JP2002124506A - 酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法 - Google Patents
酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＴＯ膜を速い速度でエッチングすることが
可能で、かつ水質に負荷をかけることなく廃水処理する
ことが可能なＩＴＯ膜用エッチング液を提供するもので
ある。 【解決手段】 酸化インジウム錫をエッチングする有機
酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着し、表面電位
（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有し、かつ分子
内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面活性剤を含有
する。
可能で、かつ水質に負荷をかけることなく廃水処理する
ことが可能なＩＴＯ膜用エッチング液を提供するもので
ある。 【解決手段】 酸化インジウム錫をエッチングする有機
酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着し、表面電位
（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有し、かつ分子
内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面活性剤を含有
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等の
組み込まれる透明導電膜である酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）膜に使用されるエッチング液に関する。
組み込まれる透明導電膜である酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）膜に使用されるエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＴＯ膜のエッチングにはシュウ
酸水溶液が用いられている。しかしながら、このシュウ
酸水溶液はＩＴＯ膜を溶出する速度か遅いため、結果と
してエッチング速度が低いという問題があった。
酸水溶液が用いられている。しかしながら、このシュウ
酸水溶液はＩＴＯ膜を溶出する速度か遅いため、結果と
してエッチング速度が低いという問題があった。
【０００３】このようなことから、特開平７−１４１９
３２号公報にはシュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスル
ホン酸を添加したＩＴＯ膜用エッチング液が開示されて
いる。このエッチング液は、シュウ酸単独の水溶液に比
べてＩＴＯ膜のエッチング速度が向上するものの、分子
内にベンゼン環を有するため廃液処理する場合ＢＯＤが
高くなる問題があった。
３２号公報にはシュウ酸水溶液にドデシルベンゼンスル
ホン酸を添加したＩＴＯ膜用エッチング液が開示されて
いる。このエッチング液は、シュウ酸単独の水溶液に比
べてＩＴＯ膜のエッチング速度が向上するものの、分子
内にベンゼン環を有するため廃液処理する場合ＢＯＤが
高くなる問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＩＴＯ膜を
速い速度でエッチングすることが可能で、かつ水質に負
荷をかけることなく廃水処理することが可能なＩＴＯ膜
用エッチング液を提供するものである。
速い速度でエッチングすることが可能で、かつ水質に負
荷をかけることなく廃水処理することが可能なＩＴＯ膜
用エッチング液を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る酸化インジ
ウム錫膜用エッチング液は、酸化インジウム錫をエッチ
ングする有機酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着
し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有
し、かつ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤を含有することを特徴とするものである。
ウム錫膜用エッチング液は、酸化インジウム錫をエッチ
ングする有機酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着
し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有
し、かつ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤を含有することを特徴とするものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）膜用エッチング液を参照して詳細に説明
する。
ム錫（ＩＴＯ）膜用エッチング液を参照して詳細に説明
する。
【０００７】このＩＴＯ膜用エッチング液は、ＩＴＯを
エッチングする有機酸と、ＩＴＯ膜の表面に吸着し、表
面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有し、か
つ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面活性剤
とを水に溶解した組成を有する。
エッチングする有機酸と、ＩＴＯ膜の表面に吸着し、表
面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有し、か
つ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面活性剤
とを水に溶解した組成を有する。
【０００８】前記有機酸としては、例えばシュウ酸、マ
レイン酸、マロン酸等を挙げることができる。この有機
酸の中で、シュウ酸はＡｌ等の配線材料を腐食せず、か
つ安価であるため有効である。
レイン酸、マロン酸等を挙げることができる。この有機
酸の中で、シュウ酸はＡｌ等の配線材料を腐食せず、か
つ安価であるため有効である。
【０００９】前記有機酸は、水に対して０．１〜３．５
重量％配合させることが好ましい。有機酸の配合量を
０．１重量％未満にすると、ＩＴＯ膜を十分な速度で溶
解することが困難になる虞がある。一方、有機酸の配合
量が３．５重量％を超えると、例えば有機酸がシュウ酸
の場合、二水和物として析出する虞がある。
重量％配合させることが好ましい。有機酸の配合量を
０．１重量％未満にすると、ＩＴＯ膜を十分な速度で溶
解することが困難になる虞がある。一方、有機酸の配合
量が３．５重量％を超えると、例えば有機酸がシュウ酸
の場合、二水和物として析出する虞がある。
【００１０】前記陰イオン性界面活性剤としては、例え
ばドデシル酸トリエタノールアミン塩、ドデシル硫酸ア
ンモニウム、テトラデシル硫酸アンモニウム、７−エル
チ−２−メチルウンデカノール−４−硫酸アンモニウム
等を挙げることができる。
ばドデシル酸トリエタノールアミン塩、ドデシル硫酸ア
ンモニウム、テトラデシル硫酸アンモニウム、７−エル
チ−２−メチルウンデカノール−４−硫酸アンモニウム
等を挙げることができる。
【００１１】前記陰イオン性界面活性剤は、水に対して
１〜１００００ｐｐｍ配合することが好ましい。陰イオ
ン性界面活性剤の配合量を１ｐｐ未満にするとその配合
効果でエッチング速度の向上をはかることが困難にな
る。一方、陰イオン性界面活性剤の配合量が１００００
ｐｐｍを超えるとエッチング液が泡立って使用が困難に
なる。
１〜１００００ｐｐｍ配合することが好ましい。陰イオ
ン性界面活性剤の配合量を１ｐｐ未満にするとその配合
効果でエッチング速度の向上をはかることが困難にな
る。一方、陰イオン性界面活性剤の配合量が１００００
ｐｐｍを超えるとエッチング液が泡立って使用が困難に
なる。
【００１２】以上説明した本発明に係るエッチング液
は、シュウ酸のような有機酸とドデシル酸トリエタノー
ルアミン塩のようなＩＴＯ膜表面に吸着し、表面電位
（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有する陰イオン
性界面活性剤とを水に溶解した組成を有するため、ＩＴ
Ｏ膜をエッチング速度を高めることができる。
は、シュウ酸のような有機酸とドデシル酸トリエタノー
ルアミン塩のようなＩＴＯ膜表面に吸着し、表面電位
（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有する陰イオン
性界面活性剤とを水に溶解した組成を有するため、ＩＴ
Ｏ膜をエッチング速度を高めることができる。
【００１３】すなわち、ＩＴＯ膜を有機酸、例えばシュ
ウ酸の水溶液でエッチングする場合、前記ＩＴＯ膜の表
面電位の絶対値を大きくしてＩＴＯ膜表面から溶出する
ＩＴＯ粒子表面間の電気的斥力を大きくする必要があ
る。
ウ酸の水溶液でエッチングする場合、前記ＩＴＯ膜の表
面電位の絶対値を大きくしてＩＴＯ膜表面から溶出する
ＩＴＯ粒子表面間の電気的斥力を大きくする必要があ
る。
【００１４】このような性質を有するシュウ酸水溶液に
対するＩＴＯ膜の表面電位が負電位であることから、ド
デシル酸トリエタノールアミン塩のようなＩＴＯ膜表面
に吸着し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性
質を有する陰イオン性界面活性剤を添加すると、ＩＴＯ
膜表面に吸着して前記ＩＴＯ膜表面の負電位をより大き
くすることができる。また、前記ＩＴＯ膜がシュウ酸に
より溶出したＩＴＯ粒子表面にも前記界面活性剤が吸着
する。その結果、ＩＴＯ膜、ＩＴＯ粒子間の電気的斥力
は大きくなって、ＩＴＯ粒子がＩＴＯ膜表面から拡散す
る力が大きくなるため、ＩＴＯ膜のエッチング速度を高
めることができる。
対するＩＴＯ膜の表面電位が負電位であることから、ド
デシル酸トリエタノールアミン塩のようなＩＴＯ膜表面
に吸着し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性
質を有する陰イオン性界面活性剤を添加すると、ＩＴＯ
膜表面に吸着して前記ＩＴＯ膜表面の負電位をより大き
くすることができる。また、前記ＩＴＯ膜がシュウ酸に
より溶出したＩＴＯ粒子表面にも前記界面活性剤が吸着
する。その結果、ＩＴＯ膜、ＩＴＯ粒子間の電気的斥力
は大きくなって、ＩＴＯ粒子がＩＴＯ膜表面から拡散す
る力が大きくなるため、ＩＴＯ膜のエッチング速度を高
めることができる。
【００１５】また、ドデシル酸トリエタノールアミン塩
のような分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤を用いることによって、廃水処理時においてＢＯ
Ｄの増大等の水質の負荷増加を回避することができる。
のような分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤を用いることによって、廃水処理時においてＢＯ
Ｄの増大等の水質の負荷増加を回避することができる。
【００１６】
【実施例】以下、好ましい実施例を詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）シュウ酸３．４重量％および
純水９６．６重量％のシュウ酸水溶液にドデシル酸トリ
エタノールアミン塩を０．０３〜０．３８重量％添加し
てエッチング液を調製した。これらエッチング液および
シュウ酸水溶液にＩＴＯ粒子を浸漬してＩＴＯ粒子表面
のゼータ電位を測定した。その結果を図１に示す。
純水９６．６重量％のシュウ酸水溶液にドデシル酸トリ
エタノールアミン塩を０．０３〜０．３８重量％添加し
てエッチング液を調製した。これらエッチング液および
シュウ酸水溶液にＩＴＯ粒子を浸漬してＩＴＯ粒子表面
のゼータ電位を測定した。その結果を図１に示す。
【００１８】図１から明らかなようにドデシル酸トリエ
タノールアミン塩を添加したエッチング液はこのドデシ
ル酸トリエタノールアミン塩無添加のシュウ酸水溶液に
比べてＩＴＯ粒子表面のゼータ電位を負方向にシフトで
きることがわかる。
タノールアミン塩を添加したエッチング液はこのドデシ
ル酸トリエタノールアミン塩無添加のシュウ酸水溶液に
比べてＩＴＯ粒子表面のゼータ電位を負方向にシフトで
きることがわかる。
【００１９】（実施例２）シュウ酸３．４重量％および
純水９６．６重量％のシュウ酸水溶液にドデシル酸トリ
エタノールアミン塩を３．８×１０-11〜０．３８重量
％添加してエッチング液を調製した。これらエッチング
液（温度４０℃）にＩＴＯ膜が被覆されたガラス基板を
浸漬してＩＴＯ膜のエッチング速度を接触式膜厚測定器
により測定した。その結果を図２に示す。
純水９６．６重量％のシュウ酸水溶液にドデシル酸トリ
エタノールアミン塩を３．８×１０-11〜０．３８重量
％添加してエッチング液を調製した。これらエッチング
液（温度４０℃）にＩＴＯ膜が被覆されたガラス基板を
浸漬してＩＴＯ膜のエッチング速度を接触式膜厚測定器
により測定した。その結果を図２に示す。
【００２０】図２から明らかなようにシュウ酸およびド
デシル酸トリエタノールアミン塩が溶解されたエッチン
グ液において、ドデシル酸トリエタノールアミン塩を添
加量を増大することによりＩＴＯ膜のエッチング速度を
増大できることがわかる。特に、ドデシル酸トリエタノ
ールアミン塩の濃度を３．８×１０-７以上にすること
によって、ドデシル酸トリエタノールアミン塩無添加の
シュウ酸水溶液に比べてＩＴＯ膜のエッチング速度を１
０％程度増加できた。
デシル酸トリエタノールアミン塩が溶解されたエッチン
グ液において、ドデシル酸トリエタノールアミン塩を添
加量を増大することによりＩＴＯ膜のエッチング速度を
増大できることがわかる。特に、ドデシル酸トリエタノ
ールアミン塩の濃度を３．８×１０-７以上にすること
によって、ドデシル酸トリエタノールアミン塩無添加の
シュウ酸水溶液に比べてＩＴＯ膜のエッチング速度を１
０％程度増加できた。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ｉ
ＴＯ膜を速い速度でエッチングすることが可能で、かつ
水質に負荷をかけることなく廃水処理することができ、
液晶表示装置の透明電極を形成するためのパターニング
工程に有用なＩＴＯ膜用エッチング液を提供できる。
ＴＯ膜を速い速度でエッチングすることが可能で、かつ
水質に負荷をかけることなく廃水処理することができ、
液晶表示装置の透明電極を形成するためのパターニング
工程に有用なＩＴＯ膜用エッチング液を提供できる。
【図１】本発明の実施例１におけるエッチング液に添加
されるドデシル酸トリエタノールアミン塩の量とＩＴＯ
粒子表面のゼータ電位との関係を示す特性図。
されるドデシル酸トリエタノールアミン塩の量とＩＴＯ
粒子表面のゼータ電位との関係を示す特性図。
【図２】本発明の実施例２におけるエッチング液に添加
されるドデシル酸トリエタノールアミン塩の量とＩＴＯ
膜のエッチング速度との関係を示す特性図。
されるドデシル酸トリエタノールアミン塩の量とＩＴＯ
膜のエッチング速度との関係を示す特性図。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年２月２日（２００１．２．２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 酸化インジウム錫膜用エッチ
ング液およびエッチング方法
ング液およびエッチング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る酸化インジ
ウム錫膜用エッチング液は、酸化インジウム錫をエッチ
ングする有機酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着
し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有
し、かつ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤とを含有することを特徴とするものである。本発
明に係るエッチング方法は、酸化インジウム錫をエッチ
ングする有機酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着
し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有
し、かつ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤とを含有する組成物により液晶表示装置に組み込
まれる酸化インジウム錫膜をエッチングすることを特徴
とするものである。
ウム錫膜用エッチング液は、酸化インジウム錫をエッチ
ングする有機酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着
し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有
し、かつ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤とを含有することを特徴とするものである。本発
明に係るエッチング方法は、酸化インジウム錫をエッチ
ングする有機酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着
し、表面電位（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有
し、かつ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面
活性剤とを含有する組成物により液晶表示装置に組み込
まれる酸化インジウム錫膜をエッチングすることを特徴
とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ｉ
ＴＯ膜を速い速度でエッチングすることが可能で、かつ
水質に負荷をかけることなく廃水処理することができ、
液晶表示装置の透明電極を形成するためのパターニング
工程に有用なＩＴＯ膜用エッチング液を提供できる。ま
た、本発明によれば液晶表示装置の透明電極を形成する
ためのパターニング工程に有効に適用することが可能な
エッチング方法を提供できる。
ＴＯ膜を速い速度でエッチングすることが可能で、かつ
水質に負荷をかけることなく廃水処理することができ、
液晶表示装置の透明電極を形成するためのパターニング
工程に有用なＩＴＯ膜用エッチング液を提供できる。ま
た、本発明によれば液晶表示装置の透明電極を形成する
ためのパターニング工程に有効に適用することが可能な
エッチング方法を提供できる。
Claims (3)
- 【請求項１】 酸化インジウム錫をエッチングする有機
酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着し、表面電位
（ゼータ電位）を負に帯電させる性質を有し、かつ分子
内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面活性剤を含有
することを特徴とする酸化インジウム錫膜用エッチング
液。 - 【請求項２】 前記有機酸は、シュウ酸であることを特
徴とする請求項１記載の酸化インジウム錫膜用エッチン
グ液。 - 【請求項３】 前記陰イオン性界面活性剤は、ドデシル
酸トリエタノールアミン塩、またはドデシル硫酸アンモ
ニウムであることを特徴とする請求項１記載の酸化イン
ジウム錫膜用エッチング液。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312080A JP3445570B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法 |
| TW090125126A TWI249568B (en) | 2000-10-12 | 2001-10-11 | Etching liquid for indium oxide tin film |
| KR1020010062633A KR20020029308A (ko) | 2000-10-12 | 2001-10-11 | 산화인듐주석막용 에칭액 |
| CNB011354283A CN1185615C (zh) | 2000-10-12 | 2001-10-12 | 氧化铟锡膜用浸蚀液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312080A JP3445570B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124506A true JP2002124506A (ja) | 2002-04-26 |
| JP3445570B2 JP3445570B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18791739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000312080A Expired - Fee Related JP3445570B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3445570B2 (ja) |
| KR (1) | KR20020029308A (ja) |
| CN (1) | CN1185615C (ja) |
| TW (1) | TWI249568B (ja) |
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| KR20040005457A (ko) * | 2002-07-10 | 2004-01-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 개선된 ｉｔｏ 또는 비결정질 ｉｔｏ 식각액 조성물 |
| KR100448868B1 (ko) * | 2002-07-10 | 2004-09-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 비결정질 ｉｔｏ 식각액 조성물 |
| JP2005325082A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Nippon Rensui Co Ltd | 高純度シュウ酸水溶液の回収方法 |
| US7628129B2 (en) | 2003-12-12 | 2009-12-08 | Honda Motor Co., Ltd. | Camshaft, method of manufacturing cam for camshaft, and method of manufacturing shaft for camshaft |
| CN102154648A (zh) * | 2010-02-12 | 2011-08-17 | 住友精密工业株式会社 | 蚀刻方法 |
| CN102585832A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-18 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种低张力ito蚀刻液及其制备方法 |
-
2000
- 2000-10-12 JP JP2000312080A patent/JP3445570B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-11 TW TW090125126A patent/TWI249568B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-11 KR KR1020010062633A patent/KR20020029308A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-10-12 CN CNB011354283A patent/CN1185615C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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