JP2002122800A - レーザ走査装置の同期信号検出装置 - Google Patents
レーザ走査装置の同期信号検出装置Info
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- JP2002122800A JP2002122800A JP2000316260A JP2000316260A JP2002122800A JP 2002122800 A JP2002122800 A JP 2002122800A JP 2000316260 A JP2000316260 A JP 2000316260A JP 2000316260 A JP2000316260 A JP 2000316260A JP 2002122800 A JP2002122800 A JP 2002122800A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同期信号の検出に複合型半導体レーザを用い
るレーザ走査装置において、装置の小型化、低価格化を
実現するとともに、同期信号を正確にかつ高精度に検出
することを可能とする。 【解決手段】 レーザ光を出射するレーザ光源と、出射
されたレーザ光を偏向し、かつ偏向されたレーザ光を感
光面上で主走査する偏向走査手段15,20,21と、
偏向されたレーザ光を特定の偏向位置において受光して
走査同期信号を出力する受光素子とを備えるレーザ走査
装置の同期検出装置において、レーザ光源と受光素子は
複合型半導体レーザ11として構成され、偏向走査手段
20には、偏向走査手段で偏向されたレーザ光LBを前
記受光素子に向けて反射するための同期信号検出反射面
204を一体に形成する。複合型半導体レーザ11にお
いて同期信号検出のためのレーザ光を受光し、また、同
期信号検出のための同期信号検出反射面204を偏向走
査手段20と一体に形成しているので、独立したレーザ
光検出器及び同期信号検出反射ミラーが不要になり、レ
ーザ走査装置の小型化、低価格化が実現できる。
るレーザ走査装置において、装置の小型化、低価格化を
実現するとともに、同期信号を正確にかつ高精度に検出
することを可能とする。 【解決手段】 レーザ光を出射するレーザ光源と、出射
されたレーザ光を偏向し、かつ偏向されたレーザ光を感
光面上で主走査する偏向走査手段15,20,21と、
偏向されたレーザ光を特定の偏向位置において受光して
走査同期信号を出力する受光素子とを備えるレーザ走査
装置の同期検出装置において、レーザ光源と受光素子は
複合型半導体レーザ11として構成され、偏向走査手段
20には、偏向走査手段で偏向されたレーザ光LBを前
記受光素子に向けて反射するための同期信号検出反射面
204を一体に形成する。複合型半導体レーザ11にお
いて同期信号検出のためのレーザ光を受光し、また、同
期信号検出のための同期信号検出反射面204を偏向走
査手段20と一体に形成しているので、独立したレーザ
光検出器及び同期信号検出反射ミラーが不要になり、レ
ーザ走査装置の小型化、低価格化が実現できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザを光源
とするレーザ走査装置に関し、特にレーザ光の走査タイ
ミングを制御するための同期信号を検出するための装置
に関する。
とするレーザ走査装置に関し、特にレーザ光の走査タイ
ミングを制御するための同期信号を検出するための装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ等のレーザ発光源を光源と
するレーザ走査装置では、レーザ光を感光体に対して主
走査(水平走査)すると同時に、前記感光体を副走査
(垂直走査)方向に駆動して当該感光体の感光面に所要
の画像パターンの描画を行っている。この種のレーザ走
査装置では、前記画像パターンを適正に描画するために
は、レーザ光を感光体の垂直走査方向の動作に同期して
水平走査することが必要であり、そのために水平同期信
号を検出することが要求される。例えば、図7はレーザ
走査装置の概略構成を示す図である。半導体レーザ1で
発光したレーザ光LBをコリメートレンズ2で平行ビー
ム光、ないしは平行に近いビーム光とし、シリンドリカ
ルレンズ3でビーム整形した後、高速回転駆動されるポ
リゴンミラー4に投射する。そして、前記レーザ光LB
を前記ポリゴンミラー4の反射面で反射することによっ
て主走査方向に偏向し、fθレンズ5を通して感光ドラ
ム6の感光面に主走査する。また、前記感光ドラム6は
主走査方向に回転軸6aを有しており、その回転軸6a
の回りに回転駆動して前記レーザ光LBを副走査し、所
定のパターンを描画する。
するレーザ走査装置では、レーザ光を感光体に対して主
走査(水平走査)すると同時に、前記感光体を副走査
(垂直走査)方向に駆動して当該感光体の感光面に所要
の画像パターンの描画を行っている。この種のレーザ走
査装置では、前記画像パターンを適正に描画するために
は、レーザ光を感光体の垂直走査方向の動作に同期して
水平走査することが必要であり、そのために水平同期信
号を検出することが要求される。例えば、図7はレーザ
走査装置の概略構成を示す図である。半導体レーザ1で
発光したレーザ光LBをコリメートレンズ2で平行ビー
ム光、ないしは平行に近いビーム光とし、シリンドリカ
ルレンズ3でビーム整形した後、高速回転駆動されるポ
リゴンミラー4に投射する。そして、前記レーザ光LB
を前記ポリゴンミラー4の反射面で反射することによっ
て主走査方向に偏向し、fθレンズ5を通して感光ドラ
ム6の感光面に主走査する。また、前記感光ドラム6は
主走査方向に回転軸6aを有しており、その回転軸6a
の回りに回転駆動して前記レーザ光LBを副走査し、所
定のパターンを描画する。
【0003】さらに、前記感光ドラム6に至る光路の一
側位置には、走査されるレーザ光LBを主走査に対して
所定のタイミングで反射する反射ミラー7と、前記反射
ミラー7で反射したレーザ光LBを受光して前記主走査
のタイミング基準となる水平同期信号を出力するフォト
ダイオード等からなるレーザ光検出器8が配置されてお
り、前記レーザ光LBを前記レーザ光検出器8で受光し
た受光信号を図外の同期検出回路において信号処理する
ことで、水平同期信号を得ている。したがって、この水
平同期信号が所定のタイミングとなるように前記ポリゴ
ンミラー4の回転速度、回転タイミングを制御すること
で、レーザ光LBの適正な水平走査が可能になる。
側位置には、走査されるレーザ光LBを主走査に対して
所定のタイミングで反射する反射ミラー7と、前記反射
ミラー7で反射したレーザ光LBを受光して前記主走査
のタイミング基準となる水平同期信号を出力するフォト
ダイオード等からなるレーザ光検出器8が配置されてお
り、前記レーザ光LBを前記レーザ光検出器8で受光し
た受光信号を図外の同期検出回路において信号処理する
ことで、水平同期信号を得ている。したがって、この水
平同期信号が所定のタイミングとなるように前記ポリゴ
ンミラー4の回転速度、回転タイミングを制御すること
で、レーザ光LBの適正な水平走査が可能になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のレー
ザ走査装置では、走査の同期信号としての水平同期信号
を検出するために、フォトダイオード等からなるレーザ
光検出器8を独立して設ける必要がある。また、当該レ
ーザ光検出器8を光路の近傍に配置することが難しいと
の配置スペースの関係から、レーザ光LBをレーザ光検
出器8に向けて反射するための反射ミラー7が設けられ
ている。そのため、レーザ走査装置には、独立したレー
ザ光検出器8及び反射ミラー7が必須であり、構成部品
点数が多くなるとともに同期信号検出のための構成が複
雑化し、レーザ走査装置の小型化、低価格化を図る上で
の障害になる。
ザ走査装置では、走査の同期信号としての水平同期信号
を検出するために、フォトダイオード等からなるレーザ
光検出器8を独立して設ける必要がある。また、当該レ
ーザ光検出器8を光路の近傍に配置することが難しいと
の配置スペースの関係から、レーザ光LBをレーザ光検
出器8に向けて反射するための反射ミラー7が設けられ
ている。そのため、レーザ走査装置には、独立したレー
ザ光検出器8及び反射ミラー7が必須であり、構成部品
点数が多くなるとともに同期信号検出のための構成が複
雑化し、レーザ走査装置の小型化、低価格化を図る上で
の障害になる。
【0005】このような問題に対し、レーザ光検出器と
してのフォトダイオードを一体に有する半導体レーザ
(以下、本明細書では複合型半導体レーザと称する)を
用いたレーザ走査装置が提案されており、走査同期信号
を複合型半導体レーザ、すなわち複合型レーザ内のフォ
トダイオードにより検出する構成とされている。このレ
ーザ走査装置は、図8に概略平面構成を示すように、前
記したような複合型半導体レーザ1Aから出射されてポ
リゴンミラー4で反射された光を180度の方向に反射
する同期信号検出反射ミラー9を設けておき、この同期
信号検出反射ミラー9で反射されたレーザ光LBを再度
ポリゴンミラー4で反射し、複合型半導体レーザ1Aで
検出して同期信号を検出している。このような改善され
たレーザ走査装置では、独立したレーザ光検出器が不要
になるため、レーザ走査装置の小型化、低価格化を図る
上で有効である。
してのフォトダイオードを一体に有する半導体レーザ
(以下、本明細書では複合型半導体レーザと称する)を
用いたレーザ走査装置が提案されており、走査同期信号
を複合型半導体レーザ、すなわち複合型レーザ内のフォ
トダイオードにより検出する構成とされている。このレ
ーザ走査装置は、図8に概略平面構成を示すように、前
記したような複合型半導体レーザ1Aから出射されてポ
リゴンミラー4で反射された光を180度の方向に反射
する同期信号検出反射ミラー9を設けておき、この同期
信号検出反射ミラー9で反射されたレーザ光LBを再度
ポリゴンミラー4で反射し、複合型半導体レーザ1Aで
検出して同期信号を検出している。このような改善され
たレーザ走査装置では、独立したレーザ光検出器が不要
になるため、レーザ走査装置の小型化、低価格化を図る
上で有効である。
【0006】しかしながら、その一方で、同期信号を検
出するためには、独立した同期信号検出反射ミラー9を
設ける必要があるため、この同期信号検出反射ミラー9
を削減することは困難である。また、従来のこの種の装
置では、前記同期信号検出反射ミラー9は、レーザ光を
180度反射する平面ミラーとして構成されているた
め、レーザ光の光路に対して垂直方向に向けて配置する
必要があり、その配置に際しての調整作業が難しいもの
になるとともに、調整ずれや経時変化によって反射面の
平面方向にずれが生じたときには、レーザ光の反射光路
に誤差が生じ、複合型半導体レーザ1Aにおいてレーザ
光を受光して高精度に同期信号を検出することが困難に
なる。
出するためには、独立した同期信号検出反射ミラー9を
設ける必要があるため、この同期信号検出反射ミラー9
を削減することは困難である。また、従来のこの種の装
置では、前記同期信号検出反射ミラー9は、レーザ光を
180度反射する平面ミラーとして構成されているた
め、レーザ光の光路に対して垂直方向に向けて配置する
必要があり、その配置に際しての調整作業が難しいもの
になるとともに、調整ずれや経時変化によって反射面の
平面方向にずれが生じたときには、レーザ光の反射光路
に誤差が生じ、複合型半導体レーザ1Aにおいてレーザ
光を受光して高精度に同期信号を検出することが困難に
なる。
【0007】また、前記したような複合型半導体レーザ
は、後述の説明から判るように、内蔵されている半導体
レーザのレーザ出射面とフォトダイオードの受光面との
間には、光路長の違い、すなわち光路差が生じているこ
とが多い。そのため、図8に示したように、複合型半導
体レーザ1Aから出射されてコンデンサレンズ2により
平行光束とされたレーザ光が同期信号検出反射ミラー9
により反射されて複合型半導体レーザ1Aに戻された際
に、コリメートレンズ2で集光された光を複合型半導体
レーザ1A内のフォトダイオードの受光面に集光させる
ことが難しく、これによりフォトダイオードにおける受
光強度が低下され、同期信号の検出感度が低下されてし
まうことがある。
は、後述の説明から判るように、内蔵されている半導体
レーザのレーザ出射面とフォトダイオードの受光面との
間には、光路長の違い、すなわち光路差が生じているこ
とが多い。そのため、図8に示したように、複合型半導
体レーザ1Aから出射されてコンデンサレンズ2により
平行光束とされたレーザ光が同期信号検出反射ミラー9
により反射されて複合型半導体レーザ1Aに戻された際
に、コリメートレンズ2で集光された光を複合型半導体
レーザ1A内のフォトダイオードの受光面に集光させる
ことが難しく、これによりフォトダイオードにおける受
光強度が低下され、同期信号の検出感度が低下されてし
まうことがある。
【0008】本発明の目的は、複合型半導体レーザを用
いるレーザ走査装置において、装置の小型化、低価格化
を実現するとともに、同期信号を正確にかつ高精度に検
出することが可能な同期信号検出装置を提供するもので
ある。
いるレーザ走査装置において、装置の小型化、低価格化
を実現するとともに、同期信号を正確にかつ高精度に検
出することが可能な同期信号検出装置を提供するもので
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光を出
射するレーザ光源と、出射されたレーザ光を偏向し、か
つ偏向されたレーザ光を感光面上で主走査する偏向走査
手段と、偏向されたレーザ光を特定の偏向位置において
受光して同期信号を出力する受光素子とを備えるレーザ
走査装置の同期検出装置において、前記レーザ光源と前
記受光素子は複合型半導体レーザとして構成され、前記
偏向走査手段には、前記偏向走査手段で偏向されたレー
ザ光を前記受光素子に向けて反射するための同期信号検
出反射ミラーを一体に形成していることを特徴としてい
る。
射するレーザ光源と、出射されたレーザ光を偏向し、か
つ偏向されたレーザ光を感光面上で主走査する偏向走査
手段と、偏向されたレーザ光を特定の偏向位置において
受光して同期信号を出力する受光素子とを備えるレーザ
走査装置の同期検出装置において、前記レーザ光源と前
記受光素子は複合型半導体レーザとして構成され、前記
偏向走査手段には、前記偏向走査手段で偏向されたレー
ザ光を前記受光素子に向けて反射するための同期信号検
出反射ミラーを一体に形成していることを特徴としてい
る。
【0010】特に、本発明では、前記偏向走査手段は前
記主走査方向に回転駆動されるポリゴンミラーと、前記
主走査方向に延設配置されたfθ機構とを備えており、
前記同期信号検出反射ミラーを前記fθ機構と一体に形
成する。例えば、前記fθ機構は、前記ポリゴンミラー
で反射された光を反射するfθミラーと、前記fθミラ
ーで反射された光を屈折するfθレンズとで構成され、
前記同期信号検出反射ミラーを、前記fθミラーと一体
に形成する。あるいは、前記fθ機構は、前記ポリゴン
ミラーで反射された光を屈折するfθレンズで構成さ
れ、前記同期信号検出反射ミラーを、前記fθレンズと
一体に形成する。
記主走査方向に回転駆動されるポリゴンミラーと、前記
主走査方向に延設配置されたfθ機構とを備えており、
前記同期信号検出反射ミラーを前記fθ機構と一体に形
成する。例えば、前記fθ機構は、前記ポリゴンミラー
で反射された光を反射するfθミラーと、前記fθミラ
ーで反射された光を屈折するfθレンズとで構成され、
前記同期信号検出反射ミラーを、前記fθミラーと一体
に形成する。あるいは、前記fθ機構は、前記ポリゴン
ミラーで反射された光を屈折するfθレンズで構成さ
れ、前記同期信号検出反射ミラーを、前記fθレンズと
一体に形成する。
【0011】本発明によれば、複合型半導体レーザにお
いて同期信号検出のためのレーザ光を受光するので、独
立したレーザ光検出器が不要になる。また、同期信号検
出のための同期信号検出反射ミラーを偏向走査手段と一
体に形成しているので、独立した同期信号検出反射ミラ
ーが不要になる。これにより、レーザ走査装置に設けら
れる同期信号検出装置の構成部品点数が削減でき、小型
化、低価格化が実現できる。
いて同期信号検出のためのレーザ光を受光するので、独
立したレーザ光検出器が不要になる。また、同期信号検
出のための同期信号検出反射ミラーを偏向走査手段と一
体に形成しているので、独立した同期信号検出反射ミラ
ーが不要になる。これにより、レーザ走査装置に設けら
れる同期信号検出装置の構成部品点数が削減でき、小型
化、低価格化が実現できる。
【0012】また、本発明において、前記レーザ光源か
ら出射するレーザ光を平行光束とするコリメート光学系
が設けられ、前記複合型半導体レーザは、前記コリメー
ト光学系と前記レーザ光源との間の光路長が前記コリメ
ート光学系と前記受光素子との間の光路長よりも短く形
成されているレーザ走査装置において、前記同期信号検
出反射ミラーの反射面は前記主走査方向に沿う断面形状
が凸面に形成され、前記コリメート光学系に向けて反射
する前記レーザ光の光束を拡散性とすることを特徴とす
る。また、前記同期信号検出反射ミラーの反射面は、前
記ポリゴンミラーの回転方向に垂直な方向に沿って、前
記ポリゴンミラーでの前記レーザ光の反射点を中心とす
る円弧状の凹面に形成されていることを特徴とする。
ら出射するレーザ光を平行光束とするコリメート光学系
が設けられ、前記複合型半導体レーザは、前記コリメー
ト光学系と前記レーザ光源との間の光路長が前記コリメ
ート光学系と前記受光素子との間の光路長よりも短く形
成されているレーザ走査装置において、前記同期信号検
出反射ミラーの反射面は前記主走査方向に沿う断面形状
が凸面に形成され、前記コリメート光学系に向けて反射
する前記レーザ光の光束を拡散性とすることを特徴とす
る。また、前記同期信号検出反射ミラーの反射面は、前
記ポリゴンミラーの回転方向に垂直な方向に沿って、前
記ポリゴンミラーでの前記レーザ光の反射点を中心とす
る円弧状の凹面に形成されていることを特徴とする。
【0013】本発明によれば、複合型半導体レーザのレ
ーザ光の出射位置と、受光面の位置が光路上の等価でな
い位置に設定されている場合においても、レーザ光を受
光面に集光して好適な受光が可能となり、同期信号を高
精度に検出することが可能である。また、同期信号検出
反射ミラーの設置角度の位置ずれや経時的な位置ずれが
生じた場合でも、同期信号検出反射ミラーによりレーザ
光を正確に複合型半導体レーザに向けて反射することが
可能になる。
ーザ光の出射位置と、受光面の位置が光路上の等価でな
い位置に設定されている場合においても、レーザ光を受
光面に集光して好適な受光が可能となり、同期信号を高
精度に検出することが可能である。また、同期信号検出
反射ミラーの設置角度の位置ずれや経時的な位置ずれが
生じた場合でも、同期信号検出反射ミラーによりレーザ
光を正確に複合型半導体レーザに向けて反射することが
可能になる。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明のレーザ走査装置の平
面配置図、図2は前記レーザ走査装置の一部を展開した
状態で示す立面方向の構成図である。これらの図におい
て、レーザ光源ユニット10は複合型半導体レーザ11
とコリメートレンズ12とを含むユニット構造をしてお
り(図2参照)、前記複合型半導体レーザ11から出射
されるレーザ光LBは、コリメートレンズ12で平行光
束のビーム光とされ、シリンドリカルレンズ13でビー
ム整形された後、反射ミラー14で90度の角度で反射
し、高速回転駆動されるポリゴンミラー15に入射され
る。前記ポリゴンミラー15はベース17上に搭載され
た薄型モータ16の回転軸16aに軸支されて当該回転
軸16aの回りに高速で水平回転可能であり、入射され
た前記レーザ光LBを周面の複数の反射面15aで反射
して主走査方向としての水平方向に偏向する。また、前
記ポリゴンミラー15で反射されて水平方向に偏向され
たレーザ光LBは、fθ機構18により感光ドラム19
の感光面に対して水平方向に走査される。前記fθ機構
18は、前記ポリゴンミラー15で反射されたレーザ光
LBを前記感光ドラムに向けて反射するfθミラー20
と、前記fθミラー20で反射されたレーザ光LBを前
記感光ドラム19の感光面上で等速に走査するfθレン
ズ21とで構成されている。前記感光ドラム19は主走
査方向に回転軸19aを有しており、その回転軸19a
の回りに垂直方向に回転駆動して前記レーザ光LBを前
記感光ドラム19の回転方向に副走査し、所定のパター
ンを描画する。
参照して説明する。図1は本発明のレーザ走査装置の平
面配置図、図2は前記レーザ走査装置の一部を展開した
状態で示す立面方向の構成図である。これらの図におい
て、レーザ光源ユニット10は複合型半導体レーザ11
とコリメートレンズ12とを含むユニット構造をしてお
り(図2参照)、前記複合型半導体レーザ11から出射
されるレーザ光LBは、コリメートレンズ12で平行光
束のビーム光とされ、シリンドリカルレンズ13でビー
ム整形された後、反射ミラー14で90度の角度で反射
し、高速回転駆動されるポリゴンミラー15に入射され
る。前記ポリゴンミラー15はベース17上に搭載され
た薄型モータ16の回転軸16aに軸支されて当該回転
軸16aの回りに高速で水平回転可能であり、入射され
た前記レーザ光LBを周面の複数の反射面15aで反射
して主走査方向としての水平方向に偏向する。また、前
記ポリゴンミラー15で反射されて水平方向に偏向され
たレーザ光LBは、fθ機構18により感光ドラム19
の感光面に対して水平方向に走査される。前記fθ機構
18は、前記ポリゴンミラー15で反射されたレーザ光
LBを前記感光ドラムに向けて反射するfθミラー20
と、前記fθミラー20で反射されたレーザ光LBを前
記感光ドラム19の感光面上で等速に走査するfθレン
ズ21とで構成されている。前記感光ドラム19は主走
査方向に回転軸19aを有しており、その回転軸19a
の回りに垂直方向に回転駆動して前記レーザ光LBを前
記感光ドラム19の回転方向に副走査し、所定のパター
ンを描画する。
【0015】ここで、前記レーザ光源ユニット10は、
ポリゴンミラー15の反射面15aに対して垂直方向に
傾斜するように、すなわちポリゴンミラー15のモータ
16の回転軸16aの軸方向に沿って幾分下方から所要
の角度で斜めに入射するように構成している。これは、
反射ミラー14自身によってfθレンズ20へ向かう光
束の光路を妨げないようにするとともに、ポリゴンミラ
ー15での反射光がレーザ光源10の複合型半導体レー
ザ11に直接入射されることを防止するためである。
ポリゴンミラー15の反射面15aに対して垂直方向に
傾斜するように、すなわちポリゴンミラー15のモータ
16の回転軸16aの軸方向に沿って幾分下方から所要
の角度で斜めに入射するように構成している。これは、
反射ミラー14自身によってfθレンズ20へ向かう光
束の光路を妨げないようにするとともに、ポリゴンミラ
ー15での反射光がレーザ光源10の複合型半導体レー
ザ11に直接入射されることを防止するためである。
【0016】図2に示したように、前記レーザ光源ユニ
ット10は前記複合型半導体レーザ11とコリメートレ
ンズ12とをユニットとして組み立てた構成であるが、
前記複合型半導体レーザ11は、図3(a)に示すよう
に、表面の一部にレーザ光検出器としての受光素子であ
るフォトダイオード112が一体に形成された半導体基
板111を有している。そして、前記半導体基板111
の前記フォトダイオード112に隣接する箇所に、マウ
ント113を介して半導体レーザ光を発光するレーザ光
源としてのレーザチップ114が搭載されている。ま
た、前記フォトダイオード112の受光面を含む前記半
導体基板111の表面上にはプリズム115が搭載され
ている。前記プリズム115は、前記レーザチップ11
4に対向する側面は45度の角度の傾斜面115aとし
て形成されている。そして、前記レーザチップ114や
プリズム115を搭載した前記半導体基板111はパッ
ケージ基板116上に搭載され、かつ円筒状をしたパッ
ケージケース117内に内装されており、前記半導体基
板111、前記フォトダイオード112、前記レーザチ
ップ114に対して前記パッケージ基板116に設けら
れた図外のリード端子が電気接続され、給電及び信号の
入出力が行われる。また、前記パッケージケース117
の上面には開口部117aが設けられており、この開口
部117a内に透明ガラス118が固定され、内部が封
止されている。
ット10は前記複合型半導体レーザ11とコリメートレ
ンズ12とをユニットとして組み立てた構成であるが、
前記複合型半導体レーザ11は、図3(a)に示すよう
に、表面の一部にレーザ光検出器としての受光素子であ
るフォトダイオード112が一体に形成された半導体基
板111を有している。そして、前記半導体基板111
の前記フォトダイオード112に隣接する箇所に、マウ
ント113を介して半導体レーザ光を発光するレーザ光
源としてのレーザチップ114が搭載されている。ま
た、前記フォトダイオード112の受光面を含む前記半
導体基板111の表面上にはプリズム115が搭載され
ている。前記プリズム115は、前記レーザチップ11
4に対向する側面は45度の角度の傾斜面115aとし
て形成されている。そして、前記レーザチップ114や
プリズム115を搭載した前記半導体基板111はパッ
ケージ基板116上に搭載され、かつ円筒状をしたパッ
ケージケース117内に内装されており、前記半導体基
板111、前記フォトダイオード112、前記レーザチ
ップ114に対して前記パッケージ基板116に設けら
れた図外のリード端子が電気接続され、給電及び信号の
入出力が行われる。また、前記パッケージケース117
の上面には開口部117aが設けられており、この開口
部117a内に透明ガラス118が固定され、内部が封
止されている。
【0017】このような構成の前記複合型半導体レーザ
11は、同図に鎖線で概略図示するように、レーザチッ
プ114に給電することでレーザチップ114からレー
ザ光が出射される。出射されたレーザ光はプリズム11
5の傾斜面115aにおいて反射され、コリメートレン
ズ12を透過して平行光束のレーザ光LBとして出射さ
れる。また、複合型半導体レーザ11に戻されてきたレ
ーザ光は、コリメートレンズ12で集光された後、プリ
ズム115の傾斜面115aで屈折されながらプリズム
115内に進行され、半導体基板111の表面で反射さ
れ、さらにプリズム115の上面で反射された上でフォ
トダイオード112の受光面において受光される。前記
フォトダイオード112は受光により得られる電気信号
を、所定の信号処理回路において処理することにより、
水平同期信号として出力するように構成されていること
は言うまでもない。
11は、同図に鎖線で概略図示するように、レーザチッ
プ114に給電することでレーザチップ114からレー
ザ光が出射される。出射されたレーザ光はプリズム11
5の傾斜面115aにおいて反射され、コリメートレン
ズ12を透過して平行光束のレーザ光LBとして出射さ
れる。また、複合型半導体レーザ11に戻されてきたレ
ーザ光は、コリメートレンズ12で集光された後、プリ
ズム115の傾斜面115aで屈折されながらプリズム
115内に進行され、半導体基板111の表面で反射さ
れ、さらにプリズム115の上面で反射された上でフォ
トダイオード112の受光面において受光される。前記
フォトダイオード112は受光により得られる電気信号
を、所定の信号処理回路において処理することにより、
水平同期信号として出力するように構成されていること
は言うまでもない。
【0018】前記fθ機構18を構成するfθミラー2
0とfθレンズ21の概略構成を図4に示す。前記fθ
ミラー20は、例えばアルミニウム等のダイカストによ
り形成されており、図2からも判るように、前記ポリゴ
ンミラー15の反射面15aよりも垂直方向に幾分高い
位置に配置されている。また、前記fθミラー20は、
水平方向に細長い開口を有する偏平な矩形の枠部201
と、前記枠部201内に形成された反射面部202を有
している。前記反射面部202は、前記枠部201の水
平方向のほぼ90%程度の領域を占め、水平方向及び垂
直方向にそれぞれ凹面状をした主反射面203を有して
いる。ここで、前記主反射面203の水平方向の凹状の
曲率は、前記レーザ光LBが前記ポリゴンミラー15の
反射面15aにおいて反射されて水平方向に偏向された
1水平走査分のレーザ光が、前記fθレンズ21の水平
方向の長さ領域に向けて反射される形状とされている。
また、前記主反射面203の垂直方向の曲率は、前記ポ
リゴンミラー15の反射面15aにおけるレーザ光LB
の反射点を中心とした円弧面となる曲率とされている。
0とfθレンズ21の概略構成を図4に示す。前記fθ
ミラー20は、例えばアルミニウム等のダイカストによ
り形成されており、図2からも判るように、前記ポリゴ
ンミラー15の反射面15aよりも垂直方向に幾分高い
位置に配置されている。また、前記fθミラー20は、
水平方向に細長い開口を有する偏平な矩形の枠部201
と、前記枠部201内に形成された反射面部202を有
している。前記反射面部202は、前記枠部201の水
平方向のほぼ90%程度の領域を占め、水平方向及び垂
直方向にそれぞれ凹面状をした主反射面203を有して
いる。ここで、前記主反射面203の水平方向の凹状の
曲率は、前記レーザ光LBが前記ポリゴンミラー15の
反射面15aにおいて反射されて水平方向に偏向された
1水平走査分のレーザ光が、前記fθレンズ21の水平
方向の長さ領域に向けて反射される形状とされている。
また、前記主反射面203の垂直方向の曲率は、前記ポ
リゴンミラー15の反射面15aにおけるレーザ光LB
の反射点を中心とした円弧面となる曲率とされている。
【0019】また、前記fθミラー20には、前記主反
射面203の水平方向の一方の端部、すなわち前記レー
ザ光が水平走査される1水平走査領域の領域外の部位
に、同期信号検出反射面204が一体に形成されてい
る。前記同期信号検出反射面204は、水平方向には凸
面状をし、垂直方向には凹面状をした凹−凸反射面形状
として構成されている。前記同期信号検出反射面204
の水平方向の面形状は、極めて平面に近い曲率である
が、図5(b)を参照すると、入射された平行光束のレ
ーザ光LBが当該同期信号検出反射面204において反
射されたときに、当該レーザ光LBが水平方向に幾分拡
散性を有する光束となるような凸面状に形成されてい
る。また、前記同期信号検出反射面204の垂直方向の
面形状は、図5(a)を参照すると、前記ポリゴンミラ
ー15の反射面15aにおいてレーザ光LBが反射され
る反射点Oxを中心とした半径Rの円弧面となる凹面状
に形成されている。
射面203の水平方向の一方の端部、すなわち前記レー
ザ光が水平走査される1水平走査領域の領域外の部位
に、同期信号検出反射面204が一体に形成されてい
る。前記同期信号検出反射面204は、水平方向には凸
面状をし、垂直方向には凹面状をした凹−凸反射面形状
として構成されている。前記同期信号検出反射面204
の水平方向の面形状は、極めて平面に近い曲率である
が、図5(b)を参照すると、入射された平行光束のレ
ーザ光LBが当該同期信号検出反射面204において反
射されたときに、当該レーザ光LBが水平方向に幾分拡
散性を有する光束となるような凸面状に形成されてい
る。また、前記同期信号検出反射面204の垂直方向の
面形状は、図5(a)を参照すると、前記ポリゴンミラ
ー15の反射面15aにおいてレーザ光LBが反射され
る反射点Oxを中心とした半径Rの円弧面となる凹面状
に形成されている。
【0020】一方、前記fθ機構18を構成する前記f
θレンズ21は、例えば、透明樹脂を成形して構成した
ものであり、前記fθミラー20よりもさらに垂直方向
に高い位置で前記感光ドラム19の感光面に対向される
位置に配置されている。前記fθレンズ21も、同様に
水平方向に細長い開口を有する矩形の枠部211と、前
記枠部211内に形成されたレンズ部212とで構成さ
れている。前記レンズ部212の水平方向の形状は、前
記fθミラー20で反射されたレーザ光を屈折し、感光
ドラム19の感光面において等速状態に走査するような
面形状とされ、垂直方向の面形状は前記ポリゴンミラー
15でのレーザ光LBの反射点を中心とした円弧形状に
形成されている。
θレンズ21は、例えば、透明樹脂を成形して構成した
ものであり、前記fθミラー20よりもさらに垂直方向
に高い位置で前記感光ドラム19の感光面に対向される
位置に配置されている。前記fθレンズ21も、同様に
水平方向に細長い開口を有する矩形の枠部211と、前
記枠部211内に形成されたレンズ部212とで構成さ
れている。前記レンズ部212の水平方向の形状は、前
記fθミラー20で反射されたレーザ光を屈折し、感光
ドラム19の感光面において等速状態に走査するような
面形状とされ、垂直方向の面形状は前記ポリゴンミラー
15でのレーザ光LBの反射点を中心とした円弧形状に
形成されている。
【0021】以上の構成のレーザ走査装置の動作を説明
する。複合型半導体レーザ11は、図3(b)に示すよ
うに、レーザチップ114で発光したレーザ光LBをプ
リズム115の傾斜面115aで反射し、透明ガラス1
18を通して出射する。複合型半導体レーザ11から出
射されたレーザ光LBは拡散性を有するため、コリメー
トレンズ12で平行光束のレーザ光LBとし、図1,2
に示したように、シリンドリカルレンズ13でビーム整
形した後、反射ミラー14で90度の角度で反射し、高
速回転駆動されるポリゴンミラー15の反射面15aに
対して垂直方向の幾分下方から入射される。入射された
レーザ光LBは、ポリゴンミラー15の高速水平回転に
よって経時的に水平方向に偏向される。そして、偏向さ
れたレーザ光LBはfθミラー20によって反射され、
さらにfθレンズ21を通してfθ調整されて感光ドラ
ム19の感光面に対して水平方向に走査される。また、
前記レーザ光LBの水平走査に同期して前記感光ドラム
19は回転軸19aの回りに垂直方向に回転駆動され、
これにより前記レーザ光LBは前記感光ドラム19の感
光面に垂直走査され、所定のパターンが描画される。
する。複合型半導体レーザ11は、図3(b)に示すよ
うに、レーザチップ114で発光したレーザ光LBをプ
リズム115の傾斜面115aで反射し、透明ガラス1
18を通して出射する。複合型半導体レーザ11から出
射されたレーザ光LBは拡散性を有するため、コリメー
トレンズ12で平行光束のレーザ光LBとし、図1,2
に示したように、シリンドリカルレンズ13でビーム整
形した後、反射ミラー14で90度の角度で反射し、高
速回転駆動されるポリゴンミラー15の反射面15aに
対して垂直方向の幾分下方から入射される。入射された
レーザ光LBは、ポリゴンミラー15の高速水平回転に
よって経時的に水平方向に偏向される。そして、偏向さ
れたレーザ光LBはfθミラー20によって反射され、
さらにfθレンズ21を通してfθ調整されて感光ドラ
ム19の感光面に対して水平方向に走査される。また、
前記レーザ光LBの水平走査に同期して前記感光ドラム
19は回転軸19aの回りに垂直方向に回転駆動され、
これにより前記レーザ光LBは前記感光ドラム19の感
光面に垂直走査され、所定のパターンが描画される。
【0022】一方、水平同期信号の検出動作について
は、前記ポリゴンミラー15で反射されたレーザ光LB
の一部は、前記fθミラー20の端部に一体に設けられ
ている同期信号検出反射面204において反射される。
反射されたレーザ光はポリゴンミラー15での反射点に
向けて反射され、すなわち入射されたレーザ光LBの光
路を逆にたどって再度ポリゴンミラー15で反射され、
さらに反射ミラー14で反射され、シリンドリカルレン
ズ13及びコリメートレンズ12を通して複合型半導体
レーザ11内に戻される。このとき、図5(a)に示す
ように、前記同期信号検出反射面204は、垂直方向に
はポリゴンミラー15での反射点Oxを中心とした円弧
面として形成されているので、同図に鎖線で示すよう
に、fθミラー20の垂直方向の角度に多少の設置誤差
が生じていても、反射されたレーザ光LBはポリゴンミ
ラー15での反射点Oxに向けて高い精度で戻されるこ
とになり、その結果として複合型半導体レーザ11に対
しても高い精度で戻されることになる。また、前記同期
信号検出反射面204は、水平方向には平面に極めて近
い凸面として形成されているので、図5(b)に示すよ
うに、同期信号検出反射面204で反射されたレーザ光
LBは幾分拡散性を有する光束のレーザ光となり、ポリ
ゴンミラー15で反射され、最終的に複合型半導体レー
ザ11内に戻される。
は、前記ポリゴンミラー15で反射されたレーザ光LB
の一部は、前記fθミラー20の端部に一体に設けられ
ている同期信号検出反射面204において反射される。
反射されたレーザ光はポリゴンミラー15での反射点に
向けて反射され、すなわち入射されたレーザ光LBの光
路を逆にたどって再度ポリゴンミラー15で反射され、
さらに反射ミラー14で反射され、シリンドリカルレン
ズ13及びコリメートレンズ12を通して複合型半導体
レーザ11内に戻される。このとき、図5(a)に示す
ように、前記同期信号検出反射面204は、垂直方向に
はポリゴンミラー15での反射点Oxを中心とした円弧
面として形成されているので、同図に鎖線で示すよう
に、fθミラー20の垂直方向の角度に多少の設置誤差
が生じていても、反射されたレーザ光LBはポリゴンミ
ラー15での反射点Oxに向けて高い精度で戻されるこ
とになり、その結果として複合型半導体レーザ11に対
しても高い精度で戻されることになる。また、前記同期
信号検出反射面204は、水平方向には平面に極めて近
い凸面として形成されているので、図5(b)に示すよ
うに、同期信号検出反射面204で反射されたレーザ光
LBは幾分拡散性を有する光束のレーザ光となり、ポリ
ゴンミラー15で反射され、最終的に複合型半導体レー
ザ11内に戻される。
【0023】このようにして複合型半導体レーザ11に
戻されたレーザ光は、図3(b)に示したように、プリ
ズム115の傾斜面115aで屈折してプリズム115
内に進入され、半導体基板111の表面で反射され、さ
らにプリズム115の内上面で反射されてフォトダイオ
ード112の受光面で受光される。これにより、フォト
ダイオード112から電気信号が出力され、この電気信
号を信号処理回路において処理することにより、その出
力を水平同期信号として検出することが可能になる。こ
こで、前記複合型半導体レーザ11においては、レーザ
チップ114からコンデンサレンズ12に至るまでの出
射方向の光路長と、コンデンサレンズ12からフォトダ
イオード112に至るまでの入射方向の光路長との間に
は、プリズム115内でレーザ光が反射された光路長か
ら、プリズム115とレーザチップ114との間の光路
長の差だけ、フォトダイオード112までの光路長が長
くなっている。しかしながら、複合型半導体レーザ11
内に戻されるレーザ光は、同期信号検出反射面204に
おいて反射されたときに、図5(b)に示したように、
幾分の拡散性の光束とされているので、前記コンデンサ
レンズ12により集光される際の光路長(焦点距離)は
長くなり、結果としてコンデンサレンズ12で集光され
るレーザ光LBはフォトダイオード112の受光面に集
光されることになり、適切な水平同期の検出が可能にな
る。
戻されたレーザ光は、図3(b)に示したように、プリ
ズム115の傾斜面115aで屈折してプリズム115
内に進入され、半導体基板111の表面で反射され、さ
らにプリズム115の内上面で反射されてフォトダイオ
ード112の受光面で受光される。これにより、フォト
ダイオード112から電気信号が出力され、この電気信
号を信号処理回路において処理することにより、その出
力を水平同期信号として検出することが可能になる。こ
こで、前記複合型半導体レーザ11においては、レーザ
チップ114からコンデンサレンズ12に至るまでの出
射方向の光路長と、コンデンサレンズ12からフォトダ
イオード112に至るまでの入射方向の光路長との間に
は、プリズム115内でレーザ光が反射された光路長か
ら、プリズム115とレーザチップ114との間の光路
長の差だけ、フォトダイオード112までの光路長が長
くなっている。しかしながら、複合型半導体レーザ11
内に戻されるレーザ光は、同期信号検出反射面204に
おいて反射されたときに、図5(b)に示したように、
幾分の拡散性の光束とされているので、前記コンデンサ
レンズ12により集光される際の光路長(焦点距離)は
長くなり、結果としてコンデンサレンズ12で集光され
るレーザ光LBはフォトダイオード112の受光面に集
光されることになり、適切な水平同期の検出が可能にな
る。
【0024】このように、本実施形態のレーザ走査装置
では、同期信号検出のためのフォトダイオード112を
半導体レーザ(レーザチップ114)と一体化した複合
型半導体レーザ11として構成し、かつ、同期信号検出
のための同期信号検出反射面204をfθ機構18を構
成するfθミラー20と一体に形成しているので、独立
したフォトダイオードが不要であるとともに、独立した
同期信号検出用の反射ミラーが不要となり、レーザ走査
装置の小型化、低価格化を図る上で有効となる。
では、同期信号検出のためのフォトダイオード112を
半導体レーザ(レーザチップ114)と一体化した複合
型半導体レーザ11として構成し、かつ、同期信号検出
のための同期信号検出反射面204をfθ機構18を構
成するfθミラー20と一体に形成しているので、独立
したフォトダイオードが不要であるとともに、独立した
同期信号検出用の反射ミラーが不要となり、レーザ走査
装置の小型化、低価格化を図る上で有効となる。
【0025】また、前記同期信号検出反射面204は、
垂直方向には、ボリゴンミラー15でのレーザ光LBの
反射点を中心とする円弧面として形成することにより、
レーザ光の光路に対する同期信号検出反射面204の垂
直方向の位置設定が容易となり、また、経時変化によっ
て設定角度位置にずれが生じたような場合においても、
レーザ光LBの光路に誤差が生じることはなく、フォト
ダイオード112において確実にレーザ光を受光し、水
平同期信号を確実に得ることが困難になる。
垂直方向には、ボリゴンミラー15でのレーザ光LBの
反射点を中心とする円弧面として形成することにより、
レーザ光の光路に対する同期信号検出反射面204の垂
直方向の位置設定が容易となり、また、経時変化によっ
て設定角度位置にずれが生じたような場合においても、
レーザ光LBの光路に誤差が生じることはなく、フォト
ダイオード112において確実にレーザ光を受光し、水
平同期信号を確実に得ることが困難になる。
【0026】さらに、前記同期信号検出反射面204
を、水平方向において平面に近い凸面に形成することに
より、複合型半導体レーザ11においてレーザチップ1
14のレーザ出射面と、フォトダイオード112の受光
面との間に光路差が生じている場合でも、コンデンサレ
ンズ12によるレーザ光の集光位置をフォトダイオード
112の受光面に高精度に設定することが可能になり、
フォトダイオード112における受光強度が改善され、
同期信号の検出感度が向上できる。
を、水平方向において平面に近い凸面に形成することに
より、複合型半導体レーザ11においてレーザチップ1
14のレーザ出射面と、フォトダイオード112の受光
面との間に光路差が生じている場合でも、コンデンサレ
ンズ12によるレーザ光の集光位置をフォトダイオード
112の受光面に高精度に設定することが可能になり、
フォトダイオード112における受光強度が改善され、
同期信号の検出感度が向上できる。
【0027】ここで、前記実施形態では、fθ機構をf
θミラーとfθレンズとで構成されている例を示した
が、図6に示すように、fθミラーを備えていないfθ
レンズ21のみで構成されるレーザ走査装置に適用する
ことも可能である。なお、図6では、図1と等価な部分
には同一符号を付してある。この実施形態の場合には、
同図に示すように、fθレンズ21を構成する第1fθ
レンズ21Aと第2fθレンズ21Bのうち、前段の第
1fθレンズ21Aの水平方向の一方の端部に、図4に
示したような同期信号検出反射面214を一体に形成す
ればよい。例えば、第1fθレンズ21Aを樹脂により
形成した上で、その水平方向の一方の端部の領域にのみ
アルミニウム等を蒸着して反射面を形成し、この反射面
を前記同期信号検出反射面214として構成すればよ
い。なお、この実施形態の場合においても、同期信号検
出反射面214の面形状を図4に示したような凹−凸反
射面形状に形成することが好ましいことは言うまでもな
い。
θミラーとfθレンズとで構成されている例を示した
が、図6に示すように、fθミラーを備えていないfθ
レンズ21のみで構成されるレーザ走査装置に適用する
ことも可能である。なお、図6では、図1と等価な部分
には同一符号を付してある。この実施形態の場合には、
同図に示すように、fθレンズ21を構成する第1fθ
レンズ21Aと第2fθレンズ21Bのうち、前段の第
1fθレンズ21Aの水平方向の一方の端部に、図4に
示したような同期信号検出反射面214を一体に形成す
ればよい。例えば、第1fθレンズ21Aを樹脂により
形成した上で、その水平方向の一方の端部の領域にのみ
アルミニウム等を蒸着して反射面を形成し、この反射面
を前記同期信号検出反射面214として構成すればよ
い。なお、この実施形態の場合においても、同期信号検
出反射面214の面形状を図4に示したような凹−凸反
射面形状に形成することが好ましいことは言うまでもな
い。
【0028】また、前記実施形態では、複合型半導体レ
ーザとして、プリズムを備えた構成例を示しているが、
他の構成の複合型半導体レーザについても本発明を同様
に適用することが可能である。なお、複合型半導体レー
ザを構成している半導体レーザ(レーザチップ)と、受
光素子(フォトダイオード)のそれぞれにおいてコリメ
ータレンズに至るまでの光路長が等しい場合には、同期
信号検出反射面の面形状のうち、主走査方向の凸面形状
は平面形状として構成すればよい。
ーザとして、プリズムを備えた構成例を示しているが、
他の構成の複合型半導体レーザについても本発明を同様
に適用することが可能である。なお、複合型半導体レー
ザを構成している半導体レーザ(レーザチップ)と、受
光素子(フォトダイオード)のそれぞれにおいてコリメ
ータレンズに至るまでの光路長が等しい場合には、同期
信号検出反射面の面形状のうち、主走査方向の凸面形状
は平面形状として構成すればよい。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、複合型半
導体レーザを用いて同期信号検出のためのレーザ光を受
光し、かつ、同期信号検出のための同期信号検出反射ミ
ラーを偏向走査手段と一体に形成しているので、独立し
たレーザ光検出器と同期信号検出反射ミラーが不要にな
り、レーザ走査装置に設けられる同期信号検出装置の構
成部品点数が削減でき、小型化、低価格化が実現でき
る。また、本発明によれば、複合型半導体レーザのレー
ザ光の出射位置と、受光面の位置が光路上の等価でない
位置に設定されている場合においても、レーザ光を受光
面に集光して好適な受光が可能となり、かつ、同期信号
検出反射ミラーの設置位置ずれや経時的な位置ずれが生
じた場合でも、同期信号検出反射ミラーによりレーザ光
を正確に複合型半導体レーザに向けて反射することが可
能になり、同期信号を高精度に検出することが可能な同
期信号検出装置が構成される。
導体レーザを用いて同期信号検出のためのレーザ光を受
光し、かつ、同期信号検出のための同期信号検出反射ミ
ラーを偏向走査手段と一体に形成しているので、独立し
たレーザ光検出器と同期信号検出反射ミラーが不要にな
り、レーザ走査装置に設けられる同期信号検出装置の構
成部品点数が削減でき、小型化、低価格化が実現でき
る。また、本発明によれば、複合型半導体レーザのレー
ザ光の出射位置と、受光面の位置が光路上の等価でない
位置に設定されている場合においても、レーザ光を受光
面に集光して好適な受光が可能となり、かつ、同期信号
検出反射ミラーの設置位置ずれや経時的な位置ずれが生
じた場合でも、同期信号検出反射ミラーによりレーザ光
を正確に複合型半導体レーザに向けて反射することが可
能になり、同期信号を高精度に検出することが可能な同
期信号検出装置が構成される。
【図1】本発明の同期信号検出装置を備えたレーザ走査
装置の第1の実施形態の平面構成図である。
装置の第1の実施形態の平面構成図である。
【図2】図1のレーザ走査装置の一部を展開した状態で
示す側面構成図である。
示す側面構成図である。
【図3】複合型半導体レーザの内部構造の断面図と光路
を説明するための模式図である。
を説明するための模式図である。
【図4】fθ機構を構成するfθミラーとfθレンズの
概略外観図である。
概略外観図である。
【図5】同期信号検出反射ミラーの垂直方向と水平方向
の各反射動作を示す図である。
の各反射動作を示す図である。
【図6】本発明にかかるレーザ走査装置の第2の実施形
態の平面構成図である。
態の平面構成図である。
【図7】第1の従来例のレーザ走査装置の平面構成図で
ある。
ある。
【図8】第2の従来例のレーザ走査装置の平面構成図で
ある。
ある。
10 レーザ光源ユニット 11 複合型半導体レーザ 12 コリメートレンズ 13 シリンドリカルレンズ 14 反射ミラー 15 ポリゴンミラー 16 モータ 19 感光ドラム 18 fθ機構 20 fθミラー 21 fθレンズ 21A,21B fθレンズ 111 半導体基板 112 フォトダイオード 113 マウント 114 レーザチップ 115 プリズム 201 枠部 202 反射面部 203 主反射面 204 同期信号検出反射面 211 枠部 212 レンズ部 214 同期信号検出反射面
Claims (7)
- 【請求項1】 レーザ光を出射するレーザ光源と、前記
出射されたレーザ光を偏向し、かつ偏向されたレーザ光
を感光面上で主走査する偏向走査手段と、前記偏向され
たレーザ光を特定の偏向位置において受光して同期信号
を出力する受光素子とを備えるレーザ走査装置の同期検
出装置において、前記レーザ光源と前記受光素子は複合
型半導体レーザとして構成され、前記偏向走査手段に
は、前記偏向走査手段で偏向されたレーザ光を前記受光
素子に向けて反射するための同期信号検出反射ミラーを
一体に形成していることを特徴とするレーザ走査装置の
同期信号検出装置。 - 【請求項2】 前記偏向走査手段は前記主走査方向に回
転駆動されるポリゴンミラーと、前記主走査方向に延設
配置されたfθ機構とを備えており、前記同期信号検出
反射ミラーを前記fθ機構と一体に形成していることを
特徴とする請求項1に記載のレーザ走査装置の同期信号
検出装置。 - 【請求項3】 前記fθ機構は、前記ポリゴンミラーで
反射された光を反射するfθミラーと、前記fθミラー
で反射された光を屈折するfθレンズとで構成され、前
記同期信号検出反射ミラーは、前記fθミラーと一体に
形成されていることを特徴とする請求項2に記載のレー
ザ走査装置の同期信号検出装置。 - 【請求項4】 前記fθ機構は、前記ポリゴンミラーで
反射された光を屈折するfθレンズで構成され、前記同
期信号検出反射ミラーは、前記fθレンズと一体に形成
されていることを特徴とする請求項2に記載のレーザ走
査装置の同期信号検出装置。 - 【請求項5】 前記レーザ光源から出射するレーザ光を
平行光束とするコリメート光学系が設けられ、前記複合
型半導体レーザは、前記コリメート光学系と前記レーザ
光源との間の光路長が前記コリメート光学系と前記受光
素子との間の光路長よりも短く形成されている請求項1
ないし4のいずれかに記載のレーザ走査装置において、
前記同期信号検出反射ミラーの反射面は前記主走査方向
に沿う断面形状が凸面に形成され、前記コリメート光学
系に向けて反射する前記レーザ光の光束を拡散性とする
ことを特徴とするレーザ走査装置の同期信号検出装置。 - 【請求項6】 前記同期信号検出反射ミラーの反射面
は、前記ポリゴンミラーの回転方向に垂直な方向に沿っ
て、前記ポリゴンミラーでの前記レーザ光の反射点を中
心とする円弧状の凹面に形成されていることを特徴とす
る請求項1ないし5のいずれかに記載のレーザ走査装置
の同期信号検出装置。 - 【請求項7】 前記ポリゴンミラーに入射されるレーザ
光は、当該ポリゴンミラーの回転方向に垂直な方向に対
して斜め方向に入射されていることを特徴とする請求項
1ないし6のいずれかに記載のレーザ走査装置の同期信
号検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000316260A JP2002122800A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | レーザ走査装置の同期信号検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000316260A JP2002122800A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | レーザ走査装置の同期信号検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002122800A true JP2002122800A (ja) | 2002-04-26 |
Family
ID=18795236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000316260A Pending JP2002122800A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | レーザ走査装置の同期信号検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002122800A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032454A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法 |
JP2009258089A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 形状計測装置 |
CN109471090A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-03-15 | 森思泰克河北科技有限公司 | 非共轴扫描激光雷达接收系统的检测方法 |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2000316260A patent/JP2002122800A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006032454A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法 |
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CN109471090B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-10-10 | 森思泰克河北科技有限公司 | 非共轴扫描激光雷达接收系统的检测方法 |
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