JP2002107321A - 濃度測定方法及びその装置並びに基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の処理液の濃度を正確に測定して、基板
処理を長時間にわたって精度良く行う濃度測定方法及び
その装置並びに基板処理装置を提供する。 【解決手段】 １回目，２回目の処理液の特性値Ｖｉ，
Ｖｔを実測する（，）。経過時間Ｔの間に処理液の
水分が蒸発して、その蒸発が特性値に及ぼす第３の変動
値Ｒｅを導出する（）。実測特性値Ｖｉから経過時間
Ｔの間だけ放置した放置の特性値Ｖｅを導出する
（）。経過時間Ｔの間に使用された処理液の消費量が
特性値に及ぼす第２の変動値Ｒｐを、真の特性値Ｖａを
用いて表す（）。経過時間Ｔの間に生成される副生成
物が特性値に及ぼす第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を、真
の特性値Ｖａを用いて表す（）。そして、第１の変動
値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示
す関数に基づいて真の導電率Ｖａを導出して（）、基
板の処理液の濃度を正確に測定することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光
ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）に用い
られる処理液の濃度を測定して、基板処理を行う濃度測
定方法及びその装置並びに基板処理装置に係り、特に処
理液の濃度を一定にする技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の濃度測定装置として、図６（ａ）
に示すように、例えば処理液の導電率（Conductivity）
を測定することに基づいて処理液の濃度を測定する濃度
測定装置１０１が知られている。この濃度測定装置１０
１は、例えば基板処理装置１０２内の処理液Ｐを測定す
るために用いられており、処理液Ｐを循環させるフィル
タ１０３ａや温調器１０３ｂやポンプ１０３ｃを備えた
循環流路１０３に配設されているか、あるいは処理液を
貯留する処理槽１０４に浸漬するように配設されてい
る。濃度測定装置１０１のセンサ部１０５は、図６
（ｂ）の測定原理に示すように、２対の環状ソレノイド
Ｔ₁ ，Ｔ₂ と、２対の導線１０６と、交流電圧源１０７
と、電圧計１０８とを備えている。一方の導線１０６を
介して環状ソレノイドＴ₁ と交流電圧源１０７とが接続
されており、他方の導線１０６を介して環状ソレノイド
Ｔ₂ と電圧計１０８とが接続されている。測定時におい
てこの環状ソレノイドＴ₁ ，Ｔ₂ は処理液Ｐに浸漬され
ている。

【０００３】環状ソレノイドＴ₁ ，Ｔ₂ が浸漬された状
態で、交流電圧源１０７から環状ソレノイドＴ₁ に一定
の交流電流を流すと磁界が発生して、図６（ｂ）に示す
ように、処理液Ｐに電流ｉが流れる。それに伴って、環
状ソレノイドＴ₂ にも電流ｉに応じた磁界が発生して、
誘導起電力ｅが電圧計１０８にて測定される。この電流
ｉと誘導起電力ｅとは、処理液Ｐの導電率と相関関係に
あり、特に誘導起電力ｅと上述した導電率とは比例関係
にある。一方、この導電率と、処理液Ｐの濃度について
も相関関係がある。従って、誘導起電力ｅが電圧計１０
８で測定されることによって処理液Ｐの導電率が求ま
り、予め得られた処理液Ｐの濃度と導電率との検量線、
及び処理液Ｐの導電率から、処理液Ｐの濃度が求まる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような構成を有する濃度測定装置の場合には、次のよう
な問題点がある。即ち、濃度測定装置によって測定され
た濃度と、実際の濃度との間に誤差が発生するという問
題点である。

【０００５】図６（ａ）に示す基板処理装置１０２で、
処理液Ｐがフッ化水素酸溶液（ＨＦ）（以下、適宜「フ
ッ酸」と略記する）の場合を例に採って説明すると、設
定したフッ酸の濃度になるように、図示を省略する純水
の供給源（例えばタンク）と高濃度のフッ酸の供給源
（例えばタンク）とから処理槽１０４に一定量の純水と
フッ酸とを供給する。設定した濃度になると、基板Ｗを
処理槽１０４に順次に投入して浸漬し、基板処理（例え
ば基板のエッチング）を行う。このとき、初期に設定し
た濃度に対して一定になるように、上述した濃度測定装
置１０１を用いてフッ酸の濃度を測定して、モニタリン
グしている。もし、初期に設定した濃度と、濃度測定装
置１０１によって測定された濃度との間に一定量の変化
がある場合には、濃度の変化に応じて一定量の純水ある
いはフッ酸を加えてフッ酸の濃度を一定にする。例え
ば、フッ酸の水分蒸発等で濃度が高くなったときには純
水を処理槽１０４に供給して、基板処理によってフッ酸
の濃度が低くなったときには高濃度のフッ酸を処理槽１
０４に供給する。

【０００６】しかしながら、上述のように濃度測定装置
１０１によってフッ酸の濃度をモニタリングして、濃度
を一定にするように制御しているにも関わらず、基板の
処理時間（エッチングの場合にはエッチングレートの能
力）が基板のロット処理毎に低下するという問題があ
る。また、処理時間の低下によって基板処理にも支障を
きたし、基板処理を長時間にわたって精度良く行うこと
ができない。これは、上述したように、濃度測定装置に
よって測定された濃度と、実際の濃度との間に発生する
誤差に起因する。今回、本発明者等は、この誤差が発生
する原因について着目した。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板の処理液の濃度を正確に測定し
て、基板処理を長時間にわたって精度良く行う濃度測定
方法及びその装置並びに基板処理装置を提供することを
課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、次のような構成をとる。即ち、請求項１
に記載の発明は、基板の処理に用いられる処理液の濃度
に相関のある処理液の特性値を測定することに基づいて
処理液の濃度を測定する濃度測定方法であって、（ａ）
前記特性値を実測する過程と、（ｂ）副生成物に影響さ
れていない処理液の未知である真の特性値を用いて、処
理液を使った基板の処理によって生成される副生成物が
処理液の特性値に及ぼす第１の変動値と、基板の処理に
よって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及
ぼす第２の変動値とを表して、第１の変動値と第２の変
動値との相関関係を示す関数に基づいて、第１の変動値
を導出する過程と、（ｃ）前記実測された特性値を少な
くとも第１の変動値に基づいて補正して、真の特性値を
導出する過程とを備えていることを特徴とする。

【０００９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の濃度測定方法において、（ｄ）処理液の水分蒸
発が処理液の特性値に及ぼす第３の変動値を導出する過
程を備え、前記（ｂ）の過程は、さらに第３の変動値に
基づいて、導出された第１の変動値を補正することを特
徴とする。

【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項２
に記載の濃度測定方法において、前記（ａ）の過程は、
濃度を測定すべき時点における実測特性値Ｖｔと、その
時点よりも前の時点における実測特性値Ｖｉとを実測
し、前記（ｄ）の過程は、濃度を測定すべき時点とその
時点よりも前の時点との間の経過時間がＴで表され、経
過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす第３の変動値Ｒ
ｅをＲｅ＝ａ×Ｔ（ただし、ａは実験によって予め求め
られた既知の定数）なる式から導出し、前記（ｂ）の過
程は、経過時間Ｔの間に第３の変動値のみによって特性
値に及ぼされた値を放置の特性値Ｖｅとして、前記放置
の特性値Ｖｅが、前記実測特性値Ｖｉから前記第３の変
動値Ｒｅを加算する、Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅなる式で表さ
れ、真の特性値をＶａとして、経過時間Ｔの間に処理液
の特性値に及ぼす第２の変動値Ｒｐが、前記放置の特性
値Ｖｅから前記真の特性値Ｖａを減算する、Ｒｐ＝Ｖｅ
−Ｖａなる式で表され、経過時間Ｔの間に処理液の特性
値に及ぼす第１の変動値が、前記実測特性値Ｖｔから前
記真の特性値Ｖａを減算する、Ｖｔ−Ｖａなる式で表さ
れ、前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と前記第２の変動
値Ｒｐとの相関関係を示す関数が、Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖ
ａ）（ただし、Ｆは実験によって予め求められた関数）
なる式で表されるとき、上記これらの式に基づいて前記
第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を導出し、前記（ｃ）の過
程は、前記実測特性値Ｖｔを、前記第１の変動値（Ｖｔ
−Ｖａ）に基づいて補正して、真の特性値Ｖａを導出す
ることを特徴とする。

【００１１】また、請求項４に記載の発明は、請求項３
に記載の濃度測定方法において、第１の変動値（Ｖｔ−
Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数は、
１次関数であって、前記関数が、Ｒｐ＝ｂ×（Ｖｔ−Ｖ
ａ）（ただし、ｂは実験あるいは処理液の化学式によっ
て予め求められた既知の定数）なる式で表されるとき、
前記（ｃ）の過程は、上記これらの式に基づいて、真の
特性値Ｖａを、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／
（ｂ−１）なる式から導出することを特徴とする。

【００１２】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
から請求項４のいずれかに記載の濃度測定方法におい
て、前記特性値が導電率であることを特徴とする。

【００１３】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
から請求項４のいずれかに記載の濃度測定方法におい
て、前記特性値が透過光強度であることを特徴とする。

【００１４】また、請求項７に記載の発明は、基板の処
理に用いられる処理液の濃度に相関のある処理液の特性
値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定する濃
度測定装置であって、（Ａ）前記特性値を実測する特性
値実測手段と、（Ｂ）副生成物に影響されていない処理
液の未知である真の特性値を用いて表される、処理液を
使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液
の特性値に及ぼす第１の変動値と、基板の処理によって
使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす第
２の変動値との相関関係を示す関数に基づいて、第１の
変動値を導出する第１の変動値導出手段と、（Ｃ）前記
実測された特性値を少なくとも第１の変動値に基づいて
補正して、真の特性値を導出する真の特性値導出手段と
を備えていることを特徴とする。

【００１５】また、請求項８に記載の発明は、処理液を
使って基板を処理する基板処理装置であって、（Ａ）処
理液の濃度に相関のある処理液の特性値を実測する特性
値実測手段と、（Ｂ）副生成物に影響されていない処理
液の未知である真の特性値を用いて表される、処理液を
使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液
の特性値に及ぼす第１の変動値と、基板の処理によって
使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす第
２の変動値との相関関係を示す関数に基づいて、第１の
変動値を導出する第１の変動値導出手段と、（Ｃ）前記
実測された特性値を少なくとも第１の変動値に基づいて
補正して、真の特性値を導出する真の特性値導出手段と
を備え、上記（Ａ）〜（Ｃ）の手段によって真の濃度特
性値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定し
て、濃度の変化に応じて一定量の水あるいは処理液を加
えて処理液の濃度を一定にすることを特徴とする。

【００１６】

【作用】請求項１に記載の発明の作用について説明す
る。処理液がフッ酸であって、基板処理が基板の表面に
形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂ ）のエッチングで
ある場合を例に採って、請求項１に記載の作用を説明す
ると、エッチングの反応時の化学式は下記の（１）式の
ようになる。 ＳｉＯ₂ ＋６ＨＦ→Ｈ₂ ＳｉＦ₆ ＋２Ｈ₂ Ｏ ・・・（１） 即ち、シリコン酸化膜がエッチング処理されると、上記
の（１）式の右辺に示すように、『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』と
『Ｈ₂ Ｏ』（水）が副生成物として生成される。

【００１７】本発明者等は、濃度測定装置によって測定
された濃度と、実際の濃度との間に発生する誤差の原因
について以下のように考えた。即ち、上述したエッチン
グの反応時に、上記副生成物はイオンとなってフッ酸中
に溶解する。この副生成物はイオンなので、固有の導電
率を持っている。副生成物がフッ酸中に溶解することに
よって、濃度測定装置によって実測されたフッ酸の導電
率は、実際のフッ酸固有の導電率に上記副生成物の導電
率が加わった値となってしまう。従って、フッ酸の導電
率を実測することに基づいて得られたフッ酸の濃度は、
実際のフッ酸の濃度に上記副生成物の濃度が加わること
になることがわかった。そこで、本発明者等は、濃度測
定装置によって測定された濃度と、実際の濃度との間に
発生する誤差の原因は、基板の処理によって生成される
副生成物であることに着目した。なお、シリコン酸化膜
のエッチング処理によって生成される副生成物は、上述
したように『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』と『Ｈ₂ Ｏ』だが、生成さ
れる『Ｈ₂ Ｏ』の量は微量なので濃度測定において与え
る影響はほとんどなく、『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』のみと考えら
れる。

【００１８】請求項１に記載の発明によれば、処理液の
濃度に相関のある処理液の特性値を実測する。この実測
された特性値は、基板の処理によって生成される副生成
物に影響されており、測定すべき正確な特性値でない。
従って、副生成物が処理液の特性値に及ぼす第１の変動
値を導出する。

【００１９】第１の変動値を導出するには、先ず、副生
成物に影響されていない処理液の未知である真の特性値
を用いて、第１の変動値と、基板の処理によって使用さ
れた処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす第２の変
動値とを表す。基板の処理によって生成される副生成物
の量と、基板の処理によって使用された処理液の消費量
とは一定の相関関係を示すので、第１の変動値と第２の
変動値とについても一定の相関関係を示す。第１の変動
値と第２の変動値との相関関係を関数で表すと、その関
数に基づいて第１の変動値が導出される。

【００２０】実測された特性値を少なくとも第１の変動
値に基づいて補正して、副生成物に影響されていない処
理液の真の特性値を導出することによって、測定すべき
正確な特性値を求める。この真の特性値を導出すること
によって、処理液の濃度が正確に測定されることにな
る。なお、本明細書中では、計算によって値を求めるこ
とを『導出』と定義して、『導出』や『実測』等を総称
して『測定』と定義付ける。

【００２１】請求項２に記載の発明によれば、処理液が
水分蒸発しているときには第１，第２の変動値自体は変
化しないが、蒸発の分だけ実測された特性値や真の特性
値は変化する。この処理液の水分蒸発が処理液の特性値
に及ぼす値が第３の変動値になる。従って、本来ならば
水分蒸発によって変化した真の特性値、即ち「第３の変
動値によって変化した真の特性値」を用いて、第１，第
２の変動値を表して導出しなければならない。しかしな
がら、処理液が水分蒸発しているのにも関わらず、処理
液の水分蒸発を無視してしまうと、「第３の変動値を無
視した真の特性値」を用いて、第１，第２の変動値を表
して導出してしまう。そして、第１の変動値が水分蒸発
によって見かけ上変化しているようになってしまう。

【００２２】そこで、第３の変動値を導出して、導出さ
れた第１の変動値を第３の変動値に基づき補正すること
によって、処理液の水分蒸発を考慮した第１の変動値が
求まる。それに伴って、処理液の真の特性値がより正確
に導出されて、処理液の濃度がより正確に測定されるこ
とになる。

【００２３】請求項３に記載の発明によれば、濃度を測
定すべき時点において実測した特性値を実測特性値Ｖｔ
として、その時点よりも前の時点において実測した特性
値を実測特性値Ｖｉとする。実測特性値Ｖｉを実測して
から実測特性値Ｖｔを実測するまでに経過時間Ｔが経っ
ていて、その間に処理液の水分蒸発によって処理液の特
性値が変化する。この水分蒸発が処理液の特性値を及ぼ
す第３の変動値Ｒｅは、Ｒｅ＝ａＴなる式から導出され
る。このとき、ａは実験によって予め求められた既知の
定数である。

【００２４】経過時間Ｔの間に第３の変動値Ｒｅのみに
よって実測特性値Ｖｉに及ぼされた値、即ち基板処理を
行わずに実測特性値Ｖｉである処理液を経過時間Ｔの間
だけ放置したときの値を、放置の特性値Ｖｅとすると、
放置の特性値Ｖｅは、実測特性値Ｖｉから第３の変動値
Ｒｅを加算する、Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅなる式で表される。

【００２５】次に、最終的に求めるべき真の特性値をＶ
ａとして、第３の変動値Ｒｅと、未知である真の特性値
Ｖａとを用いて、第１の変動値と第２の変動値とを表
す。なお、未知である真の特性値Ｖａのみを用いて、第
１の変動値と第２の変動値とを表すと、処理液の水分蒸
発を無視することになるので、第１の変動値を導出する
前のこの段階で、第３の変動値Ｒｅをも用いて第１の変
動値と第２の変動値とを予め補正する。

【００２６】経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす
第２の変動値Ｒｐは、放置の特性値Ｖｅから真の特性値
Ｖａを減算する、Ｒｐ＝Ｖｅ−Ｖａ（＝Ｖｉ＋Ｒｅ−Ｖ
ａ）なる式で表される。一方、第１の変動値は、実測特
性値Ｖｔから真の特性値Ｖａを減算する、Ｖｔ−Ｖａな
る式で表される。これらの第１・第２の変動値は、未知
である真の特性値Ｖａを用いているので、この時点では
これらの第１・第２の変動値も未知である。

【００２７】一方、基板の処理によって生成される副生
成物の量と、基板の処理によって使用された処理液の消
費量とは一定の相関関係を示すので、第１の変動値（Ｖ
ｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとも一定の相関関係を示
す。第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐと
の相関関係を示す関数は、Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖａ）なる
式で表される。このとき、Ｆは実験によって予め求めら
れた関数である。

【００２８】そこで、上記これらの式（関数の式も含
む）に基づいて、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）が導出さ
れる。この第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）は第２の変動値
Ｒｐによって既に補正されているので、第１の変動値
（Ｖｔ−Ｖａ）は処理液の水分蒸発を考慮した値であ
る。実測特性値Ｖｔを、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に
基づいて補正することによって、真の特性値Ｖａがより
正確に導出されて、処理液の濃度がより一層正確に測定
されることになる。

【００２９】請求項４に記載の発明によれば、第１の変
動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を
示す関数は、１次関数であって、その関数が、Ｒｐ＝ｂ
×（Ｖｔ−Ｖａ）なる式で表されることによって、真の
特性値Ｖａを、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／
（ｂ−１）なる式から導出することができて、真の特性
値Ｖａをより簡潔にまとまることが可能となる。このと
き、ｂは実験あるいは処理液の化学式によって予め求め
られた既知の定数である。

【００３０】請求項５に記載の発明によれば、特性値が
導電率であるので、真の導電率を導出することによっ
て、処理液の濃度が正確に測定されることになる。

【００３１】請求項６に記載の発明によれば、特性値が
透過光強度であるので、透過光強度を導出することによ
って、処理液の濃度が正確に測定されることになる。

【００３２】請求項７に記載の発明によれば、処理液の
濃度に相関のある処理液の特性値を特性値実測手段から
実測する。この実測された特性値は、基板の処理によっ
て生成される副生成物に影響されており、測定すべき正
確な特性値でない。従って、副生成物が処理液の特性値
に及ぼす第１の変動値を第１の変動値導出手段から導出
して、実測された特性値を少なくとも第１の変動値に基
づいて補正して、副生成物に影響されていない処理液の
真の特性値を真の特性値導出手段から導出することによ
って、測定すべき正確な特性値を求める。この真の特性
値を導出することによって、処理液の濃度が正確に測定
されることになる。

【００３３】請求項８に記載の発明によれば、（Ａ）〜
（Ｃ）の手段によって処理液の濃度が正確に測定される
ので、濃度の変化に応じて一定量の水あるいは処理液を
加えて処理液の濃度を精密に一定にすることが可能にな
る。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。先ず、本発明の原理について、図２の
フローチャートと図３，４のグラフとを参照して説明す
る。

【００３５】（ステップＳ１）１回目の処理液の特性値
Ｖｉを実測する１回目の処理液の特性値Ｖｉを実測する
（図３中の）。ここで、『１回目』とは、濃度を測定
すべき時点よりも前の時点のことを指して、後述する
『２回目』とは、濃度を測定すべき時点のことを指す。
従って、最終的に求められる真の特性値Ｖａは、『２回
目』の時点で導出される。このステップＳ１は、本発明
における（ａ）の過程の一部に相当する。

【００３６】（ステップＳ２ａ）第３の変動値Ｒｅを導
出する１回目の実測から２回目の実測までの経過時間を
Ｔとすると、経過時間Ｔの間に基板の処理に関係なく、
処理液が蒸発し続ける。この処理液の水分蒸発によっ
て、処理液の濃度も時々刻々変化する。もちろん、処理
液の濃度に相関のある処理液の特性値も時々刻々変化す
る。そして、処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼ
す値が第３の変動値となる。

【００３７】経過時間Ｔを用いて第３の変動値Ｒｅを表
すと、第３の変動値Ｒｅは下記の（２）式のようになる
（図３中の）。 Ｒｅ＝ａＴ（ただしａは実験によって予め求められた既知の定数） ・・・（２） なお、１回目の実測から２回目の実測までの経過時間Ｔ
が予めわかっている場合には、例えばステップＳ１より
も前に導出したり等、２回目の実測時よりも前に第３の
変動値を予め導出してもよい。

【００３８】上記の（２）式は、実験によって予め求め
られた式である。例えば、基板処理を行わずに処理液を
放置した状態で、複数回にわたって処理液の特性値を実
測すればよい。上述したように、経過時間Ｔの間に基板
の処理に関係なく、処理液は蒸発し続ける。従って、あ
る時刻ｔ₁ において処理液の特性値がｓ₁ のとき、時刻
ｔ₂ （ｔ₁ ≠ｔ₂ ）には処理液の特性値は変化する。そ
のときの特性値をｓ₂とすると、上記ａは単位時間当た
りの特性値の変化に相当するので、ａ＝（ｓ₂−ｓ₁ ）
／（ｔ₂ −ｔ₁ ）によりａが求められる。このａは、処
理液の種類によって変化するし、同じ処理液でも大気圧
や温度等の利用状況によっても変化するものである。従
って、様々な利用状況や処理液の種類に応じて実験を予
め行うことによって、利用状況や処理液の種類に基づい
たａが求まり、上記の（２）式もそれに応じて求まる。
測定時において、オペレータは利用状況や処理液の種類
を選択して、それに応じてａを選択して（２）式より第
３の変動値Ｒｅを求める。なお、図３のグラフを参照す
ると、（２）式は図３中に示した破線である。このステ
ップＳ２ａは、本発明における（ｄ）の過程に相当す
る。

【００３９】（ステップＳ２ｂ）２回目の処理液の特性
値Ｖｔを実測するステップＳ２ａで第３の変動値Ｒｅが
導出されるのと同時に、２回目の処理液の特性値Ｖｔを
実測する（図３中の）。なお、図３のグラフを参照す
ると、実測における特性値の変化は、図３中のから
を結んだ実線となる。このステップＳ２ｂは、本発明に
おける（ａ）の過程の一部に相当する。

【００４０】（ステップＳ３）放置の特性値Ｖｅを導出
する放置の特性値Ｖｅを導出する。この放置の特性値Ｖ
ｅは、経過時間Ｔの間に第３の変動値Ｒｅのみによって
実測特性値Ｖｉに及ぼされた値、即ち基板処理を行わず
に実測特性値Ｖｉである処理液を経過時間Ｔの間だけ放
置したときの値となる。つまり、図３のグラフを参照す
ると、基板処理を行わずに実測特性値Ｖｉである処理液
を経過時間Ｔの間だけ放置すると、図３中のからを
結んだ破線に従って変化して、経過時間Ｔを経て、放置
の特性値Ｖｅとなる（図３中の）。従って、放置の特
性値Ｖｅは下記の（３）式のようになる。 Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅ ・・・（３）

【００４１】（ステップＳ４）真の特性値Ｖａを用いて
第２の変動値Ｒｐを表す１回目において実測された実測
特性値Ｖｉは、経過時間Ｔの間に基板の処理によって使
用された処理液の消費量によって、真の特性値Ｖａにな
る。基板処理を行わずに放置した場合には、実測特性値
Ｖｉは放置の特性値Ｖｅとなるので、処理液の真の特性
値Ｖａに及ぼして、実測特性値Ｖｔにする第２の変動値
Ｒｐは、放置の特性値Ｖｅと真の特性値Ｖａとの差で表
される（図３中の）。つまり、第２の変動値Ｒｐは、
下記の（４）式のようになる。 Ｒｐ＝Ｖｅ−Ｖａ ・・・（４） なお、真の特性値Ｖａのみを用いて、第２の変動値を表
すと、処理液の水分蒸発を無視することになるので、第
１の変動値を導出する前に、第３の変動値Ｒｅによって
上記の（４）式に予め補正している。

【００４２】（ステップＳ５）真の特性値Ｖａを用いて
第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を表す２回目において実測
された実測特性値Ｖｔは、経過時間Ｔの間に生成された
副生成物のイオンが処理液中に溶解することによって、
副生成物の固有の特性値が処理液固有の特性値に加わっ
た値となっている。従って、第１の変動値は、処理液の
真の特性値Ｖａに及ぼして、実測特性値Ｖｔにする。つ
まり、第１の変動値は実測特性値Ｖｔから真の特性値Ｖ
ａを減算する、Ｖｔ−Ｖａなる式で表される（図３中の
）。

【００４３】なお、真の特性値Ｖａのみを用いて、第１
の変動値を表すと、処理液の水分蒸発を無視することに
なるので、第１の変動値を導出する前に、第３の変動値
Ｒｅによって第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に予め補正し
ている。

【００４４】真の特性値Ｖａは最終的に求めるべき値な
ので、この時点で未知である。従って、ステップＳ４，
５で真の特性値Ｖａを用いて表した第１，第２の変動値
も未知の値である。次に、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）
と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数に基づい
て、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を導出することについ
て説明する。

【００４５】（ステップＳ６）第１の変動値（Ｖｔ−Ｖ
ａ）を導出する基板の処理によって生成される副生成物
の量と、基板の処理によって使用された処理液の消費量
とは一定の相関関係を示す。従って、第１の変動値（Ｖ
ｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとも一定の相関関係を示
す。第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐと
の相関関係を示す関数は、下記の（５）式のようにな
る。 Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖａ） ・・・（５） 上記の（５）式は、実験によって予め求められた関数で
ある。

【００４６】上記の（５）式の関数が、１次関数で表さ
れるときには、上記（５）式は下記の（６）式のように
簡潔になる。 Ｒｐ＝ｂ×（Ｖｔ−Ｖａ） ・・・（６） 上記の（６）式は、実験あるいは処理液の化学式によっ
て予め求められた関数であり、ｂは、実験あるいは処理
液の化学式によって予め求められた既知の定数である。

【００４７】１次の関数のときには（６）式、それ以外
のときには（５）式の関数に基づいて、第１の変動値
（Ｖｔ−Ｖａ）が導出される。この第１の変動値（Ｖｔ
−Ｖａ）は、上記（２）〜（５）式（または１次の関数
のときには（２）〜（４）式と（６）式と）を順に経て
求められる。この第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）は第２の
変動値Ｒｐによって既に補正されているので、第３の変
動値、即ち処理液の水分蒸発を考慮した値となる。この
ステップＳ３〜Ｓ６は、本発明における（ｂ）の過程に
相当する。なお、（５）式と（６）式との使い分けにつ
いては、図４を参照しながら後述する。

【００４８】（ステップＳ７）真の特性値Ｖａを導出す
る第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）が導出されると、この第
１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に基づいて、実測特性値Ｖｔ
を補正することによって真の特性値Ｖａが導出される
（図３中の）。この場合、第１の変動値は（Ｖｔ−Ｖ
ａ）なので、実測特性値Ｖｔから第１の変動値（Ｖｔ−
Ｖａ）を単純に減算するだけで、真の特性値Ｖａを導出
することができる。なお、１次の関数のときには（２）
〜（４）式と（６）式とを用いて、真の特性値Ｖａを、
下記の（７）式のように簡潔にまとめることができる。 Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／（ｂ−１） ・・・（７） 即ち、ａとｂとの既知の定数と、経過時間Ｔと、実測特
性値Ｖｉ，Ｖｔを（７）式に代入するだけで、真の特性
値Ｖａを導出することができる。このステップＳ７は、
本発明における（ｃ）の過程に相当する。

【００４９】次に、（５）式と（６）式との使い分けに
ついて、図４のグラフを参照して説明する。処理液がフ
ッ酸であり、処理液を用いた基板の処理がフッ酸による
基板のシリコン酸化膜のエッチングであり、処理液の特
性値がフッ酸の導電率であるときを例に採って説明す
る。

【００５０】上述したように、基板の処理によって生成
される副生成物の量と、基板の処理によって使用された
処理液の消費量とは一定の相関関係を示す。この場合、
上記（１）式により、エッチングによって生成される副
生成物の『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』のモル（ｍｏｌ）濃度（溶液
１リットル中のモル数）と、エッチングによって消費さ
れたフッ酸のモル（ｍｏｌ）濃度（溶液１リットル中の
モル数）とは、一定の相関関係を示す。

【００５１】例えば、フッ酸溶液１リットル中に副生成
物『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』１モル分だけ生成されると、上記
（１）式によりフッ酸溶液１リットル中にフッ酸６モル
分だけ消費されることになる。そして、生成された副生
成物のモル濃度と消費されたフッ酸のモル濃度とから、
それぞれのモル導電率（モル濃度１モル／リットル当た
りの導電率）がわかり、それをそれぞれのイオン数でわ
ることによりそれぞれの当量導電率がわかる。このと
き、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐと
の相関関係を示す関数は線形となり、上記の（６）式の
ようになる。このとき、（６）式の定数ｂは、生成され
た副生成物『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』の当量導電率に対する消費
されたフッ酸の当量導電率の比となり、上記（１）式の
反応式によって定数ｂを求めることできる。

【００５２】しかしながら、上記の（６）式は、上記
（１）式の反応式に基づいて得られた理論上の式であ
る。フッ酸の濃度が低い場合には、この（６）式は当て
はまるが、フッ酸の濃度が高い場合には、この（６）式
は当てはまらない。フッ酸の濃度が高い場合には、生成
される副生成物『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』の濃度も高くなる。

【００５３】副生成物『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』の濃度とそれの
導電率との関係は、図４に示すような実線となる。図４
中の破線は、副生成物の濃度と副生成物の導電率との比
例式を示している。つまり、副生成物『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』
の濃度が低い（このとき、フッ酸の濃度も低い）と、上
記破線と実線とが近いので、副生成物の濃度と副生成物
の導電率とはほぼ比例関係にある。従って、実際のフッ
酸の濃度と副生成物の導電率とはほぼ比例関係にあり、
さらには実際に消費されたフッ酸の当量導電率と生成さ
れた副生成物の当量導電率とも比例関係になる。上記破
線と実線とが近い場合、即ちフッ酸の濃度が低い場合に
は、これらの当量導電率は１次の線形となり、上記
（６）式が当てはまることになる。

【００５４】しかしながら、副生成物『Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 』
の濃度が高くなるに伴い、上記破線と実線とが離れてい
くので、副生成物の濃度と副生成物の導電率との比例式
が成立しなくなる。その結果、実際に消費されたフッ酸
の当量導電率と生成された副生成物の当量導電率との比
例式が成立しなくなり、上記（６）式が当てはまらない
ことになる。そこで、上述のように濃度が高い場合に
は、実験で予め確かめられた図４のグラフに基づいて、
非線形の関数Ｆを求める。このとき、第２の変動値Ｒｐ
は上記の（５）式のようになる。

【００５５】以上により、フッ酸の濃度が低い場合には
（６）式を、フッ酸の濃度が高い場合には（５）式を、
それぞれ使い分けて、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を、
さらには真の特性値Ｖａを導出することができる。

【００５６】次に、本発明における実施例を、図１の概
略図を参照して説明する。図１は、基板処理装置の構成
を示す概略断面図である。また、処理液がフッ酸であっ
て、基板処理が基板の表面に形成されたシリコン酸化膜
（ＳｉＯ₂ ）のエッチングである場合を例に採って説明
するが、フッ酸等のエッチング溶液以外にも洗浄液等に
例示されるように、基板の処理に通常用いられる処理液
ならば、処理液については特に限定されないし、エッチ
ング以外にも基板の洗浄や基板の塗布等に例示されるよ
うに、通常に行われる基板の処理ならば、基板処理につ
いても特に限定されない。また、実施例では、基板を処
理液に浸漬する方法で基板処理を行うが、基板の処理面
に処理液を供給する方法にも基板処理として適用するこ
とができる等、処理方法についても特に限定されない。

【００５７】基板処理装置は、図１に示すように、フッ
酸を貯留する処理槽１と、フッ酸を循環させる循環流路
２と、純水を供給する純水用供給管３と、処理槽１に貯
留されているフッ酸の濃度よりも高濃度のフッ酸を供給
するフッ酸用供給管４とを備えている。この他にも図示
を省略するフッ酸を排出する排出管等を備えている。処
理槽１は、基板Ｗを浸漬して基板Ｗの表面に形成された
シリコン酸化膜のエッチングを行うエッチング用処理槽
１ａと、このエッチング用処理槽１ａからオーバーフロ
ーしたフッ酸を暫定的に貯留する循環用処理槽１ｂとを
備えている。エッチング用処理槽１ａに貯留されたフッ
酸がオーバーフローして循環用処理槽１ｂに流れ込むよ
うに、両処理槽１ａ，１ｂは互いに近接配備されてい
る。

【００５８】エッチング用処理槽１ａは、純水用供給管
３を介して純水用タンク（供給源）５に接続されてお
り、同じくエッチング用処理槽１ａは、フッ酸用供給管
４を介して高濃度のフッ酸を貯留しているフッ酸用タン
ク６に接続されている。両供給管３，４のエッチング用
処理槽１ａ側と両タンク５，６側との間には、一定量の
純水及びフッ酸が両タンク５，６からエッチング用処理
槽１ａにそれぞれ供給されるように流量計３ａ，４ａや
流量を一定にするように調節するレギュレータ３ｂ，４
ｂがそれぞれ配設されているとともに、吐出用ポンプ３
ｃ，４ｃや図示を省略する開閉バルブ等がそれぞれ配設
されている。

【００５９】循環用処理槽１ｂに貯留されているフッ酸
を循環用処理槽１ｂ内から排出するように、循環流路２
の上流側と循環用処理槽１ｂとは連通している。一方、
エッチング用処理槽１ａへフッ酸が循環流路２から供給
されるように、循環流路２の下流側とエッチング用処理
槽１ａとはエッチング用処理槽１ａの底部で連通してい
る。循環流路２には上流側から下流側へ順に、循環され
たフッ酸をエッチング用処理槽１ａに送り出す循環用ポ
ンプ１０、フッ酸の温度を調節する温調器９、フッ酸の
不純物を除去するフィルタ８、及びフッ酸の導電率を実
測することによってフッ酸の濃度を実測する濃度計７が
配設されている。濃度計７は、本発明における特性値実
測手段に相当する。

【００６０】本実施例装置では、濃度計７を循環流路２
に配設したが、処理槽１内に配設してもよい。ただし、
エッチング用処理槽１ａ内に濃度計７を配設すると、両
供給５，６から新たに供給される純水やフッ酸によって
濃度が変動して、フッ酸の導電率を正確に実測できず
に、後述する正確な濃度を測定することができなくなっ
てしまう恐れがあるので、循環用処理槽１ｂ内に濃度計
７を配設する方が好ましい。また、本実施例装置では、
濃度計７を循環流路２に配設しているので、必ずしも処
理槽１をエッチング用処理槽１ａと循環用処理槽１ｂと
に分離する必要はない。

【００６１】この他に、本実施例装置は、本実施例装置
を統括制御する制御部１１と、ＲＡＭやＲＯＭ等を内蔵
したメモリ部１２とを備えている。制御部１１は、基板
Ｗを処理槽１に投入して浸漬したり、浸漬された基板Ｗ
を処理槽１から引き上げたり、基板Ｗを搬送させたり、
上述したポンプやレギュレータ等を操作して純水やフッ
酸の流量を制御する等の基板処理の機械的な操作を制御
する機能以外に、ＣＰＵ（中央演算処理部）等の演算部
１３、タイマ、及びクロックを含むとともに、第１の変
動値や真の導電率等の値を導出させる機能をも備えてい
る。

【００６２】因みに、第１の変動値を導出する手段（図
示省略）は、本発明における第１の変動値導出手段に相
当し、真の導電率を導出する手段（図示省略）は、本発
明における真の特性値導出手段に相当する。

【００６３】次に、図５のフローチャートを参照して、
フッ酸の導電率を実測してから真の導電率を求めるまで
の流れを説明する。なお、図５ではフッ酸の濃度が低い
場合、即ちａとｂとの既知の定数と、経過時間Ｔと、実
測導電率Ｖｉ，Ｖｔを測定したら、上記（７）式によっ
て即座に真の導電率Ｖａを導出する場合である。また、
本実施例において、フッ酸の導電率の実測は、基板Ｗの
ロット処理毎に行われるものとする。１回目のロット投
入時に導電率を実測すると、２回目のロット投入時まで
導電率を実測しない。従って、『原理』の欄でも述べた
ように、真のフッ酸の導電率を導出するのは、２回目の
ロット投入時である。なお、本明細書中では複数枚の基
板Ｗをまとめて『ロット』とする。

【００６４】（ステップＳ１１）１回目のフッ酸の導電
率Ｖｉを実測するエッチング用処理槽１ａへの１回目の
ロット投入が行われると、濃度計７は循環流路２内に流
れるフッ酸の導電率Ｖｉを実測する。

【００６５】（ステップＳ１２）経過時間Ｔをカウント
する１回目のロット投入から２回目のロット投入までの
経過時間をＴとする。このとき、１回目のロット投入時
において制御部１１によってタイマがリセットされると
ともにタイマのカウントを開始する。そして、次のロッ
ト投入時においてそのカウントが制御部１１に送られる
とともに、タイマが再度リセットされてカウントを開始
する。制御部１１に送られるカウントが経過時間Ｔに相
当する。なお、１回目のロット投入から２回目のロット
投入までの経過時間Ｔが予めわかっている場合には、例
えば１回目のロット投入時よりも前に経過時間Ｔを制御
部１１に送ってもよい。

【００６６】（ステップＳ１３）２回目のフッ酸の導電
率Ｖｔを実測する濃度計７は、２回目のロット投入時の
フッ酸の導電率Ｖｔを実測する。

【００６７】（ステップＳ１４）真の導電率Ｖａを導出
するなお、定数ａ，ｂは実験によって予め求められた既
知の定数である。従って、ステップＳ１３での２回目の
フッ酸の導電率Ｖｔを実測した段階で、上記（７）式を
決定付ける定数ａ，ｂ、経過時間Ｔ、及び実測導電率Ｖ
ｉ，Ｖｔは既に求まっている。従って、フッ酸の導電率
Ｖｔが実測されると、（７）式により真の導電率Ｖａを
即座に求めることができる。

【００６８】以上のステップから、フッ酸の真の導電率
Ｖａを導出することによって、フッ酸の正確な濃度を測
定することができる。フッ酸の正確な濃度を測定するこ
とによって、本実施例に係る基板処理装置は、濃度の変
化に応じて一定量の純水あるいはフッ酸を加えてフッ酸
の濃度を精密に一定にすることができる。本実施例のよ
うに、エッチング処理の場合には、エッチングレートが
従来と比べて、低下し難くなる。その結果、基板処理
（本実施例ではエッチング処理）を長時間にわたって精
度良く行うことができる。

【００６９】本発明は、上記実施形態に限られることは
なく、下記のように変形実施することができる。

【００７０】（１）上述した本実施例では、導電率の実
測はロット投入毎に行われていたが、実測するタイミン
グや時間については特に限定されない。実測する時間の
間隔が短くなるほど、より濃度を正確に測定することが
できる。また、濃度をより一層精密に一定にすることが
できる。

【００７１】（２）上述した本実施例では、濃度に相関
のある処理液の特性値として処理液の導電率を測定して
濃度を求めたが、処理液の導電率以外にも、例えば処理
液に光を照射して透過率（透過光強度）を上記ステップ
で測定して濃度を求めることができる。上記透過率、即
ち透過光強度は濃度に相関のある物理量であり、基板の
処理によって生成される副生成物によっても透過光強度
は影響を受ける。従って、透過光強度を本発明の特性値
として適用することができる。また、導電率や透過光強
度以外にも、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値
であって、その特性値が基板の処理によって生成される
副生成物によって影響を受けるのならば、特性値につい
ては特に限定されない。

【００７２】（３）上述した本発明における『原理』で
は、導電率等に代表される最終的に求めるべき特性値
を、上記ステップの上記（２）〜（５）式、または
（２）〜（４）式と（６）式とにより導出したが、上述
した式に限定されない。また、本実施例では、処理液の
水分蒸発を考慮したが、これらから特性値に及ぼす影響
が微小であったり、処理液の水分が飽和状態で放置して
も水分蒸発が発生しなければ、必ずしも処理液の水分蒸
発を考慮する必要はない。

【００７３】以上より、実測された特性値を、少なくと
も基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特
性値に及ぼす第１の変動値に基づいて補正して、最終的
に求めるべき（真の）特性値を導出する方法ならば、測
定方法については特に限定されない。

【００７４】

【発明の効果】以上に詳述したように、請求項１の発明
に係る濃度測定方法によれば、処理液の濃度に相関のあ
る処理液の特性値を実測して、副生成物が処理液の特性
値に及ぼす第１の変動値を導出する。実測された特性値
を少なくとも第１の変動値に基づいて補正して、副生成
物に影響されていない処理液の真の特性値を導出するこ
とによって、処理液の濃度を正確に測定することができ
る。

【００７５】請求項２の発明に係る濃度測定方法によれ
ば、処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす第３の
変動値を導出する。第３の変動値に基づいて、導出され
た第１の変動値を処理液の水分蒸発を考慮した第１の変
動値に補正することによって、処理液の真の特性値をよ
り正確に導出することができて、処理液の濃度をより正
確に測定することができる。

【００７６】請求項３の発明に係る濃度測定方法によれ
ば、（ａ）〜（ｄ）の過程を実施することによって、経
過時間Ｔの間に生成される副生成物に影響されていなく
て、かつ処理液の水分蒸発を考慮した真の特性値を導出
することができて、処理液の濃度をより一層正確に測定
することができる。

【００７７】請求項４の発明に係る濃度測定方法によれ
ば、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐと
の相関関係を示す関数が、Ｒｐ＝ｂ（Ｖｔ−Ｖａ）なる
式で表されることによって、真の特性値Ｖａを導出する
式を、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／（ｂ−１）
として、より簡潔にまとまることができて、処理液の正
確な濃度を簡易に測定することができる。

【００７８】請求項５の発明に係る濃度測定方法によれ
ば、特性値が導電率であるので、真の導電率を導出する
ことによって、処理液の濃度を正確に測定することがで
きる。

【００７９】請求項６の発明に係る濃度測定方法によれ
ば、特性値が透過光強度であるので、透過光強度を導出
することによって、処理液の濃度を正確に測定すること
ができる。

【００８０】請求項７の発明に係る濃度測定装置によれ
ば、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を特性値
実測手段から実測して、副生成物が処理液の特性値に及
ぼす第１の変動値を第１の変動値導出手段から導出す
る。実測された特性値を少なくとも第１の変動値に基づ
いて補正して、副生成物に影響されていない処理液の真
の特性値を真の特性値導出手段から導出することによっ
て、処理液の濃度を正確に測定することができる。

【００８１】請求項８の発明に係る基板処理装置によれ
ば、（Ａ）〜（Ｃ）の手段によって処理液の濃度が正確
に測定されるので、濃度の変化に応じて一定量の水ある
いは処理液を加えて処理液の濃度を精密に一定にするこ
とができる。その結果、基板処理を長時間にわたって精
度良く行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例に係る基板処理装置の構成を示す概略
断面図である。

【図２】本発明の原理の説明に供するフローチャートで
ある。

【図３】本発明の原理の説明に供するグラフである。

【図４】副生成物の濃度と副生成物の導電率との関係を
示したグラフである。

【図５】フッ酸の導電率を実測してから真のフッ酸の導
電率を導出するまでの手順を示したフローチャートであ
る。

【図６】（ａ）は、従来の基板処理装置の構成を示す概
略断面図、（ｂ）は濃度測定装置の測定原理を示す概略
図である。

【符号の説明】

１ … 処理槽 ２ … 循環流路 ７ … 濃度計 １１ … 制御部 １２ … メモリ部 １３ … 演算部 Ｖｔ，Ｖｉ … 実測特性値（実測導電率） Ｔ … 経過時間 Ｒｅ … 第３の変動値 Ｖｅ … 放置の特性値 Ｒｐ … 第２の変動値 Ｖｔ−Ｖａ … 第１の変動値 Ｖａ … 真の特性値（真の導電率）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 博章 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 安井 拓也 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2G059 AA01 BB04 DD11 DD16 EE01 FF04 MM01 MM10 MM14 MM17 2G060 AA06 AC04 AE17 AF08 FA01 FB02 HA02 HC08 HC09 HC13 HE03 KA06 5F043 AA31 BB22 EE22 EE23 EE24

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の処理に用いられる処理液の濃度に
   相関のある処理液の特性値を測定することに基づいて処
   理液の濃度を測定する濃度測定方法であって、 （ａ）前記特性値を実測する過程と、 （ｂ）副生成物に影響されていない処理液の未知である
   真の特性値を用いて、処理液を使った基板の処理によっ
   て生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす第１の
   変動値と、基板の処理によって使用された処理液の消費
   量が処理液の特性値に及ぼす第２の変動値とを表して、
   第１の変動値と第２の変動値との相関関係を示す関数に
   基づいて、第１の変動値を導出する過程と、 （ｃ）前記実測された特性値を少なくとも第１の変動値
   に基づいて補正して、真の特性値を導出する過程とを備
   えていることを特徴とする濃度測定方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の濃度測定方法におい
   て、 （ｄ）処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす第３
   の変動値を導出する過程を備え、 前記（ｂ）の過程は、さらに第３の変動値に基づいて、
   導出された第１の変動値を補正することを特徴とする濃
   度測定方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の濃度測定方法におい
   て、 前記（ａ）の過程は、濃度を測定すべき時点における実
   測特性値Ｖｔと、その時点よりも前の時点における実測
   特性値Ｖｉとを実測し、 前記（ｄ）の過程は、濃度を測定すべき時点とその時点
   よりも前の時点との間の経過時間がＴで表され、経過時
   間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす第３の変動値Ｒｅを
   Ｒｅ＝ａ×Ｔ（ただし、ａは実験によって予め求められ
   た既知の定数）なる式から導出し、 前記（ｂ）の過程は、経過時間Ｔの間に第３の変動値の
   みによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値Ｖｅと
   して、前記放置の特性値Ｖｅが、前記実測特性値Ｖｉか
   ら前記第３の変動値Ｒｅを加算する、Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅ
   なる式で表され、 真の特性値をＶａとして、経過時間Ｔの間に処理液の特
   性値に及ぼす第２の変動値Ｒｐが、前記放置の特性値Ｖ
   ｅから前記真の特性値Ｖａを減算する、Ｒｐ＝Ｖｅ−Ｖ
   ａなる式で表され、 経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす第１の変動値
   が、前記実測特性値Ｖｔから前記真の特性値Ｖａを減算
   する、Ｖｔ−Ｖａなる式で表され、 前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と前記第２の変動値Ｒ
   ｐとの相関関係を示す関数が、Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖａ）
   （ただし、Ｆは実験によって予め求められた関数）なる
   式で表されるとき、 上記これらの式に基づいて前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖ
   ａ）を導出し、 前記（ｃ）の過程は、前記実測特性値Ｖｔを、前記第１
   の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に基づいて補正して、真の特性
   値Ｖａを導出することを特徴とする濃度測定方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の濃度測定方法におい
   て、 第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相
   関関係を示す関数は、１次関数であって、前記関数が、
   Ｒｐ＝ｂ×（Ｖｔ−Ｖａ）（ただし、ｂは実験あるいは
   処理液の化学式によって予め求められた既知の定数）な
   る式で表されるとき、 前記（ｃ）の過程は、上記これらの式に基づいて、真の
   特性値Ｖａを、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／
   （ｂ−１）なる式から導出することを特徴とする濃度測
   定方法。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の濃度測定方法において、 前記特性値が導電率であることを特徴とする濃度測定方
   法。
6. 【請求項６】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の濃度測定方法において、 前記特性値が透過光強度であることを特徴とする濃度測
   定方法。
7. 【請求項７】 基板の処理に用いられる処理液の濃度に
   相関のある処理液の特性値を測定することに基づいて処
   理液の濃度を測定する濃度測定装置であって、 （Ａ）前記特性値を実測する特性値実測手段と、 （Ｂ）副生成物に影響されていない処理液の未知である
   真の特性値を用いて表される、処理液を使った基板の処
   理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼ
   す第１の変動値と、基板の処理によって使用された処理
   液の消費量が処理液の特性値に及ぼす第２の変動値との
   相関関係を示す関数に基づいて、第１の変動値を導出す
   る第１の変動値導出手段と、 （Ｃ）前記実測された特性値を少なくとも第１の変動値
   に基づいて補正して、真の特性値を導出する真の特性値
   導出手段とを備えていることを特徴とする濃度測定装
   置。
8. 【請求項８】 処理液を使って基板を処理する基板処理
   装置であって、 （Ａ）処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を実測
   する特性値実測手段と、 （Ｂ）副生成物に影響されていない処理液の未知である
   真の特性値を用いて表される、処理液を使った基板の処
   理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼ
   す第１の変動値と、基板の処理によって使用された処理
   液の消費量が処理液の特性値に及ぼす第２の変動値との
   相関関係を示す関数に基づいて、第１の変動値を導出す
   る第１の変動値導出手段と、 （Ｃ）前記実測された特性値を少なくとも第１の変動値
   に基づいて補正して、真の特性値を導出する真の特性値
   導出手段とを備え、 上記（Ａ）〜（Ｃ）の手段によって真の濃度特性値を測
   定することに基づいて処理液の濃度を測定して、濃度の
   変化に応じて一定量の水あるいは処理液を加えて処理液
   の濃度を一定にすることを特徴とする基板処理装置。