JP2002118113A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2002118113A JP2002118113A JP2000307285A JP2000307285A JP2002118113A JP 2002118113 A JP2002118113 A JP 2002118113A JP 2000307285 A JP2000307285 A JP 2000307285A JP 2000307285 A JP2000307285 A JP 2000307285A JP 2002118113 A JP2002118113 A JP 2002118113A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感
光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端
工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガ
スとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化
の支障になる。 【解決手段】 上記絶縁膜のドライエッチング中に生じ
た反応生成物７中の金属原子を、他の物質と反応させて
化合物に転化し、その化合物を除去することにより、上
記反応生成物７の生成抑制及び除去を同時に行う。
光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端
工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガ
スとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化
の支障になる。 【解決手段】 上記絶縁膜のドライエッチング中に生じ
た反応生成物７中の金属原子を、他の物質と反応させて
化合物に転化し、その化合物を除去することにより、上
記反応生成物７の生成抑制及び除去を同時に行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に金
属膜を有し、さらに、この金属膜上に絶縁膜のパターン
を形成した後に、前記パターン形成時に生じた反応生成
物の除去を含む半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
属膜を有し、さらに、この金属膜上に絶縁膜のパターン
を形成した後に、前記パターン形成時に生じた反応生成
物の除去を含む半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の配線パターン形成方法とし
て、配線材料上に絶縁膜のパターンを作成し、そのパタ
ーンに従って配線パターンを形成する方法がしばしば利
用されるが、近年、配線パターン寸法がますます小さく
なって、かかる配線材料上に絶縁膜のパターンを精度よ
く形成することが、半導体装置の製造方法において、ま
すます重要な技術となってきている。
て、配線材料上に絶縁膜のパターンを作成し、そのパタ
ーンに従って配線パターンを形成する方法がしばしば利
用されるが、近年、配線パターン寸法がますます小さく
なって、かかる配線材料上に絶縁膜のパターンを精度よ
く形成することが、半導体装置の製造方法において、ま
すます重要な技術となってきている。
【０００３】以下、従来の技術について、図６（ａ）〜
（ｄ）の工程フロー図を参照しながら説明する。図６
（ａ）〜（ｄ）は、半導体基板上の金属膜の上に、絶縁
膜のパターンを形成する工程の一例工程フロー図であ
り、この図では、半導体基板を省略している。
（ｄ）の工程フロー図を参照しながら説明する。図６
（ａ）〜（ｄ）は、半導体基板上の金属膜の上に、絶縁
膜のパターンを形成する工程の一例工程フロー図であ
り、この図では、半導体基板を省略している。
【０００４】トランジスタを形成後の半導体基板に、図
６（ａ）のように、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜１上に
窒化チタン２，アルミニウム３，窒化チタン４及びＳｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4（テトラエトキシシラン；ＴＥＯＳ）か
らプラズマＣＶＤ法により生成された酸化膜（以下、プ
ラズマＴＥＯＳ膜という）５を順次堆積させる。
６（ａ）のように、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜１上に
窒化チタン２，アルミニウム３，窒化チタン４及びＳｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4（テトラエトキシシラン；ＴＥＯＳ）か
らプラズマＣＶＤ法により生成された酸化膜（以下、プ
ラズマＴＥＯＳ膜という）５を順次堆積させる。
【０００５】ついで、図６（ｂ）のように、プラズマＴ
ＥＯＳ膜５上に感光性樹脂（フォトレジスト）６を塗布
してパターン形成を行う。
ＥＯＳ膜５上に感光性樹脂（フォトレジスト）６を塗布
してパターン形成を行う。
【０００６】その後、図６（ｃ）のように、ドライエッ
チング技術を用いて、感光性樹脂６のパターンに従っ
て，プラズマＴＥＯＳ膜５にパターンを形成する。この
とき、半導体基板の温度は、エッチングを促進してスル
ープットの向上を図るため、約２５０℃に保持してい
る。このとき、このプラズマＴＥＯＳ膜５のパターン形
成後の感光性樹脂６及びプラズマＴＥＯＳ膜５の開口周
辺のパターン上には、反応生成物７が生じる。この反応
生成物７は、主に、窒化チタン４中のチタンが周りのエ
ッチングガス中の炭素やフッ素と反応して生成された複
合チタン化合物であることが確認されている。
チング技術を用いて、感光性樹脂６のパターンに従っ
て，プラズマＴＥＯＳ膜５にパターンを形成する。この
とき、半導体基板の温度は、エッチングを促進してスル
ープットの向上を図るため、約２５０℃に保持してい
る。このとき、このプラズマＴＥＯＳ膜５のパターン形
成後の感光性樹脂６及びプラズマＴＥＯＳ膜５の開口周
辺のパターン上には、反応生成物７が生じる。この反応
生成物７は、主に、窒化チタン４中のチタンが周りのエ
ッチングガス中の炭素やフッ素と反応して生成された複
合チタン化合物であることが確認されている。
【０００７】次に、酸素プラズマを用いたアッシングに
より，感光性樹脂６を取り除くが、このときの半導体基
板の温度は，感光性樹脂６の除去効率を向上させるため
に，２５０℃以上の高温に維持する。ところが、この酸
素プラズマを用いたアッシングでは，反応生成物７は除
去されずに残存する。
より，感光性樹脂６を取り除くが、このときの半導体基
板の温度は，感光性樹脂６の除去効率を向上させるため
に，２５０℃以上の高温に維持する。ところが、この酸
素プラズマを用いたアッシングでは，反応生成物７は除
去されずに残存する。
【０００８】そして、その後、この反応生成物７を除去
するために，溶液での洗浄処理工程はあるが、この反応
生成物７中の複合チタン化合物の主体である，三フッ化
チタンや炭化チタン等は、熱的にも化学的にも安定して
おり、この洗浄処理工程では除去されず、図６（ｄ）の
ように、反応生成物７の大半が、パターン上に残存す
る。
するために，溶液での洗浄処理工程はあるが、この反応
生成物７中の複合チタン化合物の主体である，三フッ化
チタンや炭化チタン等は、熱的にも化学的にも安定して
おり、この洗浄処理工程では除去されず、図６（ｄ）の
ように、反応生成物７の大半が、パターン上に残存す
る。
【０００９】この残存した反応生成物７は、次工程の金
属膜（窒化チタン４、アルミニウム３、窒化チタン２）
のドライエッチング時において、パターンエッチングを
阻害し、このため、上記金属膜への所望のパターン形成
に支障となる。
属膜（窒化チタン４、アルミニウム３、窒化チタン２）
のドライエッチング時において、パターンエッチングを
阻害し、このため、上記金属膜への所望のパターン形成
に支障となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の技
術では、絶縁膜のプラズマＴＥＯＳ膜５のエッチング工
程中に生じた，下地の窒化チタン４とエッチングガスと
の反応生成物７が，感光性樹脂の除去工程及びその後の
洗浄工程によっても完全には除去できないで残存し、こ
れが、次工程でなされる，配線材料の金属膜の円滑な形
成，とりわけ，そのパターン形成にとって、大きな課題
になっていた。
術では、絶縁膜のプラズマＴＥＯＳ膜５のエッチング工
程中に生じた，下地の窒化チタン４とエッチングガスと
の反応生成物７が，感光性樹脂の除去工程及びその後の
洗浄工程によっても完全には除去できないで残存し、こ
れが、次工程でなされる，配線材料の金属膜の円滑な形
成，とりわけ，そのパターン形成にとって、大きな課題
になっていた。
【００１１】本発明の目的は、従来の技術における上記
課題を解決するもので、反応生成物を完全に除去するこ
とのできる，半導体装置の製造方法を提供することにあ
り、また、他の目的は、熱的にも化学的にも安定な，三
フッ化チタンや炭化チタン等の複合チタン化合物の生成
を抑制して、反応生成物７の洗浄除去を容易にすること
にある。
課題を解決するもので、反応生成物を完全に除去するこ
とのできる，半導体装置の製造方法を提供することにあ
り、また、他の目的は、熱的にも化学的にも安定な，三
フッ化チタンや炭化チタン等の複合チタン化合物の生成
を抑制して、反応生成物７の洗浄除去を容易にすること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上の金属膜の上に堆積された絶縁
膜を、フォトレジスト・マスクを用いて、フロロカーボ
ンガスを含むプラズマ中でのドライエッチングによりパ
ターン形成する工程及び前記絶縁膜のパターン形成後に
前記フォトレジスト・マスクを除去する工程において、
前記金属膜の露出以降の工程で前記半導体基板の温度を
２００℃以下に保持する工程をそなえたことにより、反
応生成物の形成を抑制するとともに、不溶性の生成物を
抑止することができるものである。
造方法は、半導体基板上の金属膜の上に堆積された絶縁
膜を、フォトレジスト・マスクを用いて、フロロカーボ
ンガスを含むプラズマ中でのドライエッチングによりパ
ターン形成する工程及び前記絶縁膜のパターン形成後に
前記フォトレジスト・マスクを除去する工程において、
前記金属膜の露出以降の工程で前記半導体基板の温度を
２００℃以下に保持する工程をそなえたことにより、反
応生成物の形成を抑制するとともに、不溶性の生成物を
抑止することができるものである。
【００１３】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上の金属膜の上に堆積された絶縁膜を、フォトレジ
スト・マスクを用いて、フロロカーボンガスを含むプラ
ズマ中でのドライエッチングによりパターン形成する際
の前記金属膜の露出以降、及び前記金属膜の露出状態で
前記フォトレジスト・マスクを除去する際に、前記半導
体基板の温度を２００℃以下に保持する工程をそなえた
ことにより、洗浄除去の困難な反応生成物の形成を抑止
ないしは抑制することができるものである。
基板上の金属膜の上に堆積された絶縁膜を、フォトレジ
スト・マスクを用いて、フロロカーボンガスを含むプラ
ズマ中でのドライエッチングによりパターン形成する際
の前記金属膜の露出以降、及び前記金属膜の露出状態で
前記フォトレジスト・マスクを除去する際に、前記半導
体基板の温度を２００℃以下に保持する工程をそなえた
ことにより、洗浄除去の困難な反応生成物の形成を抑止
ないしは抑制することができるものである。
【００１４】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上の金属膜の上に堆積された絶縁膜を、フォトレジ
スト・マスクを用いて、フロロカーボンガスを含むプラ
ズマ中でのドライエッチングによりパターン形成する際
の前記金属膜の露出以降、及び前記絶縁膜のパターン形
成後の前記金属膜の露出状態で前記フォトレジスト・マ
スクをプラズマ・アッシングで除去する際に、前記半導
体基板の温度を２００℃以下，好ましくは１５０℃以下
に保持する工程をそなえたことにより、洗浄除去の困難
な反応生成物の形成を抑止ないしは抑制することができ
るものである。
基板上の金属膜の上に堆積された絶縁膜を、フォトレジ
スト・マスクを用いて、フロロカーボンガスを含むプラ
ズマ中でのドライエッチングによりパターン形成する際
の前記金属膜の露出以降、及び前記絶縁膜のパターン形
成後の前記金属膜の露出状態で前記フォトレジスト・マ
スクをプラズマ・アッシングで除去する際に、前記半導
体基板の温度を２００℃以下，好ましくは１５０℃以下
に保持する工程をそなえたことにより、洗浄除去の困難
な反応生成物の形成を抑止ないしは抑制することができ
るものである。
【００１５】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上の金属膜の上に堆積された絶縁膜を，フォトレジ
スト・マスクを用いて，パターン形成する際に，フロロ
カーボンガスを含むプラズマを用いる工程と、プラズマ
・アッシングで前記フォトレジスト・マスクを除去する
工程と、フッ素化合物を含有する溶液により，前記絶縁
膜のエッチング工程中に生じた前記フロロカーボンガス
と前記金属膜との反応生成物を除去する洗浄工程とを有
することにより、反応生成物の形成を抑制するととも
に、残余の生成物も、フッ素化合物を含有する溶液によ
って洗浄除去することができるものである。
基板上の金属膜の上に堆積された絶縁膜を，フォトレジ
スト・マスクを用いて，パターン形成する際に，フロロ
カーボンガスを含むプラズマを用いる工程と、プラズマ
・アッシングで前記フォトレジスト・マスクを除去する
工程と、フッ素化合物を含有する溶液により，前記絶縁
膜のエッチング工程中に生じた前記フロロカーボンガス
と前記金属膜との反応生成物を除去する洗浄工程とを有
することにより、反応生成物の形成を抑制するととも
に、残余の生成物も、フッ素化合物を含有する溶液によ
って洗浄除去することができるものである。
【００１６】本発明の半導体装置の製造方法は、前記反
応生成物を除去する洗浄工程において、前記反応生成物
を，前記金属膜中の金属原子を含む潮解性の化合物に再
生成し、前記潮解性の化合物を，水溶液で溶解除去する
過程をそなえたことにより、溶液によって洗浄除去する
ことができるものである。
応生成物を除去する洗浄工程において、前記反応生成物
を，前記金属膜中の金属原子を含む潮解性の化合物に再
生成し、前記潮解性の化合物を，水溶液で溶解除去する
過程をそなえたことにより、溶液によって洗浄除去する
ことができるものである。
【００１７】本発明の半導体装置の製造方法は、前記反
応生成物を除去する工程において、フッ素化合物を含有
する溶液に浸す過程を含むことにより、溶液によって洗
浄除去することができるものである。
応生成物を除去する工程において、フッ素化合物を含有
する溶液に浸す過程を含むことにより、溶液によって洗
浄除去することができるものである。
【００１８】本発明の半導体装置の製造方法は、前記反
応生成物を除去する工程において、前記反応生成物を，
前記金属膜中の金属原子を含む，揮発性の高い金属化合
物に生成する過程を含むことにより、溶液によって洗浄
除去することができるものである。
応生成物を除去する工程において、前記反応生成物を，
前記金属膜中の金属原子を含む，揮発性の高い金属化合
物に生成する過程を含むことにより、溶液によって洗浄
除去することができるものである。
【００１９】本発明の半導体装置の製造方法は、前記反
応生成物を除去する工程において、前記反応生成物を，
フッ素またはフッ素を含むガスまたはこれらの混合ガス
によるプラズマで照射する過程を含むことにより、溶液
によって洗浄除去することができる。
応生成物を除去する工程において、前記反応生成物を，
フッ素またはフッ素を含むガスまたはこれらの混合ガス
によるプラズマで照射する過程を含むことにより、溶液
によって洗浄除去することができる。
【００２０】本発明の半導体装置の製造方法は、前記反
応生成物を除去する工程において、前記反応生成物中
に，フッ素またはフッ素を含む分子またはこれらのイオ
ンを注入する過程を含むことにより、溶液によって洗浄
除去することができる。
応生成物を除去する工程において、前記反応生成物中
に，フッ素またはフッ素を含む分子またはこれらのイオ
ンを注入する過程を含むことにより、溶液によって洗浄
除去することができる。
【００２１】本発明の半導体装置の製造方法は、前記反
応生成物内の前記金属膜がチタンであることを含むこと
により、溶液によって洗浄除去することができる。
応生成物内の前記金属膜がチタンであることを含むこと
により、溶液によって洗浄除去することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明を，第一の実施の形態によ
り，図面を参照しながら説明する。
り，図面を参照しながら説明する。
【００２３】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第一の実
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。この図では、半導体基板を省略している。
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。この図では、半導体基板を省略している。
【００２４】図１（ａ）のように、トランジスタを形成
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、そのＢＰＳＧ膜１上に、配線材料の
金属膜として，窒化チタン２，アルミニウム３及び窒化
チタン４を順に堆積し、さらに、配線パターン形成用マ
スクとするためのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、そのＢＰＳＧ膜１上に、配線材料の
金属膜として，窒化チタン２，アルミニウム３及び窒化
チタン４を順に堆積し、さらに、配線パターン形成用マ
スクとするためのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
【００２５】次に、図１（ｂ）のように、プラズマＴＥ
ＯＳ膜５上に感光性樹脂（フォトレジスト）６を塗布し
てパターン形成を行う。
ＯＳ膜５上に感光性樹脂（フォトレジスト）６を塗布し
てパターン形成を行う。
【００２６】さらに、図１（ｃ）のように、プラズマＴ
ＥＯＳ膜５を，プラズマエッチング装置を用いて感光性
樹脂６のパターンに従って，エッチングし、パターン形
成する。このエッチング工程は、例えば、容量結合型プ
ラズマエッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量（標準状
態における１分間あたりのガス流量、以下同じ）が５０
ｍｌ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、Ａｒ流量が１００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０
Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件でドライエッチング
を行う。このとき、プラズマＴＥＯＳ膜５のエッチング
終点、すなわち、金属膜が露出する時には、半導体基板
の温度が２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、通常
は，１００℃にして，レジスト焼けを防止するように設
定した。
ＥＯＳ膜５を，プラズマエッチング装置を用いて感光性
樹脂６のパターンに従って，エッチングし、パターン形
成する。このエッチング工程は、例えば、容量結合型プ
ラズマエッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量（標準状
態における１分間あたりのガス流量、以下同じ）が５０
ｍｌ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、Ａｒ流量が１００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０
Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件でドライエッチング
を行う。このとき、プラズマＴＥＯＳ膜５のエッチング
終点、すなわち、金属膜が露出する時には、半導体基板
の温度が２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、通常
は，１００℃にして，レジスト焼けを防止するように設
定した。
【００２７】その次に、図１（ｄ）のように、プラズマ
アッシング装置を用いて、半導体基板の温度を２００℃
以下の温度、好ましくは１５０℃に保持して、アッシン
グして感光性樹脂６を除去する。この工程は、例えば、
容量結合型プラズマによるダウンフロー型アッシング装
置を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧
力が２００Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件で、アッ
シングを行う。
アッシング装置を用いて、半導体基板の温度を２００℃
以下の温度、好ましくは１５０℃に保持して、アッシン
グして感光性樹脂６を除去する。この工程は、例えば、
容量結合型プラズマによるダウンフロー型アッシング装
置を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧
力が２００Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件で、アッ
シングを行う。
【００２８】その後、図１（ｅ）のように、フッ素化合
物を含有する溶液で洗浄する。
物を含有する溶液で洗浄する。
【００２９】図２は、反応生成物の除去率と半導体基板
の温度との関係を示した特性図である。図２において、
除去率は、処理面積に対する反応生成物の除去できてい
る面積の比で示される。同図によれば、半導体基板の温
度を２００℃を越えて高くするにつれて、除去率が顕著
に低下している。このことより、反応生成物を完全に除
去するためには、半導体基板の温度を２００℃以下に維
持することが必要である。
の温度との関係を示した特性図である。図２において、
除去率は、処理面積に対する反応生成物の除去できてい
る面積の比で示される。同図によれば、半導体基板の温
度を２００℃を越えて高くするにつれて、除去率が顕著
に低下している。このことより、反応生成物を完全に除
去するためには、半導体基板の温度を２００℃以下に維
持することが必要である。
【００３０】そこで、図１（ｃ）に示す工程で，プラズ
マＴＥＯＳ膜５のエッチング終点で金属膜の露出した状
態では，半導体基板の温度を２００℃以下に設定するこ
と、及び図１（ｄ）に示す工程で，半導体基板の温度を
２００℃以下に保持して処理を行うと、チタンと他の元
素との反応が抑制され、わけても、三フッ化チタンや炭
化チタンのような，洗浄除去の困難なチタン化合物の生
成反応はほとんど起こらない。そのため、反応生成物７
は、図１（ｅ）のように、後工程の，フッ素化合物を含
有する溶液による洗浄処理で容易に除去することができ
る。
マＴＥＯＳ膜５のエッチング終点で金属膜の露出した状
態では，半導体基板の温度を２００℃以下に設定するこ
と、及び図１（ｄ）に示す工程で，半導体基板の温度を
２００℃以下に保持して処理を行うと、チタンと他の元
素との反応が抑制され、わけても、三フッ化チタンや炭
化チタンのような，洗浄除去の困難なチタン化合物の生
成反応はほとんど起こらない。そのため、反応生成物７
は、図１（ｅ）のように、後工程の，フッ素化合物を含
有する溶液による洗浄処理で容易に除去することができ
る。
【００３１】以上のように、第一の実施の形態によれ
ば、反応生成物を完全に除去でき、金属膜上にプラズマ
ＴＥＯＳ膜５の所望のパターンを形成できる。
ば、反応生成物を完全に除去でき、金属膜上にプラズマ
ＴＥＯＳ膜５の所望のパターンを形成できる。
【００３２】なお、この第一の実施の形態では、下地の
金属膜を窒化チタン，アルミニウム及び窒化チタンの積
層としたが、窒化チタンの代わりに、窒化タンタル、ア
ルミニウム、金、銀、銅、白金、モリブデン、コバルト
またはタングステンを用いてもかまわない。また、絶縁
膜をプラズマＴＥＯＳ膜としたが、プラズマＴＥＯＳ膜
の代わりにＳＯＧ膜等のシリコン酸化膜やシリコン窒化
膜を用いてもかまわない。
金属膜を窒化チタン，アルミニウム及び窒化チタンの積
層としたが、窒化チタンの代わりに、窒化タンタル、ア
ルミニウム、金、銀、銅、白金、モリブデン、コバルト
またはタングステンを用いてもかまわない。また、絶縁
膜をプラズマＴＥＯＳ膜としたが、プラズマＴＥＯＳ膜
の代わりにＳＯＧ膜等のシリコン酸化膜やシリコン窒化
膜を用いてもかまわない。
【００３３】次に、本発明を，第二の実施の形態によ
り，図面を参照しながら説明する。
り，図面を参照しながら説明する。
【００３４】図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第二の実
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。図３においても、各符号を付した構成物
は、ＢＰＳＧ膜１、窒化チタン２、アルミニウム３、窒
化チタン４、プラズマＴＥＯＳ膜５、感光性樹脂６、反
応生成物７であり、この場合も、半導体基板は省略して
いる。
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。図３においても、各符号を付した構成物
は、ＢＰＳＧ膜１、窒化チタン２、アルミニウム３、窒
化チタン４、プラズマＴＥＯＳ膜５、感光性樹脂６、反
応生成物７であり、この場合も、半導体基板は省略して
いる。
【００３５】図３（ａ）のように、トランジスタを形成
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、このＢＰＳＧ膜１の上に、金属膜と
して窒化チタン２，アルミニウム３及び窒化チタン４を
順に堆積し、さらに、配線パターン形成用マスクとする
ためのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、このＢＰＳＧ膜１の上に、金属膜と
して窒化チタン２，アルミニウム３及び窒化チタン４を
順に堆積し、さらに、配線パターン形成用マスクとする
ためのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
【００３６】その次に、図３（ｂ）のように、プラズマ
ＴＥＯＳ膜５上には、感光性樹脂６を塗布して、パター
ン形成を行う。
ＴＥＯＳ膜５上には、感光性樹脂６を塗布して、パター
ン形成を行う。
【００３７】その次に、図３（ｃ）のように、プラズマ
エッチング装置を用いて、感光性樹脂６のパターンに従
ってプラズマＴＥＯＳ膜５をエッチングし、配線パター
ン形成用マスクを形成する。このときのエッチング工程
は、半導体基板の温度を２００℃以下で、例えば、容量
結合型プラズマエッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量
が５０ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ａｒ流量が１００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０Ｐａ、
放電電力が１０００Ｗの条件でドライエッチングを行
う。
エッチング装置を用いて、感光性樹脂６のパターンに従
ってプラズマＴＥＯＳ膜５をエッチングし、配線パター
ン形成用マスクを形成する。このときのエッチング工程
は、半導体基板の温度を２００℃以下で、例えば、容量
結合型プラズマエッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量
が５０ｍｌ／ｍｉｎ、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ、
Ａｒ流量が１００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０Ｐａ、
放電電力が１０００Ｗの条件でドライエッチングを行
う。
【００３８】その後、図３（ｄ）のように、半導体基板
ごと、フッ素化合物を含む溶液、例えば、フッ化水素酸
とフッ化アンモニウムを含有する水溶液に３分間浸け
る。この過程で、反応生成物７中のチタンは水溶液中の
フッ素と反応し、四フッ化チタンを形成する。四フッ化
チタンは潮解性を示し、溶液中の水と反応して、水溶液
中に溶解する。このように反応生成物７中のチタンを除
去することにより、不溶性のチタンの化合物が生じない
ので、次の洗浄工程において、反応生成物７を完全に除
去することができる。
ごと、フッ素化合物を含む溶液、例えば、フッ化水素酸
とフッ化アンモニウムを含有する水溶液に３分間浸け
る。この過程で、反応生成物７中のチタンは水溶液中の
フッ素と反応し、四フッ化チタンを形成する。四フッ化
チタンは潮解性を示し、溶液中の水と反応して、水溶液
中に溶解する。このように反応生成物７中のチタンを除
去することにより、不溶性のチタンの化合物が生じない
ので、次の洗浄工程において、反応生成物７を完全に除
去することができる。
【００３９】その次に、半導体基板を乾燥させてから、
図３（ｅ）のように、プラズマアッシング装置を用い
て、感光性樹脂６を除去する。この工程は、例えば、容
量結合型プラズマによるダウンフロー型アッシング装置
を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力
が２００Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件で、アッシ
ングを行う。
図３（ｅ）のように、プラズマアッシング装置を用い
て、感光性樹脂６を除去する。この工程は、例えば、容
量結合型プラズマによるダウンフロー型アッシング装置
を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力
が２００Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件で、アッシ
ングを行う。
【００４０】その後、図３（ｆ）のように、フッ素化合
物を含有する溶液による洗浄工程に至る。
物を含有する溶液による洗浄工程に至る。
【００４１】以上のように、第二の実施の形態によれ
ば、反応生成物を完全に除去することができる。
ば、反応生成物を完全に除去することができる。
【００４２】なお、この第二の実施の形態では、下地の
最表部の金属膜を窒化チタンとしたが、潮解性を有する
化合物を生成させることができるのであれば、窒化チタ
ンの代わりに、窒化タンタル、アルミニウム、金、銀、
銅、白金、モリブデン、コバルトまたはタングステンを
用いてもかまわない。また、絶縁膜も、プラズマＴＥＯ
Ｓ膜の代わりに、ＳＯＧ膜等のシリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜を用いてもかまわない。
最表部の金属膜を窒化チタンとしたが、潮解性を有する
化合物を生成させることができるのであれば、窒化チタ
ンの代わりに、窒化タンタル、アルミニウム、金、銀、
銅、白金、モリブデン、コバルトまたはタングステンを
用いてもかまわない。また、絶縁膜も、プラズマＴＥＯ
Ｓ膜の代わりに、ＳＯＧ膜等のシリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜を用いてもかまわない。
【００４３】次に、本発明を第三の実施の形態により、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【００４４】図４（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第三の実
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。図４においても、各符号を付した構成物
は、ＢＰＳＧ膜１、窒化チタン２、アルミニウム３、窒
化チタン４、プラズマＴＥＯＳ膜５、感光性樹脂６、反
応生成物７であり、この場合も、半導体基板は省略して
いる。
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。図４においても、各符号を付した構成物
は、ＢＰＳＧ膜１、窒化チタン２、アルミニウム３、窒
化チタン４、プラズマＴＥＯＳ膜５、感光性樹脂６、反
応生成物７であり、この場合も、半導体基板は省略して
いる。
【００４５】図４（ａ）のように、トランジスタを形成
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、このＢＰＳＧ膜１の上に、金属膜と
して窒化チタン２とアルミニウム３と窒化チタン４を順
に堆積し、さらに、配線パターン形成用マスクとするた
めのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、このＢＰＳＧ膜１の上に、金属膜と
して窒化チタン２とアルミニウム３と窒化チタン４を順
に堆積し、さらに、配線パターン形成用マスクとするた
めのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
【００４６】その次に、図４（ｂ）のように、プラズマ
ＴＥＯＳ膜５上に感光性樹脂６を塗布してパターン形成
を行う。
ＴＥＯＳ膜５上に感光性樹脂６を塗布してパターン形成
を行う。
【００４７】その次に、図４（ｃ）のように、プラズマ
エッチング装置を用いて、感光性樹脂６のパターンに従
ってプラズマＴＥＯＳ膜５をエッチングし、パターンを
形成する。このときのエッチング工程は、半導体基板の
温度を２００℃以下、通常は１００℃程度としてレジス
ト焼け防止を図りながら、例えば、容量結合型プラズマ
エッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量が５０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ａｒ流量が１０
０ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０Ｐａ、放電電力が１０
００Ｗの条件でドライエッチングを行う。
エッチング装置を用いて、感光性樹脂６のパターンに従
ってプラズマＴＥＯＳ膜５をエッチングし、パターンを
形成する。このときのエッチング工程は、半導体基板の
温度を２００℃以下、通常は１００℃程度としてレジス
ト焼け防止を図りながら、例えば、容量結合型プラズマ
エッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量が５０ｍｌ／ｍ
ｉｎ、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ａｒ流量が１０
０ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０Ｐａ、放電電力が１０
００Ｗの条件でドライエッチングを行う。
【００４８】その後、図４（ｄ）のように、半導体基板
をフッ素を含むガスのプラズマに曝す。この工程でのプ
ラズマ生成は、半導体基板の温度を２００℃以下で、例
えば、ＳＦ6の流量が２００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が
１００Ｐａ、放電電力が２００Ｗの条件で、マイクロ波
共鳴型プラズマを発生させたものを用いた。この工程に
おいて、反応生成物７中のチタンはプラズマ中のフッ素
と反応し、四フッ化チタンを形成する。一般的にチタン
は、フッ素と反応して三フッ化チタンを形成するが、過
剰のフッ素が存在すると、蒸気圧の高い四フッ化チタン
を形成する。そして、四フッ化チタンは蒸気圧が高いの
で、反応生成物７中から気体として排出される。こうし
て、反応生成物７中のチタンを除去することにより、反
応生成物７中にチタンの化合物が生じないため、次工程
において、反応生成物７を除去できる。
をフッ素を含むガスのプラズマに曝す。この工程でのプ
ラズマ生成は、半導体基板の温度を２００℃以下で、例
えば、ＳＦ6の流量が２００ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が
１００Ｐａ、放電電力が２００Ｗの条件で、マイクロ波
共鳴型プラズマを発生させたものを用いた。この工程に
おいて、反応生成物７中のチタンはプラズマ中のフッ素
と反応し、四フッ化チタンを形成する。一般的にチタン
は、フッ素と反応して三フッ化チタンを形成するが、過
剰のフッ素が存在すると、蒸気圧の高い四フッ化チタン
を形成する。そして、四フッ化チタンは蒸気圧が高いの
で、反応生成物７中から気体として排出される。こうし
て、反応生成物７中のチタンを除去することにより、反
応生成物７中にチタンの化合物が生じないため、次工程
において、反応生成物７を除去できる。
【００４９】その次に、図４（ｅ）のように、プラズマ
アッシング装置を用いて、感光性樹脂６を除去する。こ
の工程は、半導体基板の温度を２００℃以下で、例え
ば、容量結合型プラズマによるダウンフロー型アッシン
グ装置を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍｌ／ｍｉｎ、ガ
ス圧力が２００Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件で、
アッシングを行う。
アッシング装置を用いて、感光性樹脂６を除去する。こ
の工程は、半導体基板の温度を２００℃以下で、例え
ば、容量結合型プラズマによるダウンフロー型アッシン
グ装置を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍｌ／ｍｉｎ、ガ
ス圧力が２００Ｐａ、放電電力が１０００Ｗの条件で、
アッシングを行う。
【００５０】その後、図４（ｆ）のように、フッ素化合
物を含有する溶液による洗浄工程に至る。
物を含有する溶液による洗浄工程に至る。
【００５１】以上のように、第三の実施の形態によれ
ば、反応生成物を完全に除去でき、金属膜上にプラズマ
ＴＥＯＳ膜５の所望のパターンを形成できる。また、こ
の第三の実施の形態では、図４（ｃ）及び（ｄ）の各工
程を同一の反応室で処理することも可能である。
ば、反応生成物を完全に除去でき、金属膜上にプラズマ
ＴＥＯＳ膜５の所望のパターンを形成できる。また、こ
の第三の実施の形態では、図４（ｃ）及び（ｄ）の各工
程を同一の反応室で処理することも可能である。
【００５２】なお、この第三の実施の形態では、下地の
最表部の金属膜を窒化チタンとしたが、蒸気圧の高い化
合物を生成させることができるのであれば、窒化チタン
の代わりに、窒化タンタル、アルミニウム、金、銀、
銅、白金、モリブデン、コバルトまたはタングステンを
用いてもかまわない。そして、絶縁膜もまた、プラズマ
ＴＥＯＳ膜の代わりに、ＳＯＧ膜等のシリコン酸化膜や
シリコン窒化膜を用いてもかまわない。
最表部の金属膜を窒化チタンとしたが、蒸気圧の高い化
合物を生成させることができるのであれば、窒化チタン
の代わりに、窒化タンタル、アルミニウム、金、銀、
銅、白金、モリブデン、コバルトまたはタングステンを
用いてもかまわない。そして、絶縁膜もまた、プラズマ
ＴＥＯＳ膜の代わりに、ＳＯＧ膜等のシリコン酸化膜や
シリコン窒化膜を用いてもかまわない。
【００５３】さらに、本発明を，第四の実施の形態によ
り，図面を参照しながら説明する。
り，図面を参照しながら説明する。
【００５４】図５（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第四の実
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。図５においても、各符号を付した構成物
は、ＢＰＳＧ膜１、窒化チタン２、アルミニウム３、窒
化チタン４、プラズマＴＥＯＳ膜５、感光性樹脂６、反
応生成物７であり、この場合も、半導体基板は省略して
いる。
施の形態である，半導体装置の製造方法を示す工程フロ
ー図である。図５においても、各符号を付した構成物
は、ＢＰＳＧ膜１、窒化チタン２、アルミニウム３、窒
化チタン４、プラズマＴＥＯＳ膜５、感光性樹脂６、反
応生成物７であり、この場合も、半導体基板は省略して
いる。
【００５５】図５（ａ）のように、トランジスタを形成
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、このＢＰＳＧ膜１の上に、金属膜と
して窒化チタン２とアルミニウム３と窒化チタン４を順
に堆積し、さらに、配線パターン形成用マスクとするた
めのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
後の半導体基板の表面に、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜
１を形成し、また、このＢＰＳＧ膜１の上に、金属膜と
して窒化チタン２とアルミニウム３と窒化チタン４を順
に堆積し、さらに、配線パターン形成用マスクとするた
めのプラズマＴＥＯＳ膜５を堆積する。
【００５６】その次に、図５（ｂ）のように、プラズマ
ＴＥＯＳ膜５上には、感光性樹脂６を塗布して、パター
ン形成を行う。
ＴＥＯＳ膜５上には、感光性樹脂６を塗布して、パター
ン形成を行う。
【００５７】その次に、図５（ｃ）のように、プラズマ
エッチング装置を用いて、感光性樹脂６のパターンに従
ってプラズマＴＥＯＳ膜５をエッチングし、パターンを
形成する。このときのエッチング工程は、半導体基板の
温度を２００℃以下で、例えば、容量結合型プラズマエ
ッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量が５０ｍｌ／ｍｉ
ｎ、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ａｒ流量が１００
ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０Ｐａ、放電電力が１００
０Ｗの条件でドライエッチングを行う。
エッチング装置を用いて、感光性樹脂６のパターンに従
ってプラズマＴＥＯＳ膜５をエッチングし、パターンを
形成する。このときのエッチング工程は、半導体基板の
温度を２００℃以下で、例えば、容量結合型プラズマエ
ッチング装置を用いて、ＣＨＦ3流量が５０ｍｌ／ｍｉ
ｎ、ＣＦ4流量が５０ｍｌ／ｍｉｎ、Ａｒ流量が１００
ｍｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が３０Ｐａ、放電電力が１００
０Ｗの条件でドライエッチングを行う。
【００５８】その後、図５（ｄ）のように、半導体基板
にフッ素を含むイオンを高電圧で加速して注入する。こ
の工程は、例えば、ＢＦ2イオンを、加速電圧を１０ｋ
ｅＶの条件で、半導体基板に注入する。一般的にチタン
は、フッ素と反応して三フッ化チタンを形成するが、過
剰のフッ素が存在すると、蒸気圧が高い四フッ化チタン
を形成する。図５（ｄ）に示す工程では、反応生成物７
中のチタンが反応生成物７中に注入されたＢＦ2イオン
のフッ素と反応し、四フッ化チタンを形成する。そし
て、四フッ化チタンは蒸気圧が高いので、反応生成物７
中から気体として排出される。こうして、反応生成物７
中のチタンを除去することにより、反応生成物７中には
チタンの化合物が生じないため、次工程において、反応
生成物７を容易に除去することができる。
にフッ素を含むイオンを高電圧で加速して注入する。こ
の工程は、例えば、ＢＦ2イオンを、加速電圧を１０ｋ
ｅＶの条件で、半導体基板に注入する。一般的にチタン
は、フッ素と反応して三フッ化チタンを形成するが、過
剰のフッ素が存在すると、蒸気圧が高い四フッ化チタン
を形成する。図５（ｄ）に示す工程では、反応生成物７
中のチタンが反応生成物７中に注入されたＢＦ2イオン
のフッ素と反応し、四フッ化チタンを形成する。そし
て、四フッ化チタンは蒸気圧が高いので、反応生成物７
中から気体として排出される。こうして、反応生成物７
中のチタンを除去することにより、反応生成物７中には
チタンの化合物が生じないため、次工程において、反応
生成物７を容易に除去することができる。
【００５９】その次に、図５（ｅ）のように、プラズマ
アッシング装置を用いて、感光性樹脂６を除去する。こ
の工程は、例えば、容量結合型プラズマによるダウンフ
ロー型アッシング装置を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍ
ｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が２００Ｐａ、放電電力が１００
０Ｗの条件で、アッシングを行う。
アッシング装置を用いて、感光性樹脂６を除去する。こ
の工程は、例えば、容量結合型プラズマによるダウンフ
ロー型アッシング装置を用いて、Ｏ2流量が１０００ｍ
ｌ／ｍｉｎ、ガス圧力が２００Ｐａ、放電電力が１００
０Ｗの条件で、アッシングを行う。
【００６０】その後、図５（ｆ）のように、フッ素化合
物を含有する溶液による洗浄工程に至る。
物を含有する溶液による洗浄工程に至る。
【００６１】以上のように、第四の実施の形態によれ
ば、反応生成物を除去でき、金属膜上にプラズマＴＥＯ
Ｓ膜５の所望のパターンを形成できる。また、この第四
の実施の形態を用いれば、第二及び第三の実施形態と比
べて、廃液量および排ガス量を削減することができる。
ば、反応生成物を除去でき、金属膜上にプラズマＴＥＯ
Ｓ膜５の所望のパターンを形成できる。また、この第四
の実施の形態を用いれば、第二及び第三の実施形態と比
べて、廃液量および排ガス量を削減することができる。
【００６２】なお、この第四の実施の形態では、下地の
最表部の金属膜を窒化チタンとしたが、蒸気圧の高い化
合物を生成させることができるのであれば、窒化チタン
の代わりに、窒化タンタル、アルミニウム、金、銀、
銅、白金、モリブデン、コバルトまたはタングステンを
用いてもかまわない。そして、この第四の実施の形態で
は、絶縁膜もまた、プラズマＴＥＯＳ膜の代わりに、Ｓ
ＯＧ膜等のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いても
かまわない。
最表部の金属膜を窒化チタンとしたが、蒸気圧の高い化
合物を生成させることができるのであれば、窒化チタン
の代わりに、窒化タンタル、アルミニウム、金、銀、
銅、白金、モリブデン、コバルトまたはタングステンを
用いてもかまわない。そして、この第四の実施の形態で
は、絶縁膜もまた、プラズマＴＥＯＳ膜の代わりに、Ｓ
ＯＧ膜等のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いても
かまわない。
【００６３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、絶縁膜
エッチング時に生じる反応生成物中の金属原子の化合物
を除去することにより、反応生成物中の金属原子の反応
を抑制し、不溶性の反応生成物を生成することが抑止さ
れる。また、反応生成物中の金属原子を除去することに
より、反応生成物を洗浄工程で完全に除去することがで
きる。
エッチング時に生じる反応生成物中の金属原子の化合物
を除去することにより、反応生成物中の金属原子の反応
を抑制し、不溶性の反応生成物を生成することが抑止さ
れる。また、反応生成物中の金属原子を除去することに
より、反応生成物を洗浄工程で完全に除去することがで
きる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す工程フロー図
【図２】反応生成物の除去率と半導体基板の温度との関
係を示す特性図
係を示す特性図
【図３】本発明の第二の実施の形態を示す工程フロー図
【図４】本発明の第三の実施の形態を示す工程フロー図
【図５】本発明の第四の実施の形態を示す工程フロー図
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す工程フロー
図
図
１ ＢＰＳＧ膜 ２ 窒化チタン ３ アルミニウム ４ 窒化チタン ５ プラズマＴＥＯＳ膜 ６ 感光性樹脂 ７ 反応生成物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA09 AA14 BA20 BD01 CA02 CA03 CA04 DA01 DA16 DA26 DB03 DB26 EA10 EB02 EB03 FA07 5F033 HH07 HH08 HH11 HH13 HH14 HH15 HH19 HH20 HH32 HH33 MM08 MM13 QQ09 QQ12 QQ15 QQ24 QQ28 QQ59 QQ60 QQ66 QQ89 QQ91 RR04 RR06 RR09 RR15 SS04 WW03 XX21 5F043 BB27 DD12 DD15 GG03
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板上の金属膜の上に堆積された
絶縁膜を、フォトレジスト・マスクを用いて、フロロカ
ーボンガスを含むプラズマ中でのドライエッチングによ
りパターン形成する工程及び前記絶縁膜のパターン形成
後に前記フォトレジスト・マスクを除去する工程におい
て、前記金属膜の露出以降の工程で前記半導体基板の温
度を２００℃以下に保持することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上の金属膜の上に堆積された
絶縁膜を、フォトレジスト・マスクを用いて、フロロカ
ーボンガスを含むプラズマ中でのドライエッチングによ
りパターン形成する際の前記金属膜の露出以降、及び前
記金属膜の露出状態で前記フォトレジスト・マスクを除
去する際に、前記半導体基板の温度を２００℃以下に保
持することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板上の金属膜の上に堆積された
絶縁膜を、フォトレジスト・マスクを用いて、フロロカ
ーボンガスを含むプラズマ中でのドライエッチングによ
りパターン形成する際の前記金属膜の露出以降、及び前
記絶縁膜のパターン形成後の前記金属膜の露出状態で前
記フォトレジスト・マスクをプラズマ・アッシングで除
去する際に、前記半導体基板の温度を２００℃以下，好
ましくは１５０℃以下に保持する工程をそなえた半導体
装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上の金属膜の上に堆積された
絶縁膜を，フォトレジスト・マスクを用いて，パターン
形成する際に，フロロカーボンガスを含むプラズマを用
いる工程と、プラズマ・アッシングで前記フォトレジス
ト・マスクを除去する工程と、フッ素化合物を含有する
溶液により，前記絶縁膜のエッチング工程中に生じた前
記フロロカーボンガスと前記金属膜との反応生成物を除
去する洗浄工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記反応生成物を除去する洗浄工程にお
いて、前記反応生成物を，前記金属膜中の金属原子を含
む潮解性の化合物に再生成し、前記潮解性の化合物を，
水溶液で溶解除去する過程をそなえた請求項４に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記反応生成物を除去する工程におい
て、フッ素化合物を含有する溶液に浸す過程を含む請求
項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記反応生成物を除去する工程におい
て、前記反応生成物を，前記金属膜中の金属原子を含
む，揮発性の高い金属化合物に生成する過程を含む請求
項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記反応生成物を除去する工程におい
て、前記反応生成物を，フッ素またはフッ素を含むガス
またはこれらの混合ガスによるプラズマで照射する過程
を含む請求項４または請求項７に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項９】 前記反応生成物を除去する工程におい
て、前記反応生成物中に，フッ素またはフッ素を含む分
子またはこれらのイオンを注入する過程を含む請求項４
または請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記反応生成物内の前記金属膜がチタ
ンであることを含む請求項３または請求項８または請求
項９に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000307285A JP2002118113A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000307285A JP2002118113A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118113A true JP2002118113A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18787821
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000307285A Pending JP2002118113A (ja) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002118113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007184532A (ja) * | 2006-01-09 | 2007-07-19 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のキャパシタの製造方法 |
-
2000
- 2000-10-06 JP JP2000307285A patent/JP2002118113A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007184532A (ja) * | 2006-01-09 | 2007-07-19 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のキャパシタの製造方法 |
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