JPH0574919A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0574919A JPH0574919A JP23271191A JP23271191A JPH0574919A JP H0574919 A JPH0574919 A JP H0574919A JP 23271191 A JP23271191 A JP 23271191A JP 23271191 A JP23271191 A JP 23271191A JP H0574919 A JPH0574919 A JP H0574919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- clamp
- plasma processing
- temperature
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ処理装置において、プラズマ処理中の
試料の中心部と周辺部の温度差を小さくすることによっ
て、プラズマ処理速度の均一性を向上させる。 【構成】プラズマ処理装置において、温度調節機能を備
えたヒータ８を内蔵したクランプ３によって、試料２を
試料台１に押えつける構造を有する。
試料の中心部と周辺部の温度差を小さくすることによっ
て、プラズマ処理速度の均一性を向上させる。 【構成】プラズマ処理装置において、温度調節機能を備
えたヒータ８を内蔵したクランプ３によって、試料２を
試料台１に押えつける構造を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関
し、特に試料をクランプする機構を備えたプラズマ処理
装置に関する。
し、特に試料をクランプする機構を備えたプラズマ処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマエッチング装置等に用い
られるプラズマ処理装置は、図３の断面図に示すよう
に、試料台１と、クランプ３と、上部電極７と、熱伝達
媒体供給部４と、処理ガス供給部５と、プラズマ処理室
６とを有する。試料２は試料台１の上に置かれ、クラン
プ３によって試料台１に押えつけられる。押えつけられ
た試料２は、熱伝達媒体供給部４より供給された熱伝達
媒体を通して試料台温度制御ユニット１１により温調さ
れた試料台２からの熱伝導を受ける。
られるプラズマ処理装置は、図３の断面図に示すよう
に、試料台１と、クランプ３と、上部電極７と、熱伝達
媒体供給部４と、処理ガス供給部５と、プラズマ処理室
６とを有する。試料２は試料台１の上に置かれ、クラン
プ３によって試料台１に押えつけられる。押えつけられ
た試料２は、熱伝達媒体供給部４より供給された熱伝達
媒体を通して試料台温度制御ユニット１１により温調さ
れた試料台２からの熱伝導を受ける。
【０００３】この状態で処理ガス供給部５より処理ガス
がプラズマ処理室６に供給され、上部電極７に高周波供
給部９より高周波電力が印加されると、プラズマ処理室
６内にプラズマが発生する。プラズマ化した処理ガスに
より試料２はプラズマ処理されるが、この時試料２の表
面の温度及び分布は、試料台１と試料２の間に供給され
た熱伝達媒体を介して試料台１より伝導する熱量と、プ
ラズマ処理の際に発生する熱量及びクランプ３からの熱
伝導により決定される。
がプラズマ処理室６に供給され、上部電極７に高周波供
給部９より高周波電力が印加されると、プラズマ処理室
６内にプラズマが発生する。プラズマ化した処理ガスに
より試料２はプラズマ処理されるが、この時試料２の表
面の温度及び分布は、試料台１と試料２の間に供給され
た熱伝達媒体を介して試料台１より伝導する熱量と、プ
ラズマ処理の際に発生する熱量及びクランプ３からの熱
伝導により決定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のプラズマ処
理装置では、試料は温度制御されていないクランプによ
り試料台に押さえつけられており、試料周辺部は試料台
とクランプとの両方から直接熱伝導を行っているが、試
料中心部は熱伝達媒体を介しての試料台熱伝達のみであ
るため、試料の中心部と周辺部とでは温度が異なり、プ
ラズマ処理の進み方が均一ではない。また、プラズマ処
理中はクランプ温度がその回りの雰囲気よりも低くなる
ため、反応生成物がクランプに集中的に付着して発塵の
原因となり、例えば半導体装置の製造時の歩留り低下を
ひきおこすという欠点がある。
理装置では、試料は温度制御されていないクランプによ
り試料台に押さえつけられており、試料周辺部は試料台
とクランプとの両方から直接熱伝導を行っているが、試
料中心部は熱伝達媒体を介しての試料台熱伝達のみであ
るため、試料の中心部と周辺部とでは温度が異なり、プ
ラズマ処理の進み方が均一ではない。また、プラズマ処
理中はクランプ温度がその回りの雰囲気よりも低くなる
ため、反応生成物がクランプに集中的に付着して発塵の
原因となり、例えば半導体装置の製造時の歩留り低下を
ひきおこすという欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、温度調節機構を備えたクランプを有し、このクラ
ンプによって試料周辺部を押さえ、試料中心部と周辺部
との温度差の補足を行なう。
置は、温度調節機構を備えたクランプを有し、このクラ
ンプによって試料周辺部を押さえ、試料中心部と周辺部
との温度差の補足を行なう。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の第１実施例のプラズマ処理
装置の断面図である。試料台温度制御ユニット１１で温
調された試料台１に置かれた試料２をヒータ８を備えた
クランプ３で押え、次に熱伝達媒体供給部４より試料２
と試料台１との間に熱伝達媒体を供給し、処理ガス供給
部５より処理ガスをプラズマ処理室６内へ流し、上部電
極７に高周波供給部９より高周波電力を印加する。この
時、ヒータ８によりクランプ３を介して試料２の周辺部
に熱量が補足される。
装置の断面図である。試料台温度制御ユニット１１で温
調された試料台１に置かれた試料２をヒータ８を備えた
クランプ３で押え、次に熱伝達媒体供給部４より試料２
と試料台１との間に熱伝達媒体を供給し、処理ガス供給
部５より処理ガスをプラズマ処理室６内へ流し、上部電
極７に高周波供給部９より高周波電力を印加する。この
時、ヒータ８によりクランプ３を介して試料２の周辺部
に熱量が補足される。
【０００８】図２は本発明の第２実施例のプラズマ処理
装置の断面図である。試料台１に置かれた試料２を循環
熱媒体配管１０を備えたクランプ３で押え、処理ガス供
給部５より処理ガスをプラズマ処理室６内へ流し、上部
電極７に高周波電力を印加する。この時に循環熱媒体よ
りクランプ３を介して試料２の周辺部に熱量を補足す
る。本実施例によれば、クランプを循環熱媒体によって
温度制御するので、第１実施例のように、ヒーター加熱
のため試料２の近傍にプラズマを乱す原因となる電力を
供給しなければならないという点が解消できるという効
果がある。
装置の断面図である。試料台１に置かれた試料２を循環
熱媒体配管１０を備えたクランプ３で押え、処理ガス供
給部５より処理ガスをプラズマ処理室６内へ流し、上部
電極７に高周波電力を印加する。この時に循環熱媒体よ
りクランプ３を介して試料２の周辺部に熱量を補足す
る。本実施例によれば、クランプを循環熱媒体によって
温度制御するので、第１実施例のように、ヒーター加熱
のため試料２の近傍にプラズマを乱す原因となる電力を
供給しなければならないという点が解消できるという効
果がある。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、クランプ
に温度調節機能を備えたので、試料表面の中心部との温
度差を、試料周辺部に接触したクランプからの熱伝導で
緩和させ、結果としてプラズマ処理速度の均一性を向上
させ、かつクランプに反応生成物が付着するのを低減で
きるという効果を有する。
に温度調節機能を備えたので、試料表面の中心部との温
度差を、試料周辺部に接触したクランプからの熱伝導で
緩和させ、結果としてプラズマ処理速度の均一性を向上
させ、かつクランプに反応生成物が付着するのを低減で
きるという効果を有する。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の断面図である。
【図３】従来のプラズマ処理装置の断面図である。
１ 試料台 ２ 試料 ３ クランプ ４ 熱伝達媒体供給部 ５ 処理ガス供給部 ６ プラズマ処理室 ７ 上部電極 ８ ヒータ ９ 高周波供給部 １０ 熱媒体配管 １１ 試料台温度制御ユニット
Claims (1)
- 【請求項１】 被プラズマ処理物を試料台に押えつける
クランプ機構を有するプラズマ処理装置において、前記
クランプ機構に温度調節機構を組み込んだことを特徴と
するプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23271191A JPH0574919A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23271191A JPH0574919A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574919A true JPH0574919A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16943587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23271191A Pending JPH0574919A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574919A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5826440A (en) * | 1996-05-30 | 1998-10-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Construction machine |
| WO2002049098A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Limited | Processing method and processing apparatus |
| US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP23271191A patent/JPH0574919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5826440A (en) * | 1996-05-30 | 1998-10-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Construction machine |
| WO2002049098A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Limited | Processing method and processing apparatus |
| US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010828 |