JP2002122800A - レーザ走査装置の同期信号検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 同期信号の検出に複合型半導体レーザを用い
るレーザ走査装置において、装置の小型化、低価格化を
実現するとともに、同期信号を正確にかつ高精度に検出
することを可能とする。 【解決手段】 レーザ光を出射するレーザ光源と、出射
されたレーザ光を偏向し、かつ偏向されたレーザ光を感
光面上で主走査する偏向走査手段１５，２０，２１と、
偏向されたレーザ光を特定の偏向位置において受光して
走査同期信号を出力する受光素子とを備えるレーザ走査
装置の同期検出装置において、レーザ光源と受光素子は
複合型半導体レーザ１１として構成され、偏向走査手段
２０には、偏向走査手段で偏向されたレーザ光ＬＢを前
記受光素子に向けて反射するための同期信号検出反射面
２０４を一体に形成する。複合型半導体レーザ１１にお
いて同期信号検出のためのレーザ光を受光し、また、同
期信号検出のための同期信号検出反射面２０４を偏向走
査手段２０と一体に形成しているので、独立したレーザ
光検出器及び同期信号検出反射ミラーが不要になり、レ
ーザ走査装置の小型化、低価格化が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザを光源
とするレーザ走査装置に関し、特にレーザ光の走査タイ
ミングを制御するための同期信号を検出するための装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザ等のレーザ発光源を光源と
するレーザ走査装置では、レーザ光を感光体に対して主
走査（水平走査）すると同時に、前記感光体を副走査
（垂直走査）方向に駆動して当該感光体の感光面に所要
の画像パターンの描画を行っている。この種のレーザ走
査装置では、前記画像パターンを適正に描画するために
は、レーザ光を感光体の垂直走査方向の動作に同期して
水平走査することが必要であり、そのために水平同期信
号を検出することが要求される。例えば、図７はレーザ
走査装置の概略構成を示す図である。半導体レーザ１で
発光したレーザ光ＬＢをコリメートレンズ２で平行ビー
ム光、ないしは平行に近いビーム光とし、シリンドリカ
ルレンズ３でビーム整形した後、高速回転駆動されるポ
リゴンミラー４に投射する。そして、前記レーザ光ＬＢ
を前記ポリゴンミラー４の反射面で反射することによっ
て主走査方向に偏向し、ｆθレンズ５を通して感光ドラ
ム６の感光面に主走査する。また、前記感光ドラム６は
主走査方向に回転軸６ａを有しており、その回転軸６ａ
の回りに回転駆動して前記レーザ光ＬＢを副走査し、所
定のパターンを描画する。

【０００３】さらに、前記感光ドラム６に至る光路の一
側位置には、走査されるレーザ光ＬＢを主走査に対して
所定のタイミングで反射する反射ミラー７と、前記反射
ミラー７で反射したレーザ光ＬＢを受光して前記主走査
のタイミング基準となる水平同期信号を出力するフォト
ダイオード等からなるレーザ光検出器８が配置されてお
り、前記レーザ光ＬＢを前記レーザ光検出器８で受光し
た受光信号を図外の同期検出回路において信号処理する
ことで、水平同期信号を得ている。したがって、この水
平同期信号が所定のタイミングとなるように前記ポリゴ
ンミラー４の回転速度、回転タイミングを制御すること
で、レーザ光ＬＢの適正な水平走査が可能になる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような従来のレー
ザ走査装置では、走査の同期信号としての水平同期信号
を検出するために、フォトダイオード等からなるレーザ
光検出器８を独立して設ける必要がある。また、当該レ
ーザ光検出器８を光路の近傍に配置することが難しいと
の配置スペースの関係から、レーザ光ＬＢをレーザ光検
出器８に向けて反射するための反射ミラー７が設けられ
ている。そのため、レーザ走査装置には、独立したレー
ザ光検出器８及び反射ミラー７が必須であり、構成部品
点数が多くなるとともに同期信号検出のための構成が複
雑化し、レーザ走査装置の小型化、低価格化を図る上で
の障害になる。

【０００５】このような問題に対し、レーザ光検出器と
してのフォトダイオードを一体に有する半導体レーザ
（以下、本明細書では複合型半導体レーザと称する）を
用いたレーザ走査装置が提案されており、走査同期信号
を複合型半導体レーザ、すなわち複合型レーザ内のフォ
トダイオードにより検出する構成とされている。このレ
ーザ走査装置は、図８に概略平面構成を示すように、前
記したような複合型半導体レーザ１Ａから出射されてポ
リゴンミラー４で反射された光を１８０度の方向に反射
する同期信号検出反射ミラー９を設けておき、この同期
信号検出反射ミラー９で反射されたレーザ光ＬＢを再度
ポリゴンミラー４で反射し、複合型半導体レーザ１Ａで
検出して同期信号を検出している。このような改善され
たレーザ走査装置では、独立したレーザ光検出器が不要
になるため、レーザ走査装置の小型化、低価格化を図る
上で有効である。

【０００６】しかしながら、その一方で、同期信号を検
出するためには、独立した同期信号検出反射ミラー９を
設ける必要があるため、この同期信号検出反射ミラー９
を削減することは困難である。また、従来のこの種の装
置では、前記同期信号検出反射ミラー９は、レーザ光を
１８０度反射する平面ミラーとして構成されているた
め、レーザ光の光路に対して垂直方向に向けて配置する
必要があり、その配置に際しての調整作業が難しいもの
になるとともに、調整ずれや経時変化によって反射面の
平面方向にずれが生じたときには、レーザ光の反射光路
に誤差が生じ、複合型半導体レーザ１Ａにおいてレーザ
光を受光して高精度に同期信号を検出することが困難に
なる。

【０００７】また、前記したような複合型半導体レーザ
は、後述の説明から判るように、内蔵されている半導体
レーザのレーザ出射面とフォトダイオードの受光面との
間には、光路長の違い、すなわち光路差が生じているこ
とが多い。そのため、図８に示したように、複合型半導
体レーザ１Ａから出射されてコンデンサレンズ２により
平行光束とされたレーザ光が同期信号検出反射ミラー９
により反射されて複合型半導体レーザ１Ａに戻された際
に、コリメートレンズ２で集光された光を複合型半導体
レーザ１Ａ内のフォトダイオードの受光面に集光させる
ことが難しく、これによりフォトダイオードにおける受
光強度が低下され、同期信号の検出感度が低下されてし
まうことがある。

【０００８】本発明の目的は、複合型半導体レーザを用
いるレーザ走査装置において、装置の小型化、低価格化
を実現するとともに、同期信号を正確にかつ高精度に検
出することが可能な同期信号検出装置を提供するもので
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光を出
射するレーザ光源と、出射されたレーザ光を偏向し、か
つ偏向されたレーザ光を感光面上で主走査する偏向走査
手段と、偏向されたレーザ光を特定の偏向位置において
受光して同期信号を出力する受光素子とを備えるレーザ
走査装置の同期検出装置において、前記レーザ光源と前
記受光素子は複合型半導体レーザとして構成され、前記
偏向走査手段には、前記偏向走査手段で偏向されたレー
ザ光を前記受光素子に向けて反射するための同期信号検
出反射ミラーを一体に形成していることを特徴としてい
る。

【００１０】特に、本発明では、前記偏向走査手段は前
記主走査方向に回転駆動されるポリゴンミラーと、前記
主走査方向に延設配置されたｆθ機構とを備えており、
前記同期信号検出反射ミラーを前記ｆθ機構と一体に形
成する。例えば、前記ｆθ機構は、前記ポリゴンミラー
で反射された光を反射するｆθミラーと、前記ｆθミラ
ーで反射された光を屈折するｆθレンズとで構成され、
前記同期信号検出反射ミラーを、前記ｆθミラーと一体
に形成する。あるいは、前記ｆθ機構は、前記ポリゴン
ミラーで反射された光を屈折するｆθレンズで構成さ
れ、前記同期信号検出反射ミラーを、前記ｆθレンズと
一体に形成する。

【００１１】本発明によれば、複合型半導体レーザにお
いて同期信号検出のためのレーザ光を受光するので、独
立したレーザ光検出器が不要になる。また、同期信号検
出のための同期信号検出反射ミラーを偏向走査手段と一
体に形成しているので、独立した同期信号検出反射ミラ
ーが不要になる。これにより、レーザ走査装置に設けら
れる同期信号検出装置の構成部品点数が削減でき、小型
化、低価格化が実現できる。

【００１２】また、本発明において、前記レーザ光源か
ら出射するレーザ光を平行光束とするコリメート光学系
が設けられ、前記複合型半導体レーザは、前記コリメー
ト光学系と前記レーザ光源との間の光路長が前記コリメ
ート光学系と前記受光素子との間の光路長よりも短く形
成されているレーザ走査装置において、前記同期信号検
出反射ミラーの反射面は前記主走査方向に沿う断面形状
が凸面に形成され、前記コリメート光学系に向けて反射
する前記レーザ光の光束を拡散性とすることを特徴とす
る。また、前記同期信号検出反射ミラーの反射面は、前
記ポリゴンミラーの回転方向に垂直な方向に沿って、前
記ポリゴンミラーでの前記レーザ光の反射点を中心とす
る円弧状の凹面に形成されていることを特徴とする。

【００１３】本発明によれば、複合型半導体レーザのレ
ーザ光の出射位置と、受光面の位置が光路上の等価でな
い位置に設定されている場合においても、レーザ光を受
光面に集光して好適な受光が可能となり、同期信号を高
精度に検出することが可能である。また、同期信号検出
反射ミラーの設置角度の位置ずれや経時的な位置ずれが
生じた場合でも、同期信号検出反射ミラーによりレーザ
光を正確に複合型半導体レーザに向けて反射することが
可能になる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明のレーザ走査装置の平
面配置図、図２は前記レーザ走査装置の一部を展開した
状態で示す立面方向の構成図である。これらの図におい
て、レーザ光源ユニット１０は複合型半導体レーザ１１
とコリメートレンズ１２とを含むユニット構造をしてお
り（図２参照）、前記複合型半導体レーザ１１から出射
されるレーザ光ＬＢは、コリメートレンズ１２で平行光
束のビーム光とされ、シリンドリカルレンズ１３でビー
ム整形された後、反射ミラー１４で９０度の角度で反射
し、高速回転駆動されるポリゴンミラー１５に入射され
る。前記ポリゴンミラー１５はベース１７上に搭載され
た薄型モータ１６の回転軸１６ａに軸支されて当該回転
軸１６ａの回りに高速で水平回転可能であり、入射され
た前記レーザ光ＬＢを周面の複数の反射面１５ａで反射
して主走査方向としての水平方向に偏向する。また、前
記ポリゴンミラー１５で反射されて水平方向に偏向され
たレーザ光ＬＢは、ｆθ機構１８により感光ドラム１９
の感光面に対して水平方向に走査される。前記ｆθ機構
１８は、前記ポリゴンミラー１５で反射されたレーザ光
ＬＢを前記感光ドラムに向けて反射するｆθミラー２０
と、前記ｆθミラー２０で反射されたレーザ光ＬＢを前
記感光ドラム１９の感光面上で等速に走査するｆθレン
ズ２１とで構成されている。前記感光ドラム１９は主走
査方向に回転軸１９ａを有しており、その回転軸１９ａ
の回りに垂直方向に回転駆動して前記レーザ光ＬＢを前
記感光ドラム１９の回転方向に副走査し、所定のパター
ンを描画する。

【００１５】ここで、前記レーザ光源ユニット１０は、
ポリゴンミラー１５の反射面１５ａに対して垂直方向に
傾斜するように、すなわちポリゴンミラー１５のモータ
１６の回転軸１６ａの軸方向に沿って幾分下方から所要
の角度で斜めに入射するように構成している。これは、
反射ミラー１４自身によってｆθレンズ２０へ向かう光
束の光路を妨げないようにするとともに、ポリゴンミラ
ー１５での反射光がレーザ光源１０の複合型半導体レー
ザ１１に直接入射されることを防止するためである。

【００１６】図２に示したように、前記レーザ光源ユニ
ット１０は前記複合型半導体レーザ１１とコリメートレ
ンズ１２とをユニットとして組み立てた構成であるが、
前記複合型半導体レーザ１１は、図３（ａ）に示すよう
に、表面の一部にレーザ光検出器としての受光素子であ
るフォトダイオード１１２が一体に形成された半導体基
板１１１を有している。そして、前記半導体基板１１１
の前記フォトダイオード１１２に隣接する箇所に、マウ
ント１１３を介して半導体レーザ光を発光するレーザ光
源としてのレーザチップ１１４が搭載されている。ま
た、前記フォトダイオード１１２の受光面を含む前記半
導体基板１１１の表面上にはプリズム１１５が搭載され
ている。前記プリズム１１５は、前記レーザチップ１１
４に対向する側面は４５度の角度の傾斜面１１５ａとし
て形成されている。そして、前記レーザチップ１１４や
プリズム１１５を搭載した前記半導体基板１１１はパッ
ケージ基板１１６上に搭載され、かつ円筒状をしたパッ
ケージケース１１７内に内装されており、前記半導体基
板１１１、前記フォトダイオード１１２、前記レーザチ
ップ１１４に対して前記パッケージ基板１１６に設けら
れた図外のリード端子が電気接続され、給電及び信号の
入出力が行われる。また、前記パッケージケース１１７
の上面には開口部１１７ａが設けられており、この開口
部１１７ａ内に透明ガラス１１８が固定され、内部が封
止されている。

【００１７】このような構成の前記複合型半導体レーザ
１１は、同図に鎖線で概略図示するように、レーザチッ
プ１１４に給電することでレーザチップ１１４からレー
ザ光が出射される。出射されたレーザ光はプリズム１１
５の傾斜面１１５ａにおいて反射され、コリメートレン
ズ１２を透過して平行光束のレーザ光ＬＢとして出射さ
れる。また、複合型半導体レーザ１１に戻されてきたレ
ーザ光は、コリメートレンズ１２で集光された後、プリ
ズム１１５の傾斜面１１５ａで屈折されながらプリズム
１１５内に進行され、半導体基板１１１の表面で反射さ
れ、さらにプリズム１１５の上面で反射された上でフォ
トダイオード１１２の受光面において受光される。前記
フォトダイオード１１２は受光により得られる電気信号
を、所定の信号処理回路において処理することにより、
水平同期信号として出力するように構成されていること
は言うまでもない。

【００１８】前記ｆθ機構１８を構成するｆθミラー２
０とｆθレンズ２１の概略構成を図４に示す。前記ｆθ
ミラー２０は、例えばアルミニウム等のダイカストによ
り形成されており、図２からも判るように、前記ポリゴ
ンミラー１５の反射面１５ａよりも垂直方向に幾分高い
位置に配置されている。また、前記ｆθミラー２０は、
水平方向に細長い開口を有する偏平な矩形の枠部２０１
と、前記枠部２０１内に形成された反射面部２０２を有
している。前記反射面部２０２は、前記枠部２０１の水
平方向のほぼ９０％程度の領域を占め、水平方向及び垂
直方向にそれぞれ凹面状をした主反射面２０３を有して
いる。ここで、前記主反射面２０３の水平方向の凹状の
曲率は、前記レーザ光ＬＢが前記ポリゴンミラー１５の
反射面１５ａにおいて反射されて水平方向に偏向された
１水平走査分のレーザ光が、前記ｆθレンズ２１の水平
方向の長さ領域に向けて反射される形状とされている。
また、前記主反射面２０３の垂直方向の曲率は、前記ポ
リゴンミラー１５の反射面１５ａにおけるレーザ光ＬＢ
の反射点を中心とした円弧面となる曲率とされている。

【００１９】また、前記ｆθミラー２０には、前記主反
射面２０３の水平方向の一方の端部、すなわち前記レー
ザ光が水平走査される１水平走査領域の領域外の部位
に、同期信号検出反射面２０４が一体に形成されてい
る。前記同期信号検出反射面２０４は、水平方向には凸
面状をし、垂直方向には凹面状をした凹−凸反射面形状
として構成されている。前記同期信号検出反射面２０４
の水平方向の面形状は、極めて平面に近い曲率である
が、図５（ｂ）を参照すると、入射された平行光束のレ
ーザ光ＬＢが当該同期信号検出反射面２０４において反
射されたときに、当該レーザ光ＬＢが水平方向に幾分拡
散性を有する光束となるような凸面状に形成されてい
る。また、前記同期信号検出反射面２０４の垂直方向の
面形状は、図５（ａ）を参照すると、前記ポリゴンミラ
ー１５の反射面１５ａにおいてレーザ光ＬＢが反射され
る反射点Ｏｘを中心とした半径Ｒの円弧面となる凹面状
に形成されている。

【００２０】一方、前記ｆθ機構１８を構成する前記ｆ
θレンズ２１は、例えば、透明樹脂を成形して構成した
ものであり、前記ｆθミラー２０よりもさらに垂直方向
に高い位置で前記感光ドラム１９の感光面に対向される
位置に配置されている。前記ｆθレンズ２１も、同様に
水平方向に細長い開口を有する矩形の枠部２１１と、前
記枠部２１１内に形成されたレンズ部２１２とで構成さ
れている。前記レンズ部２１２の水平方向の形状は、前
記ｆθミラー２０で反射されたレーザ光を屈折し、感光
ドラム１９の感光面において等速状態に走査するような
面形状とされ、垂直方向の面形状は前記ポリゴンミラー
１５でのレーザ光ＬＢの反射点を中心とした円弧形状に
形成されている。

【００２１】以上の構成のレーザ走査装置の動作を説明
する。複合型半導体レーザ１１は、図３（ｂ）に示すよ
うに、レーザチップ１１４で発光したレーザ光ＬＢをプ
リズム１１５の傾斜面１１５ａで反射し、透明ガラス１
１８を通して出射する。複合型半導体レーザ１１から出
射されたレーザ光ＬＢは拡散性を有するため、コリメー
トレンズ１２で平行光束のレーザ光ＬＢとし、図１，２
に示したように、シリンドリカルレンズ１３でビーム整
形した後、反射ミラー１４で９０度の角度で反射し、高
速回転駆動されるポリゴンミラー１５の反射面１５ａに
対して垂直方向の幾分下方から入射される。入射された
レーザ光ＬＢは、ポリゴンミラー１５の高速水平回転に
よって経時的に水平方向に偏向される。そして、偏向さ
れたレーザ光ＬＢはｆθミラー２０によって反射され、
さらにｆθレンズ２１を通してｆθ調整されて感光ドラ
ム１９の感光面に対して水平方向に走査される。また、
前記レーザ光ＬＢの水平走査に同期して前記感光ドラム
１９は回転軸１９ａの回りに垂直方向に回転駆動され、
これにより前記レーザ光ＬＢは前記感光ドラム１９の感
光面に垂直走査され、所定のパターンが描画される。

【００２２】一方、水平同期信号の検出動作について
は、前記ポリゴンミラー１５で反射されたレーザ光ＬＢ
の一部は、前記ｆθミラー２０の端部に一体に設けられ
ている同期信号検出反射面２０４において反射される。
反射されたレーザ光はポリゴンミラー１５での反射点に
向けて反射され、すなわち入射されたレーザ光ＬＢの光
路を逆にたどって再度ポリゴンミラー１５で反射され、
さらに反射ミラー１４で反射され、シリンドリカルレン
ズ１３及びコリメートレンズ１２を通して複合型半導体
レーザ１１内に戻される。このとき、図５（ａ）に示す
ように、前記同期信号検出反射面２０４は、垂直方向に
はポリゴンミラー１５での反射点Ｏｘを中心とした円弧
面として形成されているので、同図に鎖線で示すよう
に、ｆθミラー２０の垂直方向の角度に多少の設置誤差
が生じていても、反射されたレーザ光ＬＢはポリゴンミ
ラー１５での反射点Ｏｘに向けて高い精度で戻されるこ
とになり、その結果として複合型半導体レーザ１１に対
しても高い精度で戻されることになる。また、前記同期
信号検出反射面２０４は、水平方向には平面に極めて近
い凸面として形成されているので、図５（ｂ）に示すよ
うに、同期信号検出反射面２０４で反射されたレーザ光
ＬＢは幾分拡散性を有する光束のレーザ光となり、ポリ
ゴンミラー１５で反射され、最終的に複合型半導体レー
ザ１１内に戻される。

【００２３】このようにして複合型半導体レーザ１１に
戻されたレーザ光は、図３（ｂ）に示したように、プリ
ズム１１５の傾斜面１１５ａで屈折してプリズム１１５
内に進入され、半導体基板１１１の表面で反射され、さ
らにプリズム１１５の内上面で反射されてフォトダイオ
ード１１２の受光面で受光される。これにより、フォト
ダイオード１１２から電気信号が出力され、この電気信
号を信号処理回路において処理することにより、その出
力を水平同期信号として検出することが可能になる。こ
こで、前記複合型半導体レーザ１１においては、レーザ
チップ１１４からコンデンサレンズ１２に至るまでの出
射方向の光路長と、コンデンサレンズ１２からフォトダ
イオード１１２に至るまでの入射方向の光路長との間に
は、プリズム１１５内でレーザ光が反射された光路長か
ら、プリズム１１５とレーザチップ１１４との間の光路
長の差だけ、フォトダイオード１１２までの光路長が長
くなっている。しかしながら、複合型半導体レーザ１１
内に戻されるレーザ光は、同期信号検出反射面２０４に
おいて反射されたときに、図５（ｂ）に示したように、
幾分の拡散性の光束とされているので、前記コンデンサ
レンズ１２により集光される際の光路長（焦点距離）は
長くなり、結果としてコンデンサレンズ１２で集光され
るレーザ光ＬＢはフォトダイオード１１２の受光面に集
光されることになり、適切な水平同期の検出が可能にな
る。

【００２４】このように、本実施形態のレーザ走査装置
では、同期信号検出のためのフォトダイオード１１２を
半導体レーザ（レーザチップ１１４）と一体化した複合
型半導体レーザ１１として構成し、かつ、同期信号検出
のための同期信号検出反射面２０４をｆθ機構１８を構
成するｆθミラー２０と一体に形成しているので、独立
したフォトダイオードが不要であるとともに、独立した
同期信号検出用の反射ミラーが不要となり、レーザ走査
装置の小型化、低価格化を図る上で有効となる。

【００２５】また、前記同期信号検出反射面２０４は、
垂直方向には、ボリゴンミラー１５でのレーザ光ＬＢの
反射点を中心とする円弧面として形成することにより、
レーザ光の光路に対する同期信号検出反射面２０４の垂
直方向の位置設定が容易となり、また、経時変化によっ
て設定角度位置にずれが生じたような場合においても、
レーザ光ＬＢの光路に誤差が生じることはなく、フォト
ダイオード１１２において確実にレーザ光を受光し、水
平同期信号を確実に得ることが困難になる。

【００２６】さらに、前記同期信号検出反射面２０４
を、水平方向において平面に近い凸面に形成することに
より、複合型半導体レーザ１１においてレーザチップ１
１４のレーザ出射面と、フォトダイオード１１２の受光
面との間に光路差が生じている場合でも、コンデンサレ
ンズ１２によるレーザ光の集光位置をフォトダイオード
１１２の受光面に高精度に設定することが可能になり、
フォトダイオード１１２における受光強度が改善され、
同期信号の検出感度が向上できる。

【００２７】ここで、前記実施形態では、ｆθ機構をｆ
θミラーとｆθレンズとで構成されている例を示した
が、図６に示すように、ｆθミラーを備えていないｆθ
レンズ２１のみで構成されるレーザ走査装置に適用する
ことも可能である。なお、図６では、図１と等価な部分
には同一符号を付してある。この実施形態の場合には、
同図に示すように、ｆθレンズ２１を構成する第１ｆθ
レンズ２１Ａと第２ｆθレンズ２１Ｂのうち、前段の第
１ｆθレンズ２１Ａの水平方向の一方の端部に、図４に
示したような同期信号検出反射面２１４を一体に形成す
ればよい。例えば、第１ｆθレンズ２１Ａを樹脂により
形成した上で、その水平方向の一方の端部の領域にのみ
アルミニウム等を蒸着して反射面を形成し、この反射面
を前記同期信号検出反射面２１４として構成すればよ
い。なお、この実施形態の場合においても、同期信号検
出反射面２１４の面形状を図４に示したような凹−凸反
射面形状に形成することが好ましいことは言うまでもな
い。

【００２８】また、前記実施形態では、複合型半導体レ
ーザとして、プリズムを備えた構成例を示しているが、
他の構成の複合型半導体レーザについても本発明を同様
に適用することが可能である。なお、複合型半導体レー
ザを構成している半導体レーザ（レーザチップ）と、受
光素子（フォトダイオード）のそれぞれにおいてコリメ
ータレンズに至るまでの光路長が等しい場合には、同期
信号検出反射面の面形状のうち、主走査方向の凸面形状
は平面形状として構成すればよい。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、複合型半
導体レーザを用いて同期信号検出のためのレーザ光を受
光し、かつ、同期信号検出のための同期信号検出反射ミ
ラーを偏向走査手段と一体に形成しているので、独立し
たレーザ光検出器と同期信号検出反射ミラーが不要にな
り、レーザ走査装置に設けられる同期信号検出装置の構
成部品点数が削減でき、小型化、低価格化が実現でき
る。また、本発明によれば、複合型半導体レーザのレー
ザ光の出射位置と、受光面の位置が光路上の等価でない
位置に設定されている場合においても、レーザ光を受光
面に集光して好適な受光が可能となり、かつ、同期信号
検出反射ミラーの設置位置ずれや経時的な位置ずれが生
じた場合でも、同期信号検出反射ミラーによりレーザ光
を正確に複合型半導体レーザに向けて反射することが可
能になり、同期信号を高精度に検出することが可能な同
期信号検出装置が構成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の同期信号検出装置を備えたレーザ走査
装置の第１の実施形態の平面構成図である。

【図２】図１のレーザ走査装置の一部を展開した状態で
示す側面構成図である。

【図３】複合型半導体レーザの内部構造の断面図と光路
を説明するための模式図である。

【図４】ｆθ機構を構成するｆθミラーとｆθレンズの
概略外観図である。

【図５】同期信号検出反射ミラーの垂直方向と水平方向
の各反射動作を示す図である。

【図６】本発明にかかるレーザ走査装置の第２の実施形
態の平面構成図である。

【図７】第１の従来例のレーザ走査装置の平面構成図で
ある。

【図８】第２の従来例のレーザ走査装置の平面構成図で
ある。

【符号の説明】

１０ レーザ光源ユニット １１ 複合型半導体レーザ １２ コリメートレンズ １３ シリンドリカルレンズ １４ 反射ミラー １５ ポリゴンミラー １６ モータ １９ 感光ドラム １８ ｆθ機構 ２０ ｆθミラー ２１ ｆθレンズ ２１Ａ，２１Ｂ ｆθレンズ １１１ 半導体基板 １１２ フォトダイオード １１３ マウント １１４ レーザチップ １１５ プリズム ２０１ 枠部 ２０２ 反射面部 ２０３ 主反射面 ２０４ 同期信号検出反射面 ２１１ 枠部 ２１２ レンズ部 ２１４ 同期信号検出反射面

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を出射するレーザ光源と、前記
   出射されたレーザ光を偏向し、かつ偏向されたレーザ光
   を感光面上で主走査する偏向走査手段と、前記偏向され
   たレーザ光を特定の偏向位置において受光して同期信号
   を出力する受光素子とを備えるレーザ走査装置の同期検
   出装置において、前記レーザ光源と前記受光素子は複合
   型半導体レーザとして構成され、前記偏向走査手段に
   は、前記偏向走査手段で偏向されたレーザ光を前記受光
   素子に向けて反射するための同期信号検出反射ミラーを
   一体に形成していることを特徴とするレーザ走査装置の
   同期信号検出装置。
2. 【請求項２】 前記偏向走査手段は前記主走査方向に回
   転駆動されるポリゴンミラーと、前記主走査方向に延設
   配置されたｆθ機構とを備えており、前記同期信号検出
   反射ミラーを前記ｆθ機構と一体に形成していることを
   特徴とする請求項１に記載のレーザ走査装置の同期信号
   検出装置。
3. 【請求項３】 前記ｆθ機構は、前記ポリゴンミラーで
   反射された光を反射するｆθミラーと、前記ｆθミラー
   で反射された光を屈折するｆθレンズとで構成され、前
   記同期信号検出反射ミラーは、前記ｆθミラーと一体に
   形成されていることを特徴とする請求項２に記載のレー
   ザ走査装置の同期信号検出装置。
4. 【請求項４】 前記ｆθ機構は、前記ポリゴンミラーで
   反射された光を屈折するｆθレンズで構成され、前記同
   期信号検出反射ミラーは、前記ｆθレンズと一体に形成
   されていることを特徴とする請求項２に記載のレーザ走
   査装置の同期信号検出装置。
5. 【請求項５】 前記レーザ光源から出射するレーザ光を
   平行光束とするコリメート光学系が設けられ、前記複合
   型半導体レーザは、前記コリメート光学系と前記レーザ
   光源との間の光路長が前記コリメート光学系と前記受光
   素子との間の光路長よりも短く形成されている請求項１
   ないし４のいずれかに記載のレーザ走査装置において、
   前記同期信号検出反射ミラーの反射面は前記主走査方向
   に沿う断面形状が凸面に形成され、前記コリメート光学
   系に向けて反射する前記レーザ光の光束を拡散性とする
   ことを特徴とするレーザ走査装置の同期信号検出装置。
6. 【請求項６】 前記同期信号検出反射ミラーの反射面
   は、前記ポリゴンミラーの回転方向に垂直な方向に沿っ
   て、前記ポリゴンミラーでの前記レーザ光の反射点を中
   心とする円弧状の凹面に形成されていることを特徴とす
   る請求項１ないし５のいずれかに記載のレーザ走査装置
   の同期信号検出装置。
7. 【請求項７】 前記ポリゴンミラーに入射されるレーザ
   光は、当該ポリゴンミラーの回転方向に垂直な方向に対
   して斜め方向に入射されていることを特徴とする請求項
   １ないし６のいずれかに記載のレーザ走査装置の同期信
   号検出装置。