JP2002141569A - マイクロアクチュエータ素子 - Google Patents
マイクロアクチュエータ素子Info
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- JP2002141569A JP2002141569A JP2001236232A JP2001236232A JP2002141569A JP 2002141569 A JP2002141569 A JP 2002141569A JP 2001236232 A JP2001236232 A JP 2001236232A JP 2001236232 A JP2001236232 A JP 2001236232A JP 2002141569 A JP2002141569 A JP 2002141569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 切断面に遊離した粒子が付着露呈されず、且
つヘッド支持装置の駆動用に使用しても遊離し易い粒子
が脱粒されずに製造時の製品表面における仕上がり状態
が良好となるマイクロアクチュエータ素子を提供するこ
と。 【解決手段】 マイクロアクチュエータ素子２の切り出
しによる切断面に、切断により発生した粒子の離脱を防
止するための脱粒防止処理を施す。マイクロアクチュエ
ータ素子は、圧電体及び内部電極が交互に積層されてい
る積層体からなり、この積層体が上述の切断面を有した
ものでもよい。さらに、マイクロアクチュエータ素子
を、固定されるベースプレート３とヘッド４を支持する
ための支持バネ５との間に搭載し、少なくともマイクロ
アクチュエータ素子とベースプレート及び支持バネのう
ちマイクロアクチュエータ素子の近傍部分とを纏めて被
覆膜で被覆することは好ましい。
つヘッド支持装置の駆動用に使用しても遊離し易い粒子
が脱粒されずに製造時の製品表面における仕上がり状態
が良好となるマイクロアクチュエータ素子を提供するこ
と。 【解決手段】 マイクロアクチュエータ素子２の切り出
しによる切断面に、切断により発生した粒子の離脱を防
止するための脱粒防止処理を施す。マイクロアクチュエ
ータ素子は、圧電体及び内部電極が交互に積層されてい
る積層体からなり、この積層体が上述の切断面を有した
ものでもよい。さらに、マイクロアクチュエータ素子
を、固定されるベースプレート３とヘッド４を支持する
ための支持バネ５との間に搭載し、少なくともマイクロ
アクチュエータ素子とベースプレート及び支持バネのう
ちマイクロアクチュエータ素子の近傍部分とを纏めて被
覆膜で被覆することは好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば圧電体及び
内部電極が交互に積層されている積層体等を用いたマイ
クロアクチュエータ素子及びそれの利用技術に関する。
内部電極が交互に積層されている積層体等を用いたマイ
クロアクチュエータ素子及びそれの利用技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄板状の圧電体及び薄板状の内部
電極を交互に積層された積層体を用いたマイクロアクチ
ュエータ素子が知られている。この種のマイクロアクチ
ュエータ素子は、公知の様々な能動装置に使用されてい
る。
電極を交互に積層された積層体を用いたマイクロアクチ
ュエータ素子が知られている。この種のマイクロアクチ
ュエータ素子は、公知の様々な能動装置に使用されてい
る。
【０００３】そのマイクロアクチュエータ素子において
は、内部電極が積層体の対向する側面に交互に露出し、
それらの側面にそれぞれ備えた外部電極に接続されてい
る。通常、内部電極や外部電極はスパッタリングにより
形成される。なお、積層体に外部電極を備えた後に焼成
が実行される。
は、内部電極が積層体の対向する側面に交互に露出し、
それらの側面にそれぞれ備えた外部電極に接続されてい
る。通常、内部電極や外部電極はスパッタリングにより
形成される。なお、積層体に外部電極を備えた後に焼成
が実行される。
【０００４】小形のマイクロアクチュエータ素子が望ま
れる場合には、予め大形に作ったものを焼成した後、外
部電極と直交する平面に沿って所定の寸法に切断してい
る。またスパッタリング時のマスキング効率の向上や加
工コスト削減を考慮した場合にも、焼成後に所定の寸法
となるように切断する方が有利である。
れる場合には、予め大形に作ったものを焼成した後、外
部電極と直交する平面に沿って所定の寸法に切断してい
る。またスパッタリング時のマスキング効率の向上や加
工コスト削減を考慮した場合にも、焼成後に所定の寸法
となるように切断する方が有利である。
【０００５】したがって、この種のマイクロアクチュエ
ータ素子は切り出し状態で使用されることが多い。その
場合、マイクロアクチュエータ素子は当然のこととして
切り出し状態の切断面を有している。
ータ素子は切り出し状態で使用されることが多い。その
場合、マイクロアクチュエータ素子は当然のこととして
切り出し状態の切断面を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したマイクロアク
チュエータ素子においては、切断時に微小な割れや欠け
が生じることがある。その場合には、圧電体材料や電極
材料よりなる遊離した粒子や遊離し易い粒子が切り出し
状態の切断面に付着露出した状態になることを避けがた
い。そのため、マイクロアクチュエータ素子を能動装置
に組み付けた際には、その能動装置の振動や伸縮により
粒子が切断面から脱落することがある。脱落した粒子
は、能動装置の所定の動作を阻害したり、その能動装置
に使用される物品を損傷したりする虞がある。
チュエータ素子においては、切断時に微小な割れや欠け
が生じることがある。その場合には、圧電体材料や電極
材料よりなる遊離した粒子や遊離し易い粒子が切り出し
状態の切断面に付着露出した状態になることを避けがた
い。そのため、マイクロアクチュエータ素子を能動装置
に組み付けた際には、その能動装置の振動や伸縮により
粒子が切断面から脱落することがある。脱落した粒子
は、能動装置の所定の動作を阻害したり、その能動装置
に使用される物品を損傷したりする虞がある。
【０００７】それ故に本発明の課題は、切り出しによる
切断面の粒子についての対策を施したマイクロアクチュ
エータ素子を提供することにある。
切断面の粒子についての対策を施したマイクロアクチュ
エータ素子を提供することにある。
【０００８】本発明の他の課題は、マイクロアクチュエ
ータ素子からの脱粒を防止したヘッド支持装置を提供す
ることにある。
ータ素子からの脱粒を防止したヘッド支持装置を提供す
ることにある。
【０００９】本発明のさらに他の課題は、上述のマイク
ロアクチュエータ素子を用いたディスク記録装置を提供
することにある。
ロアクチュエータ素子を用いたディスク記録装置を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、切り出
しによる切断面を有しているマイクロアクチュエータ素
子において、前記切断面は、切断により発生した粒子の
離脱を防止するための脱粒防止処理が施されていること
を特徴とするマイクロアクチュエータ素子が得られる。
しによる切断面を有しているマイクロアクチュエータ素
子において、前記切断面は、切断により発生した粒子の
離脱を防止するための脱粒防止処理が施されていること
を特徴とするマイクロアクチュエータ素子が得られる。
【００１１】前記脱粒防止処理として最終製品形状まで
切断加工した後に前記切断面を含む全面を焼結面として
焼成してもよい。
切断加工した後に前記切断面を含む全面を焼結面として
焼成してもよい。
【００１２】前記脱粒防止処理として焼成後の切断によ
る前記切断面を含む全面を研磨してもよい。
る前記切断面を含む全面を研磨してもよい。
【００１３】前記脱粒防止処理として焼成後の切断によ
る前記切断面を含む全面を再加熱して前記粒子を該全面
に再定着させてもよい。
る前記切断面を含む全面を再加熱して前記粒子を該全面
に再定着させてもよい。
【００１４】前記脱粒防止処理として焼成後の切断によ
る前記切断面を部分加熱して前記粒子を該切断面に再定
着させてもよい。
る前記切断面を部分加熱して前記粒子を該切断面に再定
着させてもよい。
【００１５】前記脱粒防止処理に引き続いて更に前記粒
子を除去するために前記切断面を含む全面を洗浄しても
よい。
子を除去するために前記切断面を含む全面を洗浄しても
よい。
【００１６】前記脱粒防止処理として焼成後の切断によ
る前記切断面を露出させないようにガラスで被覆しても
よい。
る前記切断面を露出させないようにガラスで被覆しても
よい。
【００１７】前記脱粒防止処理として焼成後の切断によ
る前記切断面を含む全面を変位抑制し難い柔軟な樹脂で
覆ってもよい。
る前記切断面を含む全面を変位抑制し難い柔軟な樹脂で
覆ってもよい。
【００１８】前記マイクロアクチュエータ素子は、圧電
体及び内部電極が交互に積層されている積層体を含み、
前記積層体が前記切断面を有してもよい。
体及び内部電極が交互に積層されている積層体を含み、
前記積層体が前記切断面を有してもよい。
【００１９】また、本発明によれば、固定されるベース
プレートと、ヘッドを支持するための支持バネと、前記
ベースプレート及び前記支持バネに結合されたマイクロ
アクチュエータ素子とを含み、前記マイクロアクチュエ
ータ素子と前記ベースプレート及び前記支持バネのうち
前記マイクロアクチュエータ素子の近傍部分とを纏めて
被覆膜で被覆したことを特徴とするヘッド支持装置が得
られる。
プレートと、ヘッドを支持するための支持バネと、前記
ベースプレート及び前記支持バネに結合されたマイクロ
アクチュエータ素子とを含み、前記マイクロアクチュエ
ータ素子と前記ベースプレート及び前記支持バネのうち
前記マイクロアクチュエータ素子の近傍部分とを纏めて
被覆膜で被覆したことを特徴とするヘッド支持装置が得
られる。
【００２０】本発明によれば、固定されるベースプレー
トと、ヘッドを支持するための支持バネと、前記ベース
プレート及び前記支持バネ間に結合された複数のマイク
ロアクチュエータ素子とを含み、前記複数のマイクロア
クチュエータ素子を纏めて被覆膜で被覆したことを特徴
とするヘッド支持装置が得られる。
トと、ヘッドを支持するための支持バネと、前記ベース
プレート及び前記支持バネ間に結合された複数のマイク
ロアクチュエータ素子とを含み、前記複数のマイクロア
クチュエータ素子を纏めて被覆膜で被覆したことを特徴
とするヘッド支持装置が得られる。
【００２１】前記複数のマイクロアクチュエータ素子を
搭載しかつ前記ベースプレート及び前記支持バネ間に接
続されたフレキシブル基板を含み、前記被覆膜は前記複
数のマイクロアクチュエータ素子と共に前記フレキシブ
ル基板を被覆していてもよい。
搭載しかつ前記ベースプレート及び前記支持バネ間に接
続されたフレキシブル基板を含み、前記被覆膜は前記複
数のマイクロアクチュエータ素子と共に前記フレキシブ
ル基板を被覆していてもよい。
【００２２】前記支持バネは前記ベースプレートに弾力
的に結合されていてもよい。
的に結合されていてもよい。
【００２３】また、本発明によれば、上述したヘッド支
持装置と、前記ヘッド支持装置の支持バネに支持され
た、回転ディスクにアクセスするするためのヘッドとを
含み、前記ヘッド支持装置のマイクロアクチュエータ素
子により前記ディスクに対する前記ヘッドの位置関係を
微小調整するようにしたことを特徴とするディスク記録
装置が得られる。
持装置と、前記ヘッド支持装置の支持バネに支持され
た、回転ディスクにアクセスするするためのヘッドとを
含み、前記ヘッド支持装置のマイクロアクチュエータ素
子により前記ディスクに対する前記ヘッドの位置関係を
微小調整するようにしたことを特徴とするディスク記録
装置が得られる。
【００２４】前記ヘッドは磁気ヘッドであってもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明のマ
イクロアクチュエータ素子について、図面を参照して詳
細に説明する。
イクロアクチュエータ素子について、図面を参照して詳
細に説明する。
【００２６】図１は、ディスク記録装置に使用されるヘ
ッド支持装置の一例の要部を示した平面図である。この
ヘッド支持装置は、取り付け穴３ａにより固定されるベ
ースプレート３と、これとは別部品の支持バネ５と、支
持バネ５をベースプレート３に結合させた二つのマイク
ロアクチュエータ素子２とを含んでいる。各マイクロア
クチュエータ素子２はベースプレート３と支持バネ５と
に橋渡し状態に載置されかつこれらに接着剤などにより
固定されている。この結果、ベースプレート３と支持バ
ネ５とマイクロアクチュエータ素子２とによって、二つ
のマイクロアクチュエータ素子２の間に貫通穴６が形成
されている。支持バネ５の先端には、ハードディスク等
の記録媒体にアクセスして読込み・書込みを行うための
磁気ヘッド４が貼り付け等により搭載される。
ッド支持装置の一例の要部を示した平面図である。この
ヘッド支持装置は、取り付け穴３ａにより固定されるベ
ースプレート３と、これとは別部品の支持バネ５と、支
持バネ５をベースプレート３に結合させた二つのマイク
ロアクチュエータ素子２とを含んでいる。各マイクロア
クチュエータ素子２はベースプレート３と支持バネ５と
に橋渡し状態に載置されかつこれらに接着剤などにより
固定されている。この結果、ベースプレート３と支持バ
ネ５とマイクロアクチュエータ素子２とによって、二つ
のマイクロアクチュエータ素子２の間に貫通穴６が形成
されている。支持バネ５の先端には、ハードディスク等
の記録媒体にアクセスして読込み・書込みを行うための
磁気ヘッド４が貼り付け等により搭載される。
【００２７】二つのアクチュエークー素子２のいずれか
一方又は両方の所定の動作に伴い、図面の紙面に平行な
平面内で磁気ヘッド４が微小変位する。磁気ヘッド４を
記録媒体に垂直な方向で微小変位させることも可能であ
る。したがって磁気ヘッド４の位置を微小調整すること
が可能になる。
一方又は両方の所定の動作に伴い、図面の紙面に平行な
平面内で磁気ヘッド４が微小変位する。磁気ヘッド４を
記録媒体に垂直な方向で微小変位させることも可能であ
る。したがって磁気ヘッド４の位置を微小調整すること
が可能になる。
【００２８】図２は、マイクロアクチュエータ素子２の
基本構造を示した外観斜視図である。マイクロアクチュ
エータ素子２は、薄板状の圧電セラミック７による圧電
体間に薄板状の内部電極８を交互に対向する側面に延び
るように積層して成る積層体を含んでいる。この積層体
の対向する両側面には、平行線状に露呈された内部電極
８の端部に接続されるように外部電極９が配備されてい
る。外部電極９の一部は、積層体の積層方向で対向する
面にまで延びている。マイクロアクチュエータ素子２が
所定の寸法（以下も同様であるように最終製品形状を示
すものとする）となるように切断されて、切り出し状態
で使用される。外部電極９に制御された電圧を印加する
と、マイクロアクチュエータ素子２は周知の原理にした
がい所定の動作を行なう。
基本構造を示した外観斜視図である。マイクロアクチュ
エータ素子２は、薄板状の圧電セラミック７による圧電
体間に薄板状の内部電極８を交互に対向する側面に延び
るように積層して成る積層体を含んでいる。この積層体
の対向する両側面には、平行線状に露呈された内部電極
８の端部に接続されるように外部電極９が配備されてい
る。外部電極９の一部は、積層体の積層方向で対向する
面にまで延びている。マイクロアクチュエータ素子２が
所定の寸法（以下も同様であるように最終製品形状を示
すものとする）となるように切断されて、切り出し状態
で使用される。外部電極９に制御された電圧を印加する
と、マイクロアクチュエータ素子２は周知の原理にした
がい所定の動作を行なう。
【００２９】このマイクロアクチュエータ素子２におい
ては、切断による切断面に、切断時に生じる圧電体材料
及び電極材料の遊離した粒子の付着露出を防止し、且つ
遊離し易い粒子の脱粒を防止するための脱粒防止処理が
施されている。
ては、切断による切断面に、切断時に生じる圧電体材料
及び電極材料の遊離した粒子の付着露出を防止し、且つ
遊離し易い粒子の脱粒を防止するための脱粒防止処理が
施されている。
【００３０】このような脱粒防止処理としては、例えば
最終製品形状まで切断加工した後に切断面を含む全面を
焼結面として焼成する。また、焼成後の切断による切断
面を含む全面を研磨してもよい。また、焼成後の切断に
よる切断面を含む全面を再加熱して遊離した粒子及び遊
離し易い粒子を全面に再定着させてもよい。また、焼成
後の切断による切断面を部分加熱して遊離した粒子及び
遊離し易い粒子を切断面に再定着させてもよい。例えば
焼成後の切断による切断面のみを例えばレーザー照射等
の方法で部分加熱して材料粒子を素子に再定着させる。
何れの脱粒防止処理においても、引き続いて更に遊離し
た粒子を除去するために切断面を含む全面を洗浄するこ
とが好ましい。脱粒防止処理を施したか否かは観察によ
り容易に区別できる。
最終製品形状まで切断加工した後に切断面を含む全面を
焼結面として焼成する。また、焼成後の切断による切断
面を含む全面を研磨してもよい。また、焼成後の切断に
よる切断面を含む全面を再加熱して遊離した粒子及び遊
離し易い粒子を全面に再定着させてもよい。また、焼成
後の切断による切断面を部分加熱して遊離した粒子及び
遊離し易い粒子を切断面に再定着させてもよい。例えば
焼成後の切断による切断面のみを例えばレーザー照射等
の方法で部分加熱して材料粒子を素子に再定着させる。
何れの脱粒防止処理においても、引き続いて更に遊離し
た粒子を除去するために切断面を含む全面を洗浄するこ
とが好ましい。脱粒防止処理を施したか否かは観察によ
り容易に区別できる。
【００３１】他の脱粒防止処理としては、焼成後の切断
による切断面を露出させないようにガラスで被覆した
り、或いは焼成後の切断による切断面を含む全面を変位
抑制し難い柔軟な樹脂で覆ったりしてもよい。
による切断面を露出させないようにガラスで被覆した
り、或いは焼成後の切断による切断面を含む全面を変位
抑制し難い柔軟な樹脂で覆ったりしてもよい。
【００３２】脱粒防止処理により、切断面に遊離した粒
子が付着露呈されないか或いは切断面が完全に覆われる
ことになり、ヘッド支持装置の駆動用に使用しても遊離
した粒子及び遊離し易い粒子が脱粒されず、製造時の製
品表面における仕上がり状態が良好となる。
子が付着露呈されないか或いは切断面が完全に覆われる
ことになり、ヘッド支持装置の駆動用に使用しても遊離
した粒子及び遊離し易い粒子が脱粒されず、製造時の製
品表面における仕上がり状態が良好となる。
【００３３】駆動用としてマイクロアクチュエータ素子
を支持バネ５に取り付けてヘッド支持装置を構成する場
合には、更に、脱粒防止強化処理として樹脂等よりなる
被覆膜により、ベースプレート３から支持バネ５の磁気
ヘッド４を貼り付ける部分までの全体を被覆する。これ
によれば、切断面から遊離した粒子及び遊離し易い粒子
が脱粒されることを完全に防止でき、記録媒体の表面を
傷付けるような問題を一層確実に解消することができ
る。
を支持バネ５に取り付けてヘッド支持装置を構成する場
合には、更に、脱粒防止強化処理として樹脂等よりなる
被覆膜により、ベースプレート３から支持バネ５の磁気
ヘッド４を貼り付ける部分までの全体を被覆する。これ
によれば、切断面から遊離した粒子及び遊離し易い粒子
が脱粒されることを完全に防止でき、記録媒体の表面を
傷付けるような問題を一層確実に解消することができ
る。
【００３４】図２に示したマイクロアクチュエータ素子
２は次に例示した方法で作製されてもよい。圧電体セラ
ミックグリーンシートに、スクリーン印刷法により７０
％Ａｇ−３０％Ｐｄから成るペーストを用いて内部電極
用のパターンを印刷する。この上に、圧電体セラミック
グリーンシートを配して同様なパターンを印刷する。以
後、同様な作業を繰り返して積層体を得る。この積層体
にスパッタリング法で金等を付着しての外部電極を形成
し、その後に所定の形状及び寸法となるように切断す
る。
２は次に例示した方法で作製されてもよい。圧電体セラ
ミックグリーンシートに、スクリーン印刷法により７０
％Ａｇ−３０％Ｐｄから成るペーストを用いて内部電極
用のパターンを印刷する。この上に、圧電体セラミック
グリーンシートを配して同様なパターンを印刷する。以
後、同様な作業を繰り返して積層体を得る。この積層体
にスパッタリング法で金等を付着しての外部電極を形成
し、その後に所定の形状及び寸法となるように切断す
る。
【００３５】図３は、焼成後の積層体を部分的に破断し
て所定の形状及び寸法となるように切断した脱粒防止処
理を施していないマイクロアクチュエータ素子の側面を
図２に示す観察方向Ｍから走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
により観察した様子を示したものである。図３からは、
マイクロアクチュエータ素子２における圧電セラミック
７及び内部電極８の切断面に、遊離した粒子や遊離し易
い粒子が露出している様子が判る。このことから、焼成
後のマイクロアクチュエータ素子を部分的に破断した上
で切断した場合の切断面には、遊離した粒子及び遊離し
易い粒子が少なからず存在し、したがってマイクロアク
チュエータ素子の表面における仕上がり状態が良好でな
いといえる。
て所定の形状及び寸法となるように切断した脱粒防止処
理を施していないマイクロアクチュエータ素子の側面を
図２に示す観察方向Ｍから走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
により観察した様子を示したものである。図３からは、
マイクロアクチュエータ素子２における圧電セラミック
７及び内部電極８の切断面に、遊離した粒子や遊離し易
い粒子が露出している様子が判る。このことから、焼成
後のマイクロアクチュエータ素子を部分的に破断した上
で切断した場合の切断面には、遊離した粒子及び遊離し
易い粒子が少なからず存在し、したがってマイクロアク
チュエータ素子の表面における仕上がり状態が良好でな
いといえる。
【００３６】図４は、図３に示したマイクロアクチュエ
ータ素子２の切断面を部分的に拡大した様子を示したも
のである。図４からは、マイクロアクチュエータ素子の
局部に遊離した粒子１１が存在している様子が確認され
た。このような遊離した粒子１１は、マイクロアクチュ
エータ素子から剥がれ落ちて脱粒となる虞がある。
ータ素子２の切断面を部分的に拡大した様子を示したも
のである。図４からは、マイクロアクチュエータ素子の
局部に遊離した粒子１１が存在している様子が確認され
た。このような遊離した粒子１１は、マイクロアクチュ
エータ素子から剥がれ落ちて脱粒となる虞がある。
【００３７】図５は、図３に示したマイクロアクチュエ
ータ素子２の側面における圧電セラミック部分の切断面
のみを拡大した様子を示したものである。図５からは、
マイクロアクチュエータ素子の圧電セラミックに遊離し
易い粒子１２の存在が確認された。このような遊離し易
い粒子１２は、マイクロアクチュエータ素子の動作中に
時間経過に伴って次第に剥がれ落ちて脱粒となる虞があ
る。
ータ素子２の側面における圧電セラミック部分の切断面
のみを拡大した様子を示したものである。図５からは、
マイクロアクチュエータ素子の圧電セラミックに遊離し
易い粒子１２の存在が確認された。このような遊離し易
い粒子１２は、マイクロアクチュエータ素子の動作中に
時間経過に伴って次第に剥がれ落ちて脱粒となる虞があ
る。
【００３８】図６は、図３に示したマイクロアクチュエ
ータ素子２を用いて構成したヘッド支持装置を所定時間
駆動（使用）した後におけるマイクロアクチュエータ素
子２の側面を図２に示す観察方向Ｍから走査型電子顕微
鏡により観察した様子を示したものである。図６から
は、使用した後のマイクロアクチュエータ素子における
圧電セラミック７及び内部電極８には遊離した粒子１１
及び遊離し易い粒子１２が多数確認された。このことか
ら、焼成後の積層体を部分的に破断した上で所定の形状
及び寸法に切断したマイクロアクチュエータ素子をその
まま使用した場合の切断面には、遊離した粒子１１及び
遊離し易い粒子１２が多く存在し、これらが脱粒となっ
て記録媒体の表面を傷付ける危険性があることが判る。
ータ素子２を用いて構成したヘッド支持装置を所定時間
駆動（使用）した後におけるマイクロアクチュエータ素
子２の側面を図２に示す観察方向Ｍから走査型電子顕微
鏡により観察した様子を示したものである。図６から
は、使用した後のマイクロアクチュエータ素子における
圧電セラミック７及び内部電極８には遊離した粒子１１
及び遊離し易い粒子１２が多数確認された。このことか
ら、焼成後の積層体を部分的に破断した上で所定の形状
及び寸法に切断したマイクロアクチュエータ素子をその
まま使用した場合の切断面には、遊離した粒子１１及び
遊離し易い粒子１２が多く存在し、これらが脱粒となっ
て記録媒体の表面を傷付ける危険性があることが判る。
【００３９】図７は、焼成後の積層体を部分的に破断し
て所定の形状及び寸法となるように切断してから切断面
を含む全面を研磨による脱粒防止処理を施したマイクロ
アクチュエータ素子２の側面を図２に示す観察方向Ｍか
ら走査型電子顕微鏡により観察した様子を示したもので
ある。図７からは、マイクロアクチュエータ素子におけ
る圧電セラミック７及び内部電極８の切断面には遊離し
た粒子や遊離し易い粒子が露出していない様子が判る。
このことから、焼成後のマイクロアクチュエータ素子を
部分的に破断した上で切断してから研磨した場合の切断
面には、遊離した粒子及び遊離し易い粒子が殆ど存在せ
ず、素子表面における仕上がり状態が良好となるといえ
る。マイクロアクチュエータ素子の表面の仕上がりは、
例えば素子表面の全体をバレル等で研磨すれば良好なも
のとなる。
て所定の形状及び寸法となるように切断してから切断面
を含む全面を研磨による脱粒防止処理を施したマイクロ
アクチュエータ素子２の側面を図２に示す観察方向Ｍか
ら走査型電子顕微鏡により観察した様子を示したもので
ある。図７からは、マイクロアクチュエータ素子におけ
る圧電セラミック７及び内部電極８の切断面には遊離し
た粒子や遊離し易い粒子が露出していない様子が判る。
このことから、焼成後のマイクロアクチュエータ素子を
部分的に破断した上で切断してから研磨した場合の切断
面には、遊離した粒子及び遊離し易い粒子が殆ど存在せ
ず、素子表面における仕上がり状態が良好となるといえ
る。マイクロアクチュエータ素子の表面の仕上がりは、
例えば素子表面の全体をバレル等で研磨すれば良好なも
のとなる。
【００４０】図８は、積層体を部分的に破断して所定の
形状寸法となるように切断してから切断面を含む全面を
焼結面として焼成による脱粒防止処理を施したマイクロ
アクチュエータ素子の側面における圧電セラミック７部
分のみを拡大して図２に示す観察方向Ｍから走査型電子
顕微鏡により観察した様子を示したものである。図８か
らは、焼成前に最終製品形状まで切断してから素子表面
全面を焼結面として焼成し、焼成による仕上がり後に一
切の切断を行わなければ、遊離した粒子及び遊離し易い
粒子が露出されない様子が判る。これは一般的に知られ
ているように、セラミック材料の焼結面における各々セ
ラミック粒子が焼結により互いに反応し合って遊離し難
い安定状態となることによる。因みに、図５に示した圧
電セラミックの切断面とここでの焼結面とを対比すれば
セラミック表面の違いは明らかであり、ここでの素子全
面を焼結面として焼成する脱粒防止処理が適用されたか
否かは容易に区別できる。
形状寸法となるように切断してから切断面を含む全面を
焼結面として焼成による脱粒防止処理を施したマイクロ
アクチュエータ素子の側面における圧電セラミック７部
分のみを拡大して図２に示す観察方向Ｍから走査型電子
顕微鏡により観察した様子を示したものである。図８か
らは、焼成前に最終製品形状まで切断してから素子表面
全面を焼結面として焼成し、焼成による仕上がり後に一
切の切断を行わなければ、遊離した粒子及び遊離し易い
粒子が露出されない様子が判る。これは一般的に知られ
ているように、セラミック材料の焼結面における各々セ
ラミック粒子が焼結により互いに反応し合って遊離し難
い安定状態となることによる。因みに、図５に示した圧
電セラミックの切断面とここでの焼結面とを対比すれば
セラミック表面の違いは明らかであり、ここでの素子全
面を焼結面として焼成する脱粒防止処理が適用されたか
否かは容易に区別できる。
【００４１】図９は、ディスク記録装置に使用されるヘ
ッド支持装置の他例の要部構成を示した平面図である。
図１と同様な部分には同じ参照符号を付して説明を省略
する。
ッド支持装置の他例の要部構成を示した平面図である。
図１と同様な部分には同じ参照符号を付して説明を省略
する。
【００４２】図９のヘッド支持装置は、一端を固定され
たサスペンションの先端に磁気ヘッド４を搭載し、回転
するディスク等の記録媒体（図示せず）と磁気ヘッド４
との水平位置関係をマイクロアクチュエータ素子２によ
って微小調整する２段位置決め機構を有したものであ
る。このヘッド支持装置において、支持バネ５は細い連
結バネ１３によりベースプレート３に弾力的に結合され
ている。ベースプレート３、支持バネ５、及び連結バネ
１３は互いに一体に形成され得る。勿論、支持バネ５の
先端には磁気ヘッド４が搭載される。
たサスペンションの先端に磁気ヘッド４を搭載し、回転
するディスク等の記録媒体（図示せず）と磁気ヘッド４
との水平位置関係をマイクロアクチュエータ素子２によ
って微小調整する２段位置決め機構を有したものであ
る。このヘッド支持装置において、支持バネ５は細い連
結バネ１３によりベースプレート３に弾力的に結合され
ている。ベースプレート３、支持バネ５、及び連結バネ
１３は互いに一体に形成され得る。勿論、支持バネ５の
先端には磁気ヘッド４が搭載される。
【００４３】連結バネ１３の両側にはそれぞれ、図２を
用いて説明したマイクロアクチュエータ素子２が配置さ
れている。ベースプレート３、支持バネ５、連結バネ１
３、及びマイクロアクチュエータ素子２は、合わせてサ
スペンションを構成している。
用いて説明したマイクロアクチュエータ素子２が配置さ
れている。ベースプレート３、支持バネ５、連結バネ１
３、及びマイクロアクチュエータ素子２は、合わせてサ
スペンションを構成している。
【００４４】各マイクロアクチュエータ素子２は、ベー
スプレート３及び支持バネ５の上に図１０に示すように
橋渡し状態に載置され、かつベースプレート３と支持バ
ネ５とにそれぞれ接着剤１４により接着されている。接
着剤１４は、アクチュエータ素子の変位をベースプレー
ト３及び支持バネ５の間にそのまま伝えるものであるこ
とが好ましい。接着剤１４としては、例えばファインポ
リマーズ株式会社製ＥｐｉＦｉｎｅ４６１６シリーズを
用いることができる。こうして、二つのアクチュエータ
素子２のいずれか一方又は両方の所定の動作に伴い、一
般的には記録媒体と平行な平面内で図９中の矢印１５の
方向に磁気ヘッド４が微小変位する。磁気ヘッド４を記
録媒体に垂直な方向で微小変位させることも可能であ
る。したがって磁気ヘッド４の位置を微小調整すること
が可能になる。
スプレート３及び支持バネ５の上に図１０に示すように
橋渡し状態に載置され、かつベースプレート３と支持バ
ネ５とにそれぞれ接着剤１４により接着されている。接
着剤１４は、アクチュエータ素子の変位をベースプレー
ト３及び支持バネ５の間にそのまま伝えるものであるこ
とが好ましい。接着剤１４としては、例えばファインポ
リマーズ株式会社製ＥｐｉＦｉｎｅ４６１６シリーズを
用いることができる。こうして、二つのアクチュエータ
素子２のいずれか一方又は両方の所定の動作に伴い、一
般的には記録媒体と平行な平面内で図９中の矢印１５の
方向に磁気ヘッド４が微小変位する。磁気ヘッド４を記
録媒体に垂直な方向で微小変位させることも可能であ
る。したがって磁気ヘッド４の位置を微小調整すること
が可能になる。
【００４５】さらに、マイクロアクチュエータ素子２と
ベースプレート３及び支持バネ５のうちマイクロアクチ
ュエータ素子２の近傍部分とは纏めて被覆膜１６で被覆
されている。この被覆膜１６は、例えば第三化成工業株
式会社製ｄix（登録商標）を化学蒸着法によりコーティ
ングすることで得られる。これによれば、マイクロアク
チュエータ素子２やベースプレート３や支持バネ５に凹
凸がある場合でも、厚み１０μｍ前後の薄くて緻密な被
覆膜を形成できる。
ベースプレート３及び支持バネ５のうちマイクロアクチ
ュエータ素子２の近傍部分とは纏めて被覆膜１６で被覆
されている。この被覆膜１６は、例えば第三化成工業株
式会社製ｄix（登録商標）を化学蒸着法によりコーティ
ングすることで得られる。これによれば、マイクロアク
チュエータ素子２やベースプレート３や支持バネ５に凹
凸がある場合でも、厚み１０μｍ前後の薄くて緻密な被
覆膜を形成できる。
【００４６】この被覆膜１６は、マイクロアクチュエー
タ素子２からの脱粒の落下を防止できる。したがって、
ディスク記録装置で使用される記録媒体が脱粒により傷
つけられることはなくなる。
タ素子２からの脱粒の落下を防止できる。したがって、
ディスク記録装置で使用される記録媒体が脱粒により傷
つけられることはなくなる。
【００４７】また、被覆膜１６は結露等による内部電極
間のショートを防止できる。したがって、マイクロアク
チュエータ素子２の本来の機能が抑制される虞も減少す
る。
間のショートを防止できる。したがって、マイクロアク
チュエータ素子２の本来の機能が抑制される虞も減少す
る。
【００４８】図１１及び図１２を図９と共に参照して、
マイクロアクチュエータ素子２の取り付け構造の具体例
を説明する。なお図１１では、二つのマイクロアクチュ
エータ素子２の一方を実線でかつ他方を破線で示してい
る。
マイクロアクチュエータ素子２の取り付け構造の具体例
を説明する。なお図１１では、二つのマイクロアクチュ
エータ素子２の一方を実線でかつ他方を破線で示してい
る。
【００４９】２つのマイクロアクチュエータ素子２をベ
ースプレート３及び支持バネ５間に結合するために、平
面Ｈ字形状のフレキシブル基板１７を用いる。フレキシ
ブル基板１７には複数の回路パターン１８が形成されて
いる。各回路パターン１８は、マイクロアクチュエータ
素子２に接続される素子側端子２１と、駆動回路（図示
せず）に接続するための回路側端子２２とを有してい
る。回路側端子２２は集中配置されているため、駆動回
路に対する接続が容易である。
ースプレート３及び支持バネ５間に結合するために、平
面Ｈ字形状のフレキシブル基板１７を用いる。フレキシ
ブル基板１７には複数の回路パターン１８が形成されて
いる。各回路パターン１８は、マイクロアクチュエータ
素子２に接続される素子側端子２１と、駆動回路（図示
せず）に接続するための回路側端子２２とを有してい
る。回路側端子２２は集中配置されているため、駆動回
路に対する接続が容易である。
【００５０】マイクロアクチュエータ素子２はフレキシ
ブル基板１７に搭載され、その外部電極９を導電性接着
剤２３により素子側端子２１に電気的に接続される。そ
して、この状態で、二つのマイクロアクチュエータ素子
２をフレキシブル基板１７と共に被覆膜で被覆する。こ
の被覆膜も、例えば第三化成工業株式会社製ｄix（登録
商標）を化学蒸着法によりコーティングすることで得る
ことができる。
ブル基板１７に搭載され、その外部電極９を導電性接着
剤２３により素子側端子２１に電気的に接続される。そ
して、この状態で、二つのマイクロアクチュエータ素子
２をフレキシブル基板１７と共に被覆膜で被覆する。こ
の被覆膜も、例えば第三化成工業株式会社製ｄix（登録
商標）を化学蒸着法によりコーティングすることで得る
ことができる。
【００５１】被覆膜は、マイクロアクチュエータ素子２
からの脱粒の落下を防止できる。したがって、ディスク
記録装置で使用される記録媒体が脱粒により傷つけられ
ることはなくなる。また、被覆膜は結露等による内部電
極間のショートを防止できる。したがって、マイクロア
クチュエータ素子２の本来の機能が抑制される虞も減少
する。
からの脱粒の落下を防止できる。したがって、ディスク
記録装置で使用される記録媒体が脱粒により傷つけられ
ることはなくなる。また、被覆膜は結露等による内部電
極間のショートを防止できる。したがって、マイクロア
クチュエータ素子２の本来の機能が抑制される虞も減少
する。
【００５２】図１３を参照して、マイクロアクチュエー
タ素子の取付構造の他の具体例を説明する。この例は、
フレキシブル基板を用いることなく、樹脂コート剤が硬
化した部分で二つのマイクロアクチュエータ素子を連結
させるものである。
タ素子の取付構造の他の具体例を説明する。この例は、
フレキシブル基板を用いることなく、樹脂コート剤が硬
化した部分で二つのマイクロアクチュエータ素子を連結
させるものである。
【００５３】まず、二つのマイクロアクチュエータ素子
２を並べて配置し、紫外線硬化型の樹脂コート剤をまん
べんなくコートする。その後、マイクロアクチュエータ
素子２に沿って紫外線を照射する。その際、外部電極９
に対応する部分には紫外線を当てない。しかる後、樹脂
コート剤の硬化しない部分を洗い落とし、樹脂コーティ
ング部２４を形成する。これによっても、マイクロアク
チュエータ素子２は被覆膜によって覆われる。なお、二
つのマイクロアクチュエータ素子２は樹脂コート剤が硬
化したブリッジ部２５により連結される。
２を並べて配置し、紫外線硬化型の樹脂コート剤をまん
べんなくコートする。その後、マイクロアクチュエータ
素子２に沿って紫外線を照射する。その際、外部電極９
に対応する部分には紫外線を当てない。しかる後、樹脂
コート剤の硬化しない部分を洗い落とし、樹脂コーティ
ング部２４を形成する。これによっても、マイクロアク
チュエータ素子２は被覆膜によって覆われる。なお、二
つのマイクロアクチュエータ素子２は樹脂コート剤が硬
化したブリッジ部２５により連結される。
【００５４】樹脂コーティング部２４は次に説明する方
法で形成されてもよい。各マイクロアクチュエータ素子
２の圧電振動の節となるノード部を弾性体棒で接着固定
する。さらに、外部電極９の一部を露出させた状態で他
の部分にマスキングを施す。しかる後、弾性体棒をつま
みながらマイクロアクチュエータ素子を樹脂中に浸漬
し、樹脂をマイクロアクチュエータ素子に付着させる。
その後、樹脂を硬化させる。これによっても、マイクロ
アクチュエータ素子２は被覆膜によって覆われる。
法で形成されてもよい。各マイクロアクチュエータ素子
２の圧電振動の節となるノード部を弾性体棒で接着固定
する。さらに、外部電極９の一部を露出させた状態で他
の部分にマスキングを施す。しかる後、弾性体棒をつま
みながらマイクロアクチュエータ素子を樹脂中に浸漬
し、樹脂をマイクロアクチュエータ素子に付着させる。
その後、樹脂を硬化させる。これによっても、マイクロ
アクチュエータ素子２は被覆膜によって覆われる。
【００５５】なお、ディスク記録装置は磁気ディスクに
データを記録や再生するための磁気ディスク装置であり
得る。その場合、ヘッドは磁気ヘッドであることは言う
までもない。
データを記録や再生するための磁気ディスク装置であり
得る。その場合、ヘッドは磁気ヘッドであることは言う
までもない。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
切り出しによる切断面の粒子についての対策を施したマ
イクロアクチュエータ素子、そのマイクロアクチュエー
タ素子を用いたヘッド支持装置、及びそのマイクロアク
チュエータ素子を用いたディスク記録装置を提供するこ
とができる。
切り出しによる切断面の粒子についての対策を施したマ
イクロアクチュエータ素子、そのマイクロアクチュエー
タ素子を用いたヘッド支持装置、及びそのマイクロアク
チュエータ素子を用いたディスク記録装置を提供するこ
とができる。
【図１】ディスク記録装置に使用されるヘッド支持装置
の一例の要部を示した平面図である。
の一例の要部を示した平面図である。
【図２】図１に示すヘッド支持装置に備えられるマイク
ロアクチュエータ素子の基本構造を示した外観斜視図で
ある。
ロアクチュエータ素子の基本構造を示した外観斜視図で
ある。
【図３】脱粒防止処理を施していないマイクロアクチュ
エータ素子の切断面の顕微鏡写真である。
エータ素子の切断面の顕微鏡写真である。
【図４】図３に示したマイクロアクチュエータ素子の切
断面を部分的に拡大した顕微鏡写真である。
断面を部分的に拡大した顕微鏡写真である。
【図５】図３に示したマイクロアクチュエータ素子の切
断面における圧電セラミック部分のみを拡大した顕微鏡
写真である。
断面における圧電セラミック部分のみを拡大した顕微鏡
写真である。
【図６】図３に示したマイクロアクチュエータ素子の使
用後の切断面の顕微鏡写真である。
用後の切断面の顕微鏡写真である。
【図７】脱粒防止処理の一例を施したマイクロアクチュ
エータ素子の切断面の顕微鏡写真である。
エータ素子の切断面の顕微鏡写真である。
【図８】脱粒防止処理の他例を施したマイクロアクチュ
エータ素子の切断面の顕微鏡写真である。
エータ素子の切断面の顕微鏡写真である。
【図９】ディスク記録装置に使用されるヘッド支持装置
の他例の要部を示した斜視図である。
の他例の要部を示した斜視図である。
【図１０】図９のヘッド支持装置の要部のみの拡大断面
図である。
図である。
【図１１】図９のヘッド支持装置におけるマイクロアク
チュエータ素子の取付構造の具体例を説明するための平
面図である。
チュエータ素子の取付構造の具体例を説明するための平
面図である。
【図１２】図１１のXII−XII断面図である。
【図１３】図９のヘッド支持装置におけるマイクロアク
チュエータ素子の取付構造の他の具体例を説明するため
の平面図である。
チュエータ素子の取付構造の他の具体例を説明するため
の平面図である。
２ マイクロアクチュエータ素子 ３ ベースプレート ４ 磁気ヘッド ５ 支持バネ ６ 貫通穴 ７ 圧電セラミック ８ 内部電極 ９ 外部電極 １１ 遊離した粒子 １２ 遊離し易い粒子 １３ 連結バネ １４ 接着剤 １６ 被覆膜 １７ フレキシブル基板 １８ 回路パターン ２１ 素子側端子 ２２ 回路側端子 ２３ 導電性接着剤 ２４ 樹脂コーティング部 ２５ ブリッジ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０２Ｎ 2/00 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ
Claims (15)
- 【請求項１】 切り出しによる切断面を有しているマイ
クロアクチュエータ素子において、前記切断面は、切断
により発生した粒子の離脱を防止するための脱粒防止処
理が施されていることを特徴とするマイクロアクチュエ
ータ素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載のマイクロアクチュエー
タ素子において、前記脱粒防止処理として最終製品形状
まで切断加工した後に前記切断面を含む全面を焼結面と
して焼成したことを特徴とするマイクロアクチュエータ
素子。 - 【請求項３】 請求項１に記載のマイクロアクチュエー
タ素子において、前記脱粒防止処理として焼成後の切断
による前記切断面を含む全面を研磨したことを特徴とす
るマイクロアクチュエータ素子。 - 【請求項４】 請求項１に記載のマイクロアクチュエー
タ素子において、前記脱粒防止処理として焼成後の切断
による前記切断面を含む全面を再加熱して前記粒子を該
全面に再定着させたことを特徴とするマイクロアクチュ
エータ素子。 - 【請求項５】 請求項１記載のマイクロアクチュエータ
素子において、前記脱粒防止処理として焼成後の切断に
よる前記切断面を部分加熱して前記粒子を該切断面に再
定着させたことを特徴とするマイクロアクチュエータ素
子。 - 【請求項６】 請求項２から５のうちのいずれか一つに
記載のマイクロアクチュエータ素子において、前記脱粒
防止処理に引き続いて更に前記粒子を除去するために前
記切断面を含む全面を洗浄したことを特徴とするマイク
ロアクチュエータ素子。 - 【請求項７】 請求項１に記載のマイクロアクチュエー
タ素子において、前記脱粒防止処理として焼成後の切断
による前記切断面を露出させないようにガラスで被覆し
たことを特徴とするマイクロアクチュエータ素子。 - 【請求項８】 請求項１に記載のマイクロアクチュエー
タ素子において、前記脱粒防止処理として焼成後の切断
による前記切断面を含む全面を変位抑制し難い柔軟な樹
脂で覆ったことを特徴とするマイクロアクチュエータ素
子。 - 【請求項９】 請求項１から８のうちのいずれか一つに
記載のマイクロアクチュエータ素子において、圧電体及
び内部電極が交互に積層されている積層体を含み、前記
積層体が前記切断面を有していることを特徴とするマイ
クロアクチュエータ素子。 - 【請求項１０】 固定されるベースプレートと、ヘッド
を支持するための支持バネと、前記ベースプレート及び
前記支持バネ間に結合されたマイクロアクチュエータ素
子とを含み、前記マイクロアクチュエータ素子と前記ベ
ースプレート及び前記支持バネのうち前記マイクロアク
チュエータ素子の近傍部分とを纏めて被覆膜で被覆した
ことを特徴とするヘッド支持装置。 - 【請求項１１】 固定されるベースプレートと、ヘッド
を支持するための支持バネと、前記ベースプレート及び
前記支持バネ間に結合された複数のマイクロアクチュエ
ータ素子とを含み、前記複数のマイクロアクチュエータ
素子を纏めて被覆膜で被覆したことを特徴とするヘッド
支持装置。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のヘッド支持装置に
おいて、前記複数のマイクロアクチュエータ素子を搭載
しかつ前記ベースプレート及び前記支持バネ間に接続さ
れたフレキシブル基板を含み、前記被覆膜は前記複数の
マイクロアクチュエータ素子と共に前記フレキシブル基
板を被覆していることを特徴とするヘッド支持装置。 - 【請求項１３】 請求項１０から１２のうちのいずれか
一つに記載のヘッド支持装置において、前記支持バネは
前記ベースプレートに弾力的に結合されていることを特
徴とするヘッド支持装置。 - 【請求項１４】 請求項１０から１３のうちのいずれか
一つに記載のヘッド支持装置と、前記ヘッド支持装置の
支持バネに支持された、回転ディスクにアクセスするた
めのヘッドとを含み、前記ヘッド支持装置のマイクロア
クチュエータ素子により前記ディスクに対する前記ヘッ
ドの位置関係を微小調整するようにしたことを特徴とす
るディスク記録装置。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載のディスク記録装置
において、前記ヘッドは磁気ヘッドであることを特徴と
するディスク記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001236232A JP2002141569A (ja) | 2000-08-03 | 2001-08-03 | マイクロアクチュエータ素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000235707 | 2000-08-03 | ||
| JP2000-235707 | 2000-08-03 | ||
| JP2001236232A JP2002141569A (ja) | 2000-08-03 | 2001-08-03 | マイクロアクチュエータ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141569A true JP2002141569A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=26597293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001236232A Pending JP2002141569A (ja) | 2000-08-03 | 2001-08-03 | マイクロアクチュエータ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141569A (ja) |
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2001
- 2001-08-03 JP JP2001236232A patent/JP2002141569A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110630 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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