JP2002134856A - 回路付き耐熱性成形部品及びその製造方法 - Google Patents

回路付き耐熱性成形部品及びその製造方法

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JP2002134856A
JP2002134856A JP2000323402A JP2000323402A JP2002134856A JP 2002134856 A JP2002134856 A JP 2002134856A JP 2000323402 A JP2000323402 A JP 2000323402A JP 2000323402 A JP2000323402 A JP 2000323402A JP 2002134856 A JP2002134856 A JP 2002134856A
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styrene
circuit
ionizing radiation
carbon
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Hiroshi Hayami
宏 早味
Shinya Nishikawa
信也 西川
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Sumitomo Electric Fine Polymer Inc
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Sumitomo Electric Fine Polymer Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形材料に、LCP(液晶ポリマー)などの
スーパーエンプラを使用せずに、耐熱性の良い回路付き
成形部品を得る。 【解決手段】 電離放射線の照射によって架橋可能なス
チレン系重合体と分子内に炭素―炭素二重結合有するポ
リマー(C)とを主体とする樹脂組成物を溶融賦形した
成形体1であって、該成形体に電離放射線が照射されて
いて、該成形体の表面に導体薄膜層からなる回路2が形
成されていることを特徴とする回路付き耐熱性成形部
品。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を半田実
装できる耐熱性に優れた回路付き成形部品、およびその
製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】高密度配線や配線合理化を目指し、エン
ジニアリングプラスチック(エンプラ)類の射出成形品
の表面に導体薄膜の回路を形成した、所謂、回路付き射
出成形部品の開発と実用化が進められている。回路付き
射出成形部品の回路形成法の主なものとしては、成形
品表面に無電解めっきなどの方法で金属薄膜層を形成す
る方法、導電性樹脂と非導電樹脂の2色成形で回路を
形成する方法、導体回路を形成したPETフィルム等
を成形金型内に挿入し、成形品表面に導体回路を転写す
る方法、金属薄を成形体表面に貼り付ける方法等が挙
げられ、用途や要求特性に応じて使い分けられている。
(成形加工,vol.11,No.9,734〜73
9,1999年など)
【0003】中でものめっき法を用いる方法が特に有
用である。このめっき法を用いる回路付き射出成形部品
の製造方法には、所謂、ワンショット法とツーショット
法がある。ワンショット法では、エンプラ材の射出成形
品の表面を酸、アルカリ、有機溶剤、クロム酸等でエッ
チングして微細な凹凸を形成し、パラジウム等の触媒を
担持せしめ、無電解めっき法により銅等の金属薄膜層を
成長させた後、フォトリソグラフィー法等の既知の方法
により回路を形成するものであり、成形材料にはLCP
などのスーパーエンプラだけでなく、ABS樹脂等の汎
用エンプラも適用され、ファインパターンの回路が必要
とされる用途に於いて有用な方法である。一方、ツーシ
ョット法では、めっきができるエンプラと、めっきがで
きないエンプラの2種類の材料を用いて、所謂、2色成
形法により回路パターンを形成する方法であり、三次元
の導電パターンを形成するのに好都合な方法とされてい
る。
【0004】一方、電子機器の薄肉小型化、高機能、高
性能化に伴い、電子部品の高密度実装が進み、LSIや
IC等の半導体部品、コンデンサ、抵抗、コイル、コネ
クター等の電子部品のプリント基板への表面実装が進ん
でいる。回路付き成形部品に於いても、成形体の表面に
単に導体回路を形成し、三次元配線(立体配線)の配線
部材として利用するだけでなく、導体回路上に電子部品
を半田実装したり、プリント配線板と半田接合すること
も行われるようになってきた。
【0005】ところで、半田としては、従来は錫−鉛合
金半田が使用されてきたが、昨今の環境問題に対する対
応の必要性から、鉛を使用しない、所謂、鉛フリー半田
の実用化が盛んに検討されるようになっており、錫−銀
合金、錫−銅合金、錫−亜鉛合金等の鉛フリー半田が検
討されている。ところが、これらの鉛フリー半田の融点
は従来の錫−鉛合金半田に比べて20乃至は40℃高く
なる。従って、回路付き射出成形部品についても、部品
の形状や実装方法、接合方法によっては、260〜30
0℃×10〜60秒の半田耐熱性が要求されるようにな
ってきた。
【0006】以上に述べたような状況なので、回路付き
射出成形部品に於いて、電子部品を半田実装したり、プ
リント配線板と半田接合するには、成形体の材料とし
て、半田耐熱性と無電解めっき性に優れる材料を適用す
る必要があり、現状では、スーパーエンプラ、その中で
も特にLCP(液晶ポリマー)を適用せざるを得ない場
合が多い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶ポ
リマーは周知のように、溶融状態で液晶性を保ったまま
成形されることが特徴であるが故に、薄肉成形性には優
れるが、機械的強度の異方性が生じ易いことや、ウェル
ド強度が弱いという問題がある。また、化学組成に起因
して、誘電率が高いため、高周波特性があまり良くない
という問題や、比重が大きく、(特にめっき用グレード
では比重が大きい)また、価格も高価であるなどの欠点
を抱えている。そのため、半田耐熱性と無電解めっき性
に優れ、機械的強度の異方性がなく、射出成形性に優
れ、高周波特性に優れ、低比重で安価な回路付き射出成
形部品の開発が望まれていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
について鋭意検討した結果、電離放射線の照射によって
架橋可能なスチレン系重合体と、分子内に炭素―炭素二
重結合有するポリマーとを主体とする樹脂組成物を溶融
賦形した成形体であって、該成形体に電離放射線が照射
されていて、該成形体の表面に導体薄膜層からなる回路
が形成されていることを特徴とする回路付き耐熱性成形
部品であれば、260〜300℃×10〜60秒の半田
耐熱性が得られ、めっき性にも優れていて、上記の課題
が解決できることを見出し本発明を完成した。なお、電
離放射線の照射によって架橋可能なスチレン系重合体と
しては、たとえば、下記、のスチレン系重合体が挙
げられる。 オキサゾリン基を導入したスチレン系重合体(A1)
と、カルボキシル基、アミン基、酸無水物基、エポキシ
基、チオール基からなる群より選ばれる官能基を有し、
かつ、炭素−炭素二重結合を同一分子内に有する有機化
合物(B1)とを混合中に反応させて得られる架橋性ス
チレン系重合体(D1) カルボン酸基もしくは酸無水物基を導入したスチレン
系重合体(A2)と、炭素−炭素二重結合とオキサゾリ
ン基を同一分子内に有する有機化合物(B2)とを混合中
に反応させて得られる架橋性スチレン重合体(D2)
【0009】
【発明の実施の形態】上記のオキサゾリン基を導入し
たスチレン系重合体(A1)の具体例としては、スチレ
ンとイソプロペニルオキサゾリンの共重合体、スチレン
とアクリロニトリルとイソプロペニルオキサゾリンの共
重合体などを例示でき、オキサゾリン基の共重合比率と
しては、主に半田耐熱性などの観点から0.1〜20重
量%、より好ましくは1〜10重量%が適し、アクリロ
ニトリルの共重合比率は共重合体のガラス転移温度、剛
性などの観点から適宜設定できる。
【0010】また、カルボキシル基、アミン基、酸無水
物基、エポキシ基、チオール基からなる群より選ばれる
官能基を有し、かつ、炭素−炭素二重結合を同一分子内
に有する有機化合物(B1)の具体例としては、メタク
リル酸、クロトン酸、ウンデシレン酸、p−アミノスチ
レン、無水マレイン酸、グリシジルメタクリレート、ア
リルグリシジルエーテル、p−メルカプトスチレンなど
を例示できる。
【0011】上記のスチレン系重合体(A1)と有機化
合物(B1)の混合物を二軸混合機、加圧ニーダー、バ
ンバリーミキサーなどの既知の溶融混練り装置を用い
て、200〜260℃の温度で1〜10分間、溶融混合
することにより、スチレン系重合体(A1)のオキサゾ
リン基と、有機化合物(B1)のカルボキシル基、アミ
ン基、酸無水物基、エポキシ基、チオール基を混合中に
反応させることにより、側鎖に炭素−炭素二重結合が導
入された架橋性のスチレン系重合体(D1)を得る。ス
チレン系重合体(A1)と有機化合物(B1)の混合比
率については、スチレン系重合体(A1)中のオキサゾ
リン基の共重合比から、概ね、化学量論比に見合う量の
有機化合物(B1)を添加して溶融混合すれば良い。
【0012】一方、のスチレン系重合体(A2)の具
体例としては、スチレンとアクリル酸の共重合体、スチ
レンとアクリロニトリルとメタクリル酸の共重合体、ス
チレンとアクリロニトリルとメタクリル酸の共重合体、
スチレンと無水マレイン酸の共重合体、スチレンとアク
リロニトリルと無水マレイン酸の共重合体等挙げること
ができ、カルボン酸基もしくは酸無水物基の共重合比率
としては、半田耐熱性などの観点から0.1〜20重量
%、より好ましくは1〜10重量%が適し、アクリロニ
トリルの共重合比率はガラス転移温度や剛性などの観点
から適宜設定できる。
【0013】また、炭素−炭素二重結合とオキサゾリン
基を同一分子内に有する有機化合物(B2)の具体例と
してはメタクリル酸のオキサゾリン誘導体、クロトン酸
のオキサゾリン誘導体、ウンデシレン酸のオキサゾリン
誘導体等を例示でき、これらの有機化合物は対応する不
飽和カルボン酸とエタノールアミン、2−アミノ−2−
メチル−1−プロパノールを有機溶剤中で加熱環流する
等の既知の方法により容易に合成できる。
【0014】上記のスチレン系重合体(A2)と有機化
合物(B2)の混合物を二軸混合機、加圧ニーダー、バ
ンバリーミキサーなどの既知の溶融混練り装置を用い
て、200〜260℃の温度で1〜10分間、溶融混合
することにより、スチレン系重合体(A2)のカルボン
酸基もしくは酸無水物基と、有機化合物(B2)のオキ
サゾリン基を混合中に反応させることにより、側鎖に炭
素−炭素二重結合を導入した架橋性のスチレン系重合体
(D2)を得る。スチレン系重合体(A2)と有機化合
物(B2)の混合比率については、スチレン系重合体
(A2)中のカルボン酸基もしくは酸無水物基の共重合
比から、概ね、化学量論比に見合う量の有機化合物(B
2)を添加して溶融混合すれば良い。なお、上記の溶融
混合による架橋性のスチレン系重合体(D1)、(D
2)の合成時には必要に応じ、重合禁止剤や酸化防止剤
等の加工安定剤を配合し得る。
【0015】一方、電離放射線の照射によって架橋可能
なスチレン系重合体とブレンドする相手のポリマーであ
る、分子内に二重結合を有するポリマー(C)として、
具体例には、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン
共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共
重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−エ
チレン−ブタジエン−スチレン共重合体などがスチレン
系重合体との相溶性の点からも好ましい。樹脂組成物
(D1)あるいは(D2)とポリマー(C)を溶融混合
して得られる樹脂組成物中の、ポリマー(C)に由来の
炭素−炭素二重結合の濃度が、2〜15重量%、より好
ましくは、3〜10重量%になるように、混合比率を設
定し、二軸混合機、加圧ニーダー、バンバリーミキサー
などの既知の溶融混練り装置を用いて、200〜260
℃の温度で溶融混合し、ペレタイズすれば、射出成形装
置に供することのできる樹脂ペレットを得ることができ
る。ポリマー(C)が2重量%より少ないと、無電解め
っきが困難になるという問題が生じ、15重量%より多
いと剛性が低下して回路成形部品としての硬さが不足し
てしまう等の問題がある。
【0016】また、上記の樹脂組成物にトリメチロール
プロパントリメタクリレートやトリアリルイソシアヌレ
ート等の既知の多官能性モノマーを配合した樹脂組成物
を用いると、さらに厳しい条件の耐リフロー条件の半田
耐熱性も満足する耐熱性回路付き成形体が得られる。な
お、本発明の樹脂組成物には、必要に応じて、滑剤、可
塑剤、着色剤、補強剤、充填剤、難燃剤、酸化防止剤等
の既知の配合薬品を適宜添加できる。
【0017】上記の方法で得た樹脂ペレットは射出成形
法、圧縮成形法、押出成形法などの既知の溶融成形法に
て任意の形状に溶融賦形することが可能であり、溶融賦
形した成形体は、加速電子線やγ線等の電離放射線を3
0〜500kGy、好ましくは100〜500kGy照
射すれば、260〜300℃×10〜60秒の半田耐熱
性を付与できる。
【0018】本願の成形体表面への導体薄膜の形成は、
従来のABS樹脂の成形体表面などに導体薄膜を形成す
る方法と同じ方法を適用することが可能であり、例え
ば、無電解めっき等の方法により行うことができる。す
なわち、成形体表面をクロム酸等によってエッチング処
理を行い、表面に微細な凹凸を形成し、この凹凸部にパ
ラジウム等のめっき触媒を担持せしめ、銅等の薄膜を無
電解めっきにより成長させる方法である。また、本願の
成形体表面への導体薄膜の形成は、成形体への電離放射
線の照射前、照射後の何れでも可能であるが、照射後に
無電解めっきを行う方が、クロム酸等によりエッチング
処理を短時間で行え、しかも、めっきの強度が強くなる
という効果が得られる。こうして形成されためっきによ
る導体薄膜は、リソグラフィー法等の既知の方法によ
り、たとえば、図1に示した如くに、成形体1上に回路
2を形成させるのに用いることができる。
【0019】さらに、に記載の樹脂組成物(D1)ま
たはに記載の樹脂組成物(D2)と、に記載の樹脂
組成物(E1)またはに記載の樹脂組成物(E2)を
射出成形の2色成形法により溶融賦形後に、成形体表面
の樹脂組成物(E1)面または樹脂組成物(E2)面
に、無電解めっき等の方法によって導体薄膜を形成すれ
ば、三次元の導体回路を有する成形体を得ることができ
る。2色成形は、めっきのできない樹脂組成物D1、ま
たはD2と、めっきのできる樹脂組成物E1、またはE
2を1つの金型内で同時に射出成形する方法も可能であ
る。また、めっきのできない樹脂組成物D1、またはD
2で一次成形体を形成し、一次成形体を別の金型内にイ
ンサートし、めっきのできる樹脂組成物E1、またはE
2で一次成形体の周囲を領域選択的に射出、被覆して二
次成形体を形成する方法が考えられる。あるいは、逆
に、めっきのできる樹脂組成物E1、またはE2で一次
成形体を形成し、一次成形体を別の金型内にインサート
し、めっきのできない樹脂組成物D1、またはD2で一
次成形体の周囲を領域選択的に射出、被覆して二次成形
体を形成する方法も考え得る。図2に、めっきのできな
い樹脂組成物D1、またはD2による一次成形体3の例
を示し、図3に、一次成形体を別の金型内にインサート
し、めっきのできる樹脂組成物E1、またはE2で、め
っきのできない樹脂組成物D1、またはD2による一次
成形体の周囲を領域選択的に射出、被覆した二次成形体
4の例を示す。図3の例では、めっきのできる樹脂組成
物E1、またはE2の表面5に、めっきにより導体薄膜
を形成し、回路を形成させることができる。ここで、一
次成形体に電離放射線を照射して、架橋しておけば、二
次成形体の作製時に一次成形体が二次成形側樹脂の熱で
変形してしまうというようなトラブルも回避できるとい
う効果を奏する。
【0020】
【実施例】以下に実施例および比較例をもって本発明に
ついて更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施
例のみに限定されるものではない。まず、以下の実施
例、比較例に於ける回路付き成形部品の性能の評価方法
および基準を次に示す。 (1)めっき性(外観) めっき外観については、めっきを光学顕微鏡で観察し評
価した。ボイド、ふくれ等の有無で、良否を判断した。 ボイド・ふくれのない場合:○ ボイド・ふくれの有る場合:× (2)めっき強度 めっき強度は、碁盤目試験*で判断した。 *めっきした部分に、1mm間隔に、縦、横10本ずつ
の切り目をカミソリで入れ、その部分に粘着テープを貼
って、引き剥がし、めっきがどの程度はがれるかをチェ
ックする。 90%以上碁盤目を保持できた場合:○ 50%以上80%未満碁盤目を保持できた場合:△ 50%未満しか碁盤目を保持できなかった場合:× (3)剛性 剛性については曲げ弾性(ASTM D790)で評価した。 曲げ弾性率1000MPa以上の時:○ 曲げ弾性率500MPa以上1000MPa未満の時:
△ 曲げ弾性率500MPa未満の時:× (4)耐熱性 耐熱性については、半田試験浸漬試験**で評価した。 **280℃の溶融半田浴に60秒浸漬し、形状保持で
きるか否かで良否を判断した。 形状保持できる場合:○ 溶融し、形状保持できない場合:×
【0021】(実施例1)スチレン系重合体A1として
の、オキサゾリン基を導入したスチレン系重合体(スチ
レンとオキサゾリンの共重合比98:2、メルトフロー
レート8@220℃、荷重5kg)と、有機化合物B1
としての、クロトン酸(分子内にカルボン酸基と炭素−
炭素二重結合を有する有機化合物)の95:5混合物
(重量比)100重量部に対し、重合禁止剤として2,
6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールを0.3重
量部、酸化防止剤として、イルガノックス1010(チ
バガイギー(株)社製)を1重量部を添加した材料を2軸
混合機(30mmφ、L/D=40)でバレル温度230
℃、スクリュー回転数60rpmで溶融混合し、吐出物
をストランドカットしてペレット化した。このペレット
と、ポリマーCとしての、スチレン−ブタジエン−スチ
レンブロック共重合体(ブタジエン含量:60重量%、
メルトフローレート20@200℃、荷重5kg)を9
0:10(重量比)をドライブレンドし、二軸混合機
(30mmφ、L/D=40)を用いて、バレル温度2
20℃、スクリュー回転数100rpmで溶融混合し、
ストランドカットしてペレット化した。このペレット7
0℃の恒温槽内に24時間投入して乾燥した後、溶融流
動性をメルトインデクサーでメルトフローレートを測定
した結果、メルトフローレートは12@220℃、荷重
5kgであった。このペレットを射出成型機(型締力4
0トン、バレル温度260℃、保圧時間10秒、金型温
度70℃)に投入し、厚み1.0mmのダンベル状の成
形品とし、加速電圧が2MeVの電子線を200kGy
照射した。このダンベル状試料を280℃の溶融半田浴
に60秒浸漬する方法で耐半田性を評価した結果、溶融
せずに初期の形状を保持しており、優れた半田耐熱性を
有することが確認できた。次に、上記の電子線照射した
ダンベル状成形品をクロム酸混酸水溶液(クロム酸30
重量%、硫酸10重量%)で85℃で3分エッチングし
た後、パラジウム触媒を担持した後、銅めっきをおこな
ったところ外観良好なめっきが得られた。また、碁盤目
試験結果も良好であり、通常の方法で、回路を形成する
ことができた。
【0022】(実施例2)スチレン系重合体A2として
の、スチレンとアクリロニトリルとメタクリル酸の共重
合体(アクリロニトリルの共重合比20重量%、メタク
リル酸共重合比5重量%、メルトフローレート10@2
20℃、荷重5kg)と、有機化合物B2としての、ウ
ンデシレン酸からのオキサゾリン誘導体(ウンデシレン
酸とエタノールアミンから合成)との90:10の(重
量比)100重量部に対し、重合禁止剤として2,6−
ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールを0.3重量
部、酸化防止剤として、イルガノックス1010(チバ
ガイギー(株)社製)を1重量部を添加した材料を2軸混
合機(30mmφ、L/D=40)でバレル温度220
℃、スクリュー回転数60rpmで溶融混合し、吐出物
をストランドカットしてペレット化した。このペレット
と、ポリマーCとしての、ジエン系ポリマー、タフプレ
ン315(旭化成)を90:10(重量比)をドライブ
レンドし、二軸混合機(30mmφ、L/D=40)を
用いて、バレル温度220℃、スクリュー回転数100
rpmで溶融混合し、ストランドカットしてペレット化
した。このペレット70℃の恒温槽内に24時間投入し
て乾燥した後、溶融流動性をメルトインデクサーでメル
トフローレートを測定した結果、メルトフローレートは
12@220℃、荷重5kgであった。このペレットを
射出成型機(型締力40トン、バレル温度260℃、保
圧時間10秒、金型温度70℃)に投入し、厚み1.0
mmのダンベル状の成形品とし、加速電圧が2MeVの
電子線を200kGy照射した。このダンベル状試料を
280℃の溶融半田浴に60秒浸漬する方法で耐半田性
を評価した結果、溶融せずに初期の形状を保持してお
り、優れた半田耐熱性を有することが確認できた。次
に、上記の電子線照射したダンベル状成形品をクロム酸
混酸水溶液(クロム酸30重量%、硫酸10重量%)で
85℃で3分エッチングした後、パラジウム触媒を担持
した後、銅めっきをおこなったところ外観良好なめっき
が得られた。また、碁盤目試験結果も良好であり、通常
の方法で、回路を形成することができた。
【0023】(実施例3)実施例1記載のオキサゾリン
基を導入したスチレン系重合体とクロトン酸から得られ
る樹脂組成物のペレットを射出成型機(型締力40ト
ン、バレル温度260℃、保圧時間10秒、金型温度7
0℃)を用いて、図2の形状を有する一次成形体を作製
し、この一次成形体に加速電圧が2MeVの電子線を2
00kGy照射した。この一次成形体を二次成型用の金
型内にセットし、上記の樹脂組成物と、ポリマーCとし
ての、ジエン系ポリマー、タフプレン125(旭化成)
を90:10(重量比)を溶融混合した樹脂組成物を図
3の形状になるように射出成型機(型締力40トン、バ
レル温度260℃、保圧時間10秒、金型温度70℃)
を用いて二次成形した後、この成形体に加速電圧が2M
eVの電子線を200kGy照射した。この成形体を実
施例1と同様の方法で、めっき処理をおこなったとこ
ろ、2次成形で成形した部分には外観良好なめっきが得
られた。また、この部分のめっきは碁盤目試験結果も良
好であり、通常の方法で、回路を形成することができ
た。
【0024】(実施例4)実施例2に記載したオキサゾ
リン基を導入したスチレン系重合体とクロトン酸から得
られる樹脂組成物と、ポリマーCとしての、ジエン系ポ
リマー、タフプレン315(旭化成)とを90:10
(重量比)でブレンドした樹脂組成物のペレットを射出
成型機(型締力40トン、バレル温度260℃、保圧時
間10秒、金型温度70℃)に投入し、厚み1.0mm
のダンベル状の成形品を作製した。次にクロム酸エッチ
ングを行うプロセスを、電子線照射の前または後に実施
する手順でめっきをおこなった。まず電子線照射した
後、クロム酸エッチングをしてめっきを行う手順である
が、得られた1.0mmのダンベル状の成形品に加速電
圧が2MeVの電子線を200kGy照射した後、クロ
ム酸混酸水溶液(クロム酸30重量%、硫酸10重量
%)で85℃で1.5分及び3分エッチングした後、パ
ラジウム触媒を担持した後、めっきをおこなったとこ
ろ、どちらの条件でも外観良好なめっきが得られ、碁盤
目試験結果、めっき強度も強固なものであった。また、
回路を通常の方法で、形成することができた。次にめっ
きを行った後、電子線照射を行う手順について示す。得
られた1.0mmのダンベル状の成形品をクロム酸混酸
水溶液(クロム酸30重量%、硫酸10重量%)で85
℃で1.5分及び3分エッチングした後、加速電圧が2
MeVの電子線を200kGy照射行い、その後パラジ
ウム触媒を担持した後めっきをおこなった。めっきの外
観は良好であった。碁盤目試験結果は、3分のエッチン
グ条件後のめっきは良好であったが、1.5分のエッチ
ングの条件後のめっきは若干のはがれが認められ、めっ
き強度が弱くなることがわかった。しかし、いずれも通
常の方法で、回路を形成することができた。
【0025】(比較例1)めっきグレードのABS樹脂
(スタイラックABS200、旭化成工業(株)製)を
実施例1と同様に厚み1.0mmのダンベル状に射出成
形法により形成し、加速電圧が2MeVの電子線を20
0kGy照射した。このダンベル状試料を280℃の溶
融半田浴に60秒浸漬する方法で耐半田性を評価した結
果、溶融してしまい形状を全く保持しなかった。
【0026】(比較例2)ポリスチレン樹脂(日本ポリ
スチM334、日本ポリスチレン(株)製)と、実施例
1で用いたジエン系ポリマー(タフプレン125、旭化
成工業(製))を90:10(重量比)をドライブレン
ドし、二軸混合機(30mmφ、L/D=40)を用い
て、バレル温度220℃、スクリュー回転数100rp
mで溶融混合し、ストランドカットしてペレット化し
た。このペレット70℃の恒温槽内に24時間投入して
乾燥した後、このペレットを射出成型機(型締力40ト
ン、バレル温度260℃、保圧時間10秒、金型温度7
0℃)に投入し、厚み1.0mmのダンベル状の成形品
とし、加速電圧が2MeVの電子線を200kGy照射
した。このダンベル状試料を280℃の溶融半田浴に6
0秒浸漬する方法で耐半田性を評価した結果、、溶融し
てしまい形状を全く保持しなかった。
【0027】(比較例3)オキサゾリン基を導入したス
チレン系重合体(スチレンとオキサゾリンの共重合比9
8:2、メルトフローレート8@220℃、荷重5k
g)とクロトン酸(分子内にカルボン酸基と炭素−炭素
二重結合を有する有機化合物)の95:5混合物(重量
比)100重量部に対し、重合禁止剤として2,6−ジ
−t−ブチル−4−メチルフェノールを0.3重量部、
酸化防止剤として、イルガノックス1010(チバガイ
ギー(株)社製)を1重量部を添加した材料を2軸混合機
(30mmφ、L/D=40)でバレル温度230℃、ス
クリュー回転数60rpmで溶融混合し、吐出物をスト
ランドカットしてペレット化した。このペレットを、7
0℃の恒温槽内に24時間投入して乾燥した後、溶融流
動性をメルトインデクサーでメルトフローレートを測定
した結果、メルトフローレートは8@220℃、荷重5
kgであった。このペレットを射出成型機(型締力40
トン、バレル温度260℃、保圧時間10秒、金型温度
70℃)に投入し、厚み1.0mmのダンベル状の成形
品とし、加速電圧が2MeVの電子線を200kGy照
射した。このダンベル状試料を280℃の溶融半田浴に
60秒浸漬する方法で耐半田性を評価した結果、溶融せ
ずに初期の形状を保持しており、優れた半田耐熱性を有
することが確認できた。次に、上記の電子線照射したダ
ンベル状成形品をクロム酸混酸水溶液(クロム酸30重
量%、硫酸10重量%)で85℃で3分エッチングした
後、パラジウム触媒を担持しめっきをおこなったが、良
好なめっきができず、従って、回路形成も上手くできな
っかった。
【0028】以上に述べた結果を実施例は表1に、比較
例は表2に、まとめて示す。比較例1、2に示した通
り、スチレン樹脂単独や、スチレン樹脂とポリブタジエ
ン樹脂とのブレンドの場合は、電子線を照射しても、半
田耐熱性はよくならなかった。また、比較例3に示した
通り、オキサゾリン基を導入したスチレン系重合体(ス
チレンとオキサゾリンの共重合比98:2、メルトフロ
ーレート8@220℃、荷重5kg)とクロトン酸(分
子内にカルボン酸基と炭素−炭素二重結合を有する有機
化合物)の95:5混合物(重量比)を用いた樹脂組成
物の場合は、電子線の照射により、半田耐熱性はよくな
るが、良好なめっきができず、回路形成がうまくゆかな
かった。これらに反して、実施例1〜4に示した本発明
の構成の樹脂組成物による成形体の場合には、電子線の
照射により、半田耐熱性が良くなり、かつ、めっき強度
の強い良好なめっきができ、通常の方法で、回路を形成
させることができた。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
田耐熱性とめっき性に優れる成形体が得られ、これに、
無電解めっき等の方法によって導体薄膜を形成させ、リ
ソグラフィー法等の既知の方法により、回路を形成させ
ることにより、耐熱性の優れた回路付き成形部品とする
ことができ、電子部品の実装技術の分野での利用価値は
非常に大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回路付き成形部品の例を示す斜視図。
【図2】一次成形部品の例を示す斜視図。
【図3】二次成形部品の例を示す斜視図。
【符号の説明】
1 成形体 2 回路 3 一次成形体 4 二次成形体 5 めっきできる樹脂の表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 25/18 C08L 25/18 101/02 101/02 H05K 3/00 H05K 3/00 W 3/38 3/38 A // C08F 2/44 C08F 2/44 C 2/46 2/46 B29K 9:00 B29K 9:00 B29L 31:34 B29L 31:34 Fターム(参考) 4F073 AA07 BA19 BA20 BB02 CA42 4F206 AA13E AH33 JA07 JQ81 4J002 BC052 BC101 BC121 BN152 BP012 GQ00 4J011 PA65 PA76 PC02 PC08 QA24 QA27 QA39 QB01 UA03 VA04 WA10 5E343 AA01 AA16 BB15 BB21 BB71 CC34 CC35 CC50 CC73 DD33 EE34 EE37 GG04 GG16

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電離放射線の照射によって架橋可能なス
    チレン系重合体と分子内に炭素―炭素二重結合有するポ
    リマー(C)とを主体とする樹脂組成物を溶融賦形した
    成形体であって、該成形体に電離放射線が照射されてい
    て、該成形体の表面に導体薄膜層からなる回路が形成さ
    れていることを特徴とする回路付き耐熱性成形部品。
  2. 【請求項2】 オキサゾリン基を導入したスチレン系重
    合体(A1)と、カルボキシル基、アミン基、酸無水物
    基、エポキシ基、チオール基からなる群より選ばれる官
    能基を有し、かつ、炭素−炭素二重結合を同一分子内に
    有する有機化合物(B1)とを混合中に反応させて得ら
    れる、電離放射線の照射によって架橋することのできる
    スチレン系重合体(D1)と、分子内に炭素−炭素二重
    結合を有するポリマー(C)を溶融混合してなる樹脂組
    成物(E1)の溶融賦形した成形体であり、該成形体に
    電離放射線が照射されていて、該成形体の表面にめっき
    法により形成された導体薄膜層の回路が形成されている
    ことを特徴とする回路付き耐熱性成形部品。
  3. 【請求項3】 カルボン酸基もしくは酸無水物基を導入
    したスチレン系重合体(A2)と、炭素−炭素二重結合
    とオキサゾリン基を同一分子内に有する有機化合物(B
    2)とを混合中に反応させて得られる、電離放射線の照
    射によって架橋することのできるスチレン重合体(D
    2)と、分子内に炭素−炭素二重結合を有するポリマー
    (C)の溶融混合してなる樹脂組成物(E2)を溶融賦
    形した成形体であって、該成形体に電離放射線が照射さ
    れていて、該成形体の表面にめっき法により形成された
    導体薄膜層の回路が形成されていることを特徴とする回
    路付き耐熱性成形部品。
  4. 【請求項4】 電離放射線の照射によって架橋可能なス
    チレン系重合体と、該スチレン系重合体と分子内に炭素
    ―炭素二重結合有するポリマー(C)とを主体とする樹
    脂組成物とを2色成形法により溶融賦形した成形体であ
    って、該成形体に電離放射線が照射されていて、該成形
    体の該スチレン系重合体と分子内に炭素―炭素二重結合
    有するポリマー(C)とを主体とする樹脂組成物の表面
    がめっき法により形成された導体薄膜層の回路が形成さ
    れていることを特徴とする回路付き耐熱性成形部品。
  5. 【請求項5】 ポリマー(C)がアクリロニトリル−ブ
    タジエン−スチレン共重合体であることを特徴とする請
    求項1乃至4のいずれかに記載の回路付き耐熱性成形部
    品。
  6. 【請求項6】 ポリマー(C)がスチレン−ブタジエン
    −スチレンブロック共重合体であることを特徴とする請
    求項1乃至4のいずれかに記載の回路付き耐熱性成形部
    品。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至は6のいずれかに記載の成
    形体に電離放射線を照射した後に、その表面をエッチン
    グしてめっきをし、導体薄膜層の回路を形成することを
    特徴とする回路付き耐熱性成形部品の製造方法。
  8. 【請求項8】 電離放射線の照射によって架橋可能なス
    チレン系重合体を溶融賦形して得られる一次成形体に電
    離放射線を照射した後、該スチレン系重合体と分子内に
    炭素―炭素二重結合有するポリマー(C)とを主体とす
    る樹脂組成物を一次成形体に対して、領域選択的に溶融
    被覆して二次成形体を形成し、当該二次成形体の該スチ
    レン系重合体と分子内に炭素―炭素二重結合有するポリ
    マー(C)とを主体とする樹脂組成物の表面にめっき法
    により導体薄膜層を形成することを特徴とする回路付き
    耐熱性成形部品の製造方法。
  9. 【請求項9】 電離放射線の照射によって架橋可能なス
    チレン系重合体と、分子内に炭素―炭素二重結合有する
    ポリマー(C)とを主体とする樹脂組成物を溶融賦形し
    て得られる一次成形体に、電離放射線を照射した後、電
    離放射線の照射によって架橋可能なスチレン系重合体を
    一次成形体に対して領域選択的に溶融被覆して二次成形
    体を形成し、当該二次成形体の形成後に、電離放射線の
    照射によって架橋可能なスチレン系重合体と、分子内に
    炭素―炭素二重結合有するポリマーと(C)を主体とす
    る樹脂組成物の表面にめっき法により導体薄膜層を形成
    することを特徴とする回路付き耐熱性成形部品の製造方
    法。
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