JP2002118481A - モバイル電話装置及び高周波コンポーネント - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】送信機と受信機がそれぞれデカプリングコンデ
ンサを備えて同一基板上に取りつけられるモバイル電話
装置において、薄膜技術による低インダクタンスのコン
デンサを実現し、更に複数の給電端子をコンデンサの同
じ側に取り付けて、性能を改善する。 【解決手段】基板１上には、デカップリングコンデンサ
の電極２，４と給電端子６，７、高周波回路８、ＤＣ源
９、及び導電トラック１０，１１を有する。電極２の上
には誘電体３があり、電極４は、誘電体３上にある。保
護層５は、電極２上及び基板１の全表面上に設けられ
る。高周波回路８、ＤＣ源９及び導電トラック１０，１
１は、保護層上に設けられる。高周波回路８は導体トラ
ック１０を介してデカップリングコンデンサ及び、ＤＣ
源９に接続される。給電端子７と導体トラック１１は、
デカップリングコンデンサを接地１２に接続する。給電
端子６及び７は、デカップリングコンデンサの同じ側に
設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、各々が高周波コンポーネントを
有する送信機と受信機とを備えるモバイル電話装置に関
する。

【０００２】モバイル電話装置は、スピーカの他に、デ
ィスプレイデバイス、電源手段、とりわけ、データの送
受信目的で、高周波コンポーネントを有する送信機と高
周波コンポーネントを有する受信機とを備える。

【０００３】このモバイル電話装置は、高周波回路のみ
ならず高周波信号にデカップリングされるべきＤＣ源を
備える。

【０００４】コンデンサ、所謂デカップリングコンデン
サは、デカップリングのために使用される。デカップリ
ングコンデンサの機能は、高周波回路のコンポーネント
に一定のＤＣ電源を保障するように、望ましくない高周
波信号を減衰することである。

【０００５】広範な周波数範囲に亘ってデカップリング
を達成するために、高いＣ／Ｌ（キャパシタンス／イン
ダクタンス）比、即ち、高キャパシタンス値及び低イン
ダクタンス値を有する、デカップリングコンデンサが必
要とされる。理想的な場合、全ての望ましくない高周波
信号がこのようなコンデンサによって平滑化される。低
インダクタンス値を有する個別のコンデンサは、今日製
造され得るが、タイプ０４０２のコンデンサに対して４
００ｐＨのインダクタンス値とタイプ０２０１のコンデ
ンサに対する３００ｐＨのインダクタンス値は高く、数
ｐＦのキャパシタンス値を有するコンデンサを使用する
ことを可能とする。狭い周波数範囲のみがこのようなデ
カップリングコンデンサによってデカップリングされ得
る。このため、異なるキャパシタンス値を有する幾つか
の個別のコンデンサは、高周波回路とＤＣ源が広い周波
数範囲をデカップリングするために存在する基板上に設
けられる。従って、低キャパシタンスのコンデンサは、
より高い周波数をデカップリングするために使用され、
且つ高いキャパシタンスのコンデンサは、より低い周波
数をデカップリングするために使用される。

【０００６】幾つかの個別のデカップリングコンデンサ
の使用と取り付けは、高価であるばかりでなく、これら
の個別のデカップリングコンデンサは、基板上の多くの
スペースを占有する。

【０００７】一つの電極がテ−パ形状、例えば、三角形
やファン形状を有する、デカップリングコンデンサが米
国特許第６，０３８，１１２から公知となっている。こ
の特殊の電極デザインによって、２つの接続端子間でキ
ャパシタンス値が変化するコンデンサが提供され、異な
る周波数は、デカップリングコンデンサの異なる領域で
デカップリングされる。このデカップリングコンデンサ
の一つの利点は、一つの個別のコンポーネントのみが取
り付けられることである。このデカップリングコンデン
サの不利な点は、その特別の電極構造のために、非常に
複雑であると共に高価であることである。

【０００８】本発明の目的は、各々がデカップリングコ
ンデンサを有する高周波コンポーネントを備える送信機
と受信機が取り付けられ、このデカップリングコンデン
サが広い周波数範囲に亘ってデカップリングを行なうと
共に製造が簡単なモバイル電話装置を提供することであ
る。

【０００９】この目的は、各々が高周波コンポーネント
を有する送信機と受信機とを備えるモバイル電話装置で
あって、前記高周波コンポーネントが、共通基板上に高
周波回路とＤＣ源と集積デカップリングコンデンサとを
備え、前記デカップリングコンデンサが、前記デカップ
リングコンデンサの一方であって同じ側に、第１の電極
と誘電体と第２の電極と第１と第２の給電端子とを有
し、一方の電極が高周波回路とＤＣ源に接続され、且つ
他方の電極が接地に接続される、モバイル電話装置によ
って達成される。

【００１０】非常に小さい電極寸法が可能であるため
に、高周波回路を有する基板上にデカップリングコンデ
ンサの直接集積を介してモバイル電話装置に低インダク
タンスのデカップリングコンデンサを製造することが可
能である。その結果、デカップリングコンデンサのＣ／
Ｌ比が増加され得る。更に、集積によって、複数の給電
端子がデカップリングコンデンサの同じ側にあるデカッ
プリングコンデンサが製造され得る。コンデンサの同じ
側の電極同士の接触は、電流がこれらの電極を介して反
対の方向に流れ、デカップリングコンデンサに生じ且つ
自己誘導を画定する磁界が明瞭に減少されることを意味
する。それによって、デカップリングコンデンサのＣ／
Ｌ比が増加される。一方の側に給電端子を設ける事は、
向流原理（counter-current principle）と呼ばれる。

【００１１】デカップリングコンデンサのこの改良され
たＣ／Ｌ比は、幅の広い周波数バンドをデカップリング
するために唯一つのデカップリングコンデンサが必要で
あることを意味する。

【００１２】モバイル電話装置の更に他の利点は、集積
デカップリングコンデンサの外形寸法がより小さくなる
ので、より小さな高周波コンポーネントが製造可能とな
ることである。全体として、これによってモバイル電話
装置がより小型化される。更に、個別のデカップリング
コンデンサへの高周波コンポーネントの高価な取り付け
が不要となる。

【００１３】更に、本発明は、共通基板上に高周波回路
とＤＣ源と集積デカップリングコンデンサとを備える高
周波コンポーネントであって、前記デカップリングコン
デンサが、前記デカップリングコンデンサの一方であっ
て同じ側に、第１の電極と誘電体と第２の電極と第１と
第２の給電端子とを有し、一方の電極が高周波回路とＤ
Ｃ源に接続され、且つ他方の電極が接地に接続される、
高周波コンポーネントに関する。

【００１４】好ましくは、デカップリングコンデンサ
は、薄膜技術によって構成される。

【００１５】デカップリングコンデンサのＣ／Ｌ比は、
薄膜プロセスによって影響され得る。薄膜プロセスにお
いて、誘電体がより小さな層厚みｄ（ｄ＜１μｍ）を有
し、従ってより高いキャパシタンス密度を有するデカッ
プリングコンデンサが、実現され得る。得られたデカッ
プリングコンデンサは、そのＣ／Ｌ比に対してより高い
値を有する。

【００１６】特に、更に集積されたパッシブコンポーネ
ントが基板上に設けられることが好ましい。

【００１７】例えば、コイル、抵抗器或いはコンデンサ
のような更に集積されたパッシブコンポーネントは、電
極とデカップリングコンデンサの誘電体の適切な構成を
介して或いは更なる機能層の蒸着を介して基板上に直接
設けられ得る。その結果、高周波コンポーネント上に存
在すべき更なる個別のコンポーネントを取り付けが回避
され、且つ、モバイル電話装置の更なる小型化が可能と
なる。

【００１８】高周波回路が増幅器回路、ミキサーステー
ジ、又は電圧制御発振器である場合、有利である。

【００１９】望ましくない高周波信号の効果的なデカッ
プリングは、全てのこれらの高周波回路に必要である。

【００２０】本発明は、三つの図面と２つの実施の形態
を参照して以下でより詳細に説明される。

【００２１】モバイル電話装置は、例えば、電源手段、
ディスプレイデバイス、スピーカ、マイクロフォン、入
力デバイス、メモリデバイス、アンテナ、送信機、及び
受信機を備える。送信機と受信機の各々は、高周波回路
８とＤＣ源９とを有する高周波コンポーネントを備え
る。高周波コンポーネントは、ＤＣ源９を高周波信号か
らデカップリングするためのデカップリングコンデンサ
を備える。

【００２２】図１において、集積デカップリングコンデ
ンサは、基板１上の第１の電極２を備え、この基板は、
例えば、セラミック材料、機能を有する低温共焼成基
板、ガラスの平坦化層を有するセラミック材料、ガラス
−セラミック材料、ガラス材料、Ｓｉ、ＧａＡｓ、サフ
ァイア、ラミネート、接着層を有するガラス基板、又は
接着層とその接着層上のＳｉＯ層とを有するガラス基板
よりなる。シリコン又はＧａＡｓが基板１として使用さ
れる場合、例えば、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４又はガラスの
追加の不活性化層が基板１に設けられる。好ましくは、
誘電率ε_ｒ（値ε _ｒ＞２０）を有する誘電体３が第１の
電極２上に存在する。使用出来る材料は、例えば、Ｌａ
やＭｎのドーパントを有する及びそれを有さない、及び
過剰な鉛を有する及びそれを有さないＰｂ_ｘＺｒ_ｘＴｉ
１−ｘＯ３（０≦ｘ≦１）、ドーパントを有する及びそ
れを有さないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ３（０≦ｘ≦
１）、［Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘＴｉＯ_３］−Ｐｂ_１−ｙＣａ
_ｙＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、ドーパントを
有する又はそれを有さないＢａ_１−ｘＳｒ_ｘＺｒ_ｙＴｉ
_{１ −ｙ}Ｏ_３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、過剰の鉛を有
する及びそれを有さないＢａ_１−ｘＰｂ_ｘＴｉＯ_３（０
≦ｘ≦１）、Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３（０≦ｘ≦
１）、ドーパントを有する及びそれを有さないＳｒＺｒ
_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）、［ＰｂＭｇ_１／３Ｎ
ｂ_２／３Ｏ_３］_ｘ−［ＰｂＴｉＯ_３］_１−ｘ（０≦ｘ≦
１）、（Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）
_ｘＴｉ_ｙ（Ｚｎ_{１ ／３}Ｎｂ_２／３）_{１−ｙ−ｘ}Ｏ_３（０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ｐｂ_１−ｘＣａ _ｘＴｉＯ
_３（０≦ｘ≦１）、（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２ＮａＮｂ_５
Ｏ_１５（０≦ｘ≦１）、（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２ＫＮｂ
_５Ｏ_１５（０≦ｘ≦１）、（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_２Ｋ
_１−３ｙＳＥ_ｙＮｂ_５Ｏ_１５（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、ＳＥ＝希土類金属のグループからのイオン）、Ｔａ
_２Ｏ_５、Ａｌ_３Ｏ_３がドープされたＴａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ
_２、ＴｉＯ_２がドープされたＴａ_２Ｏ_５と、Ｚｒ（Ｓ
ｎ、Ｔｉ）Ｏ_４、ＶＯｘ（１≦ｘ≦２．５）及び／又は
ＣｕＯドーパントを有する及びそれを有さないＢｉＮｂ
Ｏ_４、及び ａ）ＰｂＭｇ_１／２Ｗ_１／２Ｏ_３ ｂ）ＰｂＦｅ_１／２Ｎｂ_１／２Ｏ_３ ｃ）ＰｂＦｅ_２／３Ｗ_１／３Ｏ_３ ｄ）ＰｂＮｉ_１／３Ｎｂ_２／３Ｏ_３ ｅ）ＰｂＺｎ_１／３Ｎｂ_２／３Ｏ_３ ｆ）ＰｂＳｃ_１／２Ｔａ_１／２Ｏ_３ 並びに化合物ａ）からｆ）とＰｂＴｉＯ_３及び／または
ＰｂＭｇ_１／３Ｎｂ_{２／ ３}Ｏ_３の組合せである。或い
は、誘電体３は基板一の表面の全体にわたって設けられ
る。第２の電極４は、誘電体３上に設けられる。第１の
電極２と第２の電極４は、例えば、５０ｎｍ〜１μｍの
層厚みを有するＰｔ、１〜２０ｎｍの層厚みを有するＴ
ｉ／２０〜６００ｎｍの層厚みを有するＰｔ、１〜２０
ｎｍの層厚みを有するＴｉ／２０〜６００ｎｍの層厚み
を有するＰｔ／１から２０ｎｍの層厚みを有するＴｉ、
Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ、Ｔｉ
／Ａｇ、Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ、Ｔｉ／
Ｉｒ、Ｔｉ／Ｐｄ、Ｔｉ／Ａｇ _１−ｘＰｔ_ｘ（０≦ｘ≦
１）、Ｔｉ／Ａｇ_１−ｘＰｄ_ｘ（０≦ｘ≦１）、Ａｇ１
−ｘＰｔｘ（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ／Ｐｔ_１−ｘＡｌ
_ｘ（０≦ｘ≦１）、Ｐｔ_{１− ｘ}Ａｌ_ｘ（０≦ｘ≦１）、
Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_１−ｘＡｌ_ｘ（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ／
Ａｇ／Ｒｕ、Ｒｕ、Ｒｕ／ＲｕＯ_２、Ｔｉ／Ｒｕ、Ｔｉ
／Ｉｒ、Ｔｉ／Ｉｒ／ＩｒＯ_２、Ｔｉ／Ｒｕ／Ｒｕ_ｘＰ
ｔ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｘ
（０≦ｘ≦２）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ_ｘ（０≦ｘ
≦２）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０≦ｘ
≦１）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／Ｒｕ_ｘＰｔ _１−ｘ／ＲｕＯ
_ｙ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦２）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／Ｒ
ｕＯ_ｘ／Ｒｕ_ｙＰｔ_１−ｙ（０≦ｘ≦２、０≦ｙ≦
１）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ_ｘＰｔ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）、
Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＡｌ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）、Ｐｔ_ｘ
Ａｌ_{１ −ｘ}／Ａｇ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０≦ｘ≦１、０
≦ｙ≦１）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ _ｙ（ＲｈＯ_ｘ）
_１−ｙ（０≦ｘ≦２、０≦ｙ≦１）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ
／ＲｈＯ _ｘ（０≦ｘ≦２）、Ｒｈ、Ｒｈ／ＲｈＯ_２、Ｔ
ｉ／Ａｇ／Ｐｔ_ｘＲｈ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ／Ａ
ｇ／Ｐｔ_ｙ（ＲｈＯ_ｘ）_１−ｙ／Ｏｔ_ｚＲｈ_１−ｚ（０
≦ｘ≦２、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰ
ｔ_１−ｘ／Ｉｒ（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ
_１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯ_ｙ、（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
２）、Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｐｔ_ｙＡｌ_１−ｙ（０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）、Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｒ
ｕ（０≦ｘ≦１）、Ｔｉ／Ａｇ_ｘＰｔ_１−ｘ／Ｒｕ／Ｒ
ｕＯ_ｙ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦２）、Ｔｉ／Ａｇ／Ｃ
ｒ、Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ、Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／Ｉ
ＴＯ、Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ、Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ、Ｔｉ
／Ｒｈ、Ｔｉ／Ｒｈ／ＲｈＯ_２、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｉ
ＴＯ、Ｔｉ／Ｎｉ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、Ｗ_ｘＴｉ
_１−ｘ（０≦ｘ≦１）、Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）
（０≦ｘ≦１）、Ｗ_ｘＴｉ_１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０≦
ｘ≦１）、Ｗ_ｘＴｉ _１−ｘ／Ａｌ（０≦ｘ≦１）、Ａ
ｌ、ＣｕがドープされたＡｌ、ＳｉがドープされたＡ
ｌ、Ｎｉ_ｘＣｒ_ｙＡｌ_ｚ／Ａｌ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、０≦ｚ≦１）、ＣｕがドープされたＮｉ_ｘＣｒ_ｙＡ
ｌ_ｚ／Ａｌ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、
ＳｉがドープされたＮｉ_ｘＣｒ_ｙＡｌ_ｚ／Ａｌ（０≦ｘ
≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、又はＴｉ／Ｃｕより
なる。好ましくは基板１の全表面上に延出する保護層５
は、第２の電極２の上にある。保護層５のために使用さ
れ得る材料は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＮ_４でる。第２
の電極４は、第１の給電端子６と接触し、且つ第２の電
極は、第２の給電端子７と接触する。第１と第２の給電
端子６と７は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａ
ｕ、Ｎｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、又はＮｉ／Ａｕよ
りなる。

【００２３】次に、高周波コンポーネントの更なるコン
ポーネントが保護層５の上に設けられる。

【００２４】第１の給電端子６は、デカップリングコン
デンサを高周波回路８とＤＣ源９に接続し、第２の給電
端子７は、接地１２に接続される。

【００２５】或いは、バリア層が基板１と第１の電極２
との間に設けられてもよく、この層は、例えば、ＴｉＯ
_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＭｇＯ、又はＺｒＯ_２より
なる。

【００２６】図２は、デカップリングコンデンサの電極
２、４と給電端子６、７、高周波回路８、ＤＣ源９、及
び導電トラック１０、１１を有する基板１の平面図であ
る。基板１上には、第１の電極２があると共にその上に
誘電体３があることが図２に示されている。第２の電極
４は、誘電体３上にある。保護層５は、第２の電極２上
及び基板１の全表面上に設けられる。高周波回路８、Ｄ
Ｃ源９及び導体トラック１０、１１は、保護層上に設け
られる。高周波回路８は、例えば、増幅器回路、ミキサ
ーステージ、又は電圧制御発振器である。高周波回路８
は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｃ
ｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ製の導体トラック
１０を介してデカップリングコンデンサ及び、例えばバ
ッテリである、ＤＣ源９へ接続される。第２の給電端子
７と、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ製の導体トラッ
ク１２は、デカップリングコンデンサを接地１２に接続
する。第１の給電端子６と第２の給電端子７は、デカッ
プリングコンデンサの同じ側に設けられる。

【００２７】或いは、高周波回路８は、ワイヤボンディ
ングやフリップチップマウンティングによって接続され
てもよい。

【００２８】或いは、例えば、抵抗器、コイル、又は更
なるコンデンサのような更なる集積パッシブコンポーネ
ントは、基板１上に設けられてもよい。このために、例
えば、抵抗層や第１の電極、誘電体、及び更なるコンデ
ンサの第２の電極のような更なる機能層が保護層５上に
配される。更なる保護層が最上機能層に設けられる。集
積パッシブコンポーネントは、更なる保護層中のビアを
介して電気的に接触する。このパッシブコンポーネント
は、例えばトランジスタ回路である、高周波コンポーネ
ント上に存在する更なるコンポーネントへ接続され得
る。

【００２９】また、抵抗器と、例えばデカップリングコ
ンデンサよりも低いキャパシタンス値Ｃを有するコンデ
ンサのような、２つ又はそれ以上の集積パッシブコンポ
ーネントが基板１上に設けられることが可能である。こ
の目的のために、抵抗層及び更なるコンデンサの第１の
電極が保護層５に設けられる。更なるコンデンサの誘電
体を形成時に、上に第１の更なる保護層が配される。更
なるコンデンサの第２の電極がこの第１の更なる保護層
上に設けられ、且つ第２の更なる保護層が、好ましく
は、基板１の全表面上に延出するように、第２の電極上
に設けられる。集積パッシブコンポーネントは、更なる
保護層中のビアを介して電気的に接触され、導体トラッ
クによって、例えばトランジスタ回路のような高周波コ
ンポーネント上に存在する更なるコンポーネントに接続
される。

【００３０】例えば、電極２、４及び誘電体３のような
機能層が、初めに、公知の薄膜技術によって基板１上に
設けられ、高周波コンポーネントの製造においてそれら
の機能に従って構成される。保護層５が付着された後、
例えば、高周波回路８、導体トラック１０、１１及びＤ
Ｃ源９のような高周波コンポーネントに必要なアイテム
が公知の方法で設けられる。

【００３１】このような高周波コンポーネントは、例え
ば、モバイル電話装置のようなモバイル通信システムの
送信機や受信機、或いは、例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ
モジュールのようなモバイルデータ送信システムにおい
て使用され得る。

【００３２】図３は、集積デカップリングコンデンサの
減衰曲線と比較される２つの個別のコンデンサの減衰曲
線を示す。曲線１３は、２つの個別コンデンサの減衰曲
線を表し、第１の個別コンデンサは、３３０ｐＦのキャ
パシタンスと０．６ｎＨのインダクタンスを有する。第
２の個別コンデンサは、８２ｐＦのキャパシタンスと
０．６ｎＨのインダクタンスを有する。曲線１４は、１
ｎＦのキャパシタンスと０．１ｎＨのインダクタンスを
有する集積デカップリングコンデンサの減衰曲線を表
す。

【００３３】例えば、デカップリングコンデンサの電極
２、４の何れが接地に接続されるかについては、高周波
コンポーネントの構造において当業者には習熟した選択
事項である。

【００３４】本発明が如何に実施されるかの実施例を表
す本発明の実施の形態が、如何に詳細に説明される。

【００３５】実施の形態１ Ｔｉ／Ｐｔの第１の電極２は、ガラス平坦化層を有する
Ａｌ_２Ｏ_３の基板１上に設けられる。５％ランタンドー
ピングのＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_０．４７Ｏ_３の誘電体３
が第１の電極２上及び基板１の全表面上に付着される。
Ｔｉ_０．１Ｗ_{０ ．９}／Ａｌの第２の電極４が誘電体３上
に設けられる。Ｓｉ_３Ｎ_４の保護層５が第２の電極２上
及び基板１の全表面上に存在する。孔が保護層５を貫通
するようにエッチングされ、且つ第２の電極４を第１の
給電端子６に接続するためのＮｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／
Ａｕが充填された。孔が保護層５を貫通するようにエッ
チングされ、且つ第１の電極２を第２の給電端子７に接
続するためにＮｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕが充填され
た。増幅器回路が保護層５上に高周波回路８として設け
られ、且つＮｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの導体トラッ
ク１０、１１を有するバッテリがＤＣ源９として設けら
れる。導体トラック１０は、それが高周波回路８、第１
の給電端子６及びＤＣ源９を相互に接続するように構成
される。導体トラック１１は、それが第２の給電端子７
を接地１２に接続するように構成される。

【００３６】このような高周波コンポーネントがモバイ
ル電話装置の送信機と受信機に組み込まれた。

【００３７】実施の形態２ ＴｉＯ_２のバリア層がガラス基板１上に設けられ、且つ
Ｔｉ／Ｐｔの第１の電極２がこのバリア層上に設けられ
る。５％ランタンドーピングのＰｂＺｒ_{０．５ ３}Ｔｉ
_０．４７Ｏ_３の誘電体３が第１の電極２上及び基板１の
全表面上に付着される。Ｔｉ_０．１Ｗ_０．９／Ａｌの第
２の電極４が誘電体３上に設けられる。Ｓｉ_３Ｎ_４の保
護層５が第２の電極４上及び基板１の全表面上に存在す
る。Ｎｉ_{０ ．３}Ｃｒ_０．６Ａｌ_０．１の抵抗層及びＳｉ
_３Ｎ_４の更なる保護層が保護層５上に設けられる。孔が
保護層５と更なる保護層を貫通するようにエッチングさ
れ、且つ第２の電極４を第１の給電端子６へ接続するた
めにＮｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕが充填される。孔が
保護層５、更なる保護層及び誘電体３を貫通するように
エッチングされ、且つ第１の電極２を第２の給電端子７
に接続するためにＮｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕが充填
される。２つの孔が更なる保護層にエッチングされ、且
つ抵抗層を接続するためにＮｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａ
ｕが充填される。増幅器回路が高周波回路８として更な
る保護層上に設けられ、且つバッテリ、Ｎｉ／Ｃｒ／Ｃ
ｕ／Ｎｉ／Ａｕの導体トラック１０、１１及びトランジ
スタ回路がＤＣ源９として設けられる。導体トラック１
０は、それが高周波回路８、第１の給電端子６及びＤＣ
源９を相互接続するように構成される。導体トラック１
１は、それが第２の給電端子７を接地に接続するように
構成される。抵抗器は、導体トラックによってトランジ
スタ回路に接続される。

【００３８】このような高周波コンポーネントは、モバ
イルＢｌｕｅｔｏｏｔｈモジュールに組み込まれる。

【図面の簡単な説明】

【図１】集積デカップリングコンデンサを有する基板の
断面図である。

【図２】デカップリングコンデンサ、高周波回路、及び
ＤＣ源を備える基板の平面図である。

【図３】集積デカップリングコンデンサの減衰曲線と比
較される２つの個別のコンデンサの減衰曲線を示す。

【符号の説明】 １ 基板 ２ 第１の電極 ３ 誘電体 ４ 第２の電極 ５ 保護層 ６ 第１の給電端子 ７ 第２の給電端子 ８ 高周波回路 ９ ＤＣ源 １０、１１ 導体トラック

フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 マライケ、カタリネ、クレー ドイツ連邦共和国ヒュッケルホーベン、ラ ンデルアーター、ウェーク、27 (72)発明者 ピーター、ウイレム、イエデロー オランダ国6534、エイイー、ニーメゲン、 ゲルストウェーク、２ Ｆターム(参考） 5K011 AA03 AA08 AA16 DA01 DA03 DA06 DA27 DA29 JA01 KA04

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】各々が高周波コンポーネントを有する送信
   機と受信機とを備えるモバイル電話装置であって、前記
   高周波コンポーネントが、共通基板（１）上に高周波回
   路（８）とＤＣ源（９）と集積デカップリングコンデン
   サとを備え、前記デカップリングコンデンサが、前記デ
   カップリングコンデンサの一方であって同じ側に、第１
   の電極（２）と誘電体（３）と第２の電極（４）と第１
   及び第２の給電端子（６、７）とを有し、一方の電極
   （２、４）が高周波回路（８）とＤＣ源（９）に接続さ
   れ、且つ他方の電極（４、２）が接地（１２）に接続さ
   れる、モバイル電話装置。
2. 【請求項２】共通基板（１）上に高周波回路（８）とＤ
   Ｃ源（９）と集積デカップリングコンデンサとを備える
   高周波コンポーネントであって、前記デカップリングコ
   ンデンサが、前記デカップリングコンデンサの一方であ
   って同じ側に、第１の電極（２）と誘電体（３）と第２
   の電極（４）と第１と第２の給電端子（６、７）とを有
   し、一方の電極（２、４）が高周波回路（８）とＤＣ源
   （９）に接続され、且つ他方の電極（４、２）が接地
   （１２）に接続される、高周波コンポーネント。
3. 【請求項３】前記デカップリングコンデンサが薄膜技術
   によって構成されることを特徴とする、請求項１又は２
   に記載の高周波コンポーネント。
4. 【請求項４】更に、集積パッシブコンポーネントが前記
   基板（１）上に設けられることを特徴とする、請求項１
   又は２に記載の高周波コンポーネント。
5. 【請求項５】前記高周波回路（８）が増幅器回路、ミキ
   サーステージ、又は電圧制御発信器であることを特徴と
   する、請求項１又は２に記載の高周波コンポーネント。