TWI249568B - Etching liquid for indium oxide tin film - Google Patents

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1249568 A 7 ______B7_ 五、發明説明（1 ) 技術領域 , 本發明係有關液晶顯示裝置等之裝配用透明導電膜氧 化銦錫（I T〇）膜所使用之蝕刻液。 以往技術 向來，氧化銦錫膜之蝕刻係使用草酸水溶液。然而， 該草酸水溶液將I T 0膜溶出之速度慢，因此有蝕刻速度 低之問題存在。 有鑑於此，日本特開平7 — 1 4 1 9 3 2號公報中揭 示於草酸水溶液中添加十二烷酸苯磺酸之I T〇膜用蝕刻 液。該蝕刻液與單獨使用草酸水溶液者相比較雖可提升對 I T 0膜之蝕刻速度，但由於分子內具有苯環在廢液處理 時有B 0 D (生物需氧量）增高之問題。 發明欲解決之問題 本發明係提供可快速將I T〇膜蝕刻，且不增加水質 負擔而可經廢水處理之I T 0膜用蝕刻液。 解決問題之方法 有關本發明之氧化銦錫膜用蝕刻液，其特徵爲含有可 蝕刻氧化銦錫之有機酸及吸著於氧化銦錫膜表面，具有表 面電位（Γ -電位）帶負電性質，且分子內不含苯環之陰 離子性界面活性劑。 裝-- - (請先閱讀背面之注意事\^填寫本I) 、訂 .¾ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印災 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2 ωχ 297公釐） -4- 1249568 A 7 B7 五、發明説明（2 ) 實施發明之型態 (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 下文，參照有關本發明之氧化銦錫（I T〇）膜用蝕 刻液詳細說明之。 該I T ◦膜用蝕刻液，係具有將可蝕刻氧化銦錫之有 機酸以及吸著於氧化銦錫膜表面，具有表面電位（Γ -電 位）帶負電性質，且分子內不含苯環之陰離子性界面活性 劑溶解於水而得之組成。 上述之有機酸可列舉如草酸、馬來酸、丙二酸等。該 等有機酸中因草酸不會腐蝕鋁等配線材料且價廉而較佳。-. 上述之有機酸對水之配合量以0.1至3.5重量％ 爲佳。有機酸之配合量若低於0 . 1重量％則恐難以充分 速度溶解I T 0膜，另一方面若有機酸之配合量超過 3 · 5重量％時，例如有機酸爲草酸時，則可能析出二水 合物。 上述之陰離子性界面活性劑可列舉如十二烷酸三乙醇 胺鹽、十二烷基硫酸銨、十四烷基硫酸銨' 7 -乙基--2 一甲基i ^院醇—4 一硫酸錢等。 經濟部智慧財4局肖工消費合作社印製 上述陰離子性界面活性劑對水之配合量以1至 1 0 0 0 0 P p m爲佳。陰離子性界面活性劑之配合量若 低於1 p p m則其配合效果難以提昇蝕刻速度。另一方面 陰離子性界面活性劑之配合量若超過1 0 0 〇 〇 p p m則 蝕刻液起泡而不易使用。 以上說明之有關本發明之蝕刻液，由於具有將可蝕刻 氧化銦錫之有機酸以及吸著於氧化銦錫膜表面，具有表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -5 - 1249568 A7 ____B7_ 五、發明説明（3 ) 電位（r -電位）爲帶負電性賓，且分子內不含苯環之陰 離子性界面活性劑溶解於水所得之組成，而可提昇對 I τ〇膜之蝕刻速度。 亦即，以有機酸例如草酸之水溶液蝕刻I τ〇膜時， 將上述I T 0膜之表面電位絕對値增大則亦必需增大自上 述I 丁〇膜表面溶出之I T〇粒子表面間之電流斥力。 由於對具有此種性質之草酸水溶液之I T〇膜袠面電 位爲負電位，若添加如十二烷酸三乙醇胺鹽等吸著於 I T 0膜之表面，且具有表面電位（r -電位）爲帶負電. 性質之陰離子性界面活性劑時，則可吸著於I T〇膜表面 而增大上述I T〇膜表面之負電位。又，上述I T〇膜以 草酸溶出之I T 0粒子表面亦吸著上述陰離子性界面活性 劑。結果，I T 0膜、I T〇粒子間之電流斥力增大， I T〇粒子自.I T〇膜表面擴散之力增大，因此可提高 I T〇之鈾刻速度。 又，藉由使周十二烷酸三乙醇胺鹽等分子內不含苯環 之陰離子性界面活性劑，可避免廢水處理時因B 0 D增大 等而增加水質之負擔。 實施例 下文，詳細說明較佳之實施例。 實施例1 於3 · 4重量％草酸及9 6 . 6重量％純水之草酸水 本紙浪尺度中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公ϋ 7〇Ζ (請先閱讀背面之注意事$填寫本頁) 編： ir 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249568 A7 _______B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事寫本頁) 溶液中添加0 · 0 3至0 . 3,8重量％之十二烷酸三乙轄 胺鹽而調製蝕刻液。將I T 0粒子浸漬於此等蝕刻液及草 酸水溶液中，測定I T〇粒子表面之（-電位。結果示於 第1圖。 由第1圖可知添加十二烷酸三乙醇胺鹽之蝕刻液，與 未添加該十二烷酸三乙醇胺鹽之草酸水溶液相較時，其 I TO粒子表面之Γ -電位可向負方向移動。 實施例2 ' 於3 · 4重量％草酸及9 6 . 6重量％純水之草酸水 溶液中添加3 . 8x10— 11至0 · 38重量％十二烷酸 三乙醇胺鹽而調製蝕刻液。將包覆有I T 0膜之玻璃基板 浸漬於此等蝕刻液（液溫4 0 °C )中，以接觸式膜厚測定 器測定I T〇膜之蝕刻速度。結果示於第2圖。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 由第2圖可知於溶有草酸及十二烷酸三乙醇胺鹽之蝕 刻液中，藉由增加十二烷酸三乙醇胺鹽之添加量可加快 I T 0膜之蝕刻速度。特別是當十二烷酸三乙醇胺鹽之濃 度爲3 . 8 X 1 0—7以上時，與未添加十二烷酸三乙醇胺 鹽之草酸水溶液相較時，其I T 0膜之蝕刻速度約可增加 10%。 發明之效果 如上所述，依據本發明可提供可快速將I τ 0膜蝕刻 ，且不增加水質負擔而可經廢水處理，用於液晶顯示裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -7 - 1249568 A7 B7 五、發明説明（5 ) 形成透明電極用之圖案構成步..驟中有用之I 丁〇膜用蝕刻 液。 圖示之簡述 第1圖係示本發明實施例1之鈾刻液中所添加十二院 酸三乙醇胺鹽之量與I τ〇粒子表面r 一電位之關係的特 性圖。 第2圖係示本發明實施例2之蝕刻液中所添加十二院 酸三乙醇胺鹽之量與I T〇膜之蝕刻速度關係的特性圖。- (請先閲讀背面之注意事填寫本頁) 裝_

II %: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -8-

Claims (1)

1249568^1 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 第90 1 25 1 26號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年10月4曰修正 1 · 一種氧化銦錫膜用蝕刻液，其特徵爲含有可蝕刻 氧化銦錫之有機酸、以及至少1種以上選自十二烷酸三乙 醇胺鹽、十二烷基硫酸銨、十四烷基硫酸銨、7 -乙基一 2 -甲基十一烷醇- 4 -硫酸.銨之陰離子性界面活性劑’ 該陰離子性界面活性劑係吸著於氧化銦錫膜表面，具有表 面電位（Γ -電位）爲帶負電性質，且分子內不含苯環。 2 .如申請專利範圍第1項之氧化銦錫膜用蝕刻液， 其中之有機酸爲草酸者。 3 _如申請專利範圍第1項之氧化銦錫膜用蝕刻液， 其中之陰離子性界面活性劑爲十二烷酸三乙醇胺鹽或十二 院基硫酸銨者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29*7公釐）