JP2002155088A - １，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方法 - Google Patents
１，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方法Info
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- JP2002155088A JP2002155088A JP2000350839A JP2000350839A JP2002155088A JP 2002155088 A JP2002155088 A JP 2002155088A JP 2000350839 A JP2000350839 A JP 2000350839A JP 2000350839 A JP2000350839 A JP 2000350839A JP 2002155088 A JP2002155088 A JP 2002155088A
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- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 写真材料、感熱記録材料の原料として用いら
れるトリアゾロチアジアジン化合物を効率よく製造する
方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表されるアシルチオ
カルボヒドラジド化合物と下記一般式（ＩＩ）で表され
るケトン化合物を反応させることを特徴とする下記一般
式（ＩＩＩ）で表される１，２，４−トリアゾロ［３，
４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方
法。 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表す。） 【化２】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表し、Ｒ3はハロゲン原子、炭素数
１〜２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２
０のアリールスルホニルオキシ基を表す。） 【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）に示
されるものと同義である。）
れるトリアゾロチアジアジン化合物を効率よく製造する
方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表されるアシルチオ
カルボヒドラジド化合物と下記一般式（ＩＩ）で表され
るケトン化合物を反応させることを特徴とする下記一般
式（ＩＩＩ）で表される１，２，４−トリアゾロ［３，
４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方
法。 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表す。） 【化２】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表し、Ｒ3はハロゲン原子、炭素数
１〜２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２
０のアリールスルホニルオキシ基を表す。） 【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）に示
されるものと同義である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、写真材料、感熱記
録材料においてカプラーとして用いられるピラゾロトリ
アゾール化合物の原料である１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物を効
率的に製造する製造方法に関する。
録材料においてカプラーとして用いられるピラゾロトリ
アゾール化合物の原料である１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物を効
率的に製造する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］
−１，３，４−チアジアジン化合物等のトリアゾロチア
ジアジン化合物は、特開昭６１−２６００８５号公報お
よび特開平１１−２４０８８５号公報によれば、２−ヒ
ドラジノ−６Ｈ−１，３，４−チアジアジン化合物か
ら、製造されることが報告されている。また、特開昭６
３−１０１３８７号公報および特開平２−１４５５８８
号公報によれば、１−アミノ−２−メルカプト−１，
３，４−トリアゾール化合物から、製造されることが報
告されている。しかしながら、これらの方法による製造
効率は、満足すべきものではなかった。
−１，３，４−チアジアジン化合物等のトリアゾロチア
ジアジン化合物は、特開昭６１−２６００８５号公報お
よび特開平１１−２４０８８５号公報によれば、２−ヒ
ドラジノ−６Ｈ−１，３，４−チアジアジン化合物か
ら、製造されることが報告されている。また、特開昭６
３−１０１３８７号公報および特開平２−１４５５８８
号公報によれば、１−アミノ−２−メルカプト−１，
３，４−トリアゾール化合物から、製造されることが報
告されている。しかしながら、これらの方法による製造
効率は、満足すべきものではなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、写真材料、感熱記録材料の原料として用いられるト
リアゾロチアジアジン化合物を効率よく製造する方法を
提供することである。
は、写真材料、感熱記録材料の原料として用いられるト
リアゾロチアジアジン化合物を効率よく製造する方法を
提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下に示
す本発明の製造方法を提供することにより解決される。
すなわち本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるアシル
チオカルボヒドラジド化合物と下記一般式（ＩＩ）で表
されるケトン化合物を反応させることを特徴とする下記
一般式（ＩＩＩ）で表される１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製
造方法である。
す本発明の製造方法を提供することにより解決される。
すなわち本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるアシル
チオカルボヒドラジド化合物と下記一般式（ＩＩ）で表
されるケトン化合物を反応させることを特徴とする下記
一般式（ＩＩＩ）で表される１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製
造方法である。
【０００５】
【化４】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表す。）
〜２０の芳香族基を表す。）
【０００６】
【化５】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表し、Ｒ3はハロゲン原子、炭素数
１〜２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２
０のアリールスルホニルオキシ基を表す。）
〜２０の芳香族基を表し、Ｒ3はハロゲン原子、炭素数
１〜２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２
０のアリールスルホニルオキシ基を表す。）
【０００７】
【化６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）に示
されるものと同義である。）
されるものと同義である。）
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製
造方法は、少なくとも、アシルチオカルボヒドラジド化
合物とケトン化合物とを原料として反応させるものであ
る。以下、原料および生成物、製造方法について詳細に
説明する。
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製
造方法は、少なくとも、アシルチオカルボヒドラジド化
合物とケトン化合物とを原料として反応させるものであ
る。以下、原料および生成物、製造方法について詳細に
説明する。
【０００９】＜原料＞ （１）アシルチオカルボヒドラジド化合物 本発明に使用されるアシルチオカルボヒドイラジド化合
物としては、下記一般式（Ｉ）で表されるアシルチオカ
ルボヒドラジド化合物が挙げられる。
物としては、下記一般式（Ｉ）で表されるアシルチオカ
ルボヒドラジド化合物が挙げられる。
【００１０】
【化７】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表す。）
〜２０の芳香族基を表す。）
【００１１】一般式（Ｉ）中のＲ1は、メチル基、エチ
ル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等に
代表される炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル
基；フェニル基、ナフチル基等に代表されるアリール
基；ピリジル基等に代表される炭素数５〜２０のヘテロ
芳香族基；を表す。
ル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等に
代表される炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル
基；フェニル基、ナフチル基等に代表されるアリール
基；ピリジル基等に代表される炭素数５〜２０のヘテロ
芳香族基；を表す。
【００１２】ここでＲ1がアルキル基、アリール基また
はヘテロ芳香族基を表す場合には、置換可能な位置に、
ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキル基、アリー
ル基、アミノ基、ニトロ基、アミド基、カルバモイル
基、スルホンアミド基、スルファモイル基等が置換され
ていてもよい。
はヘテロ芳香族基を表す場合には、置換可能な位置に、
ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキル基、アリー
ル基、アミノ基、ニトロ基、アミド基、カルバモイル
基、スルホンアミド基、スルファモイル基等が置換され
ていてもよい。
【００１３】Ｒ1は、好ましくは、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アル
コキシフェニル基、アリールオキシフェニル基、アルキ
ルチオフェニル基、アリールチオフェニル基、ハロゲノ
フェニル基、アルコキシピリジル基を表し、特に好まし
くはメチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アルコキシ
フェニル基、ハロゲノフェニル基、アルコキシピリジル
基を表す。
基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アル
コキシフェニル基、アリールオキシフェニル基、アルキ
ルチオフェニル基、アリールチオフェニル基、ハロゲノ
フェニル基、アルコキシピリジル基を表し、特に好まし
くはメチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アルコキシ
フェニル基、ハロゲノフェニル基、アルコキシピリジル
基を表す。
【００１４】また、アシルチオカルボヒドラジド化合物
は、フリー体だけではなく、塩酸塩、硫酸塩等の形のも
のも使用することができる。さらに、チオカルボヒドラ
ジドと、カルボン酸ハロゲン化物等と、を一般的なアミ
ド化の条件で反応させる方法で合成することもできる。
は、フリー体だけではなく、塩酸塩、硫酸塩等の形のも
のも使用することができる。さらに、チオカルボヒドラ
ジドと、カルボン酸ハロゲン化物等と、を一般的なアミ
ド化の条件で反応させる方法で合成することもできる。
【００１５】本発明で用いられる一般式（Ｉ）で示され
る化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
る化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
【００１６】
【化８】
【００１７】（２）ケトン化合物 本発明に使用されるケトン化合物としては、下記一般式
（ＩＩ）で表されるケトン化合物が挙げられる。
（ＩＩ）で表されるケトン化合物が挙げられる。
【００１８】
【化９】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表し、Ｒ3はハロゲン原子、炭素数
１〜２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２
０のアリールスルホニルオキシ基を表す。）
〜２０の芳香族基を表し、Ｒ3はハロゲン原子、炭素数
１〜２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２
０のアリールスルホニルオキシ基を表す。）
【００１９】一般式（ＩＩ）中のＲ2は、メチル基、エ
チル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等
に代表される炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキ
ル基；フェニル基、ナフチル基等に代表される炭素数５
〜２０のアリール基；ピリジル基等に代表される炭素数
４〜２０のヘテロ芳香族基；を表す。
チル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、オクチル基等
に代表される炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキ
ル基；フェニル基、ナフチル基等に代表される炭素数５
〜２０のアリール基；ピリジル基等に代表される炭素数
４〜２０のヘテロ芳香族基；を表す。
【００２０】ここでＲ2がアルキル基、アリール基また
はヘテロ芳香族基を表す場合には、置換可能な位置に、
ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキル基、アリー
ル基、アミノ基、ニトロ基、アミド基、カルバモイル
基、スルホンアミド基、スルファモイル基等が置換され
ていてもよい。
はヘテロ芳香族基を表す場合には、置換可能な位置に、
ハロゲン原子、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキル基、アリー
ル基、アミノ基、ニトロ基、アミド基、カルバモイル
基、スルホンアミド基、スルファモイル基等が置換され
ていてもよい。
【００２１】Ｒ2は、好ましくは、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アル
コキシフェニル基、アリールオキシフェニル基、アルキ
ルチオフェニル基、アリールチオフェニル基、ハロゲノ
フェニル基、アルコキシピリジル基を表し、特に好まし
くは、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アルコキ
シフェニル基、ハロゲノフェニル基、アルコキシピリジ
ル基を表す。
基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アル
コキシフェニル基、アリールオキシフェニル基、アルキ
ルチオフェニル基、アリールチオフェニル基、ハロゲノ
フェニル基、アルコキシピリジル基を表し、特に好まし
くは、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アルコキ
シフェニル基、ハロゲノフェニル基、アルコキシピリジ
ル基を表す。
【００２２】また、Ｒ3は、ハロゲン原子、炭素数１〜
２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２０の
アリールスルホニルオキシ基を表す。ここで、Ｒ3が炭
素数６〜２０のアリールスルホニルオキシ基を表す場合
には置換可能な位置にハロゲン原子、アルキル基、アル
キルオキシ基等が置換されていてもよい。
２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２０の
アリールスルホニルオキシ基を表す。ここで、Ｒ3が炭
素数６〜２０のアリールスルホニルオキシ基を表す場合
には置換可能な位置にハロゲン原子、アルキル基、アル
キルオキシ基等が置換されていてもよい。
【００２３】Ｒ3は、好ましくは、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼン
スルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基、ア
ルコシキベンゼンスルホニルオキシ基を表わし、特に好
ましくは、塩素原子、臭素原子、ベンゼンスルホニルオ
キシ基、トルエンスルホニルオキシ基を表す。
子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼン
スルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基、ア
ルコシキベンゼンスルホニルオキシ基を表わし、特に好
ましくは、塩素原子、臭素原子、ベンゼンスルホニルオ
キシ基、トルエンスルホニルオキシ基を表す。
【００２４】本発明で用いられる一般式（ＩＩ）で示さ
れる化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限
定されるものではない。
れる化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限
定されるものではない。
【００２５】
【化１０】
【００２６】＜製造方法＞まず、用いる反応物の量比に
ついて説明する。ケトン化合物はアシルチオカルボヒド
ラジド化合物に対して、０．９〜１．２当量の範囲で用
いられる。ケトン化合物の使用量が０．９当量より少な
いと、生成物である１，２，４−トリアゾロ［３，４−
ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物にアシルチオカ
ルボヒドラジド化合物由来の不純物が混入し、純度が低
下することがある。ケトン化合物の使用量が１．２当量
より多いと生成物である１，２，４−トリアゾロ［３，
４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物にケトン化
合物由来の不純物が混入し、純度が低下することがあ
る。
ついて説明する。ケトン化合物はアシルチオカルボヒド
ラジド化合物に対して、０．９〜１．２当量の範囲で用
いられる。ケトン化合物の使用量が０．９当量より少な
いと、生成物である１，２，４−トリアゾロ［３，４−
ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物にアシルチオカ
ルボヒドラジド化合物由来の不純物が混入し、純度が低
下することがある。ケトン化合物の使用量が１．２当量
より多いと生成物である１，２，４−トリアゾロ［３，
４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物にケトン化
合物由来の不純物が混入し、純度が低下することがあ
る。
【００２７】反応に使用される溶媒は、１−ブタノー
ル、イソプロパノール、２−ブタノール、１−ペンタノ
ール、シクロヘキサノール、エチレングリコール等に代
表される炭素数１〜８のアルコール化合物、酢酸、プロ
ピオン酸に代表される炭素数１〜５のカルボン酸化合
物、アセトニトリル、プロピオニトリルに代表される炭
素数２〜５のニトリル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに代表される炭
素数３〜８のアミド化合物、ジメチルスルホキシドに代
表される炭素数２〜６のスルホキシド化合物、スルホラ
ンに代表される炭素数２〜６のスルホン化合物、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンに代表される炭素数４〜１０
のエーテル化合物、酢酸エチル、酢酸ブチルに代表され
る炭素数４〜１０のエステル化合物、ベンゼン、トルエ
ンに代表される炭素数６〜１０の炭化水素化合物等であ
る。
ル、イソプロパノール、２−ブタノール、１−ペンタノ
ール、シクロヘキサノール、エチレングリコール等に代
表される炭素数１〜８のアルコール化合物、酢酸、プロ
ピオン酸に代表される炭素数１〜５のカルボン酸化合
物、アセトニトリル、プロピオニトリルに代表される炭
素数２〜５のニトリル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに代表される炭
素数３〜８のアミド化合物、ジメチルスルホキシドに代
表される炭素数２〜６のスルホキシド化合物、スルホラ
ンに代表される炭素数２〜６のスルホン化合物、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンに代表される炭素数４〜１０
のエーテル化合物、酢酸エチル、酢酸ブチルに代表され
る炭素数４〜１０のエステル化合物、ベンゼン、トルエ
ンに代表される炭素数６〜１０の炭化水素化合物等であ
る。
【００２８】ここで用いる溶媒は、２５℃における比誘
電率が５以上のものが好ましい。ベンゼン等の比較的低
誘電率の溶媒も用いることもできるが、反応時間が長く
なる傾向がある。好ましくは、メタノール、エタノー
ル、２−プロパノール、アセトニトリル、テトラヒドロ
フラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン
が用いられ、特に好ましくは、メタノール、２−プロパ
ノール、アセトニトリル、テトラヒドロフランが用いら
れる。
電率が５以上のものが好ましい。ベンゼン等の比較的低
誘電率の溶媒も用いることもできるが、反応時間が長く
なる傾向がある。好ましくは、メタノール、エタノー
ル、２−プロパノール、アセトニトリル、テトラヒドロ
フラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン
が用いられ、特に好ましくは、メタノール、２−プロパ
ノール、アセトニトリル、テトラヒドロフランが用いら
れる。
【００２９】溶媒の使用量は、用いるアシルチオカルボ
ヒドラジド化合物の濃度が１．０〜５．０ｍｏｌ／リッ
トルとなるようにするのが好ましい。これより濃度が高
いと、反応液が粘ちょうになり攪拌が困難になることが
あり好ましくない。またこれより濃度が低いと、生産性
の低下が問題となる場合がある。
ヒドラジド化合物の濃度が１．０〜５．０ｍｏｌ／リッ
トルとなるようにするのが好ましい。これより濃度が高
いと、反応液が粘ちょうになり攪拌が困難になることが
あり好ましくない。またこれより濃度が低いと、生産性
の低下が問題となる場合がある。
【００３０】反応は、まず、所定量のアシルチオカルボ
ヒドラジド化合物とケトン化合物とを混合した後に、
０．５〜１２時間、２０〜６０℃で加熱攪拌して行うの
が好ましい。このとき、あらかじめ上記温度に加熱して
おいたアシルチオカルボヒドラジド化合物の溶液に、ケ
トン化合物を滴下してもよい。滴下時間は５秒〜１時間
とするのが好ましい。
ヒドラジド化合物とケトン化合物とを混合した後に、
０．５〜１２時間、２０〜６０℃で加熱攪拌して行うの
が好ましい。このとき、あらかじめ上記温度に加熱して
おいたアシルチオカルボヒドラジド化合物の溶液に、ケ
トン化合物を滴下してもよい。滴下時間は５秒〜１時間
とするのが好ましい。
【００３１】加熱攪拌して反応させた後、さらに、０．
５〜１２時間、６０〜１２０℃で加熱攪拌する。一般的
に反応温度が高ければ短時間で反応は終了する。その
後、溶媒を留去し、室温まで冷却して、１，２，４−ト
リアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化
合物が得られる。
５〜１２時間、６０〜１２０℃で加熱攪拌する。一般的
に反応温度が高ければ短時間で反応は終了する。その
後、溶媒を留去し、室温まで冷却して、１，２，４−ト
リアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化
合物が得られる。
【００３２】このような方法によれば、従来の製造方法
よりも、高収率、短工程である点で優れるため、効率良
く、１，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，
４−チアジアジン化合物が得られる
よりも、高収率、短工程である点で優れるため、効率良
く、１，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，
４−チアジアジン化合物が得られる
【００３３】＜生成物＞上記製造方法により、一般式
（ＩＩＩ）で示される１，２，４−トリアゾロ［３，４
−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物が得られる。
（ＩＩＩ）で示される１，２，４−トリアゾロ［３，４
−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物が得られる。
【００３４】
【化１１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）に示
されるものと同義である。）
されるものと同義である。）
【００３５】以下に、一般式（ＩＩＩ）で示される１，
２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チア
ジアジン化合物の具体例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チア
ジアジン化合物の具体例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
【００３６】
【化１２】
【００３７】
【化１３】
【００３８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示すが、本発明は
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
【００３９】（実施例１）一般式（Ｉ−１１）で表わさ
れるアシルチオカルボヒドラジド化合物３．０ｇをテト
ラヒドロフラン２０ｍｌに溶解し、溶液の温度を４０℃
に保持した。一般式（ＩＩ―４）で表わされるケトン化
合物１．１ｇを溶液に滴下し、２時間撹拌した。さらに
加熱して７０℃に保持し、４時間環流した。反応終了
後、溶媒１５ｍｌを留去し、室温まで冷却した。このと
き、アセトニトリル３０ｍｌを加えて冷却すると結晶が
析出した。析出した結晶を濾過、乾燥し、一般式（ＩＩ
Ｉ−２１）で表わされる１，２，４−トリアゾロ［３，
４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物２．５ｇを
収率７４％で得た。
れるアシルチオカルボヒドラジド化合物３．０ｇをテト
ラヒドロフラン２０ｍｌに溶解し、溶液の温度を４０℃
に保持した。一般式（ＩＩ―４）で表わされるケトン化
合物１．１ｇを溶液に滴下し、２時間撹拌した。さらに
加熱して７０℃に保持し、４時間環流した。反応終了
後、溶媒１５ｍｌを留去し、室温まで冷却した。このと
き、アセトニトリル３０ｍｌを加えて冷却すると結晶が
析出した。析出した結晶を濾過、乾燥し、一般式（ＩＩ
Ｉ−２１）で表わされる１，２，４−トリアゾロ［３，
４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物２．５ｇを
収率７４％で得た。
【００４０】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3） δ：０．８５
（３Ｈ，ｔ）、１．２３−１．３５（１２Ｈ，ｍ）、
１．３５（９Ｈ，ｓ）、１．３８−１．５０（２Ｈ，
ｍ）、１．７３−１．８４（２Ｈ，ｍ）、３．５２（２
Ｈ，ｓ）、３．９８（２Ｈ，ｔ）、７．０７（１Ｈ，ｄ
ｄ）、７．３９（１Ｈ，ｔ）、７．７５（ｄ，１Ｈ）、
７．７８（ｄ，１Ｈ）
（３Ｈ，ｔ）、１．２３−１．３５（１２Ｈ，ｍ）、
１．３５（９Ｈ，ｓ）、１．３８−１．５０（２Ｈ，
ｍ）、１．７３−１．８４（２Ｈ，ｍ）、３．５２（２
Ｈ，ｓ）、３．９８（２Ｈ，ｔ）、７．０７（１Ｈ，ｄ
ｄ）、７．３９（１Ｈ，ｔ）、７．７５（ｄ，１Ｈ）、
７．７８（ｄ，１Ｈ）
【００４１】（実施例２）一般式（Ｉ−８）で表わされ
るアシルチオカルボヒドラジド化合物２．０ｇをアセト
ニトリル２０ｍｌに分散し、溶液の温度を４０℃に保持
した。一般式（ＩＩ―４）で表わされるケトン化合物
１．１ｇを滴下し、２時間撹拌した。さらに加熱して、
８５℃に保持し、３時間環流した。反応終了後、溶媒１
０ｍｌを留去し、室温まで冷却すると結晶が析出した。
析出した結晶を濾過、乾燥し、一般式（ＩＩＩ−１３）
で表わされる１，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−
１，３，４−チアジアジン化合物２．０ｇを収率７８％
で得た。
るアシルチオカルボヒドラジド化合物２．０ｇをアセト
ニトリル２０ｍｌに分散し、溶液の温度を４０℃に保持
した。一般式（ＩＩ―４）で表わされるケトン化合物
１．１ｇを滴下し、２時間撹拌した。さらに加熱して、
８５℃に保持し、３時間環流した。反応終了後、溶媒１
０ｍｌを留去し、室温まで冷却すると結晶が析出した。
析出した結晶を濾過、乾燥し、一般式（ＩＩＩ−１３）
で表わされる１，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−
１，３，４−チアジアジン化合物２．０ｇを収率７８％
で得た。
【００４２】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3） δ：１．３５
（９Ｈ，ｓ）、２．９８−３．１５（４Ｈ，ｍ）、３．
５０（２Ｈ，ｓ）、７．１５−７．３０（ｍ，５Ｈ）
（９Ｈ，ｓ）、２．９８−３．１５（４Ｈ，ｍ）、３．
５０（２Ｈ，ｓ）、７．１５−７．３０（ｍ，５Ｈ）
【００４３】（比較例１）特開平１１−２４０８８５号
公報に記載の方法に準じて、１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物を製
造した。
公報に記載の方法に準じて、１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物を製
造した。
【００４４】具体的には、アセトニトリル１００ｍｌ
中、５−ｔ−ブチル−２−ヒドラジノ−６Ｈ−［１，
３，４］チアジアジン塩酸塩（１７．４ｇ）、３−ドデ
シルオキシ安息香酸クロリド（２３ｇ）およびオキシ塩
化リン（２４ｇ）の混合物を３時間、８５℃に加熱し
た。不溶性物質を濾別して、透明溶液を真空中で濃縮し
てオイルを得た。このオイルを酢酸エチルに溶解し、有
機溶液を調製した。調製した有機溶液を炭酸カリウム水
溶液（１０ｇ／２００ｍｌ）で洗浄した。その後、有機
層を水洗し、乾燥し、濃縮すると半固体が得られた。ア
セトニトリルを使用して再結晶し、乾燥して、一般式
（ＩＩＩ−１３）で表わされる１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物１９
ｇを収率５８％で得た。
中、５−ｔ−ブチル−２−ヒドラジノ−６Ｈ−［１，
３，４］チアジアジン塩酸塩（１７．４ｇ）、３−ドデ
シルオキシ安息香酸クロリド（２３ｇ）およびオキシ塩
化リン（２４ｇ）の混合物を３時間、８５℃に加熱し
た。不溶性物質を濾別して、透明溶液を真空中で濃縮し
てオイルを得た。このオイルを酢酸エチルに溶解し、有
機溶液を調製した。調製した有機溶液を炭酸カリウム水
溶液（１０ｇ／２００ｍｌ）で洗浄した。その後、有機
層を水洗し、乾燥し、濃縮すると半固体が得られた。ア
セトニトリルを使用して再結晶し、乾燥して、一般式
（ＩＩＩ−１３）で表わされる１，２，４−トリアゾロ
［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物１９
ｇを収率５８％で得た。
【００４５】実施例１および２では、比較例１に比べ、
少ない工程で、かつ、高収率で、１，２，４−トリアゾ
ロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物を
製造することができた。
少ない工程で、かつ、高収率で、１，２，４−トリアゾ
ロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物を
製造することができた。
【００４６】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、写真材料、
感熱記録材料の原料として用いられるトリアゾロチアジ
アジン化合物を効率よく製造することができる。
感熱記録材料の原料として用いられるトリアゾロチアジ
アジン化合物を効率よく製造することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表されるアシルチオ
カルボヒドラジド化合物と下記一般式（ＩＩ）で表され
るケトン化合物を反応させることを特徴とする下記一般
式（ＩＩＩ）で表される１，２，４−トリアゾロ［３，
４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方
法。 【化１】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表す。） 【化２】 （式中、Ｒ2は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４
〜２０の芳香族基を表し、Ｒ3はハロゲン原子、炭素数
１〜２０のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２
０のアリールスルホニルオキシ基を表す。） 【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）に示
されるものと同義である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350839A JP2002155088A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | １，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000350839A JP2002155088A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | １，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002155088A true JP2002155088A (ja) | 2002-05-28 |
Family
ID=18823996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000350839A Pending JP2002155088A (ja) | 2000-11-17 | 2000-11-17 | １，２，４−トリアゾロ［３，４−ｂ］−１，３，４−チアジアジン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002155088A (ja) |
-
2000
- 2000-11-17 JP JP2000350839A patent/JP2002155088A/ja active Pending
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