JP2002085947A - オゾン水製造方法及び製造装置 - Google Patents

オゾン水製造方法及び製造装置

Info

Publication number
JP2002085947A
JP2002085947A JP2000282263A JP2000282263A JP2002085947A JP 2002085947 A JP2002085947 A JP 2002085947A JP 2000282263 A JP2000282263 A JP 2000282263A JP 2000282263 A JP2000282263 A JP 2000282263A JP 2002085947 A JP2002085947 A JP 2002085947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water
ozone
toc
concentration
ultrapure water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000282263A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4827286B2 (ja
Inventor
Takeshi Nakatsuka
豪 中塚
Kuniko Yamano
邦子 山野
Kazunori Takeuchi
和則 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Precision Products Co Ltd filed Critical Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority to JP2000282263A priority Critical patent/JP4827286B2/ja
Publication of JP2002085947A publication Critical patent/JP2002085947A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4827286B2 publication Critical patent/JP4827286B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 使用する純水又は超純水の種類に関係なく、
高濃度のオゾン水を安定に製造する。 【解決手段】 オゾン水の製造に使用する純水又は超純
水中のTOC値が15ppb以下のときに、TOC成分
を前記純水又は超純水中にTOC値が15ppb超25
0ppb以下となるように添加する。或いは、炭酸ガス
を前記純水又は超純水中にその水1L当たり5〜500
cc添加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オゾンを純水又は
超純水中に溶解させたオゾン水の製造方法及び製造装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス(液晶表示装置を含む)
の製造プロセスにおいては、基板の表面に付着する有機
物やパーティク等を除去するために、基板に対して洗浄
処理が繰り返される。ここに使用される洗浄液としては
有機溶剤、酸液等が多用されているが、最近では環境面
で問題の少ないオゾン水も使用され始めている。
【0003】半導体デバイスの製造プロセスにおいて使
用されるオゾン水には、反応性の点からオゾン濃度が高
いこと、及び半導体デバイスの性質上、クリーン度が高
く、不純物を含まないことが要求される。これらの要求
に応えるため、そのオゾン水は通常、次のような方法で
製造されている。
【0004】4N以上の高純度酸素ガスを原料ガスとし
て放電式オゾナイザでオゾンガスを生成する。生成した
オゾンガスを純水又は超純水と接触させてオゾンガス中
のオゾンを純水に溶解させる。オゾンガスの製造原料と
して高純度酸素ガスを使用し、オゾン水の製造原料とし
て純水又は超純水を使用するのは、オゾンガスから不純
物を排除し、オゾン水中の不純物量を低減するために他
ならない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のオゾン水製造方法には、次のような問題があ
る。
【0006】オゾン水は単なる洗浄に使用される他、最
近ではレジスト剥離への適用が考えられている。単なる
洗浄に使用されるオゾン水のオゾン濃度は5ppm程度
あるのに対し、レジスト剥離に使用されるオゾン水のオ
ゾン濃度は通常50ppm以上であり、100ppmに
達する場合もある。
【0007】単なる洗浄に使用される低濃度のオゾン水
の場合は問題ないが、レジスト剥離に使用されるような
高濃度のオゾン水の場合は、その濃度に見合う高濃度の
オゾンガスや高性能のオゾン溶解器を使用しても、使用
する純水又は超純水の種類によってはオゾン濃度が十分
に上がらず、所定濃度のオゾン水が製造されないことが
ある。
【0008】本発明の目的は、使用する純水又は超純水
の種類に関係なく、高濃度のオゾン水を安定に製造でき
るオゾン水製造方法及び製造装置を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】オゾン水のオゾン濃度が
十分に上昇しない現象は、使用する純水又は超純水の影
響を受ける。図5(a)は、同じ性能を有するオゾン水
製造装置を使用し、且つ、そのオゾン水製造に半導体工
場向けの超純水を使用したときの、オゾン水のオゾン濃
度のバラツキを示す。同図から分かるように、半導体工
場向けの超純水に分類される非常に精製度の高い水を使
用しても、オゾン濃度が上昇する場合と上昇しない場合
がある。
【0010】その原因を見つけるために、本発明者ら
は、使用する純水又は超純水の水質とオゾン水濃度との
関係を、主に高濃度領域について詳細に調査した。その
結果、水質項目のうちの特にTOC量が、製造される高
濃度オゾン水の濃度に深く関係することを知見した。
【0011】即ち、液晶を含む半導体製造用の純水又は
超純水の水質項目としては、比抵抗、微粒子量、生菌
量、TOC量、シリカ量、溶存酸素量、Na量、Cl量
などがある。これらの項目の基準値は液晶工場向けと半
導体工場向けとで異なり、統一的な水質基準は存在しな
い。例えば、半導体工場向けの超純水の要求水質と集積
度の関係は表1のとおりである。
【0012】
【表1】
【0013】図5(b)は、図5(a)に示した4種類
の超純水中のTOC量と、各超純水を使用して製造した
オゾン水のオゾン濃度との関係を示す。同図から分かる
ように、また後述する図6との比較から分かるように、
製造されるオゾン水のオゾン濃度は、その製造に使用さ
れる純水又は超純水中のTOC量に実質的に依存してお
り、TOC量が15ppb以下になると急激に低下する
が、15ppbを超える領域では、TOC量によらず、
また他の水質項目に関係なく、この低下を生じない。
【0014】これは、オゾン溶解器で製造されるオゾン
水のオゾン濃度が上昇しない原因が、溶存オゾンの連鎖
反応的な自己分解にあり、15ppbというTOC量
が、この連鎖反応の臨界値であるためと考えられる。
【0015】即ち、使用する純水又は超純水中のTOC
量が15ppb以下のときは、溶存オゾンが分解する際
に生成するヒドラキシラジカル等が溶存オゾンと連鎖反
応的に反応するため、オゾンの分解速度が大きくなる
が、TOC量が15ppbを超えると、溶存オゾンの分
解によって生成するヒドラキシラジカル等は溶存オゾン
と反応する前にTOC成分と反応し消費されるために、
溶存オゾンの分解が抑制されるためと考えられる。
【0016】本発明のオゾン水製造方法及び製造装置
は、かかる知見に基づいて開発されたものであり、その
第1の製造方法は、オゾナイザにより発生させたオゾン
を純水又は超純水中に溶解させてオゾン濃度が10pp
m以上のオゾン水を製造する際に、前記純水又は超純水
中のTOC値が15ppb以下のときに、TOC成分を
前記純水又は超純水中にTOC値が15ppb超250
ppb以下となるように添加するものである。
【0017】また、第2の製造方法は、オゾナイザによ
り発生させたオゾンを純水又は超純水中に溶解させてオ
ゾン濃度が10ppm以上のオゾン水を製造する際に、
前記純水又は超純水中のTOC値が15ppb以下のと
きに、炭酸ガスを前記純水又は超純水中にその水1L当
たり5〜500cc添加するものである。
【0018】また、第1の製造装置は、オゾナイザによ
り発生させたオゾンを純水又は超純水中に溶解させてオ
ゾン水を製造する手段と、前記純水又は超純水中のTO
C量を測定する手段と、前記純水又は超純水中へTOC
成分を添加する手段と、測定されたTOC量に基づいて
前記純水又は超純水中へのTOC成分の添加量を制御す
る手段とを具備している。
【0019】また、第2の製造装置は、オゾナイザによ
り発生させたオゾンを純水又は超純水中に溶解させてオ
ゾン水を製造する手段と、前記純水又は超純水中のTO
C量を測定する手段と、前記純水又は超純水中へ炭酸ガ
スを添加する手段と、測定されたTOC量に基づいて前
記純水又は超純水中への炭酸ガスの添加量を制御する手
段とを具備している。
【0020】第1及び第2の製造装置においては、純水
又は超純水中のTOC量を測定する代わりに、製造され
るオゾン水のオゾン濃度を測定し、測定されたオゾン濃
度に基づいて純水又は超純水中へのTOC成分や炭酸ガ
スの添加量を制御することができる。
【0021】第2の製造方法及び第2の製造装置におい
て、純水又は超純水中へ炭酸ガスを添加する場合、オゾ
ナイザに原料ガスとして供給する酸素ガス及び/又はオ
ゾナイザで生成したオゾンガスに対して炭酸ガスを添加
することにより、これらのガスを介して純水又は超純水
中への炭酸ガスの添加を行うことができる。
【0022】製造するオゾン水の濃度が10ppm未満
の場合は、使用する純水又は超純水中のTOC成分量が
15ppb以下であっても、オゾン溶解器でのオゾン水
濃度の低下は殆ど生じない。一方、製造するオゾン水の
濃度が10ppm以上であっても、使用する純水又は超
純水中のTOC量が15ppbを超えていれば、オゾン
溶解器でのオゾン水濃度の低下は僅かである。この現象
は、オゾン水濃度が20ppm以上の場合に特に顕著で
ある。
【0023】このように、ケースバイケースで発生する
オゾン水濃度の低下を阻止するためには、使用する純水
又は超純水中にTOC成分を添加するのが有効である
が、TOC成分は純水又は超純水の水質を低下させ、オ
ゾン水のクリーン度を低下させる原因になる。このた
め、TOC成分を添加する場合は、純水又は超純水中の
TOC量が250ppbを超えないように注意すること
が重要となる。特に好ましいTOC量の管理範囲は50
〜100ppbである。
【0024】TOC成分の添加に用いる物質としてはI
PA(イソプロピルアルコール)、メタノール、酢酸
等、オゾンと反応しにくい有機物が好ましい。オゾンと
反応しやすい有機物ではかえってオゾンと反応し、オゾ
ン水濃度が低下するからである。なかでも特に、被洗浄
物等に悪影響を与えるおそれがないIPA、酢酸が好ま
しい。また、これらに代えて、或いはこれらと共に、T
OC成分を比較的多量に含む、精製度の比較的低い純水
を用いることもできる。
【0025】一方、純水又は超純水中への炭酸ガスの添
加も、低TOC条件下でのオゾン水濃度の低下の防止に
有効である。これは、溶存オゾンの分解によって生成す
るヒドラキシラジカル等が、溶存オゾンと反応する前に
炭酸イオンと反応し消費されるためと考えられる。
【0026】炭酸ガスの添加は純水又は超純水中、ひい
てはオゾン水中に炭酸を生じるが、その炭酸はTOC成
分に比べて有害性が低く、オゾン水のクリーン度低下に
つながらない。従って、TOC成分の添加よりも炭酸ガ
スの添加の方が好ましい。
【0027】純水又は超純水中への炭酸ガスの添加量は
水1L当たり5〜500ccとする。5cc/L未満で
は、低TOC条件下でのオゾン水濃度の低下を防止する
効果が不十分である。500cc/Lを超えると、オゾ
ン水濃度が飽和し、使用する炭酸ガスが無駄になる。特
に好ましい炭酸ガスの添加量は10〜300cc/Lで
ある。
【0028】この炭酸ガスは、純水又は超純水中に直接
添加することができるが、放電式のオゾナイザに原料ガ
スとして供給される酸素ガスや、放電式又は電解式のオ
ゾンナイザで生成されるオゾンガスを介して、純水又は
超純水中に添加することもできる。即ち、原料ガスとし
ての酸素ガスに炭酸ガスを添加すると、炭酸ガスを含む
オゾンガスが生成され、これが純水又は超純水中に注入
されることにより、純水又は超純水中への炭酸ガスの添
加が可能となる。オゾンガスに炭酸ガスを添加した場合
も、これが純水又は超純水中に注入されることにより、
純水又は超純水中への炭酸ガスの添加が可能となる。
【0029】放電式のオゾナイザで、原料ガスとして高
純度の酸素ガスを使用すると、オゾナイザの所期の性能
が発揮されず、生成されるオゾンガス中のオゾン濃度が
著しく低下するという問題がある。このオゾナイザにお
けるオゾンガス濃度の低下に対しては、従来より、原料
ガスとしての高純度酸素ガスに、少量の窒素ガスを添加
することが行われている。しかしながら、窒素ガスの添
加を行うと、オゾン水中に硝酸が生成され、オゾン水の
クリーン度が低下するという二次的な問題が生じる。
【0030】酸素ガスに炭酸ガスを添加すると、オゾナ
イザにおけるオゾンガス濃度の低下が抑制され、窒素ガ
スの添加が不要になる。また、窒素ガスの添加量を大幅
に低減することが可能になる。これらにより、オゾン水
のクリーン度が向上する。
【0031】酸素ガスについては、4N以上の高純度酸
素ガスが、オゾンガス及びオゾン水のクリーン度を高め
るために好ましい。同様の理由から、炭酸ガス及び窒素
ガスの純度も4N以上が好ましい。
【0032】オゾンガス濃度については、オゾン水濃度
を高めるために100g/m3 (N)以上が好ましく、
200g/m3 (N)以上が特に好ましい。
【0033】炭酸ガスを酸素ガスに添加する場合の窒素
ガスの添加量は1vol%以下に抑制するのがよく、
0.2vol%以下が特に好ましい。このような少量の
添加でも、炭酸ガスの存在下ではオゾンガス濃度の低下
抑制に大きな効果がある。窒素ガスの添加量の下限につ
いては、0、即ち炭酸ガスの単独添加でもオゾンガス濃
度の低下が抑制されるので、特に規定しない。
【0034】純水又は超純水中へのTOC成分や炭酸ガ
スの添加量を制御する場合の判断基準となる因子は、純
水又は超純水中のTOC量であり、このTOC量に基づ
いて添加量を制御するが、製造されるオゾン水のオゾン
濃度をこの因子として用いることも可能である。即ち、
オゾン水のオゾン濃度は、使用する純水又は超純水中の
TOC量に依存するので、このオゾン濃度に基づいて添
加量の制御を行うことが可能である。
【0035】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1(a)(b)は本発明の第1実
施形態を示すオゾン水製造装置の構成図である。
【0036】図1(a)のオゾン水製造装置は、放電式
のオゾナイザ1と、オゾナイザ1で発生させたオゾンを
純水又は超純水中に溶解するオゾン溶解器2とを備えて
いる。純水又は超純水は、純水製造装置で製造され、純
水供給系を通って、オゾン溶解器2に供給される。
【0037】純水供給系には、TOC計3が設けられる
と共に、その下流側に位置して薬液注入器4が設けられ
ている。TOC計3は、薬液注入器4を介してオゾン溶
解器2に供給される純水又は超純水中のTOC量を測定
する。TOC計3としては、例えば連続測定が可能な紫
外線酸化方式のものなどを使用することができる。薬液
注入器4は、TOC成分としてのIPA、酢酸等を純水
又は超純水中に添加する。その添加量は、TOC計3で
測定されたTOC量に基づいて制御される。即ち、測定
されたTOC量が15ppb以下のとき、そのTOC量
が15ppbを超えるように、純水又は超純水中へのT
OC成分の添加量が制御される。
【0038】TOC量が15ppbを超えていると、オ
ゾン溶解器2で製造されるオゾン水のオゾン濃度は、定
格値又はその近傍に維持される。このTOC値が15p
pb以下になると、オゾン水のオゾン濃度は定格値から
大きく低下する。このときに、そのTOC量が15pp
bを超えるように、純水又は超純水中へのTOC成分の
添加量が制御されることにより、オゾン水のオゾン濃度
は、定格値又はその近傍まで上昇する。
【0039】図1(b)のオゾン水製造装置では、薬液
注入器4を制御するために、オゾン溶解器2の下流側
で、製造されるオゾン水のオゾン濃度がオゾン水濃度計
5により測定される。
【0040】オゾン溶解器2に供給される純水又は超純
水中のTOC量が15ppbを超えている場合、オゾン
水濃度計5により測定されるオゾン水のオゾン濃度は、
定格値又はその近傍となるが、純水又は超純水中のTO
C量が15ppb以下になると、このオゾン水濃度は定
格値から大きく低下する。従って、オゾン水濃度を監視
することによっても、純水又は超純水中のTOC量が1
5ppb以下か否かが分かり、オゾン水濃度が定格値か
ら大きく低下した場合に、薬液注入器4を制御して、例
えばTOC値で15ppbを超えるように、TOC成分
を純水又は超純水中に添加することにより、オゾン水の
オゾン濃度は、定格値又はその近傍まで上昇する。
【0041】図2(a)(b)は本発明の第2実施形態
を示すオゾン水製造装置の構成図である。第2実施形態
のオゾン水製造装置では、オゾン溶解器2に供給される
純水又は超純水中にTOC成分を添加する代わりに、そ
の純水又は超純水中に炭酸ガスを溶解器6により添加す
る。この添加量は、図1(a)のオゾン水製造装置と同
様、TOC計3で測定される純水又は超純水中のTOC
量(図2(a))、又はオゾン水濃度計5で測定される
オゾン水のオゾン濃度(図2(b))に基づいて流量制
御器7が操作されることにより制御される。
【0042】即ち、TOC計3で測定される純水又は超
純水中のTOC値が15ppb以下になったとき、又は
オゾン水濃度計5で測定されるオゾン水のオゾン濃度が
定格値から大きく低下したときに、溶解器6によって純
水又は超純水中に所定量の炭酸ガスを添加する。添加量
は、純水又は超純水1L当たり5cc以上であり、TO
C値又はオゾン水濃度の大きさによって変化させること
も可能である。
【0043】純水又は超純水中にTOC成分を添加する
代わりに、その純水又は超純水中に炭酸ガスを添加する
ことによっても、純水又は超純水中のTOC成分の不足
によるオゾン水濃度の低下を阻止できることは、前述の
とおりである。
【0044】図3(a)(b)は本発明の第3実施形態
を示すオゾン水製造装置の構成図である。第3実施形態
のオゾン水製造装置では、オゾナイザ1に原料ガスとし
て供給される酸素ガスに、流量制御器7によって炭酸ガ
スが添加される。この添加量は、他の実施形態と同様、
TOC計3で測定される純水又は超純水中のTOC量
(図3(a))、又はオゾン水濃度計5で測定されるオ
ゾン水のオゾン濃度(図3(b))に基づいて制御され
る。
【0045】即ち、TOC計3で測定される純水又は超
純水中のTOC値が15ppb以下になったとき、又は
オゾン水濃度計5で測定されるオゾン水のオゾン濃度が
定格値から大きく低下したときに、酸素ガス中に所定量
の炭酸ガスが添加される。
【0046】酸素ガス中に添加された炭酸ガスは、オゾ
ナイザ1で生成されるオゾンガスにもそのまま含まれ、
オゾン溶解器2内で純水又は超純水中に添加される。こ
れにより、純水又は超純水中のTOC成分の不足による
オゾン水濃度の低下を阻止することができる。酸素ガス
中への炭酸ガスの添加量は、純水又は超純水1L当たり
の添加量が5cc以上となるように調整され、TOC値
又はオゾン水濃度の大きさによって変化させることも可
能である。
【0047】炭酸ガスを酸素ガス中に添加することによ
り、オゾナイザ1で生成されるオゾンガスのオゾン濃度
が上昇し、その上昇のために添加する窒素ガスの添加量
を低減できることは前述したとおりである。
【0048】図4(a)(b)は本発明の第4実施形態
を示すオゾン水製造装置の構成図である。第4実施形態
のオゾン水製造装置では、オゾナイザ1で生成されるオ
ゾンガスに、流量制御器7によって炭酸ガスが添加され
る。この添加量は、他の実施形態と同様、TOC計3で
測定される純水又は超純水中のTOC量(図4
(a))、又はオゾン水濃度計5で測定されるオゾン水
のオゾン濃度(図4(b))に基づいて制御される。
【0049】即ち、TOC計3で測定される純水又は超
純水中のTOC値が15ppb以下になったとき、又は
オゾン水濃度計5で測定されるオゾン水のオゾン濃度が
定格値から大きく低下したときに、オゾンガス中に所定
量の炭酸ガスが添加される。オゾンガス中に添加された
炭酸ガスは、オゾンガスと共にオゾン溶解器2に送ら
れ、ここで純水又は超純水中に添加される。これによ
り、純水又は超純水中のTOC成分の不足によるオゾン
水濃度の低下を阻止することができる。オゾンガス中へ
の炭酸ガスの添加量は、純水又は超純水1L当たりの添
加量が5cc以上となるように調整され、TOC値又は
オゾン水濃度の大きさによって変化させることも可能で
ある。
【0050】図6は、オゾン水の製造に使用される超純
水中のTOC量と、製造されるオゾン水のオゾン濃度と
の関係について調査した結果を示すグラフである。
【0051】調査では、超純水を1L/minでオゾン
溶解器に供給して、定格濃度が50ppmのオゾン水を
製造する。超純水としては、TOC量を6ppbに低減
したものを使用した。オゾンガスとしては、放電式のオ
ゾナイザで生成したオゾン濃度250g/m3 (N)の
高濃度オゾンガスを用いた。オゾンガスの生成には、6
Nの高純度酸素ガス(2L/min)と、同じく6Nの
高純度窒素ガス(20mL/min)とを用いた。TO
C成分として種々の量のIPA、酢酸を超純水中へ添加
して、超純水中のTOC値を変化させたときの、TOC
値とオゾン水のオゾン濃度との関係を示したのが図6で
ある。なお、TOC値の測定には燃料式TOC計を用
い、添加量との相違がないことを確認している。
【0052】図6から分かるように、超純水中のTOC
値が6ppbのため、TOC成分を添加しない場合は、
オゾン水濃度は約20ppmに過ぎない。TOC成分の
添加によってTOC値を上げることにより、オゾン水濃
度が急激に上昇し、超純水中のTOC量が15ppbを
超える領域では、TOC量に殆ど関係なく、オゾン水濃
度としてほぼ定格値が得られる。この結果は、今まで半
導体工場から供給される純水中のTOC値によって決ま
っていた到達オゾン濃度〔図5(b)〕を、TOC値が
低い超純水中にTOC成分を添加することによってコン
トロールできることを示している。
【0053】図7は、超純水中への炭酸ガスの添加量と
オゾン水濃度の関係を調査した結果を示すグラフであ
る。
【0054】調査では、超純水中にTOC成分を添加す
る代わりに、炭酸ガスを添加した。超純水中のTOC値
が6ppbのため、炭酸ガスを添加しない場合は、オゾ
ン水濃度は約25ppmに過ぎない。しかし、炭酸ガス
を添加することにより、超純水中のTOC値が6ppb
のままであるにもかかわらず、オゾン水濃度が急激に上
昇し、超純水1L当たり10cc以上の添加では、その
添加量に殆ど関係なく、オゾン水濃度としてほぼ定格値
が得られる。
【0055】図8及び図9は、オゾンガスを生成するた
めの原料ガス(酸素ガス)中へ炭酸ガスを添加したとき
の、炭酸ガスの添加量がオゾンガス濃度及びオゾン水濃
度に与える影響を調査した結果を示すグラフである。
【0056】炭酸ガスの添加量としては、酸素ガス中へ
の添加量と、超純水中への添加量に換算したものとを示
す。酸素ガス中への炭酸ガスの添加に伴い、酸素ガス中
への窒素ガスの添加量は、図8では20mL/min
(1vol%)から0mL/minに減らし、図9では
20mL/min(1vol%)から2mL/min
(0.1vol%)に減らした。
【0057】図8では、窒素ガスを無添加としたことに
より、炭酸ガスを添加しない場合は、オゾンガス濃度が
250g/m3 (N)から100g/m3 (N)へ減少
する。加えて、超純水中のTOC値が6ppbと低位で
あるため、炭酸ガスを添加しない場合のオゾン水濃度は
約20ppmである。しかし、炭酸ガスを添加すること
により、オゾンガス濃度も上昇して、オゾン水濃度が急
激に上昇し、超純水1L当たり50cc以上の添加で
は、その添加量に殆ど関係なく、オゾンガス濃度及びオ
ゾン水濃度として定格値に近い200g/m3 (N)及
び45ppmが得られる。
【0058】図9では、窒素ガスの添加量を20mL/
min(1vol%)から2mL/min(0.1vo
l%)に減らしている。酸素ガス中に炭酸ガスを添加す
ることにより、窒素ガスの添加量を1/10に減らした
にもかかわらず、オゾンガス濃度として定格値が得ら
れ、オゾン水濃度についても超純水1L当たり10cc
以上の添加で定格値が得られる。
【0059】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明のオゾン
水製造方法及び製造装置は、レジスト剥離に使用される
ような高濃度のオゾン水を製造する場合に、その濃度が
上がらなくなる現象を簡単に防止することができ、これ
により高濃度のオゾン水を経済的に製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態を示すオゾン水製造装置
の構成図である。
【図2】本発明の第2実施形態を示すオゾン水製造装置
の構成図である。
【図3】本発明の第3実施形態を示すオゾン水製造装置
の構成図である。
【図4】本発明の第4実施形態を示すオゾン水製造装置
の構成図である。
【図5】(a)はオゾン水の製造に使用される超純水の
水質によるオゾン水濃度のバラツキを示すグラフ、
(b)はその水質中のTOC量がオゾン水濃度に与える
影響を示すグラフである。
【図6】オゾン水の製造に使用される超純水中へTOC
成分を添加して、超純水中のTOC値を変化させたとき
の、TOC値と製造されるオゾン水のオゾン濃度との関
係を示すグラフである。
【図7】オゾン水の製造に使用される超純水中への炭酸
ガスの添加量と、製造されるオゾン水のオゾン濃度との
関係を示すグラフである。
【図8】酸素ガス中への炭酸ガスの添加量がオゾンガス
濃度及びオゾン水濃度に与える影響度を示すグラフであ
る。
【図9】酸素ガス中への炭酸ガスの添加量がオゾンガス
濃度及びオゾン水濃度に与える影響度を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
1 オゾナイザ 2 オゾン溶解器 3 TOC計 4 薬液注入器 5 オゾン水濃度計 6 炭酸ガス溶解器 7 流量制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 和則 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 住友精密工 業株式会社内 Fターム(参考) 4D050 BB02 BD04 4G035 AA01 AE01 4G042 CE01 CE04

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 オゾナイザにより発生させたオゾンを純
    水又は超純水中に溶解させてオゾン濃度が10ppm以
    上のオゾン水を製造する際に、前記純水又は超純水中の
    TOC値が15ppb以下のときに、TOC成分を前記
    純水又は超純水中にTOC値が15ppb超250pp
    b以下となるように添加することを特徴とするオゾン水
    製造方法。
  2. 【請求項2】 オゾナイザにより発生させたオゾンを純
    水又は超純水中に溶解させてオゾン濃度が10ppm以
    上のオゾン水を製造する際に、前記純水又は超純水中の
    TOC値が15ppb以下のときに、炭酸ガスを前記純
    水又は超純水中にその水1L当たり5〜500cc添加
    することを特徴とするオゾン水製造方法。
  3. 【請求項3】 オゾナイザに原料ガスとして供給する酸
    素ガス及び/又はオゾナイザで生成したオゾンガスに対
    して炭酸ガスの添加を行うことにより、炭酸ガスを純水
    又は超純水中に1L当たり5〜500cc添加すること
    を特徴とする請求項2に記載のオゾン水製造方法。
  4. 【請求項4】 オゾナイザにより発生させたオゾンを純
    水又は超純水中に溶解させてオゾン水を製造する手段
    と、製造されるオゾン水のオゾン濃度を測定する手段
    と、前記純水又は超純水中へTOC成分を添加する手段
    と、測定されたオゾン濃度に基づいて前記純水又は超純
    水中へのTOC成分の添加量を制御する手段とを具備す
    ることを特徴とするオゾン水製造装置。
  5. 【請求項5】 オゾナイザにより発生させたオゾンを純
    水又は超純水中に溶解させてオゾン水を製造する手段
    と、前記純水又は超純水中のTOC量を測定する手段
    と、前記純水又は超純水中へTOC成分を添加する手段
    と、測定されたTOC量に基づいて前記純水又は超純水
    中へのTOC成分の添加量を制御する手段とを具備する
    ことを特徴とするオゾン水製造装置。
  6. 【請求項6】 オゾナイザにより発生させたオゾンを純
    水又は超純水中に溶解させてオゾン水を製造する手段
    と、製造されるオゾン水のオゾン濃度を測定する手段
    と、前記純水又は超純水中へ炭酸ガスを添加する手段
    と、測定されたオゾン濃度に基づいて前記純水又は超純
    水中への炭酸ガスの添加量を制御する手段とを具備する
    ことを特徴とするオゾン水製造装置。
  7. 【請求項7】 オゾナイザにより発生させたオゾンを純
    水又は超純水中に溶解させてオゾン水を製造する手段
    と、前記純水又は超純水中のTOC量を測定する手段
    と、前記純水又は超純水中へ炭酸ガスを添加する手段
    と、測定されたTOC量に基づいて前記純水又は超純水
    中への炭酸ガスの添加量を制御する手段とを具備するこ
    とを特徴とするオゾン水製造装置。
  8. 【請求項8】 前記純水又は超純水中へ炭酸ガスを添加
    する手段は、前記オゾナイザに原料ガスとして供給する
    酸素ガス及び/又はオゾナイザで生成したオゾンガス中
    へ炭酸ガスを添加することにより、純水又は超純水中へ
    の炭酸ガスの添加を行うことを特徴とする請求項6又は
    7に記載のオゾン水製造装置。
JP2000282263A 2000-09-18 2000-09-18 オゾン水製造方法 Expired - Lifetime JP4827286B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000282263A JP4827286B2 (ja) 2000-09-18 2000-09-18 オゾン水製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000282263A JP4827286B2 (ja) 2000-09-18 2000-09-18 オゾン水製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002085947A true JP2002085947A (ja) 2002-03-26
JP4827286B2 JP4827286B2 (ja) 2011-11-30

Family

ID=18766808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000282263A Expired - Lifetime JP4827286B2 (ja) 2000-09-18 2000-09-18 オゾン水製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4827286B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009160508A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Eiji Matsumura オゾン水生成装置、オゾン水生成方法、オゾン水、オゾン水溶液、及びオゾン水またはオゾン水溶液
JP2015131256A (ja) * 2014-01-09 2015-07-23 倉敷紡績株式会社 ヒドロキシルラジカル含有水製造装置および製造方法
JP2021171696A (ja) * 2020-04-24 2021-11-01 三菱電機株式会社 浄化装置および浄化方法
JP7515290B2 (ja) 2020-04-24 2024-07-12 三菱電機株式会社 浄化装置および浄化方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6734621B2 (ja) 2014-02-20 2020-08-05 オルガノ株式会社 オゾン水供給方法及びオゾン水供給装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296490A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd オゾン水製造方法
JP2000037695A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Kurita Water Ind Ltd オゾン水供給装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296490A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd オゾン水製造方法
JP2000037695A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Kurita Water Ind Ltd オゾン水供給装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009160508A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Eiji Matsumura オゾン水生成装置、オゾン水生成方法、オゾン水、オゾン水溶液、及びオゾン水またはオゾン水溶液
JP2015131256A (ja) * 2014-01-09 2015-07-23 倉敷紡績株式会社 ヒドロキシルラジカル含有水製造装置および製造方法
JP2021171696A (ja) * 2020-04-24 2021-11-01 三菱電機株式会社 浄化装置および浄化方法
JP7515290B2 (ja) 2020-04-24 2024-07-12 三菱電機株式会社 浄化装置および浄化方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4827286B2 (ja) 2011-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11229887B2 (en) Ozone water supply method and ozone water supply device
EP1512457B1 (en) Gas-dissolved water supply
KR100303933B1 (ko) 메가소닉스보조세정의효율제어방법
JP2743823B2 (ja) 半導体基板のウエット処理方法
US8999069B2 (en) Method for producing cleaning water for an electronic material
US20110042281A1 (en) Gas-dissolved water supply system
WO2014069203A1 (ja) オゾンガス溶解水の製造方法、及び電子材料の洗浄方法
US20070034230A1 (en) Method and system for producing ozonized deionized water
JPH0621010B2 (ja) 高純度、高濃度オゾンをほとんど経時変化なく発生させる方法
JP2007294642A (ja) シリコンのエッチング方法
JP2010017633A (ja) 水素溶解水の製造装置及びこれを用いた製造方法ならびに電子部品又は電子部品の製造器具用の洗浄装置
WO2018179492A1 (ja) pH及び酸化還元電位を制御可能な希釈薬液の製造装置
JP2000037695A (ja) オゾン水供給装置
JP2002085947A (ja) オゾン水製造方法及び製造装置
JP2005262031A (ja) 循環式ガス溶解水供給装置及び該装置の運転方法
JP2000208471A (ja) 電子材料用洗浄水の調製装置
JP2002029710A (ja) オゾン発生方法及び装置並びにオゾン発生用原料ガス
JP4081728B2 (ja) オゾン含有超純水供給装置
JP2014189441A (ja) 過酸化水素水生成装置、基板処理装置、および過酸化水素水生成方法
JP2587860B2 (ja) オゾン発生方法
JP2000216130A (ja) 電子材料用洗浄水及び電子材料の洗浄方法
JP2005152803A (ja) オゾン水の送水方法
De Smedt et al. The increasing importance of the use of ozone in the microelectronics industry
JP2000262992A (ja) 基板の洗浄方法
WO2019225024A1 (ja) ゲルマニウム基板洗浄水の製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070618

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070618

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100706

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110912

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110913

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4827286

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term