JP2002150549A - 磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法Info
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- JP2002150549A JP2002150549A JP2001236996A JP2001236996A JP2002150549A JP 2002150549 A JP2002150549 A JP 2002150549A JP 2001236996 A JP2001236996 A JP 2001236996A JP 2001236996 A JP2001236996 A JP 2001236996A JP 2002150549 A JP2002150549 A JP 2002150549A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ディスク用ガラス基板の表面からのアル
カリイオン溶出を防止して、特に高温高湿下での信頼性
を向上させる。 【解決手段】 磁気ディスク用ガラス基板を、５０℃以
上１００℃以下の温水に２４時間以上１００時間以下浸
漬することによってアルカリイオン溶出の少ない表面と
する。耐圧容器を用いて、温水温度を１２０℃以上１８
０℃以下とすると時間を３０分〜２４時間に短縮でき
る。
カリイオン溶出を防止して、特に高温高湿下での信頼性
を向上させる。 【解決手段】 磁気ディスク用ガラス基板を、５０℃以
上１００℃以下の温水に２４時間以上１００時間以下浸
漬することによってアルカリイオン溶出の少ない表面と
する。耐圧容器を用いて、温水温度を１２０℃以上１８
０℃以下とすると時間を３０分〜２４時間に短縮でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固定磁気ディスク記
憶装置に使用される磁気ディスク用ガラス基板の製造方
法および磁気ディスクの製造方法に関するものである。
憶装置に使用される磁気ディスク用ガラス基板の製造方
法および磁気ディスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】種々の情報記録媒体のうちで、各種の情
報を磁気的に記録する磁気ディスクがコンピューターの
外部記憶装置を始めとして広く用いられている。磁気デ
ィスク装置とは、回転する磁気ディスクと可動形ヘッド
を組み合わせたものである。
報を磁気的に記録する磁気ディスクがコンピューターの
外部記憶装置を始めとして広く用いられている。磁気デ
ィスク装置とは、回転する磁気ディスクと可動形ヘッド
を組み合わせたものである。
【０００３】現在、大量のデータを記録する必要性か
ら、磁気ディスク装置においては、急激な高記憶密度化
が進んでいる。磁気ディスク装置は高速回転する記憶媒
体（ディスク）上を、ヘッドを僅かに浮上させて走査さ
せることによってランダムアクセスを実現しているが、
高記憶密度と高速アクセスを両立させる為には、磁気デ
ィスク回転数を上げることと磁気ディスクとヘッドの間
隔（ヘッド浮上量）を小さくすることが求められる。
ら、磁気ディスク装置においては、急激な高記憶密度化
が進んでいる。磁気ディスク装置は高速回転する記憶媒
体（ディスク）上を、ヘッドを僅かに浮上させて走査さ
せることによってランダムアクセスを実現しているが、
高記憶密度と高速アクセスを両立させる為には、磁気デ
ィスク回転数を上げることと磁気ディスクとヘッドの間
隔（ヘッド浮上量）を小さくすることが求められる。
【０００４】磁気ディスクの基板材料は、従来ＡｌにＮ
ｉ−Ｐめっきを施した基板が主流であったが、高剛性で
高速回転させても変形しづらく表面の平滑性の高いガラ
ス基板が使われる様になって来た。
ｉ−Ｐめっきを施した基板が主流であったが、高剛性で
高速回転させても変形しづらく表面の平滑性の高いガラ
ス基板が使われる様になって来た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ガラス基板に用いられ
るガラス材料には、溶融点を下げてガラス化や成形性を
良くする為にアルカリ金属が数〜十数％添加されてい
る。ところがこれらアルカリ金属は、原子半径が小さく
てマイグレーションし易いので、徐々に表面に析出して
大気中の二酸化炭素やハロゲンと結合して炭酸塩や塩化
物として析出する。
るガラス材料には、溶融点を下げてガラス化や成形性を
良くする為にアルカリ金属が数〜十数％添加されてい
る。ところがこれらアルカリ金属は、原子半径が小さく
てマイグレーションし易いので、徐々に表面に析出して
大気中の二酸化炭素やハロゲンと結合して炭酸塩や塩化
物として析出する。
【０００６】この現象は、高温高湿下で特に顕著であ
り、磁気ディスクの直接のエラー原因となったり、磁気
ディスク装置のヘッドに移着して浮上を妨げたり腐食さ
せたりして信頼性を悪くする原因となる。特開平１０−
２２６５３９号公報において、硝酸ナトリウムと硝酸カ
リウムの溶融塩に浸漬する化学強化処理の後に、温水に
２〜６時間浸漬して洗浄し、さらに１００℃〜３００℃
の熱濃硫酸に浸漬するアルカリイオン封止処理が提案さ
れているが、熱濃硫酸に浸漬するとガラス表面のアルカ
リイオンは確かに激減するが、ガラス骨格も破壊されて
かえってアルカリイオンが移動し易くなり、アルカリイ
オン溶出量が増大してしまうことが判った。
り、磁気ディスクの直接のエラー原因となったり、磁気
ディスク装置のヘッドに移着して浮上を妨げたり腐食さ
せたりして信頼性を悪くする原因となる。特開平１０−
２２６５３９号公報において、硝酸ナトリウムと硝酸カ
リウムの溶融塩に浸漬する化学強化処理の後に、温水に
２〜６時間浸漬して洗浄し、さらに１００℃〜３００℃
の熱濃硫酸に浸漬するアルカリイオン封止処理が提案さ
れているが、熱濃硫酸に浸漬するとガラス表面のアルカ
リイオンは確かに激減するが、ガラス骨格も破壊されて
かえってアルカリイオンが移動し易くなり、アルカリイ
オン溶出量が増大してしまうことが判った。
【０００７】従って、本発明は上記課題を解決し、エラ
ー発生率が低く、信頼性の高い磁気ディスク用ガラス基
板および磁気ディスクを製造する方法を提供することを
目的とする。
ー発生率が低く、信頼性の高い磁気ディスク用ガラス基
板および磁気ディスクを製造する方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の第１の態様は、ガラス基板からのアル
カリイオンの溶出が防止される磁気ディスク用ガラス基
板の製造方法であって、該製造方法は磁気ディスク用ガ
ラス基板を温水に浸漬処理する工程を含み、該浸漬処理
後のガラス基板は表面粗さが実質的に損なわれないこと
を特徴とする。
ために、本発明の第１の態様は、ガラス基板からのアル
カリイオンの溶出が防止される磁気ディスク用ガラス基
板の製造方法であって、該製造方法は磁気ディスク用ガ
ラス基板を温水に浸漬処理する工程を含み、該浸漬処理
後のガラス基板は表面粗さが実質的に損なわれないこと
を特徴とする。
【０００９】前記ガラス基板の製造方法において、磁気
ディスク用ガラス基板を５０℃以上１００℃以下の温水
に２４時間以上１００時間以下浸漬することが好まし
い。あるいは、磁気ディスク用ガラス基板を耐圧容器を
用いて、１２０℃以上１８０℃以下の温水に３０分〜２
４時間浸漬することが好ましい。
ディスク用ガラス基板を５０℃以上１００℃以下の温水
に２４時間以上１００時間以下浸漬することが好まし
い。あるいは、磁気ディスク用ガラス基板を耐圧容器を
用いて、１２０℃以上１８０℃以下の温水に３０分〜２
４時間浸漬することが好ましい。
【００１０】本発明の第２の態様において、磁気ディス
ク用ガラス基板は前記製造方法により製造されることを
特徴とする。
ク用ガラス基板は前記製造方法により製造されることを
特徴とする。
【００１１】本発明の第３の態様において、磁気ディス
クは前記磁気ディスク用ガラス基板を具えることを特徴
とする。
クは前記磁気ディスク用ガラス基板を具えることを特徴
とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に基づく磁気ディス
ク用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法について
詳細に説明する。
ク用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法について
詳細に説明する。
【００１３】磁気ディスク用ガラス基板を、５０℃以上
１００℃以下の温水に、１２時間以上１００時間以下、
好ましくは２４時間以上１００時間以下、より好ましく
は２４時間以上８０時間以下浸漬することによって熱濃
硫酸処理無しにアルカリイオン溶出を防止することがで
きる。効果は温水の温度が高い方が又時間が長い方が有
効であるが、１００時間を超えると温水であってもガラ
ス骨格の溶出が起こり表面の荒れが発生する。５０℃以
下では１００時間浸漬しても十分なアルカリイオン溶出
防止効果が得られない。常圧では水の沸点１００℃が温
度の上限となる。
１００℃以下の温水に、１２時間以上１００時間以下、
好ましくは２４時間以上１００時間以下、より好ましく
は２４時間以上８０時間以下浸漬することによって熱濃
硫酸処理無しにアルカリイオン溶出を防止することがで
きる。効果は温水の温度が高い方が又時間が長い方が有
効であるが、１００時間を超えると温水であってもガラ
ス骨格の溶出が起こり表面の荒れが発生する。５０℃以
下では１００時間浸漬しても十分なアルカリイオン溶出
防止効果が得られない。常圧では水の沸点１００℃が温
度の上限となる。
【００１４】また、耐圧容器を用い、加圧下において浸
漬する温水の温度を１２０℃以上とすると処理時間を短
縮することができる。１２０℃以上２００℃以下で３０
分以上２４時間以下、好ましくは１２０℃以上１８０℃
以下で３０分以上２４時間以下、より好ましくは１２０
℃以上１８０℃以下で３０分以上１５時間以下とするこ
とができる。２００℃を超えるとガラス骨格の溶出が起
こり、表面の荒れが発生する。又１２０〜１８０℃の範
囲でも２４時間以上浸漬すると、やはりガラス骨格の溶
出が起こり表面が荒れてしまう。
漬する温水の温度を１２０℃以上とすると処理時間を短
縮することができる。１２０℃以上２００℃以下で３０
分以上２４時間以下、好ましくは１２０℃以上１８０℃
以下で３０分以上２４時間以下、より好ましくは１２０
℃以上１８０℃以下で３０分以上１５時間以下とするこ
とができる。２００℃を超えるとガラス骨格の溶出が起
こり、表面の荒れが発生する。又１２０〜１８０℃の範
囲でも２４時間以上浸漬すると、やはりガラス骨格の溶
出が起こり表面が荒れてしまう。
【００１５】磁気ディスクは、一般的に磁気ディスク用
ガラス基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑剤層等
を順次積層することにより製造する。
ガラス基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑剤層等
を順次積層することにより製造する。
【００１６】下地層は、その上に成膜する磁性層の成長
に影響させて磁性特性を向上させることと、基板からの
有害元素（例えばアルカリ金属）の磁性層への拡散を防
ぐ目的で形成される層である。Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ等の非磁性金属あるいはそれらを
含む非磁性合金が単層あるいは多層で用いられる。
に影響させて磁性特性を向上させることと、基板からの
有害元素（例えばアルカリ金属）の磁性層への拡散を防
ぐ目的で形成される層である。Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ等の非磁性金属あるいはそれらを
含む非磁性合金が単層あるいは多層で用いられる。
【００１７】磁性層の材料に特に制限は無いが、一般的
にＣｏＣｒ系、ＣｏＰｒ系、ＣｏＣｒＴａ系等の２〜５
元系が単層あるいは非磁性層と組み合わせた多層で使わ
れている。この他、フェライト系や鉄系などの強磁性材
料の適用が考えられる。高記憶密度化へ対応する為に、
高保磁力であると共に、磁区を微細化する為に粒界に非
磁性組成が偏析する様な材料設計もなされている。
にＣｏＣｒ系、ＣｏＰｒ系、ＣｏＣｒＴａ系等の２〜５
元系が単層あるいは非磁性層と組み合わせた多層で使わ
れている。この他、フェライト系や鉄系などの強磁性材
料の適用が考えられる。高記憶密度化へ対応する為に、
高保磁力であると共に、磁区を微細化する為に粒界に非
磁性組成が偏析する様な材料設計もなされている。
【００１８】保護層は、磁気ヘッドとの接触時の摩擦摩
耗や腐蝕性ガスから磁性層を保護する層である。一般的
にスパッタ法やＣＶＤ法を用いてＣ膜、Ｃ−Ｎ膜等が用
いられる。その他ジルコニア膜やシリカ膜等の硬質セラ
ミック膜でも良く、成膜法も蒸着法の他に有機金属をア
ルコールで希釈塗布して焼成する所謂ゾル−ゲル法を用
いても良い。
耗や腐蝕性ガスから磁性層を保護する層である。一般的
にスパッタ法やＣＶＤ法を用いてＣ膜、Ｃ−Ｎ膜等が用
いられる。その他ジルコニア膜やシリカ膜等の硬質セラ
ミック膜でも良く、成膜法も蒸着法の他に有機金属をア
ルコールで希釈塗布して焼成する所謂ゾル−ゲル法を用
いても良い。
【００１９】潤滑層は、磁気ヘッドとの接触時の摩擦摩
耗から保護層と共に摩擦抵抗を軽減する層である。一般
的にはパーフルオロポリエーテルをフッ素系溶媒で希釈
して、ディッピング法やスピンコート法にて、０．１〜
０．５ｎｍ程度の膜厚に塗布される。
耗から保護層と共に摩擦抵抗を軽減する層である。一般
的にはパーフルオロポリエーテルをフッ素系溶媒で希釈
して、ディッピング法やスピンコート法にて、０．１〜
０．５ｎｍ程度の膜厚に塗布される。
【００２０】磁気ディスクに求める機能と信頼性が達成
されるならば、上記の下地層、保護層、潤滑層の３層は
必須ではなく、また基板に磁気記録の機能があれば磁性
層も必要ないが、現状では上記４層に機能分離して所定
の性能を達成している。
されるならば、上記の下地層、保護層、潤滑層の３層は
必須ではなく、また基板に磁気記録の機能があれば磁性
層も必要ないが、現状では上記４層に機能分離して所定
の性能を達成している。
【００２１】本願は磁気ディスクについて述べてきた
が、基板がガラスである他の情報記録媒体にも本願の温
水処理は有効である。
が、基板がガラスである他の情報記録媒体にも本願の温
水処理は有効である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の範囲内において種々の変更が当業者
にとって可能であることは容易に理解されるであろう。
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の範囲内において種々の変更が当業者
にとって可能であることは容易に理解されるであろう。
【００２３】（実施例１） １．基板の作製、洗浄 ＫＮＯ3：ＮａＮＯ3＝６：４、４００℃の溶融塩に２時
間浸漬して化学強化を行なったアルミノシリケート系ガ
ラス基板を、酸化セリウム及びコロイダルシリカを用い
て表面粗さＲａ＝０．３〜０．５ｎｍに研磨した。その
後中性洗剤とＰＶＡスポンジを用いた擦り洗い、アルカ
リ洗浄液（花王製 ＫＳ３０３０ ２％，４５℃）への
浸漬洗浄（５分間）を行ない、１８ＭΩ以上の超純水を
用いて十分に濯ぎ、ＩＰＡ蒸気乾燥を行ない、清浄なガ
ラス基板を得た。
間浸漬して化学強化を行なったアルミノシリケート系ガ
ラス基板を、酸化セリウム及びコロイダルシリカを用い
て表面粗さＲａ＝０．３〜０．５ｎｍに研磨した。その
後中性洗剤とＰＶＡスポンジを用いた擦り洗い、アルカ
リ洗浄液（花王製 ＫＳ３０３０ ２％，４５℃）への
浸漬洗浄（５分間）を行ない、１８ＭΩ以上の超純水を
用いて十分に濯ぎ、ＩＰＡ蒸気乾燥を行ない、清浄なガ
ラス基板を得た。
【００２４】２．基板の温水処理 上記で得られたガラス基板を温度６０℃の温水に７２時
間浸漬する処理を行った。φ６５ｍｍの基板２５枚に２
５００ｍｌの純水（２５℃で１８ＭΩ）を用いた。
間浸漬する処理を行った。φ６５ｍｍの基板２５枚に２
５００ｍｌの純水（２５℃で１８ＭΩ）を用いた。
【００２５】（実施例２）ガラス基板を温度９５℃の温
水に３０時間浸漬する処理を行った以外は実施例１と同
様の手順に従った。
水に３０時間浸漬する処理を行った以外は実施例１と同
様の手順に従った。
【００２６】（実施例３）耐圧容器を用いてガラス基板
を温度１４０℃の温水に２時間浸漬する処理を行った以
外は実施例１と同様の手順に従った。
を温度１４０℃の温水に２時間浸漬する処理を行った以
外は実施例１と同様の手順に従った。
【００２７】（実施例４）耐圧容器を用いてガラス基板
を温度１８０℃の温水に１時間浸漬する処理を行った以
外は実施例１と同様の手順に従った。
を温度１８０℃の温水に１時間浸漬する処理を行った以
外は実施例１と同様の手順に従った。
【００２８】（比較例１）実施例１と同様に基板の作
製、洗浄を行ったが、温水処理を行わなかった。
製、洗浄を行ったが、温水処理を行わなかった。
【００２９】（比較例２）ガラス基板を温度４０℃の温
水に１２０時間浸漬する処理を行った以外は実施例１と
同様の手順に従った。
水に１２０時間浸漬する処理を行った以外は実施例１と
同様の手順に従った。
【００３０】（比較例３）ガラス基板を温度５０℃の温
水に１２０時間浸漬する処理を行った以外は実施例１と
同様の手順に従った。
水に１２０時間浸漬する処理を行った以外は実施例１と
同様の手順に従った。
【００３１】（比較例４）耐圧容器を用いてガラス基板
を温度１２０℃の温水に３０時間浸漬する処理を行った
以外は実施例１と同様の手順に従った。
を温度１２０℃の温水に３０時間浸漬する処理を行った
以外は実施例１と同様の手順に従った。
【００３２】（比較例５）耐圧容器を用いてガラス基板
を温度２００℃の温水に３０分浸漬する処理を行った以
外は実施例１と同様の手順に従った。
を温度２００℃の温水に３０分浸漬する処理を行った以
外は実施例１と同様の手順に従った。
【００３３】（比較例６）ガラス基板を温度９０℃の温
水に６時間浸漬する処理を行い、さらに１５０℃の熱濃
硫酸に１時間浸漬した以外は実施例１と同様の手順に従
った。
水に６時間浸漬する処理を行い、さらに１５０℃の熱濃
硫酸に１時間浸漬した以外は実施例１と同様の手順に従
った。
【００３４】以下に、実施例１から４および比較例１か
ら６の条件を表１にまとめて記す。
ら６の条件を表１にまとめて記す。
【００３５】
【表１】
【００３６】３．成膜 エラー測定用のガラス基板は、温水処理後にアルカリ洗
浄液（花王製 ＫＳ３０３０ ２％，４５℃）への浸漬
洗浄（５分間）、１８ＭΩ以上の超純水を用いた十分な
濯ぎ、ＩＰＡ蒸気乾燥を行なった後に、スパッタ法を用
いてＮｉ−Ａｌ下地層、Ｃｒ下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
系磁性層、Ｃ保護層を順次形成し、ディップコート法を
用いてフッ素系液体潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒
体とした。
浄液（花王製 ＫＳ３０３０ ２％，４５℃）への浸漬
洗浄（５分間）、１８ＭΩ以上の超純水を用いた十分な
濯ぎ、ＩＰＡ蒸気乾燥を行なった後に、スパッタ法を用
いてＮｉ−Ａｌ下地層、Ｃｒ下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
系磁性層、Ｃ保護層を順次形成し、ディップコート法を
用いてフッ素系液体潤滑剤を塗布して、磁気ディスク媒
体とした。
【００３７】４．評価法 ガラス基板および磁気ディスク媒体の評価方法を表２に
示す。表中、ＩＣＰとは、誘導結合プラズマ原子発光分
光分析法を意味し、ＡＦＭとは、原子間力顕微鏡法を意
味する。
示す。表中、ＩＣＰとは、誘導結合プラズマ原子発光分
光分析法を意味し、ＡＦＭとは、原子間力顕微鏡法を意
味する。
【００３８】表面粗さは、記憶密度が上がるとヘッドの
浮上量を下げる必要があることから、好適な表面粗さを
規定することは困難であるが、好ましくは、Ｒａ＝０．
５〜０．１ｎｍ、さらにより好ましくはＲａ＝０．３〜
０．１ｎｍである。
浮上量を下げる必要があることから、好適な表面粗さを
規定することは困難であるが、好ましくは、Ｒａ＝０．
５〜０．１ｎｍ、さらにより好ましくはＲａ＝０．３〜
０．１ｎｍである。
【００３９】
【表２】
【００４０】５．評価結果 上記評価法に基づき、実施例１から４および比較例１か
ら６の評価結果を表３に示す。
ら６の評価結果を表３に示す。
【００４１】
【表３】
【００４２】実施例１〜４は温水処理によってアルカリ
溶出量が減ったことにより、８０℃８０％１０００時間
放置後にもエラー個数の増加は見られない。
溶出量が減ったことにより、８０℃８０％１０００時間
放置後にもエラー個数の増加は見られない。
【００４３】比較例１は温水処理をしていないのでアル
カリ腐蝕（炭酸塩，塩化物の析出）が発生して、放置に
よってエラー数が増加した。
カリ腐蝕（炭酸塩，塩化物の析出）が発生して、放置に
よってエラー数が増加した。
【００４４】比較例２はアルカリ溶出は減ったが、浸漬
時間が長すぎて表面の荒れが発生してしまい、ヘッド浮
上が不安定となりエラー個数が最初から多くなってしま
った。
時間が長すぎて表面の荒れが発生してしまい、ヘッド浮
上が不安定となりエラー個数が最初から多くなってしま
った。
【００４５】比較例３は温水処理温度が低かったので処
理時間を長くしても十分なアルカリ腐蝕防止効果が得ら
れず放置によってエラー個数が増加した。
理時間を長くしても十分なアルカリ腐蝕防止効果が得ら
れず放置によってエラー個数が増加した。
【００４６】比較例４は耐圧容器を用いて１２０℃以上
で処理する方法としては、長時間浸漬したので、表面粗
さが増大してしまい。ヘッド浮上が不安定となり放置前
からエラー個数が多くなってしまった。
で処理する方法としては、長時間浸漬したので、表面粗
さが増大してしまい。ヘッド浮上が不安定となり放置前
からエラー個数が多くなってしまった。
【００４７】比較例５は、温水処理の条件が高温過ぎて
ガラス表面を荒してしまい、表面粗さが大きくなってヘ
ッド浮上が不安定となり、放置前からエラー個数が多く
なった。
ガラス表面を荒してしまい、表面粗さが大きくなってヘ
ッド浮上が不安定となり、放置前からエラー個数が多く
なった。
【００４８】比較例６は、熱濃硫酸処理によって、表面
粗さが大きくかつアルカリイオン溶出量の多い表面とな
ってしまい、放置前からエラー個数が多い上に放置によ
ってさらに増大してしまった。
粗さが大きくかつアルカリイオン溶出量の多い表面とな
ってしまい、放置前からエラー個数が多い上に放置によ
ってさらに増大してしまった。
【００４９】理論に拘束されることを意図するものでな
いが、高温高湿下でアルカリイオンのマイグレーション
がより顕著であることに鑑み、高温水での処理によって
基板表面にマイグレーションしうる範囲のガラス基板中
のアルカリイオンを予め溶出させて除去することによ
り、磁気ディスクのエラー発生率を増大させるアルカリ
イオンの溶出量を低減することができると考えられる。
濃硫酸に浸漬処理することによっても、ガラス基板中の
アルカリイオンを溶出させることができるが、表面粗さ
が増大し、ガラス骨格をも破壊するため、却ってアルカ
リイオンが移動しやすくなり経時的なエラー発生率も増
大するものと考えられる。本発明の処理を用いると、濃
硫酸を用いる方法と異なり、実質的に表面粗さを損なう
こともないことがわかった。
いが、高温高湿下でアルカリイオンのマイグレーション
がより顕著であることに鑑み、高温水での処理によって
基板表面にマイグレーションしうる範囲のガラス基板中
のアルカリイオンを予め溶出させて除去することによ
り、磁気ディスクのエラー発生率を増大させるアルカリ
イオンの溶出量を低減することができると考えられる。
濃硫酸に浸漬処理することによっても、ガラス基板中の
アルカリイオンを溶出させることができるが、表面粗さ
が増大し、ガラス骨格をも破壊するため、却ってアルカ
リイオンが移動しやすくなり経時的なエラー発生率も増
大するものと考えられる。本発明の処理を用いると、濃
硫酸を用いる方法と異なり、実質的に表面粗さを損なう
こともないことがわかった。
【００５０】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、特に高温高
湿下でのガラス基板のアルカリ腐蝕を防ぐことを可能と
し、信頼性の高い、磁気ディスクを提供することができ
る。
湿下でのガラス基板のアルカリ腐蝕を防ぐことを可能と
し、信頼性の高い、磁気ディスクを提供することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉田 昇 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 皆澤 宏 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 津田 孝一 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 徳用 貴宏 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 日比野 邦男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小野田 稔 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G059 AA09 AB09 AC24 5D006 CB06 5D112 GA08 GA28
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス基板からのアルカリイオンの溶出
が防止される磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であ
って、該製造方法は磁気ディスク用ガラス基板を温水に
浸漬処理する工程を含み、該浸漬処理後のガラス基板は
表面粗さが実質的に損なわれないことを特徴とするガラ
ス基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記浸漬処理は、５０℃以上１００℃以
下の温水に２４時間以上１００時間以下浸漬するもので
あることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用
ガラス基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記浸漬処理は、耐圧容器を用いて、１
２０℃以上１８０℃以下の温水に３０分以上２４時間以
下浸漬するものであることを特徴とする請求項１に記載
の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれか一項に記載の
製造方法により製造されることを特徴とする磁気ディス
ク用ガラス基板。 - 【請求項５】 請求項４に記載の磁気ディスク用ガラス
基板を具えることを特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001236996A JP2002150549A (ja) | 2000-09-04 | 2001-08-03 | 磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000267203 | 2000-09-04 | ||
| JP2000-267203 | 2000-09-04 | ||
| JP2001236996A JP2002150549A (ja) | 2000-09-04 | 2001-08-03 | 磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002150549A true JP2002150549A (ja) | 2002-05-24 |
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ID=26599185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001236996A Pending JP2002150549A (ja) | 2000-09-04 | 2001-08-03 | 磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002150549A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017512173A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-05-18 | グラス・サーフェス・テクノロジーＧｌａｓｓ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ | ガラスフラスコの内表面を不動態化する方法及び装置、並びにこのような方法によって得られるフラスコ |
| US10656168B2 (en) | 2013-12-13 | 2020-05-19 | Ventana Medical Systems, Inc. | Automated processing systems and methods of thermally processing microscope slides |
-
2001
- 2001-08-03 JP JP2001236996A patent/JP2002150549A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10656168B2 (en) | 2013-12-13 | 2020-05-19 | Ventana Medical Systems, Inc. | Automated processing systems and methods of thermally processing microscope slides |
| US11567091B2 (en) | 2013-12-13 | 2023-01-31 | Ventana Medical Systems, Inc. | Automated processing systems and methods of thermally processing microscope slides |
| JP2017512173A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-05-18 | グラス・サーフェス・テクノロジーＧｌａｓｓ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ | ガラスフラスコの内表面を不動態化する方法及び装置、並びにこのような方法によって得られるフラスコ |
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