JP2002110803A - 大規模集積回路構成 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】大規模集積回路構成の、面積を大きくすること
による欠陥や製造過程で生じる不良個所の増大に対応す
ること 【解決手段】ウェーハ１００上の、ウェーハ・スケール
大規模集積回路１９０は、全体を複数の機能ブロックに
分けて、それらを技術的に製造可能な面積になるよう再
構成し配置した単位集積回路領域１５０の集合として作
成されている。単位集積回路領域１５０には、単位集積
回路１１０の内と外とを結合・分離をするための手段１
２０と、これら結合の片端で単位集積回路の入出力とな
る端子１３０とがあり、これにより各単位集積回路１１
０と外部との接続を行っている。この結合・分離をする
ための手段１２０は、不良単位集積回路との結合を外部
から切断できる。分離してから端子１３０を介して別途
用意した単位集積回路と結合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、大規模集積回路の構成
に関するものである。

【０００２】

【技術的背景】大規模集積回路を設計、および、製造す
るのにおいては、その動作、消費電力、歩留まりからで
きるだけ小さい面積に配置することが求められている。
このことから一般に大規模集積回路を具体化する上で重
要なことは （１） 最少の素子数で構成する （２） 最短距離で配線する （３） 最少面積に配置する （４） 高速に動作させる （５） 小電力で動作させることが挙げられる。ここで
はアルゴリズム論や論理回路理論による素子数や配線の
改良の局所的議論は除いて、大局的に大面積のシステム
を搭載することを考える。

【０００３】集積回路は規模が大きくなるに従って占有
面積が増え、半導体の格子欠陥に当たる率や製造過程で
生じる不良の率が指数関数的に増えて製造が著しく難し
くなる。これらを克服するために、大規模化や高集積化
は歩留まり改善に関して、多くの研究開発がなされてい
る。従来、一般的な集積回路製造の歩留まりに関する考
え方として、以下に述べるようものがある。

【０００４】ウェーハに関して、半導体単結晶を切断し
たウェーハは原子が整然と並ぶ理想的な構造をしている
が、現実には各所に格子欠陥が存在する。最近、これを
無くす方法として、その表面を処理して半導体を形成で
きる程度の厚さを無欠陥にする技術も生まれている。し
かし、一般に、半導体を形成する過程では少なからず格
子配列に影響を与える。また、集積回路を製造する微細
加工技術に関して、写真技術が用いられるが直接の描画
装置やフォトマスクの製造過程で用いられる描画装置や
縮小投影露光装置があり、それらの単位露光面積を越え
て集積回路を描くことはトランジスタや配線の不良の原
因ともなりうる。さらに、現在の製造環境に関して、一
連の製造過程でその環境中に含まれる微細な塵やゴミの
付着する可能性は避けられない。半導体製造には、これ
ら面積を主な要因とした歩留まりがあり、集積回路の面
積の増加に伴って指数的に低下することが経験的に分か
っている。すなわち、ある大きさを越えると極端に歩留
まりが低下し技術的に困難になる。従って、同じ製造環
境では高速化や大規模化のためにはより微細加工技術を
進め、その他に、素子数を少なくすることにより生産性
を高める努力が行われてきた。

【０００５】一方、その歩留まりを改善する方法やそれ
を越える規模の集積回路を作る方法として耐故障性集積
回路（Fault−tolerant Chip）や並列化されたウェーハ
・スケール集積回路が考案された。これらを最初にまと
めた文献として、C.Jesshope, W.Moore : "Wafer Scale
Integration"(Adam Hilger July,1985)がある。これら
大規模半導体集積回路の高信頼性システムや耐故障性シ
ステムに基づくウェーハ・スケール集積回路製造方法は
従来、リレーやディスクリート素子の信頼性の低い部品
による回路の不安定な動作や故障率を改善するために生
まれた。この高信頼性システムの理論や耐故障性システ
ムの理論を集積回路の製造過程で不良になる確率の高い
ウェーハ・スケールの大規模集積回路に応用したもので
ある。１９８０年代以降、大規模集積回路の実現のため
に、前記文献で示したように、予備の回路を搭載したも
のやプロセッサ・アレイのアーキテクチャが数多く提案
され、それに基づき試作されてきた。現在でも、発表や
実用化が試みられているものは主に多重系、又は、並列
処理のものに限られている。これは、例えば、小規模の
プロセッサ・アレイのように共通機能ブロックを配列し
て構成し、その不良ブロックを使わない、又は、その幾
つかを不良ブロックの交換に当てることにより実現して
いる。

【０００６】このように、高信頼性システムや耐故障性
システムの考え方の基本は２重系にある。しかし、これ
らの理論はシステムの動作に関するもので、製造過程の
初期不良に関するものではない。集積回路はいかなる規
模のものでも一旦、完動したものは非常に信頼性が高い
という特徴を有する。すなわち、集積回路は歩留まりが
低くて例え１つしか実用化に成功しなくとも、完動した
ものは、信頼性は高く、リレーやディスクリート素子の
完成後の故障や動作不良を想定した上記の手法では、そ
の半分程度の回路および配置面積が不要又は冗長にな
る。

【０００７】一方、この不要になる又は冗長になる可能
性の高い回路や占有面積を少なくするものとして、並列
化がある。しかし、一般的な情報処理の多くは並列に処
理することが困難で、それらの処理には単体としてある
程度の規模が必要になる。また、並列化された個々のプ
ロセッサの処理能力において、分割が困難な逐次処理を
要するものでは、個々のプロセッサが十分な能力を持た
ないことから、一般的な逐次処理で行うと、大規模集積
回路に求められる十分な能力を発揮できない。すなわ
ち、通常の処理は逐次処理が多く、無理に大規模並列化
しても最適化が困難で、大規模化する必然性がない。ま
た、消費電力、面積を最適化することもできない。

【０００８】集積回路の機能は大規模化すればするほ
ど、システム化し、柔軟性、汎用性が求められる。しか
し、一度、集積回路化すると大規模化すればするほど、
設計、製造の変更は困難で、求められる柔軟性と、その
変更の困難さの矛盾が生じる。これに対処するため現在
では一部の機能をソフトウェアで補っている。しかし、
ソフトウェアは、記憶素子から制御情報を読み出し、集
積回路の動作を順次模擬して働かせるため、速度が遅く
なる。

【０００９】特殊なものとしては、航空宇宙産業や原子
力産業の光センサー分野がある。全面に降り注ぐ、物理
的に連続した微弱な可視光、Ｘ線、赤外線の量を計測で
きる光センサが求められている。この光センサは、大き
ければ大きいほど精度があがることが特徴である。この
分野ではリスクを覚悟の上で直線的なアプローチで大規
模化を計っている。例えば、撮像素子は、その受光面
積、素子数、感度が重要で、技術的な歩留まりや経済性
を無視しても真正面から取り組む必要があり、競って大
画面、高解像度、高感度が追求されている。

【００１０】さらに、集積回路が生まれたときからの夢
として、全体を１チップに集積したいという願望があ
り、現在の技術を遥かに越える大規模集積回路の実現に
夢を賭ける研究開発が続けられている。この分野では、
大規模化すればするほど、システム化し、柔軟性、一般
性が求められる。しかし、一度、集積回路化すると設計
変更は困難で、柔軟性が欠ける。これに対処するため一
部の機能をソフトウェアで補っている。

【００１１】上述したように、ウェーハ・スケール集積
回路の実現には、材料、理論等色々なアプローチによ
り、可能な限りの努力がなされてきた。しかし、現実に
は、技術的な壁があり、ウェーハ・スケール集積回路の
実現は難しく、前記の経済性を無視できるものや特殊な
並列処理の分野に限られている。また、集積回路の多重
系や並列処理系では、全てが完動した暁には予備の回路
は不要になり、これを常に働かせておく冗長性や消費電
力が問題となる。それらが例え切り離せても不要な搭載
領域は残る。また、不良個所を予備回路で置き換えたも
のは、元の回路と比べて配線が長くなり、本来の性能か
らの低下は避けられない。従って、上述したこれらウェ
ーハ・スケール集積回路の実現への取り組み方では、最
も重要とされる最小面積にするための最適化が困難であ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】これら技術の限界を越
えた大規模の集積回路を実現するのに、 １）大規模化するのに伴って低下する歩留まりの影響を
少なくし、歩留まりの改善方法で発生した冗長性に伴う
問題（占有面積、消費電力、処理速度）の排除 ２）分業化が進み流通する半導体分野のＩＰ(Intellect
ual Property)である機能ブロックの利用 ３）集積回路を変更する場合、配置面積、消費電力、配
線遅延の無変更を現実的に実現することが望まれてい
る。 また、面積が増加するのに伴う問題点として、半導体基
板に点在する格子欠陥や製造過程で生じる不良、およ
び、フォトマスクの製造過程の描画装置や縮小投影露光
装置の単位面積の大きさ、各製造装置で扱える単位面積
の大きさ、環境に浮遊するゴミ、塵、等がある。一方、
集積回路が大規模化するのに伴って低下する歩留まりに
対する解決法として、耐故障設計や耐故障性集積回路の
考え方が広く知られている。しかし、その考え方の本質
となる冗長性から集積回路で重要な面積や素子の最適化
が困難である。

【００１３】益々、複雑化する設計の問題として、大規
模の集積回路の全てを一組織で作ることの難しさや汎用
性や知識の流通性が問題となる。その上、情報処理に特
有な汎用性と専用性の問題として、集積回路は専用の目
的に特化しても、その上位の概念は、汎用性があり、広
く共通に利用され開発環境が整っていることが望まれて
いる。さらに、集積回路を具体化する問題として、集積
回路は設計や経済的な観点から柔軟性に欠け変更や追加
が極めて難しく、大規模になるに従ってこの問題が顕在
化する。それを解決するのに、組み込みソフトウェアと
して対応していることが多い。しかし、ソフトウェアで
模擬し補わせることは常に記憶の読み出しを伴い遅くな
る。そこで、本願発明では、これらの不具合を解決する
ことが、その目的である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は大規模集積回路構成であって、複数の単位
集積回路で構成されており、前記各単位集積回路は、外
部と接続可能な端子と、前記端子と接続された、外部か
ら電気的に分離可能な分離・結合手段とを有しており、
前記各単位集積回路は、相互に前記分離・結合手段によ
り結合しており、前記分離・結合手段を外部から電気的
に分離して、前記端子に新たな単位集積回路を接続する
ことにより、単位集積回路単位に交換可能であることを
特徴とする大規模集積回路構成である。前記分離・結合
手段は、印加する電気信号の変化や、機械的に切断され
ることにより、当該単位集積回路を他の単位集積回路か
ら電気的に分離することができる。機械的に切断される
場合、前記分離・結合手段を、流れる電流により切断さ
れる部材で形成することもできる。また、本発明は大規
模集積回路の製造方法であって、前記大規模集積回路
は、複数の単位集積回路で構成されており、前記各単位
集積回路は、外部と接続可能な端子と、前記端子と接続
され、外部から電気的に分離可能な分離・結合手段とを
有しており、前記各単位集積回路は、相互に前記分離・
結合手段により結合しており、単位集積回路の前記分離
・結合手段を外部から電気的に分離して、当該単位集積
回路の前記端子に新たな単位集積回路を接続することに
より、単位集積回路単位に交換することを特徴とする大
規模集積回路の製造方法である。前記外部から電気的な
分離は、当該単位集積回路の分離・結合手段である配線
を外部から機械的に切断することにより行うこともでき
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明のウェーハ・スケール大規
模集積回路の実施の形態を図面を参照して説明する。な
お、図面中、同一の要素には同一の符号を付すものとす
る。図１は、本発明のウェーハ・スケールの大規模集積
回路の構成を示す図である。本発明では、技術的、経済
的、又は、思考の限界を越えて大規模集積回路を構成す
るために、実施可能な規模の集積回路に分割して、ウェ
ーハ・スケールに構成する。図１において、ウェーハ１
００上の、ウェーハ・スケール大規模集積回路１９０
は、全体を複数の機能ブロックに分けて、それらを技術
的に製造可能な面積になるよう再構成し配置した単位集
積回路領域１５０の集合として作成されている。例え
ば、図１では、４つの単位集積回路領域１５０，１５
２，１５３，１５４により構成されている。大規模集積
回路１９０は、ウェーハ外部と、外部端子１８０により
接続される。

【００１６】単位集積回路領域１５０には、単位集積回
路１１０の内と外とを結合・分離をするための手段１２
０と、これら結合の片端で単位集積回路の入出力となる
端子１３０とがあり、これにより各単位集積回路１１０
と外部との接続を行っている。図１では、４つの単位集
積回路は、それぞれ、結合・分離のための手段１２０に
より、相互に結合されている。この結合・分離をするた
めの手段１２０は、単位集積回路との結合を外部から切
断できるような構成を有している。また、この結合・分
離のための手段１２０の外側に、外部から接続可能な端
子１３０を有しており、この端子１３０から単位集積回
路等の動作をテストすることができる。また、結合・分
離のための手段１２０を利用して不良の個所を切り離
し、端子１３０を介して、別途用意した単位集積回路を
配置し結合することもできる。この端子１３０を用い
て、単位集積回路を結合することについては、後で詳し
く説明する。

【００１７】上述の単位集積回路１１０等は、一度に縮
小投影露光装置で露光できる単位面積やウェーハの格子
欠陥の確率的分布を考慮した単位面積で、かつ、直接描
画装置やフォトマスクの製造の描画装置や縮小投影露光
装置で一度に露光できる単位面積に収まるように設計す
る。それらの単位集積回路を配置して大規模なウェーハ
・スケールの集積回路を構成しているため、各単位集積
回路は技術的、経済的に実現可能な歩留まりの限界の範
囲内の規模に保つことができる。しかも、その製造過程
で生じる不良個所は、単位集積回路ごとに交換すること
で、高信頼性システム理論や耐故障性システム理論の多
重系によらず、設計条件とした幾何学的な配置、配線に
よる条件や、ウェーハの格子欠陥や製造過程で生じる歩
留りに影響されないウェーハ・スケール集積回路を構成
することが可能となる。

【００１８】単位集積回路と端子の間にある結合および
分離手段として、ヒューズ、電子回路や、外部からの機
械的、光、電子ビームの力により接続や切り離しができ
るものであればよい。この結合および分離手段により、
対象とする個所の信号線および電源線を切断し、システ
ムから分離している。図２に、単位集積回路１５０同士
を結合して、ウェーハ・スケール大規模集積回路１９０
を構成するために、単位集積回路１５０の外部との結合
・分離するための手段の例を示す。図２（ａ）は、ＭＯ
Ｓ ＦＥＴ２２０で構成した結合・分離のための手段が
示されている。このＭＯＳ ＦＥＴの端子２２３に印加
するゲート電圧により、ＭＯＳ ＦＥＴ２２０のソース
・ドレイン間の導通を制御し、端子２２２・２２４間の
導通を制御することができる。図２（ｂ）は、結合・分
離のための手段として、フューズ２３０を用いる例を示
している。このフューズ２３０に電流を外部から流すこ
とにより溶断して、端子２３２，２３４間の接続を切断
することができる。図２（ｃ）は、ＡＮＤ論理素子２４
０で、結合・分離のための手段を構成する例を示してい
る。ＡＮＤ論理素子２４０の入力端子２４３に論理”
１”や論理”０”を入力することで、端子２４２，２４
４間の結合を制御することができる。図２（ｄ）は、端
子２５２，２５４間の配線２５０を切断できるようにし
たものを示している。この図２（ｄ）に示すように、結
合・分離のための手段として、単に予め定められた箇所
の配線を、外部から機械的に切断することにより、切り
離すことでもよい。この切り離しには、例えば、ＳＰＭ
（走査型プローブ顕微鏡）の探針による機械的・電子的
な力を用いても良い。また、マイクロマシーンの微細加
工技術による切り離しや、光や電子ビームによる微細加
工技術による切り離しでもよい。

【００１９】本発明のウェーハ・スケールの大規模集積
回路１９０を実施するに当たり、大規模集積回路１９０
が半導体ウェーハに点在する欠陥や製造過程で生じる不
良個所を単位集積回路の単位で修復することが可能であ
る。図３は、半導体ウェーハに点在する欠陥や製造過程
で生じる不良個所を、単位集積回路の単位で修復するこ
とを示す図である。図３において、単位集積回路の１つ
が不良であることが分かった場合、サブウェーハ上に不
良である単位集積回路１１１と同じ回路構成のものを作
成する。この交換サブウェーハ１６１上の単位集積回路
には、単位集積回路１１１と対応して、外部接続するた
めの端子が設けられている。交換するに当たり、単位集
積回路１１１を結合・分離手段により分離して全てを切
り離し、全体への影響をなくしておく。次に交換サブウ
ェーハ１６１をウェーハ１００の配置面に張り付け、単
位集積回路１１１の端子１３０と、対応する交換サブウ
ェーハ１６１上の端子とを接続する。このように、その
製造で不良になる個所を修復するのに、正常に動作する
新しい単位集積回路を作製したサブウェーハを用意し
て、不良の単位集積回路を切断し、新しい単位集積回路
のサブウェーハを取り付けて、対応する端子を結合する
ことで行う。これにより、面積、消費電力、配線遅延時
間等に関して、設計当初の性能を維持することが可能で
ある。

【００２０】図４および図５は、図３における不良単位
集積回路と交換するサブウェーハとの接続の例を示す図
である。図４は、不良単位集積回路１１１上に交換サブ
ウェーハ１６１を乗せ、交換サブウェーハの端子１３２
と対応する不良単位集積回路１１１の端子１３１とをワ
イヤ１３５で結合している。このように、ワイヤ・ボン
ディングにより、対応する端子間を結合して、単位集積
回路を交換することが可能となる。図５は、交換サブウ
ェーハ１６２と不良単位集積回路とを結合するにあた
り、交換サブウェーハ１６２の端子と不良単位集積回路
の端子とが対向できるようにして、端子同士を直接結合
することを示している。このように直接端子同士を結合
することにより、ワイヤ・ボンディングの工程を省略す
ることができる。なお、交換されるサブウェーハを不良
集積回路上に乗せる場合、両者でショート等が起こらな
いように、絶縁を行うことは当然である。また、図５の
ように、端子同士を結合するときに、例えば交換サブウ
ェーハ１６２の素子を形成している面同士を向かい合わ
せて、端子同士を対向する様にする場合がある。この場
合は、例えば、サブウェーハ上に形成する単位集積回路
のパターンを鏡像変換およびこれに伴う修正を行うこと
で、端子同士を対応させることができる。

【００２１】上記の図３〜図５では、ウェーハ規模の大
規模集積回路において、不良である単位集積回路を交換
する例を説明した。この技術は、大規模集積回路の他の
場合においても適用することができる。これを図６を用
いて説明する。大規模集積回路は製造後、設計変更や機
能変更は困難である。それに答えるため、本発明の構成
を利用して、別途用意した機能を持つ単位集積回路に交
換して性能維持、又は、性能向上を計ることができる。
また、製造技術の異なる単位集積回路を組み込むこと
や、広く流通する単位集積回路の知的所有権を守ってウ
ェーハ・スケール大規模集積回路に包含していくことも
可能である。一般に、大規模集積回路になればなるほど
高機能になり、汎用性と専用性の相反する機能が顕在化
し分離する傾向がある。その汎用的な処理をする共通の
部分には、初期設計で予測していなかった、より汎用的
な処理や使い方が生まれたりする。また、複雑化する設
計情報は集積回路のＩＰとして流通させる仕組みが生ま
れ、使われている間に、他で開発されたより汎用的なも
のが広く普及してしまうことがある。このような変化に
対して、本発明の構成を利用して、対象とする単位集積
回路を切り離し、より効率よく働く単位集積回路に交換
することができる。また、専用機能についても同様で、
他で開発されたものがより効率よく働くことがある。こ
れを導入するに伴って一部の機能ブロックの修正、変
更、交換が必要なことがあり、これらを単位集積回路の
単位で交換し結合することもできる。

【００２２】図６は大規模集積回路の性能維持、又は、
性能向上のため単位集積回路の単位で交換する形態を示
す図である。図６において、ウェーハ２００上には例え
ば、ＣＰＵ２５１，ＦＰＵ２５２，グラフィックス及び
Ｉ／Ｏ２５３，メモリ２５４をそれぞれ単位集積回路と
するコンピュータ・システムの大規模集積回路が構成さ
れている。このコンピュータ・システムにおいて、単位
集積回路のグラフィックス及びＩ／Ｏ２５３の機能向上
のために、交換サブウェーハ２６２上に新しいグラフィ
ックス及びＩ／Ｏの集積回路を構成し、単位集積回路２
５３を分離して切り離す。この交換サブウェーハ２６２
をウェーハ２００上に乗せ、対応する端子同士を接続し
て、単位集積回路単位で交換する。

【００２３】集積回路は基板に焼き付けられたハードウ
ェアであるにもかかわらず、情報処理装置としての柔軟
性が求められる。従来、柔軟性が必要な部分は書き換え
可能な記憶素子にソフトウェアを記憶させて擬似的に動
作させる方法が用いられてきた。しかし、ハードウェア
化されないことで生じる速度の低下は避けられない。そ
こで設計変更や新たに設計するアルゴリズムは、命令や
処理手順を別途用意した単位集積回路に集積化して変更
可能にする。柔軟性や融通性を持たせるためプログラム
化されていたアルゴリズムを集積回路化して、交換サブ
ウェーハ上に形成し、ハードウェア化されたハードウェ
ア・アルゴリズムとしてウェーハ上の単位集積回路と交
換することも可能である。

【００２４】さて、集積回路は大規模集積化すればする
程、それらの条件に適した設計や製造や材料技術が必要
になる。しかし、基盤技術を越えてそれに答えようとし
ても、製造工程が複雑になったり、材料の技術分野で困
難になる。交換するサブウェーハは、大規模集積回路と
は異なる製造技術等で集積回路を作成することができる
ので、対象となる単位集積回路を交換することで、基盤
となる技術は変えることなく、目的のシステムに進化で
きる。

【００２５】

【発明の効果】上述の本発明の大規模集積回路構成を用
いることにより、単位集積回路を交換することができる
ので、面積を大きくすることによる欠陥や製造過程で生
じる不良個所の増大に対応することが可能となる。しか
も、単位集積回路を交換することにより、機能の向上等
にも対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のウェーハ・スケールの大規模集積回
路の構成を示す図である。

【図２】 切断・結合手段の形態を示す図である。

【図３】 不良の単位集積回路を交換することを示す図
である。

【図４】 単位集積回路の接続をワイヤ・ボンディング
で行うことを示す図である。

【図５】 単位集積回路の接続を端子の直接結合で行う
ことを示す図である。

【図６】 機能向上のために単位集積回路を交換するこ
とを示す図である。

【符号の説明】

１００ ウェーハ １１０ 単位集積回路 １１１ 不良単位集積回路 １２０ 結合・分離手段 １３０，１３１，１３２ 端子 １３５ ワイヤ １５０ 単位集積回路領域 １６１ 交換サブウェーハ １６２ 交換サブウェーハ １８０ 外部端子 １９０ ウェーハ・スケール大規模集積回路 ２００ ウェーハ ２２２，２２３，２２４ 端子 ２３０ フューズ ２４０ 論理素子 ２４３ 入力端子 ２５３ 単位集積回路 ２５４ メモリ ２６２ 交換サブウェーハ ２３２，２３４ 端子 ２４２，２４４ 端子 １５０，１５２，１５３，１５４ 単位集積
回路領域

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】大規模集積回路構成であって、 複数の単位集積回路で構成されており、 前記各単位集積回路は、 外部と接続可能な端子と、 前記端子と接続され、外部から電気的に分離可能な分離
   ・結合手段とを有しており、 前記各単位集積回路は、相互に前記分離・結合手段によ
   り結合しており、 前記分離・結合手段を外部から電気的に分離して、前記
   端子に新たな単位集積回路を接続することにより、単位
   集積回路単位に交換可能であることを特徴とする大規模
   集積回路構成。
2. 【請求項２】請求項１記載の大規模集積回路構成におい
   て、 前記分離・結合手段は、印加する電気信号の変化によ
   り、当該単位集積回路を他の単位集積回路から電気的に
   分離することを特徴とする大規模集積回路構成。
3. 【請求項３】請求項１記載の大規模集積回路構成におい
   て、 前記分離・結合手段は、機械的に切断されることによ
   り、当該単位集積回路を他の単位集積回路から電気的に
   分離することを特徴とする大規模集積回路構成。
4. 【請求項４】請求項３記載の大規模集積回路構成におい
   て、 前記分離・結合手段は、そこを流れる電流により切断さ
   れる部材で形成されていることを特徴とする大規模集積
   回路構成。
5. 【請求項５】大規模集積回路の製造方法であって、 前記大規模集積回路は、複数の単位集積回路で構成され
   ており、 前記各単位集積回路は、 外部と接続可能な端子と、 前記端子と接続された、外部から電気的に分離可能な分
   離・結合手段とを有しており、 前記各単位集積回路は、相互に前記分離・結合手段によ
   り結合しており、 単位集積回路の前記分離・結合手段を外部から電気的に
   分離して、当該単位集積回路の前記端子に新たな単位集
   積回路を接続することにより、単位集積回路単位に交換
   することを特徴とする大規模集積回路の製造方法。
6. 【請求項６】請求項５記載の大規模集積回路の製造方法
   であって、 前記外部から電気的な分離は、当該単位集積回路の分離
   ・結合手段である配線を外部から機械的に切断すること
   により行うことを特徴とする大規模集積回路の製造方
   法。