JP2002100867A - 回路基板に於ける微細スル−ホ−ルの形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】バリ等の発生しない高品質の微細スル−ホ−ル
を形成して微細な回路配線を形成可能な回路基板に於け
る微細スル−ホ−ルの形成法を提供する。 【解決手段】絶縁べ−ス層１の両面に導電層を備えた材
料を用意し、一方の導電層を加工してコンフォ−マルマ
スクとなる所要の回路パタ−ン２を形成し、露出した絶
縁べ−ス層１の部分を除去して微細ビアホ−ル４を形成
する。そして、回路パタ−ン２及び導電層３の両面に対
してエッチング処理を施して微細ビアホ−ル４部分にス
ル−ホ−ル５を形成した後、スル−ホ−ルメッキ処理を
施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バリ等の発生しな
い高品質の微細スル−ホ−ルを形成して微細な回路配線
を形成可能な回路基板に於ける微細スル−ホ−ルの形成
法に関する。

【０００２】

【従来の技術とその問題点】従来、両面回路基板を製作
する為に必要なスル−ホ−ルは、一般にドリリング手段
で形成するが、現状のＮＣドリリング技術では形成でき
る穴径が０．１ｍｍ程度が限度である。また、このよう
なドリリング手段ではバリやスミアの発生は避けられ
ず、これはスル−ホ−ルの信頼性に大きな悪影響を与え
るので、微細な回路配線を形成することは困難である。

【０００３】そこで、本発明は、バリ等の発生しない高
品質の微細スル−ホ−ルを形成して微細な回路配線を形
成可能な回路基板に於ける微細スル−ホ−ルの形成法を
提供するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】その為に、本発明の回路
基板に於ける微細スル−ホ−ルの形成法では、絶縁べ−
ス層の両面に導電層を備えた材料を用意し、前記一方の
導電層を加工してコンフォ−マルマスクとなる所要の回
路パタ−ンを形成し、次いで露出した前記絶縁べ−ス層
の部分を化学的エッチング手段、レ−ザ−手段又はプラ
ズマ加工手段で除去して微細ビアホ−ルを形成した段階
で、前記回路パタ−ン及び導電層の両面に対してエッチ
ング処理を施して前記微細ビアホ−ル部分にスル−ホ−
ルを形成した後、スル−ホ−ルメッキ処理を施すことを
特徴とするものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】以下、図示の実施例を参照しなが
ら本発明を更に詳述する。図１は本発明による回路基板
に於ける微細スル−ホ−ルの形成法を示す工程図であっ
て、先ず適当な絶縁べ−ス層の両面に銅箔等の導電層を
備えた材料を用意し、図１（１）の如く絶縁べ−ス層１
の一方面の導電層にエッチング手段等で所謂コンフォ−
マルマスクとなる所要の回路パタ−ン２を形成する。

【０００６】次いで、露出した絶縁べ−ス層１の領域を
化学的エッチング手段、レ−ザ−手段又はプラズマ加工
手段で除去することにより他の導電層３に達する微細ビ
アホ−ル４を同図（２）のように形成する。

【０００７】そこで、同図（３）の如く、回路パタ−ン
２及び導電層３の両面から銅箔等であれば塩化第二銅等
を用いるなど適宜なエッチング処理を加えることによ
り、微細ビアホ−ル４の部位の導電層３の部分を短時間
に貫通させた微細なスル−ホ−ル５を形成することがで
きる。この両面同時のエッチング処理により、回路パタ
−ン２及び導電層３も多少エッチング除去されて厚さが
多少薄くなった回路パタ−ン２Ａ及び導電層３Ａが得ら
れるが、その過剰にエッチングされることは好適に防止
できる。従って、後段のスル−ホ−ルメッキ処理による
導電層の厚み上昇分をそのエッチング量を加減すること
により適宜コントロ−ルすることが可能である。

【０００８】また、このような両面同時のエッチング処
理を採用することによって、例えば微細ビアホ−ル４の
みの片側からのエッチング処理では回路パタ−ン２の導
電層がエッチャントにより侵されて必要以上に薄くなる
等の事態を解消できるので、上記のような両面同時のエ
ッチング処理が望ましい。

【０００９】そして、同図（４）の如く、基板全体にス
ル−ホ−ルメッキ処理を施すことにより、微細スル−ホ
−ル７を含めてスル−ホ−ルメッキ層６を全体に有する
基板を得ることができるので、以下、常法に従って回路
配線パタ−ンニング処理を施して必要な回路基板を製作
することができる。

【００１０】

【発明の効果】本発明の回路基板に於ける微細スル−ホ
−ルの形成法によれば、例えばレ−ザ−手段によりビア
ホ−ルを形成する場合、穴径が０．０１ｍｍ程度の微細
なスル−ホ−ルの形成が可能となり、回路配線を形成す
る際の微細化に貢献できる。

【００１１】また、従来のようなドリル手段と比較する
と、バリ等の発生がない高品質のスル−ホ−ル形成が可
能な為、スル−ホ−ルの信頼性も高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従った回路基板に於ける微細スル−ホ
−ルの形成法を示す工程図

【符号の説明】

１ 絶縁べ−ス層 ２ 回路パタ−ン ２Ａ 回路パタ−ン ３ 導電層 ３Ａ 導電層 ４ 微細ビアホ−ル ５ スル−ホ−ル ６ スル−ホ−ルメッキ層 ７ 微細スル−ホ−ル

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁べ−ス層の両面に導電層を備えた材料
   を用意し、前記一方の導電層を加工してコンフォ−マル
   マスクとなる所要の回路パタ−ンを形成し、次いで露出
   した前記絶縁べ−ス層の部分を除去して微細ビアホ−ル
   を形成した段階で、前記回路パタ−ン及び導電層の両面
   に対してエッチング処理を施して前記微細ビアホ−ル部
   分にスル−ホ−ルを形成した後、スル−ホ−ルメッキ処
   理を施すことを特徴とする回路基板に於ける微細スル−
   ホ−ルの形成法。
2. 【請求項２】前記微細ビアホ−ルを化学的エッチング手
   段で形成した請求項１の回路基板に於ける微細スル−ホ
   −ルの形成法。
3. 【請求項３】前記微細ビアホ−ルをレ−ザ−手段で形成
   した請求項１の回路基板に於ける微細スル−ホ−ルの形
   成法。
4. 【請求項４】前記微細ビアホ−ルをプラズマ加工手段で
   形成した請求項１の回路基板に於ける微細スル−ホ−ル
   の形成法。