JP2002134818A

JP2002134818A - 高電圧発生用スイッチング回路

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Publication number: JP2002134818A
Application number: JP2000318946A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Hiraiwa; 裕史平岩; Toyoji Inoue; 豊治井上
Original assignee: Ushio Denki KK; Ushio Inc
Current assignee: Ushio Denki KK; Ushio Inc
Priority date: 2000-10-19
Filing date: 2000-10-19
Publication date: 2002-05-10
Anticipated expiration: 2020-10-19
Also published as: JP3724359B2

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁部材を介して金属性のプレート上に配置
された複数の半導体スイッチに高繰り返し周波数の高圧
電圧を印加した際、各半導体スイッチに印加される電圧
を均等に振り分け、半導体スイッチの破損を防ぐこと。【解決手段】直列に接続された半導体スイッチＳＷ１
〜ＳＷ６の放熱用の金属板３は絶縁部材２を介して金属
性の水冷プレート１上に置かれる。各半導体スイッチＳ
Ｗ１〜ＳＷ６の端子間にはバランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６が接
続される。また、上記金属板３−絶縁部材２−水冷プレ
ート１に生ずる寄生容量により各半導体スイッチＳＷ１
〜ＳＷ６に不均一な電圧が加わるのを防ぐため、各半導
体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６にコンデンサＣａ２〜Ｃａ６
を接続する。これにより、バランス抵抗Ｒ２〜Ｒ６に流
れる電流をほぼ等しくし、半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ
６にかかる電圧を均一化することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放電励起型レーザ
装置に用いられる磁気パルス圧縮回路を備えた高電圧パ
ルス発生回路のスイッチング回路に関し、さらに詳細に
は、磁気パルス圧縮回路に電荷を移行する複数のスイッ
チング素子に電圧を均等に配分するための回路構成に関
する。

【０００２】

【従来の技術】エキシマレーザ、フッ素レーザ等の放電
励起型レーザは、放電電極間において短時間に放電を繰
返しパルスレーザを発振する。放電電極には短時間に高
電圧を供給する必要があり、高電圧パルス発生回路が設
けられる。放電励起型レーザ装置に用いる高電圧パルス
発生回路として、磁気パルス圧縮回路が知られている。
図１０に、放電励起型レーザ装置に設けられる一般的な
高電圧パルス発生回路の構成を示す。図１０の構成は、
可飽和リアクトルからなる磁気スイッチＳＲ２、ＳＲ３
を用いた２段の磁気パルス圧縮回路を含む例であり、図
中点線で囲まれた部分が２段の磁気パルス圧縮回路であ
る。この高電圧パルス発生回路の動作を以下に説明す
る。

【０００３】(1) 直流高圧電源（充電器：定電流源）か
ら、電荷がコンデンサＣｏに、インダクタンスＬ１を介
してチャージされる。 (2) スイッチＳＷは、半導体スイッチであり、例えばＩ
ＧＢＴが使用される。スイッチＳＷが閉じられてオンと
なり、コンデンサＣｏ、磁気スイッチＳＲ１、コンデン
サＣ１、スイッチＳＷのループに電流が流れ、コンデン
サＣｏの電荷がコンデンサＣ１に移行する。 (3) その際、チャージ後のコンデンサＣｏには２０〜３
０ｋＶの高電圧が印可されているので、スイッチオン時
にはスイッチＳＷ（以下、半導体スイッチＳＷとも称す
る）にも同様の電圧がかかる。半導体スイッチＳＷのモ
ジュールの定格電圧は、通常、数ｋＶであるため、半導
体スイッチＳＷのモジュールを複数直列に接続してスイ
ッチ回路を構成する。 (4) コンデンサＣ１の電圧の時間積分値が磁気スイッチ
ＳＲ２の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチ
ＳＲ２が飽和して、コンデンサＣ１、磁気スイッチＳＲ
２、コンデンサＣ２のループに電流が流れ、コンデンサ
Ｃ１の電荷がコンデンサＣ２に移行する。この時、電流
のパルス幅が圧縮される。パルス幅の圧縮比率は、磁気
スイッチＳＲ２のコアに巻かれる配線のターン数に依存
する。このような回路は磁気パルス圧縮回路と呼ばれ
る。 (5) この後、コンデンサＣ２における電圧Ｖ２の時間積
分値が磁気スイッチＳＲ３の特性で決まる限界値に達す
ると、磁気スイッチＳＲ３が飽和して、コンデンサＣ
２、ピーキングコンデンサＣＰ、磁気スイッチＳＲ３の
ループに電流が流れ、コンデンサＣ２の電荷がピーキン
グコンデンサＣＰに移行し、ピーキングコンデンサＣＰ
が充電される。この時、電流のパルス幅が圧縮される。
パルス幅の圧縮比率は、磁気スイッチＳＲ３のコアに巻
かれる配線のターン数に依存する。ピーキングコンデン
サＣＰが充電される。 (6) 充電が進むにつれてピーキングコンデンサＣＰの電
圧ＶＰが上昇し、この電圧ＶＰがある値Ｖｂに達する
と、電極Ｅ間のレーザガスが絶縁破壊されて主放電が開
始し、この主放電によりレーザ媒質が励起され、レーザ
光が発生する。なお、主放電が発生する前に、不図示の
予備電離手段により電極Ｅ間のレーザ媒質であるレーザ
ガスが予備電離される。 (7) この後、主放電によりピーキングコンデンサＣＰの
電圧が急速に低下し、やがて充電開始前の状態に戻る。 (8) このような放電動作が半導体スイッチＳＷのスイッ
チング動作によって繰り返し行なわれることにより、所
定の繰り返し周波数でのパルスレーザ発振が行なわれ
る。

【０００４】上記高電圧パルス発生回路において、磁気
スイッチおよびコンデンサとで構成される各段の容量移
行回路のインダクタンスを後段に行くにつれ小さくなる
ように設定することにより、各段を流れる電流パルスの
ピーク値が順次高くなり、かつ、そのパルス幅が順次狭
くなるようなパルス圧縮動作が行なわれ、電極Ｅ間に短
パルスの強い放電が実現される。よって、電極間でグロ
ー放電が安定に維持されて、レーザ発光の安定性が増大
し、また、レーザの発振効率も向上する。近年、露光用
光源として使用されるエキシマレーザは、スループット
増大のため、放電の数ｋＨｚでの高繰り返しが要請され
始めている。そのためには、スイッチＳＷのスイッチン
グ動作を高繰り返しで行なう必要がある。また、磁気パ
ルス圧縮でパルス幅を小さくすることによって、放電電
圧の立ち上がりが早くなり、高繰り返しが可能になると
考えられている。

【０００５】図１１に、上記半導体スイッチＳＷ部分の
回路図の一例を示す。図１１では、半導体スイッチＳＷ
を６個使用しており、それぞれ半導体スイッチ（以下で
はスイッチング素子ともいう）ＳＷ１、ＳＷ２…ＳＷ６
と表示する。半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６は直列に接
続されている。半導体スイッチＳＷがＯＦＦの時、直流
高圧電源（充電器：定電流源）からの電圧（例えば１５
ｋＶ）が、各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６に２．５ｋ
Ｖずつ均等にかかるように電圧バランスを取るための抵
抗（バランス抵抗と呼ぶ）Ｒ１〜Ｒ６（Ｒ１＝Ｒ２＝，
…，＝Ｒ６）が各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６に並列
に取りつけられている。また、図示しないが、各半導体
スイッチＳＷ１〜ＳＷ６には周知のスナバ回路が取り付
けられ、また、各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６には、
これらを駆動するためのゲート信号が入力される。上記
の半導体スイッチＳＷは、スイッチング動作中高温にな
るので冷却が必要である。半導体スイッチＳＷを効率良
く冷却し、小型化できる構造として、本出願人は先に特
願２０００−１９５５５１号を提案した。

【０００６】図１２に、図１１に示した回路に上記出願
の冷却構造を適用した例を示す。図１２において、半導
体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６は、伝熱性の良い絶縁部材
（セラミック）２を介して金属性の水冷プレート１上に
置かれる。市販されている半導体スイッチＳＷは、通
常、底面に放熱用の金属板３が取りつけられモールドさ
れている。したがって、半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６
は該金属板を介して上記絶縁部材２上に置かれることに
なる。各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６の端子間には、
バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６が接続され、各半導体スイッチ
ＳＷ１〜ＳＷ６に加わる電圧が等しくなるようにしてい
る。図１１、図１２の例は、１個のスイッチング素子を
１モジュールとした半導体スイッチを用いた場合である
が、２個のスイッチング素子を１モジュールとした半導
体スイッチも市販されている。図１３に上記２個のスイ
ッチング素子を１モジュールとした半導体スイッチを用
いた場合の冷却構造を示す。図１３に示すように、半導
体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６は、２個のスイッチング素子
毎に１モジュール（各モジュールをＳＷＭ１〜ＳＷＭ３
という）内に収納され、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ
３の底面には、モジュール内に収納した各スイッチング
素子に共通の放熱用の金属板３が取り付けられている。
したがって、この場合は、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷ
Ｍ３の金属板３を伝熱性の良い絶縁部材（セラミック）
２を介して金属性の水冷プレート１上に配置する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１２、図１３のよう
に構成した装置に、実際に高電圧電源（充電器）からチ
ャージしたところ、過渡的に各半導体スイッチＳＷ１〜
ＳＷ６に、不均一に電圧がかかっていることがわかっ
た。例えば図１２のものにおいては、ＳＷ１にかかる電
圧は２．３ｋＶであるが、ＳＷ２ではそれよりも大き
く、ＳＷ３、ＳＷ４と徐々に電圧は大きくなり、ＳＷ６
は３．２ｋＶの電圧がかかっていた。このような、各半
導体スイッチにかかる電圧が不均一になると、素子の耐
圧電圧を越えることも考えられ、場合によっては素子が
壊れてしまう。本発明は上記事情に鑑みなされたもので
あって、その目的とするところは、絶縁部材を介して金
属性のプレート上に配置された複数の直列接続された半
導体スイッチに、高繰り返し周波数の高圧電圧を印加し
た際、各半導体スイッチに印加される電圧を均等に振り
分け、半導体スイッチの破壊を防ぐことである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】各半導体スイッチＳＷに
かかる電圧が不均一になる原因を調べた所、半導体スイ
ッチの放熱用の金属板３−絶縁部材２−水冷プレート１
により、寄生容量（ストレイ・キャパシタ）が生じてい
ることがわかった。上記したように、市販の半導体スイ
ッチは、その底面に放熱用の金属板が取りつけられてモ
ールドされている。また、水冷プレートは、金属性であ
り、その中を市水（水道水）相当の冷却水が循環するの
で、接地されていることになる。したがって、半導体ス
イッチの放熱用の金属板−絶縁部材−水冷プレートは、
一種のコンデンサを構成することになる。上記寄生容量
は、主にこの構成によって発生する。なお、水冷プレー
トに替え冷却用のフィン等を用いた場合でも、通常冷却
用のフィンは接地されるので、上記と同様に寄生容量が
生ずる。このため、上記半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６
の直列回路に高繰り返し周波数の高電圧を印加すると、
上記寄生容量を介して電流が流れ、各半導体スイッチＳ
Ｗ１〜ＳＷ６に接続されたバランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６に流
れる電流値が異なることとなる。すなわち、高電圧端子
側に近いバランス抵抗に流れる電流は、接地側端子に近
いバランス抵抗に流れる電流より大きくなる。これによ
り各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６に加わる電圧も変化
し、高電圧端子側に近い半導体スイッチ程、高い電圧が
印加される。

【０００９】特に近年、放電励起ガスレーザ装置の繰り
返し周波数が高くなっており、これに伴い、上記半導体
スイッチのオン／オフの繰り返しも早くなり、従来約２
ｋＨｚであったものが近年では約４ｋＨｚとなってい
る。このため、ピーキングコンデンサＣＰの充電速度が
速くなり、図１４（ａ）に示すように、約１５ｋＶまで
電圧が上昇する時間が従来約３５０μＳであったもの
が、約１５０μＳと早くなった。これに伴い、上記寄生
容量に流れる電流が増加した。例えば前記図１３に示し
た２個のスイッチング素子を１モジュールにした半導体
スイッチを用いた回路を例について説明すると、図１４
（ｂ）に示すように各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３に
上記寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３が発生する。ここ
で、寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３に流れる電流Ｉｓ
はＩｓ＝Ｃｓ×（ｄＶ／ｄｔ）〔Ｃｓ：寄生容量〕で表
すことができるので、ピーキングコンデンサＣＰの充電
速度（ｄＶ／ｄｔ）が速くなり、図１４（ａ）に示すよ
うに約１５ｋＶまで電圧が上昇する時間が３５０μｓか
ら１５０μｓになると、寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ
３には、約２．３倍の電流が流れる。寄生容量による電
流は、図１４（ｂ）に示すように、バランス抵抗Ｒ２，
Ｒ３にはＩｓ１、バランス抵抗Ｒ４，Ｒ５にはＩｓ１＋
Ｉｓ２、バランス抵抗Ｒ６にはＩｓ１＋Ｉｓ２＋Ｉｓ３
が流れるが、各バランス抵抗に流れる寄生電流の差が大
きい程、各半導体スイッチにかかる電圧バランスが悪く
なる。このため、放電励起ガスレーザ装置の繰り返し周
波数が高くなり、ピーキングコンデンサＣＰの充電速度
が高くなると、各バランス抵抗に流れる寄生電流の差が
大きくなり、各半導体スイッチにかかる電圧バランスが
一層悪くなる。

【００１０】上記問題を解決するために、本発明におい
ては、上記寄生容量によりバランス抵抗に流れる電流を
バイパスするコンデンサを半導体スイッチに接続し、上
記寄生容量による電流がバランス抵抗に流れないように
した。これにより、各バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６に流れる
電流を等しくすることができ、各半導体スイッチＳＷ１
〜ＳＷ６に加わる電圧を等しくすることができる。上記
コンデンサは、接地側に接続された半導体スイッチを除
く他の半導体スイッチに接続されたバランス抵抗に並列
に接続すればよい。これにより、上記寄生容量による電
流を上記コンデンサによりバイパスすることができ、各
バランス抵抗に流れる電流を略等しくすることができ
る。また、前記したように２個のスイッチング素子が１
モジュール内に収納された半導体スイッチを用いる場合
には、１モジュール内に収納された２個のスイッチング
素子にそれぞれ接続されるバランス抵抗の接続点間に、
上記寄生容量に流れる電流をバイパスさせるコンデンサ
を接続してもよい。なお、この場合には、次に述べるよ
うにモジュールの底面に取り付けられた放熱用の金属板
と、該モジュールの各半導体スイッチに接続されたバラ
ンス抵抗の接続点を接続線で接続し同電位とする必要が
ある。

【００１１】ところで、ＩＧＢＴ等の半導体スイッチの
底面に取り付けられた放熱用の金属板は、通常、半導体
スイッチの各端子とは接続されておらず、電位的に浮い
た状態である場合が多い。したがって、半導体スイッチ
の各端子と、上記放熱用の金属板は容量結合されている
こととなり、前記した寄生容量（以下寄生容量Ａとい
う）は、金属板−絶縁部材−水冷プレートにより形成さ
れる寄生容量Ｂだけでなく、上記半導体スイッチの端子
と放熱用金属板間に形成される寄生容量Ｃにも依存する
こととなる。上記寄生容量Ｂは金属板の面積と、絶縁部
材の厚さおよび誘電率により定まるが、上記寄生容量Ｃ
は半導体スイッチ毎にばらつく可能性がある。上記寄生
容量Ｃにばらつきがあると、半導体スイッチ毎の寄生容
量Ａにばらつきが生ずる。

【００１２】そこで、上記半導体スイッチに取り付けら
れた放熱用の金属板と、半導体スイッチの一方の端子
（すなわちバランス抵抗の一方の端子）を接続線により
接続するのが望ましい。例えば、１個のスイッチング素
子を１モジュールとした半導体スイッチを用いる場合
（図１２参照）には、各半導体スイッチの接地側に近い
端子と上記放熱用の金属板を接続線で接続し同電位とす
る。また、２個のスイッチング素子を１モジュールとし
た半導体スイッチを用いる場合（図１３参照）には、該
モジュール内の２個のスイッチング素子の接続点と上記
放熱用の金属板を接続線で接続する。これにより、放熱
用の金属板と半導体スイッチの端子を同電位とすること
ができ、前記した寄生容量Ａは、金属板−絶縁部材−水
冷プレートにより形成される寄生容量Ｂと等しくなる。
このようにすれば、半導体スイッチ毎の寄生容量のばら
つきを小さくすることができ、また、２個のスイッチン
グ素子の接続点と、上記放熱用の金属板とを接続してい
るので、上記寄生容量Ａに加わる電圧もモジュールの中
間電位に定まるので、寄生容量に流れる電流をバイパス
させるためのコンデンサの値を、上記寄生容量Ｃを実測
することなく定めることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例を示
す図であり、同図は前記した図１２の冷却構造に本発明
を適用した実施例を示している。図１において、半導体
スイッチＳＷ１〜ＳＷ６は直列に接続されており、該直
列回路には前記した直流高圧電源（充電器：定電流源）
から高電圧が印加される。半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ
６は、伝熱性の良い絶縁部材（セラミック）２を介して
金属性の水冷プレート１上に置かれる。半導体スイッチ
ＳＷ１〜ＳＷ６は底面には放熱用の金属板３が取り付け
られており、半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６は該金属板
３を介して上記絶縁部材２上に置かれる。各半導体スイ
ッチＳＷ１〜ＳＷ６の端子間には、バランス抵抗Ｒ１〜
Ｒ６が接続され、該バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６の内、バラ
ンス抵抗Ｒ２〜Ｒ６に並列に、前記した寄生容量による
電流をバイパスするためのコンデンサＣａ２〜Ｃａ６が
接続されている。また、各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ
６の接地側の近い端子と上記金属板３は接続線４により
接続されている。さらに、図示しないが、前記したよう
に各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６には周知のスナバ回
路が取り付けられ、また、各半導体スイッチＳＷ１〜Ｓ
Ｗ６には、これらを駆動するためのゲート信号が入力さ
れる。

【００１４】図２に、上記コンデンサＣａ２〜Ｃａ６を
取り付けていない前記図１１の回路において、寄生容量
が生じている様子を模式的に示す。図２において、点線
で示す容量Ｃｓ１〜Ｃｓ６が、前記した「半導体スイッ
チ素子の金属板」と「絶縁部材」と「水冷プレート等の
金属性のプレート」により生ずる寄生容量である。半導
体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６には、図２で説明したように
バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６が取りつけられている。半導体
スイッチＳＷ１〜ＳＷ６の直列回路に印加される全体の
電圧はここでは例えば１５ｋＶであるとする。半導体ス
イッチＳＷ１〜ＳＷ６にはバランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６が設
けられているので、理想的には、各半導体スイッチＳＷ
１〜ＳＷ６に均等に電圧が振り分けられるはずであり、
各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６には電圧は、２．５ｋ
Ｖずつかかることになる。すなわち、アースからの電位
は、図２の(a) 点において２．５ｋＶ、(b) 点において
５．０ｋＶ、(c) 点において７．５ｋＶ、…、(f) 点に
おいて１５ｋＶとなる。

【００１５】一方、図１１の回路においては、図２に示
す通り、半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６の端子と放熱用
の金属板３とが接続線により接続されていないので、寄
生容量Ｃｓ１が発生し、この寄生容量Ｃｓ１にかかる電
圧は、半導体スイッチＳＷ１の両端にかかる電圧の半分
であると考えてよい。したがって、寄生容量Ｃｓ１にか
かる電圧は１．２５ｋＶになる。Ｃｓ２にかかる電圧
は、これに＋２．５ｋＶを加算して３．７５ｋＶ、以下
同様に計算し、Ｃｓ６にかかる電圧は、１３．７５ｋＶ
となる。寄生容量がない場合に各バランス抵抗Ｒに流れ
る電流をＩとする。寄生容量がある場合、寄生容量Ｃｓ
１に流れる電流をＩｓ１、寄生容量Ｃｓ２に流れる電流
をＩｓ２、以下Ｃｓ３〜Ｃｓ６に流れる電流をＩｓ３〜
Ｉｓ６とする。寄生容量がある場合、半導体スイッチＳ
Ｗ１の抵抗Ｒ１に流れる電流はＩであるが、Ｒ２に流れ
る電流（即ち(a) 点の電流）はＩ＋Ｉｓ１、Ｒ３に流れ
る電流（即ち(b) 点の電流）はＩ＋Ｉｓ１＋Ｉｓ２、
…、以下Ｒ６に流れる電流（即ち(e) 点の電流）はＩ＋
Ｉｓ１＋Ｉｓ２＋Ｉｓ３＋Ｉｓ４＋Ｉｓ５となる。ある
半導体スイッチＳＷｎに発生する寄生容量Ｃｓｎに対応
する電流とその下位の半導体スイッチに発生する電流の
和が、一段高圧側の半導体スイッチＳＷｎ＋１のバラン
ス抵抗Ｒｎ＋１に流れる。すなわち、各半導体スイッチ
ＳＷ１〜ＳＷ６のバランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６に異なる値の
電流が流れるために、各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６
にかかる電圧が不均一になる。

【００１６】これを防ぐため、本発明においては、寄生
容量に流れる電流Ｉｓｎが、バランス抵抗Ｒｎ＋１に流
れないように、図１に示すように半導体スイッチＳＷｎ
＋１にコンデンサＣａｎ＋１を設ける。ここで、例えば
寄生容量Ｃｓ１に流れる電流Ｉｓ１は、Ｉｓ１＝Ｃｓ１
×（ｄＶ／ｄｔ）で表される。Ｖは寄生容量Ｃｓ１にか
かる電圧、ｄＶ／ｄｔはその変化速度である。図３に、
上記コンデンサＣａ２〜Ｃａ６を取り付けた場合の回路
を模式的に示す。ここでは、図１に示したように各半導
体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６の接地側の端子と放熱用の金
属板３を接続線４で接続した場合について説明する。な
お、図３においては、半導体スイッチＳＷ１の底面の取
り付けられた金属板３が接続線４により半導体スイッチ
ＳＷ１の接地側の端子に接続されているので、寄生容量
Ｃｓ１は生じないと考えることができる。しかし、半導
体スイッチＳＷ２のエミッタ側から、その底面に取り付
けた金属板に接続した接続線を介して、寄生容量Ｃｓ２
に電流Ｉｓ２が流れ、したがってバランス抵抗Ｒ２に電
流Ｉｓ２が流れる。図３に示すように、半導体スイッチ
ＳＷ２に寄生容量Ｃｓ２の容量に相当するコンデンサＣ
ａ２を取りつければ、電流Ｉｓ２はコンデンサＣａ２に
流れ、Ｉｓ２がバランス抵抗Ｒ２に流れないようにする
ことができる。また、寄生容量Ｃｓ３には寄生容量Ｃｓ
２に比べて２倍の電圧がかかっているので、寄生容量に
流れる電流Ｉｓ３は、Ｉｓ３＝Ｃｓ３×２×（ｄＶ／ｄ
ｔ）となる。したがって、電流Ｉｓ３がバランス抵抗Ｒ
３に流れないようにするためには、寄生容量Ｃｓ２の２
倍の大きさに相当するコンデンサを取りつければよい
が、バランス抵抗Ｒ３には、上記電流Ｉｓ３に加え寄生
容量Ｃｓ２に流れる電流Ｉｓ２も流れる。すなわち、半
導体スイッチＳＷ３のバランス抵抗Ｒ３に流れる寄生容
量による電流は、Ｉｓ２＋Ｉｓ３である。したがって、
この電流がバランス抵抗Ｒ３に流れないようにするため
には、（Ｃｓ２＋２×Ｃｓ３）に相当する容量のコンデ
ンサＣａ３を、半導体スイッチＳＷ３に取りつける。同
様に、Ｃｓ４にはＣｓ２に比べて３倍の電圧がかかって
いるので、寄生容量Ｃｓ４に流れる電流Ｉｓ４は、Ｉｓ
４＝Ｃｓ３×３×（ｄＶ／ｄｔ）となる。したがって、
半導体スイッチＳＷ４のバランス抵抗Ｒ４に寄生容量に
よる電流Ｉｓ２＋Ｉｓ３＋Ｉｓ４が流れないようにする
ためには、半導体スイッチＳＷ４に、（Ｃｓ１＋２×Ｃ
ｓ２＋３×Ｃｓ３）に相当する容量のコンデンサＣａ４
を取りつける。以下同様に、各バランス抵抗Ｒ５、Ｒ６
に、寄生容量による電流が流れないようにするために
は、コンデンサＣａ５、Ｃａ６の容量を上記のように計
算して求め、半導体スイッチＳＷ５、ＳＷ６に取りつけ
る。

【００１７】なお、各寄生容量Ｃｓ２〜Ｃｓ６の値は、
静電容量を求める式Ｃｓ＝ε×（Ｓ／Ｄ）から計算によ
り求めることができる。ここで、ε：誘電率、Ｓ：面
積、Ｄ：厚さ、である。具体的には、半導体スイッチＳ
Ｗと水冷プレートとの間におかれる絶縁部材の誘電率ε
と厚さＤ、及び半導体スイッチの金属板の面積Ｓを代入
すれば計算できる。また、専用の測定器を用いれば静電
容量を実測することもできる。半導体スイッチＳＷ１〜
ＳＷ６は同種を使用し、絶縁部材も同材質で同じ大きさ
・厚さのものを使用したとすると、生じる寄生容量Ｃｓ
１〜Ｃｓ６は同じ大きさになる。ここで、Ｃｓ２＝Ｃｓ
２＝…Ｃｓ６＝５０ｐＦとすると、コンデンサＣａ２〜
Ｃａ６の容量は、上記により求めると以下の値になる。Ｃａ２＝５０ｐＦ、Ｃａ３＝１５０ｐＦ、Ｃａ４＝３０
０ｐＦ、Ｃａ５＝５００ｐＦ、Ｃａ６＝７５０ｐＦ

【００１８】上記実施例では、各半導体スイッチＳＷ１
〜ＳＷ６の接地側の近い端子と金属板３を接続線４によ
り接続した場合について説明したが、必ずしも上記接続
線４を設ける必要はない。上記接続線４を設けない場
合、各寄生容量には前記図２に示す電圧がかかり、ま
た、図２に示すように寄生容量Ｃｓ１が生ずる。したが
って、この場合に各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６に取
り付けるコンデンサの容量は次のようになる。半導体ス
イッチＳＷ２のバランス抵抗Ｒ２には寄生容量Ｃｓ１に
よる電流Ｉｓ１が流れるので、半導体スイッチＳＷ２に
は寄生容量Ｃｓ１の容量に相当するコンデンサＣａ２を
取りつける。また、寄生容量Ｃｓ２には寄生容量Ｃｓ１
に比べて３倍の電圧がかかっているので、寄生容量に流
れる電流Ｉｓ２は、Ｉｓ２＝Ｃｓ２×３×（ｄＶ／ｄ
ｔ）となる。半導体スイッチＳＷ３のバランス抵抗Ｒ３
に流れる寄生容量による電流は、Ｉｓ１＋Ｉｓ２である
ので、半導体スイッチＳＷ３には、（Ｃｓ１＋３×Ｃｓ
２）に相当する容量のコンデンサＣａ３を取りつける。
同様に、寄生容量Ｃｓ３にはＣｓ１に比べて５倍の電圧
がかかっているので、Ｉｓ３＝Ｃｓ３×５×（ｄＶ／ｄ
ｔ）となる。半導体スイッチＳＷ３のバランス抵抗Ｒ３
に流れる寄生容量による電流は、Ｉｓ１＋Ｉｓ２＋Ｉｓ
３であるので、半導体スイッチＳＷ４に、（Ｃｓ１＋３
×Ｃｓ２＋５×Ｃｓ３）に相当する容量のコンデンサＣ
ａ４を取りつける。以下同様に計算をし、Ｃｓ１＝Ｃｓ
２＝…Ｃｓ６＝５０ｐＦとすると、コンデンサＣａ２〜
Ｃａ６の容量は、以下の値になる。Ｃａ２＝５０ｐＦ、Ｃａ３＝２００ｐＦ、Ｃａ４＝４５
０ｐＦ、Ｃａ５＝８００ｐＦ、Ｃａ６＝１２５０ｐＦすなわち、各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６の接地側の
近い端子と金属板３を接続しない場合には、接続線４で
接続した場合より、各半導体スイッチＳＷ１〜Ｓ２に接
続するコンデンサ容量は増加する。

【００１９】図４は本発明の第２の実施例を示す図であ
り、本実施例は、前記図１３に示したように２個のスイ
ッチング素子を１モジュールとした半導体スイッチを用
いた場合の実施例を示している。図４に示すように、半
導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６は、２個のスイッチング素
子毎に１モジュール（各モジュールをＳＷＭ１〜ＳＷＭ
３という）内に収納され、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷ
Ｍ３の底面には、モジュール内に収納した各スイッチン
グ素子に共通の放熱用の金属板３が取り付けられてい
る。各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３は該金属板３を介
して上記絶縁部材２上に置かれる。各モジュールＳＷＭ
１〜ＳＷＭ３内に収納された各半導体スイッチＳＷ１〜
ＳＷ６の端子間には、バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６が接続さ
れ、該バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６の内、バランス抵抗Ｒ２
〜Ｒ６に並列に、コンデンサＣａ１〜Ｃａ３が接続され
ている。また、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３内の半
導体スイッチに並列に接続されたバランス抵抗の接続点
と、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３の底面に接続され
る金属板３は接続線４で接続されている。なお、図示し
ないが、図１と同様、各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６
には周知のスナバ回路が取り付けられ、また、各半導体
スイッチＳＷ１〜ＳＷ６には、これらを駆動するための
ゲート信号が入力される。

【００２０】図５に上記コンデンサＣａ１〜Ｃａ３を取
り付けていない前記図１３において、寄生容量が生じて
いる様子を模式的に示す。図５に示すように、点線で示
す容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３が、前記した寄生容量であり、３
組のモジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３内に収納された６個
の半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６により、充電器からの
高電圧（例えば１５ｋＶ）を分割する。また、寄生容量
Ｃｓは各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３に対して生じ、
同図の点線に示すようにそれぞれＣｓ１、Ｃｓ２、Ｃｓ
３となる。また、各モジュールの寄生容量Ｃｓ１〜Ｃｓ
３は、各モジュールの中間の電位に対して生じていると
考えられる。即ち、Ｃｓ１には２．５ｋＶ、Ｃｓ２には
７．５ｋＶ、Ｃｓ３には１２．５ｋＶがかかっている。
寄生容量がない場合、各抵抗Ｒに流れる電流をＩ、寄生
容量Ｃｓ１に流れる電流をＩｓ１、寄生容量Ｃｓ２に流
れる電流をＩｓ２、寄生容量Ｃｓ３に流れる電流Ｉｓ３
とする。半導体スイッチＳＷ１の抵抗Ｒ１に流れる電流
Ｉ１は、Ｉ１＝Ｉであり、寄生容量とは無関係である。
半導体スイッチＳＷ２及びＳＷ３の抵抗Ｒ２、Ｒ３に流
れる電流Ｉ２、Ｉ３は、Ｉ２＝Ｉ３＝Ｉ＋Ｉｓ１とな
る。さらに、Ｒ４、Ｒ５に流れる電流Ｉ４、Ｉ５は、Ｉ
４＝Ｉ５＝Ｉ＋Ｉｓ１＋Ｉｓ２となる。Ｒ６に流れる電
流Ｉ６は、Ｉ６＝Ｉ＋Ｉｓ１＋Ｉｓ２＋Ｉｓ３となる。
ここで前記したように、寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ
３に流れる電流Ｉｓ１〜Ｉｓ３は、それぞれ下記のよう
になる。Ｉｓ１＝Ｃｓ１×（ｄＶ／ｄｔ）Ｉｓ２＝Ｃｓ２×３×（ｄＶ／ｄｔ）Ｉｓ３＝Ｃｓ３×５×（ｄＶ／ｄｔ）したがって、第１の実施例と同様に、図４に示すように
各半導体スイッチＳＷ２〜ＳＷ６のバランス抵抗Ｒ２〜
Ｒ６に並列に、上記寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３に
よる電流に対応する容量のコンデンサＣａ１〜Ｃａ３を
取りつければ、バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６に流れる電流を
略等しくすることができる。

【００２１】図６に、図４に示す上記コンデンサＣａ１
〜Ｃａ３を取り付けた場合の回路を模式的に示す。な
お、図４においては、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３
内の半導体スイッチに並列に接続されたバランス抵抗の
接続点と、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３の底面に接
続される金属板３が接続線４で接続されているので、前
記図５と同様、各モジュールの寄生容量Ｃｓ１〜Ｃｓ３
は、バランス抵抗の接続点、すなわち、各モジュールの
中間の電位に対して生ずる。ここで、Ｃｓ１＝Ｃｓ２＝
Ｃｓ３＝１００ｐＦとすると、寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ
２，Ｃｓ３に流れる電流は前記Ｉｓ１，Ｉｓ２，Ｉｓ３
となり、コンデンサＣａ１〜Ｃａ３の容量は、以下の値
になる。Ｃａ１＝１００ｐＦ、Ｃａ２＝４００ｐＦ、Ｃａ３＝９
００ｐＦ図５に示すようにコンデンサＣａ１，Ｃａ２，Ｃａ３を
取り付けない場合には、ＳＷ１には２．３ｋＶ、ＳＷ６
には３．２ｋＶという不均一な電圧がかかっていたが、
図４、図６のように構成することにより、半導体スイッ
チＳＷ１〜ＳＷ６にほぼ２．５ｋＶずつの均等な電圧を
かけることができた。なお、図４、図６においては、接
続線４によりバランス抵抗の接続点と、金属板３を接続
しているが、必ずしも上記接続線４を設ける必要はな
い。この接続線４を設けない場合でも、前記図５で説明
したように寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３に加わる電
圧はほぼ変わらないので、各半導体スイッチＳＷ１〜Ｓ
Ｗ６に並列に接続するコンデンサＣａ１〜Ｃａ３の容量
はほぼ上記した値となる。但し、前記したように、半導
体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６のばらつきにより、寄生容量
Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３にばらつきがでる可能性があ
る。

【００２２】図７は本発明の第３の実施例を示す図であ
り、本実施例は図４に示した２個のスイッチング素子を
１モジュールとした半導体スイッチを用いた場合におい
て、コンデンサＣａ１，Ｃａ２，Ｃａ３を、１モジュー
ル内に収納された２個のスイッチング素子のバランス抵
抗の接続点と他のモジュール内に収納された２個のスイ
ッチング素子のバランス抵抗の接続点間に接続した実施
例を示している。図７において、半導体スイッチＳＷ１
〜ＳＷ６を収納した各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３の
底面には、モジュール内に収納した各スイッチング素子
に共通の放熱用の金属板３が取り付けられており、各モ
ジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３は該金属板３を介して上記
絶縁部材２上に置かれる。各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷ
Ｍ３内に収納された各半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６の
端子間には、バランス抵抗Ｒ１〜Ｒ６が接続されてい
る。また、バランス抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続点とバランス
抵抗Ｒ３，Ｒ４の接続点間には、コンデンサＣａ１が接
続され、バランス抵抗Ｒ３，Ｒ４の接続点とバランス抵
抗Ｒ５，Ｒ６の接続点間には、コンデンサＣａ２が接続
されている。さらに、バランス抵抗Ｒ５，Ｒ６の接続点
と半導体スイッチＳＷ６の高圧側端子間には、コンデン
サＣａ３が接続されている。また、各モジュールＳＷ１
〜ＳＷ６内の半導体スイッチに並列に接続されたバラン
ス抵抗の接続点と、各モジュールＳＷＭ１〜ＳＷＭ３の
底面に接続される金属板３は接続線４で接続されてい
る。

【００２３】図７において、寄生容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，
Ｃｓ３に流れる電流Ｉｓ１〜Ｉｓ３は、前記図４、図６
と同様、それぞれ下記のようになる。Ｉｓ１＝Ｃｓ１×（ｄＶ／ｄｔ）Ｉｓ２＝Ｃｓ２×３×（ｄＶ／ｄｔ）Ｉｓ３＝Ｃｓ３×５×（ｄＶ／ｄｔ）また、コンデンサＣａ１には寄生容量Ｃｓ１にかかる電
圧の２倍の電圧が印加され、コンデンサＣａ２には、寄
生容量Ｃｓ２にかかる電圧の２／３の電圧が印加され
る。したがって、例えば、Ｃｓ１＝Ｃｓ２＝Ｃｓ３＝１
００ｐＦとすると、コンデンサＣａ１〜Ｃａ３の容量
は、以下の値になる。Ｃａ１＝５０ｐＦ、Ｃａ２＝２００ｐＦ、Ｃａ３＝９０
０ｐＦ

【００２４】ところで、上記したスイッチ回路には、前
記したように通常、スナバ回路が設けられる（前記した
図１〜図７ではスナバ回路は省略している）。図８にス
ナバ回路の一例を示す。スナバ回路は、半導体スイッチ
ＳＷ１，ＳＷ２，…のオンになるタイミングのずれをカ
バーするために設けられるものであり、半導体スイッチ
のオンになるタイミングがずれたとき、スナバ回路のコ
ンデンサＣにより半導体スイッチの電圧上昇を抑える。
スナバ回路には、通常、図８に示すようにコンデンサＣ
に直列にダイオードＤ（もしくは抵抗）が設けられ、半
導体スイッチＳＷ１，ＳＷ２，…がオンになってもコン
デンサＣに充電された電荷は直ちに放電せず、コンデン
サＣに並列に接続された抵抗Ｒを介してゆっくりと放電
する。このため、スナバ回路のコンデンサＣの両端電圧
は、半導体スイッチＳＷ１，ＳＷ２，…のオン／オフに
応じて脈動するが、半導体スイッチのオフ時の端子間電
圧に近い値に保たれる。したがって、上記コンデンサＣ
と抵抗Ｒによる損失は比較的小さく、図８に示すスナバ
回路の場合には１半導体スイッチ当たりの損失は１５Ｗ
以下である。上記構成のスナバ回路においては、スナバ
回路のコンデンサＣの両端電圧が上記のように半導体ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２，…のオフ時の端子間電圧に近い
値に保たれているため、半導体スイッチＳＷ１，ＳＷ
２，…がオフになりその端子間電圧が上昇するとき、上
記コンデンサＣには電流が流れ込まない。このため、上
記構成のスナバ回路のコンデンサＣでは、前記した寄生
容量による影響を除去することができない。

【００２５】一方、図９に示すように上記スナバ回路か
らダイオードＤ（もしくは抵抗）を除去し、半導体スイ
ッチＳＷ１〜ＳＷ６に並列に接続されたスナバ用のコン
デンサＣにより、各半導体スイッチに印加される電圧を
均一化しようとすると、例えば寄生容量を１００ｐＦと
したとき、コンデンサＣの容量は、約１００００ｐＦ程
度となる。ここで、半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６の直
列回路に印加される全体の電圧を１５ｋＶとし、各半導
体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６に均等に電圧が加わるとする
と、半導体スイッチの１素子当たりの電圧は２５００Ｖ
となる。図９の回路においては、半導体スイッチＳＷ１
〜ＳＷ６がオンになると、コンデンサＣの電荷が半導体
スイッチＳＷ１〜ＳＷ６を介して放電されるため、コン
デンサＣのエネルギーは半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ６
の損失となる。ここで、１素子当たりの損失Ｗは、Ｗ＝
（１／２）×Ｃ×Ｖ²で表されるので、各素子に加わる
電圧ＶをＶ＝２５００Ｖとすると、図９の回路のおける
１素子当たりの損失ＷはＷ＝（１／２）×１００００ｐ
Ｆ×（２５００Ｖ）²＝３１．２５ｍＪとなる。したが
って、繰り返し周波数が４ｋＨｚとすると、３１．２５
ｍＪ×４ｋＨｚ＝１２５Ｗの損失となり、６素子を使用
すると損失の合計は１２５Ｗ×６＝７５０Ｗとなる。す
なわち、半導体スイッチに並列に接続されたスナバ用の
コンデンサにより、各半導体スイッチに印加される電圧
の均一化を図ると、上記のように損失が非常に大きくな
り、現実的には使用することができない。これに対し、
前記第１〜第３の実施例に示したように、寄生容量に対
応した容量を持つコンデンサを各半導体スイッチに取付
け、各半導体スイッチの電圧を均一化すれば、損失を上
記と比べ著しく小さくすることができる。例えば図４、
図６に示した第２の実施例の場合、コンデンサＣａ２〜
Ｃａ６を設けることによる損失は次のようになり、図９
の場合と比べ、損失は著しく小さい。・半導体スイッチＳＷ６における損失（１／２）×９００ｐＦ×２５００²＝２．８１２５ｍ
Ｊ４ｋＨｚ時：１１．２５Ｗ・半導体スイッチＳＷ４，ＳＷ５における損失（１／２）×４００ｐＦ×２５００²＝１．２５ｍＪ４ｋＨｚ時：５Ｗ・半導体スイッチＳＷ２，ＳＷ３における損失（１／２）×１００ｐＦ×２５００²＝０．３１２５ｍ
Ｊ４ｋＨｚ時：１．２５Ｗ・６素子の合計の損失１１．２５＋５×２＋１．２５×２＝２３．７５Ｗ

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。スイッチング素子を、
絶縁部材を介して金属性のプレート上に配置するとスイ
ッチング素子−絶縁部材−金属製プレートにより寄生容
量が発生し、スイッチング素子がオフになるとき、この
寄生容量に電流が流れる。本発明においては、上記寄生
容量に流れる電流をバイパスするコンデンサを各スイッ
チング素子に接続したので、各スイッチング素子に取り
付けたバランス抵抗に流れる電流をほぼ等しくすること
ができ、各スイッチング素子にかかる電圧を等しくする
ことが可能となる。このため、充電器からの高圧電圧
を、スイッチング素子に均等に振り分けることができ、
あるスイッチング素子に耐圧以上の電圧がかかることが
ないので、スイッチング素子の破壊を防ぐことができ
る。特に、高繰り返し周波数のエキシマレーザ、フッ素
レーザ等の放電励起型レーザにおいて、スイッチング素
子の冷却構造により、スイッチング素子と接地間に寄生
容量が生じても、その影響を除去して、充電器からの高
電圧を複数の半導体スイッチに均等に配分することがで
き、スイッチング素子の破壊を防ぐことができる。ま
た、スイッチング素子を効率よく冷却することが可能と
なるので、スイッチング素子の過熱を防止し、素子の小
型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。

【図２】図１１の回路において寄生容量が生じている様
子を模式的に示す図である。

【図３】図２の回路においてコンデンサＣａ２〜Ｃａ６
を取り付けた場合を示す図である。

【図４】本発明の第２の実施例を示す図である。

【図５】図１３の回路において寄生容量が生じている様
子を模式的に示す図である。

【図６】図５の回路においてコンデンサＣａ２〜Ｃａ６
を取り付けた場合を示す図である。

【図７】本発明の第３の実施例を示す図である。

【図８】スナバ回路の一例を示す図である。

【図９】スイッチング素子に並列に接続されたコンデン
サにより、各スイッチング素子に印加される電圧を均一
化する場合を説明する図である。

【図１０】放電励起型レーザ装置に設けられる一般的な
高電圧パルス発生回路の構成を示す図である。

【図１１】図１０の半導体スイッチＳＷ部分の回路図の
一例を示す図である。

【図１２】図１１に示した回路に先の出願の冷却構造を
適用した例を示す図である。

【図１３】２個のスイッチング素子を１モジュールとし
た半導体スイッチを用いた場合の冷却構造を示す図であ
る。

【図１４】ピーキングコンデンサの充電速度と、寄生容
量による電流を説明する図である。

【符号の説明】１水冷プレート２絶縁部材３金属板４接続線ＳＷ１〜ＳＷ６半導体スイッチＳＷＭ１〜ＳＷＭ３モジュールＲ１〜Ｒ６バランス抵抗Ｃａ１〜Ｃａ６コンデンサＣｓ１〜Ｃｓ６寄生容量

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F071 AA06 GG02 GG05 JJ05 JJ07 5F072 AA06 GG02 GG05 JJ05 JJ07 SS06 TT01 TT25 5H790 BA02 CC01 CC06 DD06 EA01 EA03 EA15 KK00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直列に接続された複数のスイッチング素
子を有するスイッチ回路と、このスイッチ回路の出力端
に接続された磁気圧縮回路と、この磁気圧縮回路の出力
端に接続された一対の主放電電極とを有する放電励起ガ
スレーザ装置に用いられる高電圧発生用スイッチング回
路であって、上記複数のスイッチング素子は、その底面に放熱用の金
属板を有し、該金属板は接地された金属性のプレート上
に絶縁部材を介して配置され、上記複数のスイッチング素子の各々の端子間にはバラン
ス抵抗が並列に接続されており、上記各々のバランス抵抗には、コンデンサが接続され、上記コンデンサにより、各スイッチング素子と上記絶縁
部材と上記金属性のプレートにより形成される寄生容量
に流れる電流が上記バランス抵抗に流れないようにバイ
パスし、各々のバランス抵抗に流れる電流を等しくした
ことを特徴とする高電圧発生用スイッチング回路。
【請求項２】上記コンデンサは、各バランス抵抗に並
列に接続されていることを特徴とする請求項１の高電圧
発生用スイッチング回路。
【請求項３】上記バランス抵抗の一方の端子と上記ス
イッチング素子の底面に設けられた放熱用の金属板を接
続線で接続したことを特徴とする請求項１または請求項
２の高電圧発生用スイッチング回路。
【請求項４】上記スイッチング素子は、少なくも２個
のスイッチング素子が共通の放熱用金属板の上に取付け
られたものであり、上記２個のスイッチング素子にそれぞれ接続されたバラ
ンス抵抗の接続点と上記共通の放熱用金属板が接続線に
より接続され、上記２個のスイッチング素子のバランス抵抗の各接続点
間に、上記寄生容量に流れる電流が上記バランス抵抗に
流れないようにバイパスするためのコンデンサが接続さ
れていることを特徴とする請求項１の高電圧発生用スイ
ッチング回路。