JP2002126995A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
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- JP2002126995A JP2002126995A JP2000323672A JP2000323672A JP2002126995A JP 2002126995 A JP2002126995 A JP 2002126995A JP 2000323672 A JP2000323672 A JP 2000323672A JP 2000323672 A JP2000323672 A JP 2000323672A JP 2002126995 A JP2002126995 A JP 2002126995A
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- polishing
- wafer
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- polishing pad
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＣＭＰ装置の部品交換を行った場
合であっても、慣らし研磨処理を必要とすることなく、
直ちに所定の性能をもった安定した研磨処理を行うこと
が可能なＣＭＰ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ヘッド部１４下部に環状に設置されてい
るリテーナーリング１９の研磨パッド表面との接触面Ａ
が所定の滑らかさになるように予め表面加工されてい
る。即ち、その表面粗さＲｍａｘが予めＲｍａｘ≦０．
８Ｓとなっている。このために、例えば定期的なメンテ
ナンス等によってリテーナーリング１９を交換した直後
であっても、安定した研磨レートやその研磨レートの良
好なウェーハ面内均一性など、所定の性能をもった研磨
処理を直ちに実現することが可能になる。
合であっても、慣らし研磨処理を必要とすることなく、
直ちに所定の性能をもった安定した研磨処理を行うこと
が可能なＣＭＰ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ヘッド部１４下部に環状に設置されてい
るリテーナーリング１９の研磨パッド表面との接触面Ａ
が所定の滑らかさになるように予め表面加工されてい
る。即ち、その表面粗さＲｍａｘが予めＲｍａｘ≦０．
８Ｓとなっている。このために、例えば定期的なメンテ
ナンス等によってリテーナーリング１９を交換した直後
であっても、安定した研磨レートやその研磨レートの良
好なウェーハ面内均一性など、所定の性能をもった研磨
処理を直ちに実現することが可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨装置に係り、特
にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing；化学的機
械研磨）装置に関するものである。
にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing；化学的機
械研磨）装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化、高性
能化に伴い、その微細化、多層化が益々進められてい
る。そして、このような微細化、多層化が進められる上
で問題となるのが、下層の配線により生じた段差によ
り、リソグラフィ工程における露光の際にデフォーカス
してしまうことである。この対策として、最近の半導体
デバイスの製造プロセスにおいては、リソグラフィ工程
の前段に基体表面を平坦化する工程を設けることが必須
となってきており、その平坦化の非常に有効な手段とし
てＣＭＰ装置が用いられている。
能化に伴い、その微細化、多層化が益々進められてい
る。そして、このような微細化、多層化が進められる上
で問題となるのが、下層の配線により生じた段差によ
り、リソグラフィ工程における露光の際にデフォーカス
してしまうことである。この対策として、最近の半導体
デバイスの製造プロセスにおいては、リソグラフィ工程
の前段に基体表面を平坦化する工程を設けることが必須
となってきており、その平坦化の非常に有効な手段とし
てＣＭＰ装置が用いられている。
【０００３】この従来のＣＭＰ装置は、一般に、回転可
能な定盤、この定盤上に貼付されている研磨パッド、ウ
ェーハを保持しつつその下面の研磨面を研磨パッド表面
に所定の圧力をもって押圧する回転可能なヘッド部等か
ら構成されている。また、このヘッド部は、ヘッド本
体、このヘッド本体下部に環状に設置され、研磨パッド
表面を押圧しつつウェーハの横方向の動きを制限してそ
の飛び出しを防止するリテーナーリング、同じくヘッド
本体下部に設置され、ウェーハ上面を押圧する弾性体
膜、これらヘッド本体、リテーナーリング、及び弾性体
膜によって周囲を囲まれた空気室、この空気室に加圧用
の空気を導入する空気導入路等から構成されている。
能な定盤、この定盤上に貼付されている研磨パッド、ウ
ェーハを保持しつつその下面の研磨面を研磨パッド表面
に所定の圧力をもって押圧する回転可能なヘッド部等か
ら構成されている。また、このヘッド部は、ヘッド本
体、このヘッド本体下部に環状に設置され、研磨パッド
表面を押圧しつつウェーハの横方向の動きを制限してそ
の飛び出しを防止するリテーナーリング、同じくヘッド
本体下部に設置され、ウェーハ上面を押圧する弾性体
膜、これらヘッド本体、リテーナーリング、及び弾性体
膜によって周囲を囲まれた空気室、この空気室に加圧用
の空気を導入する空気導入路等から構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
ＣＭＰ装置においては、例えば研磨パッドやリテーナー
リング等の部品自体もその一部が研磨されるため、定期
的なメンテナンスが必要となる。しかし、その際に部品
交換を行った場合、その直後の研磨作業において、例え
ばウェーハの中央部及び周辺の端部が同一の研磨状態に
ならない等、所定の性能が得られないという傾向があっ
た。そして、この傾向は、近年、研磨パッドの材料とし
て、比較的硬い材質から比較的柔らかな材質を使用する
ようになってから特に顕著になってきた。
ＣＭＰ装置においては、例えば研磨パッドやリテーナー
リング等の部品自体もその一部が研磨されるため、定期
的なメンテナンスが必要となる。しかし、その際に部品
交換を行った場合、その直後の研磨作業において、例え
ばウェーハの中央部及び周辺の端部が同一の研磨状態に
ならない等、所定の性能が得られないという傾向があっ
た。そして、この傾向は、近年、研磨パッドの材料とし
て、比較的硬い材質から比較的柔らかな材質を使用する
ようになってから特に顕著になってきた。
【０００５】このため、実際の研磨工程においては、メ
ンテナンス等により部品交換を行った場合、所定の性能
が得られるまで、例えばウェーハの中央部及び周辺の端
部が同一の研磨レートで研磨されるようになるまで、ダ
ミーウェーハを用いた慣らし研磨処理をある一定時間行
うことが必要となっていた。こうして、ＣＭＰ装置のダ
ウンタイムが増大して、稼働率が低下するという問題を
生じていた。
ンテナンス等により部品交換を行った場合、所定の性能
が得られるまで、例えばウェーハの中央部及び周辺の端
部が同一の研磨レートで研磨されるようになるまで、ダ
ミーウェーハを用いた慣らし研磨処理をある一定時間行
うことが必要となっていた。こうして、ＣＭＰ装置のダ
ウンタイムが増大して、稼働率が低下するという問題を
生じていた。
【０００６】そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなさ
れたものであって、ＣＭＰ装置の部品交換を行った場合
であっても、慣らし研磨処理を必要とすることなく、直
ちに所定の性能をもった安定した研磨処理を行うことが
可能なＣＭＰ装置を提供することを目的とする。
れたものであって、ＣＭＰ装置の部品交換を行った場合
であっても、慣らし研磨処理を必要とすることなく、直
ちに所定の性能をもった安定した研磨処理を行うことが
可能なＣＭＰ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ＣＭＰ装置
の部品交換を行った際に、慣らし研磨処理を行うことな
く直ちに所定の性能をもった安定した研磨処理を実現す
べく鋭意実験を重ねた結果、部品交換直後のウェーハの
研磨状態は、ヘッド部の下部に環状に設置されているリ
テーナーリングの研磨パッド表面に接触する面の状態に
よって大きな影響を受けることが判明した。そして、研
磨処理の所定の性能、例えば研磨レートやその研磨レー
トのウェーハ面内均一性と、リテーナーリングの研磨パ
ッド表面に接触する面の状態との間に一定の相関関係が
あることを見出した。従って、 上記課題は、以下に述
べる本発明に係る研磨装置によって達成される。
の部品交換を行った際に、慣らし研磨処理を行うことな
く直ちに所定の性能をもった安定した研磨処理を実現す
べく鋭意実験を重ねた結果、部品交換直後のウェーハの
研磨状態は、ヘッド部の下部に環状に設置されているリ
テーナーリングの研磨パッド表面に接触する面の状態に
よって大きな影響を受けることが判明した。そして、研
磨処理の所定の性能、例えば研磨レートやその研磨レー
トのウェーハ面内均一性と、リテーナーリングの研磨パ
ッド表面に接触する面の状態との間に一定の相関関係が
あることを見出した。従って、 上記課題は、以下に述
べる本発明に係る研磨装置によって達成される。
【０００８】即ち、請求項１に係る研磨装置は、回転可
能な定盤上に貼付されている研磨パッドと、ウェーハを
保持しつつそのウェーハの研磨面を所定の圧力をもって
研磨パッド表面に押圧する回転可能なヘッド部と、を有
する研磨装置であって、ヘッド部の下部に環状に設置さ
れ、研磨パッド表面を押圧しつつウェーハの飛び出しを
防止するリテーナーリングを具備し、このリテーナーリ
ングの研磨パッド表面との接触面が、所定の滑らかさを
もつように表面加工されていることを特徴とする。
能な定盤上に貼付されている研磨パッドと、ウェーハを
保持しつつそのウェーハの研磨面を所定の圧力をもって
研磨パッド表面に押圧する回転可能なヘッド部と、を有
する研磨装置であって、ヘッド部の下部に環状に設置さ
れ、研磨パッド表面を押圧しつつウェーハの飛び出しを
防止するリテーナーリングを具備し、このリテーナーリ
ングの研磨パッド表面との接触面が、所定の滑らかさを
もつように表面加工されていることを特徴とする。
【０００９】このように請求項１に係る研磨装置におい
ては、ヘッド部の下部に環状に設置されているリテーナ
ーリングの研磨パッド表面との接触面が、所定の滑らか
さをもつように表面加工されていることにより、例えば
このリテーナーリングを交換した直後であっても、ダミ
ーウェーハを用いた慣らし研磨処理を行うことなく、安
定した研磨レートやその研磨レートの良好なウェーハ面
内均一性など、所定の性能をもった研磨処理が実現され
る。
ては、ヘッド部の下部に環状に設置されているリテーナ
ーリングの研磨パッド表面との接触面が、所定の滑らか
さをもつように表面加工されていることにより、例えば
このリテーナーリングを交換した直後であっても、ダミ
ーウェーハを用いた慣らし研磨処理を行うことなく、安
定した研磨レートやその研磨レートの良好なウェーハ面
内均一性など、所定の性能をもった研磨処理が実現され
る。
【００１０】なお、ここで、リテーナーリングの研磨パ
ッド表面との接触面の滑らかさの程度についていえば、
リテーナーリングの研磨パッド表面との接触面に形成さ
れた凹凸の最大深さが、０．８μｍであることが好適で
ある。
ッド表面との接触面の滑らかさの程度についていえば、
リテーナーリングの研磨パッド表面との接触面に形成さ
れた凹凸の最大深さが、０．８μｍであることが好適で
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の一実施
の形態に係るＣＭＰ装置の全体構造を示す概略斜視図で
あり、図２は図１のＣＭＰ装置のヘッド部の構造を示す
拡大断面図であり、図３は図２のヘッド部のリテーナー
リングの使用中の状態を示す断面図である。
本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の一実施
の形態に係るＣＭＰ装置の全体構造を示す概略斜視図で
あり、図２は図１のＣＭＰ装置のヘッド部の構造を示す
拡大断面図であり、図３は図２のヘッド部のリテーナー
リングの使用中の状態を示す断面図である。
【００１２】図１に示されるように、本発明の一実施の
形態に係るＣＭＰ装置は、自転可能な定盤１１、この定
盤１１上に貼付されている研磨パッド１２、ウェーハ１
３を保持しつつウェーハ１３下面の研磨面を研磨パッド
１２表面に所定の圧力をもって押圧する回転可能なヘッ
ド部１４、研磨パッド１２の面立て及び洗浄を行うドレ
ス機構部１５、研磨パッド１２表面にスラリー１６を供
給するスラリー供給機構部１７等から構成されている。
形態に係るＣＭＰ装置は、自転可能な定盤１１、この定
盤１１上に貼付されている研磨パッド１２、ウェーハ１
３を保持しつつウェーハ１３下面の研磨面を研磨パッド
１２表面に所定の圧力をもって押圧する回転可能なヘッ
ド部１４、研磨パッド１２の面立て及び洗浄を行うドレ
ス機構部１５、研磨パッド１２表面にスラリー１６を供
給するスラリー供給機構部１７等から構成されている。
【００１３】また、図２に示されるように、図１におけ
るヘッド部１４は、ヘッド本体１８、このヘッド本体１
８下部に環状に設置され、研磨パッド１２表面を押圧し
つつウェーハ１３の横方向の動きを制限してその飛び出
しを防止するリテーナーリング１９、同じくヘッド本体
１８下部に設置され、ウェーハ１３上面を押圧する弾性
体膜２０、これらヘッド本体１８、リテーナーリング１
９、及び弾性体膜２０によって周囲を囲まれた空気室２
１、この空気室２１に加圧用の空気を導入する空気導入
路２２等から構成されている。
るヘッド部１４は、ヘッド本体１８、このヘッド本体１
８下部に環状に設置され、研磨パッド１２表面を押圧し
つつウェーハ１３の横方向の動きを制限してその飛び出
しを防止するリテーナーリング１９、同じくヘッド本体
１８下部に設置され、ウェーハ１３上面を押圧する弾性
体膜２０、これらヘッド本体１８、リテーナーリング１
９、及び弾性体膜２０によって周囲を囲まれた空気室２
１、この空気室２１に加圧用の空気を導入する空気導入
路２２等から構成されている。
【００１４】そして、図３に示されるように、図２にお
けるヘッド部１４のリテーナーリング１９の研磨パッド
１２表面との接触面Ａが所定の滑らかさになるように予
め表面加工され、その表面に形成された凹凸の最大深さ
が０．８μｍとなっている、即ち表面粗さＲｍａｘが、
Ｒｍａｘ≦０．８Ｓとなっている点に特徴がある。
けるヘッド部１４のリテーナーリング１９の研磨パッド
１２表面との接触面Ａが所定の滑らかさになるように予
め表面加工され、その表面に形成された凹凸の最大深さ
が０．８μｍとなっている、即ち表面粗さＲｍａｘが、
Ｒｍａｘ≦０．８Ｓとなっている点に特徴がある。
【００１５】次に、このＣＭＰ装置の動作を説明する。
研磨時においては、ヘッド部１４がウェーハ１３を保持
しつつそのウェーハ１３下面の研磨面を研磨パッド１２
表面に所定の圧力をもって押圧する。即ち、ウェーハ１
３をリテーナーリング１９内に保持して外部に飛び出さ
ないようにしつつ、弾性体膜２０によってウェーハ１３
上面を下方に押圧する。このとき、加圧用空気導入路２
２から空気室２１に送られてくる加圧用の空気により、
ウェーハ１３下面の研磨面が全面的に同一の圧力をもっ
て研磨パッド１２表面に押圧されるようにする。そし
て、このような状態において、ヘッド部１４は自転及び
揺動運動を行う。
研磨時においては、ヘッド部１４がウェーハ１３を保持
しつつそのウェーハ１３下面の研磨面を研磨パッド１２
表面に所定の圧力をもって押圧する。即ち、ウェーハ１
３をリテーナーリング１９内に保持して外部に飛び出さ
ないようにしつつ、弾性体膜２０によってウェーハ１３
上面を下方に押圧する。このとき、加圧用空気導入路２
２から空気室２１に送られてくる加圧用の空気により、
ウェーハ１３下面の研磨面が全面的に同一の圧力をもっ
て研磨パッド１２表面に押圧されるようにする。そし
て、このような状態において、ヘッド部１４は自転及び
揺動運動を行う。
【００１６】また、ヘッド部１４によってウェーハ１３
下面の研磨面が押圧されている研磨パッド１２も、定盤
１１と共に所定の回転数で自転する。そして、このと
き、ヘッド部１４下部に環状に設置されているリテーナ
ーリング１９は、ウェーハ１３の外部への飛び出しを防
止するだけでなく、研磨パッド１２表面を押圧すること
により、図３に示されるように、ヘッド部１４の進行方
向(図中に矢印で表す)において研磨パッド１２表面に凸
形の突起部を形成しつつ、ウェーハ１３下面の研磨面に
接触している研磨パッド１２表面を平坦化する。こうし
て、平坦化された研磨パッド１２表面に接触するウェー
ハ１３下面の研磨面の中央部及び周辺端部が同一の研磨
レートで研磨されるようにしている。
下面の研磨面が押圧されている研磨パッド１２も、定盤
１１と共に所定の回転数で自転する。そして、このと
き、ヘッド部１４下部に環状に設置されているリテーナ
ーリング１９は、ウェーハ１３の外部への飛び出しを防
止するだけでなく、研磨パッド１２表面を押圧すること
により、図３に示されるように、ヘッド部１４の進行方
向(図中に矢印で表す)において研磨パッド１２表面に凸
形の突起部を形成しつつ、ウェーハ１３下面の研磨面に
接触している研磨パッド１２表面を平坦化する。こうし
て、平坦化された研磨パッド１２表面に接触するウェー
ハ１３下面の研磨面の中央部及び周辺端部が同一の研磨
レートで研磨されるようにしている。
【００１７】また、この研磨時には、同時にスラリー供
給機構部１７から研磨パッド１２表面にスラリー１６を
供給する。また、ドレス機構部１５による研磨パッド１
２表面のドレッシングは、研磨中及び／又は研磨前に行
う。このようにして、ウェーハ１３の研磨面の均一な研
磨を行う。
給機構部１７から研磨パッド１２表面にスラリー１６を
供給する。また、ドレス機構部１５による研磨パッド１
２表面のドレッシングは、研磨中及び／又は研磨前に行
う。このようにして、ウェーハ１３の研磨面の均一な研
磨を行う。
【００１８】以上のように本実施の形態によれば、ヘッ
ド部１４下部に環状に設置されているリテーナーリング
１９の研磨パッド表面との接触面Ａが所定の滑らかさに
なるように予め表面加工され、その表面粗さＲｍａｘ
が、Ｒｍａｘ≦０．８Ｓとなっていることにより、例え
ば定期的なメンテナンス等によってリテーナーリング１
９を交換した直後であっても、安定した研磨レートやそ
の研磨レートの良好なウェーハ面内均一性など、所定の
性能をもった研磨処理を直ちに実現することが可能にな
る。このため、部品交換直後にダミーウェーハを用いた
慣らし研磨処理を行う必要がなくなり、ＣＭＰ装置のダ
ウンタイムの増大を防止して、稼働率を向上することが
できる。
ド部１４下部に環状に設置されているリテーナーリング
１９の研磨パッド表面との接触面Ａが所定の滑らかさに
なるように予め表面加工され、その表面粗さＲｍａｘ
が、Ｒｍａｘ≦０．８Ｓとなっていることにより、例え
ば定期的なメンテナンス等によってリテーナーリング１
９を交換した直後であっても、安定した研磨レートやそ
の研磨レートの良好なウェーハ面内均一性など、所定の
性能をもった研磨処理を直ちに実現することが可能にな
る。このため、部品交換直後にダミーウェーハを用いた
慣らし研磨処理を行う必要がなくなり、ＣＭＰ装置のダ
ウンタイムの増大を防止して、稼働率を向上することが
できる。
【００１９】
【実施例】上記実施の形態に係るＣＭＰ装置を用いて、
下記のような具体的条件下において研磨処理を行った結
果を実施例として示す。 (第１の実施例)ヘッド部１４のリテーナーリング１９と
して、研磨パッド１２表面との接触面Ａの表面粗さＲｍ
ａｘが、Ｒｍａｘ＝０．８Ｓ程度となるように予め表面
加工したものを使用すると共に、研磨パッド１２として
発泡性軟質パッドを使用した。また、ウェーハ１３とし
て、その表面にポリシリコン膜を形成したものを使用
し、このポリシリコン膜を研磨対象とした。
下記のような具体的条件下において研磨処理を行った結
果を実施例として示す。 (第１の実施例)ヘッド部１４のリテーナーリング１９と
して、研磨パッド１２表面との接触面Ａの表面粗さＲｍ
ａｘが、Ｒｍａｘ＝０．８Ｓ程度となるように予め表面
加工したものを使用すると共に、研磨パッド１２として
発泡性軟質パッドを使用した。また、ウェーハ１３とし
て、その表面にポリシリコン膜を形成したものを使用
し、このポリシリコン膜を研磨対象とした。
【００２０】また、ヘッド部１４がウェーハ１３下面の
研磨面を研磨パッド１２表面に押圧する圧力（ウェーハ
押し付け圧）、リテーナーリング１９の接触面Ａが研磨
パッド１２表面を押圧する（リテーナーリング圧）、ヘ
ッド部１４及び定盤１１のそれぞれの回転数（ヘッド部
／定盤の回転数）、スラリー供給機構部１７から研磨パ
ッド１２表面に供給するスラリー１６の流量（スラリー
流量）をそれぞれ次のように設定した。
研磨面を研磨パッド１２表面に押圧する圧力（ウェーハ
押し付け圧）、リテーナーリング１９の接触面Ａが研磨
パッド１２表面を押圧する（リテーナーリング圧）、ヘ
ッド部１４及び定盤１１のそれぞれの回転数（ヘッド部
／定盤の回転数）、スラリー供給機構部１７から研磨パ
ッド１２表面に供給するスラリー１６の流量（スラリー
流量）をそれぞれ次のように設定した。
【００２１】ウェーハ押し付け圧＝２０６８４Ｐａ リテーナーリング圧＝３５８５３Ｐａ ヘッド部／定盤回転数＝１１３ｒｐｍ／１０３ｒｐｍ スラリー流量＝２２０ｍｌ／ｍｉｎ
【００２２】上記条件においてウェーハ１３表面のポリ
シリコン膜を研磨したところ、次のような結果が得られ
た。 研磨レート：３８０ｍｍ／ｍｉｎ 研磨レートの面内均一性：±６％
シリコン膜を研磨したところ、次のような結果が得られ
た。 研磨レート：３８０ｍｍ／ｍｉｎ 研磨レートの面内均一性：±６％
【００２３】(第２の実施例)ヘッド部１４のリテーナー
リング１９として、研磨パッド１２表面との接触面Ａの
表面粗さＲｍａｘが、Ｒｍａｘ＝０．６Ｓ程度となるよ
うに予め表面加工したものを使用する以外は、上記第１
の実施例の場合と同様の条件とした。
リング１９として、研磨パッド１２表面との接触面Ａの
表面粗さＲｍａｘが、Ｒｍａｘ＝０．６Ｓ程度となるよ
うに予め表面加工したものを使用する以外は、上記第１
の実施例の場合と同様の条件とした。
【００２４】この条件におけるウェーハ１３表面のポリ
シリコン膜に対する研磨結果は、次のようになった。 研磨レート：３９０ｍｍ／ｍｉｎ 研磨レートの面内均一性：±５％
シリコン膜に対する研磨結果は、次のようになった。 研磨レート：３９０ｍｍ／ｍｉｎ 研磨レートの面内均一性：±５％
【００２５】(比較例)上記第１及び第２の実施例と比較
するため、ヘッド部１４のリテーナーリング１９とし
て、研磨パッド１２表面との接触面Ａの表面粗さＲｍａ
ｘが、Ｒｍａｘ＝１．５Ｓ程度であるものを使用した。
そして、それ以外は、上記第１及び第２の実施例の場合
と同様の条件とした。
するため、ヘッド部１４のリテーナーリング１９とし
て、研磨パッド１２表面との接触面Ａの表面粗さＲｍａ
ｘが、Ｒｍａｘ＝１．５Ｓ程度であるものを使用した。
そして、それ以外は、上記第１及び第２の実施例の場合
と同様の条件とした。
【００２６】この条件におけるウェーハ１３表面のポリ
シリコン膜に対する研磨結果は、次のようになった。 研磨レート：２５０ｍｍ／ｍｉｎ 研磨レートの面内均一性：±１２％
シリコン膜に対する研磨結果は、次のようになった。 研磨レート：２５０ｍｍ／ｍｉｎ 研磨レートの面内均一性：±１２％
【００２７】以上の第１及び第２の実施例並びに比較例
の結果をグラフにすると、図４に示されるようになる。
この図４のグラフから明らかなように、リテーナーリン
グ１９の研磨パッド１２表面との接触面Ａの表面粗さＲ
ｍａｘが、Ｒｍａｘ＞０．８Ｓの場合においては、研磨
レートが相対的に小さくなり、且つ研磨レートの面内均
一性が相対的に悪化しているが、これに対して、Ｒｍａ
ｘ≦０．８Ｓの場合においては、研磨レートが相対的に
大きくなり、且つ研磨レートの面内均一性も相対的に良
好なものとなっている。しかも、Ｒｍａｘ≦０．８Ｓの
領域においては、研磨レートやその面内均一性の変動幅
も小さくなっている。
の結果をグラフにすると、図４に示されるようになる。
この図４のグラフから明らかなように、リテーナーリン
グ１９の研磨パッド１２表面との接触面Ａの表面粗さＲ
ｍａｘが、Ｒｍａｘ＞０．８Ｓの場合においては、研磨
レートが相対的に小さくなり、且つ研磨レートの面内均
一性が相対的に悪化しているが、これに対して、Ｒｍａ
ｘ≦０．８Ｓの場合においては、研磨レートが相対的に
大きくなり、且つ研磨レートの面内均一性も相対的に良
好なものとなっている。しかも、Ｒｍａｘ≦０．８Ｓの
領域においては、研磨レートやその面内均一性の変動幅
も小さくなっている。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明に係る
研磨装置によれば、次のような効果を奏することができ
る。即ち、請求項１に係る研磨装置によれば、ヘッド部
の下部に環状に設置されているリテーナーリングの研磨
パッド表面との接触面が、所定の滑らかさをもつように
表面加工されていることにより、例えばこのリテーナー
リングを交換した直後であっても、安定した研磨レート
やその研磨レートの良好なウェーハ面内均一性など、所
定の性能をもった研磨処理を直ちに実現することが可能
になる。このため、部品交換直後にダミーウェーハを用
いた慣らし研磨処理を行う必要がなくなり、研磨装置の
ダウンタイムの増大を防止して、稼働率を向上すること
ができる。
研磨装置によれば、次のような効果を奏することができ
る。即ち、請求項１に係る研磨装置によれば、ヘッド部
の下部に環状に設置されているリテーナーリングの研磨
パッド表面との接触面が、所定の滑らかさをもつように
表面加工されていることにより、例えばこのリテーナー
リングを交換した直後であっても、安定した研磨レート
やその研磨レートの良好なウェーハ面内均一性など、所
定の性能をもった研磨処理を直ちに実現することが可能
になる。このため、部品交換直後にダミーウェーハを用
いた慣らし研磨処理を行う必要がなくなり、研磨装置の
ダウンタイムの増大を防止して、稼働率を向上すること
ができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るＣＭＰ装置の全体
構造を示す概略斜視図である。
構造を示す概略斜視図である。
【図２】図１のＣＭＰ装置のヘッド部の構造を示す拡大
断面図である。
断面図である。
【図３】図２のヘッド部のリテーナーリングの使用中の
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図４】第１及び第２の実施例並びに比較例の結果を示
すグラフであって、リテーナーリングの研磨パッド表面
との接触面Ａの表面粗さＲｍａｘと研磨レート及びその
面内均一性との関係を示すものである。
すグラフであって、リテーナーリングの研磨パッド表面
との接触面Ａの表面粗さＲｍａｘと研磨レート及びその
面内均一性との関係を示すものである。
１１……定盤、１２……研磨パッド、１３……ウェー
ハ、１４……ヘッド部、１５……ドレス機構部、１６…
…スラリー、１７……スラリー供給機構部、１８……ヘ
ッド本体、１９……リテーナーリング、２０……弾性体
膜、２１……空気室、２２……空気導入路。
ハ、１４……ヘッド部、１５……ドレス機構部、１６…
…スラリー、１７……スラリー供給機構部、１８……ヘ
ッド本体、１９……リテーナーリング、２０……弾性体
膜、２１……空気室、２２……空気導入路。
Claims (2)
- 【請求項１】 回転可能な定盤上に貼付されている研磨
パッドと、 ウェーハを保持しつつ前記ウェーハの研磨面を所定の圧
力をもって前記研磨パッド表面に押圧する回転可能なヘ
ッド部と、を有する研磨装置であって、 前記ヘッド部の下部に環状に設置され、前記研磨パッド
表面を押圧しつつ前記ウェーハの飛び出しを防止するリ
テーナーリングを具備し、 前記リテーナーリングの前記研磨パッド表面との接触面
が、所定の滑らかさをもつように表面加工されているこ
とを特徴とする研磨装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の研磨装置において、 前記リテーナーリングの前記研磨パッド表面との接触面
に形成された凹凸の最大深さが、０．８μｍであること
を特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323672A JP2002126995A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323672A JP2002126995A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002126995A true JP2002126995A (ja) | 2002-05-08 |
Family
ID=18801313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000323672A Pending JP2002126995A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002126995A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006255851A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| WO2006114854A1 (ja) * | 2005-04-12 | 2006-11-02 | Nippon Seimitsu Denshi Co., Ltd. | Ｃｍｐ装置用リテーナリングとその製造方法、および、ｃｍｐ装置 |
| JP2009131946A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-06-18 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| KR101126662B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2012-03-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
-
2000
- 2000-10-24 JP JP2000323672A patent/JP2002126995A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101126662B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2012-03-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
| KR101214506B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2012-12-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
| JP2006255851A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| WO2006114854A1 (ja) * | 2005-04-12 | 2006-11-02 | Nippon Seimitsu Denshi Co., Ltd. | Ｃｍｐ装置用リテーナリングとその製造方法、および、ｃｍｐ装置 |
| JP2009131946A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-06-18 | Ebara Corp | 研磨装置 |
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