JP2002111172A - アライメント方法 - Google Patents
アライメント方法Info
- Publication number
- JP2002111172A JP2002111172A JP2000300730A JP2000300730A JP2002111172A JP 2002111172 A JP2002111172 A JP 2002111172A JP 2000300730 A JP2000300730 A JP 2000300730A JP 2000300730 A JP2000300730 A JP 2000300730A JP 2002111172 A JP2002111172 A JP 2002111172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment mark
- connection layer
- layer
- alignment
- electrolytic plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 S n Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
おける、接続層と被接続層との、精度の高いアライメン
ト方法を提供する。 【解決手段】 金属板を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより配線パターンおよび第1のアライメント
マーク120が形成された接続層110bと、第2のア
ライメントマーク320が形成された被接続層310と
のアライメント(位置合わせ)において、第1のアライ
メントマークが形成された部分およびその周辺部分の金
属板を、エッチング・除去して形成された開口部130
を通して、第1のアライメントマークと第2のアライメ
ントマークとを、CCD330にて認識し、2つのアラ
イメントマーク同士が所定の位置関係になるように、接
続層または被接続層の位置を移動・調整する。
Description
載する多層配線板の製造において、層間の電気的接続と
接着を行う際の、アライメント(位置合わせ)方法に関
するものである。
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して、益々小
型化かつ多ピン化が進んできている。
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた、ガ
ラスエポキシ積層板に貼り付けられた銅箔をパターニン
グした後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通穴を
開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアを形成
し、層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であ
った。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上
記の配線基板では配線密度が不足して、部品の搭載に問
題が生じるようになってきている。
プ多層配線板が採用されるようになっている。ビルドア
ップ多層配線板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体
とを、積み重ねながら成形される。ビア形成方法として
は、従来のドリル加工に代わって、レーザ法、プラズマ
法、フォト法等多岐にわたり、小径のビアホールを自由
に配置することで、高密度化を達成するものである。層
間接続部としては、ブラインドビア(Blind Vi
a)やバリードビア(Buried Via:ビアを導
電体で充填した構造)等があり、ビアの上にビアを形成
するスタックドビアが可能な、バリードビアホールが特
に注目されている。バリードビアホールとしては、ビア
ホールをめっきで充填する方法と、導電性ペースト等で
充填する場合とに分けられる。一方、配線パターンを形
成する方法として、銅箔をエッチングする方法(サブト
ラクティブ法)、電解銅めっきによる方法(アディティ
ブ法)等があり、配線密度の高密度化に対応可能なアデ
ィティブ法が特に注目され始めている。
の2方法に大別されている。 (1)コア基板をベースにして、絶縁層の形成、ビアの
形成、および配線パターンの形成を繰り返すことによ
り、ビルドアップ層を順次積層する方法(以下、シーケ
ンシャル法と呼ぶ) (2)ビルドアップ層を予め単独で形成しておき、コア
基板に対して、ビルドアップ層をアライメントして積層
することにより、ビルドアップ層を積層する方法(以
下、パラレル法と呼ぶ)
してビルドアップ層を順次形成していくため、途中の工
程で不良が発生した場合には、その時点で全てが不良と
なってしまうという問題点がある。また、製造を開始し
てから、製品を得られるまでの時間がかかるという問題
もある。全ての工程を順次(シーケンシャルに)行う必
要があり、ビルドアップ層の層数が増えれば増えるほ
ど、この問題は顕著になるため、解決は困難である。
め単独で形成しておくことができるため、形成したビル
ドアップ層に不良があってもその時点で検査・選別でき
る。そのため、ビルドアップ層の良品のみを選別し、積
層(コア基板に対するアライメント積層)できるという
利点がある。ただし、ビルドアップ層の積層で不良が発
生した場合には、全製品が不良となることは避けられな
い。また、ビルドアップ層の形成と、ビルドアップ層の
積層を並列して行うことができるため、製造を開始して
から製品を得られるまでの時間は、シーケンシャル法ほ
ど長くは無い。
方法には、一括積層と逐次積層の2方法がある。一括積
層の場合、コア基板と各ビルドアップ層の積層を一括し
て行うため、積層が1回となり、製造時間の大幅な短縮
が見込める反面、コア基板と各ビルドアップ層とを、一
括して精度良くアライメント(位置合わせ)する必要が
あり、これが最大の課題である。一方、逐次積層の場
合、コア基板とビルドアップ基板の積層を逐次(1層ず
つ)行うため、積層回数がビルドアップ層の層数と同一
となるため、製造時間はシーケンシャル法よりは短い
が、パラレル法の一括積層よりは長い。また、コア基板
とビルドアップ基板の位置合わせは1枚ずつであるた
め、一括積層と比較するとアライメントの技術的難易度
は低いと考えられる。
0とビルドアップ層110aの、アライメント方法を示
す概略図である。ビルドアップ層110aは、図1
(a)〜図2(i)に示す工程により得ることができ
る。詳細な製造方法は後で述べるが、図2(i)を参考
にして、ビルドアップ層110aの構造を簡単に説明す
る。
101の表面に形成された配線パターン104および第
1のアライメントマーク120と、それらを覆うように
形成された絶縁膜105と、絶縁膜105を貫通する導
体ポスト107と、導体ポスト107の表面に形成され
た接合用金属材料108と、絶縁膜105および接合用
金属材料108を覆うように形成された接着剤109か
ら構成されている。コア基板610に対して、ビルドア
ップ層110aのアライメント積層を行った後、最終的
には、金属板101をエッチングにより除去する。な
お、ビルドアップ層110aには、配線パターン104
および第1のアライメントマーク120を、エッチング
液から保護するためにレジスト金属103が形成されて
いる。
ついて説明する。図6に示すように、まず、コア基板6
10およびビルドアップ層110aを、ステージ640
bおよび吸着ツール640aに吸着し、それらの間に、
上下を同時に認識できるCCD(電荷結合素子、イメー
ジセンサー)630を配置する。続いて、コア基板61
0およびビルドアップ層110aに設けられた、第2お
よび第1のアライメントマーク620および120を、
CCDで認識し、第2および第1のアライメントマーク
620および120が、所定の位置関係になるように
(通常は位置が一致するように)、ステージ640bを
移動させることにより、コア基板610の位置を調整す
る。さらに、コア基板610およびビルドアップ層11
0aの間から、CCDを移動させて取り除いた後、吸着
ツール640aを下降させて、ビルドアップ層110a
をコア基板610の上に配置し、吸着を停止する。この
ような方法により、コア基板610とビルドアップ層1
10aをアライメントすることができる。なお、上下を
同時に認識できるCCD630を使用する理由は、ビル
ドアップ層110aが金属板101を有しているため
に、ビルドアップ層110aの背面(図面では上側)か
ら第1のアライメントマーク120を認識することがで
きないからである。
ビルドアップ層110aとを、アライメントすることが
可能であるが、この方法には2つの問題点がある。1点
目は、吸着ツール640aが下降する際に発生する、機
械的な位置ずれである。すなわち、吸着ツール640a
の上下移動が、完全に鉛直方向(図面では上下方向)に
移動するとは考え難くい。あくまで機械的な移動である
ため、微小な煽り角度や遊び、周辺の温度変化による機
械の伸び縮みがあるのは当然である。2点目は、上下を
同時に認識できるCCD630自身が持っている光軸の
ずれである。すなわち、上部を認識するためのCCDと
下部を認識するためのCCDの光軸が、完全に一致して
いるとは考え難くい。2台のCCDの光軸が一致するよ
うに、できる限り調整しても、基本的には機械的な調整
であるため、やはり、微小な煽り角度や遊び、周辺の温
度変化による機械の伸び縮みがあるのは当然である。し
たがって、図6に示すようなアライメント方法には限界
があり、さらなる微細化には対応することが困難であ
る。
プを搭載する多層配線板の製造における、コア基板とビ
ルドアップ層のアライメント方法の、このような現状の
問題点に鑑み、精度の高いアライメント方法を提供する
ことを目的とする。
アライメント方法は、金属板を電解めっき用リードとし
て、電解めっきにより配線パターンおよび第1のアライ
メントマークを形成された接続層と、第2のアライメン
トマークが形成された被接続層との、アライメント方法
であって、該接続層の第1のアライメントマークが形成
された部分およびその周辺部分の金属板を、エッチング
・除去して形成された開口部を通して、第1のアライメ
ントマークおよび第2のアライメントマークをCCDに
て認識し、第1のアライメントマークと第2のアライメ
ントマークが所定の位置関係になるように、接続層また
は被接続層の位置を移動・調整することにより、接続層
と被接続層とをアライメントすることを基本とする。
っき用リードとして、電解めっきにより配線パターンお
よび第1のアライメントマークを形成する工程と、該配
線パターンおよび第1のアライメントマークの上に絶縁
膜を形成する工程と、配線パターンの一部が露出するよ
うに該絶縁膜にビアを形成する工程と、前記金属板を電
解めっき用リードとして、電解めっきにより導体ポスト
を形成する工程とを経て得られる接続層と、第2のアラ
イメントマークが形成された被接続層との、アライメン
ト方法であって、該接続層の第1のアライメントマーク
が形成された部分およびその周辺部分の金属板を、エッ
チング・除去して形成された開口部を通して、第1のア
ライメントマークおよび第2のアライメントマークをC
CDにて認識し、第1のアライメントマークと第2のア
ライメントマークが所定の位置関係になるように、接続
層または被接続層の位置を移動・調整することにより、
接続層と被接続層とをアライメントするのが良い。さら
には、絶縁膜が透明または半透明であることが好まし
い。
金属板を電解めっき用リードとして、電解めっきにより
配線パターンおよび第1のアライメントマークを形成さ
れた接続層と、第2のアライメントマークが、該接続層
の寸法よりも外側に形成された被接続層との、アライメ
ント方法であって、該接続層の第1のアライメントマー
クが形成された部分およびその周辺部分の金属板を、エ
ッチング・除去して形成された開口部を通して、第1の
アライメントマークをCCDにて認識し、且つ第2のア
ライメントマークを直接CCDにて認識し、第1のアラ
イメントマークと第2のアライメントマークが所定の位
置関係になるように、接続層または被接続層の位置を移
動・調整することにより、接続層と被接続層とをアライ
メントすることを基本とする。
っき用リードとして、電解めっきにより配線パターンお
よび第1のアライメントマークを形成する工程と、該配
線パターンおよび第1のアライメントマークの上に絶縁
膜を形成する工程と、配線パターンの一部が露出するよ
うに該絶縁膜にビアを形成する工程と、前記金属板を電
解めっき用リードとして、電解めっきにより導体ポスト
を形成する工程とを経て得られる接続層と、第2のアラ
イメントマークが、該接続層の寸法よりも外側に形成さ
れた被接続層との、アライメント方法であって、該接続
層の第1のアライメントマークが形成された部分および
その周辺部分の金属板を、エッチング・除去して形成さ
れた開口部を通して、第1のアライメントマークをCC
Dにて認識し、且つ第2のアライメントマークを直接C
CDにて認識し、第1のアライメントマークと第2のア
ライメントマークが所定の位置関係になるように、接続
層または被接続層の位置を移動・調整することにより、
接続層と被接続層とをアライメントするのが良い。
金属板を電解めっき用リードとして、電解めっきにより
配線パターンおよび第1のアライメントマークが形成さ
れた接続層と、第2のアライメントマークが、該接続層
の第1のアライメントマークに相当する位置とは、異な
る位置に形成された被接続層との、アライメント方法で
あって、該接続層の第1のアライメントマークが形成さ
れた部分およびその周辺部分の金属板を、エッチング・
除去して形成された開口部を通して、第1のアライメン
トマークをCCDにて認識し、且つ第2のアライメント
マークが形成された部分およびその周辺部分の、接続層
を貫通する貫通孔を通して、第2のアライメントマーク
をCCDにて認識し、第1のアライメントマークと第2
のアライメントマークが所定の位置関係になるように、
接続層または被接続層の位置を移動・調整することによ
り、接続層と被接続層とをアライメントすることを基本
とする。
っき用リードとして、電解めっきにより配線パターンお
よび第1のアライメントマークを形成する工程と、該配
線パターンおよび第1のアライメントマークの上に絶縁
膜を形成する工程と、配線パターンの一部が露出するよ
うに該絶縁膜にビアを形成する工程と、前記金属板を電
解めっき用リードとして、電解めっきにより導体ポスト
を形成する工程とを経て得られる接続層と、第2のアラ
イメントマークが、該接続層の第1のアライメントマー
クに相当する位置とは、異なる位置に形成された被接続
層との、アライメント方法であって、該接続層の第1の
アライメントマークが形成された部分およびその周辺部
分の金属板を、エッチング・除去して形成された開口部
を通して、第1のアライメントマークをCCDにて認識
し、且つ第2のアライメントマークが形成された部分お
よびその周辺部分の、接続層を貫通する貫通孔を通し
て、第2のアライメントマークをCCDにて認識し、第
1のアライメントマークと第2のアライメントマークが
所定の位置関係になるように、接続層または被接続層の
位置を移動・調整することにより、接続層と被接続層と
をアライメントするのが良い。
施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら
限定されるものではない。図1〜図2は、本発明の実施
形態で用いる接続層の製造方法の一例を説明するための
図で、図2(j)は得られる接続層の構造を示す断面図
である。
のとしては、まず、金属板101上に、パターニングさ
れためっきレジスト102を形成する(図1(a))。
このめっきレジスト102は、例えば、金属板101上
に紫外線感光性のドライフィルムレジストをラミネート
し、ネガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後現
像することにより形成できる。金属板101の材質は、
この製造方法に適するものであればどのようなものでも
良いが、特に、使用される薬液に対して耐性を有するも
のであって、最終的にエッチングにより除去可能である
ことが必要である。そのような金属板101の材質とし
ては、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル等が挙
げられる。
(給電用電極)として、電解めっきによりレジスト金属
103を形成する(図1(b))。この電解めっきによ
り、金属板101上のめっきレジスト102が形成され
ていない部分に、レジスト金属103が形成される。レ
ジスト金属103の材質は、この製造方法に適するもの
であればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金
属板101をエッチングにより除去する際に使用する、
薬液に対して耐性を有することが必要である。レジスト
金属103の材質としては、例えば、ニッケル、金、
錫、銀、半田、パラジウム等が挙げられる。なお、レジ
スト金属103を形成する目的は、金属板101をエッ
チングする際に使用する薬液により、図1(c)に示す
配線パターン104および第1のアライメントマーク1
20が、浸食・腐食されるのを防ぐことである。したが
って、金属板101をエッチングする際に使用する薬液
に対して、図1(c)に示す配線パターン104および
第1のアライメントマーク120が耐性を有している場
合は、このレジスト金属103は不要である。
(給電用電極)として、電解めっきにより配線パターン
104および第1のアライメントマーク120を形成す
る(図1(c))。この電解めっきにより、金属板10
1上のめっきレジスト102が形成されていない部分
に、配線パターン104および第1のアライメントマー
ク120が形成される。配線パターン104および第1
のアライメントマーク120の材質としては、この製造
方法に適するものであればどのようなものでも良いが、
特に、最終的にレジスト金属103をエッチングにより
除去する際に使用する、薬液に対して耐性を有すること
が必要である。実際には、配線パターン104および第
1のアライメントマーク120を浸食・腐食しない薬液
でエッチング可能な、レジスト金属103を選定するの
が得策である。配線パターン104および第1のアライ
メントマーク120の材質としては、例えば、銅、ニッ
ケル、金、錫、銀、パラジウム等が使用できるが、特に
銅を用いれば、低抵抗で安定した配線パターン104が
得られ、好ましい。
1(d))、続いて、形成した配線パターン104およ
び第1のアライメントマーク120上に、絶縁膜105
を形成する(図1(e))。絶縁膜105を構成する樹
脂は、この製造方法に適するものであればどのようなも
のでも使用できる。また、絶縁膜105の形成は、使用
する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを印
刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布し
たり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、
真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。特
に、市販されている樹脂付銅箔は入手が容易であり、真
空ラミネートにより配線パターン104および第1のア
ライメントマーク120の凹凸を埋め込みながら成形
し、最後に銅箔をエッチングすれば、絶縁膜105の表
面が配線パターン104および第1のアライメントマー
ク120の凹凸に影響されることなく、非常に平坦にな
る。また、絶縁膜105の表面には銅箔表面の微細な粗
化形状が転写されるため、図2(i)に示す接着剤10
9との密着性を確保することができる。
6を形成する(図1(f))。ビア106の形成方法
は、この製造方法に適する方法であればどのような方法
でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチン
グ、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁膜
105を感光性樹脂とした場合には、絶縁膜105を選
択的に感光し、現像することでビア106を形成するこ
ともできる。
(給電用電極)として、電解めっきにより導体ポスト1
07を形成する(図2(g))。この電解めっきによ
り、絶縁膜105のビア106が形成されている部分
に、導体ポスト107が形成される。電解めっきにより
導体ポスト107を形成すれば、導体ポスト107の先
端の形状を自由に制御することができる。導体ポスト1
07の材質としては、この製造方法に適するものであれ
ばどのようなものでも良く、例えば、銅、ニッケル、
金、錫、銀、パラジウム等が使用でき、特に銅を用いれ
ば、低抵抗で安定した導体ポスト107が得られ、好ま
しい。
に、接合用金属材料108を形成する(図2(h))。
接合用金属材料108の形成方法としては、無電解めっ
きにより形成する方法、金属板101を電解めっき用リ
ード(給電用電極)として電解めっきにより形成する方
法、接合用金属材料108を含有するペーストを印刷す
る方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マス
クを導体ポスト107に対して精度良く位置合せする必
要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法で
は、導体ポスト107の表面以外に接合用金属材料10
8が形成されることがないため、導体ポスト107の微
細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきに
よる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき
可能な金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易で
あるため、非常に好適である。接合用金属材料108の
材質としては、図3および図4に示す被接続層310、
410と金属接合可能な金属であればどのようなもので
もよく、例えば、半田が挙げられる。半田の中でも、S
nやIn、もしくはSn、Ag、Cu、Zn、Bi、P
d、Sb、Pb、In、Auの少なくとも二種からなる
半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境
に優しいPbフリー半田である。
9を形成する(図2(i))。接着剤109の形成は、
使用する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを
印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布
したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネー
ト、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。
なお、図2(i)では、絶縁膜105の表面に接着剤1
09を形成する例を示したが、被接続層310、410
の表面に接着剤109を形成しても構わない。もちろ
ん、絶縁膜105と被接続層310、410の両表面に
形成しても構わない。
グにより除去して、開口部130を形成する(図2
(j))。すなわち、第1のアライメントマーク120
が形成されている部分およびその周辺部分の金属板10
1を、エッチングにより除去することにより、開口部1
30が形成され、第1のアライメントマーク120が、
金属板101側(図面では上側)から認識できるように
なる。金属板101と第1のアライメントマーク120
との間に、レジスト金属103が形成されており、その
レジスト金属103は、金属板101をエッチングによ
り除去する際に使用する薬液に対して耐性を有している
ため、金属板101をエッチングしてもレジスト金属1
03が浸食・腐食されることがなく、結果的に第1のア
ライメントマーク120が浸食・腐食されることはな
い。金属板101の材質が銅、レジスト金属の材質がニ
ッケル、錫または半田の場合、市販のアンモニア系エッ
チング液を使用することができる。また、金属板101
の材質が銅、レジスト金属の材質が金の場合、塩化第二
鉄溶液、塩化第二銅溶液を含め、ほとんどのエッチング
液を使用することができる。
方法について、図3を参考にして詳細に説明する。図3
は、図1〜図2に示す工程により得られる接続層110
bと被接続層310との、アライメント方法を説明する
ための断面図である。
のアライメントマーク120および開口部130が形成
されている。一方、被接続層310にも第1のアライメ
ントマーク120に相当する位置に、第2のアライメン
トマーク320が形成されている。被接続層310に
は、一般的な両面プリント配線板を使用することができ
るため、詳細な説明は省略する。被接続層310として
一般的な両面プリント配線板を用いる場合には、銅箔を
選択的にエッチングすることにより、第2のアライメン
トマーク320を容易に形成することができる。
メント方法は、次に示す通りである。まず、接続層11
0bおよび被接続層310を、吸着ツール340aおよ
びステージ340bに吸着し、接続層110bと被接続
層310とが接触しないよう、可能な限り近づける。接
続層110bと被接続層310との間隙は、アライメン
ト精度を高める観点から、好ましくは100μm以下、
より好ましくは50μ以下、さらには10μm以下とす
ることがよりいっそう好ましい。続いて、接続層110
bに形成された開口部130を通して、接続層110b
および被接続層310に設けられた、第1および第2の
アライメントマーク120、320を、CCD330に
て認識し、第1および第2のアライメントマーク12
0、320が、所定の位置関係になるように(通常は位
置が一致するように)、吸着ツール340aまたはステ
ージ340bを移動させることにより、接続層110b
または被接続層310の位置を移動・調整する。最後
に、吸着ツール340aを下降させて、接続層110a
を被接続層310の上に配置し、吸着を停止する。
の間隙は非常に小さいため、吸着ツール340aの下降
量はわずかであり、吸着ツール340aの下降による位
置ずれはほとんど発生しない。このような方法により、
接続層110bと被接続層310をアライメントするこ
とができる。なお、このアライメント方法において、接
続層110bを構成する絶縁膜105が、透明または半
透明であることが必須であることは明らかである。絶縁
膜105が不透明であれば、開口部130から第1のア
ライメントマーク120を、CCD330にて認識する
ことはできるが、第2のアライメントマーク320を認
識することは不可能である。
方法について、図4を参考にして詳細に説明する。図4
は、図1〜図2に示す工程により得られる接続層110
b(図2(j)参照)と被接続層410との、アライメ
ント方法を説明するための断面図である。なお、第2の
アライメント方法については、第1のアライメント方法
と異なる部分を特に詳細に説明し、同様な部分は基本的
に説明を省略する。
310と、第2のアライメント方法に用いる被接続層4
10との最も異なる点は、被接続層410の寸法が、接
続層110bよりも基本的には大きく、第2のアライメ
ントマーク420が、接続層110bの寸法よりも外側
に形成されている点である。
メント方法は、次に示す通りである。まず、接続層11
0bおよび被接続層410を、吸着ツール440aおよ
びステージ440bに吸着し、接続層110bと被接続
層410とが接触しないよう、可能な限り近づける。こ
の点は、第1のアライメント方法と同様である。続い
て、接続層110bに形成された開口部130を通し
て、接続層110bに設けられた第1のアライメントマ
ーク120を、CCD430aにて認識し、また、被接
続層410に設けられた第2のアライメントマーク42
0を、CCD430bにて直接認識する。すなわち、第
2のアライメントマーク420が、接続層110bの寸
法よりも外側に形成されているため、接続層110bの
開口部130を通して、第2のアライメントマーク42
0を認識する必要がないところに最も特徴がある。第1
のアライメント方法では、絶縁膜105が透明または半
透明でなければ、第2のアライメントマーク320がC
CD330にて認識できないが、第2のアライメント方
法では、絶縁膜105が不透明でも、第2のアライメン
トマーク420の認識に何ら影響を与えない。また、絶
縁膜105が不透明であっても、第1のアライメントマ
ーク120は十分認識することができる。これが、第1
のアライメント方法と最も異なる点である。
ク120、420が所定の位置関係になるように、吸着
ツール440aまたはステージ440bを移動させるこ
とにより、接続層110bまたは被接続層410の位置
を移動・調整する。第1および第2のアライメントマー
ク120、420の位置(座標)は、予め分かっている
(設計値そのものである)ため、第1および第2のアラ
イメントマーク120、420のオフセット量(座標の
ずれ量)が、設計値と一致するように被接続層410の
位置を調整すればよい。最後に、吸着ツール440aを
下降させて、接続層110bを被接続層410の上に配
置し、吸着を停止する。
ツール440aの下降による位置ずれがほとんど発生し
ない点は、第1のアライメント方法と同様である。この
ような方法により、接続層110bと被接続層410を
アライメントすることができる。なお、第1および第2
のアライメントマーク120、420を認識するため
に、2台のCCD430a、430bを使用する例を説
明したが、両CCD430a、430bの光軸のずれが
大きい場合には、CCDを1台にして第1のアライメン
トマーク120を認識した後、CCDを移動させて第2
のアライメントマーク420を認識させるような方法に
すれば良い。
方法について、図5を参考にして詳細に説明する。図5
は、図1〜図2に示す工程により得られる接続層110
c(図2(k)参照)と被接続層510のアライメント
方法を説明するための断面図である。なお、第3のアラ
イメント方法については、第1および第2のアライメン
ト方法と異なる部分を特に詳細に説明し、同様な部分は
基本的に説明を省略する。
る接続層110bおよび被接続層310、410と、第
3のアライメント方法に用いる接続層110cおよび被
接続層510との最も異なる点は、第2のアライメント
マーク520が、第1のアライメントマーク120に相
当する位置とは異なる位置に形成されており、第2のア
ライメントマークが形成された部分およびその周辺部分
に相当する部分に、接続層110cを貫通する貫通孔1
40が形成されている点である。
メント方法は、次に示す通りである。まず、接続層11
0cおよび被接続層510を、吸着ツール540aおよ
びステージ540bに吸着し、接続層110cと被接続
層510とが接触しないよう、可能な限り近づける。こ
の点は、第1および第2のアライメント方法と同様であ
る。続いて、接続層110cに形成された開口部130
を通して、接続層110cに設けられた第1のアライメ
ントマーク120を、CCD530aにて認識し、ま
た、接続層110cに形成された貫通孔140を通し
て、被接続層510に設けられた第2のアライメントマ
ーク520を、CCD530bにて認識する。すなわ
ち、第2のアライメントマーク520が形成された部分
およびその周辺部分に相当する部分に、接続層110c
を貫通する貫通孔140が形成されているため、接続層
110cの開口部130を通して、第2のアライメント
マーク520を認識する必要がないところに最も特徴が
ある。なお、絶縁膜105が不透明であっても、第1お
よび第2のアライメントマークを十分認識することがで
き、この点は第2のアライメント方法と同様である。
ク120、520が所定の位置関係になるように、吸着
ツール540aまたはステージ540bを移動させるこ
とにより、接続層110cまたは被接続層510の位置
を移動・調整する。この点は、第2のアライメント方法
と同様である。
イメント方法の最大の特徴は、次に示す2点である。 (1)予め、接続層110b、110cと被接続層31
0、410、510とを可能な限り近づけているため、
吸着ツール340a、440a、540aの上下移動
が、完全に鉛直方向(図面では上下方向)に移動しなく
ても、それによる位置ずれは、従来のアライメント方法
と比較して格段に小さい。 (2)上下を同時に認識できるCCDを使用しないた
め、光軸のずれがなく、従来のアライメント方法と比較
して、アライメント精度を格段に高めることができる。
により、接続層と被接続層とのアライメント精度を格段
に高めることができるため、本発明のアライメント方法
を用いることにより、より微細な配線パターンを有する
多層配線板を製造することができる。
断面図である。
断面図である(図1の続き)。
断面図である。
断面図である。
断面図である。
ある。
Claims (7)
- 【請求項1】 金属板を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより配線パターンおよび第1のアライメント
マークを形成された接続層と、第2のアライメントマー
クが形成された被接続層との、アライメント方法であっ
て、該接続層の第1のアライメントマークが形成された
部分およびその周辺部分の金属板を、エッチング・除去
して形成された開口部を通して、第1のアライメントマ
ークおよび第2のアライメントマークをCCDにて認識
し、第1のアライメントマークと第2のアライメントマ
ークが所定の位置関係になるように、接続層または被接
続層の位置を移動・調整することにより、接続層と被接
続層とをアライメントすることを特徴とするアライメン
ト方法。 - 【請求項2】 金属板を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより配線パターンおよび第1のアライメント
マークを形成する工程と、該配線パターンおよび第1の
アライメントマークの上に絶縁膜を形成する工程と、配
線パターンの一部が露出するように該絶縁膜にビアを形
成する工程と、前記金属板を電解めっき用リードとし
て、電解めっきにより導体ポストを形成する工程とを経
て得られる接続層と、第2のアライメントマークが形成
された被接続層との、アライメント方法であって、該接
続層の第1のアライメントマークが形成された部分およ
びその周辺部分の金属板を、エッチング・除去して形成
された開口部を通して、第1のアライメントマークおよ
び第2のアライメントマークをCCDにて認識し、第1
のアライメントマークと第2のアライメントマークが所
定の位置関係になるように、接続層または被接続層の位
置を移動・調整することにより、接続層と被接続層とを
アライメントすることを特徴とするアライメント方法。 - 【請求項3】 絶縁膜が、透明または半透明であること
を特徴とする、請求項2記載のアライメント方法。 - 【請求項4】 金属板を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより配線パターンおよび第1のアライメント
マークを形成された接続層と、第2のアライメントマー
クが、該接続層の寸法よりも外側に形成された被接続層
との、アライメント方法であって、該接続層の第1のア
ライメントマークが形成された部分およびその周辺部分
の金属板を、エッチング・除去して形成された開口部を
通して、第1のアライメントマークをCCDにて認識
し、且つ第2のアライメントマークを直接CCDにて認
識し、第1のアライメントマークと第2のアライメント
マークが所定の位置関係になるように、接続層または被
接続層の位置を移動・調整することにより、接続層と被
接続層とをアライメントすることを特徴とするアライメ
ント方法。 - 【請求項5】 金属板を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより配線パターンおよび第1のアライメント
マークを形成する工程と、該配線パターンおよび第1の
アライメントマークの上に絶縁膜を形成する工程と、配
線パターンの一部が露出するように該絶縁膜にビアを形
成する工程と、前記金属板を電解めっき用リードとし
て、電解めっきにより導体ポストを形成する工程とを経
て得られる接続層と、第2のアライメントマークが、該
接続層の寸法よりも外側に形成された被接続層との、ア
ライメント方法であって、該接続層の第1のアライメン
トマークが形成された部分およびその周辺部分の金属板
を、エッチング・除去して形成された開口部を通して、
第1のアライメントマークをCCDにて認識し、且つ第
2のアライメントマークを直接CCDにて認識し、第1
のアライメントマークと第2のアライメントマークが所
定の位置関係になるように、接続層または被接続層の位
置を移動・調整することにより、接続層と被接続層とを
アライメントすることを特徴とするアライメント方法。 - 【請求項6】 金属板を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより配線パターンおよび第1のアライメント
マークが形成された接続層と、第2のアライメントマー
クが、該接続層の第1のアライメントマークに相当する
位置とは、異なる位置に形成された被接続層との、アラ
イメント方法であって、該接続層の第1のアライメント
マークが形成された部分およびその周辺部分の金属板
を、エッチング・除去して形成された開口部を通して、
第1のアライメントマークをCCDにて認識し、且つ第
2のアライメントマークが形成された部分およびその周
辺部分の、接続層を貫通する貫通孔を通して、第2のア
ライメントマークをCCDにて認識し、第1のアライメ
ントマークと第2のアライメントマークが所定の位置関
係になるように、接続層または被接続層の位置を移動・
調整することにより、接続層と被接続層とをアライメン
トすることを特徴とするアライメント方法。 - 【請求項7】 金属板を電解めっき用リードとして、電
解めっきにより配線パターンおよび第1のアライメント
マークを形成する工程と、該配線パターンおよび第1の
アライメントマークの上に絶縁膜を形成する工程と、配
線パターンの一部が露出するように該絶縁膜にビアを形
成する工程と、前記金属板を電解めっき用リードとし
て、電解めっきにより導体ポストを形成する工程とを経
て得られる接続層と、第2のアライメントマークが、該
接続層の第1のアライメントマークに相当する位置と
は、異なる位置に形成された被接続層との、アライメン
ト方法であって、該接続層の第1のアライメントマーク
が形成された部分およびその周辺部分の金属板を、エッ
チング・除去して形成された開口部を通して、第1のア
ライメントマークをCCDにて認識し、且つ第2のアラ
イメントマークが形成された部分およびその周辺部分
の、接続層を貫通する貫通孔を通して、第2のアライメ
ントマークをCCDにて認識し、第1のアライメントマ
ークと第2のアライメントマークが所定の位置関係にな
るように、接続層または被接続層の位置を移動・調整す
ることにより、接続層と被接続層とをアライメントする
ことを特徴とするアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000300730A JP4534330B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | アライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000300730A JP4534330B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111172A true JP2002111172A (ja) | 2002-04-12 |
| JP4534330B2 JP4534330B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=18782366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000300730A Expired - Fee Related JP4534330B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4534330B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006346834A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 微小構造体の製造方法および製造装置 |
| KR100771306B1 (ko) | 2006-07-25 | 2007-10-29 | 삼성전기주식회사 | 칩 내장형 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR100792525B1 (ko) | 2006-08-11 | 2008-01-09 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| CN110536568A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-03 | 上海航天电子通讯设备研究所 | 一种多层电路板高精密键合定位方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192671U (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-08 | ||
| JPH0233997A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Fujikura Ltd | 多層基板における積層板の製造方法 |
| JPH04312995A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-11-04 | Nec Toyama Ltd | 銅張り積層板の製造方法 |
| JPH10173317A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 転写方法および圧着装置 |
| JP2000216544A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | メタルコアbvh用多層シ―ルド板の製造方法 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000300730A patent/JP4534330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192671U (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-08 | ||
| JPH0233997A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Fujikura Ltd | 多層基板における積層板の製造方法 |
| JPH04312995A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-11-04 | Nec Toyama Ltd | 銅張り積層板の製造方法 |
| JPH10173317A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 転写方法および圧着装置 |
| JP2000216544A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-04 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | メタルコアbvh用多層シ―ルド板の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006346834A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 微小構造体の製造方法および製造装置 |
| KR100771306B1 (ko) | 2006-07-25 | 2007-10-29 | 삼성전기주식회사 | 칩 내장형 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR100792525B1 (ko) | 2006-08-11 | 2008-01-09 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| CN110536568A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-03 | 上海航天电子通讯设备研究所 | 一种多层电路板高精密键合定位方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4534330B2 (ja) | 2010-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8893380B2 (en) | Method of manufacturing a chip embedded printed circuit board | |
| US7506437B2 (en) | Printed circuit board having chip package mounted thereon and method of fabricating same | |
| KR101006619B1 (ko) | 라운드형 솔더범프를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| TWI479972B (zh) | Multi - layer flexible printed wiring board and manufacturing method thereof | |
| KR20040085908A (ko) | 병렬적 다층 인쇄회로기판 제조 방법 | |
| JP2001053447A (ja) | 部品内蔵型多層配線基板およびその製造方法 | |
| US20040124003A1 (en) | Double-sided printed circuit board without via holes and method of fabricating the same | |
| KR101136396B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| KR20060012996A (ko) | 병렬적 인쇄회로기판 제조 방법 | |
| CN101325845B (zh) | 多层印刷电路板及其制造方法 | |
| US20060121255A1 (en) | Parallel multilayer printed circuit board having interlayer conductivity due to via ports and method of fabricating same | |
| KR101089986B1 (ko) | 캐리어기판, 그의 제조방법, 이를 이용한 인쇄회로기판 및 그의 제조방법 | |
| US7524429B2 (en) | Method of manufacturing double-sided printed circuit board | |
| KR20130053289A (ko) | 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| KR20150146270A (ko) | 소자 내장형 인쇄회로기판, 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP4534330B2 (ja) | アライメント方法 | |
| US20120012378A1 (en) | Printed circuit board and method of manufacturing the same | |
| JP4797310B2 (ja) | アライメントマーク | |
| JP4094286B2 (ja) | アライメント方法 | |
| KR20110093407A (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| TWI461134B (zh) | 載板結構及其製作方法 | |
| JP3816437B2 (ja) | 多層配線板製造用配線基板、多層配線板製造用配線基板の製造方法および多層配線板 | |
| JP4529614B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| CN2626187Y (zh) | 叠层线路基板 | |
| CN120376417A (zh) | 嵌入式基板制备方法及嵌入式基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070517 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100525 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100607 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140625 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |