JP2002092950A - 光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オーバーライト記録回数が少ないといわれて
いる溶融系の相変化型記録材料の特性改善を実現する光
情報記録媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 第一誘電体層２および第二誘電体層４が
記録層３と接触する面を含む層のうち少なくとも一方
が、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰｔからなる群か
ら選択される金属の酸化物あるいはその酸化物と硫化亜
鉛の混合体からなる誘電体材料により構成される層であ
るとし、記録層３は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、およびＴｅを
含む系で構成された材料であるとし、反射層５は、Ａ
ｇ、あるいはＡｇを９０％以上含む合金であるとする。
また、誘電体材料をターゲットとし、稀ガスおよび酸素
でスパッタする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型記録材料
により書き換え可能とした光情報記録媒体および該光情
報記録媒体の製造方法に関し、特に高線速対応およびオ
ーバーライトによる良好な記録が行えるとともに環境変
化に強い光情報記録媒体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータ技術などの発達とと
もに、光情報記録媒体が用いられる機会も増加し、ます
ます重要な存在となっている。それに従って、光情報記
録媒体の製造方法に関する発明も以下のように多数考案
されている。

【０００３】特開平０８−１１５５３６号公報が開示す
るところの光記録媒体（以下、従来例１）では、第二誘
電体層を１ｎｍ以上５０ｎｍ以下とし、急冷構造をとる
ことによって、多数回記録消去の安定性を高める構成が
開示されており、熱伝導率の大きい金属単体または合金
の光吸収層が設けられている。

【０００４】また、特開平０８−２８７５１５号公報が
開示するところの光学的情報記録媒体（以下、従来例
２）では、Ｎｂ₂ Ｏ₅ を３０ｍｏｌ％以下含む誘電体が
記載されている。

【０００５】また、特開平０９−０４４９０４号公報が
開示するところの光ディスクとその製法（以下、従来例
３）では、照射による記録膜の温度特性が熱しやすくさ
めやすい特性を有するように、熱伝導制御層が設けられ
ている。

【０００６】また、特開平０５−２１７２１１号公報が
開示するところの相変化型光記録媒体（以下、従来例
４）では、ＺｎＳＳｉＯ₂ とＳｉＣとの積層構造が記載
されており、記録層側がＳｉＣとなっている。

【０００７】また、特開平０６−３１４４３９号公報が
開示するところの光学的情報記録媒体およびその製造方
法（以下、従来例５）では、記録層周辺の誘電体膜を稀
ガスのみでスパッタして形成する。記録層から離れた誘
電体は窒素または酸素と稀ガスによりスパッタする。

【０００８】また、特開平１１−０８６３４１号公報が
開示するところの光記録媒体（以下、従来例６）では、
ＺｎＳＳｉＯ₂ とＳｉＣとの交互積層とし、高線速対応
およびＤＯＷ回数の向上が可能であることが記載されて
いる。

【０００９】記録型光ディスクのうち、相変化型記録デ
ィスクは、一般にプラスチック基板、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ₂ 、カルコゲン系相変化記録媒体、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ₂ 、およびＡｌ系合金のような４層構成の膜構成を持
っている。

【００１０】ここで、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ は誘電体材料と
して用いられており、この誘電体材料は、瞬間的に融点
以上に昇温する記録層の熱から基板を保護するとともに
記録層の変形や破損を防ぐといった効果を有する。さら
に、光干渉効果により記録情報再生時に十分な信号強度
を得たり、記録時に良好な形状のアモルファスマークを
形成するのに適した冷却速度を実現するといった効果も
併せて持つ。

【００１１】そのために、この誘電体材料には、充分な
耐熱性、大きな屈折率、および適当な熱伝導率等といっ
た特性を有することが要求される。このような誘電体材
料としては、各種の酸化物、窒化物、カルコゲナイド化
合物あるいはこれらの混合物が知られている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】一般的に、最も頻繁に
用いられている誘電体材料ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ と溶融系の
相変化型記録材料ＡｇＩｎＳｂＴｅとの組み合わせで
は、オーバーライト記録回数は１０００〜１００００回
程度であり、固相記録消去系の相変化型材料ＧｅＳｂＴ
ｅに比べるとその回数は少ないとされていた。

【００１３】また、一方では、記録および消去の処理時
間を短縮するために記録材料の相変化に関わる処理速度
の向上も要求されていた。この要求を実現するために
は、記録層材料の周辺における急冷構造を設ける必要が
ある。

【００１４】このような急冷構造の具体例としては、誘
電体層と反射層側の間に熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ〜２０
０Ｗ／ｍＫである金属の光吸収層を設ける構造（従来例
１）、および誘電体材料の面からは熱伝導性に優れた材
料を積層する構造（従来例６）などがある。

【００１５】しかしながら、熱伝導性を過度に向上させ
ると、記録パワーを増加させなければ完全なアモルファ
ス化が行うことできないといった問題点の他、モデュレ
ーションがとれないなどの問題点が生じてしまうため、
その熱伝導性のレベルの調整が必要となる。

【００１６】さらに、多層構造で熱伝導性を向上させる
構造では、記録時の加熱による熱膨張性の差から膜界面
における応力が発生し、界面での剥離を生ずる可能性も
ある。また、プロセス上も、成膜するための成膜処理槽
を設けなくてはならず、処理槽の数が増え、工程が増え
るため歩留まりが落ちてしまうなどコストアップとなる
要因が同時に発生してしまう。

【００１７】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、オーバーライト記録回数の向上および急冷構
造による対応線速改善を実現し、特に、オーバーライト
記録回数が少ないといわれている溶融系の相変化型記録
材料ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の特性改善を実現する光情報記
録媒体およびその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、透明基板上に少なくとも、
第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、反射層を有し、
これらの層を順次積層した相変化型の光情報記録媒体で
あって、第一誘電体層および第二誘電体層が記録層と接
触する面を含む層のうち少なくとも一方が、炭素を除く
IVｂ族元素を含まない化合物、あるいは化合物と硫化亜
鉛の混合体からなる誘電体材料により構成される層であ
ることを特徴とする光情報記録媒体。

【００１９】従って、請求項１記載の発明は、時的に繰
り返し記録および消去されることにより生じる記録材料
への誘電体材料成分の拡散が起きても、初期の熱バラン
スを崩さない材料で誘電体層を形成することによって、
繰り返し記録および消去の回数を飛躍的に向上すること
が可能となる。さらに、ＺｎＳとの混合膜とした場合
は、ＺｎＳの成膜速度が速いので生産性を落とすことが
なく、ＺｎＳの結晶化による膜のクラック発生等の弊害
を抑制することが可能となる。

【００２０】また、請求項２記載の発明によれば、請求
項１記載の光情報記録媒体において、化合物は、Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰｔからなる群から選択され
る金属の酸化物であることを特徴とする。

【００２１】従って、請求項２記載の発明によれば、あ
る程度の熱伝導性を有する金属の酸化物を誘電体層に用
いることによって、高線速記録および消去に対応した適
当な熱伝導の誘電体層を得ることが可能となる。

【００２２】また、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰ
ｔからなる群から選択される金属の酸化物単独では熱伝
導が大き過ぎる場合でも、ＺｎＳを混合することによっ
て、熱伝導の増大を押さえることができるとともに高線
速に対応した反射放熱層への冷却効果を保持することが
可能となる。

【００２３】また、請求項３記載の発明によれば、請求
項１または２記載の光情報記録媒体において、第一誘電
体層および第二誘電体層のうち少なくとも一方が組成の
異なった誘電体材料の複数層からなり、誘電体膜が記録
層と接触する面近傍３ｎｍ以上は誘電体材料により構成
されることを特徴とする。

【００２４】従って、請求項３記載の発明によれば、誘
電体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化合
物と、その化合物と硫化亜鉛の混合体と、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される金属の酸化
物と、のいずれかを用いる場合、誘電体材料を層全体と
して用いなくとも、記録材料への誘電体材料成分の拡散
を起こさないためのバリア層として、上記の誘電体層を
用いることによって、繰り返し記録および消去の回数を
飛躍的に向上することが可能となる。

【００２５】また、請求項４記載の発明によれば、請求
項１から３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体にお
いて、記録層は、溶融記録系材料のＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、
およびＴｅを含む系で構成された材料であることを特徴
とする。

【００２６】従って、請求項４記載の発明によれば、記
録材料として溶融記録および消去系の材料であるＡｇＩ
ｎＳｂＴｅを用いることによって、溶融時に材料成分を
容易に拡散させることが可能となる。

【００２７】また、請求項５記載の発明によれば、請求
項１から４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体にお
いて、反射層は、Ａｇ、あるいはＡｇを９０％以上含む
合金であることを特徴とする。

【００２８】従って、請求項５記載の発明によれば、反
射層用材料として、熱伝導性が良好であるＡｇまたはＡ
ｇを９０％以上含む合金を用いることによって、高線速
対応のための急冷構造が容易に実現することが可能とな
る。また、誘電体材料として用いるＺｎＳ中のイオウと
Ａｇとの反応による反射層の腐食は添加する材料および
製造条件により対処可能である。

【００２９】また、請求項６記載の発明は、透明基板上
に少なくとも、第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、
反射層を有し、これらの層を順次積層する相変化型の光
情報記録媒体の製造方法であって、第一誘電体層および
第二誘電体層が記録層と接触する面を含む層のうち少な
くとも一方を、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化合
物、あるいは化合物と硫化亜鉛の混合体からなる誘電体
材料により生成する誘電体層生成工程を有することを特
徴とする。

【００３０】従って、請求項６記載の発明は、時的に繰
り返し記録および消去されることにより生じる記録材料
への誘電体材料成分の拡散が起きても、初期の熱バラン
スを崩さない材料で誘電体層を形成することによって、
繰り返し記録および消去の回数を飛躍的に向上すること
が可能となる。さらに、ＺｎＳとの混合膜とした場合
は、ＺｎＳの成膜速度が速いので生産性を落とすことが
なく、ＺｎＳの結晶化による膜のクラック発生等の弊害
を抑制することが可能となる。

【００３１】また、請求項７記載の発明によれば、請求
項６記載の光情報記録媒体の製造方法において、化合物
は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰｔからなる群か
ら選択される金属の酸化物であることを特徴とする。

【００３２】従って、請求項７記載の発明によれば、あ
る程度の熱伝導性を有する金属の酸化物を誘電体層に用
いることによって、高線速記録および消去に対応した適
当な熱伝導の誘電体層を得ることが可能となる。

【００３３】また、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰ
ｔからなる群から選択される金属の酸化物単独では熱伝
導が大き過ぎる場合でも、ＺｎＳを混合することによっ
て、熱伝導の増大を押さえることができるとともに高線
速に対応した反射放熱層への冷却効果を保持することが
可能となる。

【００３４】また、請求項８記載の発明によれば、請求
項６または７記載の光情報記録媒体の製造方法におい
て、第一誘電体層および第二誘電体層のうち少なくとも
一方を組成の異なった誘電体材料の複数層として生成
し、誘電体膜が記録層と接触する面近傍３ｎｍ以上を誘
電体材料により生成する誘電体膜接触面生成工程を有す
ることを特徴とする。

【００３５】従って、請求項８記載の発明によれば、誘
電体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化合
物と、その化合物と硫化亜鉛の混合体と、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される金属の酸化
物と、のいずれかを用いる場合、誘電体材料を層全体と
して用いなくとも、記録材料への誘電体材料成分の拡散
を起こさないためのバリア層として、上記の誘電体層を
用いることによって、繰り返し記録および消去の回数を
飛躍的に向上することが可能となる。

【００３６】また、請求項９記載の発明によれば、記録
層は、請求項６から８のいずれか１項に記載の光情報記
録媒体の製造方法において、溶融記録系材料のＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、およびＴｅを含む系で構成された材料である
ことを特徴とする。

【００３７】従って、請求項９記載の発明によれば、記
録材料として溶融記録および消去系の材料であるＡｇＩ
ｎＳｂＴｅを用いることによって、溶融時に材料成分を
容易に拡散させることが可能となる。

【００３８】また、請求項１０記載の発明によれば、請
求項６から９のいずれか１項に記載の光情報記録媒体の
製造方法において、反射層は、Ａｇ、あるいはＡｇを９
０％以上含む合金であることを特徴とする。

【００３９】従って、請求項１０記載の発明によれば、
反射層用材料として、熱伝導性が良好であるＡｇあるい
はＡｇを９０％以上含む合金を用いることによって、高
線速対応のための急冷構造が容易に実現することが可能
となる。また、誘電体材料として用いるＺｎＳ中のイオ
ウとＡｇとの反応による反射層の腐食は添加する材料お
よび製造条件により対処可能である。

【００４０】また、請求項１１記載の発明によれば、請
求項６から１０のいずれか１項に記載の光情報記録媒体
の製造方法において、誘電体材料をターゲットとし、稀
ガスのみでスパッタすることを特徴とする。

【００４１】従って、請求項１１記載の発明によれば、
誘電体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化
合物、およびその化合物と硫化亜鉛の混合体を用いた場
合、その誘電体材料をターゲットとし、稀ガスのみでス
パッタすることによって、簡便に成膜することが可能と
なり、生産性が向上する。

【００４２】また、請求項１２記載の発明によれば、請
求項６から１０のいずれか１項に記載の光情報記録媒体
の製造方法において、誘電体材料をターゲットとし、稀
ガスに加え酸素ガスを導入してスパッタすることを特徴
とする。

【００４３】従って、請求項１２記載の発明によれば、
酸化物中の酸素含有量を増大させることによって、熱伝
導性を低下させることが可能となるとともに、記録およ
び消去時に半導体レーザからのエネルギーを記録層周辺
に留めることが可能となる。また、記録層を囲む誘電体
の熱伝導性の制御が容易になり、光情報記録媒体の熱的
な面での設計上の対応範囲を拡大することが可能とな
る。

【００４４】また、請求項１３記載の発明によれば、請
求項６から１０のいずれか１項に記載の光情報記録媒体
の製造方法において、誘電体材料をターゲットとし、誘
電体膜が記録層と接触する面近傍３ｎｍ以上に、稀ガス
に加え酸素ガスを導入してスパッタし、さらに記録層と
離れた部分を稀ガスのみでスパッタすることを特徴とす
る。

【００４５】従って、請求項１３記載の発明によれば、
誘電体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化
合物、およびその化合物と硫化亜鉛の混合体を用いた場
合、その誘電体材料をターゲットとし、誘電体膜と記録
層と接触する面近傍３ｎｍ以上を稀ガスに加え酸素ガス
を導入してスパッタし、さらに記録層と離れた部分を稀
ガスのみでスパッタすることによって、酸素導入の時間
制御のみで記録層を囲む誘電体の熱伝導性の制御を容易
に実現し、光情報記録媒体の熱的な面での設計上の対応
範囲を拡大することが可能となる。

【００４６】また、請求項１４記載の発明によれば、請
求項１２または１３記載の光情報記録媒体の製造方法に
おいて、酸素ガスの分圧が1.0 ×10^-4〜9.0 ×10^-4Torr
であることを特徴とする。

【００４７】従って、請求項１４記載の発明によれば、
酸素の分圧を1.0 ×10^-4〜9.0 ×10 ^-4Torrとすることに
よって、記録層の劣化を伴うことなく、誘電体への酸化
物の導入を実施することが可能となる。

【００４８】また、請求項１５記載の発明によれば、請
求項７記載の光情報記録媒体の製造方法において、ター
ゲットの比抵抗が１０Ωｃｍ以下であり、誘電体膜を直
流スパッタあるいは直流マグネトロンスパッタにより製
造することを特徴とする。

【００４９】従って、請求項１５記載の発明によれば、
ターゲットの比抵抗が１０Ωｃｍ以下であり、Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰｔからなる群から選択され
る金属の酸化物、あるいはその酸化物と硫化亜鉛の混合
体とからなる誘電体材料により構成される誘電体膜を高
周波スパッタと比較して安価で成膜速度も速い直流スパ
ッタあるいは直流マグネトロンスパッタにより製造する
ことによって、装置コストを削減するとともに、光情報
記録媒体製造面で効率的に生産することが可能となる。

【００５０】

【発明の実施の形態】（実施例の構成）一般的に、最も
頻繁に用いられている誘電体材料ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ と溶
融系の相変化型記録材料ＡｇＩｎＳｂＴｅとが組み合わ
せられた誘電体層では、オーバーライト記録回数は１０
００〜１００００回程度であり、固相記録消去系の相変
化型材料ＧｅＳｂＴｅによる誘電体層と比べると、その
回数は小さな値をとるとされている。

【００５１】その理由は、ＡｇＩｎＳｂＴｅでは四族元
素（特にIVｂ族のＧｅ、Ｓｎ）が記録層材料中に入り込
むと記録材の結晶化温度が上昇することが知られている
が、オーバーライト記録消去時に経時的に誘電体材料Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ₂ 中のIVｂ族元素Ｓｉが徐々に膜中に入り
込むため材料バランスが崩れ、結果として、熱的な特性
が経時的に変化するためと考えられる。

【００５２】そこで、誘電体を周期率表のIVｂ族元素を
含まない系で構成し誘電体層を形成する。ただし、これ
らの材料単体では成膜速度が遅く、生産効率性の面で不
利となりかねないので、これらの酸化物材料と従来から
使用されている高速性膜可能な誘電体材料ＺｎＳとの混
合物としてもよい。

【００５３】更に、誘電体層にはアモルファス化を容易
に実現し、高速処理に適した材料が好ましいため誘電体
の中でも比較的熱伝導性が調整できる材料が望ましい。
このような材料としては、ある材料組成の欠損により電
気伝導性が若干でも良くなる材料が好ましいので、その
ような材料の中から選ぶことができる。具体的には、誘
電体層は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒ
ｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰｔからな
る群から選択される金属の酸化物で構成される。

【００５４】また、相変化記録材料を半導体レーザで照
射した際に、必要となる適度な熱伝導性を得ることが重
要となるが、一般的に使われている硫化亜鉛（ＺｎＳ）
と硫化亜鉛より熱伝導が良好な上記の金属の酸化物を混
合することによって、必要となる適度な熱伝導性を得る
ことができる。

【００５５】ＺｎＳ自体は熱伝導性が悪く熱を記録層周
辺に保持するのに適している。一方これらの酸化物は熱
伝導性が良好なので急冷構造を形成するのに適してい
る。ＺｎＳ単体では相変化材料を高速で非結晶化しにく
く更に材料自体が経時的に結晶化し易い。

【００５６】一方、上記の金属の酸化物単体では相変化
記録材料に熱が保持されないので結晶化するためには過
大なレザーパワーが必要になる。ＺｎＳと上記の金属の
酸化物との実用的な含有比率としては、酸化物の比率が
５mol%以上６０mol%以下である。

【００５７】誘電体材料を周期率表のIVｂ族元素を含ま
ない系で構成した誘電体層を形成する厚みは少なくとも
３ｎｍあれば良い。記録層の両側でなくとも、少なくと
も片側がIVｂ族元素を含まない系で構成した誘電体層で
あればオーバライト記録回数を向上することができる。

【００５８】また、第二誘電体層４を２層化し、反射層
５側に熱伝導の良いＳｉＣ、あるいはＡｌＮのような材
料を用いることによって、書き換え可能な光情報記録媒
体における書き換え回数と記録密度の向上を実現する構
成も考えられる。さらに、２層化した際の材料配列順序
を流動可能とする構成をとることによって、書き換え可
能な光情報記録媒体におけるその線速対応冗長性の向上
を実現する。

【００５９】次に、記録層材料との関連では、ＧｅＳｂ
Ｔｅを主成分とした材料系は溶融温度が約６００℃と高
く、情報記録媒体として半導体レーザで照射した限りで
は固相のままで一部が結晶化している。

【００６０】一方、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系は溶融温度が約
２００℃と低く、半導体レーザの照射により溶融変化し
て全体的に結晶化がすすんでいる。このような溶融して
相変化させる場合の方が材料成分の拡散が起こりやすい
ので、これらの誘電体材料は溶融記録および消去系の材
料であるＡｇＩｎＳｂＴｅを含む記録材料に関して特に
有効である。

【００６１】反射層用材料としては、熱伝導性の良好な
Ａｇ系の反射層の方が高線速対応のための急冷構造が実
現しやすい。Ａｇを９０％以上含む材料であれば、混合
物による熱伝導性の劣化は光情報記録媒体としては問題
とならない。誘電体材料として用いるＺｎＳ中のイオウ
とＡｇとの反応による反射層の腐食は添加する材料およ
び製造条件により対処可能である。純Ａｇを用いる場合
でも反射層の誘電体側に２ｎｍ程度の薄いバリア層を設
ければ良い。

【００６２】また、これらの膜の製造方法としては、タ
ーゲットの状態で充分調整しておけば、稀ガス元素Ａｒ
のみにより最も簡便に成膜を実施できる。

【００６３】さらに、Ａｒに加えて反応性ガスの酸素を
導入して成膜してもよい。特にＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、およびＰｔからなる群から選択される金属の酸化物
材料は、元来酸素欠損により電気伝導性が優れているの
で、酸素を添加しながら成膜することでその電気伝導
性、つまり熱伝導性を調整することができる。

【００６４】記録層近傍では熱伝導性を抑え、近傍から
離れた部分では熱伝導性を向上させることで記録層の結
晶化と非結晶化に必要な除冷と急冷という相反する温度
プロファイルを実現できる。

【００６５】ここで、酸素を導入して成膜する場合は酸
素により記録層材料が酸化される場合があるが、1.0 ×
10^-4〜9.0 ×10^-4Torrの酸素分圧であれば記録層を酸化
劣化させずに光情報記録媒体を製造することが可能であ
る。

【００６６】また、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰ
ｔからなる群から選択される金属の酸化物材料は導電性
があるためターゲットにした状態で１０Ωcm以下であれ
ば、直流スパッタあるいは直流マグネトロンスパッタ、
またはパルス印可的に改造した直流スパッタあるいは直
流マグネトロンスパッタで成膜できる。このときの混合
比は元の酸化物材料の含有量により異なるが、１０^-4Ω
cm台の材料であれば、１５vol%以上である。

【００６７】図１は、本発明の一実施例における光情報
記録媒体の構造を示す図である。光情報記録媒体は、透
明基板１と、第一誘電体層２と、記録層３と、第二誘電
体層４と、反射層５と、保護層６と、を有する。

【００６８】透明基板１は、ポリカーボネートなどによ
る透明プラスチック基板であって、厚みは０．６ｍｍま
たは１．２ｍｍ厚である。第一誘電体層２は、厚みは５
０〜２５０ｎｍである。

【００６９】相変化型記録層３は、基本的な材料組成は
Ａｇ１−Ｉｎ８−Ｓｂ６５−Ｔｅ２６（数字は原子％）
となる四元系の材料、またはＡｇ２−Ｉｎ５−Ｓｂ７１
−Ｔｅ２０−Ｇｅ２（数字は原子％）となる五元系材料
を用い、厚みは８〜３０ｎｍである。第二誘電体材料層
４は、厚みは１０〜３０ｎｍである。

【００７０】反射層５は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕなど
の金属層で、厚みは１００〜２００ｎｍである。保護層
６は、有機材料により構成されており、各層の膜厚は光
学的熱的な特性上で最適化し微調整されるので、以下の
各実施例では、幅をもって記述する。

【００７１】（第１の実施例における構成および動作）
プラスチック基板として厚さが０．６ｍｍのポリカーボ
ネートの透明基板１上にマグネトロンスパッタ装置を用
いて光情報記録媒体を成膜した。第一誘電体層２は、Ｚ
ｎＳ・ＴｉＯ₂ とした。組成はＺｎＳ８０％ ＴｉＯ₂
２０％（モル比）であり、膜厚は７０ｎｍである。

【００７２】次に、相変化記録層である記録層３は、Ａ
ｇ２−Ｉｎ５−Ｓｂ７１−Ｔｅ２０−Ｇｅ２（比率はモ
ル比）を２０ｎｍの膜厚で成膜した。この組成の記録膜
は結晶化速度が中程度で、中線速記録に適している。

【００７３】第二誘電体層４も、第一誘電体層と同組成
のＺｎＳ・ＴｉＯ₂ の混合膜とした。膜厚は１５ｎｍで
ある。この記録層の組成で１０ｍ／ｓの線速に対応でき
る。一方、反射放熱層である反射層５は、Ａｇ、膜厚は
１４０ｎｍである。

【００７４】このディスクを大出力レーザを使用して初
期結晶化を行い、その後６５０ｎｍＮＡ０．６の光ピッ
クアップを持つドライブで評価した。線記録密度０．２
６７μｍ／ｂｉｔ、トラックピッチ０．７４μｍ、記録
線速度８．５ｍ／ｓ、信号は８／１６変調した。

【００７５】このディスクの初期ジッタは、６％台であ
った。５００００回の書換え後でも８％台を維持し繰り
返し記録消去の特性変化が比較的小さく良好であった。
両側ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ に比べ、周期率表のIVｂ族元素を
含まない系で構成したため、IVｂ族元素のＳｉが膜中に
入り込むことがないため材料バランスが崩れず熱的な特
性が経時的に安定したためである。

【００７６】（第２の実施例における構成および動作）
プラスチック基板として厚さが０．６ｍｍのポリカーボ
ネートの透明基板１上にマグネトロンスパッタ装置を用
いて光情報記録媒体を成膜した。第一誘電体層２は、Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ₂ とした。組成は原子比でＺｎＳ８０％Ｓ
ｉＯ₂ ２０％、膜厚は７０ｎｍである。また、ＺｎＳ・
ＳｉＯ₂ の熱伝導率は０．６６Ｗ／ｍＫである。

【００７７】記録層３は、第１の実施例と同組成の材
料、および同じ膜厚で形成されている。第二誘電体層４
は、ＺｎＳと酸素含量の少ないＮｂの酸化物（Ｎｂ₂ Ｏ
₅ とＮｂＯ₂ を５０％ずつとした混合体）の混合ターゲ
ットより成膜した。組成はモル比でＺｎＳ９２％ Ｎｂ
酸化物８％である。膜厚は１５ｎｍとした。また、スパ
ッタ成膜時のガス雰囲気はＡｒガスのみで形成した。次
に、反射放熱層である反射層５は、Ａｇを用い膜厚１４
０ｎｍで成膜した。

【００７８】このディスクを第１の実施例と同様に大出
力レーザを使用して初期結晶化した後で、同じ光ピック
アップを持つドライブで評価した。図２は、本発明の一
実施例における光情報記録媒体のＤＯＷ（繰り返しダイ
レクトオーバーライト）回数とジッタとの関係を示す図
であり、ＤＯＷの結果を図２（IVｂ族なしと表示）に示
す。

【００７９】このディスクの初期ジッタは、８％台と少
し高めであったが、１０００００回の書換え後も８％台
を維持し繰り返し記録消去の特性変化が小さく良好であ
った。両側ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ に比べ、少なくとも片側を
周期率表のIVｂ族元素を含まない系で構成したため、IV
ｂ族元素Ｓｉが膜中に入り込む量が減少したために材料
バランスが崩れず熱的な特性が経時的に安定したためで
ある。

【００８０】Ａｒのみのスパッタでは、酸化物は化合物
としての化学量論比がズレた酸素欠乏の状態のまま成膜
されるので、熱伝導性の良いＮｂ酸化物が含まれること
になる。ＺｎＳとＮｂ酸化物の混合膜は急冷構造となる
ので、熱的なダメージの蓄積が起こり難くなる。

【００８１】（第３の実施例における構成および動作）
以下、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ とＺｎＳ・ＴｉＯ₂ の複層膜に
ついて、説明する。第一誘電体層２に、ＺｎＳ８０％Ｓ
ｉＯ₂ ２０％（モル比）の組成のＺｎＳ・ＳｉＯ₂ を膜
厚６０ｎｍで成膜し、さらに第１の実施例で用いたＺｎ
ＳとＴｉＯ₂ の混合膜を膜厚１０ｎｍで積層し、第一誘
電体層２を二層の膜とした。光学的な屈折率はこの二つ
の材料で同等である。したがって、膜厚構成は同じで良
い。

【００８２】ここで、第一誘電体層２の記録層３に接す
る面はIVｂ族元素を含まない系である。さらに、記録層
３以降は第１の実施例と同構成で光情報記録媒体を作製
した。第２の実施例と同様にＤＯＷの増加に対するジッ
タの変化率を評価した結果は、初期ジッタが６％台、５
００００回の書換え後で８％台と第１の実施例と同じ結
果であった。

【００８３】（第４の実施例における構成および動作）
第２の実施例で、第二誘電体層４のＺｎＳとＮｂ酸化物
の混合体の成膜する時に、ＡｒのみでなくＡｒに加え酸
素を添加して成膜し、同構成の光情報記録媒体を作製し
た。添加した酸素の圧力は、４．２×１０^-4Ｔｏｒｒで
ある。

【００８４】本実施例の光情報記録媒体を初期結晶化後
に評価したところ、初期ジッタが６％台で８００００回
の書換え後も８％台と良好であった。結果は、図２（IV
ｂ族なし酸素添加と表示）に示した。ＤＯＷは第２の実
施例と比べると少なくなるが、１００００回までのジッ
タ特性は改善されている。

【００８５】Ａｒに加え酸素を添加して成膜した場合
は、できた膜が化学量論比に近くなるので熱伝導性が第
２の実施例の構成に比べて悪くなるため、光情報媒体と
しては熱がこもりやすくなる。その結果、熱的なダメー
ジの蓄積が起こり難くなる傾向が第２の実施例に比べる
と弱くなる。ＤＯＷが悪くなるのは、そのためである。

【００８６】（第５の実施例における構成および動作）
第２の実施例の構成と同じＺｎＳとＮｂ酸化物の混合タ
ーゲットを用い、酸素を導入した反応性スパッタにより
誘電体膜を形成した。組成比はそれぞれモル比でＺｎＳ
９２％ Ｎｂ酸化物８％である。導入した酸素ガスの量
は酸素ガス単体の分圧で６×１０^-4Ｔｏｒｒであった。

【００８７】酸素を導入した反応性スパッタにより誘電
体膜を形成したのは、第一誘電体層２側は記録層３側か
ら１０ｎｍ、第二誘電体層４側も同じく記録層３側から
５ｎｍのところまでに相当する部分とし、その他の誘電
体の部分は稀ガスのみによりスパッタ成膜した。

【００８８】作製した光情報記録媒体を初期結晶化後に
評価したところ、第４の実施例とほぼ同じ結果を得た。
すなわち、初期ジッタが６％台であった。８００００回
の書換え後も８％台と良好であった。この場合では、成
膜処理槽の増加を伴わず、成膜条件の変更のみで時間配
分のみによって酸化物を含有する誘電体部分と含有しな
い誘電体部分を形成できた。

【００８９】（第６の実施例における構成および動作）
プラスチック基板として厚さが０．６ｍｍのポリカーボ
ネートの透明基板１上にマグネトロンスパッタ装置を用
いて光情報記録媒体を成膜した。第一誘電体層２は、Ｚ
ｎＳ・Ｃｒ₂ Ｏ₃ とした。組成はＺｎＳ８０％ Ｃｒ₂
Ｏ₃ ２０％（モル比）であり、膜厚は７０ｎｍである。

【００９０】次に、相変化記録層である記録層３は、Ａ
ｇ１−Ｉｎ８−Ｓｂ６５−Ｔｅ２６（比率はモル比）を
１７ｎｍの膜厚で成膜した。第二誘電体層４も、第一誘
電体層２と同組成のＺｎＳ・Ｃｒ₂ Ｏ₃ の混合膜とし
た。膜厚は２０ｎｍである。この記録層の組成で８．５
ｍ／ｓの線速に対応できる。一方、反射放熱層である反
射層５はＡｇ、膜厚は１４０ｎｍである。

【００９１】このディスクを大出力レーザを使用して初
期結晶化を行い、その後６５０ｎｍＮＡ０．６の光ピッ
クアップを持つドライブで評価した。線記録密度０．２
６７μｍ／ｂｉｔ、トラックピッチ０．７４μｍ、記録
線速度８．５ｍ／ｓ、信号は８／１６変調した。

【００９２】このディスクの初期ジッタは、６．５％で
あった。５００００回の書換え後でも８％台を維持し繰
り返し記録消去の特性変化が比較的小さく良好であっ
た。

【００９３】（第７の実施例における構成および動作）
純粋に近いものはＮｂ₂ Ｏ₅ 単体の電気抵抗は高抵抗で
あるが、酸素欠乏状態（ＮｂＯ₂ あるいはＮｂＯ）とす
ることで金属相あるいは半導体相となり、10^-2〜10^-5Ω
cm台まで比抵抗が下がる。この様な組成のＮｂ酸化物を
導電材として絶縁材料であるＺｎＳと混合してターゲッ
トを作製した。

【００９４】Ｎｂ酸化物１５vol%以上（７mol%相当以
上）では焼結体自体の比抵抗が小さくなり直流マグネト
ロンスパッタが可能である。本実施例では、Ｎｂ酸化物
の含有量は２０ｖｏｌ％とした。このときのターゲット
の比抵抗値は４．５Ωcmであった。こので誘電体を直流
マグネトロン方式でスパッタした。アーク放電を起こす
こともなく安定して成膜が可能であった。

【００９５】次に、このターゲットを用いて第３の実施
例に示したと同様な酸素添加した条件で誘電体膜を形成
し、同構成で光情報記録媒体を作製し、第３の実施例と
同等な光情報記録媒体の特性が得られた。

【００９６】以下、本発明の実施例に対する比較例につ
いて、説明する。

【００９７】（第１の比較例における構成および動作）
第二誘電体層４を第一誘電体層２と同じ組成のＺｎＳ・
ＳｉＯ₂ としは他は第２の実施例と全て同じ材質・膜厚
条件で光情報記録媒体を製作した。この構成では、対応
できる線速は１０ｍ／ｓであった。

【００９８】本比較例のディスクを大出力レーザを使用
して初期結晶化を行い、その後 650nmNA0.6 の光ピック
アップを持つドライブで評価した。線記録密度0.267 μ
m/bit 、トラックピッチ 0.74 μm 、記録線速度 8.5m/
s 、信号は 8/16 変調した。

【００９９】本比較例のディスクの初期ジッタは、６％
台であった。５０００回の書換え後は８．５％である
が、１００００回の書換え後は１０％にまで上昇した。
ＤＯＷの結果を図２（IVｂ族ありと表示）に示す。

【０１００】第１の実施例に比較しＤＯＷが悪くなるの
は、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ 材料では熱的なダメージの繰り返
しによりＳｉが記録層に拡散し、初期の熱バランスが崩
れたことに原因している。

【０１０１】（第２の比較例）第一誘電体層２を第１の
実施例と同じ組成のＺｎＳ・ＳｉＯ₂ とし、第二誘電体
層４を導電性ＳｉＣとした他は全て同じ材質・光学膜厚
条件で光情報記録媒体を製作した。

【０１０２】初期化後、この光情報記録媒体を評価した
ところ、１６ｍＷのパワーでもアモルファス・マークを
記録することができなかった。この導電性ＳｉＣの比抵
抗は、ターゲットの状態で２. １×１０^-3Ωcm、膜では
２. １×１０² Ωcmであった。このように導電性がある
場合は、熱伝導性も良くなるので記録材料の温度を溶融
するまで充分に上げられずアモルファス・マークを記録
することができないので実用的ではない。

【０１０３】（第３の比較例における構成および動作）
記録層３をＧｅＳｂＴｅにした他は全て第１の実施例と
同材料同条件にして光情報記録媒体を形成した。このデ
ィスクを大出力レーザを使用して初期結晶化を行い、そ
の後６５０ｎｍＮＡ０．６の光ピックアップを持つドラ
イブで評価した。誘電体層をＺｎＳＳｉＯ₂ の場合と比
べると、繰り返し記録・消去後の再現回数は全く差がな
かった。

【０１０４】（第４の比較例における構成および動作）
反射層５をＡｌにした他は全て実施例１と同材料同条件
にして光情報記録媒体を形成した。このディスクを大出
力レーザを使用して初期結晶化を行い、その後６５０ｎ
ｍＮＡ０．６の光ピックアップを持つドライブで評価し
た。このディスクの初期ジッタは、Ａｇ場合と同様７％
であった。しかし、対応できる線速を測定してみると、
１．５ｍ／ｓ遅い８．５ｍ／ｓであった。Ａｌ，Ａｇの
違いを再チェックＴＬ膜厚を薄い方に規定し、１５ｎｍ
で開示する。

【０１０５】（第５の比較例における構成および動作）
Ａｒガス分圧が ４．０〜４．１×１０^-3Ｔｏｒｒとし
酸素分圧が １．１×１０^-3Ｔｏｒｒとして、Ｎｂ酸化
物を約４０mol%含有するＺｎＳを誘電体として用い、Ａ
ｇＩｎＳｂＴｅ四元系相変化記録材料を記録層としてメ
ディアを作製し評価した。８５０Ｗのレザーパワーによ
り初期化後、６６０ｎｍの半導体レーザで書き込みした
ところ、条件を色々と変えても記録層をアモルファス化
することができず、情報の書き込みできなかったなかっ
た。

【０１０６】（第６の比較例における構成および動作）
ＺｎＳとＮｂ酸化物の組成比で、Ｎｂ酸化物が１５ｖｏ
ｌ％未満（７ｍｏｌ％未満）の場合は、直流マグネトロ
ンスパッタ放電時にアーク放電が起こり、直流スパッタ
電源が異常電流を検出しダウンし、薄膜を形成すること
ができなかった。スパッタ陰極電圧をパルス状に反転さ
せ、陰極への電圧をパルス印可してもアーク放電が継続
して発生し成膜できなかった。

【０１０７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明は、時的に繰り返し記録および消去されることにより
生じる記録材料への誘電体材料成分の拡散が起きても、
初期の熱バランスを崩さない材料で誘電体層を形成する
ことによって、繰り返し記録および消去の回数を飛躍的
に向上することが可能となる。さらに、ＺｎＳとの混合
膜とした場合は、ＺｎＳの成膜速度が速いので生産性を
落とすことがなく、ＺｎＳの結晶化による膜のクラック
発生等の弊害を抑制することが可能となる。

【０１０８】また、請求項２記載の発明によれば、ある
程度の熱伝導性を有する金属の酸化物を誘電体層に用い
ることによって、高線速記録および消去に対応した適当
な熱伝導の誘電体層を得ることが可能となる。

【０１０９】また、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰ
ｔからなる群から選択される金属の酸化物単独では熱伝
導が大き過ぎる場合でも、ＺｎＳを混合することによっ
て、熱伝導の増大を押さえることができるとともに高線
速に対応した反射放熱層への冷却効果を保持することが
可能となる。

【０１１０】また、請求項３記載の発明によれば、誘電
体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化合物
と、その化合物と硫化亜鉛の混合体と、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される金属の酸化
物と、のいずれかを用いる場合、誘電体材料を層全体と
して用いなくとも、記録材料への誘電体材料成分の拡散
を起こさないためのバリア層として、上記の誘電体層を
用いることによって、繰り返し記録および消去の回数を
飛躍的に向上することが可能となる。

【０１１１】また、請求項４記載の発明によれば、記録
材料として溶融記録および消去系の材料であるＡｇＩｎ
ＳｂＴｅを用いることによって、溶融時に材料成分を容
易に拡散させることが可能となる。

【０１１２】また、請求項５記載の発明によれば、反射
層用材料として、熱伝導性が良好であるＡｇまたはＡｇ
を９０％以上含む合金を用いることによって、高線速対
応のための急冷構造が容易に実現することが可能とな
る。また、誘電体材料として用いるＺｎＳ中のイオウと
Ａｇとの反応による反射層の腐食は添加する材料および
製造条件により対処可能である。

【０１１３】また、請求項６記載の発明は、時的に繰り
返し記録および消去されることにより生じる記録材料へ
の誘電体材料成分の拡散が起きても、初期の熱バランス
を崩さない材料で誘電体層を形成することによって、繰
り返し記録および消去の回数を飛躍的に向上することが
可能となる。さらに、ＺｎＳとの混合膜とした場合は、
ＺｎＳの成膜速度が速いので生産性を落とすことがな
く、ＺｎＳの結晶化による膜のクラック発生等の弊害を
抑制することが可能となる。

【０１１４】また、請求項７記載の発明によれば、ある
程度の熱伝導性を有する金属の酸化物を誘電体層に用い
ることによって、高線速記録および消去に対応した適当
な熱伝導の誘電体層を得ることが可能となる。

【０１１５】また、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰ
ｔからなる群から選択される金属の酸化物単独では熱伝
導が大き過ぎる場合でも、ＺｎＳを混合することによっ
て、熱伝導の増大を押さえることができるとともに高線
速に対応した反射放熱層への冷却効果を保持することが
可能となる。

【０１１６】また、請求項８記載の発明によれば、誘電
体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化合物
と、その化合物と硫化亜鉛の混合体と、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される金属の酸化
物と、のいずれかを用いる場合、誘電体材料を層全体と
して用いなくとも、記録材料への誘電体材料成分の拡散
を起こさないためのバリア層として、上記の誘電体層を
用いることによって、繰り返し記録および消去の回数を
飛躍的に向上することが可能となる。

【０１１７】また、請求項９記載の発明によれば、記録
材料として溶融記録および消去系の材料であるＡｇＩｎ
ＳｂＴｅを用いることによって、溶融時に材料成分を容
易に拡散させることが可能となる。

【０１１８】また、請求項１０記載の発明によれば、反
射層用材料として、熱伝導性が良好であるＡｇあるいは
Ａｇを９０％以上含む合金を用いることによって、高線
速対応のための急冷構造が容易に実現することが可能と
なる。また、誘電体材料として用いるＺｎＳ中のイオウ
とＡｇとの反応による反射層の腐食は添加する材料およ
び製造条件により対処可能である。

【０１１９】また、請求項１１記載の発明によれば、誘
電体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化合
物、およびその化合物と硫化亜鉛の混合体を用いた場
合、その誘電体材料をターゲットとし、稀ガスのみでス
パッタすることによって、簡便に成膜することが可能と
なり、生産性が向上する。

【０１２０】また、請求項１２記載の発明によれば、酸
化物中の酸素含有量を増大させることによって、熱伝導
性を低下させることが可能となるとともに、記録および
消去時に半導体レーザからのエネルギーを記録層周辺に
留めることが可能となる。また、記録層を囲む誘電体の
熱伝導性の制御が容易になり、光情報記録媒体の熱的な
面での設計上の対応範囲を拡大することが可能となる。

【０１２１】また、請求項１３記載の発明によれば、誘
電体材料として、炭素を除くIVｂ族元素を含まない化合
物、およびその化合物と硫化亜鉛の混合体を用いた場
合、その誘電体材料をターゲットとし、誘電体膜と記録
層と接触する面近傍３ｎｍ以上を稀ガスに加え酸素ガス
を導入してスパッタし、さらに記録層と離れた部分を稀
ガスのみでスパッタすることによって、酸素導入の時間
制御のみで記録層を囲む誘電体の熱伝導性の制御を容易
に実現し、光情報記録媒体の熱的な面での設計上の対応
範囲を拡大することが可能となる。

【０１２２】また、請求項１４記載の発明によれば、酸
素の分圧を1.0 ×10^-4〜9.0 ×10^-4Torrとすることによ
って、記録層の劣化を伴うことなく、誘電体への酸化物
の導入を実施することが可能となる。

【０１２３】また、請求項１５記載の発明によれば、タ
ーゲットの比抵抗が１０Ωｃｍ以下であり、Ｔｉ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、およびＰｔからなる群から選択される
金属の酸化物、あるいはその酸化物と硫化亜鉛の混合体
とからなる誘電体材料により構成される誘電体膜を高周
波スパッタと比較して安価で成膜速度も速い直流スパッ
タあるいは直流マグネトロンスパッタにより製造するこ
とによって、装置コストを削減するとともに、光情報記
録媒体製造面で効率的に生産することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における光情報記録媒体の構
造を示す図である。

【図２】本発明の一実施例における光情報記録媒体のＤ
ＯＷとジッタとの関係を示す図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 第一誘電体層 ３ 記録層 ４ 第二誘電体層 ５ 反射層 ６ 保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に少なくとも、第一誘電体
   層、記録層、第二誘電体層、反射層を有し、これらの層
   を順次積層した相変化型の光情報記録媒体であって、 前記第一誘電体層および前記第二誘電体層が前記記録層
   と接触する面を含む層のうち少なくとも一方が、炭素を
   除くIVｂ族元素を含まない化合物、あるいは該化合物と
   硫化亜鉛の混合体からなる誘電体材料により構成される
   層であることを特徴とする光情報記録媒体。
2. 【請求項２】 前記化合物は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、
   Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉ
   ｒ、およびＰｔからなる群から選択される金属の酸化物
   であることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒
   体。
3. 【請求項３】 前記第一誘電体層および前記第二誘電体
   層のうち少なくとも一方が組成の異なった前記誘電体材
   料の複数層からなり、誘電体膜が前記記録層と接触する
   面近傍３ｎｍ以上は前記誘電体材料により構成されるこ
   とを特徴とする請求項１または２記載の光情報記録媒
   体。
4. 【請求項４】 前記記録層は、溶融記録系材料のＡｇ、
   Ｉｎ、Ｓｂ、およびＴｅを含む系で構成された材料であ
   ることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記
   載の光情報記録媒体。
5. 【請求項５】 前記反射層は、Ａｇ、あるいはＡｇを９
   ０％以上含む合金であることを特徴とする請求項１から
   ４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
6. 【請求項６】 透明基板上に少なくとも、第一誘電体
   層、記録層、第二誘電体層、反射層を有し、これらの層
   を順次積層する相変化型の光情報記録媒体の製造方法で
   あって、 前記第一誘電体層および前記第二誘電体層が前記記録層
   と接触する面を含む層のうち少なくとも一方を、炭素を
   除くIVｂ族元素を含まない化合物、あるいは該化合物と
   硫化亜鉛の混合体からなる誘電体材料により生成する誘
   電体層生成工程を有することを特徴とする光情報記録媒
   体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記化合物は、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、
   Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉ
   ｒ、およびＰｔからなる群から選択される金属の酸化物
   であることを特徴とする請求項６記載の光情報記録媒体
   の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第一誘電体層および前記第二誘電体
   層のうち少なくとも一方を組成の異なった前記誘電体材
   料の複数層として生成し、誘電体膜が前記記録層と接触
   する面近傍３ｎｍ以上を前記誘電体材料により生成する
   誘電体膜接触面生成工程を有することを特徴とする請求
   項６または７記載の光情報記録媒体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記記録層は、溶融記録系材料のＡｇ、
   Ｉｎ、Ｓｂ、およびＴｅを含む系で構成された材料であ
   ることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記
   載の光情報記録媒体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記反射層は、Ａｇ、あるいはＡｇを
    ９０％以上含む合金であることを特徴とする請求項６か
    ら９のいずれか１項に記載の光情報記録媒体の製造方
    法。
11. 【請求項１１】 前記誘電体材料をターゲットとし、稀
    ガスのみでスパッタすることを特徴とする請求項６から
    １０のいずれか１項に記載の光情報記録媒体の製造方
    法。
12. 【請求項１２】 前記誘電体材料をターゲットとし、前
    記稀ガスに加え酸素ガスを導入してスパッタすることを
    特徴とする請求項６から１０のいずれか１項に記載の光
    情報記録媒体の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記誘電体材料をターゲットとし、前
    記誘電体膜が前記記録層と接触する面近傍３ｎｍ以上
    に、前記稀ガスに加え前記酸素ガスを導入してスパッタ
    し、さらに前記記録層と離れた部分を前記稀ガスのみで
    スパッタすることを特徴とする請求項６から１０のいず
    れか１項に記載の光情報記録媒体の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記酸素ガスの分圧が1.0 ×10^-4〜9.
    0 ×10^-4Torrであることを特徴とする請求項１２または
    １３記載の光情報記録媒体の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記ターゲットの比抵抗が１０Ωｃｍ
    以下であり、誘電体膜を直流スパッタあるいは直流マグ
    ネトロンスパッタにより製造することを特徴とする請求
    項７記載の光情報記録媒体の製造方法。