2 (en) * 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
US7915619B2 (en) 2005-12-22 2011-03-29 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
DE102007022947B4 (de) * 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
DE102008039790B4 (de) * 2008-08-26 2022-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101527869B1 (ko) * 2008-11-18 2015-06-11 삼성전자주식회사 발광 소자의 제조 방법
JP5650716B2 (ja) * 2009-04-03 2015-01-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス部品の製造方法、オプトエレクトロニクス部品、および複数のオプトエレクトロニクス部品を有する部品レイアウト
US20130026922A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Osram Sylvania Inc. Apparatus incorporating an optically transmitting circuit board
JP6729275B2 (ja) * 2016-10-12 2020-07-22 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
CN109860364B (zh) * 2017-08-30 2020-09-01 天津三安光电有限公司 发光二极管
CN108550666A (zh) * 2018-05-02 2018-09-18 天津三安光电有限公司 倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
WO2024042416A1 (en) 2022-08-26 2024-02-29 3M Innovative Properties Company Multilayer optical gratings
WO2024042417A1 (en) 2022-08-26 2024-02-29 3M Innovative Properties Company Optical waveguides and methods of making same

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4374314A (en) * 1981-08-17 1983-02-15 Analog Devices, Inc. Laser template trimming of circuit elements
US5145538A (en) * 1986-04-03 1992-09-08 Kabushiki Kaisha Sebun Shiizu Manufacturing Processes for integrated article bearing indicia
US4771016A (en) * 1987-04-24 1988-09-13 Harris Corporation Using a rapid thermal process for manufacturing a wafer bonded soi semiconductor
JP2656785B2 (ja) * 1988-02-24 1997-09-24 日東電工株式会社 光デイスク
US5270259A (en) * 1988-06-21 1993-12-14 Hitachi, Ltd. Method for fabricating an insulating film from a silicone resin using O.sub.
US5270267A (en) * 1989-05-31 1993-12-14 Mitel Corporation Curing and passivation of spin on glasses by a plasma process wherein an external polarization field is applied to the substrate
US5432001A (en) * 1990-01-30 1995-07-11 Trw Inc. Concentrated prepolymer composition useful for forming polyimide articles
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5256599A (en) * 1992-06-01 1993-10-26 Motorola, Inc. Semiconductor wafer wax mounting and thinning process
JP3230638B2 (ja) * 1993-02-10 2001-11-19 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US6570221B1 (en) * 1993-07-27 2003-05-27 Hyundai Electronics America Bonding of silicon wafers
US5724376A (en) * 1995-11-30 1998-03-03 Hewlett-Packard Company Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding
US5917202A (en) * 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
US5656552A (en) * 1996-06-24 1997-08-12 Hudak; John James Method of making a thin conformal high-yielding multi-chip module
JP3304787B2 (ja) * 1996-09-08 2002-07-22 豊田合成株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US6013534A (en) * 1997-07-25 2000-01-11 The United States Of America As Represented By The National Security Agency Method of thinning integrated circuits received in die form
JP2920213B1 (ja) 1998-02-12 1999-07-19 工業技術院長 面型光増幅素子とその製造方法
US6017822A (en) * 1998-09-16 2000-01-25 The United States Of America As Represented By The National Security Agency Method of thinning semiconductor wafer of smaller diameter than thinning equipment was designed for
US6066574A (en) * 1998-11-06 2000-05-23 Advanced Micro Devices, Inc. Hot plate cure process for BCB low k interlevel dielectric
US6258699B1 (en) * 1999-05-10 2001-07-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same
JP3067751U (ja) 1999-05-28 2000-04-11 全新光電科技股▲ふん▼有限公司 透明ガラス或いは石英を永久性基板にした発光ダイオード
DE19926958B4 (de) * 1999-06-14 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht
WO2001009963A1 (fr) * 1999-07-29 2001-02-08 Citizen Electronics Co., Ltd. Diode electroluminescente
US6287882B1 (en) * 1999-10-04 2001-09-11 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a metal-coated reflective permanent substrate and the method for manufacturing the same
DE10017337C2 (de) * 2000-04-07 2002-04-04 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
KR101195311B1 (ko) * 2004-01-07 2012-10-26 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US7719017B2 (en) 2004-01-07 2010-05-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
JPWO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2007-07-26 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP2005303285A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、その製造方法及びｌｅｄランプ
JP2005317941A (ja) * 2004-03-29 2005-11-10 Showa Denko Kk ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、及びその製造方法
JP4689315B2 (ja) * 2004-03-29 2011-05-25 昭和電工株式会社 ｐｎ接合型化合物半導体発光素子、及びその製造方法
US8048700B2 (en) 2004-04-13 2011-11-01 Hamamatsu-shi Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
WO2005101598A1 (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
US7723742B2 (en) 2004-04-13 2010-05-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
JP2005303080A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Hamamatsu Photonics Kk 半導体発光素子及びその製造方法
KR101184775B1 (ko) * 2004-04-13 2012-09-24 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US7863630B2 (en) 2005-07-05 2011-01-04 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
US8217405B2 (en) 2005-07-05 2012-07-10 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
JP2007042664A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP4715370B2 (ja) * 2005-07-29 2011-07-06 信越半導体株式会社 発光素子及びその製造方法
US10147843B2 (en) 2008-07-24 2018-12-04 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device including a window layer and a light-directing structure
JP2011086916A (ja) * 2009-09-15 2011-04-28 Showa Denko Kk 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
WO2011034018A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 昭和電工株式会社 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
WO2014203825A1 (ja) * 2013-06-18 2014-12-24 ローム株式会社 Ｌｅｄ光源モジュール
JPWO2016079929A1 (ja) * 2014-11-21 2017-06-15 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2015216408A (ja) * 2015-09-01 2015-12-03 株式会社東芝 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE10118447C2 (de) 2003-03-13
DE10118447A1 (de) 2002-05-16
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