JP2002093950A - 電子部品の実装方法および電子部品実装体 - Google Patents

電子部品の実装方法および電子部品実装体

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JP2002093950A JP2000285726A JP2000285726A JP2002093950A JP 2002093950 A JP2002093950 A JP 2002093950A JP 2000285726 A JP2000285726 A JP 2000285726A JP 2000285726 A JP2000285726 A JP 2000285726A JP 2002093950 A JP2002093950 A JP 2002093950A
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slit
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elastic adhesive
connection terminal
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Hiroaki Kurihara
原 宏 明 栗
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Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 本発明は、実装される電子部品の大きさ
に略対応した大きさの絶縁基材のほぼ全面に多数の外部
接続端子が形成されている電子部品実装基板に電子部品
を実装する方法であり、絶縁基材、配線パターン、ソル
ダーレジスト層、多数の接続端子、および、裏面の急冷
履歴を有する熱硬化性弾性接着剤層を有し、電子部品の
Al電極が露出するスリットが形成された実装基板に、こ
のスリットから電子部品のAl電極が露出するように電子
部品を仮固定した後、このAl電極と、実装基板のスリッ
ト縁部に形成されているデバイス側接続端子とを導電性
金属線を用いてワイヤーボンディングする電子部品の実
装方法およびこの方法により実装された電子部品実装体
である。 【効果】本発明の実装方法によれば、電子部品の実装密
度を上げることができると共に、フィルムキャリア製
造、ICチップアセンブリを効率よく行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、例えばCSP(Chip Scale P
ackage)、ＢＧＡ(Ball Grid Array)、μ-ＢＧＡ(μ-Bal
l Grid Array)、ＦＣ(Flip Chip)などのように搭載され
る電子部品とほぼ同等のサイズである電子部品の実装基
板に電子部品を実装する方法およびこのような基板とこ
の基板に実装された電子部品とからなる電子部品実装体
に関する。
【０００２】
【従来技術】近年の電子機器の軽量短小化に伴って、電
子部品をより高い密度で実装すると共に、電子部品の実
装の信頼性を向上させるために、実装する電子部品の大
きさに略対応した大きさの基板のほぼ全面に外部接続端
子を配置したCSP(Chip ScalePackage)、ＢＧＡ(Ball Gr
id Array) μ-BGA(μ-Ball Grid Array)などの使用頻度
が高くなってきている。このようなCSPあるいはBGAなど
は、従来のデバイスホール内に電子部品に形成されてい
るバンプ電極とギャングボンディングする従来のTABテ
ープ（Tape Automated Bonding Tape）と比較すると、
電子部品の実装用の基板（例えば、フィルムキャリア）
を小さくすることができることから、電子部品の実装密
度を向上させることができるとの利点がある。
【０００３】しかしながら、これらのCSPあるいはBGAに
電子部品を実装する際には、実装しようとする電子部品
を一旦基板に貼着した後、電子部品のAl電極と電子部品
実装基板のデバイス側接続端子と接続する方法が一般に
採用されており、この電子部品を仮固定する接着剤は耐
熱性が低いことから、接着剤層を形成する際の加熱、電
子部品を実装する際の加熱などによってこの接着剤が熱
劣化することがあり、充分な接着強度が発現しないこと
がある。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、例えば、CSPあるいはBGAなど
のように実装される電子部品と略同一の大きさを有する
基板に電子部品を実装する方法を提供することを目的と
している。また、本発明は、このような基板と、この基
板に電気的に接続されて実装された電子部品とからなる
電子部品実装体を提供することを目的としている。
【０００５】
【発明の概要】本発明の電子部品の実装方法は、実装さ
れる電子部品の大きさに略対応した大きさの絶縁基材の
ほぼ全面に多数の外部接続端子が形成されている電子部
品実装基板に電子部品を実装する方法であって、絶縁基
材と、該絶縁基材の一方の面に形成された配線パターン
と、該配線パターンの電極を除く表面を被覆するソルダ
ーレジスト層と、該ソルダーレジスト層により被覆され
ていない配線パターンよりなる多数の接続端子と、該絶
縁基材の配線パターンが形成されていない面に電子部品
を仮固定するための熱硬化性弾性接着剤層と、該熱硬化
性弾性接着剤により電子部品を仮固定した際に該電子部
品に形成されているAl電極が該絶縁基材に形成されたデ
バイス側接続端子と接合可能に露出するスリットとを有
する電子部品実装基板に、該電子部品実装基板に形成さ
れたスリットから電子部品に形成されたAl電極が露出す
るように該電子部品を熱硬化性弾性接着剤で仮固定した
後、該電子部品に形成されているAl電極と、該電子部品
実装基板のスリット縁部に形成されているデバイス側接
続端子とを、導電性金属線を用いてワイヤーボンディン
グすること特徴としている。
【０００６】また、本発明の電子部品実装体は、絶縁基
材と、該絶縁基材の一方の面に形成された配線パターン
と、該配線パターンの電極を除く表面を被覆するソルダ
ーレジスト層と、該ソルダーレジスト層により被覆され
ていない配線パターンよりなり実装される電子部品とほ
ぼ同等の面積に多数形成された外部接続電極と、該絶縁
基材の配線パターンが形成されていない面に電子部品を
仮固定するための熱硬化性弾性接着剤層と、該熱硬化性
弾性接着剤により電子部品を仮固定した際に該電子部品
に形成されているAl電極が該絶縁基材に形成されたデバ
イス側接続端子と接合可能に露出するスリットと、該ス
リットの縁部に多数形成され上記外部接続端子にそれぞ
れ独立に接続しているデバイス側接続端子とを有する実
装基板と、該実装基板に電気的に接続された電子部品と
からなり、電子部品が該スリットから電子部品に形成さ
れたAl電極が露出するように仮固定されていると共に、
電子部品のAl電極と実装基板のデバイス側接続端子とが
導電性金属線で接続されていることを特徴としている。
【０００７】本発明の実装方法で使用される実装基板に
は熱硬化性弾性接着剤層が設けられており、この接着剤
層は、熱時形成された後、室温付近まで急冷される熱履
歴を有していることが好ましい。このように熱硬化性弾
性接着剤層を急冷することにより、熱硬化性弾性接着剤
が余熱によって熱変性することを防止できるので、常に
一定の条件で電子部品を配線基板に仮固定することがで
きる。
【０００８】また、本発明の実装方法で使用される実装
基板における熱硬化性弾性接着剤は、電子部品を固定し
た後も弾性を有するので、電子部品と電子部品実装基板
との熱膨張率の相違による電子部品と実装基板との間に
生ずる歪に起因する応力もこの熱硬化性弾性接着剤によ
って吸収されるので、こうした応力による断線などの不
良も発生しにくい。
【０００９】こうして本発明の方法で実装された電子部
品実装体は、Al電極、デバイス側接続端子間が導電性金
属線で確実に接続されていることからこのワイヤーボン
ディング部で導電不良などが発生しにくく、電子部品の
基板に対する実装信頼性が非常に高い。さらに、本発明
の電子部品実装体は、電子部品とほぼ同等の面積の基板
に外部接続端子が形成されていることから、電子部品の
実装密度を著しく向上させることができる。従って、本
発明の実装方法および電子部品実装体は、小型軽量化が
必要とされている電子機器に適用することで、こうした
電子機器の小型軽量化の要請を達成することができる。
【００１０】
【発明の具体的説明】次に本発明の電子部品の実装方法
および電子部品実装体について具体的に説明する。図１
は、本発明の実装方法で使用される実装基板について可
撓性樹脂フィルムを用いて連続的に多数製造する工程で
得られる実装基板を例にして模式的に示す平面図であ
り、図２は、上記のようにして製造される電子部品実装
基板の各製造工程によって得られるテープの断面を模式
的に示す断面図であり、図２(a)〜(d)は図１におけるX2
−X2断面図、図２(e)は図１におけるX1−X1断面図、図
２(f)および(g)は図１におけるX3−X3断面図であり、図
３(X3−X3断面図)および図４は本発明の実装方法により
電子部品を実装した状態の例を模式的に示す断面図であ
る。また、図５は、本発明の実装方法において実装基板
の接着剤のブリード量を測定する方法を示す説明図であ
る。なお、本発明において、同一の部材には同一の付番
を賦してある。
【００１１】本発明の実装方法は、例えばCSP(Chip Sca
le Package)、ＢＧＡ(Ball Grid Array)、μ-BGA（μ-B
all Grid Array）、ＦＣ(Flip Chip) およびＱＦＰ(Qua
d flatpack Package)などに関する実装する方法であ
る。本発明の実装方法で使用される実装基板９９は、図
１に示すように、実装される電子部品の大きさに略対応
した大きさの絶縁基材１１の対応表面のほぼ全面に多数
の外部接続端子３５が形成されていると共に、この外部
接続端子と接続しているデバイス側接続端子３４が形成
されている。図１には、幅方向に２個の実装基板９９,
９９が形成された状態が示されている。
【００１２】この実装基板９９には、そのほぼ全面に外
部接続端子３５が形成されており、図４に示すように、
この外部接続端子３４は、個別独立的に、スリット８０
の縁部に形成されているデバイス側接続端子３４と接続
している。即ち、この外部接続端子３５は、絶縁基材１
１の表面に形成されている配線パターン２４を介してデ
バイス側接続端子３４と接続している。デバイス側接続
端子３４および外部接続端子３５とを接続する配線パタ
ーン２４の表面は、ソルダーレジスト３６で被覆されて
いる。また、デバイス側接続端子３４および外部接続端
子３５の表面は、通常はメッキ処理されている。
【００１３】図４に示す例では、本発明の実装方法にお
いて、スリット８０の縁部に形成されているデバイス側
接続端子３４と、この電子部品実装基板の配線パターン
２４が形成されていない面に配置される電子部品(IC)に
形成されているAl電極８３とが導電性金属線９０によっ
てワイヤーボンディングされて接続された例が示されて
いる。
【００１４】このワイヤーボンディングに用いる導電性
金属線９０の種類によってデバイス側接続端子３４を処
理するメッキの種類は異なるが、例えば導電性金属線９
０が金線である場合には、メッキ処理としては、ニッケ
ル／金メッキが好適である。即ち、デバイス側接続端子
３４の表面にニッケルメッキをした後、形成されたニッ
ケルメッキ層の表面を金メッキすることが好ましい。導
電性金属線９０として金線を用いて超音波融着によって
ワイヤーボンディングする場合、ニッケルメッキ層の厚
さを金メッキ層の厚さよりも厚くすることが好ましく、
全メッキ層厚の６０％以上をニッケルメッキ層とするこ
とが特に好ましい。このニッケルメッキ層は硬質である
ので、金線をワイヤーボンディングする際に超音波の遮
蔽層となり、より効率的に金線のワイヤーボンディング
をすることができる。
【００１５】そして、ワイヤーボンディングする際に
は、電子部品を絶縁基材１１の配線パターン２４が形成
されていない面に電子部品(IC)を当接してスリット８０
からAl電極８３が露出するように電子部品(IC)を実装基
板に仮固定する必要があり、このために本発明の実装方
法では、基板の裏面に接着剤層５３が形成されている実
装基板を使用する。この接着剤層５３は、熱硬化性弾性
接着剤により形成されている。ここで使用されている接
着剤は、熱硬化性を有しているが、電子部品(IC)を固定
した後も弾性を有しており、絶縁基材１１と電子部品(I
C)との熱膨張係数の相違による両者間に生ずる歪を、こ
の接着剤層５３によって吸収することができる。従っ
て、本発明の実装方法では、上記のような実装基板を用
いて電子部品を実装することにより、実装された電子部
品の実装不良が大幅に低減できる。
【００１６】本発明で採用される上記のような実装基板
には、図４に示すように、実装する電子部品（IC）の大
きさと略同一の大きさの絶縁基材１１の表面に多数の外
部接続端子３５が形成されており、従って、本発明の実
装方法によれば、電子部品（IC）とほぼ同一の大きさの
領域に多数形成された外部接続端子３５を用いて外部と
電気的な接続を確保することができるので、電子部品
（IC）の実装密度を著しく高密度にすることができる。
【００１７】上記のように導電性金属線９０を用いてワ
イヤーボンディングした後、通常はこのワイヤーボンデ
ィング部であるスリットを埋め、デバイス側接続端子３
４およびAl電極８３を樹脂硬化体９５で被覆する。ここ
で使用される樹脂硬化体９５は、熱硬化性樹脂、光硬化
性樹脂、反応硬化性樹脂などの硬化性樹脂の硬化体であ
る。本発明で使用されるこのような硬化性樹脂の例とし
ては、エポキシ樹脂（硬化前駆体）およびシリコーン樹
脂を挙げることができる。この硬化性樹脂は単独である
いは組み合わせて使用することができる。
【００１８】本発明の実装方法で使用される実装基板
は、スリット８０が形成された絶縁基材１１の一方の面
に配線パターン２４を形成し、外部接続端子３５および
デバイス側接続端子３４を残してソルダーレジスト３６
を形成し、さらに、外部接続端子３５およびデバイス側
接続端子３４をメッキ処理した後、絶縁基材１１の配線
パターン２４が形成されていない面に熱硬化性弾性接着
剤層５３を形成することにより製造することができる
が、以下に記載するように、テープ状の絶縁フィルムを
用いて、このテープ状絶縁フィルムの両縁部に多数のス
プロケットホールを形成して連続的に製造する方法を採
用することにより有利に製造することができる。
【００１９】以下、この方法に沿って本発明の実装方法
で用いる実装基板について詳細に説明するが、これは本
発明の実装方法で用いる基板を製造するための一例であ
って、本発明はこれらによって限定的に解釈されるべき
ではない。本発明の実装方法で使用される実装基板では
絶縁基材１１として、可撓性を有し、かつ電気的に絶縁
性を有する樹脂フィルム１１を使用することができる。
【００２０】本発明の実装方法で使用される基板を製造
するのに好適な方法では、図２(a)に示すように、ま
ず、絶縁フィルム１１の一方の面に導電体箔１４を積層
する。ここで使用される絶縁フィルム１１は、可撓性を
有すると共に、エッチングする際に酸などと接触するこ
とからこうした薬品に侵されない耐薬品性、および、ボ
ンディングする際の加熱などによっても変質しないよう
な耐熱性を有している。このような絶縁フィルム１１を
形成する素材の例としては、ポリエステル、ポリアミド
およびポリイミドなどを挙げることができる。特に本発
明ではポリイミドからなるフィルムを用いることが好ま
しい。
【００２１】絶縁フィルム１１を構成するポリイミドフ
ィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族
ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェ
ニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから
合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド
を挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格
を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピレッ
クスS、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。こ
の方法で使用可能な絶縁フィルム１１の厚さは、通常は
２５〜１２５μm、好ましくは２５〜７５μmの範囲内に
ある。
【００２２】本発明で使用する絶縁フィルム１１の長さ
方向の両縁部に所定の間隔で多数のスプロケットホール
２３を有する。このスプロケットホール２３はパンチン
グなどにより形成することができる。上記のような絶縁
フィルム１１の一方の表面には導電体箔１４が積層され
ている。絶縁フィルム１１と導電体箔１４とは接着剤層
１２を介して積層することもできるし、また、このよう
な接着剤を用いることなく積層することもできる。
【００２３】本発明では、導電体箔として、導電性を有
し、厚さが通常は６〜１５０μｍ、好ましくは６〜７５
μmの範囲内、特に好ましく８〜７５μｍ、さらに好ま
しくは８〜５０μｍの範囲内にある金属箔を使用するこ
とができる。具体的には、導電性を有する金属箔の例と
しては、銅箔、アルミニウム箔などを挙げることができ
る。ここで使用される銅箔には、電解銅箔と圧延銅箔と
があるが、エッチング特性、操作性などを考慮すると電
解銅箔を使用することが好ましい。
【００２４】また、上記のような厚さの導電体箔（金属
箔）１４を直接絶縁フィルム１１に積層する代わりに、
非常に薄い金属箔（例えば６μm未満）を絶縁フィルム
１１に積層し、この積層された極薄金属箔表面に、例え
ば蒸着法あるいはメッキ法等によって金属を析出させて
導電性金属層を形成することもできる。さらに、このよ
うな蒸着法あるいはメッキ法などにより金属層を形成す
る場合に、絶縁フィルム１１表面に、直接金属を析出さ
せて所望の厚さの金属層（金属メッキ層、金属蒸着層な
ど）を形成しても良い。
【００２５】導電体箔１４は、絶縁フィルム１１の長さ
方向の縁部近傍に多数連続して形成されたスプロケット
ホール２３,２３の間の絶縁フィルム１１の表面に貼着
あるいは積層されている。上記のような導電体箔を接着
剤層１２を介して貼着する場合に、使用される接着剤の
例としては、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤お
よびフェノール系接着剤を挙げることができる。このよ
うな接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニ
ルアセタール樹脂などで変性されていてもよく、またエ
ポキシ樹脂自体がゴム変性されていてもよい。このよう
な接着剤で形成される接着剤層１２の厚さは、通常は８
〜２３μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にある。
このような接着剤は、絶縁フィルム１１の表面に塗布し
ても良いし、また導電性箔１４の表面に接着剤を塗布し
ても良い。また、絶縁フィルム１１を形成する樹脂と同
等の樹脂あるいはその前駆体を用いて導電性箔１４を積
層することもできる。
【００２６】本発明では、上記のような絶縁フィルム１
１に金属からなる層（金属箔層、金属メッキ層、金属蒸
着層あるいはこれらの複合金属層など）を積層してベー
スフィルム１５を製造する。なお、上記のように絶縁フ
ィルム１１に上記のように導電体箔１４を積層する代わ
りに、導電体箔１４に、絶縁フィルム１１を形成する樹
脂前駆体を塗布して導電体箔１４を支持体として上記塗
布した樹脂前駆体を硬化させて絶縁フィルム１１を形成
しても良い。例えば、電解銅箔の一方の面にポリイミド
前駆体を塗布し、このポリイミド前駆体を焼成してポリ
イミドフィルムとすることもできる。この際の絶縁フィ
ルム１１の厚さは、絶縁フィルムと導電体箔とを積層す
る場合よりも薄く、通常は２５〜１２５μm、好ましく
は２５〜７５μmである。即ち、本発明では、ベースフ
ィルム１５として、絶縁フィルム１１の全面に導電体箔
１４が積層された積層体を使用することもできる。こう
して形成されたベースフィルムは、導電性箔１４と絶縁
フィルム１１とを一体としてスプロケットホールなどが
形成される。
【００２７】次いで、図２(b)に示すように、この積層
された導電体箔１４の表面にフォトレジスト１６を塗布
する。そして、図２(c)に示すように、このフォトレジ
スト１６に所定のパターンを焼き付けて、不要のフォト
レジストを除去してベースフィルムの導電体箔１４の表
面に所定のパターンを形成し、このフォトレジスト１６
からなるパターンをマスキング材１７として、導電体箔
１４をエッチングする。
【００２８】即ち、ベースフィルム１５の導電体箔１４
表面に、フィトレジスト１６を塗布し、所定のパターン
を露光して焼き付けして、水性媒体に可溶な部分と不溶
な部分とを形成し、可溶部を水性媒体などで除去するこ
とにより、不溶性フォトレジストからなるマスキング材
１７を導電体箔１４表面に形成することができる。な
お、ここで不溶性フォトレジストからなるマスキング材
１７は、露光することにより硬化するフォトレジストか
ら形成されていてもよいし、また、逆に、露光すること
により水性媒体などの特定の溶媒に溶解可能となるフォ
トレジストを用いて露光した後、特定の溶媒により可溶
化された部分のフォトレジストを除去することによって
形成することもできる。
【００２９】こうしてフォトレジストによりマスキング
されたベースフィルム１５を、エッチング液と接触させ
ることにより、マスキングされていない部分の導電体箔
１４は溶出して、マスキングされた部分の導電体箔１４
が絶縁フィルム１１上に残り、絶縁フィルム１１上に溶
出しなかった導電体箔（あるいは金属層）１４からなる
配線パターン２４が形成される。ここでエッチング液と
しては通常使用されている例えば酸性エッチング液を用
いることができる。
【００３０】なお、このようにしてエッチングした後の
マスキング材１７（不溶性フォトレジスト）は、例えば
アルカリ洗浄液で洗浄することにより除去することがで
きる。図２(d)に示すように、導電体箔１４をエッチン
グして配線パターン２４を形成した後、この配線パター
ン２４の表面に、図１に付番３４で示すデバイス側接続
端子、付番３５で示す外部接続端子などを残して、露出
している配線パターン２４を保護するためにソルダーレ
ジスト３６を塗布する。
【００３１】本発明で使用されるソルダーレジスト塗布
液は、硬化性樹脂が有機溶媒に溶解若しくは分散された
比較的高粘度の塗布液である。このようなソルダーレジ
スト塗布液中に含有される硬化性樹脂の例としては、エ
ポキシ系樹脂、エポキシ系樹脂のエラストマー変性物、
ウレタン樹脂、ウレタン樹脂のエラストマー変性物、ポ
リイミド樹脂、ポリイミド樹脂のエラストマー変性物お
よびアクリル樹脂を挙げることができる。特にエラスト
マー変性物を使用することが好ましい。このようなソル
ダーレジスト塗布液中には、上記のような樹脂成分の他
に、硬化促進剤、充填剤、添加剤、チキソ剤および溶剤
等、通常ソルダーレジスト塗布液に添加される物質を添
加することができる。さらに、ソルダーレジスト層の可
撓性等の特性を向上させるために、ゴム微粒子のような
弾性を有する微粒子などを配合することも可能である。
【００３２】このようなソルダーレジスト塗布液は、ス
クリーン印刷技術を利用して塗布することができる。ソ
ルダーレジスト塗布液は、デバイス側接続端子３４、外
部接続端子３５など、次の工程でメッキ処理される部分
を除いて塗布される。このようなソルダーレジスト３６
の塗布平均厚さは、通常は１〜８０μｍ、好ましくは５
〜５０μｍの範囲内にある。
【００３３】こうしてソルダーレジスト塗布液を塗布し
た後、溶剤を除去し、樹脂を硬化させることによりソル
ダーレジスト層３６を形成する。ソルダーレジストを形
成する樹脂は、通常は加熱することにより硬化する。こ
のソルダーレジスト層３６を形成するための加熱硬化温
度は、通常は９０〜１８０℃、好ましくは１２０〜１６
０℃であり、この範囲内の温度に通常は１０分〜２時間
保持することにより樹脂が硬化する。
【００３４】このソルダーレジストは、フォトソルダー
レジストであってもよく、フォトソルダーレジスト塗
布、露光、現像と進めてパターンニングすることで形成
してもよい。こうしてソルダーレジスト層３６を形成し
た後、このソルダーレジスト層３６によって被覆されて
いない配線パターンの表面をメッキ処理する。
【００３５】本発明で採用することができるメッキ処理
方法としては、スズメッキ処理、ハンダメッキ処理、金
メッキ処理、ニッケル-金メッキ処理などを挙げること
ができる。特に本発明では、通常は、電子部品に形成さ
れているAl電極とデバイス側接続端子とを金線でワイヤ
ーボンディングして電子部品を実装することが多いこと
から、メッキ処理としては、ニッケル-金メッキ処理が
好ましい。このようなニッケル-金メッキ処理の場合、
導電性箔から形成されている電極の表面に、ニッケルメ
ッキ層および金メッキ層がこの順序で積層されるように
メッキ処理することが好ましい。さらに、ニッケルメッ
キ層の厚さを金メッキ層の厚さよりも厚くすることによ
り、例えば超音波などを用いた場合の金線のボンディン
グの信頼性（ボンダビリティー）が高くなる。このよう
な金メッキあるいはニッケル金メッキは、通常電気メッ
キにより形成される。
【００３６】このようにして接続端子にメッキ処理した
後、この実装基板が連続的に製造されたフィルムキャリ
アテープは、通常はスペーサを介して一旦リールに巻き
取られる。なお、本発明では、メッキ処理を少なくとも
デバイス側接続端子３４および外部接続端子３５の表面
に施すが、本発明で製造されるフィルムキャリアには、
通常は形成された配線パターンの短絡、断線などを調べ
るためのテストパット、電気メッキする場合には、メッ
キ用電極端子などが形成される。このメッキ用電極端子
は、導電体箔１４をエッチングすることにより形成され
ており、これらの表面も通常はメッキ処理される。
【００３７】このようにして絶縁フィルム１１の一方の
面にデバイス側接続端子３４および外部接続端子３５を
形成した後、絶縁フィルム１１の配線パターン２４が形
成されていない面３１（裏面）に、実装する電子部品を
仮固定するための熱硬化性弾性接着剤層５３を形成す
る。この熱硬化性弾性接着剤層５３は、熱硬化性であっ
てかつ弾性を有する接着剤を絶縁フィルム１１の配線パ
ターン２４が形成されていない面３１に直接塗布するこ
ともできるが、テープ状に予め賦形した熱硬化性弾性接
着剤テープを使用するのが有利である。ここで使用する
ことができる熱硬化性弾性接着剤テープとしては、例え
ば、図８に示すように、剥離用フィルム５２と保護フィ
ルム５１との間に熱硬化性弾性接着剤層５３を形成した
熱硬化性弾性接着剤テープ５０を挙げることができる。
この熱硬化性弾性接着剤テープ５０を用いた熱硬化性弾
性接着剤層５３の形成方法を図６に示す。
【００３８】図６において、上述のようにして配線パタ
ーンが形成されたテープ状の実装基板（フィルムキャリ
アテープ）１０は、テープが相互に接触しないようにセ
パレータ６１を介して巻き出しリール６２に巻き取られ
ている。この巻き出しリール６２に巻き取られたフィル
ムキャリアテープ１０を、送りロール６３ａ、６３ｂ、
６３ｃ、６３ｄ・・・などによりヒートローラ６５側に
送り出す。なお、フィルムキャリアテープ１０と共に巻
き出しリール６２に巻回されていたスペーサ６１は、フ
ィルムキャリアテープ１０の巻き出しに伴ってスペーサ
巻取りリール６４に巻き取られる。
【００３９】一方、剥離用フィルム５２と熱硬化性弾性
接着剤層５３と保護フィルム５１とがこの順序で積層さ
れている熱硬化性弾性接着剤テープ５０は、接着剤テー
プ巻き出しリール６６に巻回されており、この熱硬化性
弾性接着剤テープ５０がヒートローラ６５に送りローラ
６３ｅ、６３ｆ・・・などによって送り出される。この
際に保護フィルム５１は、送りローラ６３ｇなどを介し
て保護フィルム巻取りリール６７に巻き取られる。従っ
て、ヒートローラ６５に供給されたフィルムキャリアテ
ープ１０の配線パターンが形成されていない面３１と熱
硬化性弾性接着剤テープ５０の保護フィルム５１が剥離
された熱硬化性弾性接着剤層５３とが、このヒートロー
ラ６５の部分で対面する。
【００４０】ヒートローラ６５に供給されたフィルムキ
ャリアテープ１０および熱硬化性弾性接着剤テープ５０
は、ヒートローラ６５と受けローラ６８との間を通過す
る際に加熱加圧されて貼着される。こうして熱硬化性弾
性接着剤テープ５０が貼着されたフィルムキャリアテー
プのＸ１−Ｘ１断面図の例を図２(e)に、Ｘ３−Ｘ３断
面図を図２(f)に示す。
【００４１】この際のヒートローラの温度は、熱硬化性
弾性接着剤をテープ状の電子部品実装基板（フィルムキ
ャリアテープ）１０に貼着させた後、さらに電子部品を
仮固定する接着力が残存する範囲の温度に設定され、使
用する熱硬化性弾性接着剤の種類によって異なるが、通
常は２０〜２００℃、好ましくは１００〜１５０℃の範
囲内の温度に設定される。また、このときのヒートロー
ラ６５と受けローラ６８とによってフィルムキャリアテ
ープ１０に賦与される圧力は、線圧で通常は１〜５kg/c
m、好ましくは２〜４kg/cmである。このような条件で熱
硬化性弾性接着剤テープ５０をフィルムキャリアテープ
１０に貼着することにより、この貼着されて形成された
熱硬化性弾性接着剤層５３には再度の加熱・加圧による
接着性が内在する。
【００４２】こうして熱硬化性弾性接着剤層５３を形成
したフィルムキャリアテープ１０は、次の工程でスリッ
ト８０を形成した後、巻取りリール６９に巻回される
が、熱硬化性弾性接着剤層５３を形成する際にこのフィ
ルムキャリアテープ１０は、ヒートローラ６５によって
加熱されていることから、巻き取られた状態では未だ加
熱状態にある。仮にこのようなフィルムキャリアテープ
１０をそのまま巻取りリール６９に巻き取ったとする
と、図７に示すように、巻き芯側温度Temp.1と、巻き中
側温度Temop.2と、巻き外側温度Temp.3とでは、温度条
件が著しく相違する。この温度は巻き芯側温度Temp.1が
最も高く、次いで巻き中側温度Temop.2、そして巻き外
側温度Temp.3が最も低くなる。しかも、このようなフィ
ルムキャリアテープ１０の長さは、数百ｍにも及ぶこと
があり、熱硬化性弾性接着剤テープ５０をフィルムキャ
リアテープに貼着する工程だけでも数時間に及ぶことが
ある。従って、巻取りリール６９に巻回され始めの芯側
のフィルムキャリアテープは高い温度で数時間保持され
るのに対して、巻回終わりの巻き外側のフィルムキャリ
アテープは、こうした温度に保持される時間が非常に短
くなる。
【００４３】このような状態でフィルムフィルムキャリ
アテープを放置するリールの巻き芯側と巻き外側とで
は、フィルムキャリアテープを保持する温度条件が著し
く異なる。このようなフィルムキャリアテープにおいて
は、裏面に形成した熱硬化性弾性接着剤が最も耐熱性が
低い。そして、上記のようにしてヒートローラを用いて
加熱下に熱硬化性弾性接着剤をフィルムキャリアテープ
の裏面に貼着してリールに巻回すると、熱硬化性弾性接
着剤を貼着する際に加えた熱がリールに巻回されるまで
には放熱されきれず、フィルムキャリアテープが熱い状
態でリールに巻回することになる。そして、このように
して一旦リールに巻き取られると、フィルムキャリアテ
ープからはさらに放熱しにくくなる。従って、巻き芯側
のフィルムキャリアテープは、巻き外側フィルムキャリ
アテープよりも、こうした高温条件下に長時間晒される
ことになる。
【００４４】この熱硬化性弾性接着剤層５３を形成する
接着剤は、長時間高温条件下に晒されると熱劣化を起こ
して充分な接着性を示さないことがある。図５におい
て、このブリード量は、スリット８０の内側に染み出し
た接着剤の平均幅Ａで表される。このため上記のような
耐熱性の低い粘着剤を加熱圧着する場合には、加熱圧着
長さを１０ｍ程度に区切って接着剤を塗布し、巻取りリ
ールに巻回して放熱するのを待って次の１０ｍの塗布工
程を行うと方法で、巻取りリールに巻回されたフィルム
キャリアテープへの蓄熱量を低減する方法が採用でき
る。しかしながら、こうした間欠的な接着剤の塗布によ
っても巻取りリールに巻回されたフィルムキャリアテー
プの温度が一定にはならない。また、このように間欠的
に接着剤を塗布したのでは、フィルムキャリアテープの
生産性が著しく低下する。
【００４５】そこで、本発明では、図６に示すように、
ヒートローラ６５で熱硬化性弾性接着剤テープ５０をフ
ィルムキャリアテープ１０の配線パターンが形成されて
いない面に加熱圧着した後、このフィルムキャリアテー
プ１０を急速に冷却する方法により実装基板を製造する
ことが好ましい。具体的にはヒートローラ６５で熱硬化
性弾性接着剤テープ５０とフィルムキャリアテープ１０
とを加熱圧着した直後にこの複合テープにスポットクーラー
７２から冷風を吹き付けてこのテープの温度を通常は２
５℃以下、好ましくは２５℃〜２０℃に冷却する。この
ようにスポットクーラー７２を用いてヒートローラ６５で概
略１００℃以上の温度に加熱されたテープを、２５℃以
下に急速に冷却する。さらに、電子部品を仮固定する際
の加熱圧着によるブリード量が一定になり且つ少なくな
る。
【００４６】このブリード量は、図５に示すように、上
記のようにして製造したフィルムキャリアテープのデバ
イス側接続端子部分にデバイスに形成されているAl電極
が露出するようにスリットを形成し、このスリットが形
成されたフィルムキャリアをガラス基板に加熱圧着（温
度：１２０℃、圧力（線圧）：１．５kg/cm）で圧着し
たときに、絶縁フィルムからスリット内部にはみ出した
接着剤の平均幅Aである。
【００４７】上記のように急冷することによりこのブリ
ード量を、通常は０．４mm以上、好ましくは０．５mm以
上にすることができる。また、巻き取りリールの芯側に
巻き取られる電子部品実装基板と、リール外側に巻き取
られる電子部品実装用フィルムキャリアテープとで、ブ
リード量の差異がなく、こうして製造された実装基板
は、安定した品質を有する。
【００４８】このように熱硬化性弾性接着剤のブリード
量を低減するために、スポットクーラーを使用して冷却する
場合、上記のように急冷条件でスポットクーラーからの風量
および温度に特に制限はないが、フィルムキャリアテー
プの被冷却面積１０cm2あたり、通常は、０．１〜１０m
3／分、好ましくは１〜５m3／分程度の量の冷却空気を
吹き付ける。このときの冷却空気の温度は、通常は１０
〜３０℃、好ましくは１５〜２０℃である。
【００４９】なお、こうして冷却して形成された熱硬化
性弾性接着剤層５３の表面には、剥離用フィルム５２が
貼着されており、電子部品を仮固定するまでの間この熱
硬化性弾性接着剤層５３の表面を保護している。このよ
うに急冷することにより熱硬化性弾性接着剤層５３は熱
時形成された後、室温付近まで急冷される熱履歴を有す
る実装基板は、巻取りリールに巻回されている間に熱接
着性弾性接着剤の熱変化が少なく、製造された時期（最
初に製造されてリールの巻き芯側に巻回されたテープと
最後に製造されてリールの巻き外側に巻回されたテー
プ）による実装基板に品質のばらつきが少ないという電
子部品を実装する際に非常に重要となる製品特性の安定
という点で非常に優れている。
【００５０】こうして裏面に熱硬化性弾性接着剤層５３
を形成し、次いでこのフィルムキャリアテープ１０を急
速に冷却した後、デバイス側接続端子の部分に熱硬化性
弾性接着剤層５３が設けられた側から電子部品を当接し
たときに、電子部品に形成されたAl電極が露出してフィ
ルムキャリアの表面に形成されているデバイス側接続端
子とワイヤーボンディング可能に接続ができるようにス
リットを形成する。
【００５１】即ち、上記のような実装基板を製造する際
には、上述のように、配線パターン２４を形成し、ソル
ダーレジストを塗布した後、ソルダーレジストにより被
覆されていない配線パターン２４（主として、デバイス
側接続端子、外部端子、テストパットなど）をメッキ処
理するが、ワイヤーボンディングに好適な金メッキ、ニ
ッケル-金メッキなどは、電解メッキにより形成するこ
とが好ましい。このような電気メッキにより配線パター
ンの表面をメッキ処理する場合、メッキしようとする配
線パターン全体に電流を流す必要があり、このために通
常は、スプロケットホール２３，２３の内側に長さ方向
に沿って連続したメッキ用電極８１、８１を使用する。
このメッキ用電極８１，８１は、デバイス側接続端子３
４，３４，・・・と接続するように絶縁フィルム１１表
面を内方向に屈曲して延設され、デバイス側接続端子３
４，３４，３４・・・と接合している。このメッキ用電
極８１に電流を流しながらメッキ液と接触することによ
り、デバイス側接続端子３４，３４，３４・・・、外部
接続端子３６，３６,・・・に必要な電流を流し表面に
メッキ層（図示なし）が形成される。
【００５２】こうしてメッキ層が形成された後のメッキ
用電極８１は、電子部品の実装には不用であり、さらに
メッキ用電極８１の両側に接合しているデバイス側接続
端子３４は電気的に絶縁する必要がある。即ち、接合端
子に例えば金メッキを施すためには、メッキしようとす
る金属部分に電流を流すために図２(e)のＸ１−Ｘ１断
面図に示すように、両側縁部に形成されているスプロケ
ットホール２３，２３の内側にメッキ用電極８１，８１
を形成し、このメッキ用電極８１，８１は、図２(f)のＸ
３−Ｘ３断面図に示されるように、フィルムの内側に延
設され、デバイス側接続端子３４と接続して、デバイス
側接続端子３４および外部接続端子３５にメッキするこ
とができる。しかしながら、メッキ工程終了後は、これ
らのデバイス側接続端子３４，３４・・・および外部接
続端子３５，３５・・・は、それぞれが電気的に独立し
ていることが必要になり、従って、メッキ工程終了後に
は、図２(f)に示すデバイス側接続端子３４，３４・・
・を連結するメッキ用電極８１とデバイス側接続端子３
４，３４・・・とを切断する必要がある。
【００５３】そこで、本発明の実装方法で使用される基
板を製造するに際しては、図２(g)に示すように、デバ
イス側接続端子３４，３４，３４・・・と接続している
メッキ用電極８１の部分をスリット状に切除して、搭載
されるデバイスの表面に形成されたAl電極８３,８３・
・・とデバイス側接続端子３４,３４,３４・・・とが、
導電性金属線９０によるワイヤーボンディング可能なよ
うに露出するスリット８０を形成する。
【００５４】形成されるスリット８０は、実装が予定さ
れるデバイスに形成されているバンプ端子８３がワイヤ
ーボンディング可能に露出するスリット幅を有してお
り、通常は０．１〜２．０mm、好ましくは０．３〜１．
０mmである。そして、このような幅のスリットを形成す
ることにより、デバイス側接続端子３４，３４・・・と
メッキ用電極との接続も解消され、形成されるスリット
８０の同一の縁部に形成され、隣接するデバイス側接続
端子３４，３４・・・も電気的に相互に独立し、さらに
スリット８０の対峙する縁部に形成されたデバイス側接
続端子３４，３４・・・もそれぞれ独立した存在にな
る。
【００５５】なお、このスリット８０は、メッキ用電極
８１および絶縁フィルム１１は勿論、熱硬化性弾性接着
剤層５３とその表面にある保護フィルム５２をも貫通す
るように形成される。このようなスリット８０は、パン
チング、レーザーによる穿孔など種々の方法により形成
することができるが、このフィルムキャリアテープが異
なる素材からなる多層積層体であることから、これらの
素材の影響を受けにくいパンチングにより形成すること
が好ましい。
【００５６】図６には、フィルムキャリアテープを急冷
するスポットクーラー７２よりもテープ流れ方向下流に、パ
ンチ駆動装置８６によって上下するパンチ８７および支
持台８５からなるスリット形成装置８８が配置されてい
る。このスリット形成装置８８には、例えば光学的位置
合わせ手段（図示なし）などの位置合わせ装置が備えら
れており、この位置合わせ手段と連動しており、パンチ
８７がパンチ駆動装置８６により上下に駆動されて、所
定の位置にスリットを形成することができるようにされ
ている。
【００５７】なお、このスリット８０は、図１及び図２
等にはひとつの実装基板９９に1本のスリット８０が形
成された態様が示されているが、本発明で使用する実装
基板には、実装しようとする電子部品に対応させて、複
数のスリットが形成されていてもよいことは勿論であ
る。本発明でパンチングによりスリットを形成する場
合、形成しようとするスリット幅（１００％）に対し
て、通常は８５〜１０５％の範囲内、好ましくは９０〜
１００％の範囲内の幅を有するパンチを用いる。このよ
うに形成されるスリット幅よりもわずかに狭いパンチを
用いてパンチングによりスリット形成断面が非常にきれ
いになる。即ち、スリットを形成する配線パターンが形
成されている部分は、少なくとも、メッキ層／導電体箔
／接着剤層／絶縁フィルム／熱硬化性弾性接着剤層／保
護フィルムの６層構造を有しており、上方からパンチを
押し下げてスリットを形成する際にパンチの移動に伴っ
て導電体箔（端子）、接着剤層を形成する接着成分など
が、スリット内に引出されることがあり、例えばパンチ
の移動に伴ってスリット内に接着成分が引出される。こ
の接着成分などによってデバイスに形成されたAl電極が
汚染されることがありこれらの汚染がワイヤーボンディ
ングの際の障害になることがある。このような基板を形
成する層を構成する成分をスリット内に引出さないよう
にパンチングする際には形成しようとするスリットの幅
とこのスリットを形成するパンチの幅を上記の範囲内に
設定することが好ましい。具体的には、スリットの幅
が、通常０．１〜２．０mm、好ましくは０．３〜１．０
mmの範囲内にある場合、こうしたスリットを形成するた
めのパンチとしては、形成しようとするスリット幅より
も０〜５０μm、好ましくは０〜１０μｍ狭い幅のパン
チの使用が望ましい。こうした幅に選定したパンチを用
いてスリットを形成することにより、スリットの壁面
（切断面）が整った層状になり、後の工程でデバイスを
ボンディングする際のボンディング不良が発生しにくく
なる。
【００５８】このスリットを形成する際には、通常は、
フィルムキャリアテープは急冷されほぼ室温付近の温度
になっていることから、スリットを形成するパンチに接
着剤などが付着しにくくなりパンチの洗浄を頻繁に行う
必要がなくなり、連続してスリットを形成することがで
きる。こうしてスリット８０などが形成されたフィルム
キャリアテープは、送りローラ６３ｉなどによって巻取
りリール６９側に移送される。
【００５９】巻取りリール６９には、フィルムキャリア
テープ(絶縁フィルム表面に基板が多数連続的に形成さ
れたテープ)と共に巻回されるスペーサがスペーサ巻出
しリール７０から供給され、巻取りリール６９にフィル
ムキャリアテープとスペーサとが交互に層状になって巻
き取られる。なお、ここで使用されるスペーサは、フィ
ルムキャリアテープとほぼ同等もしくはやや広めの幅を
有すると共に両縁部に凹凸が形成された合成樹脂フィル
ムからなり、巻取りリール６９に巻回されたフィルムキ
ャリアテープが相互に接触せず、且つフィルムキャリア
テープ間に空間を形成して空気の流通を可能にしてい
る。
【００６０】そして、こうして製造され、巻取りリール
に巻き取られたフィルムキャリアテープは、熱硬化性弾
性接着剤層を形成直後に急冷されていることから、巻き
芯側温度Temp.1と、巻き中側温度Temp2と、巻き外側温
度Temp3とに大きな差がなく、巻き芯側温度Temp.1と、
巻き中側温度Temp2と、巻き外側温度Temp3との最大温度
差は通常は５℃以下、好ましくは２℃以下である。従っ
て、巻取りリール６９において、巻き芯側の基板が巻き
外側の基板よりも高温に長時間保持され熱劣化すること
がなく、全体として均一な実装基板をテープ状に連続し
て製造することができる。
【００６１】本発明では、こうして製造された実装基板
を、ＣＳＰ、ＢＧＡ、ＦＣ、ＱＦＰなど、外部接続端子
が形成されている領域とほぼ同等の大きさの電子部品を
実装するための基板として使用する。図３および図４に
示すように、上記のようにして製造された実装基板９９
の熱硬化性弾性接着剤層５３の保護フィルムを剥離し、
スリット８０に対応する位置に電極が形成された電子部
品を基板の裏面から当接して加熱・加圧して実装基板と
電子部品とを接着させて仮固定する。このときの加熱温
度は、使用される熱硬化性弾性接着剤によっても異なる
が、通常は９０〜１８０℃、好ましくは１３０〜１７０
℃であり、電子部品および基板が破損しない程度の圧力
をかけて電子部品と基板とを接着させる。
【００６２】こうして基板と電子部品とを接着する接着
剤は、接着後も弾性を有している。この加熱硬化性弾性
接着剤を用いてデバイスを加熱圧着した後の接着剤の体
積弾性率は、通常は５０〜９００MPa/35℃、好ましくは
５００〜８００MPa/35℃である。この弾性によって、基
板と電子部品との熱膨張係数の差などによって生ずる歪
は、この熱硬化性弾性接着剤によって緩和されるので、
生じた歪によって電極近傍の配線が断線するといった不
良品の発生率を低減することができる。
【００６３】こうして電子部品を実装基板の裏面に仮固
定した後、スリットに露出している電子部品のAl電極８
３と、基板のスリットの縁部に形成されているデバイス
側接続端子３４とをワイヤーボンディングする。このワ
イヤーボンディングには、金線、金合金線、アルミニウ
ム線などの導電性金属線９０が使用される。特に本発明
の実装方法では、導電性金属線９０として金線を使用す
ることが好ましい。このような金線などの導電性金属線
の太さは、通常は１０〜５０μm、好ましくは１８〜３
８μmの範囲内にある。ワイヤーボンディングには、熱
および／または超音波などを用いたボンディング装置の
ようなワイヤーボンディングに使用される通常のボンデ
ィング装置を用いることができる。ボンディングに例え
ば、超音波を使用する場合、通常は０．１〜３．０ｗ、
好ましくは０．３〜２．５Hzの超音波を一箇所のボンデ
ィング部位に対して通常は１〜５０ms、好ましくは５〜
４０msかける。
【００６４】こうしてワイヤーボンディイングにより電
子部品を基板に実装した後、必要により硬化性樹脂など
により電子部品と基板とを一体化する。通常は、デバイ
ス側接続端子とをボンディングしている導電性金属線が
埋没して保護するように硬化性樹脂をスリット８０内に
流し込み、Al電極８３、導電性金属線９０をこの硬化性
樹脂で覆うと共に、導電性金属線９０がボンディングさ
れているデバイス側接続端子３４もこの樹脂で被覆す
る。ここで使用される硬化性樹脂としては、熱硬化性樹
脂、光硬化性樹脂、反応硬化性樹脂などの硬化性樹脂を
挙げることができる。このような硬化性樹脂の具体的な
例としては、エポキシ樹脂（硬化前駆体）およびシリコ
ーン樹脂を挙げることができる。この硬化性樹脂は単独
であるいは組み合わせて使用することができる。また、
この硬化性樹脂には、この硬化性樹脂の硬化体に弾性を
付与するために、エラストマー成分などを配合して、電
子部品（IC）と実装基板９９との熱膨張率に差によって
生ずる歪応力、あるいは、硬化性樹脂が硬化する際に収
縮することによって生ずる歪応力が、導電性金属線、Al
電極、デバイス側接続端子およびこれらの接合部分に直
接作用しないようにすることができる。さらに、この硬
化性樹脂には、電子部品の封止樹脂に通常配合されてい
るシリコン系フィラーなどを配合することもできる。
【００６５】このような硬化性樹脂を塗布した後、使用
した硬化性樹脂の種類に対応させて、加熱あるいは紫外
線照射など硬化処理によりこの硬化性樹脂を硬化させて
樹脂硬化体９５とする。本発明の実装方法では、スリッ
ト８０を設けることによりAl電極８３とデバイス側接続
端子３４とを導電性金属線９０を用いて電気的に確実に
接続することができる。さらに、このスリット８０内に
硬化性樹脂９５を導入してAl電極８３、デバイス側接続
端子３４および導電性金属線９０を樹脂硬化体９５で被
覆し、さらに電子部品（IC）と実装基板９９とを、硬化
させた樹脂硬化体９５によって非常に強固に接合する。
そして、通常は、図４に破線で示すように、電子部品
（IC）の外周を封止樹脂９６で被覆して実装基板９９と
電子部品（IC）とを一体化し、余剰の実装基板９９（封
止樹脂９６より外側の実装基板）を切除する。
【００６６】こうして形成された電子部品実装体を用い
ることにより、電子部品（IC）を実装基板９９にワイヤ
ーボンディングにより容易に実装することができる。し
かもスリット８０内に硬化性樹脂を導入して硬化させる
ことにより、この電気的接続部を安定に封止することが
できる。また、電子部品（IC）を仮固定する接着剤およ
びスリット８０に導入されて硬化した樹脂硬化体９５に
は共に弾性をもたせることができるので各部材の特性の
相違などによって生ずる歪応力が電気的接続部分に集中
するのを有効に防止することができ、実装された電子部
品（IC）の電気的な接続信頼性が非常に高くなる。
【００６７】そして、上記のようにして本発明の実装方
法で電子部品を実装することにより、外部接続端子の形
成面積と電子部品の占有する面積とがほぼ同一になり、
電子部品の実装密度は、例えば電子部品をデバイスホー
ル内に配置し、このデバイスホール内にインナーリード
を延設して実装する従来の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ（例：ＴＡＢテープ）の実装密度に対して数
倍以上、さらには好適には１０倍以上になる。
【００６８】
【発明の効果】本発明の電子部品の実装方法によれば、
実装しようとする電子部品の大きさに略対応した大きさ
の基板の対応表面のほぼ全面に多数の外部接続端子が形
成された実装基板（フィルムキャリア）をテープ状に多
数連続的に製造することができると共に、こうしてテー
プ状に連続して形成された実装基板に電子部品（IC）を
連続的に実装することができる。そして、本発明の方法
によれば、電子部品の面積と外部接続端子が設けられて
いる面積とがほぼ同等になり、従って、電子部品を非常
に高い密度で実装することができる。
【００６９】しかも、本発明の実装方法では、配線パタ
ーンが形成されている絶縁フィルムの面の反対の面に電
子部品を仮固定するために弾性接着剤層を有する基板を
用いる。そして、弾性接着剤を絶縁フィルムに加熱圧着
した後、このフィルムを室温付近にまで急速に冷却す
る。このように裏面に弾性接着剤を加熱圧着した後急速
に冷却することによって、最初に製造されたリールの巻
き芯側に巻回された基板と、最後に製造されリールの巻
き外側に巻回された基板とを同一の温度条件でリールに
巻回することができる。従って、リールの巻き芯側に巻
回された最初に製造された基板がリールに巻回されてい
る間の熱的な特性変化を防止することができる。特に電
子部品を貼着して仮固定した際に電子部品の電極が露出
しているスリット内に弾性接着剤が流れ出すことが少な
く、電子部品に形成されている電極と基板に形成されて
いるデバイス側接続端子とをワイヤーボンディングした
際のボンディングの信頼性が著しく向上する。
【００７０】また、本発明で使用される実装基板は、裏
面に弾性接着剤層を形成直後に急速に冷却するのでリー
ルに巻回して放熱させる必要がないので、弾性接着剤層
を連続的に形成することができ、基板を製造するのに要
する時間を著しく短縮することができ、コスト的に有利
である。また、実装基板をテープ状で製造した場合、こ
の基板の長さは数百メートルにも及ぶことがあるが、テ
ープ状にして連続して製造される実装基板（フィルムキ
ャリア）テープのいずれの位置の基板も同一の特性を有
し、得られた電子部品実装体に特性のばらつきが少な
い。
【００７１】さらに、本発明の方法では、端子部分に電
気メッキを施す際に必要になるメッキ用端子をスリット
を形成する際に同時に撤去することができるので、テー
プ状で実装基板を連続的に製造する工程が簡素化され、
従って本発明の電子部品実装体の製造も容易になり、コ
スト的にも有利である。また、本発明の実装方法によれ
ば、電子部品の実装密度を上げることができると共に、
フィルムキャリア製造、ICチップアセンブリを効率よく
行うことができる。
【００７２】
【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明の電子部
品実装方法および電子部品実装体についてさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらによって限定されるもので
はない。
【００７３】
【実施例１】図１に示すように、厚さ７５μmのポリイ
ミドフィルム（商品名：ユーピレックスS、宇部興産
（株）製）からなる絶縁フィルムの両縁部に所定間隔で
スプロケットホールを形成した。このスプロケットホー
ルを形成したポリイミドフィルムのスプロケットホール
間に厚さ１５μｍの電解銅箔を貼着した。
【００７４】この電解銅箔の貼着には、ポリイミドフィ
ルムの両側縁部に形成されたスプロケットホールを間に
塗設されたエポキシ系接着剤を用いた。次いで、この電
解銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、このフォトレ
ジストに図１に示すような所定のパターンを露光・現像
し、このフォトレジストをマスキング材としてエッチン
グにより配線パターンを形成し、配線パターン形成後、
アルカリ洗浄してマスキング材であるフォトレジストを
除去した。
【００７５】こうして配線パターンを形成した後、外部
接続端子、デバイス側接続端子、メッキ用端子、テスト
パットなどを除く配線パターン上にソルダーレジストを
塗布し、硬化させた。このソルダーレジストの硬化後の
平均厚さは、２５μｍである。形成された配線パターン
は、デバイス側接続端子を相互に接続するように後の工
程でスリットを形成する位置にメッキ端子が延設されて
いる。
【００７６】次いで、メッキ用電極を陰極として、外部
接続端子、デバイス側接続端子、メッキ用端子、テスト
パットなどの金属露出面に下地メッキ層として平均厚さ
２μｍのニッケルメッキ層を形成した後、このニッケル
メッキ層の表面に平均厚さ０．５μｍの金メッキ層を形
成し、このテープ状に形成された電子部品実装基板を両
縁部に凹凸が形成されたポリエチレンテレフタレートか
らなるスペーサーフィルムと共にリールに巻き取った。
【００７７】これとは別に、厚さ２５μmの２枚のポリ
エチレンテレフタレートフィルムの間にエポキシ樹脂か
らなる熱硬化性弾性接着剤（日立化成（株）製、商品
名：HS-202）をサンドイッチして、幅２６mmの熱硬化性
弾性接着剤テープを製造した。この接着剤は、硬化前に
は９００MPa/35℃の弾性率を有しており、加熱硬化後は
８００MPa/35℃の弾性率を有している。
【００７８】上記のようにして得られた電子部品実装基
板を図６に示すように巻き出しリールからヒートローラ
に供給すると共に、このヒートローラに、上記熱硬化性
弾性接着剤テープ（一方の面のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム（保護フィルム）を剥離したもの）をヒー
トローラに供給し、電子部品実装基板の配線パターンが
形成されていない面（裏面）と熱硬化性接着剤テープの
接着剤面とを加圧（線圧換算値：３kg/cm）しながら加
熱下に接触させてテープ状に形成された電子部品実装基
板の裏面に熱硬化性接着剤層を連続的に形成した。上記
ヒートローラは１５０℃に加熱されており、このヒート
ローラを通過した直後の電子部品実装基板の温度は、１
３０〜１４０℃である。
【００７９】こうしてヒートローラを通過して裏面に熱
硬化性接着剤層が貼着されたテープ状の電子部品実装基
板に１９.６℃の冷気をフィルムキャリアテープ１０cm2
あたり１m3／分の量で冷気供給量を有するスポットクーラー
を用いて、テープ状の電子部品実装基板を２４.５℃に
一気に冷却した。次いで、この冷却されたテープ状の電
子部品実装基板のデバイス側接続端子側に形成されてい
るメッキ用電極を切除するようにデバイス側接続端子間
に幅０．６mm、長さ１０mmのスリットを形成した。この
スリットの形成には、形成されるスリット幅０．６mmに
対して１００％幅を有するパンチを使用した。
【００８０】こうしてスリットが形成されたテープ状の
電子部品実装基板を巻取りリールにスペーサを介して巻
き取った。こうして全長約１００mのテープ状に形成さ
れた電子部品実装基板の裏面に熱硬化性接着剤層を形成
すると共に、スリットを形成する工程を連続して行っ
た。この工程に要した時間は０．５時間であった。
【００８１】巻取りリールに巻回したテープ状の電子部
品実装基板について巻き芯側、巻き中側、巻き外側の温
度を測定したが、いずれも２５℃であり、この巻取りリ
ールに巻かれた実装基板に蓄熱はされていなかった。こ
の実装基板の製造した後、巻き芯側の実装基板、巻き中
側（巻き始めから約５０ｍの位置）の実装基板および巻
き外側（巻き始めから約１００ｍの位置）の実装基板を
試験用のサンプルとして切り出した。この切り出したサ
ンプルを図５に示すようにガラス基板の表面に１２０℃
に加熱して１．５kg/cm2の圧力で接着させ、スリット内
側にはみ出した熱硬化性接着剤のブリード量Aを測定し
た。このときの室温は２４℃、湿度は６０％である。こ
のブリード量Aの測定は、実装基板を製造した直後に行
った。結果を表１に示す。
【００８２】また、上記のようにして巻取りリールに巻
回された状態でテープ状の電子部品実装基板を２４℃で
４８時間保持した後、同様にして巻き外側、巻き中側、
巻き芯側の基板について同様にしてブリード量Aを測定
した。結果を表１に併せて記載する。
【００８３】
【表１】
【００８４】スポットクーラーで急冷しないテープ状の基板
を巻取りリールに巻回して４８時間放置すると、熱いま
まで巻回したテープ状の基板が巻回されることから、リ
ールに巻かれた状態で、巻き芯側のテープ状の基板と、
巻き外側のテープ状基板における熱による接着剤の特性
変化が生じ、リールに巻かれている位置によって製造直
後のブリード量と４８時間放置した後のブリード量との
差が非常に大きくなる。これに対して、スポットクーラーを
用いて急冷した本発明の電子部品実装基板では、上記表
１に示すように製造直後のブリード量と４８時間経過後
のブリード量との差が、テープ状の基板の巻かれている
位置によっては大きくは変化しない。
【００８５】ブリード量の測定値には±３０μmの測定
誤差があり、製造直後、４８時間後とも、ほぼ同じブリ
ード量を示していることがわかる。上記のようにして形
成された実装基板に、スリットに対応する位置にAl電極
が形成された電子部品を、熱硬化性弾性接着剤を用いて
仮固定し、スリットに露出した電子部品のAl電極と、ス
リットの縁部に形成されたデバイス側接続端子とを金線
を用いてワイヤーボンディングした。このワイヤーボン
ディングに使用した金線の太さは２５μmであり、１ｗ
の超音波を１０ms秒間かけることにより、金線とAl電極
および金線とデバイス側接続端子とをボンディングし
た。
【００８６】こうしてテープ状に製造された実装基板の
熱硬化性弾性接着剤層が形成されている面から当接して
仮固定した電子部品をワイヤーボンディングした後、ス
リット内にエポキシ系樹脂硬化前駆体をスクリーン印刷
で塗布し、スリット内にこのエポキシ系樹脂硬化前駆体
を充填すると共に、この前駆体によってAl電極、金線お
よびデバイス側接続端子を被覆し、１５０℃に１時間加
熱保持することにより、このエポキシ系樹脂硬化前駆体
を硬化させてこの硬化したエポキシ樹脂硬化体によりス
リットを封止した。
【００８７】さらに、ワイヤーボンディングされた電子
部品の表面を上記と同様のエポキシ樹脂前駆体を用いて
被覆し硬化させて電子部品実装体を製造した。得られた
電子部品実装体について不良率を測定したが、断線など
による不良品の発生率は低かった。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の方法で使用されるテープ状に
形成された実装基板（フィルムキャリアテープ）の例を
模式的に示す平面図である。
【図２】図２は、本発明で使用される実装基板をテープ
状に製造する際に各工程におけるテープ状に形成される
実装基板の断面の例を模式的に示す図である。
【図３】図３は、本発明の方法により実装基板に電子部
品を実装した例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の方法により実装基板に電子部
品を実装した例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明で使用される実装基板における
ブリード量を測定する方法を説明するための断面図であ
る。
【図６】図6は、本発明で使用されるテープ状の電子部
品実装基板を製造する際の熱硬化性弾性接着剤層を形成
する工程およびスリットを形成する工程を説明するため
の図である。
【図７】図７は、本発明で使用されるテープ状の電子部
品実装基板を巻取りリールに巻回した状態を示す図であ
る。
【図８】図８は、本発明で使用される熱硬化性弾性接着
剤テープの例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０・・・テープ状に多数形成された電子部品実装基板 １１・・・絶縁フィルム １２・・・接着剤 １４・・・導電性金属箔 １５・・・ベースフィルム １６・・・フォトレジスト １７・・・マスキング材 ２３・・・スプロケットホール ２４・・・配線パターン ３１・・・配線パターンが形成されていない面 ６８・・・受けローラ ６９・・・巻取りリール ７０・・・スペーサ巻き出しリール ７２・・・スポットクーラー ８０・・・スリット ８１・・・メッキ用電極 ８３・・・Al電極 ８５・・・支持台 ８６・・・パンチ駆動装置 ８７・・・パンチ ８８・・・スリット形成装置 ９０・・・導電性金属線 ９５・・・樹脂硬化体（硬化性樹脂） ９９・・・実装基板

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 実装される電子部品の大きさに略対応し
    た大きさの絶縁基材のほぼ全面に多数の外部接続端子が
    形成されている電子部品実装基板に電子部品を実装する
    方法であって、 絶縁基材と、該絶縁基材の一方の面に形成された配線パ
    ターンと、該配線パターンの電極を除く表面を被覆する
    ソルダーレジスト層と、該ソルダーレジスト層により被
    覆されていない配線パターンよりなる多数の接続端子
    と、該絶縁基材の配線パターンが形成されていない面に
    電子部品を仮固定するための熱硬化性弾性接着剤層と、
    該熱硬化性弾性接着剤により電子部品を仮固定した際に
    該電子部品に形成されているAl電極が該絶縁基材に形成
    されたデバイス側接続端子と接合可能に露出するスリッ
    トとを有する電子部品実装基板に、該電子部品実装基板
    に形成されたスリットから電子部品に形成されたAl電極
    が露出するように該電子部品を熱硬化性弾性接着剤で仮
    固定した後、該電子部品に形成されているAl電極と、該
    電子部品実装基板のスリット縁部に形成されているデバ
    イス側接続端子とを、導電性金属線を用いてワイヤーボ
    ンディングすること特徴とする電子部品の実装方法。
  2. 【請求項２】 上記熱硬化性弾性接着剤層が、熱時形成
    された後、室温付近まで急冷される熱履歴を有すること
    を特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装方法。
  3. 【請求項３】 上記熱硬化性弾性接着剤が、硬化後も弾
    性を有することを特徴とする請求項第１項記載の電子部
    品実装方法。
  4. 【請求項４】 上記導電性金属線が金線であることを特
    徴とする請求項第１項記載の電子部品の実装方法。
  5. 【請求項５】 上記少なくともデバイス側接続端子の表
    面がメッキ処理されていることを特徴とする請求項第１
    項記載の電子部品の実装方法。
  6. 【請求項６】 上記外部接続端子およびデバイス側接続
    端子が、ニッケル／金メッキされており、かつ該ニッケ
    ルメッキ層が金メッキ層よりも厚いことを特徴とする請
    求項第１項または第５項記載の電子部品実装方法。
  7. 【請求項７】 上記デバイス側接続端子とAl電極とを導
    電性金属線を用いてワイヤーボンディングした後、少な
    くとも、該導電性金属線が張設されているスリット、Al
    電極およびデバイス側接続端子を樹脂硬化体で被覆する
    ことを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装方
    法。
  8. 【請求項８】 上記電子部品実装基板が、両側縁部に多
    数のスプロケットホールが形成された長尺の可撓性樹脂
    フィルムを絶縁基材としてテープ状に多数形成されてお
    り、該テープ状に形成された電子部品実装基板の熱硬化
    性弾性接着剤層側から、電子部品を順次当接して仮固定
    し、該仮固定された電子部品のAl電極とデバイス側接続
    端子とを連続的にワイヤーボンディングすることを特徴
    とする請求項第１項記載の電子部品の実装方法。
  9. 【請求項９】 上記スリットの幅が、０．１〜２．０ｍ
    ｍの範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の
    電子部品実装方法。
  10. 【請求項１０】 上記熱硬化性弾性接着剤が、実装され
    る電子部品と、絶縁基材との熱膨張率の差を吸収し得る
    弾性率を有すること特徴とする請求項第１項記載の電子
    部品実装方法。
  11. 【請求項１１】 絶縁基材と、該絶縁基材の一方の面に
    形成された配線パターンと、該配線パターンの電極を除
    く表面を被覆するソルダーレジスト層と、該ソルダーレ
    ジスト層により被覆されていない配線パターンよりなり
    実装される電子部品とほぼ同等の面積に多数形成された
    外部接続電極と、該絶縁基材の配線パターンが形成され
    ていない面に電子部品を仮固定するための熱硬化性弾性
    接着剤層と、該熱硬化性弾性接着剤により電子部品を仮
    固定した際に該電子部品に形成されているAl電極が該絶
    縁基材に形成されたデバイス側接続端子と接合可能に露
    出するスリットと、該スリットの縁部に多数形成され上
    記外部接続端子にそれぞれ独立に接続しているデバイス
    側接続端子とを有する実装基板と、該実装基板に電気的
    に接続された電子部品とからなり、電子部品が該スリッ
    トから電子部品に形成されたAl電極が露出するように仮
    固定されていると共に、電子部品のAl電極と実装基板の
    デバイス側接続端子とが導電性金属線で接続されている
    ことを特徴とする電子部品実装体。
  12. 【請求項１２】 上記電子部品を仮固定する熱硬化性弾
    性接着剤層が、電子部品の仮固定前に、熱時形成された
    後、室温付近まで急冷される熱履歴を有することを特徴
    とする請求項第１１項記載の電子部品実装体。
  13. 【請求項１３】 上記電子部品を仮固定している熱硬化
    性弾性接着剤が、弾性を有することを特徴とする請求項
    第１１項記載の電子部品実装体。
  14. 【請求項１４】 上記熱硬化性弾性接着剤が、実装され
    た電子部品と、絶縁基材との熱膨張率の差を吸収し得る
    弾性率を有すること特徴とする請求項第１３項記載の電
    子部品実装体。
  15. 【請求項１５】 上記導電性金属線が金線であることを
    特徴とする請求項第１１項記載の電子部品実装体。
  16. 【請求項１６】 上記少なくともデバイス側接続端子の
    表面がメッキ処理されていることを特徴とする請求項第
    １１項記載の電子部品実装体。
  17. 【請求項１７】 上記外部接続端子およびデバイス側接
    続端子が、ニッケル／金メッキされており、かつ該ニッ
    ケルメッキ層が金メッキ層よりも厚いことを特徴とする
    請求項第１１項または第１６項記載の電子部品実装体。
  18. 【請求項１８】 少なくとも、上記デバイス側接続端子
    とAl電極とを電気的に接続するように導電性金属線が張
    設されているスリット、Al電極およびデバイス側接続端
    子部分が樹脂硬化体で被覆されていることを特徴とする
    請求項第１１項記載の電子部品実装体。
  19. 【請求項１９】 上記スリットの幅が、０．１〜２．０
    ｍｍの範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載
    の電子部品実装体。
  20. 【請求項２０】 上記スリット、Al電極およびデバイス
    側接続端子部分を被覆する樹脂硬化体が、エポキシ樹脂
    硬化体およびシリコーン樹脂よりなる群から選ばれる樹
    脂硬化体であることを特徴とする請求項第１８項記載の
    電子部品実装体。
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