JP2006314729A - 安全で鍼治療効果の優れた通電治療用絶縁鍼。 - Google Patents

Abstract

【課題】通電鍼治療時に、絶縁被膜が破損すること無く、又鍼表面が平滑で身体の広い部位において深部まで痛みを与える事がなく刺鍼する事が出来ると共に、多数回の高温高湿度滅菌か可能で多頻度の使用が可能な通電治療用の絶縁鍼を得る事にある。
【解決手段】ステンレス又は細線化可能で導電性のある金属で作られた鍼の先端部と鍼絵１１を除いた鍼体部分１０に硬質炭素膜を被覆した通電用絶縁鍼とする。
【選択図】図２

Description

本発明は安全で快適な刺激により深部及び広範囲な部位に優れた鍼治療効果のある通電治療用絶縁鍼に関する。

技術の背景

これ迄も通電治療用に、樹脂又はセラミック質の絶縁体をコ−ティングしたり、又電気泳動法、陽極酸化法等による絶縁被膜を持った絶縁鍼が開発されていた。しかし多くは被膜の強靱性、平滑性、電気絶縁性、耐熱湿性等いずれかの点で不十分であり、通電治療用として満足出来るものでなかった。

発明が解決しょうとする課題

治療時に、絶縁被膜が破損すること無く、又鍼表面の平滑性が高いので、身体の広い部位において、深部まで痛みを伴うこと無く刺鍼する事が出来ると共に、高温高湿度滅菌処理が繰り返し可能で多数回の使用可能な通電治療用の絶縁鍼を得る事にある。

問題を解決するための手段

種々広範囲に検討した結果、物理的気相蒸着法または化学的気相蒸着法により、真空状態で低温（８０〜３００℃）成膜した硬質炭素膜（以下ＤＬＣ膜と呼称）を形成する事により高密度、高硬度、高耐熱湿性、平滑性に優れた絶縁鍼を得る事を見出した。この絶縁鍼を通電治療用に使用することにより本発明を完成した。

本発明におけるＤＬＣ膜は、非晶質硬質炭素膜、ｉ−Ｃ膜、合成疑似ダイヤモンド膜などと呼ばれる硬質炭素膜である。この成分は、炭素を主成分とするほか水素が含まれており、その水素量は炭素原子に対して０．０５〜０．５原子含まれている。そして原子構造は、炭素間のＳＰ_３結合を主体としたアモルファス構造である。その性質は、電気抵抗率は１０^６〜１０^１４Ω・ｃｍと非常に高い絶縁性を示し、光屈折率も１．８〜２．４と大きくダイヤモンドに類似した点が多い。又滑らかな表面モルフォロジを有する膜で優れた平滑性を持っている。被覆膜厚は３００Å〜２００００Åと薄い均一な膜を形成する事が可能で可とう性が高く、ひび割れを生ずる事がない。
又ＤＬＣ膜の機能を高めるのに、中間膜の形成が必要である。中間膜としてはその膜厚が０．３μ以下のＳｉ又はＣｒ金属、及び両者の炭化物の薄膜が、本発明に関わる金属と硬質炭素膜との接着を高める機能を持つ事を見出し本発明を完成した。膜厚が０．３μより厚い時は、中間膜の割れの発生が生じ易くなり、その結果としてＤＬＣ膜の割れが増大する。中間膜の膜厚としては０．３μより薄い事必要である。
本発明による鍼は治療時上記の機能に加え表面の微視的な平滑性が高いので、体内での滑り性が優れており、体組織を傷つける事無く、又患者に痛みを与えないので従来不可能とされていた部位、又は深部の治療が可能になった。更に被膜硬度はビッカ−ス硬度（ＨＶ）で１０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ^２を有しており磨耗強度も大きく、又数１００℃以上の耐熱湿性を持っているので多数回の滅菌処理も可能であり、多数回の使用が可能である。

以下本発明の実施の形態について説明する。
本発明における絶縁鍼に使用出来る金属としては、細線化可能で導電性のある金属であれば特に限定の必要性はないが、ステンレス、金、銀、白金、タングステン、チタン、ジルコニュウムが治療効果より好ましい。ＤＬＣ膜を製膜する方法としては、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法又はイオンビ−ムスパッタ−法、ア−クイオンプレ−ティング法、イオンビ−ム蒸着法により行う事が出来るが高周波プラズマＣＶＤ法が好ましい。（図１）、（図２）（図３）に高周波プラズマＣＶＤ法の設備概略を示す。

本発明品を製造するには、（図２）に示す素材鍼を（図１）に示す高周波プラズマＣＶＤ装置によりＤＬＣ膜を成膜する。本実施例では、鍼を（図２）に示す鍼柄部保持治具を用いて保持し、本治具を高周波電極上にセットした。その後、真空ポンプを用い筺体内を５×１０^−３Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガス下で高周波電力を印加して鍼体表面のイオンクリ−ニング処理を行う。更にテトラメチルシランガス下で高周波電力を印加して中間膜としてのＳｉ化合物膜を作成する。次いでガス導入管より原料ガス（１）を０．２Ｐａ、まで筐体内に導入し同圧力を維持して高周波電力を印加する。被覆されたＤＬＣ膜の膜厚は、プラズマを印加する時間により調整する事ができる。本発明に使用出来る原料ガス（１）としては、シクロヘキサン、アセチレン、メタン等の炭化水素化合物を使用する事が出来る。また中間膜の形成は密着力の向上を目的としているが、Ｓｉ以外にＴｉ、Ｃｒでも同様の特性が得られる。

鍼先端５ｍｍをアルミフォイルでしっかりと被覆した直径０．２０ｍｍのテンレス鍼を素材とした鍼（図２）に高周波プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣを被覆した。この鍼を（図３）に示す鍼柄部保時治具（１１）に固定し真空成膜装置筐体内（４）の高周波電極（７）上にセットした。その後、真空ポンプ（２）を用いて装置筐体内（４）を４×１０^−３Ｐａ迄排気した後、原料ガス（１）としてＡｒガスを４×１０^−１Ｐａ迄導入した。高周波電力を１ＫＷ迄印加し、基材表面をイオンクリ−ニング処理した。その後、同室内のスパッタ用シャツタ−を開け、高周波電力をスパッタ−側に切り替え、テトラメチルシランガスを導入してＳｉ化合物膜の中間層を形成した。スパッタ−膜形成は高周波電力２ＫＷ、膜厚約０．５ミクロンとした。中間層の形成後、再度４×１０^−３Ｐａ迄真空排気を行った後、メタンガス（１）を２×１０^−３Ｐａ迄導入し、高周波電力１ＫＷを印加してＤＬＣ膜の形成を行った。膜厚の制御は高周波を印加している時間で管理し、当該品の場合は製膜時間１２００秒とした。成膜終了後、４×１０^−３Ｐａ以下にまで再度排気した後に窒素ガスを導入大気圧状態にして取り出した。鍼先端の被覆金属フォイルを取り除く事により得られた絶縁鍼は、尖端部４〜５ｍｍを除いて膜厚７００ÅのＤＬＣ膜が形成されており、絶縁性、表面平滑性、強靱性、下地金属との密着性、高温耐久性に優れ、且つ多数回の高圧蒸気滅菌に耐える事が出来た。得られた本発明品を用いて鍼通電治療を行った。皮下直下の電気の流れ易い部分を避け、患者に痛みを与えることなく滑らかに人体のより深部に刺鍼が可能であった。これにより肩こり、腰痛、膝の痛みなどに、従来の絶縁鍼に比しより安全で効果的な鍼通電治療が可能になった。

ステンレス鍼に変え、直径が０．１５ｍｍのタングステン繊維につき行った。実施例−１と同様の手順で真空排気し、Ａｒガス（１）を用いてイオンクリ−ニング処理を行った後にテトラメチルシランガスを２×１０^−３Ｐａ迄導入し高周波電力２Ｋｗを印加して、同ガスでプラズマ放電させ繊維表面にＳｉＣを含むＳｉ化合物を形成した。その後、再度真空排気した後、シクロヘキサンガスを２×１０^−３Ｐａ迄導入、高周波電力３Ｋｗを印加して同ガスでプラズマを形成してＤＬＣ膜を形成した。膜厚のの制御は実施例−１と同様に高周波を印加する時間で管理し、９００秒として膜厚約５００ÅのＤＬＣ膜を被覆した。
実施例−２で得られた本発明品を神経生理学の分野で採用されているニュ−ログラムに使用した。ニュログラムでは、神経の興奮伝導状態を知る為に、神経幹に微小な絶縁電極を入れて観察する。これが為には、絶縁電極には０．１５ｍｍ前後の微細な絶縁線が必要となるが満足できる絶縁線が存在していなかった。本発明品を絶縁電極として使用したが検査時の痛みが無く満足出来る結果が得られた。

高周波プラズマＣＶＤ装置の概略図 鍼本体 鍼保持治具

符号の説明

１ 原料ガス
２ 真空ポンプ
３ 高周波電源
４ 筐体部
５ 接地電源
６ ガス導入管
７ 高周波電源
８ 鍼
９ 鍼保持治具
１０ 鍼体
１１ 鍼柄部

Claims (5)

1. ステンレス又は細線化可能で導電性のある金属で作られた鍼の先端部と鍼柄を除いた鍼体部分に硬質炭素膜を被覆した通電治療用絶縁鍼。
2. 細線化可能で導電性のある金属が金、銀、白金、タングステン、チタン、ゲルマニュウムの単体、各々の合金、及びステンレス鍼の先端部に金、銀、白金、タングステン、チタン、ゲルマニュウムを鍍金したものである請求項１に記載の通電治療用絶縁鍼。
3. 被覆された硬質炭素膜の厚みが０．０５μｍ〜３μｍ以下てある請求項１に記載の通電治療用絶縁鍼。
4. 金属表面と硬質炭素膜の間に中間膜としてＳｉもしくはＣｒ金属、、又はそれらの炭化物の０．３μ以下の薄膜を被覆した請求項１に記載の通電治療用絶縁鍼。
5. 上記硬質炭素膜が、物理的気相蒸着法又は化学的気相蒸着法等の真空を利用した蒸着方法で被覆されたものである請求項１に記載の通電治療用絶縁鍼。

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