JP2002091029A

JP2002091029A - 電子写真感光体、それを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置

Info

Publication number: JP2002091029A
Application number: JP2000285868A
Authority: JP
Inventors: Kazukiyo Nagai; 一清永井; Tomoyuki Shimada; 知幸島田; Michihiko Nanba; 通彦南場; Shinichi Kawamura; 慎一河村
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2000-09-20
Filing date: 2000-09-20
Publication date: 2002-03-27
Anticipated expiration: 2020-09-20
Also published as: JP3875473B2

Abstract

(57)【要約】【課題】書込光源に短波長光を使用し、その書込光源
波長において高解像度で高画質で、しかも耐久性にも優
れた電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写
真装置を提供すること。【解決手段】導電性支持体上に直接又は中間層を介し
て電荷発生層、電荷輸送層を順次設けた積層型電子写真
感光体において、該電子写真感光体が書込光として３９
０〜４６０ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を照射
され、且つ該電荷輸送層が少なくとも電荷輸送材料及び
フィラーからなり、しかも該フィラーの平均１次粒径が
０．０１μｍ以上０．５μｍ未満であり、且つ平均粒径
が０．０５μｍ以上０．５μｍ未満である電子写真感光
体、及び該電子写真感光体を用いたプロセスカートリッ
ジと電子写真装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、プリンタ
ー、ファクシミリ等に使用される電子写真感光体、それ
を用いたプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関
し、詳しくは記録密度１２００ｄｏｔ／ｉｎｃｈ以上の
超高解像度で且つ異常画像等のない高画質な画像を出力
できるよう設計された電子写真感光体、それを用いたプ
ロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真方式を用いた情報処理シ
ステム機の発展は目覚ましいものがある。特に、情報を
デジタル信号に変換して光によって情報記録を行うデジ
タル記録方式を用いたプリンターは、そのプリント品
質、信頼性において向上が著しい。また、このデジタル
記録方式はプリンターのみならず通常の複写機にも応用
され、所謂デジタル複写機が開発されている。更に、こ
のデジタル複写機は、種々様々な情報処理機能が付加さ
れるため、今後その需要性が益々高まっていくと予想さ
れる。

【０００３】しかし、現行の電子写真装置は画像処理に
よる見掛けの解像度アップを除くと３００〜６００ｄｐ
ｉ程の実効解像度であり、写真調の画像としては十分で
はない。従って、より高解像な電子写真装置が望まれて
おり、それに向けた開発が行われている。解像度を上げ
るためには最小ドット径を小さくすることが有効であ
り、そのためにはよりビーム径を小さくした像露光手段
と、小さな電位潜像を可能にする電子写真感光体と、そ
れを再現性良く現像する現像手段が必要になる。

【０００４】ところが、これらを全て満足する電子写真
装置は未だ開発されていない。像露光手段においては、
従来小型で安価な信頼性の高い半導体レーザー（ＬＤ）
や発光ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われている。現在
最もよく使われているＬＤの発振波長域は７８０〜８０
０ｎｍ付近の近赤外光領域にある。そして、そのビーム
スポット径は約１５０〜５０μｍ程度である。これを１
２００ｄｐｉ相当のドット径約３０μｍ又は２４００ｄ
ｐｉ相当のドット径約１５μｍに絞り込むためには、超
高精度な光学部品や大きな光学部材が必要になり、コス
ト的にも、スペース的にも実用化できるものではなかっ
た。

【０００５】この解決のためには光源波長を短くするこ
とが有効である。例えば、発振波長が従来からの近赤外
域ＬＤに比べ約半分近くとなる短波長ＬＤを書込光源と
して用いた場合、下記式（１）で示されるように、感光
体上におけるレーザービームのスポット径を理論上かな
り小さくすることが可能である。従って、これらは潜像
の書込密度すなわち解像度を上げることに、非常に有利
なものである。

【数１】ｄ∝（π／４）（λｆ／Ｄ）（１）（式中、ｄは感光体上のスポット径、λはレーザー光の
波長、ｆはｆθレンズの焦点距離、Ｄはレンズ径を、そ
れぞれ示す。）

【０００６】しかし、青色領域の短波長半導体レーザは
赤色〜近赤外領域の長波長半導体レーザに比べて開発が
遅く、近年まで実用化にはほど遠い状態であった。その
ため、デジタル複写機等には長波長半導体レーザが使用
され、内蔵される電子写真感光体はその光源波長に合わ
せた開発がされてきている。近年、小型で性能に優れる
青色半導体レーザが開発され、ようやく実用化されよう
としている。この様な状況の下、超高解像な電子写真装
置の書込光源としてその搭載に期待が持たれている。

【０００７】特開平５−１９５９８号、特開平９−２４
００５１号、特開２０００−１０５４７５号、特開２０
００−１０５４７６号、特開２０００−１０５４７８
号、特開２０００−１０５４７９号各公報には、青色半
導体レーザーを光源とした場合の電子写真装置、電子写
真感光体が開示されている。しかしながら、青色波長に
適合させた電子写真感光体や装置の開発は始められたば
かりであり、本来の超高解像度で且つ高画質な画像出力
の達成にはまだ多くの問題が残されている。

【０００８】例えば、本発明者らの検討によれば、短波
長光を使用する最大の狙いである高解像で高画質な画像
を得ようとすると、従来の開示例では達成が不十分であ
ることがわかった。すなわち、最も広く普及している電
荷発生層と電荷輸送層を有する積層型感光体において、
通常適用されている電荷輸送層膜厚２０〜３０μｍで
は、光源のビーム径を小さくしても電荷輸送層内でキャ
リアの面内方向の拡散が起こり静電潜像が広がり、高解
像な潜像形成が妨げられる。その防止のためには、電荷
輸送層の膜厚をより薄膜化する必要があるが、感光層の
膜厚が薄くなることによってその耐電圧性は弱くなり、
基板等の不均一性や中間層の不均一性が原因で放電破壊
が生じたりして黒ポチ等の異常画像が発生したり、光源
波長が変わったことによる光学特性の変化によって光の
反射、透過、吸収、屈折、散乱、干渉、回折等が変化
し、それに付随したモアレ等の異常画像の問題が発生す
る。また、わずかな膜厚ムラにおいても感光体表面の電
位ムラにその影響が出やすく、ドット再現性を低下させ
る問題がある。更に、薄膜化することによって、耐摩耗
性に対する感光体の寿命は短くなり、耐久性に劣るとい
う問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の実情に鑑みてなされてものであって、書込光源に短
波長光を使用し、その書込光源波長においてドット再現
性が良く、高解像度で黒ポチやモアレ等の異常画像のな
い高画質を達成するよう最適に設計され、また、耐久性
にも優れるよう設計された、高寿命で高解像度で高画質
な電子写真感光体、それを内蔵したプロセスカートリッ
ジ及び電子写真装置を提供することを、その課題とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
を重ねた結果、特定の粒径及び粒子形状を持つフィラー
を積層型電子写真感光体の電荷輸送層中に添加すること
により、書込光源が３９０〜４６０ｎｍの波長範囲の半
導体レーザーの場合に、高解像度のドット再現性が優
れ、且つ耐摩耗性にも優れ、高画質で高耐久な短波長対
応電子写真感光体が提供でき、それを内蔵することによ
って高画質で高寿命な電子写真用プロセスカートリッジ
及び電子写真装置を提供できることを見出した。

【００１１】すなわち、本発明によれば、第一に、導電
性支持体上に直接又は中間層を介して電荷発生層、電荷
輸送層を順次設けた積層型電子写真感光体において、該
電子写真感光体が書込光として３９０〜４６０ｎｍの波
長を有する半導体レーザー光を照射され、且つ該電荷輸
送層が少なくとも電荷輸送材料及びフィラーからなり、
しかも該フィラーの平均１次粒径が０．０１μｍ以上
０．５μｍ未満であり、且つ平均粒径が０．０５μｍ以
上０．５μｍ未満であることを特徴とする電子写真感光
体が提供される。

【００１２】第二に、前記電荷輸送層中のフィラー分散
状態がフィラー中１．０μｍの粒径を越える粒子の含有
量が１０％以下であるように分散されたことを特徴とす
る上記第一に記載した電子写真感光体が提供される。

【００１３】第三に、前記電荷輸送層が少なくとも電荷
輸送材料からなる層と、少なくともフィラー及びバイン
ダー樹脂からなる層とをその順に設けた積層で構成され
ることを特徴とする上記第一又は第二に記載した電子写
真感光体が提供される。

【００１４】第四に、前記電荷輸送層が少なくとも電荷
輸送材料からなる層と、少なくともフィラー及び電荷輸
送材料からなる層とをその順に設けた積層で構成される
ことを特徴とする上記第一又は第二に記載した電子写真
感光体が提供される。

【００１５】第五に、フィラーが酸化チタン、酸化錫、
酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、窒化珪
素、酸化カルシウム、硫酸バリウム、ＩＴＯ、シリカ、
コロイダルシリカ、アルミナ、カーボンブラック、ふっ
素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、高分子
電荷輸送材料微粉末の中のいずれか一種若しくは混合物
であることを特徴とする上記第一〜第四のいずれかに記
載した電子写真感光体が提供される。

【００１６】第六に、上記第一〜第五のいずれかに記載
した電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリー
ニング手段の少なくとも１つとを一体的に構成し、電子
写真装置本体から着脱自在としたことを特徴とするプロ
セスカートリッジが提供される。

【００１７】第七に、上記第一〜第五のいずれかに記載
した電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段
及び３９０〜４６０ｎｍの発振波長を有する半導体レー
ザーを使用した像露光手段とを備えたことを特徴とする
電子写真装置が提供される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下本発明について詳細に説明す
る。図１〜図３に本発明の電子写真感光体の断面の概略
を示す。図１においては、導電性支持体１上に電荷発生
材料を主成分とする電荷発生層２と、電荷輸送材料とフ
ィラーを必須成分とする電荷輸送層３とが積層された構
成をとっている。また、図２においては、電荷輸送材料
を主成分とする電荷輸送層４上にフィラーとバインダー
樹脂を必須成分とする電荷輸送層５が積層された構成を
とっている。図３では、電荷輸送材料を主成分とする電
荷輸送層４上にフィラーと電荷輸送材料を必須成分とす
る電荷輸送層６が積層された構成をとっている。これ
ら、電荷発生層２、電荷輸送層３〜６には、感光体作成
用塗工液の分散性及び感光層強度向上等の目的のためバ
インダー樹脂が含まれていてもよい。更に、導電性支持
体１と電荷発生層２との間に帯電性向上、接着性向上若
しくはレーザー書込光の干渉光によるモアレ画像防止な
どを目的として、中間層７が形成されていてもよい。以
上のように、いずれの構成においても最表層に本発明で
規定するフィラーが含有されている必要がある。

【００１９】本発明の電荷輸送層３〜６は、３９０〜４
６０ｎｍ波長域範囲の単色光を透過するものである。そ
のため、これに用いられるバインダー樹脂としては、こ
の波長域の光を透過するものである必要がある。例えば
具体的に、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル
共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−
無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアレート、フェノキシ樹
脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセ
ルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹
脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ア
ルキッド樹脂、水素化ノルボルネン樹脂等の熱可塑性又
は熱硬化性樹脂が挙げられる。

【００２０】中でも、バインダー樹脂が下記一般式
（１）及び／又は（２）で示されるものが好適である。

【化１】

【化２】

【００２１】［上式中、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇はそれぞれ
独立して水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基を表
す。Ｘは脂肪族の２価基又は環状脂肪族の２価基を表
す。Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状
若しくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ
−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ
−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）、又は下記一般
式（３）

【化３】（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整
数、Ｒ₈、Ｒ₉は置換若しくは無置換のアルキル基又はア
リール基を表す。）を表す。ここで、Ｒ₆とＲ₇、Ｒ ₈と
Ｒ₉は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｐ、ｑは組
成を表し０．１≦ｐ≦１、０≦ｑ≦０．９、ｎは繰り返
し単位数を表し５〜５０００の整数である。］

【００２２】具体的には以下の表１〜表４に示す構造の
ものが挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。

【００２３】

【表１】

【００２４】

【表２】

【００２５】

【表３】

【００２６】

【表４】

【００２７】また、本発明の電荷輸送層に用いられる電
荷輸送材料には、大きく分けて低分子型電荷輸送材料と
高分子型電荷輸送材料が挙げられる。例えば、ポリ−Ｎ
−カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルム
アルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、
ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミ
ダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下
の一般式で示される化合物がある。

【００２８】低分子型電荷輸送材料としては、以下の一
般式（４）〜（１２）で示される化合物又はそれらの混
合物が具体例として挙げられる。

【００２９】

【化４】（式中、Ｒ¹はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエ
チル基又は２−クロルエチル基を表し、Ｒ²はメチル
基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、Ｒ³
は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜４のアル
キル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミ
ノ基又はニトロ基を表す。）

【００３０】

【化５】（式中、Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、ピレン
環若しくはそれらの置換体又はピリジン環、フラン環、
チオフェン環を表し、Ｒはアルキル基、フェニル基又は
ベンジル基を表す。）

【００３１】

【化６】（式中、Ｒ¹はアルキル基、ベンジル基、フェニル基又
はナフチル基を表し、Ｒ²は水素原子、炭素数１〜３の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキル
アミノ基、ジアラルキルアミノ基又はジアリールアミノ
基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２以上のとき
はＲ²は同じでも異なっていても良い。Ｒ³は水素原子又
はメトキシ基を表す。）

【００３２】

【化７】（式中、Ｒ¹は炭素数１〜１１のアルキル基、置換若し
くは無置換のフェニル基又は複素環基を表し、Ｒ²、Ｒ³
はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭
素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロ
ルアルキル基又は置換若しくは無置換のアラルキル基を
表し、また、Ｒ²とＲ³は互いに結合し窒素を含む複素環
を形成していても良い。Ｒ⁴は同一でも異なっていても
よく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキ
シ基又はハロゲン原子を表す。）

【００３３】

【化８】（式中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又
はハロゲン原子を表し、Ｒ²及びＲ³はアルキル基、置換
若しくは無置換のアラルキル基又は置換若しくは無置換
のアリール基を表し、Ｒ⁴は水素原子、低級アルキル基
又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、また、Ａ
ｒは置換若しくは無置換のフェニル基又はナフチル基を
表す。）

【００３４】

【化９】［式中、ｎは０又は１の整数、Ｒ¹は水素原子、アルキ
ル基又は置換若しくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ
¹は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ⁵は置換
アルキル基を含むアルキル基、又は置換若しくは無置換
のアリール基を表し、Ａは

【化１０】９−アントリル基又は置換若しくは無置換のカルバゾリ
ル基を表し、ここでＲ²は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、ハロゲン原子又は

【化１１】（ただし、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、置換若しくは無置
換のアラルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基
を示し、Ｒ³及びＲ⁴は同じでも異なっていてもよく、Ｒ
⁴は環を形成しても良い）を表し、ｍが２以上の時はＲ²
は同一でも異なっても良い。また、ｎが０の時、ＡとＲ
¹は共同で環を形成しても良い。］

【００３５】

【化１２】（式中、Ｒ¹は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表し、Ｒ²、Ｒ³は同じでも異なっていて
もよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
又はハロゲン原子を表し、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を
表す。）

【００３６】

【化１３】（式中、Ｒ¹、Ｒ³及びＲ⁴は水素原子、アミノ基、アル
コキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチ
レンジオキシ基、置換若しくは無置換のアルキル基、ハ
ロゲン原子又は置換若しくは無置換のアリール基を、Ｒ
²は水素原子、アルコキシ基、置換若しくは無置換のア
ルキル基又はハロゲン原子を表す。ただし、Ｒ¹、Ｒ²、
Ｒ³及びＲ⁴はすべて水素原子である場合は除く。また、
ｋ、ｌ、ｍ及びｎは１、２、３又は４の整数であり、そ
れぞれが２、３又は４の整数の時は、前記Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ
³及びＲ⁴は同じでも異なっていても良い。）

【００３７】

【化１４】（式中、Ａｒは置換基を有してもよい炭素数１８個以下
の縮合多環式炭化水素基を表し、また、Ｒ¹及びＲ²は水
素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル
基、アルコキシ基又は置換若しくは無置換のフェニル基
を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。ｎは１
又は２の整数を表す。）

【００３８】一般式（４）で表される化合物には、例え
ば、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−メ
チル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾー
ル−３−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒド
ラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−
１、１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。

【００３９】一般式（５）で表される化合物には、例え
ば、４−ジエチルアミノスチリル−β−アルデヒド−１
−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフ
タレン−１−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニル
ヒドラゾンなどがある。

【００４０】一般式（６）で表される化合物には、例え
ば、４−メトキシベンズアルデヒド−１−メチル−１−
フェニルヒドラゾン、２、４−ジメトキシベンズアルデ
ヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド−１、１−ジフェニルヒ
ドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド−１−（４−
メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノ
ベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラ
ゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１、１
−ジフェニルヒドラゾンなどがある。

【００４１】また、一般式（７）で表される化合物に
は、例えば、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェ
ニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニ
ル）メタン、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェ
ニル）プロパン、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス
（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。

【００４２】一般式（８）で表される化合物には、例え
ば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジル
アミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１
−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−
（４−ジエチルアミノスチリル）ナフタレンなどがあ
る。

【００４３】一般式（９）で表される化合物には、例え
ば、４’−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベ
ン、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フ
ェニルスチルベンなどがある。

【００４４】一般式（１０）で表されるベンジジン化合
物には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］
−４，４’−ジアミン、３，３’−ジメチル−Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３，４−ジメチルフェニル）
−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミンなど
がある。

【００４５】一般式（１１）で表されるビフェニリルア
ミン化合物には、例えば、４’−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジ
フェニル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、
４’−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−
［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、４’−メトキ
シ−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’
−ビフェニル］−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−
ジメチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−
アミンなどがある。

【００４６】また、一般式（１２）で表されるトリアリ
ールアミン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリ
ル）−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）
−１−フェナントリルアミン、９，９−ジメチル−２−
（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−フェナント
レン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テト
ラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミ
ンなどがある。

【００４７】また、高分子型電荷輸送材料としては、下
記一般式（１３）〜（２３）で示される高分子型電荷輸
送材料、又はそれらの混合物が具体例として挙げられ
る。

【００４８】

【化１５】

【００４９】

【化１６】

【００５０】

【化１７】

【００５１】

【化１８】

【００５２】

【化１９】

【００５３】

【化２０】

【００５４】

【化２１】

【００５５】

【化２２】

【００５６】

【化２３】

【００５７】

【化２４】

【００５８】

【化２５】

【００５９】［式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃はそれぞれ水素
原子、又は独立して置換若しくは無置換のアルキル基又
はハロゲン原子、Ｒ₁₀は水素原子又は置換若しくは無置
換のアルキル基、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅は置換若しくは無置換のア
リール基、Ｒ₁₆は水素原子、置換若しくは無置換のアル
キル基又は置換若しくは無置換のアリール基、Ａｒ₁₁、
Ａｒ₁₂、Ａｒ₁₃、Ａｒ₁₈、Ａｒ₁₉、Ａｒ₂₀、Ａｒ₂₁、Ａ
ｒ₂₂、Ａｒ₂₃、Ａｒ₂₄、Ａｒ₂₅、Ａｒ₂₆、Ａｒ₂₇、Ａｒ
₂₈、Ａｒ₂₉は同一又は異なるアリレン基、ｐ、ｑは組成
を表し、０．１≦ｐ≦１、０≦ｑ≦０．９、ｎは繰り返
し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｗは脂肪族
の２価基、環状脂肪族の２価基、又は下記一般式（２
４）で表される２価基を表す。

【化２６】（式中、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂は各々独立して置換若しくは無置
換のアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。
Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状若し
くは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、
−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−
（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）］

【００６０】具体的には、下記表５〜表１０に示すもの
が挙げられる。

【００６１】

【表５】

【００６２】

【表６】

【００６３】

【表７】

【００６４】

【表８】

【００６５】

【表９】

【００６６】

【表１０】

【００６７】これら高分子輸送材料は単重合体、ランダ
ム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体の形式で
あるが、これらに限定されない。また、これらの低分子
型電荷輸送材料と高分子型電荷輸送材料の混合物を電荷
輸送材料として用いてもよい。

【００６８】フィラーの具体例としては、酸化チタン、
酸化錫、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウ
ム、窒化珪素、酸化カルシウム、硫酸バリウム、ＩＴ
Ｏ、シリカ、コロイダルシリカ、アルミナ、カーボンブ
ラック、ふっ素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微
粉末、高分子電荷輸送材料微粉末の中のいずれか一種又
は混合物を挙げることができる。

【００６９】これらフィラーは、分散性向上、表面性改
質などの理由から無機物、有機物で表面処理されてもよ
い。一般に撥水性処理として、シランカップリング剤で
処理したもの、あるいはふっ素系シランカップリング剤
処理したもの、高級脂肪酸処理又は高分子材料などと共
重合処理させたものが挙げられ、無機物処理としてはフ
ィラー表面をアルミナ、ジルコニア、酸化錫、シリカ処
理したものなどが挙げられる。

【００７０】フィラーは低分子電荷輸送材料、高分子電
荷輸送材料及びバインダー樹脂、分散溶媒とともに粉
砕、又はそのまま分散し、感光層として塗工される。形
成した電荷輸送層中のフィラー含有量は５〜５０重量％
で、好ましくは１０〜４０重量％である。５重量％未満
であると耐摩耗性の点で十分ではなく、５０重量％超過
であると電荷輸送層の透明性が損なわれ、感度低下を招
くこととなる。

【００７１】また、フィラーの粒径は平均粒径で０．０
５μｍ以上０．５μｍ未満である。好ましくは０．０８
μｍ以上０．３μｍ未満である。０．０５μｍより小さ
い場合は、電荷輸送層の耐摩耗性を十分に挙げることが
できず、寿命の短い感光体となってしまう。また、０．
５μｍ以上の場合は、３９０〜４６０ｎｍといった短波
長書込光の光散乱が大きくなり、書込光源のビーム径に
対して潜像のドット径が大きくなって解像性を低めた
り、１２００ｄｐｉ以上の高解像度域でのドット再現性
が悪くなってしまう。

【００７２】この様に、短波長光を光源に使用する場合
に、フィラーの粒径を一定以上大きくしすぎると光散乱
や回折が起こりやすくなり、高解像度で高画質な画像が
得られなくなる。しかしながら、フィラーの粒径を一定
以上小さくしすぎるとフィラー添加による耐摩耗性の発
現が弱くなり、薄膜の有機感光体を長寿命で使用するこ
とができなくなる。従って、高解像度・高画質と高耐久
性を両立させるためにはフィラーの粒径を上記の範囲に
収める必要がある。

【００７３】また、フィラーの粒が一次粒子で分散され
た場合と凝集体粒子として分散された場合では、同一粒
径でも異なった摩耗性を示す。本発明者らの検討による
と、凝集度が低い方が特性上好ましい結果を得た。その
結果、平均粒径と平均一次粒径が近い方が良い。本発明
ではそのためにフィラーの平均一次粒径を０．０１μｍ
以上０．５μｍ未満であると規定している。

【００７４】フィラーの平均一次粒径が０．０１μｍよ
り小さい場合は、凝集度が高くなり、耐摩耗性が弱くな
る。また、０．５μｍ以上の場合は、平均粒径がそれ以
上となり、画像の劣化を起こす。

【００７５】また、粒子が凝集体から形成されている場
合、感光体の経時使用やＮＯｘガス曝露による電気的特
性変化が大きいという欠点を有する。従って、耐摩耗性
は良くても電気特性による劣化が起きて、高寿命の感光
体が得られない。この点からもフィラーの平均一次粒径
と平均粒径を上記範囲に設定することが必要である。

【００７６】なお、フィラーの平均粒径が上記範囲内で
あることに加えて、粒径の大きい粒子が多く存在する
と、塗布状態で該大粒子が表面に頭出し、クリーニング
ブレードを傷つけクリーニング不良を発生し、画質が低
下する恐れがある。従って、フィラーの分散状態におい
て、フィラー中１．０μｍの粒径を越える粒子の含有量
が１０％以下であるように分散されていることが好まし
い。

【００７７】また、フィラーの形状は、長軸／短軸の比
が１〜３であり、真球状から楕円球状が好ましい。長軸
／短軸の比が３を越える場合は、高解像後のドット再現
性と耐摩耗性の両立を図ることが困難となる。すなわ
ち、フィラーの含有量を多くすると感光体の表面形状が
不均一となり、高解像度のドット再現性を低下させ、フ
ィラーの含有量を下げると耐摩耗性が落ち、両者を満足
する領域が見つからない。

【００７８】分散溶媒としては、メチルエチルケトン、
アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチル
セロソルブなどのエーテル類、トルエン、キシレンなど
の芳香族類、クロロベンゼン、ジクロルメタンなどのハ
ロゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類が
使用される。粉砕工程を加える場合は、ボールミル、サ
ンドミル、振動ミルなどを用いる。

【００７９】電荷輸送材料の量は、バインダー樹脂１重
量部に対し、０．２〜３重量部、好ましくは０．４〜
１．５重量部が適当である。電荷輸送材料として高分子
型電荷輸送材料を用いる場合には、バインダー樹脂が無
くとも電荷輸送層を形成することができる。また、低分
子型電荷輸送材料を用いる場合、バインダー樹脂の代わ
りに高分子型電荷輸送材料を用いることもできる。

【００８０】塗工方法としては、浸漬法、スプレー塗工
法、リングコート法、ロールコータ法、グラビア塗工
法、ノズルコート法、スクリーン印刷法等が採用され
る。電荷輸送層３及び４の膜厚は、５〜３０μｍ程度と
することが好ましい。より好ましくは５〜１５μｍであ
る。また、電荷輸送層５及び６の膜厚は０．５〜１０μ
ｍで、好ましくは０．５〜５μｍである。

【００８１】本発明において感光層中に可塑剤やレベリ
ング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフ
タレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑
剤として使用されているものがそのまま使用でき、その
使用量は、バインダー樹脂に対して０〜３０重量％程度
が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコ
ーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシ
リコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を
有するポリマー又はオリゴマーが使用され、その使用量
はバインダー樹脂に対して、０〜１重量％が適当であ
る。

【００８２】導電性支持体１としては、アルミニウム、
ニッケル、銅、チタン、金、ステンレス等の金属板、金
属ドラム又は金属箔、アルミニウム、ニッケル、銅、チ
タン、金酸化錫、酸化インジウムなどを蒸着したプラス
チックフィルムあるいは導電性物質を塗布した紙、プラ
スチックなどのフィルム又はドラム等が挙げられる。

【００８３】また、導電性基体上に形成させる中間層７
としては、一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹
脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、
一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であること
が望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアル
コール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶
性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等
のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が
挙げられる。また、モアレ防止、抵抗値の最適化等のた
めに酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウ
ム、酸化錫、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物
の微粉末顔料を加えてもよい。

【００８４】これらの中間層は、適当な溶媒、塗工法を
用いて形成することができる。更に、シランカップリン
グ剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等
を使用することもできる。この他、本発明の中間層に
は、Ａｌ₂Ｏ₃を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキ
シリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、
ＴｉＯ₂、ＩＴＯ、ＣｅＯ₂等の無機物を真空薄膜作成法
にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知
のものを用いることができる。中間層の膜厚は０〜１０
μｍが適当であり好ましくは０．５〜５μｍである。

【００８５】電荷発生層２は、電荷発生材料と適当な溶
媒に、必要に応じてバインダー樹脂を加え溶解又は分散
し、塗布して乾燥させることにより設けることができ
る。

【００８６】電荷発生層用分散液の分散方法としては、
例えば、ボールミル、超音波、ホモミキサー等が挙げら
れ、また塗布手段としては、ディッピング塗工法、ブレ
ード塗工法、スプレー塗工法等が挙げられる。

【００８７】電荷発生材料を分散し、感光層を形成する
場合、層中への分散性を良くするために、その電荷発生
材料は２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の平均粒径の
ものが好ましい。ただし、上記の粒径があまりに小さい
とかえって凝集しやすく、層の抵抗が上昇したり、結晶
欠陥が増えて感度及び繰り返し特性が低下したり、ある
いは微細化する上で限界があるから、平均粒径の下限を
０．０１μｍとするのが好ましい。電荷発生層の膜厚
は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは
０．１〜２μｍである。

【００８８】電荷発生材料は、例えば以下に示す様な顔
料が挙げられる。有機顔料としては、例えば、シーアイ
ピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ２１
１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ２１
２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ４５１
００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ４５２１
０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３
−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報に
記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特
開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオ
フェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８
号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレ
ノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号
公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料
（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリル
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−
２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記
載）、ベンズアントロン骨格を有するアゾ顔料などのア
ゾ顔料、また例えば、シーアイピグメントブルー１６
（ＣＩ７４１００）、オキソチタニウムフタロシアニ
ン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、シーア
イバットブラウン５（ＣＩ７３４１０）、シーアイバッ
トダイ（ＣＩ７３０３０）などのインジコ系顔料、アル
ゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インタンスレンス
カーレットＲ（バイエル社製）などのペリレン顔料など
が挙げられる。なお、これらの電荷発生材料は単独で用
いてもあるいは２種類以上を併用しても良い。

【００８９】電荷発生層の分散液あるいは溶液を調整す
る際に使用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、トルエン、キシレン、モノクロルベン
ゼン、１、２ージクロルエタン、１、１、１ートリクロ
ルエタン、ジクロルメタン、１、１、２ートリクロルエ
タン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン等を挙げ
ることができる。

【００９０】バインダー樹脂としては、絶縁性がよい従
来から知られているバインダー樹脂であれば何でも使用
でき、特に限定はない。例えば、ポリエチレン、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリプロピレン、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹
脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、
並びにこれらの樹脂の繰り返し単位のうち２つ以上を含
む共重合体樹脂、例えば塩化ビニルー酢酸ビニル共重合
体、スチレンーアクリル共重合体、塩化ビニルー酢酸ビ
ニルー無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂のほ
か、ポリーＮービニルカルバゾール等の高分子有機半導
体が挙げられる。これらのバインダーは単独で又は２種
類以上の混合物として用いることが出来る。バインダー
樹脂の量は、電荷発生材料１重量部に対し０〜５重量
部、好ましくは０．１〜３重量部が適当である。

【００９１】更に、上記感光層中には、帯電性の向上等
を目的に、フェノール化合物、ハイドロキノン化合物、
ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合
物、ヒンダードアミンとヒンダードフェノールが同一分
子中に存在する化合物などを添加することが出来る。

【００９２】次に、図面を用いて本発明の電子写真方法
並びに電子写真装置を詳しく説明する。

【００９３】図４は、本発明の電子写真プロセス、電子
写真プロセスカートリッジ及び電子写真装置を説明する
ための概略図であり、下記するような変形例も本発明の
範疇に属するものである。

【００９４】図４において、感光体１は導電性支持体上
に電荷発生層、電荷輸送層が順次積層された本発明の感
光層が設けられている。感光体１はドラム状の形状を示
しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであ
っても良い。帯電チャージャ３、転写前チャージャ７、
転写チャージャ１０、分離チャージャ１１、クリーニン
グ前チャージャ１３には、コロトロン、スコロトロン、
固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯
電ローラを始めとする公知の手段が用いられる。

【００９５】転写手段には、一般に上記の帯電器が使用
できるが、図に示されるように転写チャージャーと分離
チャージャーを併用したものが効果的である。

【００９６】画像露光部５には、３９０〜４６０ｎｍの
範囲に発振波長を有するＬＤ又はＬＥＤが用いられる。
また、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステ
ンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、Ｌ
ＥＤ、ＬＤ、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）な
どの発光物全般を用いることができる。そして、所望の
波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィ
ルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルタ
ー、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温
度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることも
できる。かかる光源等は、図４に示される工程の他に光
照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工
程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感
光体に光が照射される。

【００９７】現像ユニット６により感光体１上に現像さ
れたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写さ
れるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ず
る。このようなトナーは、ファーブラシ１４及びブレー
ド１５により、感光体より除去される。クリーニング
は、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、
クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラ
シを始めとする公知のものが用いられる。

【００９８】電子写真感光体に正（負）帯電を施し、画
像露光を行なうと、感光体表面上には正（負）の静電潜
像が形成される。これを負（正）極性のトナー（検電微
粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正
（負）極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られ
る。かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、
また、除電手段にも公知の方法が用いられる。

【００９９】図５には、本発明による電子写真プロセス
の別の例を示す。感光体２１は本発明の感光層を有して
おり、駆動ローラ２２ａ、２２ｂにより駆動され、帯電
器２３による帯電、光源２４による像露光、現像（図示
せず）、帯電器２５を用いる転写、光源２６によるクリ
ーニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源
２８による除電が繰返し行なわれる。図５においては、
感光体２１（勿論この場合は支持体が透光性である）に
支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれ
る。

【０１００】以上の図示した電子写真プロセスは、本発
明における実施形態を例示するものであって、もちろん
他の実施形態も可能である。例えば、図５においては支
持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは
感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の
照射を支持体側から行ってもよい。

【０１０１】一方、光照射工程は、像露光、クリーニン
グ前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露
光、像露光のプレ露光、及びその他公知の光照射工程を
設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。

【０１０２】以上に示すような画像形成手段は、複写装
置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれ
ていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装
置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジと
は、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手
段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１
つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状
等は多く挙げられるが、一般的な例として、図６に示す
ものが挙げられる。感光体１６には、導電性支持体上に
電荷発生層、電荷輸送層が順次積層された本発明の感光
層が設けられている。

【０１０３】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて説明するが、
本発明がこれら実施例により制約を受けるものではな
い。なお、部はすべて重量部である。

【０１０４】（実施例１）オイルフリーアルキッド樹脂（大日本インキ化学社製：ベッコライトＭ６４０１）１．５部メラミン樹脂（大日本インキ化学社製：スーパーベッカミンＧ−８２１）１部二酸化チタン［石原産業（株）製：タイペークＣＲ−ＥＬ］５部２−ブタノン２２．５部の混合物をボールミルポットに取り、φ１０ｍｍのアル
ミナボールを使用し、４８時間ボールミリングして中間
層塗布液を調製した。この塗布液をアルミ・シリンダー
上にディップ塗布後、１３０℃で２０分間乾燥し、厚さ
３．５μｍの中間層を形成した。

【０１０５】次に、Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニ
ン１．５部及びビニルブチラール樹脂（ユニオンカーバ
イド社製ＸＹＨＬ）１部の０．５％酢酸ブチル溶液５０
０部をボールミル中で粉砕混合し、前記中間層上にディ
ッピング塗布し、自然乾燥して厚さ０．５μｍの電荷発
生層を形成した。次に、電荷輸送材料として下記構造式
（２５）で示されるアミノビフェニル化合物７部とポリ
カーボネート樹脂［（株）帝人製パンライトＴＳ−２０
５０］１０部をテトラヒドロフランに溶解し、この電荷
輸送層塗工液を前記電荷発生層上にディッピング塗布
し、８０℃で２分間、ついで１３０℃で２０分間乾燥し
て厚さ１３μｍの電荷輸送層を形成した。

【０１０６】

【化２７】

【０１０７】次に、フィラーとして、酸化チタン微粒子
（富士チタン工業社製ＴＡＦ−１５００Ｓ、平均１次粒
子径０．０２５μｍ）２．５部、分散安定剤として、ビ
ックケミー社製ＢＹＫ−Ｐ１０５０．０４部、シクロヘ
キサノン２．５部をボールミリングにより分散させ、ポ
リカーボネート樹脂［（株）帝人製パンライトＴＳ−２
０５０］５部、前記構造式（２５）で示されるアミノビ
フェニル化合物３部、ＴＨＦ４０部及びシクロヘキサノ
ン１３８部の溶液を添加攪拌して表面保護層塗工液を作
成した。この塗工液の一部を抽出し、フィラーの粒径を
粒度分布測定装置（ＣＡＰＡ−５００）により測定した
ところ、平均粒径は０．３５μｍであった。また、１μ
ｍより大きい粒子の体積分率は３％であった（表１１参
照）。この液を電荷輸送層上にスプレー塗布し、８０℃
で２分間、ついで１３０℃で２０分間乾燥して厚さ２μ
ｍの表面保護層を形成し感光体を作成した。

【０１０８】得られた電子写真感光体、帯電手段として
帯電ローラ、像露光手段として光源に発振波長４０５ｎ
ｍの半導体レーザを搭載しビーム系をアパーチャーで調
節できる光学系、現像手段として２成分の現像ユニット
及びパターンジェネレーターを取り付けた作像実験機に
より、１５μｍのビーム系で得られる孤立ドットを感光
体上に形成させ、それを接着テープに転写させ、ＣＣＤ
カメラにより読み取り、画像解析した。感光体の初期暗
部帯電電位は−６００Ｖ、明部電位−１００Ｖで行い、
トナーは平均粒径５μｍの磁性トナーを使用した。孤立
ドットの形状、再現性を目視により評価した。

【０１０９】また、上記、電子写真感光体ドラムを図４
に示した電子写真プロセスに装着し［ただし、画像露光
光源を４０５ｎｍに発振波長を持つＬＤとした（ポリゴ
ン・ミラーによる画像書込）］、テストチャートの画像
評価を始めと１万枚印刷後に行い、異常画像等の発生状
況を観察した。また、１万枚印刷後の感光体の減少膜厚
を測定した。それらの結果を表１２に示す。

【０１１０】（実施例２〜７、比較例１〜６）実施例１
において表面保護層のフィラーを表１１の様に変えた以
外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、評価し
た。それらの結果を、表１２に示す。

【０１１１】（比較例７）表面保護層を設けないこと以
外は実施例１と同様にして感光体を作製し、評価した。
その結果を表１２に示す。

【０１１２】

【表１１】

【０１１３】

【表１２】

【０１１４】これらの結果から本発明の電子写真感光
体、電子写真装置は、高解像度の微小ドットの再現性に
優れ、繰り返し使用によっても膜削れが少なく、安定し
た高品質画像が得られることがわかる。

【０１１５】

【発明の効果】以上のように、本発明では微小ドットを
再現性良く画像形成することが出来、且つ優れた耐刷性
を有することから、１２００ｄｐｉ又は２４００ｄｐｉ
といった超高解像度な画像を形成でき、且つ小型で高速
で部品交換頻度の少ない電子写真装置、プロセスカート
リッジを提供することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の１例の断面の概略図
である。

【図２】本発明の電子写真感光体の１例の断面の概略図
である。

【図３】本発明の電子写真感光体の別の１例の断面の概
略図である。

【図４】本発明の電子写真プロセス、電子写真プロセス
カートリッジ及び電子写真装置を説明するための概略図
である。

【図５】本発明による電子写真プロセスの別の例を示す
概略図である。

【図６】本発明のプロセスカートリッジの例を示す概略
図である。

【符号の説明】

（図１〜図３）１導電性支持体２電荷発生層３〜６電荷輸送層（図４）１感光体２除電ランプ３帯電チャージャ４イレーサ５画像露光部６現像ユニット７転写前チャージャ８レジストローラ９転写紙１０転写チャージャ１１分離チャージャ１２分離爪１３クリーニング前チャージャ１４ファーブラシ１５クリーニングブラシ（図５）２１感光体２２ａ、２２ｂ駆動ローラ２３帯電チャージャ２４像露光源２５転写チャージャ２６クリーニング前露光２７クリーニングブラシ２８除電光源（図６）１６感光体１７帯電チャージャ１８クリーニングブラシ１９画像露光部２０現像ローラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者南場通彦東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者河村慎一東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 2H068 AA14 AA20 AA35 AA37 AA39 AA41 BB31 BB33 BB44 BB51 CA02 CA22 CA29 CA33 CA37 CA40 CA60 FA30 FB07 2H076 AB05 DA37

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持体上に直接又は中間層を介し
て電荷発生層、電荷輸送層を順次設けた積層型電子写真
感光体において、該電子写真感光体が書込光として３９
０〜４６０ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を照射
され、且つ該電荷輸送層が少なくとも電荷輸送材料及び
フィラーからなり、しかも該フィラーの平均１次粒径が
０．０１μｍ以上０．５μｍ未満であり、且つ平均粒径
が０．０５μｍ以上０．５μｍ未満であることを特徴と
する電子写真感光体。
【請求項２】前記電荷輸送層中のフィラー分散状態が
フィラー中１．０μｍの粒径を越える粒子の含有量が１
０％以下であるように分散されたことを特徴とする請求
項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】前記電荷輸送層が少なくとも電荷輸送材
料からなる層と、少なくともフィラー及びバインダー樹
脂からなる層とをその順に設けた積層で構成されること
を特徴とする請求項１又は２記載の電子写真感光体。
【請求項４】前記電荷輸送層が少なくとも電荷輸送材
料からなる層と、少なくともフィラー及び電荷輸送材料
からなる層とをその順に設けた積層で構成されることを
特徴とする請求項１又は２記載の電子写真感光体。
【請求項５】フィラーが酸化チタン、酸化錫、酸化亜
鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、窒化珪素、酸
化カルシウム、硫酸バリウム、ＩＴＯ、シリカ、コロイ
ダルシリカ、アルミナ、カーボンブラック、ふっ素系樹
脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、高分子電荷輸
送材料微粉末の中のいずれか一種若しくは混合物である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子
写真感光体。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の電子写
真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段
の少なくとも１つとを一体的に構成し、電子写真装置本
体から着脱自在としたことを特徴とするプロセスカート
リッジ。
【請求項７】請求項１〜５のいずれかに記載の電子写
真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及び３９０
〜４６０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを使用
した像露光手段とを備えたことを特徴とする電子写真装
置。