JP2002109739A - 情報記録方法及び情報記録装置 - Google Patents
情報記録方法及び情報記録装置Info
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- JP2002109739A JP2002109739A JP2000295734A JP2000295734A JP2002109739A JP 2002109739 A JP2002109739 A JP 2002109739A JP 2000295734 A JP2000295734 A JP 2000295734A JP 2000295734 A JP2000295734 A JP 2000295734A JP 2002109739 A JP2002109739 A JP 2002109739A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度対応のマルチパルス列を用いて記録を
行う場合でも、記録動作中において記録状態を認識し、
その状態に応じた適正な制御を行うことで低ジッタで安
定した再生信号が得られるようにする。 【解決手段】 ＬＤ７の反射光量を反射光量検出フォト
ダイオード２により検出し、その検出電流ＩをＩ／Ｖ変
換回路３により電圧に変換して得た反射光量検出信号を
ＬＰＦ４で帯域制限することにより、マルチパルス後半
部分の反射光量の平均値Ｖmp及び記録マークを形成しな
い期間の反射光量値Ｖspをサンプルホールド回路１によ
りホールドし、ＣＰＵ５はＶmp、あるいは差分（Ｖmp−
Ｖsp）あるいは比（Ｖmp／Ｖsp）をマーク領域を形成す
るために設定したレーザ光強度で除算した値を記録状態
として監視してレーザ光強度が適正になるように制御す
る。
行う場合でも、記録動作中において記録状態を認識し、
その状態に応じた適正な制御を行うことで低ジッタで安
定した再生信号が得られるようにする。 【解決手段】 ＬＤ７の反射光量を反射光量検出フォト
ダイオード２により検出し、その検出電流ＩをＩ／Ｖ変
換回路３により電圧に変換して得た反射光量検出信号を
ＬＰＦ４で帯域制限することにより、マルチパルス後半
部分の反射光量の平均値Ｖmp及び記録マークを形成しな
い期間の反射光量値Ｖspをサンプルホールド回路１によ
りホールドし、ＣＰＵ５はＶmp、あるいは差分（Ｖmp−
Ｖsp）あるいは比（Ｖmp／Ｖsp）をマーク領域を形成す
るために設定したレーザ光強度で除算した値を記録状態
として監視してレーザ光強度が適正になるように制御す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク媒体上
のマーク領域を、加熱パルスと遮断パルスとを組み合わ
せたマルチパルス列でレーザ光を変調して記録する情報
記録方法及び情報記録装置に関する。
のマーク領域を、加熱パルスと遮断パルスとを組み合わ
せたマルチパルス列でレーザ光を変調して記録する情報
記録方法及び情報記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディアの普及に伴い、追記型光
ディスクのＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒecordable）や、 書換え
可能な光磁気メディアＭＯ（Ｍagnetic Ｏptical）ディ
スクを用いた光情報記録再生装置が実用化されている。
また、レーザ光源としての半導体レーザの短波長化や、
高ＮＡ対物レンズによるスポット径の小径化や薄型基板
の採用などにより、ＤＶＤ−Ｒ（Ｄigital Ｖersatile
Ｄisk−Ｒecordable）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ（Ｒewritable） など の大容量ディスクも実用化さ
れている。
ディスクのＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒecordable）や、 書換え
可能な光磁気メディアＭＯ（Ｍagnetic Ｏptical）ディ
スクを用いた光情報記録再生装置が実用化されている。
また、レーザ光源としての半導体レーザの短波長化や、
高ＮＡ対物レンズによるスポット径の小径化や薄型基板
の採用などにより、ＤＶＤ−Ｒ（Ｄigital Ｖersatile
Ｄisk−Ｒecordable）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒ
Ｗ（Ｒewritable） など の大容量ディスクも実用化さ
れている。
【０００３】いずれの光ディスク又は光磁気ディスクの
場合にも、情報を記録するために半導体レーザ（ＬＤ）
を光源とする光ピックアップ光学系を含む光情報記録再
生装置が用いられる。この場合、ＣＤ−Ｒなどの一般的
なＣＤ系に対する一般的な記録波形としては、図１１
（ｂ）に示すようなマーク領域（図では８Ｔマーク、３
Ｔマークで示されている）に対して図１１（ｃ）、
（ｄ）などに示すようにマーク領域のマーク長とほぼ同
じ長さの１つのパルス（以下、単パルス記録波形）が用
いられる。データ変調方式としては、ＥＦＭ（Ｅight t
o Ｆourteen Ｍodulation）パルス変調コードを用いて
マークエッジ記録を行う例を示し、形成されるマークと
スペースとのデータ長は、図１１（ｂ）に一部示すよう
に３〜１１Ｔ及び同期信号用の１４Ｔ（Ｔは図１１
（ａ）に示すチャネルクロックの１周期、チャネル周
期）と決められている。
場合にも、情報を記録するために半導体レーザ（ＬＤ）
を光源とする光ピックアップ光学系を含む光情報記録再
生装置が用いられる。この場合、ＣＤ−Ｒなどの一般的
なＣＤ系に対する一般的な記録波形としては、図１１
（ｂ）に示すようなマーク領域（図では８Ｔマーク、３
Ｔマークで示されている）に対して図１１（ｃ）、
（ｄ）などに示すようにマーク領域のマーク長とほぼ同
じ長さの１つのパルス（以下、単パルス記録波形）が用
いられる。データ変調方式としては、ＥＦＭ（Ｅight t
o Ｆourteen Ｍodulation）パルス変調コードを用いて
マークエッジ記録を行う例を示し、形成されるマークと
スペースとのデータ長は、図１１（ｂ）に一部示すよう
に３〜１１Ｔ及び同期信号用の１４Ｔ（Ｔは図１１
（ａ）に示すチャネルクロックの１周期、チャネル周
期）と決められている。
【０００４】また、この単パルス記録方式では、蓄熱に
より記録マークが涙状に歪みを生じたりするため、図１
１（ｃ）に示すように記録パワーのレベルを２値化した
り、図１１（ｄ）に示すように短いマークデータ（図で
は３Ｔ）の加熱パルス（単パルス）の後エッジを補正す
る（短パルス幅補正）、などの補正を併用してマークエ
ッジ記録を実現するようにしている。しかしながら、こ
のようなマークエッジ記録では、記録マークの前後の両
エッジに情報を持たせるため、単パルス記録を行うと、
蓄熱の影響を除去しきれないため、大容量記録は困難で
ある。
より記録マークが涙状に歪みを生じたりするため、図１
１（ｃ）に示すように記録パワーのレベルを２値化した
り、図１１（ｄ）に示すように短いマークデータ（図で
は３Ｔ）の加熱パルス（単パルス）の後エッジを補正す
る（短パルス幅補正）、などの補正を併用してマークエ
ッジ記録を実現するようにしている。しかしながら、こ
のようなマークエッジ記録では、記録マークの前後の両
エッジに情報を持たせるため、単パルス記録を行うと、
蓄熱の影響を除去しきれないため、大容量記録は困難で
ある。
【０００５】そこで、大容量のＤＶＤ系に対する記録波
形としては、例えば特開平１１−３１２３１１号公報に
示されるように１つのマーク領域に対して加熱パルスと
遮断パルスとの組合せによるマルチパルス列記録波形が
用いられる。これにより、加熱パルスと遮断パルスとの
デューティを調整することで適正な記録パワーを持たせ
ながら、蓄熱の影響を簡易に防止でき、このため記録マ
ークの前後の両エッジのシフトを低減させることができ
る。ここで、マルチパルス列中の先頭加熱パルスは、冷
却状態に続くため加熱不足を補い十分に加熱させるた
め、そのパルス幅が他の加熱パルスよりも広めが望まし
い。
形としては、例えば特開平１１−３１２３１１号公報に
示されるように１つのマーク領域に対して加熱パルスと
遮断パルスとの組合せによるマルチパルス列記録波形が
用いられる。これにより、加熱パルスと遮断パルスとの
デューティを調整することで適正な記録パワーを持たせ
ながら、蓄熱の影響を簡易に防止でき、このため記録マ
ークの前後の両エッジのシフトを低減させることができ
る。ここで、マルチパルス列中の先頭加熱パルスは、冷
却状態に続くため加熱不足を補い十分に加熱させるた
め、そのパルス幅が他の加熱パルスよりも広めが望まし
い。
【０００６】ところで、いずれの記録方式にしても、光
ディスク媒体に対する記録動作中にマークの形成状態
（記録状態）を把握することにより、記録パワーが変動
するなどの要因があっても、あらかじめ設定された所定
の形成状態となるように制御することが必要である。こ
の点、前者の単パルス記録方式の場合、図１１（ｅ）に
示すように、記録動作中の単パルス区間における所定の
検出位置で光ディスク媒体からの反射光を受光素子で受
光してその光量を検出することにより、マークの形成状
態を記録中に把握することができる。
ディスク媒体に対する記録動作中にマークの形成状態
（記録状態）を把握することにより、記録パワーが変動
するなどの要因があっても、あらかじめ設定された所定
の形成状態となるように制御することが必要である。こ
の点、前者の単パルス記録方式の場合、図１１（ｅ）に
示すように、記録動作中の単パルス区間における所定の
検出位置で光ディスク媒体からの反射光を受光素子で受
光してその光量を検出することにより、マークの形成状
態を記録中に把握することができる。
【０００７】この結果、半導体レーザの記録パワーが変
動しながら記録されても、異なる反射光量の変化を示す
信号を得ることができ、この変化の状態により記録中で
の半導体レーザのパワー変動や、メディアのチルト、感
度分布などによる記録パワーのずれを補正しながら記録
させることができる。すなわち、検出位置での反射光量
を示す信号から過大パワーあるいは過小パワーと判断さ
れる場合には、最適パワーとなるように発光光量を制御
させることができる。一般的には、このような制御方式
は、Ｒ−ＯＰＣ（Ｒunning-Ｏptimum Ｐower Ｃontro
l） として知られている。
動しながら記録されても、異なる反射光量の変化を示す
信号を得ることができ、この変化の状態により記録中で
の半導体レーザのパワー変動や、メディアのチルト、感
度分布などによる記録パワーのずれを補正しながら記録
させることができる。すなわち、検出位置での反射光量
を示す信号から過大パワーあるいは過小パワーと判断さ
れる場合には、最適パワーとなるように発光光量を制御
させることができる。一般的には、このような制御方式
は、Ｒ−ＯＰＣ（Ｒunning-Ｏptimum Ｐower Ｃontro
l） として知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、高密度なマ
ルチパルス記録方式の場合、図１（ｄ）に示すように、
記録パワーによる反射光量の変化を得る前に遮断パルス
により反射光量が急減し、再び、加熱パルスで反射光量
が急増するように変化を示す。すなわち、半導体レーザ
の発光状態が短時間で切り換わるため、マークの形成状
態を把握するのに必要な一定パワーでの光量変化を検出
することができないため、適正な発光パワーに制御しな
がら記録させることが困難である。
ルチパルス記録方式の場合、図１（ｄ）に示すように、
記録パワーによる反射光量の変化を得る前に遮断パルス
により反射光量が急減し、再び、加熱パルスで反射光量
が急増するように変化を示す。すなわち、半導体レーザ
の発光状態が短時間で切り換わるため、マークの形成状
態を把握するのに必要な一定パワーでの光量変化を検出
することができないため、適正な発光パワーに制御しな
がら記録させることが困難である。
【０００９】そこで、本発明は、高密度対応のマルチパ
ルス列を用いて記録を行う場合でも、記録動作中におい
て記録状態を認識することができる情報記録方法及び情
報記録装置を提供することを目的とする。
ルス列を用いて記録を行う場合でも、記録動作中におい
て記録状態を認識することができる情報記録方法及び情
報記録装置を提供することを目的とする。
【００１０】また、本発明は、高密度対応のマルチパル
ス列を用いて記録を行う場合でも、記録動作中において
記録状態を認識し、その状態に応じた適正なレーザ光強
度の制御を行うことで低ジッタで安定した再生信号が得
られるような記録が可能な情報記録方法及び情報記録装
置を提供することを目的とする。
ス列を用いて記録を行う場合でも、記録動作中において
記録状態を認識し、その状態に応じた適正なレーザ光強
度の制御を行うことで低ジッタで安定した再生信号が得
られるような記録が可能な情報記録方法及び情報記録装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記（１）〜
（１８）の構成を有する情報記録方法及び情報記録装置
を提供する。 （１） 加熱パルスと遮断パルスとを組み合わせたマル
チパルス列でレーザ光を変調して、光ディスク媒体上に
マーク領域を記録する情報記録方法において、前記光デ
ィスク媒体からの反射光を受光して反射光量を検出し、
その検出光量を前記マーク領域を形成するために設定し
たレーザ光強度で除算した値を、前記マーク領域の記録
状態として監視し、前記監視結果に基づいて前記レーザ
光強度が適正になるように制御することを特徴とする情
報記録方法。
（１８）の構成を有する情報記録方法及び情報記録装置
を提供する。 （１） 加熱パルスと遮断パルスとを組み合わせたマル
チパルス列でレーザ光を変調して、光ディスク媒体上に
マーク領域を記録する情報記録方法において、前記光デ
ィスク媒体からの反射光を受光して反射光量を検出し、
その検出光量を前記マーク領域を形成するために設定し
たレーザ光強度で除算した値を、前記マーク領域の記録
状態として監視し、前記監視結果に基づいて前記レーザ
光強度が適正になるように制御することを特徴とする情
報記録方法。
【００１２】（２） 加熱パルスと遮断パルスとを組み
合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光ディ
スク媒体上にマーク領域を記録する情報記録方法におい
て、前記光ディスク媒体からの反射光を受光して反射光
量を検出し、その検出光量を前記加熱パルスの先頭の最
大反射光強度で除算した値を、前記マーク領域の記録状
態として監視し、前記監視結果に基づいて前記レーザ光
強度が適正になるように制御することを特徴とする情報
記録方法。
合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光ディ
スク媒体上にマーク領域を記録する情報記録方法におい
て、前記光ディスク媒体からの反射光を受光して反射光
量を検出し、その検出光量を前記加熱パルスの先頭の最
大反射光強度で除算した値を、前記マーク領域の記録状
態として監視し、前記監視結果に基づいて前記レーザ光
強度が適正になるように制御することを特徴とする情報
記録方法。
【００１３】（３） 前記検出光量に基づいて、前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値で検出される記録状態があらかじめ
設定された記録状態となるように、前記加熱パルスのレ
ベルを可変制御することを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の情報記録方法。
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値で検出される記録状態があらかじめ
設定された記録状態となるように、前記加熱パルスのレ
ベルを可変制御することを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の情報記録方法。
【００１４】（４） 前記検出光量に基づいて、前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光との差分で検出される記録状態があらかじめ設
定された記録状態となるように、前記加熱パルスのレベ
ルを可変制御することを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の情報記録方法。
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光との差分で検出される記録状態があらかじめ設
定された記録状態となるように、前記加熱パルスのレベ
ルを可変制御することを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の情報記録方法。
【００１５】（５） 前記検出光量に基づいて、前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光量との比で検出される記録状態があらかじめ設
定された記録状態となるように、前記加熱パルスのレベ
ルを可変制御することを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の情報記録方法。
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光量との比で検出される記録状態があらかじめ設
定された記録状態となるように、前記加熱パルスのレベ
ルを可変制御することを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の情報記録方法。
【００１６】（６） 前記検出光量に基づいて、前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光との差分、又はその比で検出される記録状態が
あらかじめ設定された記録状態となるように、前記加熱
パルスと前記遮断パルスとのデューティを可変制御する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の情報記録
方法。
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光との差分、又はその比で検出される記録状態が
あらかじめ設定された記録状態となるように、前記加熱
パルスと前記遮断パルスとのデューティを可変制御する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の情報記録
方法。
【００１７】（７） 前記検出光量に基づいて、前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光との差分、又はその比で検出される記録状態が
あらかじめ設定された記録状態となるように、前記加熱
パルスのレベルを可変制御し、前記加熱パルスの前記レ
ベルの上限値を超えた場合には、前記加熱パルスと前記
遮断パルスとのデューティを可変制御することを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の情報記録方法。
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前
記反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間
の反射光との差分、又はその比で検出される記録状態が
あらかじめ設定された記録状態となるように、前記加熱
パルスのレベルを可変制御し、前記加熱パルスの前記レ
ベルの上限値を超えた場合には、前記加熱パルスと前記
遮断パルスとのデューティを可変制御することを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の情報記録方法。
【００１８】（８） 前記加熱パルスの先頭を除く前記
マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マーク
データ長が７Ｔないし１４Ｔ（Ｔはチャネル周期）のマ
ルチパルス列のみより検出した値を用いて演算処理する
ことを特徴とする請求項３ないし請求項７のいずれか１
つに記載の情報記録方法。
マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マーク
データ長が７Ｔないし１４Ｔ（Ｔはチャネル周期）のマ
ルチパルス列のみより検出した値を用いて演算処理する
ことを特徴とする請求項３ないし請求項７のいずれか１
つに記載の情報記録方法。
【００１９】（９） 前記加熱パルスの先頭を除く前記
マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、同期信
号に含まれる最長マークデータ長のマルチパルス列のみ
より検出した値を用いて演算処理することを特徴とする
請求項３ないし請求項７のいずれか１つに記載の情報記
録方法。
マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、同期信
号に含まれる最長マークデータ長のマルチパルス列のみ
より検出した値を用いて演算処理することを特徴とする
請求項３ないし請求項７のいずれか１つに記載の情報記
録方法。
【００２０】（１０） 前記加熱パルスの先頭を除く前
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マー
クデータ長がランレングスの後半のｎＴ（ｎは整数、Ｔ
はチャネル周期）のマルチパルス列のみより検出した値
を用いて演算処理することを特徴とする請求項３ないし
請求項７のいずれか１つに記載の情報記録方法。
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マー
クデータ長がランレングスの後半のｎＴ（ｎは整数、Ｔ
はチャネル周期）のマルチパルス列のみより検出した値
を用いて演算処理することを特徴とする請求項３ないし
請求項７のいずれか１つに記載の情報記録方法。
【００２１】（１１） 前記加熱パルスの先頭を除く前
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、少な
くとも２つのマルチパルス列より検出した値を用いて演
算処理することを特徴とする請求項３ないし請求項７の
いずれか１つに記載の情報記録方法。
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、少な
くとも２つのマルチパルス列より検出した値を用いて演
算処理することを特徴とする請求項３ないし請求項７の
いずれか１つに記載の情報記録方法。
【００２２】（１２） 前記加熱パルスの先頭を除く前
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、前記
光ディスク媒体の同一回転位相位置から検出した値を用
いて演算処理することを特徴とする請求項３ないし請求
項７のいずれか１つに記載の情報記録方法。
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、前記
光ディスク媒体の同一回転位相位置から検出した値を用
いて演算処理することを特徴とする請求項３ないし請求
項７のいずれか１つに記載の情報記録方法。
【００２３】（１３） 前記加熱パルスの先頭を除く前
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マル
チパルス周波数の帯域を少なくとも３０ｄＢ減衰する光
学的及び電気的な遮断特性をもつフィルタを通過した値
を用いて演算処理することを特徴とする請求項３ないし
請求項７のいずれか１つに記載の情報記録方法。
記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マル
チパルス周波数の帯域を少なくとも３０ｄＢ減衰する光
学的及び電気的な遮断特性をもつフィルタを通過した値
を用いて演算処理することを特徴とする請求項３ないし
請求項７のいずれか１つに記載の情報記録方法。
【００２４】（１４） 前記記録状態を、前記マルチパ
ルス列の期間中の中央より後半の部分で検出することを
特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか１つに
記載の情報記録方法。
ルス列の期間中の中央より後半の部分で検出することを
特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか１つに
記載の情報記録方法。
【００２５】（１５） 前記記録状態を、前記加熱パル
スの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光の
平均値で検出することを特徴とする請求項１ないし請求
項１３のいずれか１つに記載の情報記録方法。
スの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光の
平均値で検出することを特徴とする請求項１ないし請求
項１３のいずれか１つに記載の情報記録方法。
【００２６】（１６） 加熱パルスと遮断パルスとを組
み合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光デ
ィスク媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置にお
いて、前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光
素子と、前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換
手段と、前記変換手段により変換された電圧に対して、
前記マルチパルス列の反射光周波数の帯域を減衰する低
域通過フィルタと、前記低域通過フィルタを通過した信
号に基づいて前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパ
ルス列の反射光量の平均値を検出するサンプルホールド
回路と、前記サンプルホールド回路により検出された平
均値、又は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパル
ス列の期間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形
成しない期間の反射光量との差分、又は前記加熱パルス
の先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の
平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射光量と
の比を、前記マーク領域を形成するために設定したレー
ザ光強度で除算した値を記録状態として監視する制御手
段とを、備えたことを特徴とする情報記録装置。
み合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光デ
ィスク媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置にお
いて、前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光
素子と、前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換
手段と、前記変換手段により変換された電圧に対して、
前記マルチパルス列の反射光周波数の帯域を減衰する低
域通過フィルタと、前記低域通過フィルタを通過した信
号に基づいて前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパ
ルス列の反射光量の平均値を検出するサンプルホールド
回路と、前記サンプルホールド回路により検出された平
均値、又は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパル
ス列の期間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形
成しない期間の反射光量との差分、又は前記加熱パルス
の先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の
平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射光量と
の比を、前記マーク領域を形成するために設定したレー
ザ光強度で除算した値を記録状態として監視する制御手
段とを、備えたことを特徴とする情報記録装置。
【００２７】（１７） 加熱パルスと遮断パルスとを組
み合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光デ
ィスク媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置にお
いて、前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光
素子と、前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換
手段と、前記変換手段により変換された電圧に対して、
前記マルチパルス列の反射光周波数の帯域を減衰する低
域通過フィルタと、前記低域通過フィルタを通過した信
号に基づいて前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパ
ルス列の反射光量の平均値を検出するサンプルホールド
回路と、前記サンプルホールド回路により検出された平
均値、又は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパル
ス列の期間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形
成しない期間の反射光量との差分、又は前記加熱パルス
の先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の
平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射光量と
の比を、前記加熱パルスの先頭の最大反射光強度で除算
した値を記録状態として監視する制御手段とを、備えた
ことを特徴とする情報記録装置。
み合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光デ
ィスク媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置にお
いて、前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光
素子と、前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換
手段と、前記変換手段により変換された電圧に対して、
前記マルチパルス列の反射光周波数の帯域を減衰する低
域通過フィルタと、前記低域通過フィルタを通過した信
号に基づいて前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパ
ルス列の反射光量の平均値を検出するサンプルホールド
回路と、前記サンプルホールド回路により検出された平
均値、又は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパル
ス列の期間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形
成しない期間の反射光量との差分、又は前記加熱パルス
の先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の
平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射光量と
の比を、前記加熱パルスの先頭の最大反射光強度で除算
した値を記録状態として監視する制御手段とを、備えた
ことを特徴とする情報記録装置。
【００２８】（１８） 加熱パルスと遮断パルスとを組
み合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光デ
ィスク媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置にお
いて、前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光
素子と、前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換
手段と、前記変換手段により変換された電圧に基づいて
前記マルチパルス列の照射光量の一部を検出する第１の
サンプルホールド回路と、前記変換手段により変換され
た電圧に対して、前記マルチパルス列の反射光周波数の
帯域を減衰する低域通過フィルタと、前記低域通過フィ
ルタを通過した信号に基づいて前記加熱パルスの先頭を
除く前記マルチパルス列の反射光量の平均値を検出する
第２のサンプルホールド回路と、前記第１のサンプルホ
ールド回路により検出された前記マルチパルス列の照射
光量の一部の光強度で、前記第２のサンプルホールド回
路により検出された平均値、又は前記加熱パルスの先頭
を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値
と前記マーク領域を形成しない期間の反射光量との差
分、又は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス
列の期間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形成
しない期間の反射光量との比を除算した値を記録状態と
して監視する制御手段とを、備えたことを特徴とする情
報記録装置。
み合わせたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光デ
ィスク媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置にお
いて、前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光
素子と、前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換
手段と、前記変換手段により変換された電圧に基づいて
前記マルチパルス列の照射光量の一部を検出する第１の
サンプルホールド回路と、前記変換手段により変換され
た電圧に対して、前記マルチパルス列の反射光周波数の
帯域を減衰する低域通過フィルタと、前記低域通過フィ
ルタを通過した信号に基づいて前記加熱パルスの先頭を
除く前記マルチパルス列の反射光量の平均値を検出する
第２のサンプルホールド回路と、前記第１のサンプルホ
ールド回路により検出された前記マルチパルス列の照射
光量の一部の光強度で、前記第２のサンプルホールド回
路により検出された平均値、又は前記加熱パルスの先頭
を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値
と前記マーク領域を形成しない期間の反射光量との差
分、又は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス
列の期間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形成
しない期間の反射光量との比を除算した値を記録状態と
して監視する制御手段とを、備えたことを特徴とする情
報記録装置。
【００２９】
【発明の実施の形態】＜第１の実施形態＞以下、図面を
参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は
本発明に係る情報記録方法及び情報記録装置の第１の実
施形態を説明するための波形図である。
参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は
本発明に係る情報記録方法及び情報記録装置の第１の実
施形態を説明するための波形図である。
【００３０】この実施形態は、ＤＶＤ−Ｒフォーマット
のコードデータを色素系ＷＯ（Ｗrite Ｏnce）メディア
として知られている光ディスク媒体に適用した例を示し
ている。データ変調方式は、ＥＦＭパルス変調コードを
用いてマークエッジ記録を行う方式とし、光ディスク媒
体上に形成されるマークとスペースとのデータ長は、図
１（ａ）に示すようなチャネルクロックの１周期をＴと
して、図１（ｂ）に示すように最短長３Ｔから最大長１
１Ｔ、及び同期信号用１４Ｔまでの複数種類のデータ長
により構成されている。この実施形態では、このような
光ディスク媒体と記録データとを用いて、レーザ光源と
しての半導体レーザをマルチパルス列に従って変調、発
光させ、そのレーザ光を光ディスク媒体に照射すること
によりマーク領域を形成して情報の記録を行う。具体例
として周期Ｔ≒３８nsec、記録線速度≒３．５m/s であ
る。
のコードデータを色素系ＷＯ（Ｗrite Ｏnce）メディア
として知られている光ディスク媒体に適用した例を示し
ている。データ変調方式は、ＥＦＭパルス変調コードを
用いてマークエッジ記録を行う方式とし、光ディスク媒
体上に形成されるマークとスペースとのデータ長は、図
１（ａ）に示すようなチャネルクロックの１周期をＴと
して、図１（ｂ）に示すように最短長３Ｔから最大長１
１Ｔ、及び同期信号用１４Ｔまでの複数種類のデータ長
により構成されている。この実施形態では、このような
光ディスク媒体と記録データとを用いて、レーザ光源と
しての半導体レーザをマルチパルス列に従って変調、発
光させ、そのレーザ光を光ディスク媒体に照射すること
によりマーク領域を形成して情報の記録を行う。具体例
として周期Ｔ≒３８nsec、記録線速度≒３．５m/s であ
る。
【００３１】基本的には、図１（ｃ）に示すように、例
えばマークデータ長ｎＴ＝８Ｔ（ｎは整数）の期間を加
熱パルスと遮断パルスとの組合せによるマルチパルス列
を用いて半導体レーザを変調発光させるが、記録中にお
ける光ディスク媒体からの反射光量の帯域を制限し、高
域遮断後の反射光量の変化を発光強度が一定化する検出
位置で検出して、記録パワーあるいはマルチパルス列の
先頭の反射光量で正規化することにより記録状態を認識
することができる。
えばマークデータ長ｎＴ＝８Ｔ（ｎは整数）の期間を加
熱パルスと遮断パルスとの組合せによるマルチパルス列
を用いて半導体レーザを変調発光させるが、記録中にお
ける光ディスク媒体からの反射光量の帯域を制限し、高
域遮断後の反射光量の変化を発光強度が一定化する検出
位置で検出して、記録パワーあるいはマルチパルス列の
先頭の反射光量で正規化することにより記録状態を認識
することができる。
【００３２】例えば、図１（ｃ）に示すデータ長８Ｔの
マルチパルス列の記録パルス光により記録する場合、そ
の記録中において光ディスク媒体から得られる反射光量
としては、図１（ｄ）に示すような信号情報が得られ
る。ここで、いずれのマルチパルス列にあっても、加熱
パルスの先頭にはパルス幅が１Ｔ以上の加熱パルス（以
下、先頭加熱パルス）が含まれるが、その直前部分は必
ずスペース（未記録）部分であり、このためマーク形成
に伴う光量変化が十分ではなく、先頭加熱パルスに続く
マルチパルス（以下、マルチパルス後半部分）により媒
体の変化が反映された反射光量が得られる。
マルチパルス列の記録パルス光により記録する場合、そ
の記録中において光ディスク媒体から得られる反射光量
としては、図１（ｄ）に示すような信号情報が得られ
る。ここで、いずれのマルチパルス列にあっても、加熱
パルスの先頭にはパルス幅が１Ｔ以上の加熱パルス（以
下、先頭加熱パルス）が含まれるが、その直前部分は必
ずスペース（未記録）部分であり、このためマーク形成
に伴う光量変化が十分ではなく、先頭加熱パルスに続く
マルチパルス（以下、マルチパルス後半部分）により媒
体の変化が反映された反射光量が得られる。
【００３３】この実施形態では、図１（ｅ）に示すよう
にマルチパルス後半部分のタイミング位置に検出位置を
設定し、この検出位置で光ディスク媒体からの反射光量
の検出信号をサンプリングして記録パワーで正規化する
と、この時点におけるマークの形成状態、すなわち記録
状態を把握することができる。
にマルチパルス後半部分のタイミング位置に検出位置を
設定し、この検出位置で光ディスク媒体からの反射光量
の検出信号をサンプリングして記録パワーで正規化する
と、この時点におけるマークの形成状態、すなわち記録
状態を把握することができる。
【００３４】ここで、光ディスク媒体の記録再生特性の
一例を挙げて説明する。図２は半導体レーザの記録パワ
ーPowerに対する光ディスク媒体の記録マークのジッタ
Ｊの一例を示している。図２から明らかなように、記録
パワーがおおむね９．３〜１０．５ｍＷの範囲内の場合
に低いジッタが得られており、その範囲内で最もジッタ
が低くなる最適な記録パワーが存在することがわかる。
一例を挙げて説明する。図２は半導体レーザの記録パワ
ーPowerに対する光ディスク媒体の記録マークのジッタ
Ｊの一例を示している。図２から明らかなように、記録
パワーがおおむね９．３〜１０．５ｍＷの範囲内の場合
に低いジッタが得られており、その範囲内で最もジッタ
が低くなる最適な記録パワーが存在することがわかる。
【００３５】図３は記録パワーPowerに対するマルチパ
ルス後半部分の反射光量Ｖmpの特性の一例を示し、検出
される反射光量Ｖmpの変化量は少なく制御可能な特性に
なっていない。しかし、反射光量Ｖmpを記録パワーPowe
rで除算すると、図４に示すように記録パワーPowerに対
する除算結果［Ｖmp／Power］の関係は、低ジッタが得
られる記録パワー範囲内で制御可能な特性を示してい
る。
ルス後半部分の反射光量Ｖmpの特性の一例を示し、検出
される反射光量Ｖmpの変化量は少なく制御可能な特性に
なっていない。しかし、反射光量Ｖmpを記録パワーPowe
rで除算すると、図４に示すように記録パワーPowerに対
する除算結果［Ｖmp／Power］の関係は、低ジッタが得
られる記録パワー範囲内で制御可能な特性を示してい
る。
【００３６】ここで、マルチパルス後半部分の反射光量
Ｖmpの代わりに、Ｖmp−Ｖsp（＝記録マーク部とスペー
ス部との反射光の差）、あるいはＶmp／Ｖsp（＝記録マ
ーク部とスペース部との反射光の比）を用いれば、より
正確な記録状態の検出が可能となる。記録パワーは、設
定した記録パワ−、あるいは光ディスク媒体に出射する
記録パワーに比例する光量、あるいは光ディスク媒体か
らの先頭加熱パルスの反射光量を用いることができる。
図５に示すように、設定した記録パワーPowerに対する
光ディスク媒体からの先頭パルスの反射光量Ｖtopの関
係は 比例関係になっている。したがって、図６に示す
ように記録パワーPowerに対するＶtop ／Ｖmpの関係
も、低ジッタが得られる最適な記録パワー範囲内で制御
可能な特性を示す。
Ｖmpの代わりに、Ｖmp−Ｖsp（＝記録マーク部とスペー
ス部との反射光の差）、あるいはＶmp／Ｖsp（＝記録マ
ーク部とスペース部との反射光の比）を用いれば、より
正確な記録状態の検出が可能となる。記録パワーは、設
定した記録パワ−、あるいは光ディスク媒体に出射する
記録パワーに比例する光量、あるいは光ディスク媒体か
らの先頭加熱パルスの反射光量を用いることができる。
図５に示すように、設定した記録パワーPowerに対する
光ディスク媒体からの先頭パルスの反射光量Ｖtopの関
係は 比例関係になっている。したがって、図６に示す
ように記録パワーPowerに対するＶtop ／Ｖmpの関係
も、低ジッタが得られる最適な記録パワー範囲内で制御
可能な特性を示す。
【００３７】図７はＶmp／Powerに対するジッタＪの関
係を示す。図７においてジッタＪが最小となるＶmp／Po
werが存在するので、あらかじめ最適なＶmp／Powerを調
べて設定しておき、記録状態を検出してＶmp／Powerを
演算して設定値になるように記録パワーPowerを制御す
ることにより、最適な記録を行うことが可能となる。な
お、図７に示す例では、記録中のＶmp／Powerが１．５
になるように記録パワーPowerを制御すれば最適な記録
（ジッタ８％以下）ができることになる。
係を示す。図７においてジッタＪが最小となるＶmp／Po
werが存在するので、あらかじめ最適なＶmp／Powerを調
べて設定しておき、記録状態を検出してＶmp／Powerを
演算して設定値になるように記録パワーPowerを制御す
ることにより、最適な記録を行うことが可能となる。な
お、図７に示す例では、記録中のＶmp／Powerが１．５
になるように記録パワーPowerを制御すれば最適な記録
（ジッタ８％以下）ができることになる。
【００３８】この場合の制御方法の概要を図８を参照し
て説明する。一般的には、記録開始の準備として試し書
き（Ｏptimum Ｐower Ｃontrol）がなされる。記録後の
再生信号の非対称性あるいは再生信号のジッタから最適
記録パワーとそのときの反射光量検出信号よりＶmp／Po
werがあらかじめ設定されており、このときのＶmp／Pow
erの設定値を目標値として、マルチパルス部分における
半導体レーザの発光強度（図８（ｃ）において３段階で
示す発光パワーのレベルに相当する）を可変制御する。
したがって、検出位置での記録状態に基づいて半導体レ
ーザの発光強度を可変制御することにより、記録動作中
のあらゆるパワー変動に対して常に一定の記録マークを
形成し得る記録が可能となる。結果として、このような
記録がなされた光ディスク媒体にあっては、低ジッタで
安定した再生信号を得ることができる。
て説明する。一般的には、記録開始の準備として試し書
き（Ｏptimum Ｐower Ｃontrol）がなされる。記録後の
再生信号の非対称性あるいは再生信号のジッタから最適
記録パワーとそのときの反射光量検出信号よりＶmp／Po
werがあらかじめ設定されており、このときのＶmp／Pow
erの設定値を目標値として、マルチパルス部分における
半導体レーザの発光強度（図８（ｃ）において３段階で
示す発光パワーのレベルに相当する）を可変制御する。
したがって、検出位置での記録状態に基づいて半導体レ
ーザの発光強度を可変制御することにより、記録動作中
のあらゆるパワー変動に対して常に一定の記録マークを
形成し得る記録が可能となる。結果として、このような
記録がなされた光ディスク媒体にあっては、低ジッタで
安定した再生信号を得ることができる。
【００３９】この実施形態では、マルチパルスの後半部
分の反射光量を検出しているが、サンプリング回路のア
クイジション時間を考慮して設定し、パルス後端側から
の位置は、サンプリング回路のアパーチャ遅延を考慮し
て設定すればよい。一般的には、パルス後端側からは
１．０Ｔ程度以前のタイミング位置であれば、安価な回
路で実現することができるとともに、安定した動作が得
られる。
分の反射光量を検出しているが、サンプリング回路のア
クイジション時間を考慮して設定し、パルス後端側から
の位置は、サンプリング回路のアパーチャ遅延を考慮し
て設定すればよい。一般的には、パルス後端側からは
１．０Ｔ程度以前のタイミング位置であれば、安価な回
路で実現することができるとともに、安定した動作が得
られる。
【００４０】＜第２の実施形態＞以上、最適な記録制御
の方法を図８により説明したように、Ｖmp／Powerの設
定値を目標値として先端加熱パルスを除くマルチパルス
後半部分の加熱パルスでの半導体レーザの発光強度を可
変制御するようにしたが、光ピックアップの構成などに
よっては、光利用効率に応じて十分な発光強度が得られ
ない場合がある。特に、チルトやデフォーカスによって
光デイスク媒体面での記録パワーが低下すると、２０〜
３０％程度の発光強度の増加制御が必要となる。このよ
うな状況下では、マルチパルス列による記録の場合、最
適な加熱パルスと遮断パルスとのデューティが記録パワ
ーの低下に伴ってずれを生じてしまう。そこで、例えば
最適記録状態での加熱パルスのデューティが５０％の場
合、光ディスク媒体面上で記録パワー低下として約１０
％生ずるものとすると、デューティを５５％程度にすれ
ば、マークの形成状態＝対称性が良好となる。
の方法を図８により説明したように、Ｖmp／Powerの設
定値を目標値として先端加熱パルスを除くマルチパルス
後半部分の加熱パルスでの半導体レーザの発光強度を可
変制御するようにしたが、光ピックアップの構成などに
よっては、光利用効率に応じて十分な発光強度が得られ
ない場合がある。特に、チルトやデフォーカスによって
光デイスク媒体面での記録パワーが低下すると、２０〜
３０％程度の発光強度の増加制御が必要となる。このよ
うな状況下では、マルチパルス列による記録の場合、最
適な加熱パルスと遮断パルスとのデューティが記録パワ
ーの低下に伴ってずれを生じてしまう。そこで、例えば
最適記録状態での加熱パルスのデューティが５０％の場
合、光ディスク媒体面上で記録パワー低下として約１０
％生ずるものとすると、デューティを５５％程度にすれ
ば、マークの形成状態＝対称性が良好となる。
【００４１】このような特性を利用し、第２の実施形態
では、記録後の再生信号の状態＝対称性から最適記録パ
ワー及びデューティ値とそのときの反射光量の検出信号
よりＶmp／Powerの設定値を目標値として、図９（ｃ）
に示すように、加熱パルスと遮断パルスとのデューティ
を可変制御するようにしたものである。このように、マ
ルチパルス後半部分の平均値を検出した記録状態に基づ
きマルチパルス列の加熱パルスと遮断パルスとのデュー
ティを可変制御することにより、発光パワーを増加させ
ることなく、記録動作中のあらゆるパワー変動に対して
常に一定の記録マークを形成し得る記録が可能となる。
結果として、このような記録がなされた光ディスク媒体
にあっては、低ジッタで安定した再生信号を得ることが
できる。
では、記録後の再生信号の状態＝対称性から最適記録パ
ワー及びデューティ値とそのときの反射光量の検出信号
よりＶmp／Powerの設定値を目標値として、図９（ｃ）
に示すように、加熱パルスと遮断パルスとのデューティ
を可変制御するようにしたものである。このように、マ
ルチパルス後半部分の平均値を検出した記録状態に基づ
きマルチパルス列の加熱パルスと遮断パルスとのデュー
ティを可変制御することにより、発光パワーを増加させ
ることなく、記録動作中のあらゆるパワー変動に対して
常に一定の記録マークを形成し得る記録が可能となる。
結果として、このような記録がなされた光ディスク媒体
にあっては、低ジッタで安定した再生信号を得ることが
できる。
【００４２】半導体レーザ（ＬＤ）の制御に関しては、
第１の実施の形態のようにその発光強度の可変制御を行
い、第２の実施の形態のように加熱パルスと遮断パルス
とのデューティの可変制御を各々単独で行うようにして
もよいが、発光強度を可変制御する方が記録マークのエ
ッジシフトを抑制でき、低ジッタな再生信号を得る上で
好ましい。したがって、現実的には、マルチパルスの後
半部分の平均値で検出される記録状態があらかじめ設定
された記録状態となるように加熱パルスの発光強度を可
変制御することを基本とし、発光強度の上限値を超える
半導体レーザの制御が必要となった場合には、加熱パル
スの発光強度を上限値に固定した上で、目標とする制御
パワーとの差分をデューティの増分に換算し、加熱パル
スと遮断パルスとのデューティを可変制御させる方法が
好ましい。これによれば、安価な記録用光ピックアップ
を利用できる。
第１の実施の形態のようにその発光強度の可変制御を行
い、第２の実施の形態のように加熱パルスと遮断パルス
とのデューティの可変制御を各々単独で行うようにして
もよいが、発光強度を可変制御する方が記録マークのエ
ッジシフトを抑制でき、低ジッタな再生信号を得る上で
好ましい。したがって、現実的には、マルチパルスの後
半部分の平均値で検出される記録状態があらかじめ設定
された記録状態となるように加熱パルスの発光強度を可
変制御することを基本とし、発光強度の上限値を超える
半導体レーザの制御が必要となった場合には、加熱パル
スの発光強度を上限値に固定した上で、目標とする制御
パワーとの差分をデューティの増分に換算し、加熱パル
スと遮断パルスとのデューティを可変制御させる方法が
好ましい。これによれば、安価な記録用光ピックアップ
を利用できる。
【００４３】次に、前述した各実施の形態に共通する詳
細な構成について説明する。まず、基本的には、記録開
始前に試し書きをして最適記録パワーを算出する際に、
記録パワーを変化させながら試し書きパターンを記録す
ると同時に記録パワーと検出手段の出力結果との対応を
保持しておき、試し書き後、再生信号の短マークの長マ
ークに対する対称性などから最適記録パワーが得られれ
ば、それに対応した検出手段の結果を制御目標値とし
て、この制御目標値と記録中の検出手段の出力とが一致
するように記録パワーを制御するようにすることで、記
録中に各種変動があった場合でも、常に最適記録パワー
に保つことが可能となる（以上、図示せず）。
細な構成について説明する。まず、基本的には、記録開
始前に試し書きをして最適記録パワーを算出する際に、
記録パワーを変化させながら試し書きパターンを記録す
ると同時に記録パワーと検出手段の出力結果との対応を
保持しておき、試し書き後、再生信号の短マークの長マ
ークに対する対称性などから最適記録パワーが得られれ
ば、それに対応した検出手段の結果を制御目標値とし
て、この制御目標値と記録中の検出手段の出力とが一致
するように記録パワーを制御するようにすることで、記
録中に各種変動があった場合でも、常に最適記録パワー
に保つことが可能となる（以上、図示せず）。
【００４４】＜情報記録装置＞次に、上記の検出手段の
詳細な構成及び記録中の発光強度制御（以下、ＬＤ制
御）について図１０を参照して説明する。まず、検出手
段の一構成として、半導体レーザ（ＬＤ）７の反射光量
を反射光量検出フォトダイオード（ＰＤ）２により検出
し、その検出電流ＩをＩ／Ｖ変換回路３により電圧Ｖに
変換して得た反射光量検出信号をＬＰＦ（Ｌow Ｐass
Ｆilter）４で帯域制限することにより、マルチパルス
後半部分の反射光量の平均値Ｖmp及び記録マークを形成
しない期間の反射光量値Ｖspをサンプルホールド回路１
によりホールドする。
詳細な構成及び記録中の発光強度制御（以下、ＬＤ制
御）について図１０を参照して説明する。まず、検出手
段の一構成として、半導体レーザ（ＬＤ）７の反射光量
を反射光量検出フォトダイオード（ＰＤ）２により検出
し、その検出電流ＩをＩ／Ｖ変換回路３により電圧Ｖに
変換して得た反射光量検出信号をＬＰＦ（Ｌow Ｐass
Ｆilter）４で帯域制限することにより、マルチパルス
後半部分の反射光量の平均値Ｖmp及び記録マークを形成
しない期間の反射光量値Ｖspをサンプルホールド回路１
によりホールドする。
【００４５】このサンプルホールド回路１の出力をＡ／
Ｄコンバータなどによりマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）
５に取り込むことで、平均値Ｖmp、あるいは差分（Ｖmp
−Ｖsp）、あるいは比（Ｖmp／Ｖsp）を、設定した記録
パワーPowerで除算した値が記録マーク形成の状態によ
り反射光量が変化した検出信号に対応し、記録マークの
形成の過不足に応じた値となる。ＬＰＦ４の特性は、マ
ルチパルス列の周波数帯域が少なくとも３０ｄＢ減衰さ
れれば、図１（ｅ）に示すＶmp検出位置でのマルチパル
スの残留リップルが３％以下になるので、精度良く反射
光量平均値の検出が可能となる。
Ｄコンバータなどによりマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）
５に取り込むことで、平均値Ｖmp、あるいは差分（Ｖmp
−Ｖsp）、あるいは比（Ｖmp／Ｖsp）を、設定した記録
パワーPowerで除算した値が記録マーク形成の状態によ
り反射光量が変化した検出信号に対応し、記録マークの
形成の過不足に応じた値となる。ＬＰＦ４の特性は、マ
ルチパルス列の周波数帯域が少なくとも３０ｄＢ減衰さ
れれば、図１（ｅ）に示すＶmp検出位置でのマルチパル
スの残留リップルが３％以下になるので、精度良く反射
光量平均値の検出が可能となる。
【００４６】サンプルホールド回路１１はＩ／Ｖ変換出
力から先頭パルス最大反射光量ＶtopをホールドしてＣ
ＰＵ５に出力することにより、ＣＰＵ５が平均値Ｖmp、
あるいは差分（Ｖmp−Ｖsp）、あるいは比（Ｖmp／Ｖs
p）をマルチパルス列の先頭加熱パルスの最大反射光量
Ｖtopで除算して、記録状態を認識する際に用いられ
る。このとき、先頭パルス最大反射光の位置で、ＣＰＵ
５よりサンプルホールド回路１１へサンプルパルスが供
給されて、先頭パルス最大反射光量Ｖtopが検出され
る。ＣＰＵ５はその検出値を受け取り演算して記録状態
を認識する。記録状態の認識の演算にＶtopを使用しな
い場合は、サンプルホールド回路１１は不要である。
力から先頭パルス最大反射光量ＶtopをホールドしてＣ
ＰＵ５に出力することにより、ＣＰＵ５が平均値Ｖmp、
あるいは差分（Ｖmp−Ｖsp）、あるいは比（Ｖmp／Ｖs
p）をマルチパルス列の先頭加熱パルスの最大反射光量
Ｖtopで除算して、記録状態を認識する際に用いられ
る。このとき、先頭パルス最大反射光の位置で、ＣＰＵ
５よりサンプルホールド回路１１へサンプルパルスが供
給されて、先頭パルス最大反射光量Ｖtopが検出され
る。ＣＰＵ５はその検出値を受け取り演算して記録状態
を認識する。記録状態の認識の演算にＶtopを使用しな
い場合は、サンプルホールド回路１１は不要である。
【００４７】また、サンプルホールド回路１２は、ＬＤ
７から出射される光量を記録パワーPowerとして記録状
態の認識の演算に使用する場合に用いられる。ＣＰＵ５
が設定する記録パワーを上記記録パワーPowerとして記
録状態の認識の演算に使用する場合は、サンプルホール
ド回路１２は不要である。
７から出射される光量を記録パワーPowerとして記録状
態の認識の演算に使用する場合に用いられる。ＣＰＵ５
が設定する記録パワーを上記記録パワーPowerとして記
録状態の認識の演算に使用する場合は、サンプルホール
ド回路１２は不要である。
【００４８】ＬＰＦ４通過後のマルチパルス列反射光強
度は、短いマーク長では一定化しないので、７Ｔ以上の
マークデータ長のマルチパルス列に限って、記録中の反
射光を検出すると一定化した位置で検出可能となる。あ
るいは、同期信号の１４Ｔマークのマルチパルス列に限
って検出するようにしてもよい。また、マークデータ長
がランレングス後半のｎＴのマルチパルス列に限って検
出するようにしても記録中の反射光が一定化した位置で
検出可能となる。検出する平均値Ｖmp、あるいは差分
（Ｖmp−Ｖsp）、あるいは比（Ｖmp／Ｖsp）は、少なく
とも２つ以上のマルチパルス列より検出した値を用いて
演算処理すれば、ディフェクトなどの影響による異常が
あった場合にも対処できる。また、光ディスク媒体の同
一回転位相位置から検出した値を２つ以上用いて演算処
理すれば、光ディスク媒体の反りに起因する再生条件の
差による反射光の変動要因が少なくなり、記録状態の精
度が向上する。
度は、短いマーク長では一定化しないので、７Ｔ以上の
マークデータ長のマルチパルス列に限って、記録中の反
射光を検出すると一定化した位置で検出可能となる。あ
るいは、同期信号の１４Ｔマークのマルチパルス列に限
って検出するようにしてもよい。また、マークデータ長
がランレングス後半のｎＴのマルチパルス列に限って検
出するようにしても記録中の反射光が一定化した位置で
検出可能となる。検出する平均値Ｖmp、あるいは差分
（Ｖmp−Ｖsp）、あるいは比（Ｖmp／Ｖsp）は、少なく
とも２つ以上のマルチパルス列より検出した値を用いて
演算処理すれば、ディフェクトなどの影響による異常が
あった場合にも対処できる。また、光ディスク媒体の同
一回転位相位置から検出した値を２つ以上用いて演算処
理すれば、光ディスク媒体の反りに起因する再生条件の
差による反射光の変動要因が少なくなり、記録状態の精
度が向上する。
【００４９】図１０ではまた、このような構成を有する
検出手段を用いて、試し書きの際の記録状態を検出し、
かつ同時に算出した最適記録パワーに対応した制御目標
値を検出するようにしている。実際の記録中において
は、各実施の形態の方法に基づいて随時検出された記録
状態値が、試し書きにより得られた制御目標値となるよ
うに、ＬＤ制御部６により記録パワーを制御するように
している。なお、ＬＤ制御部６はマイクロプロセッサ
（ＣＰＵ）５の中で処理されてもよい。
検出手段を用いて、試し書きの際の記録状態を検出し、
かつ同時に算出した最適記録パワーに対応した制御目標
値を検出するようにしている。実際の記録中において
は、各実施の形態の方法に基づいて随時検出された記録
状態値が、試し書きにより得られた制御目標値となるよ
うに、ＬＤ制御部６により記録パワーを制御するように
している。なお、ＬＤ制御部６はマイクロプロセッサ
（ＣＰＵ）５の中で処理されてもよい。
【００５０】また、ＬＤ７の出力変動を制御する方法と
して、ＡＰＣ（Ａutomatic ＰowerＣontrol） と呼ばれ
る技術がある。ＡＰＣでは、ＬＤ７の出射光の一部を、
発光パワー検出用ＰＤ８により検出し、その検出電流Ｉ
をＩ／Ｖ変換回路９により電圧Ｖに変換して得た発光パ
ワー検出信号をサンプルホールド回路１２によりサンプ
ルホールドし、この検出信号とＬＤ制御信号とが等しく
なるように差動アンプ１３でＡＰＣ回路１０により常時
ＬＤ駆動電流を制御することでＬＤ７を所望の値で出力
させる。
して、ＡＰＣ（Ａutomatic ＰowerＣontrol） と呼ばれ
る技術がある。ＡＰＣでは、ＬＤ７の出射光の一部を、
発光パワー検出用ＰＤ８により検出し、その検出電流Ｉ
をＩ／Ｖ変換回路９により電圧Ｖに変換して得た発光パ
ワー検出信号をサンプルホールド回路１２によりサンプ
ルホールドし、この検出信号とＬＤ制御信号とが等しく
なるように差動アンプ１３でＡＰＣ回路１０により常時
ＬＤ駆動電流を制御することでＬＤ７を所望の値で出力
させる。
【００５１】このＡＰＣ回路１０によるＬＤ制御は、Ｌ
Ｄ７の発光パワーそのものを検出することから一定のパ
ワーに制御することはできるが、記録マーク形成の過不
足を最適状態にコントロールすることはできない。すな
わち、ＬＤ発光パワー変動に依存しないようなチルトや
デフォーカスやディスク記録感度のばらつきなどによる
記録マーク形成の過不足に対しては制御できない。しか
しながら、記録中の温度変動などによるパワー変動には
極めて有効であるため、各実施の形態に示したようなＬ
Ｄ制御方法と組合せることで、より高精度な記録パワー
制御が可能となる。
Ｄ７の発光パワーそのものを検出することから一定のパ
ワーに制御することはできるが、記録マーク形成の過不
足を最適状態にコントロールすることはできない。すな
わち、ＬＤ発光パワー変動に依存しないようなチルトや
デフォーカスやディスク記録感度のばらつきなどによる
記録マーク形成の過不足に対しては制御できない。しか
しながら、記録中の温度変動などによるパワー変動には
極めて有効であるため、各実施の形態に示したようなＬ
Ｄ制御方法と組合せることで、より高精度な記録パワー
制御が可能となる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
の効果を奏することができる。すなわち、請求項１記載
の発明によれば、高密度対応のマルチパルス列を用いて
記録を行う場合でも、記録中における光ディスク媒体か
らの反射光量を検出して、その検出値を設定した記録パ
ワーで除算することにより記録状態を認識することがで
き、レーザ光源の適正な制御に供することができる。請
求項２記載の発明によれば、記録中における光ディスク
媒体からの反射光量を検出して、その検出値を先頭加熱
パルスの最大反射光強度で除算することにより記録状態
を認識することができ、レーザ光源の適正な制御に供す
ることができる。請求項３記載の発明によれば、記録中
にマルチパルス列の反射光信号の平均値で得られた記録
状態に基づき予め設定された記録状態となるように加熱
パルスの発光強度を可変制御するようにしたので、マル
チパルス列記録方式に関して常に所望のマーク領域が形
成されるように維持することができ、低ジッタで安定し
た再生信号が得られる記録を行える。請求項４記載の発
明によれば、記録中にマルチパルス列の反射光信号の平
均値とマーク領域を形成しない期間の反射光とを検出
し、その差分を演算して記録状態を検出するようにした
ので、記録状態の認識精度が向上できる。請求項５記載
の発明によれば、記録中にマルチパルス列の反射光信号
の平均値とマーク領域を形成しない期間の反射光とを検
出し、その比を演算して記録状態を検出するようにした
ので、記録状態の認識精度が向上できる。請求項６記載
の発明によれば、記録中にマルチパルス列の反射光信号
の平均値で得られた記録状態に基づき予め設定された記
録状態となるように加熱パルスと遮断パルスとのデュー
ティを可変制御するようにしたので、マルチパルス列記
録方式に関して発光強度を増加させることなく常に所望
のマーク領域が形成されるように維持することができ、
低ジッタで安定した再生信号が得られる記録を行える。
請求項７記載の発明によれば、基本的には、記録中にマ
ルチパルス列の反射光信号の平均値で得られた記録状態
に基づき予め設定された記録状態となるように加熱パル
スの発光強度を可変制御するようにしたので、マルチパ
ルス列記録方式に関して常に所望のマーク領域が形成さ
れるように維持させることができ、かつ、発光強度の上
限値を超える制御が必要となった場合には、加熱パルス
と遮断パルスとのデューティを可変制御するようにした
ので、所望のマーク領域が形成されるように維持させる
ことができ、結局、低ジッタで安定した再生信号が得ら
れる記録を行える。請求項８記載の発明によれば、マル
チパルス列の期間中の反射光の平均値は、マークデータ
長ｎＴ＝７Ｔ〜１４Ｔのマルチパルス列に限って、検出
するようにしたので、確実に光ディスク媒体からの反射
光量の変化を検出して適正な制御に供することができ
る。請求項９記載の発明によれば、マルチパルス列の期
間中の反射光の平均値は、最長マークデータ長ｎのマル
チパルス列に限って、検出するようにしたので、常に同
一マークの記録状態を監視することになるので、記録状
態の認識精度が向上する。請求項１０記載の発明によれ
ば、マルチパルス列の期間中の反射光の平均値は、マー
クデータ長がランレングスの後半のｎＴのマルチパルス
列に限って検出するようにしたので、記録中における光
ディスク媒体からの発光強度が一定化する検出位置で検
出でき、サンプリング数が多いので記録状態の認識精度
が向上する。請求項１１記載の発明によれば、マルチパ
ルス列の期間中の反射光の平均値は、少なくとも２つの
マルチパルス列より検出した値を用いて演算処理するよ
うにしたので、ディフェクトによりマルチパルス列の期
間中の反射光に異常があった場合の対処が可能となり、
記録状態の認識精度が向上する。請求項１２記載の発明
によれば、先頭加熱パルスを除くマルチパルス列の期間
中の反射光の平均値は、光ディスク媒体の同一回転位相
位置から検出した値を用いて演算処理するようにしたの
で、光ディスクの反りに起因する再生条件の差によるマ
ルチパルス列の期間中の反射光の変動要因が少なくな
り、記録状態の認識精度が向上する。請求項１３記載の
発明によれば、先頭加熱パルスを除くマルチパルス列の
期間中の反射光の平均値は、マルチパルス周波数の帯域
を少なくとも３０ｄＢ抑圧する光学的及び電気的な遮断
特性を持つようにしたので、記録中のマルチパルス列の
期間中の反射光のリップルが十分に抑圧され、記録状態
の認識精度が向上する。請求項１４記載の発明によれ
ば、記録状態は、マルチパルス列の期間中の反射光の中
央より後半の部分で検出されるようにしたので、記録中
における光ディスク媒体からの発光強度が一定化する検
出位置で検出でき、記録状態の認識精度が向上する。請
求項１５記載の発明によれば、記録状態は、先頭加熱パ
ルスを除くマルチパルス列の期間中の反射光の平均値で
検出されるようにしたので、記録中における光ディスク
媒体からの発光強度が一定化する検出位置で検出でき、
記録状態の認識精度が向上する。請求項１６記載の発明
によれば、高密度対応のマルチパルス列を用いて記録を
行う場合でも、記録中における光ディスク媒体からの反
射光量を検出して、先頭加熱パルスを除くマルチパルス
列の反射光平均値を設定した記録パワーで除算すること
により記録状態を認識することができ、レーザ光源の適
正な制御に供することができる。請求項１７記載の発明
によれば、記録中における光ディスク媒体からの反射光
量を検出して、先頭加熱パルスを除くマルチパルス列の
反射光平均値を先頭加熱パルスの最大反射光強度で除算
することにより記録状態を認識することができ、レーザ
光源の適正な制御に供することができる。請求項１８記
載の発明によれば、記録中における光ディスク媒体から
の反射光量を検出して、先頭加熱パルスを除くマルチパ
ルス列の反射光平均値を照射パルスの光強度で除算する
ことにより記録状態を認識することができ、レーザ光源
の適正な制御に供することができる。
の効果を奏することができる。すなわち、請求項１記載
の発明によれば、高密度対応のマルチパルス列を用いて
記録を行う場合でも、記録中における光ディスク媒体か
らの反射光量を検出して、その検出値を設定した記録パ
ワーで除算することにより記録状態を認識することがで
き、レーザ光源の適正な制御に供することができる。請
求項２記載の発明によれば、記録中における光ディスク
媒体からの反射光量を検出して、その検出値を先頭加熱
パルスの最大反射光強度で除算することにより記録状態
を認識することができ、レーザ光源の適正な制御に供す
ることができる。請求項３記載の発明によれば、記録中
にマルチパルス列の反射光信号の平均値で得られた記録
状態に基づき予め設定された記録状態となるように加熱
パルスの発光強度を可変制御するようにしたので、マル
チパルス列記録方式に関して常に所望のマーク領域が形
成されるように維持することができ、低ジッタで安定し
た再生信号が得られる記録を行える。請求項４記載の発
明によれば、記録中にマルチパルス列の反射光信号の平
均値とマーク領域を形成しない期間の反射光とを検出
し、その差分を演算して記録状態を検出するようにした
ので、記録状態の認識精度が向上できる。請求項５記載
の発明によれば、記録中にマルチパルス列の反射光信号
の平均値とマーク領域を形成しない期間の反射光とを検
出し、その比を演算して記録状態を検出するようにした
ので、記録状態の認識精度が向上できる。請求項６記載
の発明によれば、記録中にマルチパルス列の反射光信号
の平均値で得られた記録状態に基づき予め設定された記
録状態となるように加熱パルスと遮断パルスとのデュー
ティを可変制御するようにしたので、マルチパルス列記
録方式に関して発光強度を増加させることなく常に所望
のマーク領域が形成されるように維持することができ、
低ジッタで安定した再生信号が得られる記録を行える。
請求項７記載の発明によれば、基本的には、記録中にマ
ルチパルス列の反射光信号の平均値で得られた記録状態
に基づき予め設定された記録状態となるように加熱パル
スの発光強度を可変制御するようにしたので、マルチパ
ルス列記録方式に関して常に所望のマーク領域が形成さ
れるように維持させることができ、かつ、発光強度の上
限値を超える制御が必要となった場合には、加熱パルス
と遮断パルスとのデューティを可変制御するようにした
ので、所望のマーク領域が形成されるように維持させる
ことができ、結局、低ジッタで安定した再生信号が得ら
れる記録を行える。請求項８記載の発明によれば、マル
チパルス列の期間中の反射光の平均値は、マークデータ
長ｎＴ＝７Ｔ〜１４Ｔのマルチパルス列に限って、検出
するようにしたので、確実に光ディスク媒体からの反射
光量の変化を検出して適正な制御に供することができ
る。請求項９記載の発明によれば、マルチパルス列の期
間中の反射光の平均値は、最長マークデータ長ｎのマル
チパルス列に限って、検出するようにしたので、常に同
一マークの記録状態を監視することになるので、記録状
態の認識精度が向上する。請求項１０記載の発明によれ
ば、マルチパルス列の期間中の反射光の平均値は、マー
クデータ長がランレングスの後半のｎＴのマルチパルス
列に限って検出するようにしたので、記録中における光
ディスク媒体からの発光強度が一定化する検出位置で検
出でき、サンプリング数が多いので記録状態の認識精度
が向上する。請求項１１記載の発明によれば、マルチパ
ルス列の期間中の反射光の平均値は、少なくとも２つの
マルチパルス列より検出した値を用いて演算処理するよ
うにしたので、ディフェクトによりマルチパルス列の期
間中の反射光に異常があった場合の対処が可能となり、
記録状態の認識精度が向上する。請求項１２記載の発明
によれば、先頭加熱パルスを除くマルチパルス列の期間
中の反射光の平均値は、光ディスク媒体の同一回転位相
位置から検出した値を用いて演算処理するようにしたの
で、光ディスクの反りに起因する再生条件の差によるマ
ルチパルス列の期間中の反射光の変動要因が少なくな
り、記録状態の認識精度が向上する。請求項１３記載の
発明によれば、先頭加熱パルスを除くマルチパルス列の
期間中の反射光の平均値は、マルチパルス周波数の帯域
を少なくとも３０ｄＢ抑圧する光学的及び電気的な遮断
特性を持つようにしたので、記録中のマルチパルス列の
期間中の反射光のリップルが十分に抑圧され、記録状態
の認識精度が向上する。請求項１４記載の発明によれ
ば、記録状態は、マルチパルス列の期間中の反射光の中
央より後半の部分で検出されるようにしたので、記録中
における光ディスク媒体からの発光強度が一定化する検
出位置で検出でき、記録状態の認識精度が向上する。請
求項１５記載の発明によれば、記録状態は、先頭加熱パ
ルスを除くマルチパルス列の期間中の反射光の平均値で
検出されるようにしたので、記録中における光ディスク
媒体からの発光強度が一定化する検出位置で検出でき、
記録状態の認識精度が向上する。請求項１６記載の発明
によれば、高密度対応のマルチパルス列を用いて記録を
行う場合でも、記録中における光ディスク媒体からの反
射光量を検出して、先頭加熱パルスを除くマルチパルス
列の反射光平均値を設定した記録パワーで除算すること
により記録状態を認識することができ、レーザ光源の適
正な制御に供することができる。請求項１７記載の発明
によれば、記録中における光ディスク媒体からの反射光
量を検出して、先頭加熱パルスを除くマルチパルス列の
反射光平均値を先頭加熱パルスの最大反射光強度で除算
することにより記録状態を認識することができ、レーザ
光源の適正な制御に供することができる。請求項１８記
載の発明によれば、記録中における光ディスク媒体から
の反射光量を検出して、先頭加熱パルスを除くマルチパ
ルス列の反射光平均値を照射パルスの光強度で除算する
ことにより記録状態を認識することができ、レーザ光源
の適正な制御に供することができる。
【図１】本発明に係る情報記録方法及び情報記録装置の
第１の実施形態を説明するための波形図である。
第１の実施形態を説明するための波形図である。
【図２】記録パワーに対する記録マークのジッタの一例
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図３】記録パワーに対するマルチパルス反射光平均値
の特性の一例を示すグラフである。
の特性の一例を示すグラフである。
【図４】記録パワーに対する、記録パワーで正規化した
マルチパルス反射光平均値の特性の一例を示すグラフで
ある。
マルチパルス反射光平均値の特性の一例を示すグラフで
ある。
【図５】記録パワーに対する先頭パルス最大反射光量の
特性の一例を示すグラフである。
特性の一例を示すグラフである。
【図６】記録パワーに対する、先頭パルス最大反射光量
で正規化したマルチパルス反射光平均値の特性の一例を
示すグラフである。
で正規化したマルチパルス反射光平均値の特性の一例を
示すグラフである。
【図７】記録パワーで正規化したマルチパルス反射光平
均値に対する、記録マークのジッタの一例を示すグラフ
である。
均値に対する、記録マークのジッタの一例を示すグラフ
である。
【図８】第１の実施形態の発光強度の可変制御例を示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
【図９】第２の実施形態の発光強度の可変制御例を示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
【図１０】本発明の情報記録装置を示すブロック図であ
る。
る。
【図１１】従来例の単パルス方式の記録方法を示すタイ
ミングチャートである。
ミングチャートである。
１ サンプルホールド回路（サンプルホールド回路、第
２のサンプルホールド回路） ２ 反射光量検出フォトダイオード（受光素子） ３ Ｉ／Ｖ変換回路（変換手段） ４ ＬＰＦ（低域通過フィルタ） ５ ＣＰＵ（制御手段） ７ 半導体レーザ（ＬＤ） １１ サンプルホールド回路（第１のサンプルホールド
回路） １２ サンプルホールド回路
２のサンプルホールド回路） ２ 反射光量検出フォトダイオード（受光素子） ３ Ｉ／Ｖ変換回路（変換手段） ４ ＬＰＦ（低域通過フィルタ） ５ ＣＰＵ（制御手段） ７ 半導体レーザ（ＬＤ） １１ サンプルホールド回路（第１のサンプルホールド
回路） １２ サンプルホールド回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植木 泰弘 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 柳沢 修 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 長田 豊 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 小石 健二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 臼井 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 金野 耕寿 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上岡 優一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB04 CC01 DD03 EE03 KK05 5D119 AA23 BA01 BB03 DA01 HA47 HA48
Claims (18)
- 【請求項１】 加熱パルスと遮断パルスとを組み合わせ
たマルチパルス列でレーザ光を変調して、光ディスク媒
体上にマーク領域を記録する情報記録方法において、 前記光ディスク媒体からの反射光を受光して反射光量を
検出し、 その検出光量を前記マーク領域を形成するために設定し
たレーザ光強度で除算した値を、前記マーク領域の記録
状態として監視し、 前記監視結果に基づいて前記レーザ光強度が適正になる
ように制御することを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項２】 加熱パルスと遮断パルスとを組み合わせ
たマルチパルス列でレーザ光を変調して、光ディスク媒
体上にマーク領域を記録する情報記録方法において、 前記光ディスク媒体からの反射光を受光して反射光量を
検出し、 その検出光量を前記加熱パルスの先頭の最大反射光強度
で除算した値を、前記マーク領域の記録状態として監視
し、 前記監視結果に基づいて前記レーザ光強度が適正になる
ように制御することを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項３】 前記検出光量に基づいて、前記加熱パル
スの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前記反射
光量の平均値で検出される記録状態があらかじめ設定さ
れた記録状態となるように、前記加熱パルスのレベルを
可変制御することを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の情報記録方法。 - 【請求項４】 前記検出光量に基づいて、前記加熱パル
スの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前記反射
光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射
光との差分で検出される記録状態があらかじめ設定され
た記録状態となるように、前記加熱パルスのレベルを可
変制御することを特徴とする請求項１又は請求項２記載
の情報記録方法。 - 【請求項５】 前記検出光量に基づいて、前記加熱パル
スの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前記反射
光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射
光量との比で検出される記録状態があらかじめ設定され
た記録状態となるように、前記加熱パルスのレベルを可
変制御することを特徴とする請求項１又は請求項２記載
の情報記録方法。 - 【請求項６】 前記検出光量に基づいて、前記加熱パル
スの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前記反射
光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射
光との差分、又はその比で検出される記録状態があらか
じめ設定された記録状態となるように、前記加熱パルス
と前記遮断パルスとのデューティを可変制御することを
特徴とする請求項１又は請求項２記載の情報記録方法。 - 【請求項７】 前記検出光量に基づいて、前記加熱パル
スの先頭を除く前記マルチパルス列の期間中の前記反射
光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期間の反射
光との差分、又はその比で検出される記録状態があらか
じめ設定された記録状態となるように、前記加熱パルス
のレベルを可変制御し、前記加熱パルスの前記レベルの
上限値を超えた場合には、前記加熱パルスと前記遮断パ
ルスとのデューティを可変制御することを特徴とする請
求項１又は請求項２記載の情報記録方法。 - 【請求項８】 前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチ
パルス列の期間中の反射光量の平均値は、マークデータ
長が７Ｔないし１４Ｔ（Ｔはチャネル周期）のマルチパ
ルス列のみより検出した値を用いて演算処理することを
特徴とする請求項３ないし請求項７のいずれか１つに記
載の情報記録方法。 - 【請求項９】 前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチ
パルス列の期間中の反射光量の平均値は、同期信号に含
まれる最長マークデータ長のマルチパルス列のみより検
出した値を用いて演算処理することを特徴とする請求項
３ないし請求項７のいずれか１つに記載の情報記録方
法。 - 【請求項１０】 前記加熱パルスの先頭を除く前記マル
チパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マークデー
タ長がランレングスの後半のｎＴ（ｎは整数、Ｔはチャ
ネル周期）のマルチパルス列のみより検出した値を用い
て演算処理することを特徴とする請求項３ないし請求項
７のいずれか１つに記載の情報記録方法。 - 【請求項１１】 前記加熱パルスの先頭を除く前記マル
チパルス列の期間中の反射光量の平均値は、少なくとも
２つのマルチパルス列より検出した値を用いて演算処理
することを特徴とする請求項３ないし請求項７のいずれ
か１つに記載の情報記録方法。 - 【請求項１２】 前記加熱パルスの先頭を除く前記マル
チパルス列の期間中の反射光量の平均値は、前記光ディ
スク媒体の同一回転位相位置から検出した値を用いて演
算処理することを特徴とする請求項３ないし請求項７の
いずれか１つに記載の情報記録方法。 - 【請求項１３】 前記加熱パルスの先頭を除く前記マル
チパルス列の期間中の反射光量の平均値は、マルチパル
ス周波数の帯域を少なくとも３０ｄＢ減衰する光学的及
び電気的な遮断特性をもつフィルタを通過した値を用い
て演算処理することを特徴とする請求項３ないし請求項
７のいずれか１つに記載の情報記録方法。 - 【請求項１４】 前記記録状態を、前記マルチパルス列
の期間中の中央より後半の部分で検出することを特徴と
する請求項１ないし請求項１３のいずれか１つに記載の
情報記録方法。 - 【請求項１５】 前記記録状態を、前記加熱パルスの先
頭を除く前記マルチパルス列の期間中の反射光の平均値
で検出することを特徴とする請求項１ないし請求項１３
のいずれか１つに記載の情報記録方法。 - 【請求項１６】 加熱パルスと遮断パルスとを組み合わ
せたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光ディスク
媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置において、 前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光素子
と、 前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換手段と、 前記変換手段により変換された電圧に対して、前記マル
チパルス列の反射光周波数の帯域を減衰する低域通過フ
ィルタと、 前記低域通過フィルタを通過した信号に基づいて前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の反射光量の
平均値を検出するサンプルホールド回路と、 前記サンプルホールド回路により検出された平均値、又
は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期
間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない
期間の反射光量との差分、又は前記加熱パルスの先頭を
除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値と
前記マーク領域を形成しない期間の反射光量との比を、
前記マーク領域を形成するために設定したレーザ光強度
で除算した値を記録状態として監視する制御手段とを、 備えたことを特徴とする情報記録装置。 - 【請求項１７】 加熱パルスと遮断パルスとを組み合わ
せたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光ディスク
媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置において、 前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光素子
と、 前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換手段と、 前記変換手段により変換された電圧に対して、前記マル
チパルス列の反射光周波数の帯域を減衰する低域通過フ
ィルタと、 前記低域通過フィルタを通過した信号に基づいて前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の反射光量の
平均値を検出するサンプルホールド回路と、 前記サンプルホールド回路により検出された平均値、又
は前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期
間中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない
期間の反射光量との差分、又は前記加熱パルスの先頭を
除く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値と
前記マーク領域を形成しない期間の反射光量との比を、
前記加熱パルスの先頭の最大反射光強度で除算した値を
記録状態として監視する制御手段とを、 備えたことを特徴とする情報記録装置。 - 【請求項１８】 加熱パルスと遮断パルスとを組み合わ
せたマルチパルス列でレーザ光を変調して、光ディスク
媒体上にマーク領域を記録する情報記録装置において、 前記光ディスク媒体からの反射光を受光する受光素子
と、 前記受光素子の検出電流を電圧に変換する変換手段と、 前記変換手段により変換された電圧に基づいて前記マル
チパルス列の照射光量の一部を検出する第１のサンプル
ホールド回路と、 前記変換手段により変換された電圧に対して、前記マル
チパルス列の反射光周波数の帯域を減衰する低域通過フ
ィルタと、 前記低域通過フィルタを通過した信号に基づいて前記加
熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の反射光量の
平均値を検出する第２のサンプルホールド回路と、 前記第１のサンプルホールド回路により検出された前記
マルチパルス列の照射光量の一部の光強度で、前記第２
のサンプルホールド回路により検出された平均値、又は
前記加熱パルスの先頭を除く前記マルチパルス列の期間
中の反射光量の平均値と前記マーク領域を形成しない期
間の反射光量との差分、又は前記加熱パルスの先頭を除
く前記マルチパルス列の期間中の反射光量の平均値と前
記マーク領域を形成しない期間の反射光量との比を除算
した値を記録状態として監視する制御手段とを、 備えたことを特徴とする情報記録装置。
Priority Applications (3)
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