JP2002148634A - 液晶表示装置及びその製造方法並びにｃｆ基板 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法並びにｃｆ基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 柱状スペーサに信号電荷が帯電しても信号電
荷の影響を打ち消して、横電界の乱れを防止する。 【解決手段】 開示される液晶表示装置は、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の３種類の単位画素の面積に対する柱状スペーサの断面
積が占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％
に設定された上で、マトリクス状に配置された単位画素
の行方向Ｘあるいは列方向Ｙに沿った任意の位置におけ
る隣接するもの同士のみに１対の柱状スペーサ２６が配
置される。
荷の影響を打ち消して、横電界の乱れを防止する。 【解決手段】 開示される液晶表示装置は、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の３種類の単位画素の面積に対する柱状スペーサの断面
積が占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％
に設定された上で、マトリクス状に配置された単位画素
の行方向Ｘあるいは列方向Ｙに沿った任意の位置におけ
る隣接するもの同士のみに１対の柱状スペーサ２６が配
置される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置及
びその製造方法並びにＣＦ基板に係り、詳しくは、色層
が形成されたＣＦ（Color Filter：カラーフィルタ）基
板と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジス
タ）が形成されたＴＦＴ基板との間にセルギャップを確
保する柱状スペーサが配置されてなる液晶表示装置及び
その製造方法並びにＣＦ基板に関する。
びその製造方法並びにＣＦ基板に係り、詳しくは、色層
が形成されたＣＦ（Color Filter：カラーフィルタ）基
板と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジス
タ）が形成されたＴＦＴ基板との間にセルギャップを確
保する柱状スペーサが配置されてなる液晶表示装置及び
その製造方法並びにＣＦ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の情報機器等のディスプレイ装置と
して液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置
は、Ｒ（Red：赤）、Ｇ（Green：緑）、Ｂ(Blue：青)の
３種類の単位画素から構成される１組の画素をマトリク
ス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基板と、色
層と対向する面にスイッチング素子として動作するＴＦ
Ｔが形成されたＴＦＴ基板との間のセルギャップに液晶
が封入されて構成されている。このような液晶表示装置
は、表示方式の違いにより、ＴＮ(Twisted Nematic)形
とＩＰＳ(In-Plane Switching)形とに大別される。
して液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置
は、Ｒ（Red：赤）、Ｇ（Green：緑）、Ｂ(Blue：青)の
３種類の単位画素から構成される１組の画素をマトリク
ス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基板と、色
層と対向する面にスイッチング素子として動作するＴＦ
Ｔが形成されたＴＦＴ基板との間のセルギャップに液晶
が封入されて構成されている。このような液晶表示装置
は、表示方式の違いにより、ＴＮ(Twisted Nematic)形
とＩＰＳ(In-Plane Switching)形とに大別される。
【０００３】図１７は、ＴＮ形の液晶表示装置の構成を
概略的に示す断面図である。同ＴＮ形の液晶表示装置
は、図１７に示すように、ＴＦＴ基板５１とＣＦ基板６
１との間のセルギャップ７０に液晶（液晶分子）７１が
封入され、ＴＦＴ基板５１は、ガラス等から成る第１の
透明基板５２と、第１の透明基板５２の裏面に形成され
た第１の偏光板５３と、第１の透明基板５２の表面に形
成された画素電極５４と、画素電極５４を覆うように形
成された層間絶縁膜５５と、層間絶縁膜５５上に形成さ
れたドレイン配線５６と、ドレイン配線５６を覆うよう
に形成されたパッシベーション膜５７と、パッシベーシ
ョン膜５７上に形成された第１の配向膜５８とを有して
いる。
概略的に示す断面図である。同ＴＮ形の液晶表示装置
は、図１７に示すように、ＴＦＴ基板５１とＣＦ基板６
１との間のセルギャップ７０に液晶（液晶分子）７１が
封入され、ＴＦＴ基板５１は、ガラス等から成る第１の
透明基板５２と、第１の透明基板５２の裏面に形成され
た第１の偏光板５３と、第１の透明基板５２の表面に形
成された画素電極５４と、画素電極５４を覆うように形
成された層間絶縁膜５５と、層間絶縁膜５５上に形成さ
れたドレイン配線５６と、ドレイン配線５６を覆うよう
に形成されたパッシベーション膜５７と、パッシベーシ
ョン膜５７上に形成された第１の配向膜５８とを有して
いる。
【０００４】ＣＦ基板６１は、ガラス等から成る第２の
透明基板６２と、第２の透明基板６２の裏面に形成され
た第２の偏光板６３と、第２の透明基板６２の表面に形
成された共通電極６４及びＢＭ（Black Matrix：ブラッ
クマトリックス）層６５と、共通電極６４及びＢＭ層６
５を覆う色層６６と、ＢＭ層６５及び色層６６を覆うＯ
Ｃ(Over Coat:オーバーコート)層６７と、ＯＣ層６７上
に形成された第２の配向膜６８とを有している。
透明基板６２と、第２の透明基板６２の裏面に形成され
た第２の偏光板６３と、第２の透明基板６２の表面に形
成された共通電極６４及びＢＭ（Black Matrix：ブラッ
クマトリックス）層６５と、共通電極６４及びＢＭ層６
５を覆う色層６６と、ＢＭ層６５及び色層６６を覆うＯ
Ｃ(Over Coat:オーバーコート)層６７と、ＯＣ層６７上
に形成された第２の配向膜６８とを有している。
【０００５】上述のＴＮ形の液晶表示装置においては、
ＴＦＴ基板５１の画素電極５４とＣＦ基板６１の共通電
極６４との間に駆動電圧を印加することにより、両基板
５１、６１に対して矢印７２で示すような縦方向電界を
発生させて動作させる。
ＴＦＴ基板５１の画素電極５４とＣＦ基板６１の共通電
極６４との間に駆動電圧を印加することにより、両基板
５１、６１に対して矢印７２で示すような縦方向電界を
発生させて動作させる。
【０００６】図１８は、ＩＰＳ形の液晶表示装置の構成
を概略的に示す断面図である。同ＩＰＳ形の液晶表示装
置の構成が上述のＴＮ形のそれと異なるところは、図１
８に示すように、一方側の基板であるＴＦＴ基板５１の
第１の透明基板５２上に画素電極５４と共通電極６４と
が、層間絶縁膜５５を介して相互に絶縁されるように形
成されている点である。このようなＩＰＳ形の液晶表示
装置においては、ＴＦＴ基板５１の画素電極５４と共通
電極６４との間に駆動電圧を印加することにより、ＴＦ
Ｔ基板５１に対して矢印７３で示すような横方向電界を
発生させて動作させる。これにより、ＩＰＳ形では、基
板表面に沿って液晶分子の配列方向が発生するので、こ
の原理に基づいてＴＮ形に比較して広い視野角が得られ
るという利点を有している。したがって、ＩＰＳ形の液
晶表示装置（以下、単に液晶表示装置と称する）が好ん
で採用されつつある。
を概略的に示す断面図である。同ＩＰＳ形の液晶表示装
置の構成が上述のＴＮ形のそれと異なるところは、図１
８に示すように、一方側の基板であるＴＦＴ基板５１の
第１の透明基板５２上に画素電極５４と共通電極６４と
が、層間絶縁膜５５を介して相互に絶縁されるように形
成されている点である。このようなＩＰＳ形の液晶表示
装置においては、ＴＦＴ基板５１の画素電極５４と共通
電極６４との間に駆動電圧を印加することにより、ＴＦ
Ｔ基板５１に対して矢印７３で示すような横方向電界を
発生させて動作させる。これにより、ＩＰＳ形では、基
板表面に沿って液晶分子の配列方向が発生するので、こ
の原理に基づいてＴＮ形に比較して広い視野角が得られ
るという利点を有している。したがって、ＩＰＳ形の液
晶表示装置（以下、単に液晶表示装置と称する）が好ん
で採用されつつある。
【０００７】ところで、液晶表示装置では、ＣＦ基板６
１とＴＦＴ基板５１との間に液晶を封入するセルギャッ
プ７０を確保するために、両基板６１、５１間に絶縁性
材料から成る柱状スペーサを配置することが行われてい
る。ここで、液晶パネルは、両基板６１、５１間に液晶
７１が封入された構造になっているが、周囲環境の温度
変化に対して膨張、収縮するために、柱状スペーサを常
温で若干潰れた状態で液晶パネルが形成されるように配
置する必要がある。また、柱状スペーサを両基板６１、
５１の対向する面内にわたってセルギャップが均一に形
成されるように配置する必要がある。このような２つの
要求はトレードオフの関係にあるが、いずれの要求も満
足させるためには、前提条件として、次のように定義さ
れる柱面積比ＣＡをある範囲内に設定しなければならな
い。 柱面積比ＣＡ＝（Ｐx）・(Ｐy)/（Ｌx）・(Ｌy) 但し、Ｐx：柱状スペーサの横寸法 Ｐy：柱状スペーサの縦寸法 Ｌx：Ｒ、Ｇ、Ｂの各単位画素の横寸法 Ｌy：Ｒ、Ｇ、Ｂの各単位画素の縦寸法 すなわち、柱面積比ＣＡは、各単位画素の面積に対する
柱状スペーサの断面積が占める割合で定義される。
１とＴＦＴ基板５１との間に液晶を封入するセルギャッ
プ７０を確保するために、両基板６１、５１間に絶縁性
材料から成る柱状スペーサを配置することが行われてい
る。ここで、液晶パネルは、両基板６１、５１間に液晶
７１が封入された構造になっているが、周囲環境の温度
変化に対して膨張、収縮するために、柱状スペーサを常
温で若干潰れた状態で液晶パネルが形成されるように配
置する必要がある。また、柱状スペーサを両基板６１、
５１の対向する面内にわたってセルギャップが均一に形
成されるように配置する必要がある。このような２つの
要求はトレードオフの関係にあるが、いずれの要求も満
足させるためには、前提条件として、次のように定義さ
れる柱面積比ＣＡをある範囲内に設定しなければならな
い。 柱面積比ＣＡ＝（Ｐx）・(Ｐy)/（Ｌx）・(Ｌy) 但し、Ｐx：柱状スペーサの横寸法 Ｐy：柱状スペーサの縦寸法 Ｌx：Ｒ、Ｇ、Ｂの各単位画素の横寸法 Ｌy：Ｒ、Ｇ、Ｂの各単位画素の縦寸法 すなわち、柱面積比ＣＡは、各単位画素の面積に対する
柱状スペーサの断面積が占める割合で定義される。
【０００８】以上のような観点で、この発明の出願人は
先に、上記柱面積比ＣＡが０．０５〜０．１５％の範囲
に含まれるように柱状スペーサを配置すると、上記２つ
の要求を略満足させることができることを発明した（特
願平１１−２９３７９４号）。したがって、柱状スペー
サを配置する場合は、前提条件として、柱面積比ＣＡが
上述のような最適範囲に含まれるように配置することが
必要となる。
先に、上記柱面積比ＣＡが０．０５〜０．１５％の範囲
に含まれるように柱状スペーサを配置すると、上記２つ
の要求を略満足させることができることを発明した（特
願平１１−２９３７９４号）。したがって、柱状スペー
サを配置する場合は、前提条件として、柱面積比ＣＡが
上述のような最適範囲に含まれるように配置することが
必要となる。
【０００９】一方、液晶パネルの有効面積が減少しない
ようにするには、柱状スペーサの数が少なく、かつその
サイズ、すなわち横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyが小さいこと
が望ましい。ここで、柱状スペーサのサイズは、フォト
リソグラフィ技術の加工精度により決定されることにな
るが、あまり小さく形成すると強度的に安定しなくなる
ため、横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyはともに略８μｍ以上に
設定される。また、柱状スペーサは、ＴＦＴ基板上では
均一に広くて平坦な位置であるＴＦＴのゲート電極（ゲ
ートバスライン）上等に配置されるが、横寸法Ｐx及び
縦寸法Ｐyはゲート電極の幅寸法Ｐ（G）（略１３μｍ）
よりも小さく設定しなければならない。さらに、ＣＦ基
板とＴＦＴ基板との重ね合わせずれｎ（略３μｍ以上）
も考慮して、柱状スペーサの横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyを
決定しなければならない。
ようにするには、柱状スペーサの数が少なく、かつその
サイズ、すなわち横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyが小さいこと
が望ましい。ここで、柱状スペーサのサイズは、フォト
リソグラフィ技術の加工精度により決定されることにな
るが、あまり小さく形成すると強度的に安定しなくなる
ため、横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyはともに略８μｍ以上に
設定される。また、柱状スペーサは、ＴＦＴ基板上では
均一に広くて平坦な位置であるＴＦＴのゲート電極（ゲ
ートバスライン）上等に配置されるが、横寸法Ｐx及び
縦寸法Ｐyはゲート電極の幅寸法Ｐ（G）（略１３μｍ）
よりも小さく設定しなければならない。さらに、ＣＦ基
板とＴＦＴ基板との重ね合わせずれｎ（略３μｍ以上）
も考慮して、柱状スペーサの横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyを
決定しなければならない。
【００１０】また、柱状スペーサを配置する場合、柱密
度も考慮する必要がある。ここで、この柱密度を、図１
３（ａ）に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の単位画素
から構成される１組の画素７５のいずれかの単位画素
（例えばＧ）に１つの柱状スペーサ７６を配置した構成
を柱密度１／１と定義する。そして、図１３（ｂ）に示
すように、柱状スペーサ７６の数は１つのままで、画素
７５を２組に増やした構成を柱密度１／２とし、さらに
図１３（ｃ）に示すように、柱状スペーサ７６の数は１
つのままで、画素７５を３組に増やした構成を柱密度１
／３とするものである。すなわち、図１３（ａ）の柱密
度１／１の構成を基準に考えると、図１３（ｂ）の柱密
度１／２の構成では柱状スペーサ７６の配置する数を１
／２に間引いており、また、図１３（ｃ）の柱密度１／
３の構成では柱状スペーサ７６の配置する数を１／３に
間引いていることになる。
度も考慮する必要がある。ここで、この柱密度を、図１
３（ａ）に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の単位画素
から構成される１組の画素７５のいずれかの単位画素
（例えばＧ）に１つの柱状スペーサ７６を配置した構成
を柱密度１／１と定義する。そして、図１３（ｂ）に示
すように、柱状スペーサ７６の数は１つのままで、画素
７５を２組に増やした構成を柱密度１／２とし、さらに
図１３（ｃ）に示すように、柱状スペーサ７６の数は１
つのままで、画素７５を３組に増やした構成を柱密度１
／３とするものである。すなわち、図１３（ａ）の柱密
度１／１の構成を基準に考えると、図１３（ｂ）の柱密
度１／２の構成では柱状スペーサ７６の配置する数を１
／２に間引いており、また、図１３（ｃ）の柱密度１／
３の構成では柱状スペーサ７６の配置する数を１／３に
間引いていることになる。
【００１１】図１３（ａ）〜（ｃ）における、Ｒ、Ｇ、
Ｂの各単位画素の横寸法Ｌx及び縦寸法Ｌy、柱状スペー
サ７６の横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyの具体的値をそれぞれ
図示のように設定したとすると、それぞれの柱面積比Ｃ
Ａを上記式に基づいて求めると次のようになる。 柱密度１／１の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．１９ ％ 柱密度１／２の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．０９５％ 柱密度１／３の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．０６３％ したがって、上記した前提条件の柱面積比ＣＡと比較す
ると、その最適範囲（０．０５〜０．１５％）には、
が含まれることになる。しかしながら、実際には最適
範囲の中心値に近いものがふさわしいので、枠７７で囲
んだ柱密度１／２の構成となるように柱状スペーサを
配置することが望ましくなる。
Ｂの各単位画素の横寸法Ｌx及び縦寸法Ｌy、柱状スペー
サ７６の横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyの具体的値をそれぞれ
図示のように設定したとすると、それぞれの柱面積比Ｃ
Ａを上記式に基づいて求めると次のようになる。 柱密度１／１の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．１９ ％ 柱密度１／２の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．０９５％ 柱密度１／３の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．０６３％ したがって、上記した前提条件の柱面積比ＣＡと比較す
ると、その最適範囲（０．０５〜０．１５％）には、
が含まれることになる。しかしながら、実際には最適
範囲の中心値に近いものがふさわしいので、枠７７で囲
んだ柱密度１／２の構成となるように柱状スペーサを
配置することが望ましくなる。
【００１２】図１４（ａ）〜（ｃ）は、各単位画素の横
寸法Ｌx及び縦寸法Ｌyはそのままで、柱状スペーサ７６
の横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyの具体的値を変更した場合の
他の構成例について示している。それぞれの柱面積比Ｃ
Ａは次のようになる。 柱密度１／１の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．２８５％ 柱密度１／２の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．１４２％ 柱密度１／３の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．０９４％ したがって、この例では、、が上記前提条件の柱面
積比ＣＡの範囲に含まれることになる。しかしながら、
上記と同じ理由で、枠７７で囲んだ柱密度１／３の構
成となるように柱状スペーサを配置することが望ましく
なる。
寸法Ｌx及び縦寸法Ｌyはそのままで、柱状スペーサ７６
の横寸法Ｐx及び縦寸法Ｐyの具体的値を変更した場合の
他の構成例について示している。それぞれの柱面積比Ｃ
Ａは次のようになる。 柱密度１／１の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．２８５％ 柱密度１／２の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．１４２％ 柱密度１／３の構成⇒柱面積比ＣＡ≒０．０９４％ したがって、この例では、、が上記前提条件の柱面
積比ＣＡの範囲に含まれることになる。しかしながら、
上記と同じ理由で、枠７７で囲んだ柱密度１／３の構
成となるように柱状スペーサを配置することが望ましく
なる。
【００１３】上述したように、柱状スペーサ７６の横寸
法Ｐx及び縦寸法Ｐyの具体的値を変更することにより、
前提条件を満足する柱密度の値は変化してくる。あるい
は、各単位画素の横寸法Ｌx及び縦寸法Ｌyを変更した場
合も同様である。但し、柱状スペーサ７６の横寸法Ｐx
及び縦寸法Ｐyの値を変更する場合は、上述したような
制約の範囲内で変更する必要がある。
法Ｐx及び縦寸法Ｐyの具体的値を変更することにより、
前提条件を満足する柱密度の値は変化してくる。あるい
は、各単位画素の横寸法Ｌx及び縦寸法Ｌyを変更した場
合も同様である。但し、柱状スペーサ７６の横寸法Ｐx
及び縦寸法Ｐyの値を変更する場合は、上述したような
制約の範囲内で変更する必要がある。
【００１４】図１５は、上述したような前提条件の柱面
積比ＣＡに設定した上で、柱密度が１／２となるように
柱状スペーサ７６を配置した従来の液晶表示装置の構成
を概略的に示す平面図である。同液晶表示装置は、図１
５に示すように、破線で示した４組の画素７５（行方向
Ｘに沿って２組、列方向Ｙに沿って２組）に２つの柱状
スペーサ７６を配置していて、２組の画素当たり１つの
柱状スペーサ７６が配置されている構成になっている。
ここで、柱状スペーサ７６は単一の単位画素である例え
ばＧに配置されて、１組の画素置きに千鳥足状に配置さ
れている。このように、上記前提条件の柱面積比ＣＡに
設定した上で、柱密度１／２に柱状スペーサを配置する
ことにより、柱状スペーサの弾性組成変形が釣り合い良
くなるので、周囲環境の温度変化に対して柱状スペーサ
がセル厚変化に適応するようになる。
積比ＣＡに設定した上で、柱密度が１／２となるように
柱状スペーサ７６を配置した従来の液晶表示装置の構成
を概略的に示す平面図である。同液晶表示装置は、図１
５に示すように、破線で示した４組の画素７５（行方向
Ｘに沿って２組、列方向Ｙに沿って２組）に２つの柱状
スペーサ７６を配置していて、２組の画素当たり１つの
柱状スペーサ７６が配置されている構成になっている。
ここで、柱状スペーサ７６は単一の単位画素である例え
ばＧに配置されて、１組の画素置きに千鳥足状に配置さ
れている。このように、上記前提条件の柱面積比ＣＡに
設定した上で、柱密度１／２に柱状スペーサを配置する
ことにより、柱状スペーサの弾性組成変形が釣り合い良
くなるので、周囲環境の温度変化に対して柱状スペーサ
がセル厚変化に適応するようになる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶表示装置では、柱状スペーサが１組の画素置きに単
一の同じ単位画素に配置されているため、液晶が駆動さ
れたときに全ての柱状スペーサに同じ極性の信号電荷が
帯電されてしまうので、この同極性の信号電荷の影響で
横電界が乱される、という問題がある。以下、図１６を
参照して、従来の問題について説明する。図１６は、従
来の液晶表示装置の駆動方法を説明する図である。液晶
表示装置を構成する液晶は同極性（＋、あるいは−）の
電位を印加し続けると壊れる性質があるので、これを避
けるために同一画素には必ず交互に逆極性の電位を印加
するドット反転駆動方式により駆動される。それゆえ、
図１６に示すように、行方向Ｘに沿って１画素毎に＋、
−の信号電荷が書き込まれ、列方向Ｙに沿って隣接して
いる各画素には反対の極性の信号電荷が書き込まれる。
ここで、＋、−の電位を隣接する画素毎に交互に印加し
ているのは、表示のチラツキ（フリッカー）を防止する
ための配慮である。
液晶表示装置では、柱状スペーサが１組の画素置きに単
一の同じ単位画素に配置されているため、液晶が駆動さ
れたときに全ての柱状スペーサに同じ極性の信号電荷が
帯電されてしまうので、この同極性の信号電荷の影響で
横電界が乱される、という問題がある。以下、図１６を
参照して、従来の問題について説明する。図１６は、従
来の液晶表示装置の駆動方法を説明する図である。液晶
表示装置を構成する液晶は同極性（＋、あるいは−）の
電位を印加し続けると壊れる性質があるので、これを避
けるために同一画素には必ず交互に逆極性の電位を印加
するドット反転駆動方式により駆動される。それゆえ、
図１６に示すように、行方向Ｘに沿って１画素毎に＋、
−の信号電荷が書き込まれ、列方向Ｙに沿って隣接して
いる各画素には反対の極性の信号電荷が書き込まれる。
ここで、＋、−の電位を隣接する画素毎に交互に印加し
ているのは、表示のチラツキ（フリッカー）を防止する
ための配慮である。
【００１６】ここで、図１５に示した従来の液晶表示装
置ように、柱状スペーサ７６が１組の画素７５置きに単
一の同じ画素Ｇに配置されていると、柱状スペーサ７６
が配置されている列方向Ｙには常に１画素毎に同じ極性
の信号電荷が書き込まれるので、この信号電荷により柱
状スペーサ７６が帯電されるようになる。そして、画素
Ｇに配置されている柱状スペーサ７６は常に＋、あるい
は−の同極性に帯電される。したがって、同極性の信号
電荷の影響で横電界が乱されるようになる。符号７８
は、横電界が乱される範囲を示し、柱状スペーサ７６が
配置された列方向の全体に及んでいる。一方、柱状スペ
ーサが配置されていない画素には、帯電する柱状スペー
サがないので、横電界が乱れることはなくなる。
置ように、柱状スペーサ７６が１組の画素７５置きに単
一の同じ画素Ｇに配置されていると、柱状スペーサ７６
が配置されている列方向Ｙには常に１画素毎に同じ極性
の信号電荷が書き込まれるので、この信号電荷により柱
状スペーサ７６が帯電されるようになる。そして、画素
Ｇに配置されている柱状スペーサ７６は常に＋、あるい
は−の同極性に帯電される。したがって、同極性の信号
電荷の影響で横電界が乱されるようになる。符号７８
は、横電界が乱される範囲を示し、柱状スペーサ７６が
配置された列方向の全体に及んでいる。一方、柱状スペ
ーサが配置されていない画素には、帯電する柱状スペー
サがないので、横電界が乱れることはなくなる。
【００１７】特に、ＩＰＳ形の液晶表示装置では、残象
抑制の点から液晶の比抵抗を低下させる手法がとられて
いるため、柱状スペーサの帯電により、液晶パネル内の
電荷が集合して、局所的な液晶比抵抗が変化する。した
がって、ドット反転駆動方式により駆動する場合、柱状
スペーサが片極性においてのみ帯電するように配置され
ていると、片極性の画素電位だけが柱状スペーサに電気
力線が入り込むので、柱状スペーサの近傍の液晶の比抵
抗が変化するようになって、反転駆動をしていてもちら
つき等の表示不良が発生するようになる。
抑制の点から液晶の比抵抗を低下させる手法がとられて
いるため、柱状スペーサの帯電により、液晶パネル内の
電荷が集合して、局所的な液晶比抵抗が変化する。した
がって、ドット反転駆動方式により駆動する場合、柱状
スペーサが片極性においてのみ帯電するように配置され
ていると、片極性の画素電位だけが柱状スペーサに電気
力線が入り込むので、柱状スペーサの近傍の液晶の比抵
抗が変化するようになって、反転駆動をしていてもちら
つき等の表示不良が発生するようになる。
【００１８】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、柱状スペーサに信号電荷が帯電しても信号電荷
の影響を打ち消して、横電界の乱れを防止することがで
きるようにした液晶表示装置及びその製造方法並びにＣ
Ｆ基板を提供することを目的としている。
もので、柱状スペーサに信号電荷が帯電しても信号電荷
の影響を打ち消して、横電界の乱れを防止することがで
きるようにした液晶表示装置及びその製造方法並びにＣ
Ｆ基板を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とが
柱状スペーサを挟んで対向配置され前記柱状スペーサの
柱密度が１より小さい液晶表示装置に係り、上記柱状ス
ペーサを、隣接して配置されそれぞれ極性が反対の信号
が追加される２つの単位画素に配置したことを特徴とし
ている。
に、請求項１記載の発明は、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とが
柱状スペーサを挟んで対向配置され前記柱状スペーサの
柱密度が１より小さい液晶表示装置に係り、上記柱状ス
ペーサを、隣接して配置されそれぞれ極性が反対の信号
が追加される２つの単位画素に配置したことを特徴とし
ている。
【００２０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の液晶表示装置に係り、ゲートライン反転駆動方式又
はドット反転駆動方式により駆動されることを特徴とし
ている。
載の液晶表示装置に係り、ゲートライン反転駆動方式又
はドット反転駆動方式により駆動されることを特徴とし
ている。
【００２１】また、請求項３記載の発明は、単位画素を
マトリクス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基
板と、上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴＦ
Ｔ基板との間のセルギャップに液晶が封入され、上記セ
ルギャップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と上
記ＴＦＴ基板との間に配置されてなる液晶表示装置に係
り、上記単位画素の面積に対する上記柱状スペーサの断
面積が占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５
％に設定された上で、上記マトリクス状に配置された単
位画素の行方向あるいは列方向に沿った任意の位置にお
ける隣接するもの同士のみに１対の柱状スペーサが配置
されることを特徴としている。
マトリクス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基
板と、上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴＦ
Ｔ基板との間のセルギャップに液晶が封入され、上記セ
ルギャップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と上
記ＴＦＴ基板との間に配置されてなる液晶表示装置に係
り、上記単位画素の面積に対する上記柱状スペーサの断
面積が占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５
％に設定された上で、上記マトリクス状に配置された単
位画素の行方向あるいは列方向に沿った任意の位置にお
ける隣接するもの同士のみに１対の柱状スペーサが配置
されることを特徴としている。
【００２２】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載の液晶表示装置に係り、上記柱状スペーサが列方向に
沿って配置される場合は上記単位画素がドット反転駆動
方式により駆動される一方、上記柱状スペーサが行方向
に沿って配置される場合は上記単位画素がゲートライン
反転駆動方式により駆動されることを特徴としている。
載の液晶表示装置に係り、上記柱状スペーサが列方向に
沿って配置される場合は上記単位画素がドット反転駆動
方式により駆動される一方、上記柱状スペーサが行方向
に沿って配置される場合は上記単位画素がゲートライン
反転駆動方式により駆動されることを特徴としている。
【００２３】また、請求項５記載の発明は、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の３種類の単位画素から構成される１組の画素をマトリ
クス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基板と、
上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板
との間のセルギャップに液晶が封入され、上記セルギャ
ップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と上記ＴＦ
Ｔ基板との間に配置されてなる液晶表示装置に係り、上
記単位画素の面積に対する上記柱状スペーサの断面積が
占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％に設
定された上で、任意の１組の画素におけるいずれかの該
当単位画素及び上記１組の画素に列方向に沿って隣接す
る他の組の画素における上記該当単位画素と同一の単位
画素にそれぞれ柱状スペーサが配置されることを特徴と
している。
の３種類の単位画素から構成される１組の画素をマトリ
クス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基板と、
上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板
との間のセルギャップに液晶が封入され、上記セルギャ
ップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と上記ＴＦ
Ｔ基板との間に配置されてなる液晶表示装置に係り、上
記単位画素の面積に対する上記柱状スペーサの断面積が
占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％に設
定された上で、任意の１組の画素におけるいずれかの該
当単位画素及び上記１組の画素に列方向に沿って隣接す
る他の組の画素における上記該当単位画素と同一の単位
画素にそれぞれ柱状スペーサが配置されることを特徴と
している。
【００２４】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の液晶表示装置に係り、上記単位画素がドット反転駆
動方式により駆動されることを特徴としている。
載の液晶表示装置に係り、上記単位画素がドット反転駆
動方式により駆動されることを特徴としている。
【００２５】また、請求項７記載の発明は、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の３種類の単位画素から構成される１組の画素をマトリ
クス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基板と、
上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板
との間のセルギャップに液晶が封入され、上記セルギャ
ップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と上記ＴＦ
Ｔ基板との間に配置されてなる液晶表示装置に係り、上
記単位画素の面積に対する上記柱状スペーサの断面積が
占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％に設
定された上で、任意の１組の画素におけるいずれかの該
当単位画素及び該該当単位画素に行方向に沿って隣接す
る他の単位画素にそれぞれ柱状スペーサが配置されるこ
とを特徴としている。
の３種類の単位画素から構成される１組の画素をマトリ
クス状に配置するように色層が形成されたＣＦ基板と、
上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板
との間のセルギャップに液晶が封入され、上記セルギャ
ップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と上記ＴＦ
Ｔ基板との間に配置されてなる液晶表示装置に係り、上
記単位画素の面積に対する上記柱状スペーサの断面積が
占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％に設
定された上で、任意の１組の画素におけるいずれかの該
当単位画素及び該該当単位画素に行方向に沿って隣接す
る他の単位画素にそれぞれ柱状スペーサが配置されるこ
とを特徴としている。
【００２６】また、請求項８記載の発明は、請求項７記
載の液晶表示装置に係り、上記単位画素がゲートライン
反転駆動方式により駆動されることを特徴としている。
載の液晶表示装置に係り、上記単位画素がゲートライン
反転駆動方式により駆動されることを特徴としている。
【００２７】また、請求項９記載の発明は、請求項１乃
至８のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記柱
状スペーサが上記ＴＦＴ基板のＴＦＴのゲート電極上に
配置されることを特徴としている。
至８のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記柱
状スペーサが上記ＴＦＴ基板のＴＦＴのゲート電極上に
配置されることを特徴としている。
【００２８】また、請求項１０記載の発明は、請求項１
乃至９のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記
ＴＦＴ基板上に画素電極と共通電極とが、相互に絶縁さ
れるように形成されることを特徴としている。
乃至９のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上記
ＴＦＴ基板上に画素電極と共通電極とが、相互に絶縁さ
れるように形成されることを特徴としている。
【００２９】また、請求項１１記載の発明は、請求項５
乃至１０のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上
記ＴＦＴ基板上に画素電極と共通電極とが、相互に絶縁
されるように形成されていることを特徴としている。
乃至１０のいずれか１に記載の液晶表示装置に係り、上
記ＴＦＴ基板上に画素電極と共通電極とが、相互に絶縁
されるように形成されていることを特徴としている。
【００３０】また、請求項１２記載の発明は、請求項１
１記載の液晶表示装置に係り、上記柱密度が１／２とな
るように上記柱状スペーサが複数組の画素に配置される
ことを特徴としている。
１記載の液晶表示装置に係り、上記柱密度が１／２とな
るように上記柱状スペーサが複数組の画素に配置される
ことを特徴としている。
【００３１】また、請求項１３記載の発明は、単位画素
をマトリクス状に配置するように色層が形成されたＣＦ
基板と、上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴ
ＦＴ基板との間のセルギャップに液晶が封入され、上記
セルギャップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と
上記ＴＦＴ基板との間に配置されてなる液晶表示装置の
製造方法に係り、第１の透明絶縁基板の表面に少なくと
もＴＦＴを組み込んでＴＦＴ基板を形成するＴＦＴ基板
形成工程と、第２の透明絶縁基板の上記ＴＦＴと対向す
る表面に少なくとも色層を形成した後、該色層上に柱状
スペーサを組み込んでＣＦ基板を形成するＣＦ基板形成
工程と、上記ＴＦＴ基板と上記ＣＦ基板との間の上記柱
状スペーサにより確保されたセルギャップに液晶を封入
する液晶封入工程とを含むことを特徴としている。
をマトリクス状に配置するように色層が形成されたＣＦ
基板と、上記色層と対向する面にＴＦＴが形成されたＴ
ＦＴ基板との間のセルギャップに液晶が封入され、上記
セルギャップを確保する柱状スペーサが上記ＣＦ基板と
上記ＴＦＴ基板との間に配置されてなる液晶表示装置の
製造方法に係り、第１の透明絶縁基板の表面に少なくと
もＴＦＴを組み込んでＴＦＴ基板を形成するＴＦＴ基板
形成工程と、第２の透明絶縁基板の上記ＴＦＴと対向す
る表面に少なくとも色層を形成した後、該色層上に柱状
スペーサを組み込んでＣＦ基板を形成するＣＦ基板形成
工程と、上記ＴＦＴ基板と上記ＣＦ基板との間の上記柱
状スペーサにより確保されたセルギャップに液晶を封入
する液晶封入工程とを含むことを特徴としている。
【００３２】また、請求項１４記載の発明は、請求項１
３記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記ＣＦ基板
形成工程が、上記色層を覆うように感光性樹脂を塗布し
た後、該感光性樹脂をパターニングして柱状スペーサを
形成することを特徴としている。
３記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記ＣＦ基板
形成工程が、上記色層を覆うように感光性樹脂を塗布し
た後、該感光性樹脂をパターニングして柱状スペーサを
形成することを特徴としている。
【００３３】また、請求項１５記載の発明は、ＴＦＴが
形成されたＴＦＴ基板と対向して該ＴＦＴ基板との間の
セルギャップに液晶を封入するＣＦ基板に係り、透明基
板上に単位画素をマトリクス状に配置するように色層が
形成され、該色層上に柱状スペーサが形成されることを
特徴としている。
形成されたＴＦＴ基板と対向して該ＴＦＴ基板との間の
セルギャップに液晶を封入するＣＦ基板に係り、透明基
板上に単位画素をマトリクス状に配置するように色層が
形成され、該色層上に柱状スペーサが形成されることを
特徴としている。
【００３４】また、請求項１６記載の発明は、請求項１
５記載のＣＦ基板に係り、上記柱状スペーサが感光性樹
脂から成ることを特徴としている。
５記載のＣＦ基板に係り、上記柱状スペーサが感光性樹
脂から成ることを特徴としている。
【００３５】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態は、ＣＦ基
板とＴＦＴ基板とが柱状スペーサを挟んで対向配置され
上記柱状スペーサの柱密度が１より小さい液晶表示装置
において、上記柱状スペーサを隣接して配置されそれぞ
れ極性が反対の信号が追加される２つの単位画素に配置
したものである。以下、実施例について、図面を参照し
て説明する。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３
は図２のＢ−Ｂ矢視断面図、また、図４は同液晶表示装
置の製造方法の主要部を示す工程図である。この例の液
晶表示装置は、図１〜図３に示すように、ＴＦＴ基板１
とＣＦ基板１１との間のセルギャップ２０に液晶（液晶
分子）２１が封入され、ＴＦＴ基板１は、ガラス等から
成る第１の透明基板２と、第１の透明基板２の裏面に形
成された第１の偏光板３と、第１の透明基板２の表面の
一部分に形成されたゲート電極（ゲートバスライン）１
０と、第１の透明基板２の表面の他部分に形成されたゲ
ート電極１０と同層から成る共通電極１４と、共通電極
１４及びゲート電極１０を覆うよう形成された層間絶縁
膜５と、層間絶縁膜５上に形成された画素電極４、ドレ
イン電極６及びデータ線２２と、画素電極４、ドレイン
電極６及びデータ線２２を覆うように形成されたパッシ
ベーション膜７と、パッシベーション膜７上に形成され
た第１の配向膜８とを有している。
板とＴＦＴ基板とが柱状スペーサを挟んで対向配置され
上記柱状スペーサの柱密度が１より小さい液晶表示装置
において、上記柱状スペーサを隣接して配置されそれぞ
れ極性が反対の信号が追加される２つの単位画素に配置
したものである。以下、実施例について、図面を参照し
て説明する。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３
は図２のＢ−Ｂ矢視断面図、また、図４は同液晶表示装
置の製造方法の主要部を示す工程図である。この例の液
晶表示装置は、図１〜図３に示すように、ＴＦＴ基板１
とＣＦ基板１１との間のセルギャップ２０に液晶（液晶
分子）２１が封入され、ＴＦＴ基板１は、ガラス等から
成る第１の透明基板２と、第１の透明基板２の裏面に形
成された第１の偏光板３と、第１の透明基板２の表面の
一部分に形成されたゲート電極（ゲートバスライン）１
０と、第１の透明基板２の表面の他部分に形成されたゲ
ート電極１０と同層から成る共通電極１４と、共通電極
１４及びゲート電極１０を覆うよう形成された層間絶縁
膜５と、層間絶縁膜５上に形成された画素電極４、ドレ
イン電極６及びデータ線２２と、画素電極４、ドレイン
電極６及びデータ線２２を覆うように形成されたパッシ
ベーション膜７と、パッシベーション膜７上に形成され
た第１の配向膜８とを有している。
【００３６】このように、ＩＰＳ形の液晶表示装置にお
いては、ＴＦＴ基板１の第１の透明基板２上に画素電極
４と共通電極１４とが、層間絶縁膜５を介して相互に絶
縁されるように形成されている。ドレイン電極６、ソー
ス電極９、ゲート電極１０及び半導体層２４により、Ｔ
ＦＴ３０が構成されている。また、符号２９は液晶２１
のラビング方向を示している。
いては、ＴＦＴ基板１の第１の透明基板２上に画素電極
４と共通電極１４とが、層間絶縁膜５を介して相互に絶
縁されるように形成されている。ドレイン電極６、ソー
ス電極９、ゲート電極１０及び半導体層２４により、Ｔ
ＦＴ３０が構成されている。また、符号２９は液晶２１
のラビング方向を示している。
【００３７】ＣＦ基板１１は、ガラス等から成る第２の
透明基板１２と、第２の透明基板１２の裏面に導電層２
３を介して形成された第２の偏光板１３と、第２の透明
基板１２の表面に形成されたＢＭ層１５と、ＢＭ層１５
を覆う色層１６と、ＢＭ層１５及び色層１６を覆うＯＣ
層１７と、ＯＣ層１７上に部分的に形成された柱状スペ
ーサ２６と、柱状スペーサ２６を覆うように形成された
第２の配向膜１８とを有している。ここで、柱状スペー
サ２６は、ＴＦＴ基板１上では均一に広くて平坦な位置
であるＴＦＴ３０のゲート電極（ゲートバスライン）１
０上に配置されている。柱状スペーサ２６は、ＣＦ基板
１１とＴＦＴ基板１との間に液晶２１を封入するための
セルギャップ２０を確保している。
透明基板１２と、第２の透明基板１２の裏面に導電層２
３を介して形成された第２の偏光板１３と、第２の透明
基板１２の表面に形成されたＢＭ層１５と、ＢＭ層１５
を覆う色層１６と、ＢＭ層１５及び色層１６を覆うＯＣ
層１７と、ＯＣ層１７上に部分的に形成された柱状スペ
ーサ２６と、柱状スペーサ２６を覆うように形成された
第２の配向膜１８とを有している。ここで、柱状スペー
サ２６は、ＴＦＴ基板１上では均一に広くて平坦な位置
であるＴＦＴ３０のゲート電極（ゲートバスライン）１
０上に配置されている。柱状スペーサ２６は、ＣＦ基板
１１とＴＦＴ基板１との間に液晶２１を封入するための
セルギャップ２０を確保している。
【００３８】次に、図４を参照して、同液晶表示装置の
製造方法の主要部であるＣＦ基板の製造方法について工
程順に説明する。まず、図４（ａ）に示すように、ガラ
ス等から成る第２の透明基板１２の表面にＢＭ層１５、
色層１６及びＯＣ層１７を順次に形成した後、フォトリ
ソグラフィ技術を利用して、全面に感光性樹脂２８例え
ばポジ型レジストを塗布する。
製造方法の主要部であるＣＦ基板の製造方法について工
程順に説明する。まず、図４（ａ）に示すように、ガラ
ス等から成る第２の透明基板１２の表面にＢＭ層１５、
色層１６及びＯＣ層１７を順次に形成した後、フォトリ
ソグラフィ技術を利用して、全面に感光性樹脂２８例え
ばポジ型レジストを塗布する。
【００３９】次に、図４（ｂ）に示すように、遮光部３
１Ａ及び透光部３１Ｂを有するフォトマスク３１を用い
て感光性樹脂２８を覆って露光（紫外線照射）処理を施
す。次に、図４（ｃ）に示すように、現像処理を施して
感光性樹脂２８のパターニングを行う。この結果、フォ
トマスク３１の透光部３１Ｂを通じて露光された部分が
除去されることにより、ＣＦ基板１上に柱状スペーサ２
６を形成する。この柱状スペーサ２６は、この例ではＴ
ＦＴ基板１のゲートバスライン上に対応する位置に形成
されている。そして、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１との
間に液晶２１を封入するためのセルギャップ２０を確保
するように作用し、その高さは４〜７μｍに設定され
る。なお、ＣＦ基板１１の裏面には、後述のように液晶
２１を封入した後に、導電層２３を介して第２の偏光板
１３が取り付けられる。
１Ａ及び透光部３１Ｂを有するフォトマスク３１を用い
て感光性樹脂２８を覆って露光（紫外線照射）処理を施
す。次に、図４（ｃ）に示すように、現像処理を施して
感光性樹脂２８のパターニングを行う。この結果、フォ
トマスク３１の透光部３１Ｂを通じて露光された部分が
除去されることにより、ＣＦ基板１上に柱状スペーサ２
６を形成する。この柱状スペーサ２６は、この例ではＴ
ＦＴ基板１のゲートバスライン上に対応する位置に形成
されている。そして、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１との
間に液晶２１を封入するためのセルギャップ２０を確保
するように作用し、その高さは４〜７μｍに設定され
る。なお、ＣＦ基板１１の裏面には、後述のように液晶
２１を封入した後に、導電層２３を介して第２の偏光板
１３が取り付けられる。
【００４０】次に、図１〜図３に示したような、別の工
程で形成されたＴＦＴ３０を組み込んだＴＦＴ基板１を
用いて、上述のようにＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１との
間に、柱状スペーサ２６により確保されたセルギャップ
２０に液晶２１を封入することにより液晶表示装置を完
成させる。上述したような製造方法によれば、ＣＦ基板
上にフォトリソグラフィ技術を利用することにより、柱
状スペーサを組み込むので、柱状スペーサを簡単に形成
することができる。また、柱状スペーサ付きのＣＦ基板
が得られるので、柱状スペーサを任意の位置に容易に配
置することができる。
程で形成されたＴＦＴ３０を組み込んだＴＦＴ基板１を
用いて、上述のようにＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１との
間に、柱状スペーサ２６により確保されたセルギャップ
２０に液晶２１を封入することにより液晶表示装置を完
成させる。上述したような製造方法によれば、ＣＦ基板
上にフォトリソグラフィ技術を利用することにより、柱
状スペーサを組み込むので、柱状スペーサを簡単に形成
することができる。また、柱状スペーサ付きのＣＦ基板
が得られるので、柱状スペーサを任意の位置に容易に配
置することができる。
【００４１】この例の液晶表示装置は、図５に示すよう
に、上述したような前提条件の柱面積比ＣＡに設定した
上で、柱密度が１／２となるように柱状スペーサ２６が
配置されていて、柱状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接す
る単一の単位画素である例えばＧに１対配置されてい
る。そして、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに２つの単位
画素置きに、千鳥足状に隣接する単一の単位画素である
例えばＧに１対配置されている。符号２５は１組の画素
を示している。
に、上述したような前提条件の柱面積比ＣＡに設定した
上で、柱密度が１／２となるように柱状スペーサ２６が
配置されていて、柱状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接す
る単一の単位画素である例えばＧに１対配置されてい
る。そして、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに２つの単位
画素置きに、千鳥足状に隣接する単一の単位画素である
例えばＧに１対配置されている。符号２５は１組の画素
を示している。
【００４２】次に、図６を参照して、この例の液晶表示
装置の駆動方法について説明する。ドット反転駆動方式
により液晶を駆動すると、図６に示すように、行方向Ｘ
に沿って１画素毎に＋、−の信号電荷が書き込まれ、列
方向Ｙに沿って隣接している各画素には反対の極性の信
号電荷が書き込まれる。この場合、１対の柱状スペーサ
２６が配置されている列方向に隣接している画素には常
に逆極性の信号電荷が書き込まれる。したがって、１対
の柱状スペーサ２６が帯電されても互いに逆極性に帯電
されるので、信号電荷による影響を打消し合うことがで
きる。それゆえ、柱状スペーサ２６が帯電されても、横
電界が乱れることはなくなるので、ちらつき等の表示不
良が発生することはなくなる。
装置の駆動方法について説明する。ドット反転駆動方式
により液晶を駆動すると、図６に示すように、行方向Ｘ
に沿って１画素毎に＋、−の信号電荷が書き込まれ、列
方向Ｙに沿って隣接している各画素には反対の極性の信
号電荷が書き込まれる。この場合、１対の柱状スペーサ
２６が配置されている列方向に隣接している画素には常
に逆極性の信号電荷が書き込まれる。したがって、１対
の柱状スペーサ２６が帯電されても互いに逆極性に帯電
されるので、信号電荷による影響を打消し合うことがで
きる。それゆえ、柱状スペーサ２６が帯電されても、横
電界が乱れることはなくなるので、ちらつき等の表示不
良が発生することはなくなる。
【００４３】このように、この例の液晶表示装置の構成
によれば、前提条件の柱面積比ＣＡに設定した上で、柱
状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接する単一の単位画素で
ある例えばＧに１対配置されるとともに、柱状スペーサ
２６は行方向Ｘに２つの単位画素置きに、千鳥足状に隣
接する単一の単位画素である例えばＧに１対配置されて
いるので、１対の柱状スペーサ２６が帯電されても互い
に逆極性に帯電されるので、信号電荷による影響を打消
し合うことができる。また、この例の液晶表示装置の製
造方法の構成によれば、ＣＦ基板１１上にフォトリソグ
ラフィ技術を利用することにより、柱状スペーサ２６を
組み込むので、柱状スペーサ２６を簡単に形成すること
ができる。したがって、柱状スペーサに信号電荷が帯電
しても信号電荷の影響を打ち消して、横電界の乱れを防
止することができる。
によれば、前提条件の柱面積比ＣＡに設定した上で、柱
状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接する単一の単位画素で
ある例えばＧに１対配置されるとともに、柱状スペーサ
２６は行方向Ｘに２つの単位画素置きに、千鳥足状に隣
接する単一の単位画素である例えばＧに１対配置されて
いるので、１対の柱状スペーサ２６が帯電されても互い
に逆極性に帯電されるので、信号電荷による影響を打消
し合うことができる。また、この例の液晶表示装置の製
造方法の構成によれば、ＣＦ基板１１上にフォトリソグ
ラフィ技術を利用することにより、柱状スペーサ２６を
組み込むので、柱状スペーサ２６を簡単に形成すること
ができる。したがって、柱状スペーサに信号電荷が帯電
しても信号電荷の影響を打ち消して、横電界の乱れを防
止することができる。
【００４４】◇第２実施例 図７は、この発明の第２実施例である液晶表示装置の構
成を概略的に示す平面図である。この発明の第２実施例
である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構
成と大きく異なるところは、１対の柱状スペーサを行方
向Ｘに隣接する２つの単位画素に配置するようにした点
である。すなわち、この例の液晶表示装置は、図７に示
すように、上述したような前提条件の柱面積比ＣＡに設
定した上で、柱密度が１／２となるように柱状スペーサ
２６が配置されていて、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに
隣接する２つの単位画素である例えばＧ、Ｂに１対配置
されている。そして、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに２
つの単位画素置きに、千鳥足状に隣接する２つの単位画
素である例えばＧ、Ｂに１対配置されている。
成を概略的に示す平面図である。この発明の第２実施例
である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構
成と大きく異なるところは、１対の柱状スペーサを行方
向Ｘに隣接する２つの単位画素に配置するようにした点
である。すなわち、この例の液晶表示装置は、図７に示
すように、上述したような前提条件の柱面積比ＣＡに設
定した上で、柱密度が１／２となるように柱状スペーサ
２６が配置されていて、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに
隣接する２つの単位画素である例えばＧ、Ｂに１対配置
されている。そして、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに２
つの単位画素置きに、千鳥足状に隣接する２つの単位画
素である例えばＧ、Ｂに１対配置されている。
【００４５】この例の液晶表示装置の駆動方法は、第１
実施例における駆動方法と略同様にして、ドット反転駆
動方式により液晶を駆動する。それゆえ、第１実施例と
略同様な内容で信号電荷が書き込まれるので、横電界の
乱れは防止される。但し、この例の液晶表示装置は、行
方向Ｘに沿った２つの単位画素に１対の柱状スペーサ２
６を配置しているので、前提として、柱状スペーサ２６
を組み込む色層の膜厚が略等しく形成されていることが
条件となる。このような構成により、１対の柱状スペー
サ２６を形成することにより液晶パネルを安定に保持す
ることができる。
実施例における駆動方法と略同様にして、ドット反転駆
動方式により液晶を駆動する。それゆえ、第１実施例と
略同様な内容で信号電荷が書き込まれるので、横電界の
乱れは防止される。但し、この例の液晶表示装置は、行
方向Ｘに沿った２つの単位画素に１対の柱状スペーサ２
６を配置しているので、前提として、柱状スペーサ２６
を組み込む色層の膜厚が略等しく形成されていることが
条件となる。このような構成により、１対の柱状スペー
サ２６を形成することにより液晶パネルを安定に保持す
ることができる。
【００４６】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００４７】◇第３実施例 図８は、この発明の第３実施例である液晶表示装置の構
成を概略的に示す平面図である。この発明の第３実施例
である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構
成と大きく異なるところは、液晶をゲートライン反転駆
動方式により駆動するようにした点である。すなわち、
この例の液晶表示装置は、図８に示すように、１対の柱
状スペーサ２６の配置は図６の第１実施例と同様な構成
になっているが、液晶がゲートライン反転駆動方式によ
り駆動されるので、各単位画素は列毎に同極性の信号電
荷が書き込まれる。
成を概略的に示す平面図である。この発明の第３実施例
である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構
成と大きく異なるところは、液晶をゲートライン反転駆
動方式により駆動するようにした点である。すなわち、
この例の液晶表示装置は、図８に示すように、１対の柱
状スペーサ２６の配置は図６の第１実施例と同様な構成
になっているが、液晶がゲートライン反転駆動方式によ
り駆動されるので、各単位画素は列毎に同極性の信号電
荷が書き込まれる。
【００４８】このような構成によっても、１対の柱状ス
ペーサ２６が配置されている列方向Ｙに隣接している単
位画素には常に逆極性の信号電荷が書き込まれるので、
信号電荷による影響を打消し合うことができる。
ペーサ２６が配置されている列方向Ｙに隣接している単
位画素には常に逆極性の信号電荷が書き込まれるので、
信号電荷による影響を打消し合うことができる。
【００４９】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５０】◇第４実施例 図９は、この発明の第４実施例である液晶表示装置の構
成を概略的に示す平面図である。この発明の第４実施例
である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構
成と大きく異なるところは、柱密度を変更して１対の柱
状スペーサを配置するようにした点である。すなわち、
この例の液晶表示装置は、図９に示すように、前提条件
の柱面積比ＣＡに設定した上で、柱密度が１／３となる
ように、柱状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接する単一の
単位画素である例えばＧに１対配置されるとともに、柱
状スペーサ２６は行方向Ｘに２つの単位画素置きに、千
鳥足状に隣接する単一の単位画素である例えばＧに１対
配置されている。
成を概略的に示す平面図である。この発明の第４実施例
である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構
成と大きく異なるところは、柱密度を変更して１対の柱
状スペーサを配置するようにした点である。すなわち、
この例の液晶表示装置は、図９に示すように、前提条件
の柱面積比ＣＡに設定した上で、柱密度が１／３となる
ように、柱状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接する単一の
単位画素である例えばＧに１対配置されるとともに、柱
状スペーサ２６は行方向Ｘに２つの単位画素置きに、千
鳥足状に隣接する単一の単位画素である例えばＧに１対
配置されている。
【００５１】このような構成によると、柱状スペーサ２
６の配置の数が少なくなっているが、柱面積比ＣＡが前
提条件の範囲に含まれている限り、何ら問題なく、信号
電荷による影響を打消し合うことができる。
６の配置の数が少なくなっているが、柱面積比ＣＡが前
提条件の範囲に含まれている限り、何ら問題なく、信号
電荷による影響を打消し合うことができる。
【００５２】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５３】◇第５実施例 図１０は、この発明の第５実施例である液晶表示装置の
構成を概略的に示す平面図である。この発明の第５実施
例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の
構成と大きく異なるところは、柱密度を変更して１対の
柱状スペーサを配置するようにした点である。すなわ
ち、この例の液晶表示装置は、図１０に示すように、前
提条件の柱面積比ＣＡに設定した上で、柱密度が１／４
となるように、柱状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接する
単一の単位画素である例えばＧに１対配置されるととも
に、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに２つの単位画素置き
に、千鳥足状に隣接する単一の単位画素である例えばＧ
に１対配置されている。
構成を概略的に示す平面図である。この発明の第５実施
例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の
構成と大きく異なるところは、柱密度を変更して１対の
柱状スペーサを配置するようにした点である。すなわ
ち、この例の液晶表示装置は、図１０に示すように、前
提条件の柱面積比ＣＡに設定した上で、柱密度が１／４
となるように、柱状スペーサ２６は列方向Ｙに隣接する
単一の単位画素である例えばＧに１対配置されるととも
に、柱状スペーサ２６は行方向Ｘに２つの単位画素置き
に、千鳥足状に隣接する単一の単位画素である例えばＧ
に１対配置されている。
【００５４】このような構成によると、第４実施例より
もさらに柱状スペーサ２６の配置の数が少なくなってい
るが、柱面積比ＣＡが前提条件の範囲に含まれている限
り、何ら問題なく、信号電荷による影響を打消し合うこ
とができる。
もさらに柱状スペーサ２６の配置の数が少なくなってい
るが、柱面積比ＣＡが前提条件の範囲に含まれている限
り、何ら問題なく、信号電荷による影響を打消し合うこ
とができる。
【００５５】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５６】図１１は、この発明の液晶表示装置の一部
の等価回路を示す図である。各単位画素Ｒ、Ｇ、Ｂを構
成しているＴＦＴ３０のゲート電極１０にはゲート電圧
端子３３が接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン
電極６にはドレイン電圧端子３４が接続される。また、
共通電極１４には共通電極電圧端子３５が接続される。
また、ＴＦＴ３０のソース電極９と共通電極１４との間
には、液晶２１による容量Ｃ１、ガラスから成るＴＦＴ
基板１の容量Ｃ２及び色層１６による容量Ｃ３が並列に
接続されている。図１２は、同液晶表示装置の全体の等
価回路を示す図である。
の等価回路を示す図である。各単位画素Ｒ、Ｇ、Ｂを構
成しているＴＦＴ３０のゲート電極１０にはゲート電圧
端子３３が接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン
電極６にはドレイン電圧端子３４が接続される。また、
共通電極１４には共通電極電圧端子３５が接続される。
また、ＴＦＴ３０のソース電極９と共通電極１４との間
には、液晶２１による容量Ｃ１、ガラスから成るＴＦＴ
基板１の容量Ｃ２及び色層１６による容量Ｃ３が並列に
接続されている。図１２は、同液晶表示装置の全体の等
価回路を示す図である。
【００５７】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、１対の
柱状スペーサを配置する単位画素としてはＧに配置する
例で示したが、これに限らずＲ、Ｂ等の他の単位画素に
配置するようにしても良い。また、柱状スペーサのサイ
ズは、前提条件の最適範囲に含まれるように設定すれ
ば、その横寸法及び縦寸法を一定の制約内で任意に変更
することができる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、１対の
柱状スペーサを配置する単位画素としてはＧに配置する
例で示したが、これに限らずＲ、Ｂ等の他の単位画素に
配置するようにしても良い。また、柱状スペーサのサイ
ズは、前提条件の最適範囲に含まれるように設定すれ
ば、その横寸法及び縦寸法を一定の制約内で任意に変更
することができる。
【００５８】また、実施例では、最適例として柱面積比
ＣＡに基づいて柱状スペーサを間引いて配置する例で説
明したが、この発明の思想はこれに限定されるものでは
なく、柱状スペーサを間引いて配置する場合は、隣接す
る単位画素に配置すれば良いことは勿論である。
ＣＡに基づいて柱状スペーサを間引いて配置する例で説
明したが、この発明の思想はこれに限定されるものでは
なく、柱状スペーサを間引いて配置する場合は、隣接す
る単位画素に配置すれば良いことは勿論である。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置の構成によれば、マトリクス状に配置された単位
画素の行方向あるいは列方向に沿った任意の位置におけ
る隣接するもの同士のみに１対の柱状スペーサが配置さ
れているので、１対の柱状スペーサが帯電されても互い
に逆極性に帯電されるので、信号電荷による影響を打消
し合うことができる。また、この発明の液晶表示装置の
製造方法の構成によれば、ＣＦ基板上にフォトリソグラ
フィ技術を利用することにより、柱状スペーサを組み込
むので、柱状スペーサを簡単に形成することができる。
また、この発明のＣＦ基板の構成によれば、色層上に柱
状スペーサが形成されているので、柱状スペーサを任意
の位置に容易に配置することができる。したがって、柱
状スペーサに信号電荷が帯電しても信号電荷の影響を打
ち消して、横電界の乱れを防止することができる。
示装置の構成によれば、マトリクス状に配置された単位
画素の行方向あるいは列方向に沿った任意の位置におけ
る隣接するもの同士のみに１対の柱状スペーサが配置さ
れているので、１対の柱状スペーサが帯電されても互い
に逆極性に帯電されるので、信号電荷による影響を打消
し合うことができる。また、この発明の液晶表示装置の
製造方法の構成によれば、ＣＦ基板上にフォトリソグラ
フィ技術を利用することにより、柱状スペーサを組み込
むので、柱状スペーサを簡単に形成することができる。
また、この発明のＣＦ基板の構成によれば、色層上に柱
状スペーサが形成されているので、柱状スペーサを任意
の位置に容易に配置することができる。したがって、柱
状スペーサに信号電荷が帯電しても信号電荷の影響を打
ち消して、横電界の乱れを防止することができる。
【図１】この発明の第１実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】同液晶表示装置の製造方法の主要部を示す工程
図である。
図である。
【図５】同液晶表示装置の構成を概略的に示す平面図で
ある。
ある。
【図６】同液晶表示装置の駆動方法を示す図である。
【図７】この発明の第２実施例である液晶表示装置の構
成を概略的に示す平面図である。
成を概略的に示す平面図である。
【図８】この発明の第３実施例である液晶表示装置の構
成を概略的に示す平面図である。
成を概略的に示す平面図である。
【図９】この発明の第４実施例である液晶表示装置の構
成を概略的に示す平面図である。
成を概略的に示す平面図である。
【図１０】この発明の第５実施例である液晶表示装置の
構成を概略的に示す平面図である。
構成を概略的に示す平面図である。
【図１１】この発明の液晶表示装置の一部の等価回路を
示す図である。
示す図である。
【図１２】この発明の液晶表示装置の全体の等価回路を
示す図である。
示す図である。
【図１３】従来の液晶表示装置における柱状スペーサの
柱密度を説明する図である。
柱密度を説明する図である。
【図１４】従来の液晶表示装置における柱状スペーサの
柱密度を説明する図である。
柱密度を説明する図である。
【図１５】従来の液晶表示装置の構成を概略的に示す平
面図である。
面図である。
【図１６】従来の液晶表示装置の駆動方法を説明する図
である。
である。
【図１７】従来のＴＮ形の液晶表示装置の構成を概略的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図１８】従来のＩＰＳ形の液晶表示装置の構成を概略
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
１ ＴＦＴ基板 ２、１２ 透明基板 ３、１３ 偏光板 ４ 画素電極 ５ 層間絶縁膜 ６ ドレイン電極 ７ パッシベーション膜 ８、１８ 配向膜 ９ ソース電極 １０ ゲート電極 １１ ＣＦ基板 １４ 共通電極 １５ ＢＭ（ブラックマトリックス）層 １６ 色層 １７ ＯＣ(オーバーコート)層 ２０ セルギャップ ２１ 液晶（液晶分子） ２２ データ線 ２３ 導電層 ２４ 半導体層 ２５ １組の画素 ２６ 柱状スペーサ ２８ 感光性樹脂 ２９ 液晶のラビング方向 ３０ ＴＦＴ ３１ フォトマスク ３３ ゲート電圧端子 ３４ ドレイン電圧端子 ３５ 共通電極電圧端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA12 LA16 LA20 MA07X NA14 NA15 NA24 QA04 QA16 TA09 TA12 2H091 FA02Y FD04 GA08 GA13 LA15 LA16 2H093 NA31 NA32 NA43 NC34 ND10 ND17
Claims (16)
- 【請求項１】 ＣＦ基板とＴＦＴ基板とが柱状スペーサ
を挟んで対向配置され前記柱状スペーサの柱密度が１よ
り小さい液晶表示装置であって、 前記柱状スペーサを、隣接して配置されそれぞれ極性が
反対の信号が追加される２つの単位画素に配置したこと
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 ゲートライン反転駆動方式又はドット反
転駆動方式により駆動されることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 単位画素をマトリクス状に配置するよう
に色層が形成されたＣＦ基板と、前記色層と対向する面
にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板との間のセルギャップ
に液晶が封入され、前記セルギャップを確保する柱状ス
ペーサが前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に配置さ
れてなる液晶表示装置であって、 前記単位画素の面積に対する前記柱状スペーサの断面積
が占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％に
設定された上で、前記マトリクス状に配置された単位画
素の行方向あるいは列方向に沿った任意の位置における
隣接するもの同士のみに１対の柱状スペーサが配置され
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記柱状スペーサが列方向に沿って配置
される場合は前記単位画素がドット反転駆動方式により
駆動される一方、前記柱状スペーサが行方向に沿って配
置される場合は前記単位画素がゲートライン反転駆動方
式により駆動されることを特徴とする請求項３記載の液
晶表示装置。 - 【請求項５】 Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の単位画素から構成
される１組の画素をマトリクス状に配置するように色層
が形成されたＣＦ基板と、前記色層と対向する面にＴＦ
Ｔが形成されたＴＦＴ基板との間のセルギャップに液晶
が封入され、前記セルギャップを確保する柱状スペーサ
が前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に配置されてな
る液晶表示装置であって、 前記単位画素の面積に対する前記柱状スペーサの断面積
が占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％に
設定された上で、任意の１組の画素におけるいずれかの
該当単位画素及び前記１組の画素に列方向に沿って隣接
する他の組の画素における前記該当単位画素と同一の単
位画素にそれぞれ柱状スペーサが配置されることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記単位画素がドット反転駆動方式によ
り駆動されることを特徴とする請求項５記載の液晶表示
装置。 - 【請求項７】 Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の単位画素から構成
される１組の画素をマトリクス状に配置するように色層
が形成されたＣＦ基板と、前記色層と対向する面にＴＦ
Ｔが形成されたＴＦＴ基板との間のセルギャップに液晶
が封入され、前記セルギャップを確保する柱状スペーサ
が前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に配置されてな
る液晶表示装置であって、 前記単位画素の面積に対する前記柱状スペーサの断面積
が占める割合である柱面積比が０．０５〜０．１５％に
設定された上で、任意の１組の画素におけるいずれかの
該当単位画素及び該該当単位画素に行方向に沿って隣接
する他の単位画素にそれぞれ柱状スペーサが配置される
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記単位画素がゲートライン反転駆動方
式により駆動されることを特徴とする請求項７記載の液
晶表示装置。 - 【請求項９】 前記柱状スペーサが前記ＴＦＴ基板のＴ
ＦＴのゲート電極上に配置されることを特徴とする請求
項１乃至８のいずれか１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記ＴＦＴ基板上に画素電極と共通電
極とが、相互に絶縁されるように形成されることを特徴
とする請求項１乃至９のいずれか１に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１１】 前記Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の単位画素か
ら構成される１組の画素のいずれかの単位画素に１つの
柱状スペーサを配置した構成を柱密度１／１とした場
合、複数組の画素を隣接させた場合でも、前記柱面積比
を満足する範囲内で、前記柱状スペーサの配置する数を
間引いて前記柱密度を低めるように前記柱状スペーサが
配置されることを特徴とする請求項５乃至１０のいずれ
か１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記柱密度が１／２となるように前記
柱状スペーサが複数組の画素に配置されることを特徴と
する請求項１１記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 単位画素をマトリクス状に配置するよ
うに色層が形成されたＣＦ基板と、前記色層と対向する
面にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板との間のセルギャッ
プに液晶が封入され、前記セルギャップを確保する柱状
スペーサが前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に配置
されてなる液晶表示装置の製造方法であって、 第１の透明絶縁基板の表面に少なくともＴＦＴを組み込
んでＴＦＴ基板を形成するＴＦＴ基板形成工程と、 第２の透明絶縁基板の前記ＴＦＴと対向する表面に少な
くとも色層を形成した後、該色層上に柱状スペーサを組
み込んでＣＦ基板を形成するＣＦ基板形成工程と、 前記ＴＦＴ基板と前記ＣＦ基板との間の前記柱状スペー
サにより確保されたセルギャップに液晶を封入する液晶
封入工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１４】 前記ＣＦ基板形成工程が、前記色層を
覆うように感光性樹脂を塗布した後、該感光性樹脂をパ
ターニングして柱状スペーサを形成することを特徴とす
る請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 ＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板と対向
して該ＴＦＴ基板との間のセルギャップに液晶を封入す
るＣＦ基板であって、 透明基板上に単位画素をマトリクス状に配置するように
色層が形成され、該色層上に柱状スペーサが形成される
ことを特徴とするＣＦ基板。 - 【請求項１６】 前記柱状スペーサが感光性樹脂から成
ることを特徴とする請求項１５記載のＣＦ基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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