JP2002075179A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
- Publication number
- JP2002075179A JP2002075179A JP2001205351A JP2001205351A JP2002075179A JP 2002075179 A JP2002075179 A JP 2002075179A JP 2001205351 A JP2001205351 A JP 2001205351A JP 2001205351 A JP2001205351 A JP 2001205351A JP 2002075179 A JP2002075179 A JP 2002075179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- dielectric
- layer
- electrode
- plasma display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
マディスプレイパネルを得ることができるプラズマディ
スプレイパネルの製造方法を提供すること。 【解決手段】第1の誘電体層(前面パネル側)の形成に
用いるガラス材料はBi 2O3−ZnO−B2O3−SiO
2−CaO系ガラスであり、第2の誘電体層(背面パネ
ル側)の形成に用いるガラス材料はPbO−B2O3−S
iO2−CaO−Al2O3系ガラスであるとともに、第
1の誘電体層を形成するガラス材料は、平均粒子径が
0.1μm以上2μm以下である。
Description
に用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関す
るものであって、特に、高品位のディスプレイに適した
プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
CRT,液晶ディスプレイ(以下、LCDと記載す
る),プラズマディスプレイパネル(Plasma Display P
anel,以下PDPと記載する)といった各ディスプレイ
の分野において、これに適したディスプレイの開発が進
められている。
用いられているCRTは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で40インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、LCDは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。
も大画面を実現することが可能であって、既に40イン
チクラスの製品も開発されている。
流型(AC型)とに分けられるが、現在では大型化に適
したAC型が主流となっている。
を示す要部斜視図である。
105は背面ガラス基板であり、ソーダライムガラスか
らなる基板である。
電極(表示電極)102が配設され、その上から、コン
デンサの働きをする誘電体ガラス層103で覆われ、更
に酸化マグネシウム(MgO)からなる誘電体保護層1
04で被覆されている。
電極106が配設され、その上を誘電体ガラス層107
が覆い、その上に隔壁108や蛍光体層109が設けら
れており、隔壁108の間隙には放電ガスが封入されて
放電空間110となっている。
ては、銀電極やCr−Cu−Cr電極などが広く用いら
れており、銀電極は印刷法で容易に形成することができ
る。
まる中で、PDPにおいても微細なセル構造のものが望
まれている。
0×480で、40インチクラスではセルピッチが0.
43mm×1.29mm、1セル面積が約0.55mm
2であったが、フルスペックのハイビジョンテレビの画
素レベルでは、画素数が1920×1125となり、4
2インチクラスでのセルピッチは0.15mm×0.4
6mm、1セルの面積は0.072mm2の細かさとな
る。
電極)間の距離が短くなるばかりでなく、放電空間も狭
くなるため、誘電体層におけるコンデンサとしての容量
を従来と同じだけ確保しようとすれば、誘電体ガラス層
の膜厚を従来よりも薄くすることが必要となる。
ス層に使用されているガラス(酸化鉛系ガラス又は酸化
ビスマス系ガラス)粉末の平均粒子径によっては、誘電
体ガラス層の絶縁耐圧に影響のない範囲で気泡の形成を
抑えて上記したように薄膜にすることは困難な場合があ
った。
濡れ性が悪いので、これらの電極上に誘電体ガラス層を
薄く且つ均一的にコートすることは困難で、絶縁耐圧が
問題となる。特に、銀電極の場合は、Cr−Cu−Cr
電極などと比べて、電極表面の凹凸が大きいので、電極
上に誘電体ガラス層を薄く均一にコートすることが難し
く、絶縁耐圧の問題も顕著である。
る焼成温度をできるだけ高く設定すれば、気泡の発生を
抑えることはできるのではないかと疑義が生じるが、焼
成温度をこのように高くするとガラスの流動性が高くな
り電極を構成する材料と化学反応し、その反応に伴う発
泡により逆に気泡の形成が抑えられなくなる。従って、
誘電体ガラス層の形成に用いるガラス材料の軟化点より
も低い温度で焼成することにより、このようなガラス材
料が溶融して流動することによる電極との反応を抑制し
て、気泡の形成を抑える技術も開発されている(特開平
7−105855号公報)。しかし、この技術ではガラ
ス材料の平均粒子径に依存した気泡の形成は抑えられな
い。
てなされたものであって、精細なセル構造の場合にも信
頼性の高いプラズマディスプレイパネルを得ることがで
きるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する
ことを目的としてなされたものである。
めに、第1の電極が配されている前面ガラス基板に対し
て、当該前面ガラス基板表面にガラス材料を焼成するこ
とによって第1の誘電体層を形成する第1ステップと、
背面ガラス基板表面にガラス材料を焼成することによっ
て第2の誘電体層を形成する第2ステップと、前面ガラ
ス基板と第2の電極が配された背面ガラス基板とを前記
第1及び第2の電極を対向させた状態で平行に配置させ
て両ガラス基板間に放電空間を形成する第3ステップと
を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
て、前記第1のステップで第1の誘電体層の形成に用い
るガラス材料はBi2O3−ZnO−B2O3−SiO2−
CaO系ガラスであり、前記第2のステップで第2の誘
電体層の形成に用いるガラス材料はPbO−B2O3−S
iO2−CaO−Al2O3系ガラスである。
粒子径を平均粒径2μm以下に規定して誘電体ガラス層
を作製することにより、当該層形成時に前面ガラス基板
との境界面、放電電極との境界面或は第1の誘電体層内
部に気泡が発生する現象を抑えることができる。
一般的な厚さよりも薄く輝度の向上を図るに望ましい2
0μm以下に設定しても、薄くすることによる当該層に
おける絶縁耐圧の低下を抑えることができる。つまり、
このように絶縁耐圧をある程度確保して第1の誘電体層
の厚みを薄くでき、同時にパネル輝度を向上する効果と
放電電圧を低減する効果が得られる。
には、平均粒子径が0.1μm以上のものを用いるのが
実用的である。
板表面にガラス材料を焼成することによって第2の誘電
体層を形成するサブステップを備え、当該サブステップ
で用いるガラス材料の平均粒子径は2μm以下である。
において、第1の誘電体層だけを上記したように形成し
た場合によりもパネルの信頼性が高まる。
ス材料にも、平均粒子径が0.1μm以上のものを用い
ることが実用的である。
を配合したものを用いれば、誘電率が向上するので望ま
しい。
DPについて図面を参照しながら具体的に説明する。
PDP1の要部斜視図、図2は、図1のX−X線矢視断
面図、図3は、図1のY−Y線矢視断面図である。
け示されているが、実際には赤(R),緑(G),青
(B)の各色を発光するセルが多数配列されてPDPが
構成されている。
ラス基板11の上に、銀からなる放電電極(表示電極)
12、誘電体ガラス層13及び保護層14が配されてな
る前面パネル10と、背面ガラス基板21の表面にアド
レス電極22、誘電体ガラス層23、隔壁24、R,
G,B各色の蛍光体層25が配されてなる背面パネル2
0とを張り合わせ、前面パネル10と背面パネル20と
の間に形成される放電空間30内に放電ガスが封入され
た構成であって、以下に示すように作製される。
は、前面ガラス基板11の表面上に、公知のフォトレジ
スト法により放電電極(表示電極)12をストライプ状
に形成し、その上にガラス材料を用いて誘電体ガラス層
13を形成し(これについて詳細は後述する)、更に誘
電体ガラス層13の表面上に酸化マグネシウム(Mg
O)からなる保護層14を形成することによって作製す
る。
ら、CVDによって保護層を形成する方法について説明
する。
CVD装置40の概略図である。
ズマCVDのいずれも行うことができるものであって、
CVD装置本体45の中には、ガラス基板47(図1に
おける放電電極12や誘電体ガラス層13を形成した前
面ガラス基板11)を加熱するヒータ部46が設けら
れ、CVD装置本体45内は排気装置49で減圧にする
ことができるようになっている。また、CVD装置本体
45の中にプラズマを発生させるための高周波電源48
が設置されている。
アであるアルゴン[Ar]ガスを、気化器(バブラー)
42,43を経由してCVD装置本体45に供給するも
のである。
形成するための原料であるマグネシウム化合物が貯えら
れている。その具体例としては、アセチルアセトンマグ
ネシウム[Mg(C5H7O2)2],シクロペンタジエニ
ルマグネシウム[Mg(C5H5)2]を挙げることがで
きる。
[O2]をCVD装置本体45に供給するものである。
護層14の形成を行なう場合は、ヒータ部46の上に、
電極が形成された面を上にしてガラス基板47を置き、
所定の温度(300℃前後)に加熱すると共に、反応容
器内を排気装置49で減圧(数十Torr程度)にす
る。
ースとなる金属キレートまたはアルコキシド化合物を、
所定の気化温度に加熱しながら、Arガスボンベ41a
又は41bからArガスを送り込む。また、これと同時
に、酸素ボンベ44から酸素を供給する。
り込まれるキレート又はアルコキシド化合物と酸素とが
反応し、ガラス基板47の電極を配した表面上に、酸化
マグネシウム(MgO)からなる保護層14が形成され
る。
CVD法で保護層14の形成を行なう場合、上記の熱C
VDの場合とほぼ同様の操作を行なうが、更に高周波電
源48を駆動して高周波電界(13.56MHz)を印
加することにより、CVD装置本体45内にプラズマを
発生させながら、保護層14の形成を行なう。
基板21の表面に、上述した放電電極12の形成と同様
のフォトレジスト法により、アドレス電極22を形成す
る。
同様に、誘電体ガラス層13と同じガラス材料をスクリ
ーン印刷で塗布し焼成することによって誘電体ガラス層
23を形成する(これについては後述する)。
製の隔壁24を所定のピッチで設置する。
赤色(R)蛍光体,緑色(G)蛍光体,青色(B)蛍光
体の中の1つを配設することによって、蛍光体層25を
形成する。各色R,G,Bの蛍光体としては、一般的に
PDPに用いられている蛍光体を用いることができる
が、ここでは次の蛍光体を用いる。
PDPの作製:前述のようにして作製した前面パネル1
0と背面パネル20とを、封着用ガラスを用いて貼り合
わせると共に、隔壁24で仕切られた放電空間30内を
高真空(8×10-7Torr)に排気した後、所定の組
成の放電ガスを所定の圧力で封入することによってPD
Pが作製される。
イズは、40インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、隔壁24のピッチを0.2mm以下、放電電
極12の電極間距離を0.1mm以下に設定する。
ら用いられているHe−Xe系であるが、セルの発光輝
度の向上を図るために、Xeの含有量を5体積%以上と
し、封入圧力を500〜760Torrに設定する。
どの粉砕装置を用いて平均粒子径が2μm以下となるよ
うに粉砕する。ガラス材料としては、酸化鉛系ガラスや
酸化ビスマス系ガラスなどを用いることができる。酸化
鉛系ガラスの組成として、例えば、酸化鉛(PbO),
酸化硼素(B2O3),酸化硅素(SiO 2)及び酸化ア
ルミニウム(Al2O3)の混合物を挙げることができ、
酸化ビスマス系ガラスの組成として、例えば、酸化ビス
マス(Bi2O3),酸化亜鉛(ZnO),酸化硼素(B
2O3),酸化硅素(SiO2),酸化カルシウム(Ca
O)の混合物を挙げることができる。
m以下の大きさでもより小さいほど気泡の形成を抑える
上では望ましく、1.5μm以下であることがより望ま
しい。また、下限値としては0.1μm以上のものが実
用的である。
析計(コールター株式会社製の粒度測定装置)を用いて
測定した(以下の実施例でも同様)。なお、このコール
ターカウンタ粒度分析計は、個数平均方法によって平均
粒子径を算出するものである。
料の粉体を適量のバインダ成分と混合して、この混合物
を例えば3本ロールで良く混練することにより印刷用ペ
ーストを作製する。バインダ成分としては、エチルセル
ロース又はアクリル樹脂をターピネオール又はブチルブ
チルカルビトールアセテートで溶解させたものが挙げら
れる。印刷用ペーストは、例えば、ガラス材料45重量
%〜65重量%、エチルセルロース又はアクリル樹脂を
1重量%〜20重量%含むバインダ成分35重量%〜5
5重量%の配合比率に調整する。
(酸化チタン)を最終的に全量に対して5重量%以上に
なるように配合すれば、誘電率εは顕著に向上するが、
TiO2の含有量が10重量%を越えると誘電体ガラス
層の光透過率が低下するので、前面ガラス基板側の誘電
体ガラス層13におけるTiO2の含有量としては、5
〜10重量%とすることが望ましい。背面ガラス基板側
の誘電体ガラス層23においては、TiO2の含有量が
多ければ多い方が誘電率を高くできると共に可視光反射
率を高められるので望ましい。
は、その配合量にも依るが、当該添加材の平均粒子径も
後述するように気泡の発生を抑制するという観点では2
μm以下に、より好ましくは1.5μm以下に設定すべ
きである。
法により前面ガラス基板11、放電電極12上及び背面
ガラス基板21、アドレス電極22に配設する。そし
て、このように印刷用ペーストが配設された前面ガラス
基板11及び背面ガラス基板21を所定の温度で焼成す
ることにより誘電体ガラス層を作製する。この焼成温度
は、ガラス材料の組成によっても多少変動するが、上記
した組成のガラス成分にあっては、500℃〜650℃
の範囲で焼成するのが好ましい。
を規定して誘電体ガラス層を作製することにより、当該
層形成時に前面ガラス基板11又は背面ガラス基板21
との境界面、放電電極12又はアドレス電極22との境
界面或は誘電体ガラス層13又は23内部に気泡が発生
する現象を抑えることができる。
材料を焼成する温度は、更にガラス材料の所定の粘度を
基準にして測定した軟化点(本実施の形態では、粘度が
4.5×107ポアズ以下になる温度を軟化点とする。)
付近の温度であることがより好ましい。このように焼成
温度を規定することにより、電極とガラス材料との化学
的反応が防止できるからである。上記したガラス材料の
焼成温度である500℃〜650℃は、このような温度
範囲でもある。
平均粒子径が、2μm以下であるので、成膜後の誘電体
ガラス層の表面の表面粗さは小さい。
可能な範囲であまり長くない時間であることが望まし
い。ガラス材料の組成にもよるが、上記ガラス材料の場
合には、15分前後で行うことが望ましい。
すると気泡の発生が抑えられる理由について 以下に、気泡の発生が誘電体ガラス層の形成に用いるガ
ラス材料の平均粒子径に依存する原因について考えてみ
る。つまり、相対的に粒子径の小さいガラス粒子が相対
的に粒子径が大きなガラス粒子よりも早く溶融するた
め、焼成処理が終了するときまでにはこのように先に溶
融したガラス成分がその流動性ゆえに凝集する。従っ
て、このようなガラス粒子の溶融速度の違いに起因し
て、いまだ、完全に溶融しない相対的に粒子径の大きな
ガラス粒子の間隙は気泡となって焼成後に残ることにな
るのである。このように平均粒子径が気泡生成の度合を
決定する要因、即ち、ガラス材料の平均粒子径と生成す
る気泡の径との間には強い相関関係がある。
子径を規定することによっても、上記したように相対的
に粒子径の小さいガラス粒子が相対的に粒子径が大きな
ガラス粒子よりも早く溶融し、焼成処理が終了するとき
までにはこのように先に溶融したガラス成分がその流動
性ゆえに凝集することになるが、溶融速度の差が小さく
なるので、上記したような気泡の発生は抑制されるので
ある。このことは、後述する詳細な実験からも裏付けら
れるところである。
ス材料を用いれば、それを超えるガラス材料を用いる場
合に比べて気泡の発生は抑制できるのだが、実質上は、
発生する気泡の平均径が小さくなると共に、その数が少
なくなるのである。
を上限2μmに規定するのは、これを超えると気泡の形
成が顕著であるため、後述のように膜厚を20μmに設
定したときに十分な絶縁耐圧を得られないからでもあ
る。
形成後の表面はどうしても凹凸が残るが、このように平
均粒子径が従来よりも小さいガラス材料を用いるので、
それだけ径の小さいガラス粒子が増す。そして、それが
当該凹凸に入り込み凹部も高い頻度で解消できることに
なる。
度について以下に具体的なデータをもとに解説する。
料の平均粒子径との関係を示す図表であり、平均粒子径
が0.85μm又は平均粒子径が3.17μmのガラス材
料を所定の大きさの円柱形状に加圧成形し、これを昇温
速度10℃/minで加熱しながら高温加熱顕微鏡で40
0℃〜880℃の温度範囲で20℃ごとに、写真撮影し
た結果で試料の形状の変化を表している。黒塗りの図形
が円柱状の試料の側面形状を示す。この図表に示すとお
り、同じ温度であっても、用いるガラス材料の平均粒子
径が小さい方が溶融速度が大きいことがはっきりわか
る。なお、この内容については、電気化学 Vol 5
6,No1,1988,23頁〜24頁に詳しく記載され
ている。
発生を抑えられるので、本実施の形態では、誘電体ガラ
ス層13及び23の厚さを、従来の一般的な厚さよりも
薄く輝度の向上を図るに望ましい20μm以下に設定し
ても、薄くすることによる当該層における絶縁耐圧の低
下を抑えることができる。つまり、このように絶縁耐圧
をある程度確保して誘電体ガラス層13の厚みを薄くで
き、同時にパネル輝度を向上する効果と放電電圧を低減
する効果が得られる。
を薄くした場合にも、絶縁耐圧は十分に確保されるの
で、繰り返しの使用に対しても、高いパネル輝度や低い
放電電圧といった優れた初期性能を長期にわたって維持
することができ、PDPを信頼性の優れたものとするこ
とができる。
ル10側及び背面パネル20側の双方において上記のよ
うにして気泡の発生を抑えた誘電体ガラス層を形成する
例を示したが、前面パネル10側或は背面パネル20側
だけにこれを適用することもできる。また、背面パネル
20側に誘電体ガラス層が形成されていないPDPにお
いては、前面パネル10側だけにこれを適用することが
できる。
層を薄く形成することが難しいことを考慮すれば、各電
極がCr−Cu−Cr電極などの場合においても同様に
実施することは可能である。
示すPDPを作製した。
は、実施の形態に基づく実施例であって、双方の誘電体
ガラス層13及び23を平均粒子径1.5μm以下のガ
ラス材料を用いて作製したものである。
ビジョンテレビ用のディスプレイに合わせて、隔壁24
の高さ0.15mm、隔壁の間隔(セルピッチ)は0.1
5mm放電電極の間隔は0.05mmに設定した。
e−Xe系の混合ガスであって、600Torrの封入
圧で封入した。
層13の形成に、PbO−B2O3−SiO2−CaO−
Al2O3系ガラスを使用し、又No.8〜10では、誘
電体ガラス層13の形成に、Bi2O3−ZnO−B2O3
−SiO2−CaO系ガラスを使用した。PDPNo.
1〜5,8〜10全てにおいて、誘電体ガラス層23の
形成には、PbO−B2O3−SiO2−CaO系ガラス
を使用した。また、誘電体ガラス層23には、背面パネ
ル側の誘電体ガラス層の形成にあたっては上記ガラスに
TiO2を添加しガラス材料を用いた。
方の誘電体ガラス層を従来と同様に平均粒子径が2μm
を超える3μmのものを用いて作製したものである以外
は、実施例に係るPDPと同じ条件で作製してある。
の誘電体ガラス層の形成に、PbO−B2O3−SiO2
−CaO−Al2O3系ガラスを使用し、又No.11で
は、前面パネル側の誘電体ガラス層の形成に、Bi2O3
−ZnO−B2O3−SiO2−CaO系ガラスを使用し
た。PDPNo.6,7,11全てにおいて、背面パネ
ル側の誘電体ガラス層の形成には、PbO−B2O3−S
iO2−CaO系ガラスを使用した。また、背面パネル
側の誘電体ガラス層の形成にあたっては上記ガラスにT
iO2を添加しガラス材料を用いた。なお、作製する条
件の詳細については、上記表1〜表4に表記してある。
いて、誘電体ガラス層に関して放電電極及びアドレス電
極上に位置する部分を電子顕微鏡で倍率250倍にて観
察し、気泡所定数の気泡径の測定結果から気泡径の平均
値を算出した。気泡1つにおける気泡径の測定は、2軸
における平均値をとった。
示した。
誘電体ガラスの絶縁耐圧について調べた。耐圧テストは
以下のようにして行った。
ガラス基板(背面ガラス基板)を剥ぎとったものに、既
に形成されている放電電極(アドレス電極)の形成面と
は反対側に銀を含むペーストを用いて銀電極を形成す
る。そして、放電電極(アドレス電極)をプラス、後に
形成した銀電極をマイナスとして、所定の電圧(kV)
を印加したときの絶縁破壊が生じる電圧を耐電圧とし
た。この結果は、表5及び表6に記載してある。
0枚づつ作製し、加速寿命テストに供した。
かなり過酷な条件、放電維持電圧200V,周波数50
KHzで4時間連続的に放電させるという条件で行っ
た。そして、20枚中何枚のPDPが絶縁破壊を生じて
いるかを調べた。この結果も表5及び表6に記載した。
定した。表2に結果を併記する。
mのガラス材料を用いて、厚みを30μm以下の範囲で
様々に変えて誘電体ガラス層を形成したときの、誘電体
ガラス層の耐電圧を実験2で行ったようにして測定し
た。そして、この実験結果に基づき、誘電体ガラス層の
膜厚と耐電圧との関係を図6に示した。
っては、気泡の大きさは、大きくても平均径にして0.
6μmであった。これに対して、比較例に係るPDPに
あっては、気泡の大きさは平均径にして何れも実施例の
場合よりも大きかった。
形成数も少なかった。
発生を抑えるには、形成に用いるガラス材料の平均粒子
径が大きく依存していることが裏付けられる。
ス材料の平均粒子径がより小さいほど形成された気泡の
大きさは小さいものであった。
いるガラス材料の平均粒子径がより小さいものである場
合には、気泡の形成を抑制する効果はある程度得られる
が、後述するように耐電圧特性において十分とは言えな
い。
について、実施例に係るPDPは比較例に係るPDPよ
りも、膜厚を略同等に設定しているにも関らず高かっ
た。
は比較例に係るPDPに比べて、誘電体ガラス層に絶縁
耐圧を低下させる主要因である気泡の形成が抑えられて
いることを間接的に示すものである。
ス材料の平均粒子径がより小さいほど耐電圧は高かっ
た。つまり、用いるガラス材料の平均粒子径がより小さ
いほど気泡の形成が抑えられ、より緻密に成膜されると
いうことである。
いては、絶縁破壊が生じたPDPは皆無であった。これ
に対して、比較例に係るPDPにおいては、最悪の場合
には50%が破壊されていた。
粒子径が小さいほど耐電圧は高くなることが分かる。こ
のことは上記したとおりである。
が、パネル輝度の向上を図るに好ましい膜厚20μm付
近で実用的な耐電圧3.0KVを得ようとすれば、ガラ
ス材料の平均粒子径を2μm以下に設定することが望ま
しいことを別途実験的に確認してある。
圧を得たい場合に、用いるガラス材料の平均粒子径が小
さい方が、膜厚をより薄くできるので、同じ絶縁耐圧で
あったとしても、そのぶん高い輝度が期待できる。
は、第1の誘電体層の形成に用いるガラス材料の平均粒
子径が2μm以下である。
電極との境界面或は第1の誘電体層内部に気泡が発生す
る現象を抑えることができる。
来の一般的な厚さよりも薄く輝度の向上を図るに望まし
い20μm以下に設定しても、薄くすることによる当該
層における絶縁耐圧の低下を抑えることができる。つま
り、このように絶縁耐圧をある程度確保して第1の誘電
体層の厚みを薄くでき、同時にパネル輝度を向上する効
果と放電電圧を低減する効果が得られる。
ス材料の平均粒子径が2μm以下である。これにより、
第2の誘電体層を設ける場合において、第1の誘電体層
だけを上記したように形成した場合によりもパネルの信
頼性が高まる。
視図である。
図である。
径との関係を示す図表である。
特性図である。
視図である。
基板 48 高周波電源 49 排気装置
Claims (5)
- 【請求項1】 第1の電極が配されている前面ガラス基
板に対して、当該前面ガラス基板表面にガラス材料を焼
成することによって第1の誘電体層を形成する第1ステ
ップと、 背面ガラス基板表面にガラス材料を焼成することによっ
て第2の誘電体層を形成する第2ステップと、 前面ガラス基板と第2の電極が配された背面ガラス基板
とを前記第1及び第2の電極を対向させた状態で平行に
配置させて両ガラス基板間に放電空間を形成する第3ス
テップとを備えるプラズマディスプレイパネルの製造方
法であって、 前記第1のステップで第1の誘電体層の形成に用いるガ
ラス材料はBi2O3−ZnO−B2O3−SiO2−Ca
O系ガラスであり、 前記第2のステップで第2の誘電体層の形成に用いるガ
ラス材料はPbO−B 2O3−SiO2−CaO−Al2O
3系ガラスであることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項2】 前記第1の誘電体層を形成するガラス材
料は、平均粒子径が0.1μm以上2μm以下であるこ
とを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。 - 【請求項3】 当該第2ステップで用いるガラス材料の
平均粒子径は0.1μm以上2μm以下であることを特
徴とする請求項1若しくは2の何れかに記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項4】 前記第1の誘電体層又は第2の誘電体層
を20μm以下の膜厚に形成することを特徴とする請求
項3に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項5】 第1の電極上に第1の誘電体ガラス層が
形成された前面ガラス基板と、第2の電極上に第2の誘
電体ガラス層が形成された背面ガラス基板とを前記第1
及び第2の電極を対向させた状態で平行に配置させて両
ガラス基板間に放電空間が形成されたプラズマディスプ
レイパネルであって、 前記第1の誘電体ガラス層のガラス材料はBi2O3−Z
nO−B2O3−SiO 2−CaO系ガラスであり、 第2の誘電体ガラス層のガラス材料はPbO−B2O3−
SiO2−CaO−Al2O3系ガラスであることを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001205351A JP3851118B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001205351A JP3851118B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15332398A Division JP3234567B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-06-02 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002075179A true JP2002075179A (ja) | 2002-03-15 |
JP3851118B2 JP3851118B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=19041675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001205351A Expired - Fee Related JP3851118B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3851118B2 (ja) |
-
2001
- 2001-07-05 JP JP2001205351A patent/JP3851118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3851118B2 (ja) | 2006-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6160345A (en) | Plasma display panel with metal oxide layer on electrode | |
EP1164620B1 (en) | Plasma display panel suitable for high-quality display and production method | |
JP3389243B1 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
US6774558B2 (en) | Plasma display panel and method of making the same | |
JP2008034390A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
JPH113665A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
JP2000156168A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
JP3442634B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP3317161B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP3234567B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP3851118B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2000156165A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP3414236B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP3317175B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2002063842A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP2003007217A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2003338248A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2001266753A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP3988515B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP2002015664A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JPH11329254A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2002063850A (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP3818201B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2003045322A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2002343261A (ja) | プラズマディスプレイパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060831 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |