JP2002141337A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 真空室と、上記真空室内にガスを供給するガス供給装置と、排気装置と、上記真空室内を所定の圧力に制御する圧力制御部と、基板を載置する基板電極と、高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置であって、
   昇降可能でかつ下降時に上記基板を上記基板電極に押し付けて固定するクランプリングと、その上部を被うクランプリング断熱部材とを備えることを特徴とする装置。
2. 上記クランプリング断熱部材は、クランプリング側の表面に少なくとも１つの突起部を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 真空室内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら上記真空室内にプラズマを発生させ、基板電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
   昇降可能なクランプリングの下降時に上記基板を上記基板電極に押し付けて固定するとともに上記クランプリングの上部をクランプリング断熱部材で被いながら、上記基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
4. クランプリング側表面に少なくとも１つの突起部を有するクランプリング断熱部材を用いて上記基板を処理する、請求項３に記載のプラズマ処理方法。
5. 真空室と、上記真空室内にガスを供給するガス供給装置と、排気装置と、上記真空室内を所定の圧力に制御する圧力制御部と、基板を載置する基板電極と、高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生機構とを備えたプラズマ処理装置であって、
   昇降可能でかつ下降時に上記基板を上記基板電極に押し付けて固定するクランプリングと、上記クランプリングの基板側に配置されかつ上記基板と直接接触する基板断熱部材とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 上記基板断熱部材は、上部クランプリング側表面に少なくとも１つの突起部を有する、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 真空室内にガスを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら上記真空室内にプラズマを発生させ、基板電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、
   昇降可能なクランプリングの基板側に配置された基板断熱部材を上記基板と直接接触させて、上記クランプリングの下降時に上記基板断熱部材で上記基板を上記基板電極に押し付けて固定しながら、上記基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
8. クランプリング側表面に少なくとも１つの突起部を有する基板断熱部材を用いて上記基板を処理する、請求項７に記載のプラズマ処理方法。