JP2002143185A - 歯科用インプラント及びその製造方法 - Google Patents
歯科用インプラント及びその製造方法Info
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- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61C—DENTISTRY; APPARATUS OR METHODS FOR ORAL OR DENTAL HYGIENE
- A61C8/00—Means to be fixed to the jaw-bone for consolidating natural teeth or for fixing dental prostheses thereon; Dental implants; Implanting tools
- A61C8/0012—Means to be fixed to the jaw-bone for consolidating natural teeth or for fixing dental prostheses thereon; Dental implants; Implanting tools characterised by the material or composition, e.g. ceramics, surface layer, metal alloy
- A61C8/0013—Means to be fixed to the jaw-bone for consolidating natural teeth or for fixing dental prostheses thereon; Dental implants; Implanting tools characterised by the material or composition, e.g. ceramics, surface layer, metal alloy with a surface layer, coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アレルギーの原因となる物質の溶出を抑制で
きる歯科用インプラント及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 歯科用インプラント３は歯科用インプラ
ント基体が歯槽骨１から歯肉２に植え込まれる人工歯根
である。歯科用インプラント基体は、純チタン、チタン
合金又はセラミックなどからなるもので構成されてい
る。歯科用インプラント基体における歯槽骨から歯肉部
位に位置する部分にはＤＬＣ膜が被覆されている。この
ＤＬＣ膜の膜厚及び膜質は、口腔内において安全で、金
属イオンの流出を抑制できると共にＤＬＣ膜の剥離を生
じないものであれば良い。
きる歯科用インプラント及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 歯科用インプラント３は歯科用インプラ
ント基体が歯槽骨１から歯肉２に植え込まれる人工歯根
である。歯科用インプラント基体は、純チタン、チタン
合金又はセラミックなどからなるもので構成されてい
る。歯科用インプラント基体における歯槽骨から歯肉部
位に位置する部分にはＤＬＣ膜が被覆されている。この
ＤＬＣ膜の膜厚及び膜質は、口腔内において安全で、金
属イオンの流出を抑制できると共にＤＬＣ膜の剥離を生
じないものであれば良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、歯科用インプラン
ト及びその製造方法に関する。特には、アレルギーの原
因となる物質の溶出を抑制できる歯科用インプラント及
びその製造方法に関する。
ト及びその製造方法に関する。特には、アレルギーの原
因となる物質の溶出を抑制できる歯科用インプラント及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の歯科用インプラントとしての人工
歯根は、純チタン又はチタン合金を加工して形成された
ものである。この人工歯根は、歯科医療現場で使用され
るものであって歯槽骨に埋め込むことを目的する。純チ
タンは、生体親和性に優れているため、歯科用インプラ
ント材料として適している。しかし、純チタンは加工が
困難な材料で価格も高いため、人工歯根の材料としては
チタン合金を用いることが多い。
歯根は、純チタン又はチタン合金を加工して形成された
ものである。この人工歯根は、歯科医療現場で使用され
るものであって歯槽骨に埋め込むことを目的する。純チ
タンは、生体親和性に優れているため、歯科用インプラ
ント材料として適している。しかし、純チタンは加工が
困難な材料で価格も高いため、人工歯根の材料としては
チタン合金を用いることが多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】人工歯根の材料として
のチタン合金には、金、銀、コバルト、クロム等の金属
が含まれている。このため、これら金等の金属がイオン
化し、溶出した金属イオンが体内に取り込まれることが
ある。これにより、人によっては金属アレルギーを誘発
することがある。また、生体親和性に優れた純チタンに
ついても、金属であるため、イオン化して金属アレルギ
ーを誘発する可能性は否定できない。
のチタン合金には、金、銀、コバルト、クロム等の金属
が含まれている。このため、これら金等の金属がイオン
化し、溶出した金属イオンが体内に取り込まれることが
ある。これにより、人によっては金属アレルギーを誘発
することがある。また、生体親和性に優れた純チタンに
ついても、金属であるため、イオン化して金属アレルギ
ーを誘発する可能性は否定できない。
【０００４】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、アレルギーの原因となる
物質の溶出を抑制できる歯科用インプラント及びその製
造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、アレルギーの原因となる
物質の溶出を抑制できる歯科用インプラント及びその製
造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る歯科用インプラントは、歯科用インプ
ラント基体と、この歯科用インプラント基体の少なくと
も一部に被覆されたＤＬＣ膜と、を具備することを特徴
とする。
め、本発明に係る歯科用インプラントは、歯科用インプ
ラント基体と、この歯科用インプラント基体の少なくと
も一部に被覆されたＤＬＣ膜と、を具備することを特徴
とする。
【０００６】上記歯科用インプラントによれば、歯科用
インプラント基体の少なくとも一部にＤＬＣ膜を被覆し
ており、このＤＬＣ膜は化学的に安定で優れた耐食性及
び生体適合性を有すると共にイオンに対する優れたバリ
ア性を有している。このため、歯科用インプラント基体
を構成する材料がイオン化しても、そのイオンの溶出を
抑制することができる。
インプラント基体の少なくとも一部にＤＬＣ膜を被覆し
ており、このＤＬＣ膜は化学的に安定で優れた耐食性及
び生体適合性を有すると共にイオンに対する優れたバリ
ア性を有している。このため、歯科用インプラント基体
を構成する材料がイオン化しても、そのイオンの溶出を
抑制することができる。
【０００７】また、本発明に係る歯科用インプラントに
おいて、上記歯科用インプラント基体が歯槽骨に埋め込
むための人工歯根であり、歯科用インプラント基体が歯
槽骨に埋め込まれた際において、歯科用インプラント基
体における歯槽骨から歯肉部位に位置する部分にＤＬＣ
膜が被覆されていることが好ましい。これにより、歯科
用インプラント基体からその材料のイオンが歯槽骨及び
歯肉部位に溶出するのを抑制することができる。
おいて、上記歯科用インプラント基体が歯槽骨に埋め込
むための人工歯根であり、歯科用インプラント基体が歯
槽骨に埋め込まれた際において、歯科用インプラント基
体における歯槽骨から歯肉部位に位置する部分にＤＬＣ
膜が被覆されていることが好ましい。これにより、歯科
用インプラント基体からその材料のイオンが歯槽骨及び
歯肉部位に溶出するのを抑制することができる。
【０００８】また、本発明に係る歯科用インプラントに
おいて、上記歯科用インプラント基体は純チタン、チタ
ン合金及びセラミックの群から選ばれた１つからなるこ
と、又は、上記歯科用インプラント基体は、チタン合金
及びセラミックの群から選ばれた１つが基体に被覆され
たものであることも可能である。
おいて、上記歯科用インプラント基体は純チタン、チタ
ン合金及びセラミックの群から選ばれた１つからなるこ
と、又は、上記歯科用インプラント基体は、チタン合金
及びセラミックの群から選ばれた１つが基体に被覆され
たものであることも可能である。
【０００９】また、本発明に係る歯科用インプラントに
おいては、上記歯科用インプラント基体と上記ＤＬＣ膜
との間に密着性を良くするためのＳｉ系中間膜を配置し
ていることも可能である。これにより、歯科用インプラ
ント基体の表面状態や歯科用インプラント基体を構成す
る材料がＤＬＣ膜との密着性の悪いものである場合で
も、歯科用インプラント基体にＤＬＣ膜を密着性良く被
覆することができる。尚、このＳｉ系中間膜としては、
例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｎｂなどか
らなる膜を用いることが好ましい。
おいては、上記歯科用インプラント基体と上記ＤＬＣ膜
との間に密着性を良くするためのＳｉ系中間膜を配置し
ていることも可能である。これにより、歯科用インプラ
ント基体の表面状態や歯科用インプラント基体を構成す
る材料がＤＬＣ膜との密着性の悪いものである場合で
も、歯科用インプラント基体にＤＬＣ膜を密着性良く被
覆することができる。尚、このＳｉ系中間膜としては、
例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ｎｂなどか
らなる膜を用いることが好ましい。
【００１０】また、本発明に係る歯科用インプラントに
おいては、上記ＤＬＣ膜の膜厚が３ｎｍ以上５００ｎｍ
以下であることが好ましい。また、上記ＤＬＣ膜の膜厚
が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ま
しい。
おいては、上記ＤＬＣ膜の膜厚が３ｎｍ以上５００ｎｍ
以下であることが好ましい。また、上記ＤＬＣ膜の膜厚
が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ま
しい。
【００１１】また、本発明に係る歯科用インプラントに
おいては、上記ＤＬＣ膜に、ＤＬＣよりさらに骨系細胞
との親和性が良い層を被覆することも可能である。ま
た、本発明に係る歯科用インプラントにおいては、上記
歯科用インプラント基体におけるＤＬＣ膜が被覆されて
いない部分に、ＤＬＣよりさらに骨系細胞との親和性が
良い層を被覆することも可能である。なお、上記骨系細
胞との親和性の良い層はハイドロキシアパタイトからな
る層であることが好ましい。
おいては、上記ＤＬＣ膜に、ＤＬＣよりさらに骨系細胞
との親和性が良い層を被覆することも可能である。ま
た、本発明に係る歯科用インプラントにおいては、上記
歯科用インプラント基体におけるＤＬＣ膜が被覆されて
いない部分に、ＤＬＣよりさらに骨系細胞との親和性が
良い層を被覆することも可能である。なお、上記骨系細
胞との親和性の良い層はハイドロキシアパタイトからな
る層であることが好ましい。
【００１２】本発明に係る歯科用インプラントの製造方
法は、歯科用インプラント基体を準備する工程と、この
歯科用インプラント基体の少なくとも一部にプラズマＣ
ＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜する工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
法は、歯科用インプラント基体を準備する工程と、この
歯科用インプラント基体の少なくとも一部にプラズマＣ
ＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜する工程と、を具備するこ
とを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係る歯科用インプラントの
製造方法において、上記ＤＬＣ膜を成膜する工程は、少
なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴ
ｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、高
周波電源に接続された電極上に被成膜対象物を置き、こ
の電極に３０Ｗ以上３０００Ｗ以下の高周波電力を印加
し、３秒以上の成膜時間で成膜するものであることも可
能である。
製造方法において、上記ＤＬＣ膜を成膜する工程は、少
なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴ
ｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、高
周波電源に接続された電極上に被成膜対象物を置き、こ
の電極に３０Ｗ以上３０００Ｗ以下の高周波電力を印加
し、３秒以上の成膜時間で成膜するものであることも可
能である。
【００１４】また、本発明に係る歯科用インプラントの
製造方法において、上記ＤＬＣ膜を成膜する工程は、少
なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．１ｍＴ
ｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、電
源によって通電され高温に保持された熱フィラメントを
カソードとして用いて、その近傍に配置した電極をアノ
ードとして用いて、両電極間に１０Ｖ以上２００Ｖ以下
の電圧を印加して１０ｍＡ以上２０００ｍＡ以下の電流
を流しガスをイオン化させ、カソード・アノードから一
定の距離に置いた基板電極に被成膜対象物を設置して、
基板電極に２０Ｖ以上３０００Ｖ以下のバイアス電圧を
印加し、３秒以上の成膜時間で成膜するものであること
も可能である。
製造方法において、上記ＤＬＣ膜を成膜する工程は、少
なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．１ｍＴ
ｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、電
源によって通電され高温に保持された熱フィラメントを
カソードとして用いて、その近傍に配置した電極をアノ
ードとして用いて、両電極間に１０Ｖ以上２００Ｖ以下
の電圧を印加して１０ｍＡ以上２０００ｍＡ以下の電流
を流しガスをイオン化させ、カソード・アノードから一
定の距離に置いた基板電極に被成膜対象物を設置して、
基板電極に２０Ｖ以上３０００Ｖ以下のバイアス電圧を
印加し、３秒以上の成膜時間で成膜するものであること
も可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による歯科用インプラントを歯槽骨に埋め込んだ状態
を示す断面図である。
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による歯科用インプラントを歯槽骨に埋め込んだ状態
を示す断面図である。
【００１６】図１に示す歯科用インプラント３は、歯科
用インプラント基体が歯槽骨１から歯肉２に植え込まれ
る人工歯根である。この歯科用インプラント基体におけ
る歯槽骨から歯肉部位に位置する部分にはＤＬＣ(Diamo
nd Like Carbon)膜（図示せず）が被覆されている。
用インプラント基体が歯槽骨１から歯肉２に植え込まれ
る人工歯根である。この歯科用インプラント基体におけ
る歯槽骨から歯肉部位に位置する部分にはＤＬＣ(Diamo
nd Like Carbon)膜（図示せず）が被覆されている。
【００１７】ここでのＤＬＣ膜は、炭素を主成分とする
非晶質炭素系薄膜であって、山形状を有する曲線を２つ
以上合成したラマンスペクトル曲線を持つものをいい、
比較的軟らかいものから非常に硬いものまで含まれる。
このラマンスペクトルは図２に示すようなものである。
但し、図２に示すラマンスペクトルは単なる一例であ
る。
非晶質炭素系薄膜であって、山形状を有する曲線を２つ
以上合成したラマンスペクトル曲線を持つものをいい、
比較的軟らかいものから非常に硬いものまで含まれる。
このラマンスペクトルは図２に示すようなものである。
但し、図２に示すラマンスペクトルは単なる一例であ
る。
【００１８】図２に示すように、ラマンスペクトル曲線
１０は、ＧバンドとＤバンドと呼ばれる２つの山を有す
るものであって、波数（wavenumber）が１５００付近に
ピークを有する山形状の曲線（Ｇバンド）１１と波数が
１３００付近にピークを有する山形状の曲線（Ｄバン
ド）１２とを合成したものである。
１０は、ＧバンドとＤバンドと呼ばれる２つの山を有す
るものであって、波数（wavenumber）が１５００付近に
ピークを有する山形状の曲線（Ｇバンド）１１と波数が
１３００付近にピークを有する山形状の曲線（Ｄバン
ド）１２とを合成したものである。
【００１９】また、ＤＬＣ膜の膜厚及び膜質は、口腔内
において安全で、金属イオンの流出を抑制できると共に
ＤＬＣ膜の剥離を生じないものであれば良く、特に限定
されるものではない。
において安全で、金属イオンの流出を抑制できると共に
ＤＬＣ膜の剥離を生じないものであれば良く、特に限定
されるものではない。
【００２０】ＤＬＣ膜の膜厚は、例えば３ｎｍ以上５０
０ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が３ｎｍ未満で
あると金属イオンのバリア性が不十分となり、膜厚が５
００ｎｍより厚くなるとＤＬＣ膜が剥離しやすくなるか
らである。また、さらに好ましいＤＬＣ膜の膜厚は、１
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
０ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が３ｎｍ未満で
あると金属イオンのバリア性が不十分となり、膜厚が５
００ｎｍより厚くなるとＤＬＣ膜が剥離しやすくなるか
らである。また、さらに好ましいＤＬＣ膜の膜厚は、１
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００２１】歯科用インプラント３の上部には義歯４が
取り付けられている。なお、歯科用インプラント基体
は、純チタン、チタン合金又はセラミックなどからなる
もので構成されている。
取り付けられている。なお、歯科用インプラント基体
は、純チタン、チタン合金又はセラミックなどからなる
もので構成されている。
【００２２】次に、上記歯科用インプラントを製造する
方法について説明する。まず、純チタン、チタン合金な
どの材料を所定形状に加工することにより歯科用インプ
ラント基体を形成する。
方法について説明する。まず、純チタン、チタン合金な
どの材料を所定形状に加工することにより歯科用インプ
ラント基体を形成する。
【００２３】この後、この歯科用インプラント基体の一
部にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法
によりＤＬＣ膜を成膜する。ＤＬＣ膜を成膜する具体的
な部分は、歯科用インプラント３が歯槽骨に埋め込まれ
た際において歯科用インプラント基体における歯槽骨１
から歯肉部位２に位置する部分である。これにより、歯
科用インプラント３を歯槽骨１に植え込んだ際に、歯科
用インプラント基体からその材料の金属イオンが歯槽骨
１及び歯肉部位２に溶出するのを抑制することができ
る。
部にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法
によりＤＬＣ膜を成膜する。ＤＬＣ膜を成膜する具体的
な部分は、歯科用インプラント３が歯槽骨に埋め込まれ
た際において歯科用インプラント基体における歯槽骨１
から歯肉部位２に位置する部分である。これにより、歯
科用インプラント３を歯槽骨１に植え込んだ際に、歯科
用インプラント基体からその材料の金属イオンが歯槽骨
１及び歯肉部位２に溶出するのを抑制することができ
る。
【００２４】上記ＤＬＣ膜の具体的な成膜方法として
は、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．
５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入
し、高周波電源に接続された電極上に被成膜対象物を置
き、この電極に３０Ｗ以上３０００Ｗ以下の高周波電力
を印加し、３秒以上の成膜時間で成膜することが望まし
い。
は、少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．
５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入
し、高周波電源に接続された電極上に被成膜対象物を置
き、この電極に３０Ｗ以上３０００Ｗ以下の高周波電力
を印加し、３秒以上の成膜時間で成膜することが望まし
い。
【００２５】また、上記ＤＬＣ膜を成膜する他の方法と
しては、イオン化蒸着法又はイオンプレーティング法と
呼ばれる成膜方法を用いることも可能である。例えば、
少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．１ｍ
Ｔｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、
電源によって通電され高温に保持された熱フィラメント
をカソードとして用いて、その近傍に配置した電極をア
ノードとして用いて、両電極間に１０Ｖ以上２００Ｖ以
下の電圧を印加して１０ｍＡ以上２０００ｍＡ以下の電
流を流しガスをイオン化させ、カソード・アノードから
一定の距離に置いた基板電極に被成膜対象物（歯科用イ
ンプラント基体）を設置して、基板電極に２０Ｖ以上３
０００Ｖ以下のバイアス電圧を印加し、３秒以上の成膜
時間で成膜することが望ましい。
しては、イオン化蒸着法又はイオンプレーティング法と
呼ばれる成膜方法を用いることも可能である。例えば、
少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．１ｍ
Ｔｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、
電源によって通電され高温に保持された熱フィラメント
をカソードとして用いて、その近傍に配置した電極をア
ノードとして用いて、両電極間に１０Ｖ以上２００Ｖ以
下の電圧を印加して１０ｍＡ以上２０００ｍＡ以下の電
流を流しガスをイオン化させ、カソード・アノードから
一定の距離に置いた基板電極に被成膜対象物（歯科用イ
ンプラント基体）を設置して、基板電極に２０Ｖ以上３
０００Ｖ以下のバイアス電圧を印加し、３秒以上の成膜
時間で成膜することが望ましい。
【００２６】尚、炭化水素系ガスとしては、少なくとも
炭素と水素を含むものであれば種々のガスを用いること
が可能であり、例えば、炭素と水素のみを含む化合物ガ
ス、炭素と水素と酸素を含むガス、炭素、水素、酸素、
珪素、窒素、銅、銀などを含むガス、ベンゼン、トルエ
ン、アセチレンなどを用いることも可能である。
炭素と水素を含むものであれば種々のガスを用いること
が可能であり、例えば、炭素と水素のみを含む化合物ガ
ス、炭素と水素と酸素を含むガス、炭素、水素、酸素、
珪素、窒素、銅、銀などを含むガス、ベンゼン、トルエ
ン、アセチレンなどを用いることも可能である。
【００２７】また、上記成膜条件において炭化水素系ガ
スの流量としては、上記圧力を実現できるガス流量であ
れば、種々のガス流量を用いることが可能である。
スの流量としては、上記圧力を実現できるガス流量であ
れば、種々のガス流量を用いることが可能である。
【００２８】上記実施の形態によれば、歯科用インプラ
ント基体にＤＬＣ膜を被覆しており、このＤＬＣ膜は化
学的に安定で優れた耐食性（耐酸・アルカリ）を有する
と共に金属イオンに対する優れたバリア性を有してい
る。このため、歯科用インプラント基体を構成する金属
材料がイオン化しても、その金属イオンの溶出を抑制す
ることができる。従って、歯科用インプラントを使用し
た際に金属アレルギーの誘発を防止することができる。
ント基体にＤＬＣ膜を被覆しており、このＤＬＣ膜は化
学的に安定で優れた耐食性（耐酸・アルカリ）を有する
と共に金属イオンに対する優れたバリア性を有してい
る。このため、歯科用インプラント基体を構成する金属
材料がイオン化しても、その金属イオンの溶出を抑制す
ることができる。従って、歯科用インプラントを使用し
た際に金属アレルギーの誘発を防止することができる。
【００２９】また、ＤＬＣ膜は生体適合性に優れてお
り、細胞毒性がほとんど無いという性質を有している。
従って、ＤＬＣ膜を歯科用インプラント基体の表面被覆
材として用いることに非常に適しており、人体に対する
高い安全性を得ることができる。
り、細胞毒性がほとんど無いという性質を有している。
従って、ＤＬＣ膜を歯科用インプラント基体の表面被覆
材として用いることに非常に適しており、人体に対する
高い安全性を得ることができる。
【００３０】生体適合性に優れていることは、組織適合
性に優れ、非免疫性に優れ、血液適合性にも優れている
ことをいう。ここで、生体適合性とは、生体埋込み材を
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生
体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない
ことをいう。
性に優れ、非免疫性に優れ、血液適合性にも優れている
ことをいう。ここで、生体適合性とは、生体埋込み材を
生体内部に導入した際、又は、生体に接触させた際、生
体あるいは生体構成要素の持つ本来の機能を損なわない
ことをいう。
【００３１】組織適合性とは、生体埋込み材を生体内部
に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体の組織
を構成する細胞にダメージを発現させないことをいう。
言い換えると、細胞毒性を発現させないことである。細
胞毒性とは、本来、増殖・分化していく細胞が、ある物
質と直接又は間接的に接触し、破壊されることをいう。
に導入した際、又は、生体に接触させた際、生体の組織
を構成する細胞にダメージを発現させないことをいう。
言い換えると、細胞毒性を発現させないことである。細
胞毒性とは、本来、増殖・分化していく細胞が、ある物
質と直接又は間接的に接触し、破壊されることをいう。
【００３２】非免疫性とは、生体埋込み材を生体内部に
導入した際、又は、生体に接触させた際、生体外部から
の刺激（有害な異物）から生体を守る免疫反応を誘発さ
せないことをいう。血液適合性とは、生体埋込み材を血
液と接触する部位で使用する際、不必要な血液凝固（血
栓形成）を起こさないことをいう。
導入した際、又は、生体に接触させた際、生体外部から
の刺激（有害な異物）から生体を守る免疫反応を誘発さ
せないことをいう。血液適合性とは、生体埋込み材を血
液と接触する部位で使用する際、不必要な血液凝固（血
栓形成）を起こさないことをいう。
【００３３】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記ＤＬＣ膜にハイドロキシアパタイト等のＤＬＣより
骨系細胞との親和性の良い層をさらに被覆することも可
能である。また、歯科用インプラント基体におけるＤＬ
Ｃ膜が被覆されていない部分に、ＤＬＣより骨系細胞と
の親和性の良い層を被覆することも可能である。これに
より、ＤＬＣ膜を金属イオン遮断膜として作用させると
同時に、歯科用インプラントの生体親和性をさらに良く
することができる。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記ＤＬＣ膜にハイドロキシアパタイト等のＤＬＣより
骨系細胞との親和性の良い層をさらに被覆することも可
能である。また、歯科用インプラント基体におけるＤＬ
Ｃ膜が被覆されていない部分に、ＤＬＣより骨系細胞と
の親和性の良い層を被覆することも可能である。これに
より、ＤＬＣ膜を金属イオン遮断膜として作用させると
同時に、歯科用インプラントの生体親和性をさらに良く
することができる。
【００３４】また、上記実施の形態では、歯科用インプ
ラント基体における歯槽骨から歯肉部位に位置する部分
にＤＬＣ膜を被覆しているが、歯科用インプラント基体
の全表面にＤＬＣ膜を被覆することも可能である。
ラント基体における歯槽骨から歯肉部位に位置する部分
にＤＬＣ膜を被覆しているが、歯科用インプラント基体
の全表面にＤＬＣ膜を被覆することも可能である。
【００３５】また、上記実施の形態では、歯科用インプ
ラント基体を純チタン、チタン合金又はセラミックなど
からなるもので構成しているが、これに限定されるもの
ではなく、歯科用インプラント基体を種々の材料から形
成することも可能であり、例えば、歯科用インプラント
基体を、チタン合金及びセラミックの群から選ばれた１
つが基体に被覆されたもので構成することも可能であ
る。
ラント基体を純チタン、チタン合金又はセラミックなど
からなるもので構成しているが、これに限定されるもの
ではなく、歯科用インプラント基体を種々の材料から形
成することも可能であり、例えば、歯科用インプラント
基体を、チタン合金及びセラミックの群から選ばれた１
つが基体に被覆されたもので構成することも可能であ
る。
【００３６】また、上記実施の形態において、歯科用イ
ンプラント基体を構成する材料やその表面状態がＤＬＣ
膜との密着性の悪いものである場合は、歯科用インプラ
ント基体とＤＬＣ膜との間に、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＮ、ＮｂなどからなるＳｉ系中間膜を配置す
ることが好ましい。これにより、歯科用インプラント基
体にＤＬＣ膜を密着性良く被覆することが可能となる。
ンプラント基体を構成する材料やその表面状態がＤＬＣ
膜との密着性の悪いものである場合は、歯科用インプラ
ント基体とＤＬＣ膜との間に、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＮ、ＮｂなどからなるＳｉ系中間膜を配置す
ることが好ましい。これにより、歯科用インプラント基
体にＤＬＣ膜を密着性良く被覆することが可能となる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、歯
科用インプラント基体の少なくとも一部にＤＬＣ膜を被
覆しており、このＤＬＣ膜は化学的に安定で優れた耐食
性及び生体適合性を有すると共にイオンに対する優れた
バリア性を有している。したがって、アレルギーの原因
となる物質の溶出を抑制できる歯科用インプラント及び
その製造方法を提供することができる。
科用インプラント基体の少なくとも一部にＤＬＣ膜を被
覆しており、このＤＬＣ膜は化学的に安定で優れた耐食
性及び生体適合性を有すると共にイオンに対する優れた
バリア性を有している。したがって、アレルギーの原因
となる物質の溶出を抑制できる歯科用インプラント及び
その製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による歯科用インプラント
を歯槽骨に埋め込んだ状態を示す断面図である。
を歯槽骨に埋め込んだ状態を示す断面図である。
【図２】ＤＬＣ膜のラマンスペクトルの一例を示す図で
ある。
ある。
１…歯槽骨 ２…歯肉 ３…歯科用インプラント ４…義歯 １０…ラマンスペクトル曲線 １１…山形状の曲線（Ｇバンド） １２…山形状の曲線（Ｄバンド）
Claims (11)
- 【請求項１】 歯科用インプラント基体と、 この歯科用インプラント基体の少なくとも一部に被覆さ
れたＤＬＣ膜と、 を具備することを特徴とする歯科用インプラント。 - 【請求項２】 上記歯科用インプラント基体が歯槽骨に
埋め込むための人工歯根であり、歯科用インプラント基
体が歯槽骨に埋め込まれた際において、歯科用インプラ
ント基体における歯槽骨から歯肉部位に位置する部分に
ＤＬＣ膜が被覆されていることを特徴とする請求項１記
載の歯科用インプラント。 - 【請求項３】 上記歯科用インプラント基体は純チタ
ン、チタン合金及びセラミックの群から選ばれた１つか
らなること、又は、上記歯科用インプラント基体は、チ
タン合金及びセラミックの群から選ばれた１つが基体に
被覆されたものであることを特徴とする請求項１又は２
記載の歯科用インプラント。 - 【請求項４】 上記歯科用インプラント基体と上記ＤＬ
Ｃ膜との間に密着性を良くするためのＳｉ系中間膜を配
置していることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれ
か１項記載の歯科用インプラント。 - 【請求項５】 上記ＤＬＣ膜の膜厚が３ｎｍ以上５００
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のうちい
ずれか１項記載の歯科用インプラント。 - 【請求項６】 上記ＤＬＣ膜に、ＤＬＣよりさらに骨系
細胞との親和性の良い層を被覆していることを特徴とす
る請求項１〜５のうちいずれか１項記載の歯科用インプ
ラント。 - 【請求項７】 上記歯科用インプラント基体におけるＤ
ＬＣ膜が被覆されていない部分に、ＤＬＣよりさらに骨
系細胞との親和性の良い層を被覆していることを特徴と
する請求項６記載の歯科用インプラント。 - 【請求項８】 上記骨系細胞との親和性の良い層がハイ
ドロキシアパタイトからなることを特徴とする請求項６
又は７記載の歯科用インプラント。 - 【請求項９】 歯科用インプラント基体を準備する工程
と、 この歯科用インプラント基体の少なくとも一部にプラズ
マＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を成膜する工程と、 を具備することを特徴とする歯科用インプラントの製造
方法。 - 【請求項１０】 上記ＤＬＣ膜を成膜する工程は、少な
くとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．５ｍＴｏ
ｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、高周
波電源に接続された電極上に被成膜対象物を置き、この
電極に３０Ｗ以上３０００Ｗ以下の高周波電力を印加
し、３秒以上の成膜時間で成膜するものであることを特
徴とする請求項９記載の歯科用インプラントの製造方
法。 - 【請求項１１】 上記ＤＬＣ膜を成膜する工程は、少な
くとも炭素と水素を含む炭化水素系ガスを０．１ｍＴｏ
ｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力下で導入し、電源
によって通電され高温に保持された熱フィラメントをカ
ソードとして用いて、その近傍に配置した電極をアノー
ドとして用いて、両電極間に１０Ｖ以上２００Ｖ以下の
電圧を印加して１０ｍＡ以上２０００ｍＡ以下の電流を
流しガスをイオン化させ、カソード・アノードから一定
の距離に置いた基板電極に被成膜対象物を設置して、基
板電極に２０Ｖ以上３０００Ｖ以下のバイアス電圧を印
加し、３秒以上の成膜時間で成膜するものであることを
特徴とする請求項９記載の歯科用インプラントの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000344948A JP4669120B2 (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 歯科用インプラント及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000344948A JP4669120B2 (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 歯科用インプラント及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002143185A true JP2002143185A (ja) | 2002-05-21 |
| JP4669120B2 JP4669120B2 (ja) | 2011-04-13 |
Family
ID=18819067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000344948A Expired - Lifetime JP4669120B2 (ja) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 歯科用インプラント及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4669120B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100426322B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2004-04-27 | 주식회사 워랜텍 | 다이아몬드상 카본 필름이 코팅된 치과용 티타늄 임플란트및 그 제조방법 |
| KR100765920B1 (ko) | 2006-12-12 | 2007-10-10 | 오스템임플란트 주식회사 | 텅스텐카바이드와 탄소코팅층을 가진 임플란트용 스크류의막구조 |
| FR3010302A1 (fr) * | 2013-09-06 | 2015-03-13 | Robert Fromental | Procede de fabrication d'un implant dentaire comportant une couche de materiau amorphe et implant dentaire obtenu selon ledit procede |
| US9163149B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-10-20 | Toyo Advanced Technologies Co., Ltd. | Implant material |
| WO2018156082A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | National University Of Singapore | Two-dimensional amorphous carbon coating and methods of growing and differentiating stem cells |
| US10984830B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-04-20 | The National University Of Singapore | Two dimensional amorphous carbon as overcoat for heat assisted magnetic recording media |
-
2000
- 2000-11-13 JP JP2000344948A patent/JP4669120B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
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| CN110312679A (zh) * | 2017-02-24 | 2019-10-08 | 新加坡国立大学 | 二维无定形碳涂层以及使干细胞生长和分化的方法 |
| WO2018156082A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | National University Of Singapore | Two-dimensional amorphous carbon coating and methods of growing and differentiating stem cells |
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| US11114674B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-09-07 | National University Of Singapore | Proton conductive two-dimensional amorphous carbon film for gas membrane and fuel cell applications |
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| JP6993004B2 (ja) | 2017-02-24 | 2022-02-03 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | 二次元アモルファス炭素被膜並びに幹細胞の成長及び分化方法 |
| JP2022132618A (ja) * | 2017-02-24 | 2022-09-08 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | 二次元アモルファス炭素被膜並びに幹細胞の成長及び分化方法 |
| JP7501928B2 (ja) | 2017-02-24 | 2024-06-18 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | 二次元アモルファス炭素被膜並びに幹細胞の成長及び分化方法 |
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| JP4669120B2 (ja) | 2011-04-13 |
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