JP2002110340A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
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- JP2002110340A JP2002110340A JP2000303353A JP2000303353A JP2002110340A JP 2002110340 A JP2002110340 A JP 2002110340A JP 2000303353 A JP2000303353 A JP 2000303353A JP 2000303353 A JP2000303353 A JP 2000303353A JP 2002110340 A JP2002110340 A JP 2002110340A
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- heating chamber
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Electric Ovens (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電波防止性能の向上と電波漏洩防止構造の品
質の向上を図る。 【解決手段】 高周波加熱装置の扉１の電波漏洩防止構
造は内フレ−ム１９に第一スリット周期構造体１８と外
フレ−ム２２に第二スリット周期構造体２１を設けると
ともに、加熱室の開口部周縁面に対向するスリット周期
構造体１８、２１を面状で構成することにより、電波漏
洩が少く高周波の電界集中を防ぎ、高品質なものとする
ことができる。
質の向上を図る。 【解決手段】 高周波加熱装置の扉１の電波漏洩防止構
造は内フレ−ム１９に第一スリット周期構造体１８と外
フレ−ム２２に第二スリット周期構造体２１を設けると
ともに、加熱室の開口部周縁面に対向するスリット周期
構造体１８、２１を面状で構成することにより、電波漏
洩が少く高周波の電界集中を防ぎ、高品質なものとする
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波加熱装置の
電波漏洩防止構造に関するものである。
電波漏洩防止構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、スリット周期構造体を利用したこ
の種の電波漏洩防止構造としては、特公昭５１−２２６
６３号公報に記載されているようなものがあった。図５
は前記公報に記載された従来の高周波加熱装置の電波漏
洩防止構造の拡大斜視図である。図５において、電波漏
洩防止構造を有する扉１は周縁にスリット２を設けた第
一スリット周期構造体３を有する内フレ−ム４と外フレ
−ム５により電波減衰溝６を構成するとともに、外フレ
−ム５の電波減衰溝６を構成する仕切り壁７にスリット
８を設けた第二スリット周期構造体９を構成するもので
ある。従って、電波漏洩防止構造は第一スリット周期構
造体３と、電波減衰溝６と、第二スリット周期構造体９
で加熱室からの高周波を順次減衰させて装置外への漏洩
を防止するものであった。なお、１０は扉１の電波漏洩
防止構造を覆う誘電体からなるチョ−クカバ−である。
の種の電波漏洩防止構造としては、特公昭５１−２２６
６３号公報に記載されているようなものがあった。図５
は前記公報に記載された従来の高周波加熱装置の電波漏
洩防止構造の拡大斜視図である。図５において、電波漏
洩防止構造を有する扉１は周縁にスリット２を設けた第
一スリット周期構造体３を有する内フレ−ム４と外フレ
−ム５により電波減衰溝６を構成するとともに、外フレ
−ム５の電波減衰溝６を構成する仕切り壁７にスリット
８を設けた第二スリット周期構造体９を構成するもので
ある。従って、電波漏洩防止構造は第一スリット周期構
造体３と、電波減衰溝６と、第二スリット周期構造体９
で加熱室からの高周波を順次減衰させて装置外への漏洩
を防止するものであった。なお、１０は扉１の電波漏洩
防止構造を覆う誘電体からなるチョ−クカバ−である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
携帯電話器等の高周波通信機器の発達で電波による人体
への安全性と電波ノイズによる電波障害の観点からも電
波漏洩値の低減が社会的にも課題となってきた。また、
図５の従来例では電波漏洩防止性能は満足できる値であ
るが第二スリット周期構造体９の突起状の仕切り壁７に
対向する加熱室の開口部周縁面が高周波の電界集中によ
る渦電流で発熱し加熱室の塗装膜が変色、焼けなどが発
生して品質上の問題から量産化が進んでいなかった。
携帯電話器等の高周波通信機器の発達で電波による人体
への安全性と電波ノイズによる電波障害の観点からも電
波漏洩値の低減が社会的にも課題となってきた。また、
図５の従来例では電波漏洩防止性能は満足できる値であ
るが第二スリット周期構造体９の突起状の仕切り壁７に
対向する加熱室の開口部周縁面が高周波の電界集中によ
る渦電流で発熱し加熱室の塗装膜が変色、焼けなどが発
生して品質上の問題から量産化が進んでいなかった。
【０００４】本発明は、前記課題を解決するもので、電
波漏洩防止構造のスリット周期構造体に高周波の電界が
集中することを防ぎ、優れた電波漏洩防止性能と、高周
波の電界集中による品質上の問題のない高周波加熱装置
を提供することを目的とする。
波漏洩防止構造のスリット周期構造体に高周波の電界が
集中することを防ぎ、優れた電波漏洩防止性能と、高周
波の電界集中による品質上の問題のない高周波加熱装置
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の高周波加熱装置は、特に、電波漏洩
防止構造であるスリット周期構造体の加熱室の開口部周
縁面または前記開口部周縁面に対応する扉の対応面に対
向する部分を面状とする構成とした。これによって、ス
リット周期構造体に高周波の電界が集中することを防ぐ
ことができ、電界集中による渦電流の発生を低減する。
るために、本発明の高周波加熱装置は、特に、電波漏洩
防止構造であるスリット周期構造体の加熱室の開口部周
縁面または前記開口部周縁面に対応する扉の対応面に対
向する部分を面状とする構成とした。これによって、ス
リット周期構造体に高周波の電界が集中することを防ぐ
ことができ、電界集中による渦電流の発生を低減する。
【０００６】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、高周波
を供給するマグネトロンと、高周波により被加熱物を加
熱する加熱室と、前記加熱室の開口面に開閉自在に装着
した扉とを備え、前記加熱室の開口部周縁面と、前記開
口部周縁面と対応する前記扉の対応面の少なくとも一方
に、複数列のスリット周期構造体からなる電波漏洩防止
構造を有し、前記複数列のスリット周期構造体は開口部
周縁面または前記扉の対応面に対向する部分を面状にす
る構成とした。この構成により、電波漏洩防止性能の確
保とスリット周期構造体に高周波の電界が集中すること
による渦電流の発生を低減することができるので加熱室
の開口部周縁面の発熱を抑え加熱室の塗装膜の変色、焼
けなどを防ぐことができる。
を供給するマグネトロンと、高周波により被加熱物を加
熱する加熱室と、前記加熱室の開口面に開閉自在に装着
した扉とを備え、前記加熱室の開口部周縁面と、前記開
口部周縁面と対応する前記扉の対応面の少なくとも一方
に、複数列のスリット周期構造体からなる電波漏洩防止
構造を有し、前記複数列のスリット周期構造体は開口部
周縁面または前記扉の対応面に対向する部分を面状にす
る構成とした。この構成により、電波漏洩防止性能の確
保とスリット周期構造体に高周波の電界が集中すること
による渦電流の発生を低減することができるので加熱室
の開口部周縁面の発熱を抑え加熱室の塗装膜の変色、焼
けなどを防ぐことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【０００８】（実施例１）本発明の第１の実施例を図１
から図３に基づき説明する。図１は本実施例の高周波加
熱装置における扉の電波漏洩防止構造の拡大斜視図、図
２は同高周波加熱装置の断面図、図３は同高周波加熱装
置の高周波の漏洩経路を示す図である。なお、従来例と
同一構成には同一符号を付した。
から図３に基づき説明する。図１は本実施例の高周波加
熱装置における扉の電波漏洩防止構造の拡大斜視図、図
２は同高周波加熱装置の断面図、図３は同高周波加熱装
置の高周波の漏洩経路を示す図である。なお、従来例と
同一構成には同一符号を付した。
【０００９】本発明の特徴とするところは、扉の電波漏
洩防止構造の内フレ−ムと、外フレ−ム部それぞれに加
熱室の開口部周縁に対向する面に面状のスリット周期構
造体を構成することを特徴としている。
洩防止構造の内フレ−ムと、外フレ−ム部それぞれに加
熱室の開口部周縁に対向する面に面状のスリット周期構
造体を構成することを特徴としている。
【００１０】以下、実施例に従い詳細に説明する。高周
波加熱装置１１は内部に配置する加熱室１２にマグネト
ロン１３から供給される高周波で加熱する被加熱物１４
を、ヒンジ１５を支点にハンドル１６の操作によって加
熱室１２の開口部に開閉自在に装着された扉１により出
し入れする構成としている。
波加熱装置１１は内部に配置する加熱室１２にマグネト
ロン１３から供給される高周波で加熱する被加熱物１４
を、ヒンジ１５を支点にハンドル１６の操作によって加
熱室１２の開口部に開閉自在に装着された扉１により出
し入れする構成としている。
【００１１】次に本発明の要部である扉１の電波漏洩防
止構造について説明する。加熱室１２に供給され、被加
熱物１４に吸収されない高周波は加熱室１２の開口部周
縁１７に対向する扉１の周縁の間隙から装置外へ漏洩す
る。装置外へ漏洩する高周波の漏洩値は人体への安全面
から法律として扉を閉じている時の上限値は１ｍｗ／ｃ
ｍ2と規定されている。また、近年、高周波機器の応用
で携帯電話等の通信機が飛躍的に広まりこれらの機器へ
の電波ノイズによる電波障害の観点からも高周波機器か
らの高周波漏洩を軽減することが社会的にも課題となっ
てきている。
止構造について説明する。加熱室１２に供給され、被加
熱物１４に吸収されない高周波は加熱室１２の開口部周
縁１７に対向する扉１の周縁の間隙から装置外へ漏洩す
る。装置外へ漏洩する高周波の漏洩値は人体への安全面
から法律として扉を閉じている時の上限値は１ｍｗ／ｃ
ｍ2と規定されている。また、近年、高周波機器の応用
で携帯電話等の通信機が飛躍的に広まりこれらの機器へ
の電波ノイズによる電波障害の観点からも高周波機器か
らの高周波漏洩を軽減することが社会的にも課題となっ
てきている。
【００１２】本発明の第一スリット周期構造体１８は扉
１の加熱室１２側に位置する内フレ−ム１９の加熱室１
２の開口部周縁１７に対向する面にスリット幅２〜５ｍ
ｍ、長さ１５〜２０ｍｍ、ピッチ２５〜３５ｍｍのスリ
ット２０を形成している。そして第二スリット周期構造
体２１は内フレ−ム１９と電気的に結合して電波減衰溝
６を形成する外フレ−ム２２に、加熱室１２の開口部周
縁１７に対向し、内フレ−ム１９よりも装置外方向に位
置するところにスリット幅２〜５ｍｍ、長さ１５〜２０
ｍｍ、ピッチ２５〜３５ｍｍのスリット２３を形成して
いる。この第二スリット周期構造体２１は加熱室１２の
開口部周縁１７に面するところは５〜１０ｍｍの面状の
フランジ２４で形成し漏洩した高周波の電界集中を避け
るとともに加熱室１２と外フレ−ム２２の高周波的な結
合を強くして高周波の漏洩防止を高める構成にしてい
る。なお、図１においてはフランジ２４はＬ字形に設け
られているが、これに限定されるものではなく、コ字形
またはＵ字形であっても同様に高周波の電界集中をさけ
ることができる。
１の加熱室１２側に位置する内フレ−ム１９の加熱室１
２の開口部周縁１７に対向する面にスリット幅２〜５ｍ
ｍ、長さ１５〜２０ｍｍ、ピッチ２５〜３５ｍｍのスリ
ット２０を形成している。そして第二スリット周期構造
体２１は内フレ−ム１９と電気的に結合して電波減衰溝
６を形成する外フレ−ム２２に、加熱室１２の開口部周
縁１７に対向し、内フレ−ム１９よりも装置外方向に位
置するところにスリット幅２〜５ｍｍ、長さ１５〜２０
ｍｍ、ピッチ２５〜３５ｍｍのスリット２３を形成して
いる。この第二スリット周期構造体２１は加熱室１２の
開口部周縁１７に面するところは５〜１０ｍｍの面状の
フランジ２４で形成し漏洩した高周波の電界集中を避け
るとともに加熱室１２と外フレ−ム２２の高周波的な結
合を強くして高周波の漏洩防止を高める構成にしてい
る。なお、図１においてはフランジ２４はＬ字形に設け
られているが、これに限定されるものではなく、コ字形
またはＵ字形であっても同様に高周波の電界集中をさけ
ることができる。
【００１３】なお、上記電波減衰溝６は図中A点〜B点ま
で距離を１／４λ（λ＝高周波の波長）相当にした空洞
共振で、直交して入射した高周波は反転して漏洩を防止
する効果を有しているが角度をもった複雑な方向から入
射する高周波には漏洩防止効果が薄い特徴があり、一般
的に電波減衰溝６は他の漏洩防止装置と組み合わせで用
いられている。２５は高周波的に影響を受けないプラス
チック等の誘電体からなり、第一、第二スリット周期構
造体１８、２１と、電波減衰溝６の開口部をカバ−する
チョ−クカバ−であり、２６は扉１の外観面を構成し、
電波漏洩防止性能に影響を及ぼさないプラスチック等か
らなるドアパネルである。
で距離を１／４λ（λ＝高周波の波長）相当にした空洞
共振で、直交して入射した高周波は反転して漏洩を防止
する効果を有しているが角度をもった複雑な方向から入
射する高周波には漏洩防止効果が薄い特徴があり、一般
的に電波減衰溝６は他の漏洩防止装置と組み合わせで用
いられている。２５は高周波的に影響を受けないプラス
チック等の誘電体からなり、第一、第二スリット周期構
造体１８、２１と、電波減衰溝６の開口部をカバ−する
チョ−クカバ−であり、２６は扉１の外観面を構成し、
電波漏洩防止性能に影響を及ぼさないプラスチック等か
らなるドアパネルである。
【００１４】次に、本発明の電波漏洩防止構造での高周
波の漏洩経路について図３で説明すると、加熱室１２か
らの高周波はYa、Yb、Yc等のあらゆる角度を持って内フ
レ−ム１９の周縁部に位置する第一スリット周期構造体
１８に流入するが第一スリット周期構造体１８と、電波
減衰溝６の特性によりXa、Xb、Xc、に減衰して分解さ
れ、Xb、Xcに進行したものは第一スリット周期構造体１
８のなかで消滅し、Xaに進行したものは第二スリット周
期構造体２１の特性により、更に減衰されてZa、Zｂ、Z
cに分解される。そしてZb、Zc方向に進行した高周波は
第二スリット周期構造体２１で消滅し、残ったZaの高周
波は微弱なものとなる。
波の漏洩経路について図３で説明すると、加熱室１２か
らの高周波はYa、Yb、Yc等のあらゆる角度を持って内フ
レ−ム１９の周縁部に位置する第一スリット周期構造体
１８に流入するが第一スリット周期構造体１８と、電波
減衰溝６の特性によりXa、Xb、Xc、に減衰して分解さ
れ、Xb、Xcに進行したものは第一スリット周期構造体１
８のなかで消滅し、Xaに進行したものは第二スリット周
期構造体２１の特性により、更に減衰されてZa、Zｂ、Z
cに分解される。そしてZb、Zc方向に進行した高周波は
第二スリット周期構造体２１で消滅し、残ったZaの高周
波は微弱なものとなる。
【００１５】また特に、本発明は第一スリット周期構造
体１８はもとより、第二スリット周期構造体２１の加熱
室１２の開口部周縁１７に対向する部材であるフランジ
２４を面状で構成しているため、加熱室１２側と扉１側
が高周波によるキャパシタ効果で電気的な短絡状態にな
り装置外への高周波の漏洩は一層軽減された。
体１８はもとより、第二スリット周期構造体２１の加熱
室１２の開口部周縁１７に対向する部材であるフランジ
２４を面状で構成しているため、加熱室１２側と扉１側
が高周波によるキャパシタ効果で電気的な短絡状態にな
り装置外への高周波の漏洩は一層軽減された。
【００１６】以上述べたように、本実施例によれば、高
周波の漏洩を従来の１／３〜１／５の０.０５〜０.１ｍ
ｗ／ｃｍ2に低減することができと共に、第二スリット
周期構造体を従来例のように突起状の仕切り壁でなく、
Ｌ字形またはコ字形の面状したため、この部分に高周波
の電界が集中するのを避けることができ、従って、電界
集中による渦電流の発生が低減できるので、発熱により
塗装膜の変色、焼けなどを防ぐことができる。
周波の漏洩を従来の１／３〜１／５の０.０５〜０.１ｍ
ｗ／ｃｍ2に低減することができと共に、第二スリット
周期構造体を従来例のように突起状の仕切り壁でなく、
Ｌ字形またはコ字形の面状したため、この部分に高周波
の電界が集中するのを避けることができ、従って、電界
集中による渦電流の発生が低減できるので、発熱により
塗装膜の変色、焼けなどを防ぐことができる。
【００１７】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
を図４に基づき説明する。図４は本実施例の高周波加熱
装置における扉の電波漏洩防止構造の拡大斜視図であ
る。なお、電波防止構造以外の構成は上述した実施例１
の構成と同じであり割愛する。本実施例の構成は内フレ
−ム２７の周縁にスリット２８を有し加熱室１２の開口
部周縁１７対向する面をコ字状に形成した第一スリット
周期構造体２９を構成すとともに、内フレ−ム２７と電
気的に結合して内フレ−ム２７より装置外方向に配置さ
れ、スリット３０を有し、加熱室１２の開口部周縁１７
対向する面を面状で形成した第二スリット周期構造体３
１を有する外フレ−ム３２より構成したものである。そ
して、前記実施例１と同様の効果を得ることができる。
を図４に基づき説明する。図４は本実施例の高周波加熱
装置における扉の電波漏洩防止構造の拡大斜視図であ
る。なお、電波防止構造以外の構成は上述した実施例１
の構成と同じであり割愛する。本実施例の構成は内フレ
−ム２７の周縁にスリット２８を有し加熱室１２の開口
部周縁１７対向する面をコ字状に形成した第一スリット
周期構造体２９を構成すとともに、内フレ−ム２７と電
気的に結合して内フレ−ム２７より装置外方向に配置さ
れ、スリット３０を有し、加熱室１２の開口部周縁１７
対向する面を面状で形成した第二スリット周期構造体３
１を有する外フレ−ム３２より構成したものである。そ
して、前記実施例１と同様の効果を得ることができる。
【００１８】なお、前記実施例１では電波漏洩防止構造
を扉に設けた場合につき説明したがこれに限定されるも
のでなく、加熱室の開口部周縁面に設けてもよい、両方
に設けてもよい。
を扉に設けた場合につき説明したがこれに限定されるも
のでなく、加熱室の開口部周縁面に設けてもよい、両方
に設けてもよい。
【００１９】また、前記実施例１では第一及び第二のス
リット周期構造体のスリット幅及びスリット間隔につい
て特に言及しなかったが両者を必ずしも一致させる必要
はない。
リット周期構造体のスリット幅及びスリット間隔につい
て特に言及しなかったが両者を必ずしも一致させる必要
はない。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明に
よれば、優れた電波漏洩防止性能を有するので人体への
安全面と通信機器等の他の製品に対する電波障害に対し
ても飛躍的な効果が得られた。また、スリット周期構造
体部での電界集中による発熱現象がなくなり品質の向上
を図ることができる。
よれば、優れた電波漏洩防止性能を有するので人体への
安全面と通信機器等の他の製品に対する電波障害に対し
ても飛躍的な効果が得られた。また、スリット周期構造
体部での電界集中による発熱現象がなくなり品質の向上
を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の高周波加熱装置におけ
る扉の電波漏洩防止構造の拡大斜視図
る扉の電波漏洩防止構造の拡大斜視図
【図２】同高周波加熱装置の側断面図
【図３】同高周波加熱装置の高周波の漏洩経路を示す図
【図４】本発明の第２の実施例の高周波加熱装置におけ
る電波漏洩防止構造の拡大斜視図
る電波漏洩防止構造の拡大斜視図
【図５】従来の高周波加熱装置における電波漏洩防止構
造の拡大斜視図
造の拡大斜視図
１ 扉 １２ 加熱室 １３ マグネトロン １４ 被加熱物 １７ 加熱室の開口部周縁面 １８ 第一スリット周期構造体（スリット周期構造体） ２１ 第二スリット周期構造体（スリット周期構造体）
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波を供給するマグネトロンと、高周
波により被加熱物を加熱する加熱室と、前記加熱室の開
口面に開閉自在に装着した扉とを備え、前記加熱室の開
口部周縁面と、前記加熱室の開口部周縁面と対応する前
記扉の対応面の少なくとも一方に、複数列のスリット周
期構造体からなる電波漏洩防止構造を有し、前記複数列
のスリット周期構造体は前記開口部周縁面または前記扉
の対応面に対向する部分を面状にする構成とした高周波
加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303353A JP2002110340A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000303353A JP2002110340A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110340A true JP2002110340A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18784561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000303353A Withdrawn JP2002110340A (ja) | 2000-10-03 | 2000-10-03 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002110340A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426692A2 (de) | 2002-12-03 | 2004-06-09 | Miele & Cie. KG | Mikrowellenherd |
| KR100777311B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2007-11-20 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로파를 이용한 가열 장치 |
| CN102484911A (zh) * | 2009-08-20 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 电磁波加热装置 |
| WO2016006249A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | マイクロ波加熱装置 |
-
2000
- 2000-10-03 JP JP2000303353A patent/JP2002110340A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426692A2 (de) | 2002-12-03 | 2004-06-09 | Miele & Cie. KG | Mikrowellenherd |
| DE10256624B4 (de) * | 2002-12-03 | 2005-12-08 | Miele & Cie. Kg | Mikrowellenherd |
| EP1426692A3 (de) * | 2002-12-03 | 2011-02-16 | Miele & Cie. KG | Mikrowellenherd |
| KR100777311B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2007-11-20 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로파를 이용한 가열 장치 |
| CN102484911A (zh) * | 2009-08-20 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 电磁波加热装置 |
| WO2016006249A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | マイクロ波加熱装置 |
| JPWO2016006249A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2017-04-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | マイクロ波加熱装置 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070928 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090313 |