JP2002081916A - 膜厚測定方法およびその方法を用いた膜厚センサ - Google Patents

膜厚測定方法およびその方法を用いた膜厚センサ

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JP2002081916A JP2000273842A JP2000273842A JP2002081916A JP 2002081916 A JP2002081916 A JP 2002081916A JP 2000273842 A JP2000273842 A JP 2000273842A JP 2000273842 A JP2000273842 A JP 2000273842A JP 2002081916 A JP2002081916 A JP 2002081916A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明基板の基板の厚みにばらつきがあって
も、各基板の膜厚を、効率良く、かつ連続的に測定でき
るようにする。 【解決手段】 測定対象の透明基板8についての受光デ
ータが入力されると、演算部22は、この基板の膜厚の
仮定値を変化させながら、膜厚毎に基板表面および裏面
における理論上の反射率を求め、これら理論上の反射率
と受光データとを用いて、裏面反射光の受光比率を算出
する。さらにこの算出結果から、基板表面からの反射光
と裏面反射光とが受光された場合の理論上の反射スペク
トルを示すモデルデータを設定し、前記受光データと比
較する。膜厚毎の処理が終了すると、演算部22は、受
光データとの一致度が最大となるモデルデータに対応す
る膜厚を、薄膜8aの厚みとして特定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板上に形成さ
れた薄膜の厚みを光の干渉を利用して測定する方法およ
びその方法を用いた膜厚センサにおいて、透明基板上に
形成された薄膜の厚みを測定するための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜が形成された基板に光を照射する
と、前記薄膜の表面で反射する光と、薄膜と基板との境
界面で反射する光とが干渉する。この干渉光の強度は、
薄膜の厚みによって異なり、また同じ基板であっても、
その基板に照射する光の波長によって干渉光の強度が変
化することが知られている。
【0003】従来の膜厚センサでは、上記の原理に基づ
き、所定の波長域に分布する光を発光する光源から基板
に光を照射するとともに、その基板からの反射光を所定
波長単位毎に分光して複数の受光素子により受光した
後、各受光素子からの出力信号をディジタル変換して波
長単位毎の反射の度合を示すスペクトル(以下、「反射
スペクトル」という。)を作成する。この反射スペクト
ルは、センサに組み込まれたコンピュータにおいて、薄
膜の厚みが所定値である場合の理論上の反射スペクトル
の特性を表すモデルデータと順に比較され、その比較結
果によって測定対象の薄膜の厚みが特定される。
【0004】ところで測定対象の基板がガラス基板のよ
うな透明基板である場合、受光素子には、前記膜厚測定
に用いる干渉光のほか、基板内部を透過して裏面で反射
する光が入射するようになる。膜厚を正確に測定するた
めには、この基板裏面からの反射光(以下、「裏面反射
光」という。)の量を把握する必要がある。
【0005】さらにこの種のセンサでは、薄膜の厚みを
精度良く反映したスペクトルを得るために、光源からの
光および基板からの反射光をレンズを介して集光するよ
うにしているが、このレンズの存在により、受光素子に
入射する裏面反射光の割合が基板の厚みによって変動す
るという事象が生じる。
【0006】図1は、前記基板の厚みが裏面反射光の受
光素子への入射に及ぼす影響を示す。図中の(1)
(2)は、いずれも測定対象の基板8における裏面反射
の状態を基板8の側方から見たものである。図中の8a
は基板上の薄膜を、8bは基板本体を、30は前記した
集光用のレンズを、それぞれ示す。なお、この図1およ
びつぎの図2では、識別のために薄膜8aの部分を塗り
つぶしているが、実際の基板の薄膜8aは、基板本体8
bと同様に透明である。
【0007】図1(1)に示すように基板8の厚みが薄
い場合、レンズ30を介して基板8に照射された光によ
る裏面反射光は、ほぼすべてレンズ30に入射して受光
素子に導かれる。これに対し、図1(2)のように基板
8が厚くなると、レンズ30と光の反射位置との距離が
長くなるため、レンズ30の外側に逃げる反射光が生
じ、受光素子に入射する裏面反射光が減少するという結
果を招く。
【0008】特開2000−65536号公報には、こ
の裏面反射光の影響を除いた正確な膜厚測定を行うため
の方法および装置が記載されている。この公報における
膜厚測定では、まず測定処理に先立ち、薄膜の形成され
ていない基板や裏面反射の影響が取り除かれた基板に測
定時と同様の条件で光を照射して、裏面反射の影響を含
む場合の反射率や裏面反射の影響が取り除かれた場合の
反射率を求め、これら反射率から受光素子に入射する裏
面反射光の割合を求める。そして測定処理時には、前記
裏面反射光の入射の割合の算出結果に基づき、各膜厚に
つき裏面反射光の影響が加味されたモデルデータを設定
して受光データとの比較処理を行う。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
法では、測定対象の基板とは異なる基板を用いて裏面反
射光の入射の割合を求める必要があるため、基板の製造
工程において、厚みが種々に変動する基板を次々に計測
しなければならないような場合に適用できない、という
問題がある。
【0010】この発明は上記問題点に着目してなされた
もので、測定対象の透明基板を用いて裏面反射光が受光
素子に入射する比率を求めることにより、透明基板の基
板の厚みにばらつきがあっても、各基板の膜厚を、効率
良く、かつ連続的に測定できるようにすることを目的と
する。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明では、透明基板の表面に光を照射するとと
もに前記照射光に対する基板からの反射光を波長単位毎
に分光してそれぞれ個別の受光素子に導き、各受光素子
からの出力信号より得た受光データを用いて前記基板の
表面に形成された薄膜の厚みを測定する場合に、つぎの
4つのステップを仮定の膜厚の値を変更しつつ膜厚毎に
実行して、前記受光データを膜厚の仮定値毎に設定され
たモデルデータと比較し、各膜厚において得られた受光
データとモデルデータとの比較結果に基づき薄膜の厚み
を特定するようにしている。
【0012】前記4つのステップのうち、まず第1のス
テップでは、膜厚が所定値であると仮定した場合の基板
表面および裏面における理論上の反射率を波長単位毎に
求める。図2は、透明基板の表面に光を照射した場合の
反射状態を模式的に示す。図中、Pは波長λの照射光、
P1は、この照射光Pに対する基板表面からの反射光で
ある。なおここでいう基板表面からの反射光P1は、基
板表面への光に対する薄膜表面からの反射光と、薄膜と
基板との境界面からの反射光とが干渉した光を意味す
る。
【0013】P2は、前記照射光が基板を透過して裏面
で反射した光である。なおこの種の裏面反射光には、基
板表面と空気との境界で反射して再び裏面で反射する、
という性質があり、順次、P3,P4・・・の反射光が
発生する。
【0014】前記基板表面における反射率とは、照射光
Pに対する表面からの反射光P1の比率(図1のR1)
であり、裏面における反射率とは、P2以下の各裏面反
射光の照射光Pに対する比率(図1のR2,R3,R4
・・・)の合計値Rbに相当する。
【0015】各反射率R1,Rbは、基板本体8bや薄
膜8aの屈折率,膜厚,照射光の波長などによって理論
的に求められる。通常、測定対象の基板の種類や材質が
認識されているならば、基板本体8bや薄膜8aについ
ての屈折率は既知であり、また照射光の波長分布も光源
の特性から求めることができるから、膜厚を所定値に仮
定すれば、理論上の反射率R1,Rbを算出することが
可能となる。前記第1のステップでは、この考え方に基
づき、所定の厚みの薄膜が形成されているとした場合の
基板表面における反射率R1と裏面における反射率Rb
とを、各受光素子に対応する波長単位毎に求めるのであ
る。
【0016】つぎの第2のステップでは、前記波長単位
毎に得た理論上の反射率と各受光素子からの出力信号よ
り得た受光データとに基づき、前記透明基板の裏面反射
光全体に対する受光素子に入射した裏面反射光の比率を
算出する。前記図2において、光Pに対するすべての反
射光P1,P2,P3・・・が受光素子に入射したと仮
定すると、その受光出力が示す反射率は、基板表面およ
び裏面のそれぞれにおける理論上の反射率の和(R1+
Rb)と同値になる。しかしながら前記図1(2)のよ
うに受光素子に入射しない裏面反射光があれば、実際の
計測値の示す反射率は、(R1+Rb)より小さくな
る。
【0017】すなわち前記裏面反射光全体に対する受光
素子に入射した裏面反射光の比率(以下、「受光比率」
という。)をyとすると、受光素子からの出力が示す理
論上の反射率R(受光素子に入射するすべての反射光の
照射光に対する比率)は、つぎの(1)式で表されること
になる。 R=R1+Rb*y ・・・(1)
【0018】したがって第1のステップで求めた理論上
の反射率R1,Rbを(1)式の右辺にあてはめ、実測の
受光データより得られる反射率Sを(1)式のRに代入す
ることにより、基板8からの裏面反射光の受光比率yの
仮定値を算出することができる。ただしR1やRbは、
波長単位によって異なり、また受光データも波長単位で
取り出されているので、前記第2のステップでは、たと
えば、波長単位毎のS,R1,Rbの平均値を用いてy
を算出するのが望ましい。または波長単位毎に(1)式を
用いてyを算出した後、各yの値を平均してもよい。
【0019】続く第3のステップでは、前記基板の表面
および裏面における理論上の反射率R1,Rbと受光比
率yとを用いて、各受光素子からの出力によって表され
る反射スペクトルのモデルデータを設定する。このモデ
ルデータは、基板表面からの理論上の反射光と受光比率
yに応じた理論上の裏面反射光とをあわせた光のスペク
トルであって、波長単位毎に、前記理論上の反射率R
1,Rbと第2のステップにおいて得られた受光比率y
とを前記(1)式にあてはめることにより得られるもので
ある。
【0020】最後の第4のステップでは、第3のステッ
プで設定されたモデルデータと前記受光素子からの出力
信号により得られた受光データとを比較する。仮定の膜
厚が測定対象の基板の膜厚に近似している場合、前記第
1,2のステップにおいて求められた受光比率yの値
も、実際の基板における受光比率に近似するはずであ
る。したがって第3のステップにおいて設定されたモデ
ルデータと受光データとを比較すると、両者間に高い一
致度が認められることになる。
【0021】よって膜厚の仮定値を変動させながら第1
〜第4のステップを実行し、受光データに対し最大の一
致度を得たモデルデータに対応する膜厚を、測定対象の
基板の薄膜の厚みとして特定することになる。なお上記
第1〜4のステップのうち、第1のステップの理論上の
反射率を求めるステップについては、必ずしも膜厚の仮
定値を変更する都度、演算処理を行う必要はなく、あら
かじめ膜厚毎の理論上の反射率を求めたテーブルから該
当する値を取り出すようにしてもよい。
【0022】さらにこの発明は、測定対象の基板に光を
照射するための光源と、前記照射光に対する基板表面か
らの反射光を分光する分光素子、およびこの分光素子に
より所定波長単位に分けられた光を受光するための複数
個の受光素子を具備する受光手段と、前記受光手段の各
受光素子からの出力信号より得られた受光データを用い
て前記薄膜の厚みを測定する測定手段とを具備する膜厚
センサにおいて、前記測定手段を、前記した第1〜第4
のステップの処理を仮定の膜厚の値を変更しつつ膜厚毎
に実行した後に、膜厚毎に得られた受光データとモデル
データとの比較結果に基づき測定対象の基板の薄膜の厚
みを特定するように構成する。
【0023】上記構成の膜厚センサでは、測定対象の透
明基板に光を照射することによって、前記の測定方法が
実行されて、受光素子への裏面反射光の入射による影響
を加味した膜厚測定処理が行われる。したがって測定処
理の前に膜のない基板などを用いて裏面反射光の受光比
率を求める必要がなくなり、高速かつ精度の高い膜厚測
定を行うことが可能となる。
【0024】好ましい一態様によれば、前記膜厚センサ
は、光源からの光を基板の表面上の所定位置に絞り込ん
で照射するとともに、この照射光を受光手段に導くため
のレンズを具備する。
【0025】さらに他の好ましい態様においては、前記
測定手段は、測定対象の基板の厚みを示すデータの入力
を受け付ける手段を具備し、前記入力データが所定の最
大厚さより薄いとき、前記裏面反射光の受光手段への入
射比率を「1」に固定してモデルデータを設定する。前
記したように薄い基板については、すべての裏面反射光
が受光素子に導かれるようになるから、前記裏面反射光
の受光比率yを「1」とすることができる。前記「所定
の最大厚さ」は、裏面反射光の理論上の受光比率yを
「1」とできる基板の厚みの範囲に含まれる。したがっ
て測定対象の基板の厚みがこの最大厚さよりも薄い場合
には、受光比率が1に設定されるので、前記受光比率を
求める処理がスキップされてモデルデータを簡単に設定
できるようになり、より一層高速の測定処理を行うこと
が可能となる。なお基板の厚みを示すデータの入力は、
厚みを示す数値の入力に限らず、測定対象の基板が「薄
い基板」であると指定する操作によっても行うことがで
きる。
【0026】
【発明の実施の形態】図3は、この発明の一実施例にか
かる膜厚センサの外観を示す。この膜厚センサは、セン
サヘッド1とコントローラ2とを光ファイバケーブル3
により接続して成る。コントローラ1には、後記する投
光部5,受光部6,制御回路7など(いずれも図6に示
す。)が組み込まれている。光ファイバケーブル3は、
投光用の光ファイバと受光用の光ファイバとがそれぞれ
複数本束ねられたもので、所定位置において投光用の光
ファイバを集めたケーブル3aと受光用の光ファイバを
集めたケーブル3bとに分けられて、コントローラ2に
接続される。
【0027】前記センサヘッド1は、円筒状のケース体
内に集光用の対物レンズ1a(図6に示す。)などを組
み込んで成るもので、測定対象の基板8(この実施例で
は透明基板)に対し所定距離だけ上方位置において、レ
ンズ面を基板表面に対向させた状態で設置される。前記
投光部5からの光は、光ファイバケーブル3aを介して
センサヘッド1より基板表面に照射され、その照射光に
対する基板からの反射光が、センサヘッド1より光ファ
イバケーブル3bを介して受光部6に導かれる。さらに
受光部6からの出力は制御回路7に取り込まれ、前記基
板上の薄膜の厚みの測定処理に用いられる。
【0028】なお、図中の4は、外部機器であるパーソ
ナルコンピュータであって、コントローラ2の制御回路
7にケーブル接続される。このパーソナルコンピュータ
4は、測定対象の基板8に関する設定データを入力した
り、コントローラ2から膜厚の測定結果を受け取って表
示する用途で用いられる。
【0029】図4は、上記膜厚センサの投光部5に使用
される光源10の構成を示す。この光源10には、出力
波長の特性が異なる3個のLED11,12,13と、
透過特性の異なる2個のダイクロイックミラー14,1
5と、集光用のレンズ16とが組み込まれる。各LED
11〜13には、それぞれ赤色光発光用、白色発光用、
青色発光用のLED(以下、「赤色LED11」,「白
色LED12」,「青色LED13」という。)が用い
られる。
【0030】赤色LED11は、レンズ16の面に対し
て所定距離だけ離れた位置に、光軸をレンズ中心に合わ
せた状態で設置される。この赤色LED11とレンズ1
6との間には、前記2つのダイクロイックミラー14,
15が、それぞれ前記赤色LED11の光軸に対し鏡面
を45度傾斜させた状態で所定間隔を隔てて設置され
る。さらに前記白色,青色の各LED12,13は、そ
れぞれダイクロイックミラー14,15の鏡面に対し4
5度の角度を持ち、かつ前記赤色LED11の光軸に直
交するように光軸を合わせた状態で設置される。なお光
源10には、このほか、各LED11〜13の出力パワ
ーを個別に制御するための駆動回路17,18,19が
組み込まれる。
【0031】この実施例の白色LED12には、LED
チップに蛍光塗料を添加した樹脂モールドを施した光源
(例えば日亜化学製のNSPW500)が用いられる。
このLED12は、約420〜700nmの波長域に分布
し、かつ470nm付近に第1のピークが、560nm付近
に第2のピークが出現するような出力波長特性を具備す
る。また青色LED13には、470nm付近に出力パ
ワーのピークが出現するような出力波長特性を有する光
源(例えば日亜化学製のNSPB500)が、赤色LE
D11には、680nm付近に出力パワーのピークが出現
するような出力波長特性を有する光源(例えば松下電器
産業製のLN124W)が、それぞれ用いられる。
【0032】赤色LED11と白色LED12との光軸
が交わる位置に設置される第1のダイクロイックミラー
14には、600nm以前の光に対する透過率が0に近似
し、かつ700nm以降の波長域の光に対する透過率が1
に近似する透過特性を具備するものが用いられる。また
赤色LED11と青色LED13との光軸が交わる位置
に配置される第2のダイクロイックミラー15には、4
70nm以前の光に対する透過率が0に近似し、かつ52
0nm以降の波長域の光に対する透過率が1に近似するよ
うな透過特性を具備するものが用いられる。
【0033】図5は、前記ダイクロイックミラー14,
15の光の透過特性と、これらダイクロイックミラー1
4,15と各LED11,12,13からの出射光とに
よって実現する出力パワーの特性との関係を示す。赤色
LED11から出射した各波長の光のうち600nmより
後の波長域の光は、第1,第2の各ダイクロイックミラ
ー14,15を順に通過してレンズ16に導かれる。白
色LED12から出射した光については、600nmより
前の波長域の光が第1のダイクロイックミラー14で反
射することによってレンズ16の方へと進むが、つぎに
第2のダイクロイックミラー15により前記470nm付
近より前の波長域の光が遮光されるため、前記第1のピ
ークの光が取り除かれ、560nm付近の第2のピークを
含む光がレンズ16に導かれる。
【0034】青色LED13から出射した光について
は、470nmより前の前記ピークを含む光が第2のダイ
クロイックミラー15で反射して、レンズ16へと導か
れる。なお各ダイクロイックミラー14,15を透過ま
たは反射して、レンズ16以外の方向に導かれた光は、
図示しない光吸収体により吸収される。
【0035】よって、赤色LED11からは、680nm
付近をピークとして600〜700nmの波長域付近に分
布する光が、白色LED12からは、560nm付近をピ
ークとして約500〜600nmの波長域付近に分布する
光が、青色LED13からは470nm付近をピークとし
て約420〜500nmの波長域付近に分布する光が、そ
れぞれ取り出されてレンズ16により集光され、測定処
理用の光として出射される。なおこの実施例では、前記
各駆動回路17,18,19により各LED11,1
2,13の出力パワーを個別に調整することにより、図
5に示すように、各LED11,12,13から取り出
された3つのピークを等しいレベルに合わせて、広い波
長域において安定した出力パワーを確保するようにして
いる。
【0036】図6は、前記膜厚センサの具体的な構成で
ある。図中、5は投光部,6は受光部,7は制御回路で
あって、いずれも前記コントローラ2内に組み込まれ
る。投光部5は、前記した構成の光源10により成るも
ので、約420〜700nmの波長域に分布する光を発光
する。この光は光ファイバケーブル3aを介してセンサ
ヘッド1の先端から基板8の表面に照射される。この光
は、基板本体8b上の薄膜8aの表面および薄膜8aと
基板本体8bとの境界面において反射するほか、基板本
体8bを透過した後に裏面で反射するもので、これら反
射光はセンサヘッド1に入射した後に、光ファイバケー
ブル3bを介して受光部6に導かれる。
【0037】受光部6は、光学多層膜を用いた分光フィ
ルタ20と、ラインCCD21(複数のCCDを一次元
配列したもの)とにより構成される。前記反射光は、分
光フィルタ20により波長単位に分光された後、分光さ
れた各光がラインCCD21の各CCDに取り込まれて
波長単位の反射光の強度が取り出される。
【0038】制御回路7は、マイクロコンピュータを主
体とする演算部22に、A/D変換部23,表示制御部
24,入出力部25などが接続されて成る。A/D変換
部23は、ラインCCD21の各CCDからの受光出力
を抽出してディジタル変換することにより、基板8から
の反射光について反射光スペクトルを示す受光データを
作成する。演算部22はこの受光データを取り込んで、
後記する方法による膜厚測定処理を実行する。
【0039】入出力部25は、前記パーソナルコンピュ
ータ4から、測定対象の基板8の基板本体8bや薄膜8
aについて、材質、光学定数などの設定データを取り込
んだり、膜厚の測定結果を装置外部に出力するためのも
のである。表示制御部24は、前記パーソナルコンピュ
ータ4に対し、前記測定結果などの表示用データを与え
ることにより、ディスプレイ画面上でのデータ表示を行
わせる。
【0040】上記構成の膜厚センサでは、薄膜8aの厚
みが所定値に想定されたときの理論上の反射スペクトル
を示すデータを設定した後、この理論上の反射スペクト
ルと前記A/D変換部23から入力された受光データの
示す反射スペクトルとを比較する方法(カーブフィッテ
ィング法)を、膜厚の想定値を変えながら順に行い、膜
厚毎の比較結果を用いて薄膜の厚みを特定する。
【0041】図7は、前記カーブフィッティング法の原
理を示す。図中、Sは、実測の受光データが示す反射ス
ペクトルである。RA〜REは膜厚毎に前記(1)式により
得られた理論上の反射スペクトル(以下、「理論曲線」
という。)であって、膜厚によって光の干渉の度合が変
化するという現象を反映してそれぞれ異なる分布形状を
とる。カーブフィッティング法では、実測の受光データ
から得られる反射スペクトルについて各理論曲線に対す
る最小自乗誤差を順に求めることにより、前記受光デー
タに最も近い形状の理論曲線を特定し、その理論曲線に
対応する膜厚d(図示例では1000nm)を、測定対象
の薄膜の厚みとする。
【0042】一般的な理論曲線は、波長単位毎の前記基
板からの理論上の反射率R1によって構成される。しか
しながら透明基板を測定対象とする場合、裏面反射光
(図2のP2,P3,P4・・・)による影響を加味し
た理論曲線を設定する必要がある。
【0043】この実施例では、測定処理時の受光データ
を用いて、各膜厚につき受光部に入射する光の比率(受
光比率)を考慮した反射スペクトルのモデルデータを自
動設定して前記カーブフィッティング法を実行すること
により、厚みのばらつく基板が次々に測定位置に導入さ
れても、各基板の膜厚を高速かつ精度良く測定するよう
にしている。
【0044】ここで透明基板の膜厚測定のためのモデル
データを設定する処理について、詳細を説明する。基板
上の薄膜の厚みをd,屈折率をnとすると、薄膜に波長
λの光が入射したときの基板表面における理論上の反射
率R1(λ)は、つぎの(2)式で示すことができる。 R1(λ)=1−A/{B+C×cos[(4π/λ)×n×d]} ・・・(2) (A,B,Cは、基板,薄膜の屈折率により求められる
定数である。)
【0045】さらに図2に示した裏面反射光P2,P
3,P4の反射率を波長毎に求めた値R2(λ),R3
(λ),R4(λ)は、それぞれつぎの(3)〜(5)式に
より求められる。なお(3)〜(5)式において、R0
(λ)は、基板の表面と空気との境界面における反射率
である。 R2(λ)=(1−R1(λ))2×R0(λ) ・・・(3) R3(λ)=(1−R1(λ))2×R0(λ)2×R1(λ) ・・・(4) R4(λ)=(1−R1(λ))2×R0(λ)3×R1(λ)2 ・・・(5)
【0046】なおP4以降の裏面反射光にかかる反射率
も同様の式により導くことができるが、反射を繰り返す
につれて反射率は小さくなるので、反射率の算出を上記
(5)式程度の段階にとどめて、各裏面反射率の合計値R
b(λ)を算出するとよい。ただしR3(λ)以降の反
射率が微小な数値であれば、R2(λ)を裏面反射率R
b(λ)として用いてもよい。
【0047】この実施例では、上記原理に基づき、基板
の膜厚dが所定値であると仮定したときの波長λ毎の理
論上の反射率R1(λ),Rb(λ)を求め、これら反
射率R1(λ),Rb(λ)の平均値R1a,Rbaを
算出する。また、測定対象の基板8により得られる受光
データが示す反射率S(λ)についても平均値Saを算
出し、これら平均値Sa,R1a,Rbaをつぎの(6)
式にあてはめることにより、裏面反射光の受光比率yを
算出する。 y=(Sa−R1a)/Rba ・・・(6)
【0048】よって波長λ毎に、理論上の反射率R1
(λ),Rb(λ)、および上記の方法で算出した受光
比率yをつぎの(7)式にあてはめることにより、波長λ
において受光される反射光の理論上の反射率R(λ)が
求められ、前記受光データと比較するための理論曲線を
表すデータ(以下、モデルデータR(λ)という。)と
してメモリ内に保存される。 R(λ)=R1(λ)+Rb(λ)×y ・・・(7)
【0049】図8は、上記膜厚センサによる一連の手順
を示す。なおこの手順は、1枚の基板の膜厚測定にかか
る手順であって、測定対象の基板8に対する投受光部
5,6の処理によって、演算部22に受光データが取り
込まることによって開始される。
【0050】まずST1では、投光部5からの光を基板
8に照射し、基板8から反射してくる光を受光部6によ
り受光して反射率を示すデータS(λ)を作成する。
(以下、このS(λ)を「計測データ」という。) つぎのST2では、前記計測データS(λ)の平均値S
aを算出する。そしてST3で、測定対象の基板の仮定
の膜厚dを最小値dxとおいた後、ST4〜8の処理を
実行する。
【0051】まずST4では、前記(2)〜(5)式を用い
て膜厚がdxである場合の基板表面および裏面からの理
論上の反射率R1(λ),Rb(λ)を算出する。つい
でST5で、これら反射率R1(λ),Rb(λ)の平
均値R1a,Rbaを求めた後、ST6で、これら平均
値R1a,Rbaと、前記計測データの平均値Saとを
前記(6)式にあてはめて、裏面反射光の受光比率yを算
出する。
【0052】さらにST7で、前記(7)式を用いて理論
曲線を示すモデルデータR(λ)を求めた後、続くST
8で、モデルデータR(λ)と計測データS(λ)との
最小自乗誤差を求める。
【0053】以下、ST9で膜厚dの値をΔdずつ増加
させながら、各膜厚につきST4〜8の処理を行う。な
お、各膜厚における最小自乗誤差は、膜厚dの大きさに
対応づけて順次メモリ内に蓄積される。このようにして
最大の膜厚dyに対する処理まで完了すると、ST10
が「YES」となってST11に移行し、前記最小自乗
誤差が最小となる場合の膜厚dzを抽出する。ST12
では、前記膜厚dzを測定対象の基板の膜厚として特定
し、その特定結果を前記入出力部27や表示制御部26
を介して外部に出力する。
【0054】なおこの実施例では、各膜厚dにつき、S
T4で理論上の反射率R1(λ),Rb(λ)を算出し
ているが、これに代えて、あらかじめ膜厚毎にR1
(λ),Rb(λ)の値を求めた結果をテーブルとして
メモリに設定すれば、ST4においては、膜厚に応じた
各理論値R1(λ),Rb(λ)をテーブルから読み出
すだけでよくなり、処理が高速化される。またこのテー
ブルは、ST7のモデルデータの設定時にも使用するこ
とができる。
【0055】図9(1)は、理論上の反射率R1
(λ),Rb(λ)による曲線の一例を示す。図9
(2)は、これらR1(λ),Rb(λ)を前記(7)式
にあてはめて設定されたモデルデータR(λ)による理
論曲線であって、図中の実線で示す曲線は受光比率yが
0.5のときの理論曲線、鎖線で示す曲線は受光比率y
が1のときの理論曲線である。
【0056】前記図9(1)のR1(λ)が示す曲線
は、通常の裏面反射が関与しない基板についての理論曲
線となる。透明基板における受光データは、図9(2)
の各理論曲線に示すように、裏面反射光が乗る分だけ通
常よりも高い反射率を示すので、前記したカーブフィッ
ティング法にR1(λ)による理論曲線を用いると、測
定対象の薄膜の厚みに対応する理論曲線であっても、大
きな誤差が生じ、その結果、膜厚の測定が誤ったものと
なる可能性が生じる。
【0057】この実施例では、前記図8の手順によっ
て、膜厚dの仮定値を順に変更しながら、その膜厚dに
おける理論上の反射率R1(λ),Rb(λ),および
計測データS(λ)の各平均値を用いて裏面反射光の受
光比率yを仮定し、モデルデータを設定しているので、
膜厚dの値が実際の基板の膜厚に最も近くなったときの
受光比率yの仮定値は、実際の基板における受光比率を
精度良く表すものとなる。よってこのときのモデルデー
タR(λ)と計測データS(λ)との誤差が最小とな
り、透明基板における膜厚測定を精度良く行うことがで
きる。なお複数枚の基板が連続的に供給される場合も、
図8の手順を繰り返し行うだけでよいので、厚みにばら
つきのある基板が供給される場合も、高速の測定処理を
行うことができる。
【0058】ただし供給されるいずれの基板について
も、その基板の厚みがすべての裏面反射光を受光できる
範囲で変動すると保障できる場合は、外部からの指定に
応じて受光比率yを「1」に固定してもよい。
【0059】図10は、この実施例の膜厚センサにおい
て、反射光の受光状態を計測して得たグラフであって反
射地点とその地点からの反射光が受光される比率との関
係を示している。なお各地点の位置は、センサヘッド1
内のレンズ1aから所定距離(たとえば10mm)離れた
位置を標準位置として、この標準位置からの距離によっ
て表されている。
【0060】このグラフでは、標準位置より上下とも約
2mm離れた位置で反射した光は、ほぼすべて受光される
が、標準位置からの距離が2mmを越えた位置で反射した
光に対する受光比率は大幅に低下する現象が表されてい
る。すなわち測定対象の基板の厚みが2mm以内であれ
ば、基板の表面または裏面のいずれかを標準位置に合わ
せることにより、裏面反射光の受光比率を「1」として
も差し支えないことになる。
【0061】このグラフのように受光比率が変化する場
合、たとえばオペレータが測定対象の基板の厚みの上限
値として「2mm」を入力することにより、演算部22は
受光比率yを「1」に固定し、各基板につき、前記図8
のST6をスキップした手順を実行することになり、処
理を一層高速化することができる。なお基板の厚みを示
す数値を入力する代わりに、前記パーソナルコンピュー
タ4のディスプレイ表示などを用いて、「厚い」「薄
い」などの選択肢を提示し、オペレータが「薄い」を選
択した場合は、受光比率yを「1」に固定するようにし
てもよい。
【0062】さらに基板の厚みが2mmを越える場合であ
っても、厚みの変動幅が誤差範囲内であると保障できる
ならば、基板の厚みを示す数値データの入力を受け付け
て、その厚みに対応させて受光比率yを固定し、同様に
膜厚測定処理を高速化することができる。
【0063】
【発明の効果】この発明では、透明基板の薄膜の厚みを
測定する場合に、測定対象の基板により得た受光データ
を用いて、膜厚毎に基板表面および裏面からの反射光を
含む光を受光した場合のモデルデータを自動的に設定
し、各モデルデータと受光データとの比較処理によって
測定対象の基板の膜厚を特定するので、厚みにばらつき
のある基板が連続的に供給されても、測定処理を中断す
ることなく、高速かつ精度良く膜厚を測定することがで
き、インライン計測に適した膜厚センサを提供すること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】透明基板の厚みと裏面反射光のレンズへの入射
状態との関係を説明する図である。
【図2】透明基板の表面および裏面からの反射光および
各反射光に対応する反射率の概念を示す図である。
【図3】この発明の一実施例にかかる膜厚センサの外観
を示す図である。
【図4】図1の膜厚センサの投光部に使用される光源の
構成を示す図である。
【図5】光源の出力特性とダイクロイックミラーの透過
特性との関係を示すグラフである。
【図6】膜厚センサの構成を示す概念図である。
【図7】カーブフィッティング法の原理を説明する図で
ある。
【図8】膜厚測定の手順を示すフローチャートである。
【図9】理論上の反射率と裏面反射光の影響が加味され
た理論曲線との関係を示すグラフである。
【図10】反射地点とその地点からの反射光が受光され
る比率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
5 投光部 6 受光部 8 基板 8a 薄膜 1a 対物レンズ 20 分光フィルタ 21 ラインCCD 22 演算部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA30 BB01 BB22 CC17 CC31 DD06 FF51 GG07 GG12 GG13 GG22 GG23 HH13 JJ01 JJ09 JJ25 LL03 LL04 LL20 LL21 NN01 PP22 QQ03 QQ17 QQ18 QQ23 QQ42

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板の表面に光を照射するとともに
    前記照射光に対する基板からの反射光を波長単位毎に分
    光してそれぞれ個別の受光素子に導き、各受光素子から
    の出力信号より得た受光データを用いて前記基板の表面
    に形成された薄膜の厚みを測定する方法において、 膜厚が所定値であると仮定した場合の基板表面および裏
    面における理論上の反射率を波長単位毎に求めるステッ
    プ、 前記理論上の反射率と前記受光データとに基づき、前記
    透明基板の裏面反射光のうち受光素子に入射した光の比
    率を算出するステップ、 前記基板の表面および裏面における理論上の反射率と前
    記裏面反射光の受光素子への入射比率とを用いて、各受
    光素子からの出力信号によって表される反射スペクトル
    のモデルデータを設定するステップ、 前記受光データをモデルデータと比較するステップ、の
    各ステップを、仮定の膜厚の値を変更しつつ膜厚毎に実
    行し、各膜厚において得られた受光データとモデルデー
    タとの比較結果に基づき前記薄膜の厚みを特定すること
    を特徴とする膜厚測定方法。
  2. 【請求項2】 透明基板の表面に形成された薄膜の厚み
    を測定するためのセンサであって、 測定対象の基板に光を照射するための光源と、 前記照射光に対する基板表面からの反射光を分光する分
    光素子と、この分光素子により所定波長単位に分けられ
    た光を受光するための複数個の受光素子とを具備する受
    光手段と、 前記受光手段の各受光素子からの出力信号より得られた
    受光データを用いて前記薄膜の厚みを測定する測定手段
    とを具備し、 前記測定手段は、 測定対象の膜厚が所定値であると仮定した場合の基板表
    面および裏面における理論上の反射率を波長単位毎に求
    める処理と、これら理論上の反射率と前記受光データと
    を用いて前記透明基板の裏面反射光のうち受光手段に入
    射した光の比率を算出する処理と、前記基板の表面およ
    び裏面における理論上の反射率と前記裏面反射光の受光
    手段への入射比率とを用いて各受光素子からの出力信号
    によって表される反射スペクトルのモデルデータを設定
    する処理と、前記受光データをモデルデータと比較する
    処理とを、前記仮定の膜厚の値を変更しつつ膜厚毎に実
    行し、膜厚毎の比較結果に基づき前記薄膜の厚みを特定
    して成る膜厚センサ。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載された膜厚センサであっ
    て、前記光源からの光を基板の表面上の所定位置に絞り
    込んで照射するとともに、この照射光を受光手段に導く
    ためのレンズを具備して成る膜厚センサ。
  4. 【請求項4】 前記測定手段は、測定対象の基板の厚み
    を示すデータの入力を受け付ける手段を具備し、前記入
    力データが所定の最大厚さより薄いとき、前記裏面反射
    光の受光手段への入射比率を「1」に固定してモデルデ
    ータを設定する請求項2に記載された膜厚センサ。
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