JP2002151263A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number
JP2002151263A
JP2002151263A JP2000339603A JP2000339603A JP2002151263A JP 2002151263 A JP2002151263 A JP 2002151263A JP 2000339603 A JP2000339603 A JP 2000339603A JP 2000339603 A JP2000339603 A JP 2000339603A JP 2002151263 A JP2002151263 A JP 2002151263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
organic
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000339603A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3548841B2 (ja
Inventor
Tatsu Azumaguchi
東口  達
Hitoshi Ishikawa
石川  仁志
Hiroshi Tada
多田  宏
Atsushi Oda
小田  敦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000339603A priority Critical patent/JP3548841B2/ja
Priority to US09/985,657 priority patent/US6746784B2/en
Publication of JP2002151263A publication Critical patent/JP2002151263A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3548841B2 publication Critical patent/JP3548841B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光特性に優れた有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を提供する。 【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子において、少なくとも一層の有機薄膜層が、下記一
般式[A]で表される特定の化合物を単独で、もしくは
混合物として含有する。 【化1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光特性に優れた
有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【0002】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子(以
下、「有機EL素子」と略記することもある。)は、電
界印加時に、陽極より注入された正孔と陰極より注入さ
れた電子との再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光
する原理を利用した自発光素子である。
【0003】イーストマン・コダック社のC.W.Ta
ngらによって積層型素子による低電圧駆動有機EL素
子の報告(C.W.Tang, S.A.VanSlyke, Applied Physics
Letters,51巻,913頁、1987年など)がなさ
れて以来、有機材料を構成材料とする有機EL素子に関
する研究が盛んに行われている。
【0004】Tangらは、トリス(8−ヒドロキシキ
ノリノールアルミニウム)を発光層に、トリフェニルジ
アミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利
点としては、発光層への正孔の注入効率を高めることが
できる、陰極より注入された電子をブロックして再結合
により生成する励起子の生成効率を高めることができ
る、発光層内で生成した励起子を閉じこめることができ
る等を挙げることができる。この例のように、有機EL
素子の素子構造としては、正孔輸送(注入)層、電子輸
送性発光層の2層型、又は正孔輸送(注入)層、発光
層、電子輸送(注入)層の3層型等がよく知られてい
る。こうした積層構造型の有機EL素子では、注入され
た正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や各
層の形成方法の工夫がなされている。また、材料に関し
ても様々な化合物が有機EL素子用材料として開発され
ている。
【0005】正孔輸送性材料としてはスターバースト分
子である4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニル
フェニルアミノ)トリフェニルアミンやN,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−
[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン等のト
リフェニルアミン誘導体や芳香族ジアミン誘導体がよく
知られている(例えば、特開平8−20771号公報、
特開平8−40995号公報、特開平8−40997号
公報、特開平8−53397号公報、特開平8−871
22号公報等)。また、電子輸送性材料としてはオキサ
ジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等がよく知られ
ている。
【0006】また、発光材料としては、トリス(8−キ
ノリノラート)アルミニウム錯体等のキレート錯体、ク
マリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビス
スチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等
の発光材料が知られ、それらの発光色も青色から赤色ま
での可視領域の発光が得られることが報告されており、
カラー表示素子の実現が期待されている(例えば、特開
平8−239655号公報、特開平7−138561号
公報、特開平3−200289号公報等)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の他にも多数の有
機エレクトロルミネッセンス素子用材料が報告されてい
るが、特定の化合物において、分子間の相互作用が強す
ぎるために、成膜に使用できるプロセスに制限があると
いう問題があった。また、こうした分子間相互作用の強
い材料を発光材料として用いた場合、濃度消光による発
光輝度の低下が見られ、充分な発光輝度、発光効率が得
られないという問題点があった。
【0008】そこで、本発明はこのような事情に鑑みて
なされたものであり、成膜プロセスに制限がなく、かつ
充分な発光輝度、発光効率が得られ、発光特性に優れた
有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために鋭意検討した結果、特定のジアリールア
ミノ基、具体的にはシクロヘキシリデンメチン基を有す
るビス(ジアリールアミノ)アリーレン化合物は、シク
ロヘキシリデンメチン基がもたらす立体障害の効果によ
り分子間相互作用が弱められるため、成膜時のプロセス
に関する制限を解決し、かつ発光材料として用いた場合
にも濃度消光をおこさず発光特性が向上することを見出
し、以下の本発明のエレクトロルミネッセンス素子を発
明するに到った。
【0010】本発明の第1の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子は、陽極と陰極間に、発光層を含む一層又は複
数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が下
記一般式[A]で表される化合物を単独で、もしくは混
合物として含有することを特徴とする。
【0011】
【化3】 (但し、式[A]中、Ar1は炭素数5から42の置換
もしくは無置換の芳香族炭化水素基あるいは置換もしく
は無置換の芳香族複素環基を表し、Ar2〜Ar5はそれ
ぞれ独立に炭素数6から20の置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基あるいは置換もしくは無置換の芳香族複
素環基を表す。また、X1及びX2はそれぞれ独立に二価
の連結基を表す。また、R1〜R20はそれぞれ独立に水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアミノ
基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアル
キル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の
芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、
置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは
無置換のアルコキシカルボニル基を表し、R1〜R10
びR11〜R20はそれらのうちの2つで環を形成してもよ
い。また、Ar2とAr3、Ar4とAr5はお互い環を形
成してもよい。) また、前記一般式[A]において、X1及びX2で表され
る連結基の少なくとも1つが、置換もしくは無置換のス
チリル基であることが望ましい。
【0012】本発明の第2の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子は、陽極と陰極間に、発光層を含む一層又は複
数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が下
記一般式[B]で表される化合物を単独で、もしくは混
合物として含有することを特徴とする。
【0013】
【化4】 (但し、式[B]中、Ar1は炭素数5から42の置換
もしくは無置換の芳香族炭化水素基あるいは置換もしく
は無置換の芳香族複素環基を表し、Ar2〜Ar5はそれ
ぞれ独立に炭素数6から20の置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基あるいは置換もしくは無置換の芳香族複
素環基を表す。また、R21からR76はそれぞれ独立に水
素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアミノ
基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアル
キル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の
芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、
置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは
無置換のアルコキシカルボニル基を表し、R21〜R30
31〜R40、R41〜R50、R51〜R60及びR61〜R76
それらのうちの2つで環を形成してもよい。また、Ar
2とAr3、Ar4とAr5はお互い環を形成してもよ
い。)
【0014】また、上記本発明の第1、第2の有機エレ
クトロルミネッセンス素子において、前記発光層が前記
一般式[A]又は前記一般式[B]で表される化合物を
単独で、もしくは混合物として含有することを特徴とす
る。
【0015】また、本発明の上記一般式[A]又は一般
式[B]で表される化合物は優れた電荷輸送特性を有し
ており、これを電子輸送材料として用いた場合にも優れ
た発光特性を有することを見出した。したがって、前記
有機薄膜層として電子輸送層を有する場合には、電子輸
送層に前記一般式[A]又は前記一般式[B]で表され
る化合物を単独で、もしくは混合物として含有させる構
成としても良い。
【0016】また、本発明の上記一般式[A]又は一般
式[B]で表される化合物は優れた電荷輸送特性を有し
ており、これを正孔輸送材料として用いた素子は優れた
発光特性を有することを見出した。したがって、前記有
機薄膜層として正孔輸送層を有する場合には、正孔輸送
層に前記一般式[A]又は前記一般式[B]で表される
化合物を単独で、もしくは混合物として含有させる構成
としても良い。
【0017】また、前記陰極に隣接する前記有機薄膜層
が、前記陰極との界面に、金属を含有することが望まし
く、このような構成にすることにより、より優れた発光
特性を得ることができることを見出した。また、本発明
は、特に発光層が陽極に隣接している場合に有効であ
り、より優れた発光特性を得ことができることを見出し
た。
【0018】また、本発明の化合物を用い、発光層が陽
極に隣接する構造の素子においては、有機薄膜層の形成
前に、陽極に波長200nm未満の紫外線照射処理、あ
るいは酸素プラズマ処理を施すことにより、より優れた
発光特性を得ることができることを見出した。したがっ
て、発光層が陽極に隣接する構造の素子においては、前
記陽極を、波長200nm未満の紫外線照射処理を施し
た陽極、あるいは酸素プラズマ処理を施した陽極により
構成することが望ましい。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の第1の化合物は、下記一般式[A]で表される
構造を有する化合物である。
【化5】
【0020】また、本発明の第2の化合物は、下記一般
式[B]で表される構造を有する化合物である。
【化6】
【0021】上記一般式[A]、[B]において、Ar
1は炭素数5〜42の置換もしくは無置換の芳香族炭化
水素基または置換もしくは無置換の芳香族複素環基を示
す。例としては、ナフチル基、アントラニル基、ペリレ
ニレン基、1:2ベンゾペリレニレン基、1:2:7:
8ジベンゾペリレニレン基、1:2:11:12ジベン
ゾペリレニレン基、テリレニレン基、ペンタセニレン
基、ビスアンスレニレン基、10,10’−(9,9’
−ビアンスリル)イレン基、4,4’-(1,1’−ビナ
フチル)イレン基、4,10’-(1,9’−ナフチルア
ンスリル)イレン基、一般式−Ar6−Ar7−Ar8−で
表される2価基(但し、Ar6〜Ar8はそれぞれナフチ
ル基またはアントラニル基の何れかを示す。)、及びフ
ェナントレン、ピレン、ビフェニル、ターフェニル等の
芳香族炭化水素あるいは縮合多環式炭化水素、カルバゾ
ール、ピロール、チオフェン、フラン、イミダゾール、
ピラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾール、ピリ
ジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、フラザン、
チアンスレン、イソベンゾフラン、フェノキサジン、イ
ンドリジン、インドール、イソインドール、1H−イン
ダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、フタラジ
ン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノ
リン、プテリジン、カルバゾール、β−カルバゾリン、
フェナンスリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナン
トロリン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジ
ン等の複素環化合物あるいは縮合複素環化合物の水素原
子を2個除いた二価の基及びそれらの誘導体が挙げられ
る。
【0022】Ar2〜Ar5は、それぞれ独立に置換もし
くは無置換の炭素数6〜20の芳香族炭化水素基あるい
は置換もしくは無置換の炭素数4〜20の芳香族複素環
基を示す。炭素数6〜20の芳香族炭化水素基の例とし
ては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナ
ントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基等が挙げられ
る。炭素数4〜20の芳香族複素環基の例としては、ピ
ロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、インドリル
基、イソインドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
キノリル基、フェナンスリジニル基等が挙げられる。
【0023】また、Ar1〜Ar8の有する置換基として
は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ
基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換も
しくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアル
ケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置
換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換
の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素
環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしく
は無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基が挙げられる。
【0024】上記一般式[A]において、X1及びX2
2価の連結基を表す。連結基の例としては、単結合の
他、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、
置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは
無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭
化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換
もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換の
アリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカ
ルボニル基、置換もしくは無置換のスチリル基から、さ
らに水素原子を1つ取り除いて得られる二価基が挙げら
れる。特に、X1及びX2で表される連結基の少なくとも
1つが、置換もしくは無置換のスチリル基であることが
望ましい。
【0025】上記一般式[A]、[B]において、R1
〜R20、R21〜R76は、それぞれ独立に水素原子、ハロ
ゲン原子、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしく
は無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニ
ル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換も
しくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環
基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは
無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアル
コキシカルボニル基を表し、R1〜R10、R11〜R20
21〜R30、R31〜R40、R41〜R50、R51〜R60、R
61〜R76はそれらのうちの2つで環を形成してもよい。
【0026】ここに、ハロゲン原子の例としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ
る。置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブ
チル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−
ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル
基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル
基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロ
ロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモ
エチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモ
エチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−
ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨー
ドエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨー
ドエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3
−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−
シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジ
シアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、
2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2
−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル
基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。
【0027】置換若しくは無置換のアルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニ
ル基、3−ブテニル基、1,3−ブタンジエニル基、1
−メチルビニル基、スチリル基、2,2−ジフェニルビ
ニル基、1,2−ジフェニルビニル基、1−メチルアリ
ル基、1,1−ジメチルアリル基、2−メチルアリル
基、1−フェニルアリル基、2−フェニルアリル基、3
−フェニルアリル基、3,3−ジフェニルアリル基、
1,2−ジメチルアリル基、1−フェニル−1−ブテニ
ル基、3−フェニル−1−ブテニル基等が挙げられる。
【0028】置換若しくは無置換のシクロアルキル基と
しては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシ
ル基等が挙げられる。
【0029】置換若しくは無置換のアルコキシ基は、一
般式−OYで表される基であり、Yとしては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブ
チル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−
ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル
基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル
基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロ
ロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモ
エチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモ
エチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−
ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨー
ドエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨー
ドエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3
−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−
シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジ
シアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、
2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2
−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル
基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。
【0030】置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基の
例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチ
ル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アン
トリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル
基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9
−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタ
セニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−
ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、
3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−タ
ーフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル
基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル
−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−タ
ーフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル
基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−
(2−フェニルプロピル)フェニル基、3-メチル−2−
ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル
−1−アントリル基、4'−メチルビフェニルイル基、
4''−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が
挙げられる。
【0031】また、置換若しくは無置換の芳香族複素環
基としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピ
ロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリ
ジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−
インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、
5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル
基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3
−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソ
インドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインド
リル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラ
ニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル
基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7
−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−
イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5
−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、
7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノ
リル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリ
ル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノ
リル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5
−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノ
リル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、
5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カ
ルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル
基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フ
ェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−
フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6
−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、
8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル
基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル
基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−ア
クリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナン
スロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3
−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、
1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェ
ナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン
−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル
基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8
−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンス
ロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−
イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,
8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナン
スロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9
−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、
1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェ
ナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン
−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル
基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−
フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロ
リン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−
イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、
1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−
フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンス
ロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−
イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,
9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナン
スロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6
−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、
2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェ
ナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリ
ン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル
基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−
フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロ
リン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イ
ル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8
−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナン
スロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3
−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、
2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェ
ナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン
−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル
基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フ
ェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジ
ニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニ
ル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニ
ル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル
基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル
基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、
4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサ
ジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニ
ル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピ
ロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル
基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロ
ール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、
3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール
−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−
t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニル
プロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−イ
ンドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチ
ル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル
基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル
1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、
4−t−ブチル3−インドリル基、等が挙げられる。
【0032】置換若しくは無置換のアラルキル基として
は、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニル
エチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニル
イソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチ
ルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフ
チルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−
α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、
1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル
基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチ
ルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−
ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチ
ルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベン
ジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル
基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o
−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨー
ドベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシ
ベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキ
シベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベン
ジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル
基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p
−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シア
ノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロ
ピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が
挙げられる。
【0033】置換若しくは無置換のアリールオキシ基
は、一般式−OZで表され、Zとしてはフェニル基、1
−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2
−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリ
ル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、
4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナ
フタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル
基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル
基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4
−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、
p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2
−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフ
ェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、
o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−
ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェ
ニル基、3-メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−
ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4'−メ
チルビフェニルイル基、4''−t−ブチル−p−ターフ
ェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル
基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル
基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インド
リル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−イ
ンドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル
基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5
−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソ
インドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベン
ゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラ
ニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル
基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル
基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニ
ル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラ
ニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、
3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6
−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−
イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリ
ル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−
イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリ
ニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル
基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カ
ルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリ
ジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンス
リジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナン
スリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナ
ンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フ
ェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリ
ジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、
9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−
イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,
7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナン
スロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6
−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、
1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェ
ナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリ
ン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル
基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−
フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロ
リン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イ
ル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8
−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナン
スロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3
−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、
1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェ
ナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン
−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル
基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,1
0−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナ
ンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン
−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル
基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−
フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロ
リン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イ
ル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9
−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンス
ロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10
−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、
2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェ
ナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン
−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル
基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−
フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロ
リン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−
イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,
7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナン
スロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6
−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、
2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェ
ナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2
−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェ
ノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノ
チアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキ
サジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサ
ジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、
5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オ
キサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル
基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル
基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロ
ール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、
3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール
−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−
メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール
−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール
−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メ
チル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル
基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1
−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2
−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−イ
ンドリル基等が挙げられる。
【0034】置換若しくは無置換のアルコキシカルボニ
ル基は、一般式−COOYで表され、Yとしてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブ
チル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−
ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル
基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル
基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロ
ロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモ
エチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモ
エチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−
ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨー
ドエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨー
ドエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3
−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−
シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジ
シアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、
2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2
−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル
基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。
【0035】また、環を形成する2価基の例としては、
テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン
基、ジフェニルメタン−2,2'−ジイル基、ジフェニ
ルエタン−3,3'−ジイル基、ジフェニルプロパン−
4,4'−ジイル基等が挙げられる。
【0036】置換もしくは無置換のアミノ基は、一般式
−NX34で表され、X3、X4としてはそれぞれ独立
に、水素原子、前述の置換もしくは無置換のアルキル
基、前述の置換もしくは無置換のアルケニル基、置換も
しくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換の芳
香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基
等が挙げられる。
【0037】以下に本発明の化合物例として、化合物
(1)〜(44)を挙げるが、本発明はその要旨を越え
ない限りこれらに限定されるものではない。なお、化合
物(1)〜(44)において、一般式[B]で表される
ものは化合物(4)、(5)、(9)、(13)、(1
7)、(21)、(25)、(29)、(33)、(3
7)、(41)、(44)であり、それ以外は、一般式
[A]で表される化合物である。
【化7】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
【化13】
【化14】
【化15】
【化16】
【化17】
【化18】
【化19】
【化20】
【化21】
【化22】
【化23】
【化24】
【化25】
【化26】
【化27】
【化28】
【化29】
【化30】
【化31】
【化32】
【化33】
【化34】
【化35】
【化36】
【化37】
【化38】
【化39】
【化40】
【化41】
【化42】
【化43】
【化44】
【化45】
【化46】
【化47】
【化48】
【化49】
【化50】
【0038】次に、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子(有機EL素子)の構造について説明する。本
発明の有機EL素子は、陽極と陰極間に、発光層を含む
一層又は複数層の有機薄膜層を挟持した構造を有する。
以下、図1〜図4に基づいて、本発明の有機EL素子の
構成例について説明する。図1〜図4は、本発明の有機
EL素子の概略断面図であり、同じ構成要素については
同じ参照符号を付している。図1〜図4において、符号
1は基板、符号2は陽極、符号3は正孔輸送層、符号4
は発光層、符号5は電子輸送層、符号6は陰極をそれぞ
れ示しており、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が有機
薄膜層からなっている。
【0039】本発明の有機EL素子は、図1〜図4に示
すように、基板1の表面上に陽極2と発光層4と陰極6
を順次積層形成したものを基本構造としており、本発明
の有機EL素子としては、図1に示すように、陽極2と
陰極6との間に発光層4のみを具備する素子構造、図2
に示すように、陽極2と発光層4との間、陰極6と発光
層4との間に、それぞれ正孔輸送層3と電子輸送層5を
具備する素子構造、図3に示すように、陽極2と発光層
4との間に正孔輸送層3を具備し、陰極6と発光層4と
の間に電子輸送層を具備しない素子構造、あるいは、図
4に示すように、陰極6と発光層4との間に電子輸送層
5を具備し、陽極2と発光層4との間に正孔輸送層を具
備しない素子構造等を採用することができる。
【0040】本発明の有機EL素子において、上記一般
式[A]又は一般式[B]で表される本発明の化合物
が、陽極2と陰極6との間に挟持された上記有機薄膜層
(正孔輸送層3、発光層4、電子輸送層5)のうち少な
くとも一層に、単独で、もしくは混合物として含有され
ている。
【0041】なお、本発明の化合物を含有する有機薄膜
層は、本発明の化合物を含有していればよいので、本発
明の化合物のみから構成されていても良いし、他の正孔
輸送材料、発光材料、電子輸送材料に本発明の化合物を
ドープしたものにより構成してもよい。
【0042】正孔輸送層3に用いられる正孔輸送材料は
特に限定されず、通常正孔輸送材として使用されている
化合物であれば何を使用してもよい。例えば、下記のビ
ス(ジ(p−トリル)アミノフェニル)−1,1−シク
ロヘキサン[51]、N,N‘―ジフェニルーN,N’
―ビス(3−メチルフェニル)−1,1‘―ビフェニル
−4,4’―ジアミン[52]、N,N‘−ジフェニル
−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニ
ル)−4,4‘−ジアミン[53]等のトリフェニルジ
アミン類や、スターバースト型分子([54]〜[5
6]等)等が挙げられる。
【0043】
【化51】
【化52】
【化53】
【化54】
【化55】
【化56】
【0044】また、電子輸送層5に用いられる電子輸送
材料は特に限定されず、通常電子輸送材として使用され
ている化合物であれば何を使用してもよい。例えば、2
−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール[57]、ビス
{2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキ
サジアゾール}−m−フェニレン[58]、等のオキサ
ジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体([59]、
[60]等)、キノリノール系の金属錯体([61]〜
[64]等)が挙げられる。
【0045】
【化57】
【化58】
【化59】
【化60】
【化61】
【化62】
【化63】
【化64】
【0046】本発明の有機EL素子の陽極2は、正孔を
発光帯域へ注入する役割を担うものであり、4.5eV
以上の仕事関数を有するものであることが望ましい。本
発明に用いられる陽極材料としては、酸化インジウム錫
合金(以下、「ITO」と称す。)、酸化錫(NES
A)、金、銀、白金、銅等を例示することができる。
【0047】また、陰極6としては、電子輸送帯域又は
発光帯域に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材
料を用いることが好ましい。陰極材料は特に限定されな
いが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシ
ウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−
アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アル
ミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム
−銀合金等が使用できる。
【0048】本発明の有機EL素子の各有機薄膜層の形
成方法は特に限定されないが、公知の真空蒸着法、スピ
ンコーティング法等、一般的な薄膜形成方法を用いるこ
とが可能である。本発明の有機EL素子において、前記
一般式[A]又は一般式[B]で示される化合物を含有
する有機薄膜層は、溶媒に溶かした化合物溶液を塗布す
るディッピング法、スピンコーティング法、キャスティ
ング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法の
他、分子間相互作用の強い化合物においては充分な成膜
速度が得られない、あるいは全く成膜できないために適
用不可能である真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)
等の方法でも形成することができる。本発明の有機EL
素子の各有機薄膜層の膜厚は特に制限されないが、一般
に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、
逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くな
るため、通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。
【0049】また、陰極6に隣接する有機薄膜層が、陰
極6との界面に金属を含有することが望ましく、陰極6
に隣接する有機薄膜層に含有させる金属としては、陰極
6に用いられる金属あるいは合金の他、セシウム、リチ
ウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム等が挙げ
られるが特にこれに限定されない。
【0050】以上の構成を採用することにより、成膜プ
ロセスに制限がなく、かつ充分な発光輝度、発光効率が
得られ、発光特性に優れた有機EL素子を提供すること
ができる。また、本発明は、図1〜図4に示した有機E
L素子の中でも、特に、発光層4が陽極2に隣接してい
る構造のものに有効であり、より優れた発光特性を得る
ことができる。
【0051】また、本発明の化合物を用い、発光層4が
陽極2に隣接する構造の素子においては、有機薄膜層を
形成する前の陽極2に対して、波長200nm未満の紫
外線照射処理を施しておくことが望ましい。このよう
に、あらかじめ陽極2に紫外線照射処理を施すことによ
り、より優れた発光特性を得ることができる。陽極2を
処理するための紫外線照射用ランプとしては、波長20
0nm未満の波長の光を発し、照射強度が1mW/cm
2以上のものであればどのようなものでもよい。具体的
にはエキシマUVランプ、エキシマレーザー、重水素ラ
ンプ等が挙げられるが、これに限定されることはない。
また、陽極2に対する波長200nm未満の紫外線照射
処理は、湿式洗浄法やオゾンクリーニング、あるいは酸
素等のプラズマ照射処理等を事前に施すことによって更
なる効果を得ることができる。
【0052】
【実施例】以下、本発明を、実施例をもとに詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されない。
【0053】(合成例1) N−4−シクロヘキシリデ
ンメチン−フェニル−N−p−トリルアミンの合成 4−ブロモベンジルブロマイドと1等量の亜リン酸トリ
エチルを反応容器に入れ、攪拌しながら6時間140℃
に加熱した。得られた混合物から減圧蒸留により残った
亜リン酸トリエチルを取り除き、亜リン酸−4−ブロモ
ベンジルジエチルを得た。これに1等量のシクロヘキサ
ノンと1.2等量の水素化ナトリウムをトルエン−ジメ
チルスルホキシド混合溶媒中、穏やかに加熱しながら反
応させた。
【0054】得られた反応混合物を常法に従い精製し、
4−シクロヘキシリデンメチンフェニルブロミドを得
た。これと1等量のp−トルイジン、1当量の炭酸カリ
ウム、銅粉末及びニトロベンゼンを三ツ口フラスコに入
れ、200℃で30時間攪拌した。反応終了後、トルエ
ンを加えてろ過し、無機物を除いた。トルエン及びニト
ロベンゼンを減圧下で留去し、残さを常法に従い分離精
製して目的のN−4−シクロヘキシリデンメチン−フェ
ニル−N−p−トリルアミンを得た。
【0055】(合成例2) N−4−シクロヘキシリデ
ンメチン−フェニル−N−4−(p−トリルビニル)フ
ェニルアミンの合成 p−トルイジンの代わりに4−アミノ−4’−メチルス
チルベンを用いる他は合成例1と同様の手法により、目
的のN−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N
−4−(p−トリルビニル)フェニルアミンを得た。
【0056】(合成例3) N−4−(4−(シクロヘ
キシリデンメチン)フェニルビニル)フェニル−N−p
−トリルアミンの合成 4−ブロモベンジルブロマイドの代わりに、4−ブロモ
−4’−ブロモメチルスチルベンを用いる他は合成例1
と同様の手法により、目的のN−4−(4−(シクロヘ
キシリデンメチン)フェニルビニル)フェニル−N−p
−トリルアミンを得た。
【0057】(合成例4) N−4−(2,2−ビス
(4−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニ
ル)フェニル−N−p−トリルアミンの合成 4−ブロモベンジルブロマイドの代わりに、4−(2,
2−ビス(4−ブロモメチルフェニル)ビニル)フェニ
ルブロミドを用い、亜リン酸トリエチル及びシクロヘキ
サノン、水素化ナトリウムを2等量ずつ用いる他は合成
例1と同様の手法により、目的のN−4−(2,2−ビ
ス(4−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニ
ル)フェニル−N−p−トリルアミンを得た。
【0058】(合成例5) N−4−(2,2−ビス
(4−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニ
ル)フェニル−N−フェニルアミンの合成 p−トルイジンの代わりにアニリンを用いる他は合成例
5と同様の手法により目的のN−4−(2,2−ビス
(4−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニ
ル)フェニル−N−フェニルアミンを得た。
【0059】(合成例6) 化合物(1)の合成 1、4−ジブロモナフタレン、2等量のN−4−シクロ
ヘキシリデンメチン−フェニル−N−p−トリルアミ
ン、2等量の炭酸カリウム、銅紛及びニトロベンゼンを
3つ口フラスコに入れ、200℃で30時間攪拌した。
反応終了後、トルエンを加えてろ過し、無機物を除い
た。トルエン及びニトロベンゼンを減圧下で留去し、残
さを常法に従い分離精製して目的の化合物(1)を得
た。
【0060】(合成例7) 化合物(2)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例6と
同様の手法により目的の化合物(2)を得た。
【0061】(合成例8) 化合物(3)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−シクロヘキシリデン
メチン−フェニル−N−4−(p−トリルビニル)フェ
ニルアミンを用いる他は合成例6と同様の手法により目
的の化合物(3)を得た。
【0062】(合成例9) 化合物(4)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例6と
同様の手法により目的の化合物(4)を得た。
【0063】(合成例10) 化合物(5)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−フェニルアミンを用いる他は合成例6と同
様の手法により目的の化合物(5)を得た。
【0064】(合成例11) 化合物(6)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、2,3−ジメ
チル−1,4ジブロモナフタレンを用いる他は、合成例
6と同様の手法により、目的の化合物(6)を得た。
【0065】(合成例12) 化合物(7)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例11
と同様の手法により目的の化合物(7)を得た。
【0066】(合成例13) 化合物(9)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例11
と同様の手法により目的の化合物(9)を得た。
【0067】(合成例14) 化合物(10)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、9,10−ジ
ブロモアントラセンを用いる他は、合成例6と同様の手
法により、目的の化合物(10)を得た。
【0068】(合成例15) 化合物(11)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例14
と同様の手法により目的の化合物(11)を得た。
【0069】(合成例16) 化合物(13)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例14
と同様の手法により目的の化合物(13)を得た。
【0070】(合成例17) 化合物(14)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、6、13−ジ
ブロモペンタセンを用いる他は、合成例6と同様の手法
により、目的の化合物(14)を得た。
【0071】(合成例18) 化合物(15)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例17
と同様の手法により目的の化合物(15)を得た。
【0072】(合成例19) 化合物(17)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例17
と同様の手法により目的の化合物(17)を得た。
【0073】(合成例20) 化合物(18)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、3,9−ジブ
ロモペリレンを用いる他は、合成例6と同様の手法によ
り、目的の化合物(18)を得た。
【0074】(合成例21) 化合物(19)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例20
と同様の手法により目的の化合物(19)を得た。
【0075】(合成例22) 化合物(21)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例20
と同様の手法により目的の化合物(21)を得た。
【0076】(合成例23) 化合物(22)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、ジブロモベン
ゾ[a]ペリレンを用いる他は、合成例6と同様の手法
により、目的の化合物(22)を得た。
【0077】(合成例24) 化合物(23)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例23
と同様の手法により目的の化合物(23)を得た。
【0078】(合成例25) 化合物(25)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例23
と同様の手法により目的の化合物(25)を得た。
【0079】(合成例26) 化合物(26)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、8,16−ジ
ブロモジベンゾ[a,j]ペリレンを用いる他は、合成
例6と同様の手法により、目的の化合物(26)を得
た。
【0080】(合成例27) 化合物(27)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例26
と同様の手法により目的の化合物(27)を得た。
【0081】(合成例28) 化合物(29)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例26
と同様の手法により目的の化合物(29)を得た。
【0082】(合成例29) 化合物(30)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、7,14−ジ
ブロモビスアンスレンを用いる他は、合成例6と同様の
手法により、目的の化合物(30)を得た。
【0083】(合成例30) 化合物(31)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例29
と同様の手法により目的の化合物(31)を得た。
【0084】(合成例31) 化合物(33)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例29
と同様の手法により目的の化合物(33)を得た。
【0085】(合成例32) 化合物(34)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、10、10’
−ジブロモ−9,9’−ビアンスリルを用いる他は、合
成例6と同様の手法により、目的の化合物(34)を得
た。
【0086】(合成例33) 化合物(35)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例32
と同様の手法により目的の化合物(35)を得た。
【0087】(合成例34) 化合物(37)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例32
と同様の手法により目的の化合物(37)を得た。
【0088】(合成例35) 化合物(38)の合成 1,4−ジブロモナフタレンの代わりに、9,10−ビ
ス(4−ブロモ−1−ナフチル)アントラセンを用いる
他は、合成例6と同様の手法により、目的の化合物(3
8)を得た。
【0089】(合成例36) 化合物(39)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例35
と同様の手法により目的の化合物(39)を得た。
【0090】(合成例37) 化合物(41)の合成 N−4−シクロヘキシリデンメチン−フェニル−N−p
−トリルアミンの代わりにN−4−(2,2−ビス(4
−(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル)フ
ェニル−N−p−トリルアミンを用いる他は合成例35
と同様の手法により目的の化合物(41)を得た。
【0091】以下、実施例1〜98においては、上記で
合成した化合物を用い、これらの化合物、あるいはこれ
らの化合物と正孔輸送材料との混合薄膜、あるいはこれ
らの化合物と電子輸送材料との混合薄膜により有機EL
素子の発光層を構成した例について説明する。
【0092】(実施例1)図1に示した構造の有機EL
素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタリン
グ法によって、シート抵抗が20Ω/□になるように成
膜し、陽極とした。その上に発光層として、化合物
(1)を真空蒸着法にて40nm形成した。次に、陰極
としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法にて200n
m形成して、有機EL素子を作製した。この素子に直流
電圧を5V印加したところ、90cd/m2の発光が得
られた。
【0093】(実施例2)発光材料として、化合物
(2)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子をした。この素子に直流電圧を5V印加した
ところ、110cd/m2の発光が得られた。
【0094】(実施例3)発光材料として、化合物
(3)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、100cd/m2の発光が得られた。
【0095】(実施例4)発光材料として、化合物
(4)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、140cd/m2の発光が得られた。
【0096】(実施例5)発光材料として、化合物
(5)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、120cd/m2の発光が得られた。
【0097】(実施例6)発光材料として、化合物
(6)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、80cd/m2の発光が得られた。
【0098】(実施例7)発光材料として、化合物
(7)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、130cd/m2の発光が得られた。
【0099】(実施例8)発光材料として、化合物
(9)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、140cd/m2の発光が得られた。
【0100】(実施例9)発光材料として、化合物(1
0)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有機
EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加し
たところ、110cd/m2の発光が得られた。
【0101】(実施例10)発光材料として、化合物
(11)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、160cd/m2の発光が得られた。
【0102】(実施例11)発光材料として、化合物
(13)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、200cd/m2の発光が得られた。
【0103】(実施例12)発光材料として、化合物
(14)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、100cd/m2の発光が得られた。
【0104】(実施例13)発光材料として、化合物
(15)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、140cd/m2の発光が得られた。
【0105】(実施例14)発光材料として、化合物
(17)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、150cd/m2の発光が得られた。
【0106】(実施例15)発光材料として、化合物
(18)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、90cd/m2の発光が得られた。
【0107】(実施例16)発光材料として、化合物
(19)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、120cd/m2の発光が得られた。
【0108】(実施例17)発光材料として、化合物
(21)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、130cd/m2の発光が得られた。
【0109】(実施例18)発光材料として、化合物
(22)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、80cd/m2の発光が得られた。
【0110】(実施例19)発光材料として、化合物
(23)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、100cd/m2の発光が得られた。
【0111】(実施例20)発光材料として、化合物
(25)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、120cd/m2の発光が得られた。
【0112】(実施例21)発光材料として、化合物
(26)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、100cd/m2の発光が得られた。
【0113】(実施例22)発光材料として、化合物
(27)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、110cd/m2の発光が得られた。
【0114】(実施例23)発光材料として、化合物
(29)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、130cd/m2の発光が得られた。
【0115】(実施例24)発光材料として、化合物
(30)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、80cd/m2の発光が得られた。
【0116】(実施例25)発光材料として、化合物
(31)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、100cd/m2の発光が得られた。
【0117】(実施例26)発光材料として、化合物
(33)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、130cd/m2の発光が得られた。
【0118】(実施例27)発光材料として、化合物
(34)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、110cd/m2の発光が得られた。
【0119】(実施例28)発光材料として、化合物
(35)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、130cd/m2の発光が得られた。
【0120】(実施例29)発光材料として、化合物
(37)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、140cd/m2の発光が得られた。
【0121】(実施例30)発光材料として、化合物
(38)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、100cd/m2の発光が得られた。
【0122】(実施例31)発光材料として、化合物
(39)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、140cd/m2の発光が得られた。
【0123】(実施例32)発光材料として、化合物
(41)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印
加したところ、150cd/m2の発光が得られた。
【0124】(実施例33)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に化合物(9)の
クロロホルム溶液を用いたスピンコート法により40n
mの発光層を形成した。次に、陰極としてマグネシウム
−銀合金を真空蒸着法により200nm形成して、有機
EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加し
たところ、90cd/m2の発光が得られた。
【0125】(実施例34)図2に示した構造の有機E
L素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタリ
ング法によって、シート抵抗が20Ω/□になるように
成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニ
ル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン
[52]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、発
光層として、化合物(1)を真空蒸着法にて40nm形
成した。
【0126】次に、電子輸送層として2−(4−ビフェ
ニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール[57]を真空蒸着法にて20n
m形成した。次に、陰極としてマグネシウム−銀合金を
真空蒸着法によって200nm形成して、有機EL素子
を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したとこ
ろ、3050cd/m2の発光が得られた。
【0127】(実施例35)発光材料として、化合物
(2)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、3870cd/m2の発光が得られ
た。
【0128】(実施例36)発光材料として、化合物
(3)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、3760cd/m2の発光が得られ
た。
【0129】(実施例37)発光材料として、化合物
(4)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、4620cd/m2の発光が得られ
た。
【0130】(実施例38)発光材料として、化合物
(5)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、4250cd/m2の発光が得られ
た。
【0131】(実施例39)発光材料として、化合物
(6)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、3120cd/m2の発光が得られ
た。
【0132】(実施例40)発光材料として、化合物
(7)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、4040cd/m2の発光が得られ
た。
【0133】(実施例41)発光材料として、化合物
(9)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、4890cd/m2の発光が得られ
た。
【0134】(実施例42)発光材料として、化合物
(10)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3810cd/m2の発光が得ら
れた。
【0135】(実施例43)発光材料として、化合物
(11)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4430cd/m2の発光が得ら
れた。
【0136】(実施例44)発光材料として、化合物
(13)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、5710cd/m2の発光が得ら
れた。
【0137】(実施例45)発光材料として、化合物
(14)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3140cd/m2の発光が得ら
れた。
【0138】(実施例46)発光材料として、化合物
(15)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4020cd/m2の発光が得ら
れた。
【0139】(実施例47)発光材料として、化合物
(17)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4360cd/m2の発光が得ら
れた。
【0140】(実施例48)発光材料として、化合物
(18)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3470cd/m2の発光が得ら
れた。
【0141】(実施例49)発光材料として、化合物
(19)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4270cd/m2の発光が得ら
れた。
【0142】(実施例50)発光材料として、化合物
(21)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、5230cd/m2の発光が得ら
れた。
【0143】(実施例51)発光材料として、化合物
(22)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、2960cd/m2の発光が得ら
れた。
【0144】(実施例52)発光材料として、化合物
(23)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3630cd/m2の発光が得ら
れた。
【0145】(実施例53)発光材料として、化合物
(25)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4370cd/m2の発光が得ら
れた。
【0146】(実施例54)発光材料として、化合物
(26)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3150cd/m2の発光が得ら
れた。
【0147】(実施例55)発光材料として、化合物
(27)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4110cd/m2の発光が得ら
れた。
【0148】(実施例56)発光材料として、化合物
(29)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4740cd/m2の発光が得ら
れた。
【0149】(実施例57)発光材料として、化合物
(30)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、2860cd/m2の発光が得ら
れた。
【0150】(実施例58)発光材料として、化合物
(31)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3320cd/m2の発光が得ら
れた。
【0151】(実施例59)発光材料として、化合物
(33)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4210cd/m2の発光が得ら
れた。
【0152】(実施例60)発光材料として、化合物
(34)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3370cd/m2の発光が得ら
れた。
【0153】(実施例61)発光材料として、化合物
(35)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4250cd/m2の発光が得ら
れた。
【0154】(実施例62)発光材料として、化合物
(37)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、5410cd/m2の発光が得ら
れた。
【0155】(実施例63)発光材料として、化合物
(38)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3290cd/m2の発光が得ら
れた。
【0156】(実施例64)発光材料として、化合物
(39)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4030cd/m2の発光が得ら
れた。
【0157】(実施例65)発光材料として、化合物
(41)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4970cd/m2の発光が得ら
れた。
【0158】(実施例66)正孔輸送層としてN,N
‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,
1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン[53]を、
電子輸送層としてビス{2−(4−t−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール}−m−フェニレ
ン[58]を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3130cd/m2の発光が得ら
れた。
【0159】(実施例67)正孔輸送層として[54]
を、発光層として化合物(4)を、電子輸送層として
[61]を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3930cd/m2の発光が得ら
れた。
【0160】(実施例68)正孔輸送層として[55]
を、発光層として化合物(21)を、電子輸送層として
[62]を用いる以外は実施例34と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、4260cd/m2の発光が得ら
れた。
【0161】(実施例69)図2に示した構造の有機E
L素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタリ
ング法によって、シート抵抗が20Ω/□になるように
成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層として、[5
3]を真空蒸着法にて50nm形成した。その上に発光
層として[53]と化合物(18)を1:10の重量比
で共蒸着して作製した薄膜を50nm形成した。
【0162】次に、電子輸送層として2−(4−ビフェ
ニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール[57]を真空蒸着法にて20n
m形成した。次に、陰極としてマグネシウム−銀合金を
真空蒸着法によって200nm形成して、有機EL素子
を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したとこ
ろ、3700cd/m2の発光が得られた。
【0163】(実施例70)化合物(18)の代わりに
化合物(23)を用いる以外は実施例69と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、3690cd/m2の発光が
得られた。
【0164】(実施例71)化合物(18)の代わりに
化合物(37)を用いる以外は実施例69と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、5010cd/m2の発光が
得られた。
【0165】(実施例72)図4に示した構造の有機E
L素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタリ
ング法によって、シート抵抗が20Ω/□になるように
成膜し、陽極とした。その上に発光層としてN,N‘−
ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’
−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン[53]と化合物
(22)を1:10の重量比で共蒸着して作製した薄膜
を50nm形成した。
【0166】次いで、電子輸送層として[59]を真空
蒸着法にて50nm形成した。次に、陰極としてマグネ
シウム−銀合金を200nm形成して、有機EL素子を
作製した。この素子に直流電圧を10V印加したとこ
ろ、2910cd/m2の発光が得られた。
【0167】(実施例73)化合物(22)の代わりに
化合物(27)を用いる以外は実施例72と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、3680cd/m2の発光が
得られた。
【0168】(実施例74)化合物(22)の代わりに
化合物(37)を用いる以外は実施例72と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、4020cd/m2の発光が
得られた。
【0169】(実施例75)化合物(22)の代わりに
化合物(41)を用いる以外は実施例72と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、3030cd/m2の発光が
得られた。
【0170】(実施例76)発光層として化合物(1
8)を真空蒸着法により40nm形成する以外は実施例
72と同様の操作を行い、有機EL素子を作製した。こ
の素子に直流電圧を10V印加したところ、3100c
d/m2の発光が得られた。
【0171】(実施例77)発光層として化合物(7)
を真空蒸着法により40nm形成する以外は実施例72
と同様の操作を行い、有機EL素子を作製した。この素
子に直流電圧を10V印加したところ、3680cd/
2の発光が得られた。
【0172】(実施例78)発光層として化合物(2
1)を真空蒸着法により40nm形成する以外は実施例
72と同様の操作を行い、有機EL素子を作製した。こ
の素子に直流電圧を10V印加したところ、4340c
d/m2の発光が得られた。
【0173】(実施例79)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に化合物(12)
とN,N‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチ
ル)−1,1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン
[53]をモル比で1:10の割合で含有するクロロホ
ルム溶液を用いたスピンコート法により40nmの発光
層を形成した。次に[60]を真空蒸着法により50n
mの電子輸送層を形成し、その上に陰極としてマグネシ
ウム−銀合金を真空蒸着法により200nm形成して、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、1870cd/m2の発光が得られ
た。
【0174】(実施例80)図3に示した構造の有機E
L素子を作製した。ガラス基板上にITOをスパッタリ
ング法によって、シート抵抗が20Ω/□になるように
成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層としてN,N
‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,
1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン[53]を真
空蒸着法にて50nm形成した。次に、発光層として
[61]と化合物(10)とを20:1の重量比で真空
共蒸着した膜を50nm形成した。次に、陰極としてマ
グネシウム−銀合金を200nm形成して、有機EL素
子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したと
ころ、3070cd/m 2の発光が得られた。
【0175】(実施例81)発光層として、[61]と
化合物(19)とを20:1の重量比で真空共蒸着した
50nmの膜を用いる以外は実施例80と同様の操作を
行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を
10V印加したところ、3490cd/m2の発光が得
られた。
【0176】(実施例82)化合物(19)の代わりに
化合物(33)を用いる以外は実施例81と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、3740cd/m2の発光が
得られた。
【0177】(実施例83)化合物(19)の代わりに
化合物(14)を用いる以外は実施例81と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、2870cd/m2の発光が
得られた。
【0178】(実施例84)化合物(19)の代わりに
化合物(35)を用いる以外は実施例81と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、3550cd/m2の発光が
得られた。
【0179】(実施例85)化合物(19)の代わりに
化合物(29)を用いる以外は実施例81と同様の操作
を行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧
を10V印加したところ、3890cd/m2の発光が
得られた。
【0180】(実施例86)正孔輸送層としてN,N′
−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)
−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミン[5
2]を、発光層として[63]と化合物(41)とを2
0:1の重量比で真空共蒸着して作製した膜を用いる以
外は実施例42と同様の操作を行い、有機EL素子を作
製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、
3990cd/m2の発光が得られた。
【0181】(実施例87)正孔輸送層として化合物
(6)を、発光層として[63]を用いる以外は実施例
34と同様の操作を行い、有機EL素子を作製した。こ
の素子に直流電圧を10V印加したところ、1120c
d/m2の発光が得られた。
【0182】(実施例88)正孔輸送材料として、化合
物(11)を用いる以外は実施例87と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、1550cd/m2の発光が得ら
れた。
【0183】(実施例89)正孔輸送材料として、化合
物(41)を用いる以外は実施例87と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、1930cd/m2の発光が得ら
れた。
【0184】(実施例90)正孔輸送層としてN,N’
−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[53]を、
発光層として[63]を、電子輸送層として化合物(3
8)を用いる以外は実施例34と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印
加したところ、800cd/m2の発光が得られた。
【0185】(実施例91)電子輸送層として、化合物
(7)を用いる以外は実施例90と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、940cd/m2の発光が得られた。
【0186】(実施例92)電子輸送層として、化合物
(13)を用いる以外は実施例90と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、960cd/m2の発光が得られ
た。
【0187】(実施例93)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
この基板上に正孔輸送層として、N,N′−ジフェニル
−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′
−ビフェニル]−4,4′−ジアミン[52]を真空蒸
着法にて50nm形成した。次に、発光層として、化合
物(1)を真空蒸着法にて40nm形成した。
【0188】次に、電子輸送層として2−(4−ビフェ
ニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール[57]を真空蒸着法にて20n
m形成した。次に陰極としてマグネシウム−銀合金を真
空蒸着法によって200nm形成して、有機EL素子を
作製した。この素子に直流電圧を10V印加したとこ
ろ、5630cd/m2の発光が得られた。
【0189】(実施例94)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
その上に発光層としてN,N‘−ジフェニル−N−N−
ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル)−4,
4‘−ジアミン[53]と化合物(37)を1:10の
重量比で共蒸着して作製した薄膜を50nm形成した。
【0190】次いで、電子輸送層として[59]を真空
蒸着法にて50nm形成した。次に、陰極としてマグネ
シウム−銀合金を200nm形成して、有機EL素子を
作製した。この素子に直流電圧を10V印加したとこ
ろ、4960cd/m2の発光が得られた。
【0191】(実施例95)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
その上に発光層として化合物(21)を真空蒸着法にて
50nm形成した。
【0192】次いで、電子輸送層として[59]を真空
蒸着法にて50nm形成した。次に、陰極としてマグネ
シウム−銀合金を200nm形成して、有機EL素子を
作製した。この素子に直流電圧を10V印加したとこ
ろ、5330cd/m2の発光が得られた。
【0193】(実施例96)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
て、[53]を真空蒸着法にて50nm形成した。その
上に発光層として[53]と化合物(2)を1:10の
重量比で共蒸着して作製した薄膜を50nm形成した。
次に、電子輸送層として2−(4−ビフェニリル)−5
−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジ
アゾール[57]を真空蒸着法にて20nm形成し、そ
の後[57]とセシウムを重量比10:1の共蒸着で5
nm形成した。次に、陰極としてマグネシウム−銀合金
を真空蒸着法によって200nm形成して、有機EL素
子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加したと
ころ、3890cd/m 2の発光が得られた。
【0194】(実施例97)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
てN,N‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチ
ル)−1,1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン
[53]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、発
光層として化合物(37)を真空蒸着した膜を50nm
形成した。その後(37)とセシウムを重量比10:1
の共蒸着で5nm形成した。次に陰極としてマグネシウ
ム−銀合金を真空蒸着法によって200nm形成して、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、4750cd/m2の発光が得られ
た。
【0195】(実施例98)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
その上に発光層として化合物(19)を真空蒸着法にて
50nm形成した。その後(19)とセシウムを重量比
10:1の共蒸着で5nm形成した。次に、陰極として
マグネシウム−銀合金を真空蒸着法によって200nm
形成して、有機EL素子を作製した。この素子に直流電
圧を10V印加したところ、2030cd/m2の発光
が得られた。
【0196】以上、実施例1〜98に示すように、本発
明によれば、高輝度な有機EL素子を提供できることが
判明した。
【0197】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の化合物
を、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機
薄膜層のうち少なくとも一層に用いることにより、成膜
プロセスに制限無く、発光特性に優れた有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
【図2】 図2は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
【図3】 図3は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
【図4】 図4は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 陽極 3 正孔輸送層 4 発光層 5 電子輸送層 6 陰極
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/26 H05B 33/26 Z (72)発明者 多田 宏 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 小田 敦 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極と陰極間に、発光層を含む一層又は
    複数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセ
    ンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が
    下記一般式[A]で表される化合物を単独で、もしくは
    混合物として含有することを特徴とする有機エレクトロ
    ルミネッセンス素子。 【化1】 (但し、式[A]中、Ar1は炭素数5から42の置換
    もしくは無置換の芳香族炭化水素基あるいは置換もしく
    は無置換の芳香族複素環基を表し、Ar2〜Ar5はそれ
    ぞれ独立に炭素数6から20の置換もしくは無置換の芳
    香族炭化水素基あるいは置換もしくは無置換の芳香族複
    素環基を表す。また、X1及びX2はそれぞれ独立に二価
    の連結基を表す。また、R1〜R20はそれぞれ独立に水
    素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアミノ
    基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
    置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアル
    キル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もし
    くは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の
    芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、
    置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは
    無置換のアルコキシカルボニル基を表し、R1〜R10
    びR11〜R20はそれらのうちの2つで環を形成してもよ
    い。また、Ar2とAr3、Ar4とAr5はお互い環を形
    成してもよい。)
  2. 【請求項2】 前記一般式[A]において、X1及びX2
    で表される連結基の少なくとも1つが、置換もしくは無
    置換のスチリル基であることを特徴とする請求項1に記
    載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】 陽極と陰極間に、発光層を含む一層又は
    複数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセ
    ンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が
    下記一般式[B]で表される化合物を単独で、もしくは
    混合物として含有することを特徴とする有機エレクトロ
    ルミネッセンス素子。 【化2】 (但し、式[B]中、Ar1は炭素数5から42の置換
    もしくは無置換の芳香族炭化水素基あるいは置換もしく
    は無置換の芳香族複素環基を表し、Ar2〜Ar5はそれ
    ぞれ独立に炭素数6から20の置換もしくは無置換の芳
    香族炭化水素基あるいは置換もしくは無置換の芳香族複
    素環基を表す。また、R21からR76はそれぞれ独立に水
    素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアミノ
    基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
    置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアル
    キル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もし
    くは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の
    芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、
    置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは
    無置換のアルコキシカルボニル基を表し、R21〜R30
    31〜R40、R41〜R50、R51〜R60及びR61〜R76
    それらのうちの2つで環を形成してもよい。また、Ar
    2とAr3、Ar4とAr5はお互い環を形成してもよ
    い。)
  4. 【請求項4】 前記発光層が前記一般式[A]又は前記
    一般式[B]で表される化合物を単独で、もしくは混合
    物として含有することを特徴とする請求項1から請求項
    3までのいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッ
    センス素子。
  5. 【請求項5】 前記有機薄膜層として電子輸送層を有す
    るとともに、該電子輸送層が前記一般式[A]又は前記
    一般式[B]で表される化合物を単独で、もしくは混合
    物として含有することを特徴とする請求項1から請求項
    3までのいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッ
    センス素子。
  6. 【請求項6】 前記有機薄膜層として正孔輸送層を有す
    るとともに、該正孔輸送層が前記一般式[A]又は前記
    一般式[B]で表される化合物を単独で、もしくは混合
    物として含有することを特徴とする請求項1から請求項
    3までのいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッ
    センス素子。
  7. 【請求項7】 前記発光層が前記陽極に隣接しているこ
    とを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1
    項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 【請求項8】 前記陽極が、波長200nm未満の紫外
    線照射処理を施した陽極からなることを特徴とする請求
    項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 【請求項9】 前記陽極が、酸素プラズマ処理を施した
    陽極からなることを特徴とする請求項7に記載の有機エ
    レクトロルミネッセンス素子。
  10. 【請求項10】 前記陰極に隣接する前記有機薄膜層
    が、前記陰極との界面に、金属を含有することを特徴と
    する請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP2000339603A 2000-11-07 2000-11-07 有機エレクトロルミネッセンス素子 Expired - Fee Related JP3548841B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000339603A JP3548841B2 (ja) 2000-11-07 2000-11-07 有機エレクトロルミネッセンス素子
US09/985,657 US6746784B2 (en) 2000-11-07 2001-11-05 Organic electroluminescent device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000339603A JP3548841B2 (ja) 2000-11-07 2000-11-07 有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002151263A true JP2002151263A (ja) 2002-05-24
JP3548841B2 JP3548841B2 (ja) 2004-07-28

Family

ID=18814654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000339603A Expired - Fee Related JP3548841B2 (ja) 2000-11-07 2000-11-07 有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3548841B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005272460A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜
JP2006193678A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP2008504247A (ja) * 2004-06-26 2008-02-14 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子デバイスのための化合物
JP2008522966A (ja) * 2004-12-06 2008-07-03 オーエルイーディー−ティー リミテッド エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005272460A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜
US8236998B2 (en) 2004-02-25 2012-08-07 Asahi Kasei Corporation Polyacene compound and organic semiconductor thin film
JP2008504247A (ja) * 2004-06-26 2008-02-14 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機電子デバイスのための化合物
JP2008522966A (ja) * 2004-12-06 2008-07-03 オーエルイーディー−ティー リミテッド エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス
JP2006193678A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3548841B2 (ja) 2004-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3159259B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3424812B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2956691B1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1174079A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3092584B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3011165B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3389905B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11228951A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3509746B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3961200B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3102414B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3104223B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3008917B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3548841B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3636649B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2882403B1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3084708B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3005980B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3548842B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3465788B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP3189805B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4139055B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001028296A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP3285085B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3625764B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040310

TRDD Decision of grant or rejection written
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040316

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20040316

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040323

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040330

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3548841

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R154 Certificate of patent or utility model (reissue)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees