JP2002109769A - 半導体レーザを搭載した高機能・高密度光学ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、半導体レーザから射出されるレーザ
光がプリズム形アレイの突端に到達して突端から発する
光への変換効率を向上させる高機能・高密度光学ヘッド
を提供する。 【解決手段】レーザ光を放射するレーザ光送出体を各々
が有し、マトリックス状に配列された多数の垂直共振器
表面発光半導体レーザ素子２２により構成される垂直共
振器表面発光半導体レーザアレイ１８と、このレーザア
レイに対面して配設され、レーザ素子２２にそれぞれ対
応しており、レーザ素子からのレーザ光をそれぞれ記録
媒体１２に収束する複数の光学素子２８ａを有する光学
素子アレイ２８と、半導体レーザ素子２２の配列方向が
光記録媒体の回転の接線方向に対して微小角傾斜するよ
うに半導体レーザアレイ１８および光学素子アレイ２７
を配置する機構とにより構成される光学ヘッド。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】光メモリディスク装置におけ
る、大容量の情報を垂直共振器表面発光半導体レーザ
(ＶＣＳＥＬ)により光記録媒体に対して記録再生を行う
光学ヘッド、特に高機能・高密度光学ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録再生装置における従来の光メモリ
ヘッドは、レーザダイオード、すなわち半導体レーザが
発振して放射するレーザを、レンズのような収束光学素
子を用いて収束させることによってビームスポットを形
成し、このビームスポットをＣＤやＤＶＤなどのＲＯＭ
ディスクや光記録媒体又は光磁気記録媒体に照射し、又
はその反射光を検出して情報の再生あるいは記録を行う
ものである。具体的には、直径約ｌ［μｍ］程度の微細
なビームスポットを形成することにより、１０^７〜１０
^８［ｂｉｔ／ｃｍ^２〕程度の記録密度が実用化されてい
る。

【０００３】光学ヘッドは、光記録媒体のヘッダ情報あ
るいは媒体に設けられたトラッキングガイドから反射し
た反射光（トラッキング信号）を検出し、アクチュエー
タ（ビーム位置を動かす装置）によって［０．１μｍ］
のオーダでフォーカシング制御並びにトラッキング制御
される。この場合、記録再生で使用されるレーザダイオ
ード等は主に１個である。また、発光素子として、垂直
共振器表面発光半導体レーザ（Vertical Cavity Surfac
e Emitting Laser）が電気通信分野に使用されている例
はあるが、最近これを光メモリディスク記録再生装置に
適用することが考えられている。

【０００４】従来の光メモリディスク記録再生装置は、
ビームスポットの直径が小さい程、多量の情報を光記録
媒体等に記録することができるが、収束光学素子を用い
る従来の古典的な幾何光学原理に従った光メモリヘッド
であるため、光の波長による回析限界の制限によって、
使用される光の波長の数分の一程度の直径までしかレー
ザ光を収束させることができない。従って、日常最も使
われる直径１２０［ｍｍ］の光記録媒体においても、高
々１０［ＧＢ〕の記録容量しか確保できず、今日のマル
チメディア通信のメモリなど急進的な技術的進歩を強力
に支持するために更なる記録容量を確保できる画期的な
光メモリヘッドの出現が切望されていた。

【０００５】本発明は、半導体レーザから射出されるレ
ーザ光がプリズム形アレイの突端に到達して突端から発
する記録再生光への変換効率を向上させる高機能・高密
度光学ヘッドを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ光を放
射するレーザ光送出体を各々が有し、マトリックス状に
配列された多数の垂直共振器表面発光半導体レーザ素子
により構成される垂直共振器表面発光半導体レーザアレ
イと、このレーザアレイに対面して配設され、レーザア
レイの多数のレーザ素子にそれぞれ対応しており、レー
ザ素子からのレーザ光をそれぞれ記録媒体に収束する複
数の光学素子を有する光学素子アレイと、半導体レーザ
アレイの半導体レーザ素子の配列方向が光記録媒体（光
ディスク）の回転の接線方向に対して微小角傾斜するよ
うに半導体レーザアレイおよび光学素子アレイを配置す
る機構と、この機構を光記録媒体に限りなく近接させる
機構とにより構成される光学ヘッドを提供する。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態の光学ヘッドを説明する。図１に示すように光
学ヘッド１１は光記録媒体、即ち光ディスク１２上に載
置して使用される。この光ディスク１２は、ガラス基板
１３とこのガラス基板１３上に形成され、記録面として
機能する光記録媒体層１４とこの光ディスク媒体層１４
の表面に厚さ５〜１０［ｎｍ］程度の光記録媒体保護膜
１５とで形成されている。光記録媒体層１４はＧｅＳｂ
ＴｅやＴｂＦｅＣｏ等で形成されていることが望まし
い。また、記録媒体保護膜１５はアモルファスカーボン
膜により形成される。

【０００８】この光ディスク１２は記録面を上にして水
平に配置され、記録媒体保護膜１５の表面には厚さ１
［ｎｍ］程度のパーフロロポリエーテル(perfluor poly
-ethyl)等の潤滑剤による薄膜１６が形成されている。

【０００９】光学ヘッド１１は、ヒートシンク１７にレ
ーザ出力部が下を向くように逆さまに取り付けられたＶ
ＣＳＥＬアレイ１８を有している。光学ヘッド１２の底
面には、図２に示されるように、直径約１００［μｍ］
の、２箇所のほぼ円形形状のリーディングパッド１９及
び１箇所のほぼ円形形状のトレーリングパッド２０が設
けられ、光学ヘッド１１は２箇所の円形リーディングパ
ッド１９及び１箇所の円形トレーリングパッド２０の計
３点のみによって、潤滑剤薄膜１６を介して光記録媒体
１２上で支持される。この光ヘッド１１は上方から穴空
け加工を施した市販のサスペンションを含むジンバル部
材２１によって軽く押えられている。このようにする
と、円形トレーリングパッド２０及び円形リーディング
パッド１９の周囲に、パーフロロポリエーテル等の潤滑
剤の表面張力によって、図２に示す所謂メニスカス(men
iscus)が形成される。このようなメニスカスの張力によ
って、光記録媒体等が回転する際の跳躍量が逓減され、
光記録再生が安定的に行われる。このことを更に分析し
て説明すると、厚み約１ｎｍのパーフロロポリエーテル
薄膜１６が２つのバイレイヤを形成し、一方が記録媒体
保護膜１５に対する結合層となり、他方は結合層に沿っ
て動くことのできる可動層となる。即ち、結合層は保護
膜１５のカーボン分子と化学的に結合され、可動層は３
つのパッド１９，２０と共に動くことのできる可動層と
なる。この可動層によりパッド１９，２０が光ディスク
１２の表面を安定して走行できる。このような記録再生
方式をコンタクトヘッド方式という。

【００１０】ＶＣＳＥＬアレイ１８は、図３に示すよう
に格子状に配列した複数の垂直共振器表面発光半導体レ
ーザ、即ちＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emit
tingLaser）素子２２で構成される。各ＶＣＳＥＬ素子
２２は図４に示されるように構成される。即ち、ＶＣＳ
ＥＬ素子２２は、多層反射膜およびレーザ活性層を含む
所定厚さの基板部２３と、レーザ光が送出される突出部
でなるレーザ光送出部２４とからなる。図５にこの構成
が詳細に示されている。即ち、半導体基板２２１の一方
面に電極２２２が形成され、他方面に半導体ＤＢＲミラ
ー２２３，活性層２２４，半導体ＤＢＲミラー２２５お
よび誘電体ＤＢＲミラー２２６が順次積層されている。
誘電体ＤＢＲミラー２２６でなる光送出部２４の周囲に
電極２２７が設けられる。

【００１１】コーティング材料を含むＶＣＳＥＬ素子２
２を形成する材料はｎ−ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ及びｐ
−ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓなどの一般的な物質である
が、レーザ出力の改善等のため、これらと類似又は異な
る物性材料をもって形成できる。微細孔２５の窓サイズ
は数μｍ程度である。

【００１２】ＶＣＳＥＬアレイ１８の下には、ＶＣＳＥ
Ｌ素子２２の光送出部２４から出力されるレーザ光を記
録媒体１２に収束するための光学ユニット２７が配設さ
れている。この光学ユニット２７はＶＣＳＥＬアレイ１
８の直下に位置する高ＮＡレンズアレイ２８とこのレン
ズアレイ２８の直下に配置されるナノプローブアレイ２
９とにより構成される。

【００１３】高ＮＡレンズアレイ２８はＶＣＳＥＬ素子
２２に対応して格子状に配列され、０．１〜０．５のＮ
Ａを有する多数の高ＮＡマイクロレンズ２８ａにより構
成され、ＡＲコート２８ｂがマイクロレンズ２８ａの両
面に施されている。ナノプローブアレイ２９はシリコン
基板２９ａに高ＮＡマイクロレンズ２８ａに対応して格
子状に配列される多数の空洞ナノプローブ２９ｂにより
構成される。各空洞ナノプローブ２９ｂは図５に示され
るように逆円錐形の空洞を持ち、シリコン酸化膜で形成
されるプリズムで構成される。ナノプローブ２９ｂの先
端部２９ｃは直径２０ｎｍ〜５０ｎｍで開口されてい
る。記録媒体１２と対面するシリコン基板２９ａの面お
よびナノプローブ２９ｂの外面はＣｒ／Ａｌ膜２９ｅに
よりコーティングされている。

【００１４】上記のようなナノプローブアレイ２９を設
けた光学ヘッド１１の光出力面は図６に示されるように
多数のピラミッドが配列された構造を示す。

【００１５】好ましくは、ナノプローブ２９ｂの先端部
２９ｃの開口には図７に示すように厚さｄ＝２００ｎｍ
のＧａＮ，ＧａＰ等の半導体薄膜またはＴｉＯ_２等の酸
化物結晶で成る光学膜２９ｄで埋め込まれる。高ＮＡマ
イクロレンズ２８ａにより収束される光が光学膜２９ｄ
の表面に収束するようにナノブローブ２９ｂが形成され
る。具体的には、高ＮＡマイクロレンズ２８ａから光学
膜２９ｄの表面までの距離がマクロレンズの焦点距離と
ほぼ等しくなるよう約１０μｍ程度となるようにナノプ
ローブ２９ｂが形成される。

【００１６】ＶＣＳＥＬ素子２２の出力窓のサイズは３
μｍ〜１０μｍとして、このようなＶＣＳＥＬ素子２２
を持つＶＣＳＥＬアレイ１８の出力側に高開口数（ＮＡ
＝０．５）のマイクロレンズアレイ２８が上述したよう
に配置される。マイクロレンズアレイ２８は図５に示す
ように高ＮＡであるためにＶＣＳＥＬアレイ２２側を平
面とし、ナノプローブアレイ２９側を凸状の形状であっ
ても良いが、ＶＣＳＥＬアレイ１８側を凸状としナノプ
ローブ２９側を平坦に構成してもよい。マイクロレンズ
アレイ２８のＮＡは一般に０．１〜０．２程度であるの
で、高ＮＡ化を図るためにナノプローブ２９ｂの先端に
微小光を高効率で集光させるようにナノプローブ２９ｂ
が構成されている。このために、直径１０μｍのＶＣＳ
ＥＬ光を屈折率ｎの半導体中にてカットオフ周波数にな
らない程度のサイズ（≧λ／２ｎ）にまで絞る必要があ
る。半導体の屈折率が２．６で波長が４００ｎｍの時に
はビームサイズは約８０ｎｍとなる。波長６５０ｎｍ屈
折率３．３の場合には約１００ｎｍとなる。

【００１７】ナノプローブの出口がそれぞれ上記のよう
なサイズであるならば、図１に示すようにナノプローブ
アレイ２９と光ディスク１２の記録媒体面までの間隔が
１０ｎｍ〜２０ｎｍであるので、ナノプローブ２９ｂか
ら射出される光はエバネッセント波として殆ど減衰せず
に、それぞれ直径５０ｎｍ，６５ｎｍ程度の記録ビット
を形成する。即ち、マイクロレンズ２８ａの焦点位置と
ナノプローブ２９ｂの先端位置とは殆ど一致している。
その場合のＶＣＳＥＬ素子２２からナノプローブ２９ｂ
の先端までのスループットは殆ど１００％である（マイ
クロレンズやナノプローブ底面はレーザ波長における反
射防止膜をコートしておく）。

【００１８】ここで、スループットを１００％から１％
に減衰させることを厭わなければ、マイクロレンズの焦
点位置を前述のままにして、ナノプローブ先端をさらに
１００ｎｍ程度のばすことによりそれぞれ直径２０ｎ
ｍ，２５ｎｍ程度のエバネッセント波取り出し口を形成
できる。これらによる記録媒体上への記録ビットサイズ
は１３ｎｍ，１６ｎｍとなりうる。但し、記録に必要な
パワーはエバネッセント波取り出し口サイズが１００ｎ
ｍ，５０ｎｍ，２５ｎｍ，２０ｎｍ，１０ｎｍの場合
で、それぞれ１００μＷ、２５μＷ、６．２６μＷ、４
μＷ、１μＷである。従って、スループット低下が１％
の場合には直径２０ｎｍ，２５ｎｍ程度のエバネッセン
ト波取り出し口の場合にＶＣＳＥＬ素子の出力は４００
μＷ、６２５μＷが必要となる。

【００１９】本発明を適用するテラバイト光ディスクシ
ステムでは、平面アレイの素子数が１００×１００であ
り、ナノプローブ先端径が２０ｎｍの場合には、各ＶＣ
ＳＥＬ素子のレーザ出力は４００μＷが必要となり、合
計４Ｗに達する。電気／光変換効率が５３％とすると、
７．５５Ｗの電気入力を必要とする。即ち、３．５５Ｗ
の熱を発生することを意味する。一方、ナノプローブ先
端が半導体の屈折率が２．６で波長が４００ｎｍの時に
は約８０ｎｍ、波長６５０ｎｍ、屈折率８．８の場合に
は約１００ｎｍとしたが、この場合には超高密度性を犠
牲にしてレーザ利用効率を重視しても必要なパワーは６
４μＷ、１００μＷとなるので、１００×１００ではそ
れぞれ６４０ｍＷ、１Ｗとなる。この場合の消費電力は
それぞれ１．２Ｗ、１．９Ｗとなる。従って、光ヘッド
全体での熱の発生は５５０ｍＷ，９００ｍＷとなり、現
実的な値である。

【００２０】ところで、上記のようなナノプローブアレ
イ（プリズムアレイ）２９を半導体プロセスで作成する
場合、シリコンウエハ（１００）面またはＧａＰ，Ｇａ
Ｎ、ＧａＡｓウエハにフォトリソグラフィ技術とエッチ
ング技術とを応用する。ところが、結晶の構造上から４
５°の直角プリズムを作成することはできず、３５°の
プリズムしかできない。従って、プリズム底辺から底辺
全体の面積でプリズム頂角方向へ入射させたレーザ光は
プリズム辺で反射してジグザグ反射を繰り返してプリズ
ム頂角方向に集光する。この結果、プリズム辺における
反射損失や散乱損失のためにパワー密度としては底辺で
のパワー密度のせいぜい１０倍程度にまでしか高くなら
ない。しかし、本発明では二次元アレイのＶＣＳＥＬレ
ーザに二次元レンズアレイを組み合わせ、更にそれぞれ
に対応させてナノプローブアレイを組み合わせている。
これにより、底辺側から入射したレーザのパワー密度を
１０^４倍から１０^２倍に増大させることができる。

【００２１】また、単なるナノプローブアレイだけでな
く中央部が空洞のナノプローブアレイを用い、レンズア
レイの焦点とナノプローブの頂点との間の微小な空間を
屈折率が高く、レーザ光が透過する物質で充填されてい
るので、パワー密度が更に向上する。

【００２２】光ディスクに対して記録再生を行う場合、
２ビット情報を記録する際に記録領域での占める面積は
５０ｎｍ×８０ｎｍである。従って光を照射してその反
射光の強度や偏光の差異を検出するにはＳＮが小さすぎ
る（現在の光ディスクでは２ビット情報の占める面積が
４００ｎｍ×４００ｎｍもあり，光磁気ディスクにおけ
る磁区拡大検出方式や磁気超解像方式を採用してもせい
ぜい４００×１５０ｎｍである。したがって、面積比で
は１／１５〜１／４０である。そこで、本発明では光で
記録するが再生は磁気抵抗素子、即ちＧＭＲ（Giant Ma
gnetic Resistance）アレイあるいはＴＭＲアレイを用
いて行う。この信号再生だけでなくグルーブトラッキン
グもＧＭＲまたはＴＭＲアレイヘツドで行う。ただしＧ
ＭＲ素子数はＶＣＳＥＬアレイ素子数よりも多い。記録
ヘッドが１００×１００のＶＣＳＥＬで構成されている
場合にＧＭＲアレイは２００×２００となる。５００μ
ｍ毎に磁気ストライプが埋め込んであり、ＧＭＲアレイ
ヘツドによりトラッキング制御は簡単にできる。しかし
５００μｍのトラック幅の中にはお互いに境界が隣り合
わせで幅が約５０ｎｍの記録済みビツトラインが丁度１
０，０００本並んでいる。この１０，０００ラインを常
時４０，０００個のＧＭＲヘットで監視している。

【００２３】つまり図８に示すように記録ヘッド用ＶＣ
ＳＥＬアレイヘツド１１においては、ディスクのタンジ
ェンシャル（トラックの接線）方向に対してアレイ全体
を少し傾けるだけで、トラック方向がタンジェンシャル
方向に向かい、ラジアル方向のトラック幅が約５０ｎｍ
で、記録済みトラックが１０，０００本密に並ぶことに
なる。この１０．０００本全体のラジアル方向の幅は丁
度５００μｍとなっている。

【００２４】一方，再生ヘッド用アレイではＧＭＲ素子
あるいはＴＭＲが２次元に並んでいるが、ＶＣＳＥＬア
レイと同じく、ディスクのタンジェンシャル方向に対し
てアレイ全体を少し傾けるだけでトラック方向がタンジ
ェンシャル方向に向かい、ラジアル方向のトラック幅が
約５０ｎｍで、磁界変化検出のための仮想トラック４万
本が、記録用ヘッドと同じく密に並んでいる。ここで、
ディスクの偏芯等により、記録済みトラックがディスク
の回転とともに半径方向の内側や外側に周期的に振れて
も，ＴＭＲヘッドが検出対象とする記録済みトラックの
守備範囲がＶＣＳＥＬアレイよりも広いので、瞬間瞬間
の１０，０００本束になった記録トラックの位置を自動
的に検出する。

【００２５】つまり、ある瞬間における再生ヘッドが対
象としているトラックはラジアル方向に仮想的に４万本
並んでいるＴＭＲ素子の第ｎ番目から第（ｎ＋９，９９
９）番目までであり、次の瞬間は第ｎ＋ｍ番目から第
（ｎ＋ｍ＋９，９９９）番目のＴＭＲが信号を読み出す
ことになる。すなわち．本トラッキング制御技術におい
ては機械的に再生ヘッドを動かさないでむしろラジアル
方向には静止状態であって、ディスクのブレとともに記
録済みトラック束が検出器アレイ上を動くのを電気的に
検出している。

【００２６】各瞬間瞬間におけるアドレス情報をフイー
ドバックすることで、機械的なディスクのふらつきやト
ラックのふらつきを補正することかできる。現在の技術
ではＴＭＲヘッド素子の対ディスク面サイズは１０ｎｍ
×２５ｎｍ程度以下である。これを図６に示すように並
べ、タンジェンシャル方向に少し傾けると記録用ＶＣＳ
ＥＬアレイヘッドの場合と同じように、ラジアル方向に
密に詰まった仮想ラインを構成することができる。

【００２７】なお、この他にＶＣＳＥＬアレイヘの戻り
光誘起ノイズや発振周波数のズレを応用する光学的な信
号再生も考えられる。

【００２８】本発明のキー・コンポネントは５０ｎｍ〜
４０ｎｍの光ビームを得る高スループットが得られる特
別な高記録用プロープである。その第一の手法として
は、本発明者に基づく特開平１０−１７２１６６号に開
示された半導体レーザ共振器を利用した反射形高効率ミ
ラーに穿孔した超微細孔法がある。この手法はレーザ共
振器内部に強力なシングルモード定在波を閉じこめ、共
振器の中心に穿孔を施した超微細孔からの比較的強いエ
バネッセント波を取出すものである。しかし、ＶＣＳＥ
Ｌ電極が表面のレーザ共振器よりも下方に位置させたＶ
ＣＳＥＬを開発しなければならない。そこで第二の方法
は、上述したように、共振器内部ではなく、発振したレ
ーザビームをその波長サイズで決まるλ／２ｎ程度のサ
イズに絞り込む技術である。本発明では、光ファイバの
先端を狭くしたプローブが示すように得られるエバネッ
セント波へのスルーブットが入射光パフーの７桁以上も
減衰するのに対して、減衰させずに光ビームを狭くする
屈折率の大きい半導体結晶を用いる方法が取られてい
る。

【００２９】半導体プリズムアレイを化学エッチング法
により試作したところ，それは半導体結晶がガラスより
も高い屈折率をもっているからである。狭い領域中でも
伝搬が遮断されない周波数とは、管内波長、即ち半導体
内部を伝搬する際の光波の半波長サイズ（λ／２ｎ）程
度が確保されていればよいことに着目している。

【００３０】レーザ波長と半導体材料とを適当に選択す
れば、８０〜１０ｎｍ前後の微小スポットを形成でき
る。半導体の中では通常の光波が減衰せず伝搬している
が、一旦、半導体から空中に出ると、ビームサイズが超
微細のために、波長サイズの１／４λを越すと急速に減
衰し．通常の放射モードとなるので、ビームサイズが空
気の屈折率に応じて大きくなる。したがって、この特殊
半導体プローブチップから射出直後のわずかな距離（１
０ｎｍ〜５０ｎｍ）のところに記録媒体が配置されるよ
うに構成する必要がある。このようなプローブを使わず
に光ファイバを利用するプローブに記録媒体を配置すれ
ば、プローブ内でのレーザ光の減衰が大きく（スループ
ットが１０^-5〜１０^-8と小さいので）、高速で情報を記
録・再生することはできない。そのため、光記録の用途
ではなく、分解能を高くした顕微鏡（ＳＮＯＭ）等に用
いられている。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、二
次元アレイのＶＣＳＥＬレーザに二次元レンズアレイを
組み合わせ、更にそれぞれに対応させてナノプローブア
レイを組み合わせている。これにより、底辺側から入射
したレーザのパワー密度を１０ ^４倍から１０^２倍に増大
させることができる。また、単なるナノプローブアレイ
だけでなく中央部が空洞のナノプローブアレイを用い、
レンズアレイの焦点とナノプローブの頂点との間の微小
な空間を屈折率が高く、レーザ光が透過する物質で充填
されているので、パワー密度が更に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に従った光学ヘッドと光デ
ィスクの断面図

【図２】本発明の一実施形態の光学ヘッドの底面図

【図３】ＶＣＳＥＬレーザの斜視図

【図４】ＶＣＳＥＬ素子の断面図

【図５】光学ヘッドと光学ユニットの断面図

【図６】光学ヘッドの底部の平面図

【図７】光学ヘッドと光学ユニットの断面図

【図８】ＶＣＳＥＬレーザの平面図

【符号の説明】

１１…光学ヘッド １２…光記録媒体 １６…潤滑剤薄膜 １８…ＶＣＳＥＬアレイ ２２…ＶＣＳＥＬ素子 ２７…光学ユニット ２８…高ＮＡレンズアレイ ２８ａ…高ＮＡマイクロレンズ ２９…ナノプローブアレイ ２９ｂ…空洞ナノプローブ ２９ｃ…光学膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/42 Ｇ１２Ｂ 1/00 ６０１Ｃ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を放射するレーザ光送出体を各
   々が有し、マトリックス状に配列された多数の垂直共振
   器表面発光半導体レーザ素子により構成される垂直共振
   器表面発光半導体レーザアレイと、 前記レーザアレイに対面して配設され、前記レーザアレ
   イの前記多数のレーザ素子にそれぞれ対応しており、前
   記レーザ素子からのレーザ光をそれぞれ記録媒体に収束
   する複数の光学素子を有する光学素子アレイと、 前記半導体レーザアレイの前記半導体レーザ素子の配列
   方向が前記光記録媒体の回転の接線方向に対して微小角
   傾斜するように前記半導体レーザアレイおよび前記光学
   素子アレイを配置する機構と、 により構成される光学ヘッド。
2. 【請求項２】 前記光学素子アレイは、前記半導体レー
   ザアレイに近接配置され、前記レーザ素子からレーザ光
   をそれぞれ収束する多数の高ＮＡレンズ素子で構成され
   る高ＮＡレンズアレイとこのレンズアレイに近接配置さ
   れ、前記レンズ素子によって収束されたレーザ光をそれ
   ぞれ案内する空洞を有する多数の空洞ナノプローブで構
   成されるナノプローブアレイとにより構成される請求項
   １記載の光学ヘッド。
3. 【請求項３】 前記空洞ナノプローブはプリズム形状を
   有し、前記空洞と連通する開口が設けられた先端部を有
   するプリズムプローブにより構成される請求項２記載の
   光学ヘッド。
4. 【請求項４】 前記プリズムプローブの先端部の開口に
   充填される光学膜を有する請求項３の光学ヘッド。
5. 【請求項５】 前記プリズムプローブはシリコン酸化膜
   により形成され、前記光学膜はＧａＮまたはＧａＰでな
   る半導体薄膜あるいはＴｉＯ_２でなる酸化物結晶により
   形成される請求項４記載の光学ヘッド