JP2002124594A

JP2002124594A - 半導体素子搭載部品及びそれを用いた半導体装置

Info

Publication number: JP2002124594A
Application number: JP2000323312A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Otaka; 達也大高
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2000-10-18
Filing date: 2000-10-18
Publication date: 2002-04-26

Abstract

(57)【要約】【課題】放熱性が従来とほぼ同程度に良好で、且つ低価
格なＴＢＧＡ用のスティフナ付き半導体素子搭載部品及
びそれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】絶縁フィルムから成るテープ基材３の片面
上に導体回路パターン２を形成し、その一部を絶縁皮膜
８で保護し、さらにウインドウホール部１１ａを形成し
たＴＡＢ配線テープ１１を、スティフナ９と貼り合わせ
た半導体素子搭載部品において、前記スティフナ９を設
けるため、配線テープ１１の導体回路パターン２面とは
反対側の面に、熱可塑性または熱硬化性の樹脂により、
所定の厚みを有し、且つ前記ウインドウホール部１１ａ
に対応する部分に半導体素子６の搭載される凹部９ａを
有するモールドレジン成形部１２をモールド成形する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スティフナと称さ
れる放熱板兼補強板の付いた半導体素子搭載部品及びそ
れを用いた半導体装置に係わり、特にスティフナ付きＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）配線テープと、それを
用いたＴＢＧＡ（Tape Ball Grid Array）構造の半導体
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩ素子のピンやリード等の出
入力数の増大にともなって、出入力の起点を平面に配置
できるＢＧＡ構造（ＣＳＰも含む）の半導体装置の要求
が高まっている。

【０００３】一方で、電子関連部品に対する低価格化の
要求も強く、新型構造であるＢＧＡ（Ball Grid Array
）もこの要求に答える構造の模索が進んでいる。低コ
スト化の中で、現在注目を浴びているのは、ＴＡＢ配線
テープを使用した半導体素子搭載部品及びこれを用いた
ＴＢＧＡパッケージ構造である。

【０００４】従来のスティフナ付きＴＢＧＡ構造の半導
体装置を図６に示す。これは、まず、ポリイミド樹脂製
絶縁フィルムから成るテープ基材３の片面に、ワイヤボ
ンディングパッド部２ａ、半田ボール取付パッド部２ｂ
及び引き回し配線部を有する導体回路パターン２を形成
し、半田ボール取付パッド部の存在する面上をフォトソ
ルダーレジスト（ＰＳＲ）から成る絶縁皮膜８で保護
し、さらに半導体素子６とワイヤボンディングを行うた
めの接続用ウインドウホール部を設けてＴＡＢ配線テー
プ１１を構成し、このＴＡＢ配線テープに、接着剤１０
を介して銅製放熱板から成るスティフナ１５を貼りつけ
て、スティフナ付きＴＡＢ配線テープ（半導体素子搭載
部品）とする。

【０００５】得られたスティフナ付きＴＡＢ配線テープ
を用いて半導体装置を組み立てる際には、そのスティフ
ナ１５に設けた凹部１５ａに半導体素子６を素子固定接
着剤７で接着し、半導体素子６の電極と半導体素子搭載
部品のワイヤボンディングパッド部２ａとを金ワイヤか
ら成るボンディングワイヤ４で接続し、ポッティングレ
ジン５で封止する。さらに半導体素子搭載部品の半田ボ
ール取付パッド部２ｂに半田ボール１を搭載する。

【０００６】このように、従来のＴＢＧＡ構造の半導体
素子搭載部品及びそれを用いた半導体装置は、ＴＡＢ配
線テープ（ＴＡＢテープ）、接着剤及びスティフナで構
成される。このスティフナは銅板等の金属板から成るの
が通例である。これは半導体素子で発生した熱をスムー
ズに外部へ伝導・伝達させるためである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スティ
フナの材料として金属板を採用すると、パッケージ重量
が大きくなる、コスト的に高くなる等の問題が発生す
る。さらには、素子設計の進歩により、３００ピン以上
の多ピンＬＳＩでも消費電力（発熱量）の小さいものが
登場する傾向にあり、スティフナを熱伝導率の良いもの
としなくても、半導体素子の動作上問題のないものが増
加するものと予想される。

【０００８】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、上記に述べた今後の製品動向に沿うべく、スティフ
ナを熱可塑性または熱硬化性の樹脂によりモールド成形
することにより、放熱性が従来とほぼ同程度に良好で、
且つ低価格なＴＢＧＡ用のスティフナ付き半導体素子搭
載部品及びそれを用いた半導体装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。

【００１０】（１）請求項１の発明に係る半導体素子搭
載部品は、絶縁フィルムから成るテープ基材の片面上に
導体回路パターンを形成し、その一部を絶縁皮膜で保護
し、さらに半導体素子の搭載される領域にウインドウホ
ール部を形成した配線テープを、前記ウインドウホール
部に対応する部分に凹部が形成されたスティフナと貼り
合わせた半導体素子搭載部品において、前記スティフナ
を設けるため、前記配線テープの導体回路パターン面と
は反対側の面に、熱可塑性または熱硬化性の樹脂によ
り、所定の厚みを有し、且つ前記ウインドウホール部に
対応する部分に半導体素子の搭載される凹部を有するモ
ールドレジン成形部をモールド成形したことを特徴とす
る。

【００１１】本発明において、配線テープの導体回路パ
ターン面と反対側の面にモールドレジン成形部をモール
ド成形すると言った場合、接着剤なしで配線テープをス
ティフナと貼り合わせる形態と、そして接着剤を介して
配線テープをスティフナと貼り合わせた形態の両者を含
む。モールドレジン成形部を成形するモールド法として
は、インジェクションモールドまたはトランスファモー
ルドのいずれであってもよい。

【００１２】（２）請求項２の発明に係る半導体素子搭
載部品は、絶縁フィルムから成るテープ基材の片面上
に、複数のピース分の導体回路パターンを形成し、その
各導体回路パターンの一部を絶縁皮膜で保護し、さらに
半導体素子の搭載される領域にウインドウホール部を形
成したＴＡＢ配線テープに対し、ピース毎にスティフナ
を設けるため、各ピースの導体回路パターン面とは反対
側の面に、熱可塑性または熱硬化性の樹脂により、所定
の厚みを有し、且つ前記ウインドウホール部に対応する
部分に半導体素子の搭載される凹部を有するモールドレ
ジン成形部をモールド成形し、これにより得られたステ
ィフナ付きＴＡＢ配線テープ又はこれから各ピース毎に
切り離した個別のユニットを半導体素子搭載用中間製品
としたことを特徴とする。

【００１３】（３）請求項３の発明は、請求項２記載の
スティフナ付きＴＡＢ配線テープの所定個数のピース分
を、１単位の回路基板シートとして取り扱い、その１又
は２以上の回路基板シートの周囲をリードフレームの外
枠に模した構造材に連結又は接着し、リードフレーム状
の大きさの半導体素子搭載用中間製品としたことを特徴
とする。

【００１４】上記構造材は上記モールドレジン成形部の
モールド成形と同時に作成したものでも良いし、また別
個に用意されたものでも良い。後者の形態としては、例
えば金属製又は樹脂製のキャリアフレームに、長方形の
開口部を設け、このフレーム開口部に対して、片面に回
路パターンの付いたフレキシブル回路基板シートを接着
剤で貼り付けた構造の半導体装置用中間製品とすること
ができる。

【００１５】（４）請求項４の発明は、請求項１、２又
は３記載の半導体素子搭載部品において、前記絶縁フィ
ルムから成るテープ基材と前記スティフナのモールドレ
ジン成形部との間に、熱硬化性の接着剤層を設けたこと
を特徴とする。

【００１６】（５）請求項５の発明は、請求項１、２、
３又は４記載の半導体素子搭載部品において、半導体素
子を搭載する前記スティフナのモールドレジン成形部に
おける凹部内の表面領域の一部または全体について、そ
の表面粗さＲｍａｘを２〜２０μｍとしたことを特徴と
する。

【００１７】（６）請求項６の発明に係る半導体装置
は、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体素子搭載部
品を用い、前記モールド成形されたスティフナの凹部内
に半導体素子を搭載し、この半導体素子の電極と前記導
通回路パターンの一部とをワイヤボンディングにより電
気的に結線し、さらにその半導体素子の近傍をポッティ
ングレジン等により封止し、前記導通回路パターンの一
部に半田ボールを搭載したことを特徴とする。

【００１８】＜発明の要点＞本発明の要点は、ＴＢＧＡ
の放熱板であるスティフナの部分をモールド法（インジ
ェクションモールドまたはトランスファモールド）によ
って成形可能な熱可塑性もしくは熱硬化性の樹脂にて形
成したことにある。

【００１９】成形される樹脂には、ＴＡＢテープ材との
密着性がまず重要となる。したがって、この点で、特性
の安定しているＬＳＩパッケージ用のモールド材料を使
用することが望ましい。

【００２０】スティフナのモールド成形に用いることの
できる樹脂としては、例えば熱可塑性樹脂の場合は、Ｇ
ＰＰＳ（汎用ポリスチレン）樹脂、ＰＢＴ（ポリブチレ
ンテレフタレート）樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエー
テルケトン）樹脂、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）樹
脂等がある。また、熱硬化性樹脂としては、例えばガラ
スクロスを混在させたエポキシ樹脂を挙げることができ
る。

【００２１】さらにスティフナのモールドレジン成形部
とのより高い密着性を要求する場合には、テープ基材と
モールドレジン成形部との間に、ＴＡＢテープ基材（主
にポリイミド樹脂、例えば宇部興産株式会社製の商品名
「ユーピレックス」）との密着性およびモールドレジン
材との密着性に優れる、熱硬化性の樹脂層を設けること
が望ましい（請求項４）。

【００２２】また、半導体素子搭載後、半導体素子周辺
はポッティングレジンで封止されるため、凹部（cavit
y）内の素子搭載部周辺の表面粗さをＲｍａｘ２〜２０
μｍ程度に荒くして、ポッティングレジンおよび素子固
定材との密着性を向上させることが望ましい。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。

【００２４】＜第１の実施形態＞図１に本発明の第１の
実施形態を示す。図に示すＬＳＩ半導体装置は、ポリイ
ミド樹脂製絶縁フィルムから成るテープ基材３の片面上
に、ワイヤボンディングパッド部２ａ、半田ボール取付
パッド部２ｂ及び引き回しリード部を含む導体回路パタ
ーン２を形成し、その一部、つまり半田ボール取付パッ
ド部の存在する面上をフォトソルダーレジスト（ＰＳ
Ｒ）から成る絶縁皮膜８で保護し、さらに半導体素子６
とワイヤボンディングを行うための接続用ウインドウホ
ール部１１ａを設けてＴＡＢ配線テープ１１を構成し、
このＴＡＢ配線テープ１１に、上記ウインドウホール部
１１ａに対応する部分に凹部９ａが形成された熱可塑性
または熱硬化性の樹脂から成るスティフナ９を、接着剤
なしで貼り合わせた構造のスティフナ付きＴＡＢ配線テ
ープを半導体素子搭載部品として用いている。

【００２５】上記スティフナ９の貼り合わせ構造を得る
手段として、具体的には、上記ＴＡＢ配線テープ１１の
導体回路パターン２の面とは反対側の面に、熱可塑性ま
たは熱硬化性の樹脂により、所定の厚みを有し、且つ上
記ウインドウホール部１１ａに対応する部分に半導体素
子６の搭載される凹部９ａ［凹型のくぼみ（cavity）］
を有するモールドレジン成形部１２をモールド成形し、
これをスティフナ９としている。

【００２６】このスティフナ９は熱可塑性または熱硬化
性の樹脂のモールドレジン成形部１２から成るため、通
常の金属板スティフナを用いたＴＢＧＡパッケージ構造
とほぼ同程度の良好な放熱性を有し、安価で、信頼性に
優れるＴＢＧＡと類似のパッケージ構造が、容易に工業
的に得ることができる。

【００２７】次に実施例について述べる。

【００２８】ＴＡＢ配線テープ１１は、３層ＴＡＢテー
プ材で、テープ基材３としては７５μｍ厚のポリイミド
樹脂製絶縁フィルムを使用した。その回路パターン２の
銅箔は１８μｍ厚、絶縁皮膜８のフォトソルダーレジス
ト（ＰＳＲ）層は２０μｍ厚である。このＴＡＢ配線テ
ープ１１の直下に、０．７６ｍｔの熱可塑性レジンをイ
ンジェクション法によりモールド成形し、モールドレジ
ン成形部１２から成るスティフナ９を形成した。

【００２９】このモールド成形されたＴＢＧＡのスティ
フナ９のほぼ中央部に位置する凹部（cavity部）９ａ
に、半導体素子６を素子固定接着剤７にて固定し、ボン
ディングワイヤ４により、半導体素子６の電極とワイヤ
ボンディングパッド部２ａとのワイヤボンディングを行
ってから、ポッティング法によるポッティングレジン５
によって、その電気的接続部（半導体素子６、ボンディ
ングワイヤ４及びワイヤボンディングパッド部２ａ及び
その周辺部）を樹脂封止し、さらに半田ボール取付パッ
ド部２ｂに半田ボール１を搭載して、ＴＢＧＡ半導体装
置の製品を完成した。

【００３０】次に、上記スティフナ付きＴＢＧＡ半導体
装置の製造方法を図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ｅ）〜
（ｇ）に示す。

【００３１】まず、ＴＡＢ配線テープ１１の素子搭載部
である凹部９ａに対応する部分を、ＴＡＢ開口部１６と
してあらかじめ開口しておく（図２（ａ））。このＴＡ
Ｂ配線テープ１１を、凹部用上金型１７−１と平坦部用
上金型１７−３から成る上型と、凹部用下金型１７−２
とから成るモールド金型１７で挟み込む（図２
（ｂ））。そして、インジェクション法により、凹部用
下金型１７−２の金型空間部（モールドレジン成形金型
部）１８内へモールドレジンランナ１９よりモールドレ
ジン２０を射出し、モールド成形する（図２（ｃ）
（ｄ））。

【００３２】ＴＡＢ配線テープ１１をモールド金型１７
にて挟み込む際、ＴＡＢ配線テープ１１とモールド金型
１７の密着を確保する必要があり、平坦部用上金型１７
−３のＴＡＢ配線テープ１１との密着領域は、真空吸着
等による密着機構を採用することが望ましい。

【００３３】このようにして、ＴＡＢ配線テープ１１
に、スティフナ９としての凹状のモールドレジン成形部
１２を単数個又は複数個単位で成形する（図３（ｅ）
（ｆ））。次いで、このスティフナ付きＴＡＢ配線テー
プ１１から、ピース毎に個別のユニット１４に切り離
し、半導体素子搭載部品の完成された製品とする。

【００３４】本発明は上記実施形態に限られるものでは
ない。例えば、スティフナ付きＴＡＢ配線テープ１１か
ら個別のユニット１４への切り離しは、図３（ｆ）の状
態のスティフナ付きＴＡＢ配線テープ１１において、モ
ールドレジン成形部１２からスティフナ９の凹部９ａに
半導体素子６を搭載し、ワイヤボンディング後にポッテ
ィングレジン５にて素子封止をしてから行う方法も考え
られる。

【００３５】また、スティフナ９としてのモールド部を
複数のピース分だけ複数個同時に形成することもでき、
この場合は、それらのモールドレジン成形部１２を、同
時にモールドしたリードフレームの外枠等の形状に類似
した構造材で連結し、リードフレーム状にて半導体素子
を搭載する方法も考えられる。

【００３６】この実施形態としては、次のものが考えら
れる。即ち、絶縁フィルムから成るテープ基材３の片面
上に、複数のピース分の導体回路パターン２を形成し、
その各導体回路パターン２の一部を絶縁皮膜８で保護
し、さらに半導体素子６の搭載される領域にウインドウ
ホール部１１ａを形成したＴＡＢ配線テープ１１に対
し、ピース毎にスティフナ９を設けるため、各ピースの
導体回路パターン面とは反対側の面に、熱可塑性または
熱硬化性の樹脂により、所定の厚みを有し、且つ上記ウ
インドウホール部に対応する部分に半導体素子の搭載さ
れる凹部９ａを有するモールドレジン成形部１２をモー
ルド成形し、スティフナ付きＴＡＢ配線テープとするこ
とを前提とする。そして、そのモールド成形の際、上記
スティフナ付きＴＡＢ配線テープの所定個数のピース分
を１単位の回路基板シートとして取り扱い、その１又は
２以上の回路基板シートの周囲を、上記モールド成形に
より同時に形づくられるリードフレームの外枠に模した
構造材（図示せず）により連結又は接着し、リードフレ
ーム状の大きさの半導体素子搭載用中間製品（半導体素
子搭載部品）とするものである。

【００３７】しかし、上記スティフナ付きＴＡＢ配線テ
ープから、所定個数のピース分を１単位の回路基板シー
トとして切り出し、その１又は２以上の回路基板シート
を、個別に用意されたリードフレームの外枠に模した構
造材の開口部に連結又は接着し、リードフレーム状の大
きさの半導体素子搭載用中間製品とすることもできる。

【００３８】＜第２の実施形態＞図４に本発明の第２の
実施形態を示す。これは、先に述べたように、ＴＢＧＡ
パッケージ構造の半導体装置における構造上の信頼性を
決める大きな要素のうちの一つに、ＴＡＢ配線テープと
モールドレジン間の密着性の問題があることを考慮した
ものである。図４は、この密着性を改善するために、熱
硬化性の接着剤１０、ここでは主にポリイミド樹脂（例
えば宇部興産株式会社製の商品名「ユーピレックス」）
の層を、ＴＡＢ配線テープ１１とモールドレジン間、正
確にはテープ基材３とスティフナ９たるモールドレジン
成形部１２との間に設ける構造としたものである。この
接着剤１０は、上述した実施例と同じ条件の下におい
て、１２μｍ厚で設けた。

【００３９】このように熱硬化性の接着剤１０を介在さ
せることにより、ＴＡＢ配線テープとモールドレジン間
の密着性の良好とすることに関し、効果の大きい構造が
得られる。

【００４０】＜第３の実施形態＞図５に本発明の第３の
実施形態を示す。これは、半導体素子を搭載するスティ
フナ９のモールドレジン成形部１２における凹部９ａ内
の表面領域の全体について、その表面粗さＲｍａｘを２
〜２０μｍ程度とした粗化部１３を形成し、モールドレ
ジン成形部１２と素子固定接着剤７又はポッティングレ
ジン５との密着性を向上させた構造としたものである。

【００４１】この粗化部１３は、半導体素子を搭載する
スティフナ９のモールドレジン成形部１２における凹部
９ａ内の表面領域の一部について設けてもよく、その部
分について、素子固定接着剤７又はポッティングレジン
５との密着性を向上させることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような優れた効果が得られる。

【００４３】（１）請求項１又は２の発明によれば、ス
ティフナを設けるため、配線テープの導体回路パターン
面とは反対側の面に、熱可塑性または熱硬化性の樹脂に
より、所定の厚みを有し、且つ前記ウインドウホール部
に対応する部分に半導体素子の搭載される凹部を有する
モールドレジン成形部をモールド成形したので、スティ
フナの放熱性は通常の金属製スティフナとほぼ同程度で
あり、安価で、信頼性に優れるスティフナ付きＴＡＢ配
線テープから成る半導体素子搭載部品を、容易に工業的
に製造することができる。

【００４４】（２）請求項３の発明によれば、スティフ
ナ付きＴＡＢ配線テープの所定個数のピース分を、１単
位の回路基板シートとして取り扱い、その１又は２以上
の回路基板シートの周囲をリードフレームの外枠に模し
た構造材に連結又は接着し、リードフレーム状の大きさ
の半導体素子搭載用中間製品としたので、その後の製造
工程を、従来のリードフレーム製造の既存設備にて処理
することができる。

【００４５】（３）請求項４の発明によれば、絶縁フィ
ルムから成るテープ基材とスティフナのモールドレジン
成形部との間に、熱硬化性の接着剤層を設けたので、Ｔ
ＡＢ配線テープとモールドレジン成形部との間の密着性
を良好にすることができる。

【００４６】（４）請求項５の発明によれば、スティフ
ナのモールドレジン成形部における凹部内の表面領域の
一部または全体について、その表面粗さＲｍａｘを２〜
２０μｍとしたので、その後に設けられるポッティング
レジンおよび素子固定材との密着性を向上させることが
望ましい。

【００４７】（５）請求項６の発明によれば、上記半導
体素子搭載部品を用いて半導体装置を構成したので、モ
ールドレジン成形部から成るスティフナを備えた、安価
で、信頼性に優れるＴＢＧＡパッケージ構造の半導体装
置を、容易に工業的に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の第１の実施形態を示す右
半分の断面図である。

【図２】本発明の半導体装置の製造工程の一部を示す図
である。

【図３】本発明の半導体装置の製造工程の続きを示す図
である。

【図４】本発明の半導体装置の第２の実施形態を示す右
半分の断面図である。

【図５】本発明の半導体装置の第３の実施形態を示す右
半分の断面図である。

【図６】従来の半導体装置の構造を示す右半分の断面図
である。

【符号の説明】

１半田ボール２導体回路パターン３テープ基材４ボンディングワイヤ５ポッティングレジン６半導体素子７素子固定接着剤８絶縁皮膜９スティフナ９ａ凹部１０接着剤１１ＴＡＢ配線テープ１１ａウインドウホール部１２モールドレジン成形部１３粗化部１４ユニット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁フィルムから成るテープ基材の片面上
に導体回路パターンを形成し、その一部を絶縁皮膜で保
護し、さらに半導体素子の搭載される領域にウインドウ
ホール部を形成した配線テープを、前記ウインドウホー
ル部に対応する部分に凹部が形成されたスティフナと貼
り合わせた半導体素子搭載部品において、前記スティフナを設けるため、前記配線テープの導体回
路パターン面とは反対側の面に、熱可塑性または熱硬化
性の樹脂により、所定の厚みを有し、且つ前記ウインド
ウホール部に対応する部分に半導体素子の搭載される凹
部を有するモールドレジン成形部をモールド成形したこ
とを特徴とする半導体素子搭載部品。
【請求項２】絶縁フィルムから成るテープ基材の片面上
に、複数のピース分の導体回路パターンを形成し、その
各導体回路パターンの一部を絶縁皮膜で保護し、さらに
半導体素子の搭載される領域にウインドウホール部を形
成したＴＡＢ配線テープに対し、ピース毎にスティフナを設けるため、各ピースの導体回
路パターン面とは反対側の面に、熱可塑性または熱硬化
性の樹脂により、所定の厚みを有し、且つ前記ウインド
ウホール部に対応する部分に半導体素子の搭載される凹
部を有するモールドレジン成形部をモールド成形し、これにより得られたスティフナ付きＴＡＢ配線テープ又
はこれから各ピース毎に切り離した個別のユニットを半
導体素子搭載用中間製品としたことを特徴とする半導体
素子搭載部品。
【請求項３】請求項２記載のスティフナ付きＴＡＢ配線
テープの所定個数のピース分を、１単位の回路基板シー
トとして取り扱い、その１又は２以上の回路基板シート
の周囲をリードフレームの外枠に模した構造材に連結又
は接着し、リードフレーム状の大きさの半導体素子搭載
用中間製品としたことを特徴とする半導体素子搭載部
品。
【請求項４】請求項１、２又は３記載の半導体素子搭載
部品において、前記絶縁フィルムから成るテープ基材と
前記スティフナのモールドレジン成形部との間に、熱硬
化性の接着剤層を設けたことを特徴とする半導体素子搭
載部品。
【請求項５】請求項１、２、３又は４記載の半導体素子
搭載部品において、半導体素子を搭載する前記スティフ
ナのモールドレジン成形部における凹部内の表面領域の
一部または全体について、その表面粗さＲｍａｘを２〜
２０μｍとしたことを特徴とする半導体素子搭載部品。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の半導体素
子搭載部品を用い、前記モールド成形されたスティフナ
の凹部内に半導体素子を搭載し、この半導体素子の電極
と前記導通回路パターンの一部とをワイヤボンディング
により電気的に結線し、さらにその半導体素子の近傍を
ポッティングレジン等により封止し、前記導通回路パタ
ーンの一部に半田ボールを搭載したことを特徴とする半
導体装置。